JPH0454375B2 - - Google Patents

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JPH0454375B2
JPH0454375B2 JP57051992A JP5199282A JPH0454375B2 JP H0454375 B2 JPH0454375 B2 JP H0454375B2 JP 57051992 A JP57051992 A JP 57051992A JP 5199282 A JP5199282 A JP 5199282A JP H0454375 B2 JPH0454375 B2 JP H0454375B2
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JP
Japan
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thin film
film
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gate electrode
resist pattern
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JP57051992A
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English (en)
Japanese (ja)
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JPS58168278A (ja
Inventor
Yasuo Nakai
Hiroshi Nozawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]

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  • Thin Film Transistor (AREA)
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