JPH04220239A - 光検出器のアレイから画像データを読み出す方法及び画像検出器システム - Google Patents
光検出器のアレイから画像データを読み出す方法及び画像検出器システムInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は画像作成用の固体多重素
子Ｘ線検出器を使用するＸ線システムに関するものであ
り、更に詳しくは検出素子から信号を読み出して、これ
らの信号を処理するための技術に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来のＸ線蛍光透視装置ではＸ線源から
医療患者のような被分析対象を通してＸ線ビ―ムを投射
する。ビ―ムが患者を通過した後、通常イメ―ジ増倍管
がＸ線放射を可視光像に変換し、ビデオカメラが可視像
からアナログビデオ信号を作成し、モニタに表示する。 アナログビデオ信号を作成するので、自動輝度調節およ
び画像強調のための画像処理がアナログ領域で行なわれ
る。 【０００３】最近、高分解能の固体Ｘ線検出器が提案さ
れ、これは各次元に３０００から４０００個のホトダイ
オ―ド検出素子を用いた２次元アレ―で構成される。各
素子は検出器に投射されるＸ線像の画素輝度に対応する
電気信号を作成する。各検出素子からの信号は個別に読
み出されてディジタル化され、その後で画像処理、記憶
および表示される。 【０００４】このような検出素子の大形アレ―によって
得られる高分解能は多くの場合、患者の分析に有益であ
る。しかし、高度の分解能が必要でない場合には、義務
として課されるアレ―からの大量のデ―タの処理によっ
て、画像処理時間が妥当な所要時間より著しく長くなる
。更に、Ｘ線システムによってはこのような高度の分解
能をそなえた検出器を必要としない。この場合、より小
形のマトリクス検出器で充分である。しかし、この場合
、所要分解能が異なるＸ線装置ごとに大きさの異なる検
出器を作るのではなくてより大きいマトリクス検出器を
使う方がコスト効率が良いことがあり得る。このいずれ
の場合も検出器が必要以上の高分解能の画像を作成する
ときは、デ―タ量を削減するための技術が望ましくなる
。 【０００５】従来のホトダイオ―ド検出アレ―固有の問
題はホトダイオ―ドに配置されたバイアス電荷はトラン
ジスタ電流漏洩により、また一般に「暗電流」として知
られている機構により部分的に放電されることがある。 暗電流および電流漏洩の影響による電荷空乏は画像信号
のオフセットを生じる。これらの電流によって除去され
る電荷の量は一定でないので、信号オフセットが変動し
、検出器出力に不確定要素が加わる。 【０００６】これらの電流によって幾分ホトダイオ―ド
から除去される電荷の量はホトダイオ―ドのバイアスか
ら検出素子の電荷検知までの時間の長さの関数である。 したがって、これらの電流の影響を最小限にするために
検出器アレ―の素子の読出しに必要な時間を最小限にす
ることが望ましい。これにより、画像信号処理回路の帯
域幅を小さくし、回路により検出器信号に加わる電気雑
音を小さくするため読出し時間を大きくすることも望ま
しいという点とのかね合いが生じる。 【０００７】 【発明の概要】固体イメ―ジセンサはｍ列ｎ行に配列さ
れた光検出器の二次元アレ―で形成される。但しｍおよ
びｎは整数である。高分解能イメ―ジ検知の場合、アレ
―の各列および各行に約４０００個もの光検出器が配列
されることがある。各列の光検出器は別々のスイッチ手
段によって共通の列出力線に接続される。各行の光検出
器に対するスイッチ手段は共通の行選択線の信号によっ
て駆動される。 【０００８】各光検出器によって検知される画像デ―タ
は所定のシ―ケンスで行選択線を駆動することによって
読出される。最初に、アレ―の中央付近の１群の１つ以
上の行選択線が駆動されることにより、対応する光検出
器からの信号が列出力線に与えられる。次に中央の群の
片側にある同様の１群の行選択線が駆動されることによ
り、その対応する光検出器からの信号が列出力線に結合
される。アレ―の中央の群の他方の側にある別の１つの
同様な群の１つ以上の行選択線が駆動されることにより
、その対応する光検出器からの信号が列出力線に印加さ
れる。実施例では、アレ―の中央の群の両側にある行群
を交互に駆動することにより、残りの行の光検出器から
の信号が読出される。 【０００９】各群が複数の行で構成されるとき、各列に
沿った数行の光検出器からの信号が組合わされてその列
出力線の信号となる。これにより、アレ―および被検知
画像の１つの次元に沿ってデ―タの低減が行なわれる。 デ―タの低減を対称に行なって画像ひずみを避けるため
、イメ―ジセンサの外部の回路が複数の列出力線からの
信号を組合わせる。理想的には、組合わせるべきこのよ
うな出力線信号の数はデ―タ低減後の画像がデ―タ低減
前の画像と同じ横縦（ａｓｐｅｃｔ）比を持つように選
択される。 【００１０】本発明の１つの目的は画像内の画素量を減
らすための技術を提供することである。 【００１１】もう１つの目的はアレ―の中心部分から画
像デ―タを読み取った後、アレ―の中心から外側に画像
デ―タを漸次読み取る方法を提供することである。この
ような外向きの走査は画像照射と読出しとの間の経過時
間の関数である影響による中心画像部分の劣化を少なく
する。 【００１２】更にもう１つの目的は結果として得られる
画像に必要とされる画像分解能の程度によって左右され
る画像デ―タ低減度を変えるための技術および装置を提
供することである。 【００１３】 【実施例の説明】まず図１を参照して説明すると、Ｘ線
装置１４にはＸ線管１５が含まれており、電源１６によ
って駆動されるとＸ線管１５はＸ線ビ―ム１７を放射す
る。図示するように、Ｘ線ビ―ムはＸ線透過性のテ―ブ
ル２０の上に横たわった患者１８に向けられる。ビ―ム
のうちテ―ブルおよび患者を透過した部分はＸ線検出器
２２に当たる。Ｘ線検出器２２に含まれるシンチレ―タ
２４はＸ線光子を可視スペクトルの低エネルギ―光子に
変換する。シンチレ―タ２４に隣接して光検出器アレ―
２６が設けられており、光検出器アレ―２６は光子を電
気信号に変換する。検出器アレ―を動作させて画像を取
得し、各光検出素子から信号を読み出すための電子回路
が検出器制御器２７に含まれている。 【００１４】光検出アレ―２６の出力信号は画像処理器
２８に結合されている。画像処理器２８にはＸ線画像信
号を処理し、強調するための回路が含まれている。処理
された画像は次にビデオモニタ３２に表示される。処理
された画像は画像記憶装置３０に保管してもよい。画像
処理器２８は更に輝度調節信号を作成する。この輝度調
節信号は照射制御回路３４に与えられ、電源１６を調節
することによりＸ線照射を調節する。 【００１５】Ｘ線装置１４の全体的な動作はシステム制
御器３６によって支配される。システム制御器３６は操
作者インタフェ―ス３８を介してＸ線技術者からの指示
を受ける。 【００１６】図２は光検出器アレ―２６の回路を示す。 この回路は検出素子４０のマトリックスで構成される。 検出素子４０はｍ列ｎ行の通常の二次元アレ―として非
晶質シリコンウェ―ハの上に配列されている。但し、ｍ
およびｎは整数である。たとえば、代表的な高分解能Ｘ
線検出器は３０００から４０００の行および列の素子の
正方形のアレ―である。 【００１７】各検出素子４０にはホトダイオ―ド４２お
よび薄膜抵抗４４が含まれている。ホトダイオ―ド４２
は大きなウェ―ハ領域から作られるので、ホトダイオ―
ドはシンチレ―タ２４の発生する光のかなり大きい部分
を遮えぎる。各ホトダイオ―ドは比較的大きな容量もそ
なえているので、光子の励起によって生ずる電荷を蓄積
することができる。 【００１８】アレ―の各列のホトダイオ―ド４２のカソ
―ドは対応するトランジスタ４４のソ―ス・ドレ―ン導
電路によりその列に対する共通の列信号線［４８−１な
いし４８−ｍ］に接続されている。たとえば、列１のホ
トダイオ―ド４２は第１の信号線４８−１に結合されて
いる。 各行のダイオ―ドのアノ―ドは共通に負バイアス電圧［
−Ｖ］源に接続されている。各行のトランジスタ４４の
ゲ―ト電極は共通の行選択線［４６−１ないし４６−ｎ
］に接続されている。たとえば行１は線４６−１に接続
される。行選択線および列信号線は検出器制御器２７に
結合されており、列信号線は画像処理器２８にも接続さ
れている。 【００１９】図２に示す検出器を使ってＸ線画像を取得
するため、装置１４は次の動作シ―ケンスを遂行する。 まず、検出器制御器２７はすべての列信号線４８−１な
いし４８−ｍをア―スに接続し、すべての行選択線４６
−１ないし４６−ｎに正電圧［Ｖｏｎ］を印加する。行
選択線に印加される正電圧は各検出素子４０のトランジ
スタ４４をタ―ンオンして、逆バイアスされたホトダイ
オ―ド４２に正電荷を加える。ホトダイオ―ドが充分に
充電されたとき、検出器制御器２７は負電源電圧［−Ｖ
］より負の負電圧［−Ｖｏｆｆ ］を行選択線４６−１
ないし４６−ｎに印加する。行選択線のこの負バイアス
により、各検出素子４０のトランジスタ４４がタ―ンオ
フされる。 【００２０】次に検出器２２にはＸ線光子のビ―ム１７
を発生するようにＸ線管１５によって従来の方法で作ら
れたＸ線光子のパルスが当てられる。Ｘ線光子はシンチ
レ―タ２４によって低エネルギ―光子に変換される。こ
れらの低エネルギ―光子が検出器２６のホトダイオ―ド
４２に当ると、ダイオ―ドは導電状態となり、正電荷の
一部を放電する。ホトダイオ―ド４２から除去される正
電荷の量はそれに当る低エネルギ―光子の量によって左
右される。ホトダイオ―ド４２に当る低エネルギ―光子
の量はホトダイオ―ドに隣接するシンチレ―タ２４の領
域に当るＸ線エネルギ―の強さによって左右される。し
たがって、各検出素子４０のホトダイオ―ド４２から除
去される電荷の量はＸ線検出器２２の対応する領域に当
るＸ線の強さの関数である。 【００２１】Ｘ線照射の終了後、各ホトダイオ―ド４２
の残留電荷が検知される。これを行なうため、検出器ア
レ―の各列に対する列信号線４８−１ないし４８−ｍが
画像処理器２８の個別の検知回路に同時に接続される。 数種類の検知回路のどれでも画像処理器２８に組み込む
ことができる。たとえば、検知回路はホトダイオ―ドの
両端間の電圧、したがってホトダイオ―ドに残っている
電荷の量を測定することができるものが用いられる。代
案として、検知回路は対応する列信号線４８−１ないし
４８−ｍをア―ス電位に接続し、Ｘ線照射によって除去
される電荷を補充するために必要とされる電荷の量を測
定するものであってもよい。 【００２２】画像分解能を最大限にするため、行選択線
４６−１ないし４６−ｎの各々に正電圧Ｖｏｎを順次印
加して検出器制御器２７によってホトダイオ―ド電荷が
一度に１行づつ検知される。行選択線が正バイアスされ
たとき、その行選択線に接続された検出器アレ―のトラ
ンジスタ４４がタ―ンオンされることにより、選択され
た行の対応するホトダイオ―ド４２がそれらの列信号線
４８−１ないし４８−ｍに結合される。 【００２３】アレ―の各検出素子から信号を読出すため
に必要な時間の長さを短かくするため、検出素子列は図
３に示すように２群に分けることができる。ｎ行の検出
器アレ―２６のこの例では、行１から行ｎ／２までの検
出素子４０′が第１群の共通の信号線４７に接続されて
いる。同時に、行（ｎ／２）＋１から行ｎまでの検出素
子４０″は第２群の共通の信号線４９に接続されている
。この例では、アレ―の上半分の検出素子４０′をアレ
―の下半分の検出素子４０″と同時に読み出すことがで
きる。注意しなければならないのは検出器アレ―２６の
この代替実施例は必要な信号検知回路の数が２倍になる
ことである。しかし、検出素子で電荷を検知するために
必要な時間は半分となる。あるいはそのかわりに、検知
時間を前の実施例と同じにして検知回路の帯域幅を狭く
することも可能である。更に、検出器アレ―を細分する
ことにより、検知回路から見た電気雑音と容量が小さく
なる。 【００２４】前記の通り、検出器アレ―２６の最大の分
解能が必要でない用途では画像デ―タ量を減らすことが
有利である。Ｘ線検出器２２では、画素数を減らすため
検出素子を行および列に沿って組合わせることができる
。二次元画像の場合、結果として得られる画像の歪みを
避けるためデ―タ低減は両次元で等しく行なわなければ
ならない。さまざまの視野、画像マトリックスのサイズ
、および画像取得速度を作るため、本発明では画像を細
分してｑ×ｐ個の検出素子の二次元群とすることができ
る。ここでｐおよびｑは整数である。ｑ×ｐ群はアレ―
全体と同じ横縦比を持つ。典型的な正方形アレ―の場合
、ｐとｑは等しく、たとえば１ないし４の範囲内の共通
の値を持つ。その結果、細分された群は１，４，９また
は１６個の検出素子を持つ。 【００２５】本概念の一変形では、検出アレ―に検出素
子の正方形マトリックスが含まれない。たとえば、ＮＴ
ＳＣ規格のビデオカメラ用の画像発生器のようにアレ―
内の検出素子の列が行よりも多い場合がある。非正方形
の検出器アレ―が使用されるが、画像処理は画像デ―タ
の正方形アレ―を必要とすることがある。このような場
合、余分な列の検出素子からの信号は使用されないか、
または組み合わせて画像素子の正方形マトリックスとす
る。これを行なったとき、本概念に関する限り、非正方
形検出器アレ―は正方形検出器アレ―と同等となる。こ
の変形の場合、変数ｍおよびｎは実際の検出器アレ―の
検出素子の列および行の数を表わさず、ｍおよびｎが同
等な正方形アレ―の列および行の数に対応する。 【００２６】再び図２を参照して説明すると、１群の行
選択線４６−１ないし４６−ｎに正電圧Ｖｏｎを同時に
印加することにより、隣接した検出素子４０からの電荷
信号を列に沿って容易に組み合わせることができる。こ
の場合、検知回路が列信号線４８−１ないし４８−ｍの
ホトダイオ―ド４２からの電圧を測定すれば、各検知回
路の出力は対応する列の選択された群の検出素子からの
信号の平均に対応する。他方、検知回路がホトダイオ―
ド４２から除去された電荷を補充するために必要な電流
を測定すれば、各検知回路の出力は列内の選択された群
の検出素子からの信号の和に対応する。 【００２７】アレ―内の数行を同時に選択することによ
り数行の検出素子４０からの信号を組み合わせることが
できるが、隣接した列の（すなわちアレ―の他方の次元
に沿った）検出素子からの信号の組合わせは外部回路に
よって行なわなければならない。図４では、検知回路５
０が画像処理器２８に組み込まれて、多数の列からの信
号を組み合わせる。この回路５０により検出素子を個別
に検出するか、もしくは２，３または４列に組み合わせ
ることができる。最初の１２行の検出素子４０に対する
検知回路５０の部分が図４に示されている。アレ―の隣
接した１２列の群ごとにこの回路部分と同じものが設け
られる。 【００２８】検知回路は一連のモジュ―ル５１，５２，
５３および５４を有する。各モジュ―ルはアレ―の３列
の出力信号を処理する。第１のモジュ―ル５１は検出器
アレ―２６の列１，５および９に対する列信号線４８−
１，４８−５および４８−９に結合されている。モジュ
―ル５２は列２，６および１０に対する列信号線４８−
２，４８−６および４８−１０ に結合されている。同
様に、第３のモジュ―ル５３は列３，７および１１に対
する検出器アレ―の列信号線４８−３，４８−７および
４８−１１ に結合されている。図示された第４のモジ
ュ―ル５４は検出器アレ―の列４，８および１２に対す
る列信号線４８−４，４８−８および４８−１２ に結
合されている。 【００２９】各モジュ―ル５１−５４の内部回路は同一
であるので、第１のモジュ―ル５１に対する回路を詳し
く説明する。列１，５および９に対する列信号線４８−
１，４８−５および４８−９はそれぞれ個別の積分器５
６の入力に結合されている。各積分器５６の出力はアナ
ログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）５８の中のサンプル
ホ―ルド回路に接続されている。アナログ−ディジタル
変換器５８は積分器の出力をサンプリングし、出力をデ
ィジタル形式に変換する。ディジタル化された個別出力
は３組のデ―タバッファ６０に記憶される。モジュ―ル
５１の中の各組のデ―タバッファ６０のディジタル出力
は４入力１出力のマルチプレクサ６２（ＭＵＸＡ）の個
別の入力に接続されている。マルチプレクサ６２の４番
目の入力に対するデ―タ線はすべてア―ス電位に結合さ
れ、数字０を表わす入力が与えられる。 【００３０】図示された４個のモジュ―ル５１，５２，
５３および５４の各々に対するマルチプレクサ６２はそ
れぞれＭＵＸ Ａ，ＭＵＸ Ｂ，ＭＵＸ Ｃおよ
びＭＵＸＤと表わされる。モジュ―ル５１−５４の４個
のマルチプレクサ６２の出力は加算回路６４の入力に結
合されており、加算器ブロックの中の計算式Ａ＋Ｂ＋Ｃ
＋Ｄで表わされるように、マルチプレクサ出力の和を生
ずる。 したがって、加算回路６４の出力はモジュ―ルマルチプ
レクサ６２からの信号の和、そして１群の検出器アレ―
の列からの画像信号の組み合わせを表わす。 【００３１】図４には示されていないが、検知回路５０
の中のマルチプレクサ６２は、その入力線の１つをその
出力線に結合するように各マルチプレクサに指示する検
出器制御器２７からの制御信号を受ける。１群の４個の
モジュ―ル５１−５４のそれぞれの４個のマルチプレク
サＡ，Ｂ，ＣおよびＤに印加される制御信号に応じて、
検出素子４０の１，２，３または４列の出力信号を組み
合わせてその群のモジュ―ルに対する加算器６４からの
出力とすることができる。 【００３２】単一の列を選択するため、対応するマルチ
プレクサ６２が対応する入力線をその出力線に結合する
ように指示され、４個のモジュ―ル５１−５４の群に対
する他のマルチプレクサはそれぞれア―スされた第４の
入力をそれらのそれぞれの出力線に結合するように指示
される。この動作により加算器６４では選択された列信
号と他のマルチプレクサ６２からの零信号との和が得ら
れる。たとえば第２の列だけを選択するため、マルチプ
レクサＢはその第１の入力をその出力に結合するように
指示され、マルチプレクサＡ，ＣおよびＤはそれらの第
４の入力をそれらの出力に結合するように指示される。 その後、別の指示の組をマルチプレクサ６２に送って、
検出器アレ―からの他の列信号線の各々からの信号に順
次アクセスすることができる。この技術では各列が個別
にアドレッシングされているので、画像デ―タの低減は
行なわれない。 【００３３】この回路で可能な最大量のデ―タ低減を行
なうため、検出器アレ―２６の４本の信号線の画像デ―
タが検知回路５０によって組み合わされる。たとえば、
列１−４の信号を組み合わせるときは、４個のマルチプ
レクサ６２はすべてそれらの第１入力をそれらの出力に
結合するように指示される。この動作により、列信号線
１，２，３および４からの信号が加算器６４の入力に印
加され、加算器６４で加算されて加算器出力に送出され
る。次に、他のモジュ―ルバッファ６０からの信号を加
算器６４が順次組合わせるようにマルチプレクサに送出
される方向を変えることによって、検出器アレ―２６の
４列の各隣接群を順次処理することができる。 【００３４】上記の説明から、当業者はどのように検知
回路５０を使い、またマルチプレクサ６２に指示してア
レ―の隣接する対または３つの列ずつの検出素子を組み
合わせることによりデ―タ低減を行えることも容易に理
解することができよう。 【００３５】図４に開示された回路では検出器アレ―２
６からの列信号線４８−１ないし４８−ｍの各々に対し
て個別のアナログ−ディジタル変換器５８を用いている
。この場合、比較的遅いディジタル化速度の変換器を使
用できる利点はあるが、比較的多数の変換器を必要とす
る。 代案として、ディジタル化の前にデ―タを組み合わせて
アナログ−ディジタル変換器の数を減らすこともできる
。しかし、この代案ではより高速の変換器を使用しなけ
ればならなくなり、アナログ組合わせ回路への電子雑音
の導入の可能性が増大する。 【００３６】このような代案の検知回路７０の例が図５
に示されている。図４の検知回路５０のもとの実施例と
同様、代替回路７０は検出器アレ―の１２列に対して示
されており、アレ―の隣接した１２列の各群に対してこ
の回路部分と同じものが設けられる。信号検知回路７０
のこの部分は図の破線で示すように４個のモジュ―ル７
１，７２，７３および７４によって形成される。モジュ
―ル７２−７４は個別の積分器７６に結合された３つの
列信号線に結合されている。各モジュ―ル内の３個の積
分器７６の出力はアナログの４入力１出力マルチプレク
サ７７の個別の入力に結合されている。アナログマルチ
プレクサ７７の第４の入力は零電位入力を供給するため
ア―ス電位に結合されている。各マルチプレクサ７７は
その出力を検出器アレ―からの３個の入力信号のいずれ
かまたはア―スされた入力に設定することができる。４
個のマルチプレクサＭＵＸ Ａ，ＭＵＸ Ｂ，ＭＵ
Ｘ ＣおよびＭＵＸ Ｄが次に加算増幅器７８で組
み合わされる。４個のモジュ―ル７１−７４の出力信号
の和はアナログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）８０でデ
ィジタル化され、その結果はディジタルバッファ８２に
記憶される。図５には検出器制御器２７も示されており
、これは図に示すように検知回路７０に制御信号を供給
する。 【００３７】図４で検知回路５０の動作について述べた
のと同様にして、各モジュ―ル７１−７４の中のマルチ
プレクサ７７は指示されて各列信号線に個別にアクセス
するかまたは列信号線を２つずつ、３つずつ、または４
つずつ組み合わせることにより所望の程度までデ―タ低
減を行なう。 【００３８】Ｘ線装置に患者を位置ぎめするとき、主に
関心のある患者の身体の領域が通常、Ｘ線装置の視野の
中心に配置される。したがって、Ｘ線画像の中心の画素
がそのシステムを使用する医療従事者にとって最も重要
なものとなる。画像の中心の画質を最高にするため、本
発明はホトダイオ―ドの予備充電から検出器アレ―２６
の中心の画素の行が電荷読出しのために走査されるまで
の経過時間を最小限にする。これはまず中心行を検知し
、アレ―の中心から次第に離れる向きに中心の両側の列
を交互に順次選択することにより行なわれる。これは中
心の画素に対する経過時間を最小限にする。 【００３９】図２および３に示す検出器アレ―の２つの
実施例の各々に対して、また異なるデ―タ低減の程度に
対して検出素子の行を選択するシ―ケンスが後記の表に
記載しある。 【００４０】たとえば図２に示す光検出器アレ―に対し
て、表１は検出器制御器２７は行選択線４６−１ないし
４６−ｎの各々を駆動することにより個々のホトダイオ
―ド４２の電荷を読み出すシ―ケンスを示している。表
に示すように第１の読出し周期の間に、検出器制御器２
７は検出器アレ―の中心のｎ／２と表わされた行選択線
に正電圧（Ｖｏｎ）を印加する。これにより、この中心
行のそれぞれのホトダイオ―ドの電荷を対応する列信号
線４８−１ないし４８−ｍで読み出すことができる。こ
の例ではデ―タ低減は行なわれないので、検出器制御器
２７により一度に１行だけが選択される。画像処理器２
８の中の検知回路が各ダイオ―ドの残留電荷を測定する
ために充分な時間が経過した後、検出器制御器２７は中
心行選択線ｎ／２に負電圧からＶｏｆｆ を差し引いた
ものを印加する。 【００４１】次に検出器制御器は次の行選択線に正電圧
Ｖｏｎを印加することにより、行（ｎ／２）＋１と表わ
される中心のすぐ隣りの１つの行選択線を選択する。そ
の行のホトダイオ―ドの電荷が検知されれば、検出器制
御器は（ｎ／２）＋１の行選択線に−Ｖｏｆｆ 電圧を
印加する。次に、検出器制御器２７は（ｎ／２）−１と
表わされる中心行の他方の側の行選択線を選択し、同様
にしてその線を付勢することにより行のホトダイオ―ド
の電荷を検知する。 【００４２】表１に示すように、（ｎ／２）＋２および
（ｎ／２）−２と表わされる選択された次の２行はアレ
―の中心から更にはなれた２行である。最終的に第１お
よび最後の行が電荷検知のため選択されるまでこの行選
択のシ―ケンスが継続する。 【００４３】光検出器電荷の読出しの際にデ―タ低減手
法を適用しなければならないときは、所望のデ―タ低減
の程度に応じて複数の行選択線を同時にタ―ンオンする
。 【００４４】表２に示すように、各読出し周期の間に検
出器アレ―２６の２行を選択することによってデ―タを
低減する。第１の読出し周期の間に、検出器制御器２７
は検出器アレ―２６に中心行（ｎ／２）と１つの隣接行
（ｎ／２）−１を選択する。２行が選択されたとき、ア
レ―の各列の２個のホトダイオ―ドの電荷が対応する信
号線４８に印加されるので、これらの線４８の各々の線
の信号は２つの光検出器位置４２の電荷を表わす。各行
対を読み出しているとき、図４の検知回路が動作して前
に述べたように検出器アレ―２６の隣接列対からの信号
を組み合わせる。これらの組み合わされた信号を更に処
理してモニタ３２に表示し、装置３０に記憶する（図１
参照）。 【００４５】表２に示すデ―タ低減手法の第１の読出し
周期の完了時に、光検出器アレ―２６の中央の片側のも
う１つの隣接行対が選択され、それらの電荷が組合わさ
るように同時に読み出される。第３の読出し周期では、
光検出器アレ―２６の中央の片対側の次の行対が検出器
制御器２７によって選択され、それらの行選択線が駆動
される。読出し過程は継続され、検出器制御器２７はア
レ―の中央の両側に交互に、かつ中央から順次離れてゆ
く光検出器アレ―の隣接行対を選択する。最後に、第１
および第２の行が選択され、それらの電荷が読出され、
その後、最終読出し周期の最後の行および終りから２番
目の行が選択されて読出される。表１と表２を比較する
と明らかなように、行対を同時に読み出す後者の例のデ
―タ低減手法では光検出器アレ―の各位置を個別に読み
出す表１の例と比較して読出し周期数が半分となる。 【００４６】同様なデ―タ低減手法が表３および表４に
示されている。表３は３つずつの行の同時読出しにより
、また図４に示す検知回路５０で３つずつ列を同様に組
み合わせることによりデ―タを低減する読出し方式に関
するものである。表４に示す手法でデ―タを更に低減す
ることもできる。表４では各読出し周期の間に４本ずつ
行選択線４６を同時に駆動することにより４つずつ行が
同時に読出される。 【００４７】表５ないし表８は図３に示す光検出器アレ
―とともに使用される読出し手法を示す。図３では光検
出素子４０の各列が半分に分割され、上側の光素子群が
下側の検出素子群からの個別列信号線に接続されている
。この光検出器アレ―の構造では検出素子を個別に読み
出さなければならないとき、アレ―の上半分の行と下半
分の行が同時に読み出される。表５に示すように第１の
読出し周期の間に、アレ―の中心にある２つの行（ｎ／
２）および（ｎ／２）＋１が検出器制御器２７によって
選択される。次の読出し周期の間に、アレ―の中心の両
側の次の隣接した行（ｎ／２）−１および（ｎ／２）＋
２が選択される。最後の読出し周期で第１の行および最
後の行が選択されるまでこの選択は継続する。 【００４８】図３の検出器アレ―から読出されるデ―タ
を低減しなければならないとき、各読出し周期の間にア
レ―の上部と下部双方の２行を読むことができる。この
デ―タ低減手法に対する行読出しが表６に示されている
。同様に、この検出器アレ―のデ―タを更に整理しなけ
ればならないときは、検出器アレ―２６の上部と下部双
方の３行が検出器アレ―２７によって同時に読み出され
、表７に示すように各読出し周期の間に６本ずつ行選択
線が駆動される。表８は図３の検出器アレ―からのデ―
タを更に整理しなければならないときの読出し方式を示
す。この場合、検出器制御器２７によって８行が同時に
駆動される。これらの行のうち４行が検出器アレ―２６
の上半分にあり、他の４行が下半分にある。 【００４９】 【表１】表１ 図２の実施例で個別のＸ線検知素子を
検知するための行選択シ―ケンス。 【００５０】 【００５１】 【表２】表２ 図２の実施例で行対ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 【００５２】 読出し周期
選択される行
１ （ｎ／
２），（ｎ／２）−１ ２
（ｎ／２）
＋１，（ｎ／２）＋２ ３
（ｎ／２）
−２，（ｎ／２）−３ ４
（ｎ／２）
＋３，（ｎ／２）＋４ ・
・
・
・
・
・ （ｎ／２）−１
２，１ （
ｎ／２） ｎ−１，ｎ 【００５３】 【表３】表３ 図２の実施例で３行ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 【００５４】 読出し周期
選択される行
１ （ｎ／
２），（ｎ／２）−１，（ｎ／２）−２
２
（ｎ／２）＋１，（ｎ／２）＋２，（ｎ／２）
＋３ ３
（ｎ／２）−３，（ｎ／２
）−４，（ｎ／２）−５
４ （ｎ／
２）＋４，（ｎ／２）＋５，（ｎ／２）＋６
・
・
・
・
・
・ （ｎ／３
）−１ ３，２，１
（ｎ／３）
ｎ−２，ｎ−１，ｎ 【００５５】 【表４】表４ 図２の実施例で４行ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 読出し周期 選択されるシ―ケンス
１ （ｎ／２），
（ｎ／２）−１，（ｎ／２）−２，（ｎ／２）−３
２ （ｎ／２）＋１
，（ｎ／２）＋２，（ｎ／２）＋３，（ｎ／２）＋４
３ （ｎ／２）−
４，（ｎ／２）−５，（ｎ／２）−６，（ｎ／２）−７
４ （ｎ／２）
＋５，（ｎ／２）＋６，（ｎ／２）＋７，（ｎ／２）＋
８ ・
・ ・
・ ・
・（ｎ／４）−１
４，３，２，１（ｎ／４）
ｎ−３，ｎ−２，ｎ−１，ｎ 【００５６】 【表５】表５ 図３の実施例でＸ線検出素子を個別に
検知するための行選択シ―ケンス。 ・
・【００５７】 【表６】表６ 図３の実施例で行対ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 読出し周期 選択される行
１ （ｎ／２），（ｎ／２
）−１，（ｎ／２）＋１，（ｎ／２）＋２ ２
（ｎ／２）−２，（ｎ／
２）−３，（ｎ／２）＋３，（ｎ／２）＋４
３ （ｎ／２）−４，（ｎ
／２）−５，（ｎ／２）＋５，（ｎ／２）＋６
４ （ｎ／２）−６，（
ｎ／２）−７，（ｎ／２）＋７，（ｎ／２）＋８
・
・ ・
・ ・
・ （ｎ／４）−１
４，３，ｎ−３，ｎ−２ （ｎ／
４） ２，１，ｎ−１，ｎ 【００５８】 【表７】表７ 図３の実施例で３行ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 読出し周期 選択される行
１ （ｎ／２），（ｎ／２）−１，（ｎ
／２）−２，（ｎ／２）＋１，（ｎ／２）＋２，（ｎ／
２）＋３ ２ （ｎ／２）−３
，（ｎ／２）−４，（ｎ／２）−５，（ｎ／２）＋４，
（ｎ／２）＋５，（ｎ／２）＋６ ３
（ｎ／２）−６，（ｎ／２）−７，（ｎ／２）
−８，（ｎ／２）＋７，（ｎ／２）＋８，（ｎ／２）＋
９ ４ （ｎ／２）−９，（ｎ
／２）−１０，（ｎ／２）−１１，（ｎ／２）＋１０，
（ｎ／２）＋１１，（ｎ／２）＋１２ ・
・ ・
・ ・
・ （ｎ／６）−１
６，５，４，ｎ−５，ｎ−４，ｎ−３ （ｎ
／６） ３，２，１，ｎ−２，ｎ−１，ｎ
【００５９】 【表８】表８ 図３の実施例で４行ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。この
表の各行は異なる読出し周期を表わす。 読出し周期 選択される行 １ （ｎ／２），（ｎ／２）−
１，（ｎ／２）−２，（ｎ／２）−３，（ｎ／２）＋１
，（ｎ／２）＋２， （ｎ
／２）＋３，（ｎ／２）＋４ ２
（ｎ／２）−４，（ｎ／２）−５，（ｎ／２）−６
，（ｎ／２）−７，（ｎ／２）＋５，（ｎ／２）＋６
（ｎ／２）＋７，（ｎ／
２）＋８
・
・
・
・
・
・
（ｎ／８）−１ ８，７，６，５，ｎ−７，ｎ
−６，ｎ−５，ｎ−４ （ｎ／８）
４，３，２，１，ｎ−３，ｎ−２，ｎ−１，ｎ
子Ｘ線検出器を使用するＸ線システムに関するものであ
り、更に詳しくは検出素子から信号を読み出して、これ
らの信号を処理するための技術に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来のＸ線蛍光透視装置ではＸ線源から
医療患者のような被分析対象を通してＸ線ビ―ムを投射
する。ビ―ムが患者を通過した後、通常イメ―ジ増倍管
がＸ線放射を可視光像に変換し、ビデオカメラが可視像
からアナログビデオ信号を作成し、モニタに表示する。 アナログビデオ信号を作成するので、自動輝度調節およ
び画像強調のための画像処理がアナログ領域で行なわれ
る。 【０００３】最近、高分解能の固体Ｘ線検出器が提案さ
れ、これは各次元に３０００から４０００個のホトダイ
オ―ド検出素子を用いた２次元アレ―で構成される。各
素子は検出器に投射されるＸ線像の画素輝度に対応する
電気信号を作成する。各検出素子からの信号は個別に読
み出されてディジタル化され、その後で画像処理、記憶
および表示される。 【０００４】このような検出素子の大形アレ―によって
得られる高分解能は多くの場合、患者の分析に有益であ
る。しかし、高度の分解能が必要でない場合には、義務
として課されるアレ―からの大量のデ―タの処理によっ
て、画像処理時間が妥当な所要時間より著しく長くなる
。更に、Ｘ線システムによってはこのような高度の分解
能をそなえた検出器を必要としない。この場合、より小
形のマトリクス検出器で充分である。しかし、この場合
、所要分解能が異なるＸ線装置ごとに大きさの異なる検
出器を作るのではなくてより大きいマトリクス検出器を
使う方がコスト効率が良いことがあり得る。このいずれ
の場合も検出器が必要以上の高分解能の画像を作成する
ときは、デ―タ量を削減するための技術が望ましくなる
。 【０００５】従来のホトダイオ―ド検出アレ―固有の問
題はホトダイオ―ドに配置されたバイアス電荷はトラン
ジスタ電流漏洩により、また一般に「暗電流」として知
られている機構により部分的に放電されることがある。 暗電流および電流漏洩の影響による電荷空乏は画像信号
のオフセットを生じる。これらの電流によって除去され
る電荷の量は一定でないので、信号オフセットが変動し
、検出器出力に不確定要素が加わる。 【０００６】これらの電流によって幾分ホトダイオ―ド
から除去される電荷の量はホトダイオ―ドのバイアスか
ら検出素子の電荷検知までの時間の長さの関数である。 したがって、これらの電流の影響を最小限にするために
検出器アレ―の素子の読出しに必要な時間を最小限にす
ることが望ましい。これにより、画像信号処理回路の帯
域幅を小さくし、回路により検出器信号に加わる電気雑
音を小さくするため読出し時間を大きくすることも望ま
しいという点とのかね合いが生じる。 【０００７】 【発明の概要】固体イメ―ジセンサはｍ列ｎ行に配列さ
れた光検出器の二次元アレ―で形成される。但しｍおよ
びｎは整数である。高分解能イメ―ジ検知の場合、アレ
―の各列および各行に約４０００個もの光検出器が配列
されることがある。各列の光検出器は別々のスイッチ手
段によって共通の列出力線に接続される。各行の光検出
器に対するスイッチ手段は共通の行選択線の信号によっ
て駆動される。 【０００８】各光検出器によって検知される画像デ―タ
は所定のシ―ケンスで行選択線を駆動することによって
読出される。最初に、アレ―の中央付近の１群の１つ以
上の行選択線が駆動されることにより、対応する光検出
器からの信号が列出力線に与えられる。次に中央の群の
片側にある同様の１群の行選択線が駆動されることによ
り、その対応する光検出器からの信号が列出力線に結合
される。アレ―の中央の群の他方の側にある別の１つの
同様な群の１つ以上の行選択線が駆動されることにより
、その対応する光検出器からの信号が列出力線に印加さ
れる。実施例では、アレ―の中央の群の両側にある行群
を交互に駆動することにより、残りの行の光検出器から
の信号が読出される。 【０００９】各群が複数の行で構成されるとき、各列に
沿った数行の光検出器からの信号が組合わされてその列
出力線の信号となる。これにより、アレ―および被検知
画像の１つの次元に沿ってデ―タの低減が行なわれる。 デ―タの低減を対称に行なって画像ひずみを避けるため
、イメ―ジセンサの外部の回路が複数の列出力線からの
信号を組合わせる。理想的には、組合わせるべきこのよ
うな出力線信号の数はデ―タ低減後の画像がデ―タ低減
前の画像と同じ横縦（ａｓｐｅｃｔ）比を持つように選
択される。 【００１０】本発明の１つの目的は画像内の画素量を減
らすための技術を提供することである。 【００１１】もう１つの目的はアレ―の中心部分から画
像デ―タを読み取った後、アレ―の中心から外側に画像
デ―タを漸次読み取る方法を提供することである。この
ような外向きの走査は画像照射と読出しとの間の経過時
間の関数である影響による中心画像部分の劣化を少なく
する。 【００１２】更にもう１つの目的は結果として得られる
画像に必要とされる画像分解能の程度によって左右され
る画像デ―タ低減度を変えるための技術および装置を提
供することである。 【００１３】 【実施例の説明】まず図１を参照して説明すると、Ｘ線
装置１４にはＸ線管１５が含まれており、電源１６によ
って駆動されるとＸ線管１５はＸ線ビ―ム１７を放射す
る。図示するように、Ｘ線ビ―ムはＸ線透過性のテ―ブ
ル２０の上に横たわった患者１８に向けられる。ビ―ム
のうちテ―ブルおよび患者を透過した部分はＸ線検出器
２２に当たる。Ｘ線検出器２２に含まれるシンチレ―タ
２４はＸ線光子を可視スペクトルの低エネルギ―光子に
変換する。シンチレ―タ２４に隣接して光検出器アレ―
２６が設けられており、光検出器アレ―２６は光子を電
気信号に変換する。検出器アレ―を動作させて画像を取
得し、各光検出素子から信号を読み出すための電子回路
が検出器制御器２７に含まれている。 【００１４】光検出アレ―２６の出力信号は画像処理器
２８に結合されている。画像処理器２８にはＸ線画像信
号を処理し、強調するための回路が含まれている。処理
された画像は次にビデオモニタ３２に表示される。処理
された画像は画像記憶装置３０に保管してもよい。画像
処理器２８は更に輝度調節信号を作成する。この輝度調
節信号は照射制御回路３４に与えられ、電源１６を調節
することによりＸ線照射を調節する。 【００１５】Ｘ線装置１４の全体的な動作はシステム制
御器３６によって支配される。システム制御器３６は操
作者インタフェ―ス３８を介してＸ線技術者からの指示
を受ける。 【００１６】図２は光検出器アレ―２６の回路を示す。 この回路は検出素子４０のマトリックスで構成される。 検出素子４０はｍ列ｎ行の通常の二次元アレ―として非
晶質シリコンウェ―ハの上に配列されている。但し、ｍ
およびｎは整数である。たとえば、代表的な高分解能Ｘ
線検出器は３０００から４０００の行および列の素子の
正方形のアレ―である。 【００１７】各検出素子４０にはホトダイオ―ド４２お
よび薄膜抵抗４４が含まれている。ホトダイオ―ド４２
は大きなウェ―ハ領域から作られるので、ホトダイオ―
ドはシンチレ―タ２４の発生する光のかなり大きい部分
を遮えぎる。各ホトダイオ―ドは比較的大きな容量もそ
なえているので、光子の励起によって生ずる電荷を蓄積
することができる。 【００１８】アレ―の各列のホトダイオ―ド４２のカソ
―ドは対応するトランジスタ４４のソ―ス・ドレ―ン導
電路によりその列に対する共通の列信号線［４８−１な
いし４８−ｍ］に接続されている。たとえば、列１のホ
トダイオ―ド４２は第１の信号線４８−１に結合されて
いる。 各行のダイオ―ドのアノ―ドは共通に負バイアス電圧［
−Ｖ］源に接続されている。各行のトランジスタ４４の
ゲ―ト電極は共通の行選択線［４６−１ないし４６−ｎ
］に接続されている。たとえば行１は線４６−１に接続
される。行選択線および列信号線は検出器制御器２７に
結合されており、列信号線は画像処理器２８にも接続さ
れている。 【００１９】図２に示す検出器を使ってＸ線画像を取得
するため、装置１４は次の動作シ―ケンスを遂行する。 まず、検出器制御器２７はすべての列信号線４８−１な
いし４８−ｍをア―スに接続し、すべての行選択線４６
−１ないし４６−ｎに正電圧［Ｖｏｎ］を印加する。行
選択線に印加される正電圧は各検出素子４０のトランジ
スタ４４をタ―ンオンして、逆バイアスされたホトダイ
オ―ド４２に正電荷を加える。ホトダイオ―ドが充分に
充電されたとき、検出器制御器２７は負電源電圧［−Ｖ
］より負の負電圧［−Ｖｏｆｆ ］を行選択線４６−１
ないし４６−ｎに印加する。行選択線のこの負バイアス
により、各検出素子４０のトランジスタ４４がタ―ンオ
フされる。 【００２０】次に検出器２２にはＸ線光子のビ―ム１７
を発生するようにＸ線管１５によって従来の方法で作ら
れたＸ線光子のパルスが当てられる。Ｘ線光子はシンチ
レ―タ２４によって低エネルギ―光子に変換される。こ
れらの低エネルギ―光子が検出器２６のホトダイオ―ド
４２に当ると、ダイオ―ドは導電状態となり、正電荷の
一部を放電する。ホトダイオ―ド４２から除去される正
電荷の量はそれに当る低エネルギ―光子の量によって左
右される。ホトダイオ―ド４２に当る低エネルギ―光子
の量はホトダイオ―ドに隣接するシンチレ―タ２４の領
域に当るＸ線エネルギ―の強さによって左右される。し
たがって、各検出素子４０のホトダイオ―ド４２から除
去される電荷の量はＸ線検出器２２の対応する領域に当
るＸ線の強さの関数である。 【００２１】Ｘ線照射の終了後、各ホトダイオ―ド４２
の残留電荷が検知される。これを行なうため、検出器ア
レ―の各列に対する列信号線４８−１ないし４８−ｍが
画像処理器２８の個別の検知回路に同時に接続される。 数種類の検知回路のどれでも画像処理器２８に組み込む
ことができる。たとえば、検知回路はホトダイオ―ドの
両端間の電圧、したがってホトダイオ―ドに残っている
電荷の量を測定することができるものが用いられる。代
案として、検知回路は対応する列信号線４８−１ないし
４８−ｍをア―ス電位に接続し、Ｘ線照射によって除去
される電荷を補充するために必要とされる電荷の量を測
定するものであってもよい。 【００２２】画像分解能を最大限にするため、行選択線
４６−１ないし４６−ｎの各々に正電圧Ｖｏｎを順次印
加して検出器制御器２７によってホトダイオ―ド電荷が
一度に１行づつ検知される。行選択線が正バイアスされ
たとき、その行選択線に接続された検出器アレ―のトラ
ンジスタ４４がタ―ンオンされることにより、選択され
た行の対応するホトダイオ―ド４２がそれらの列信号線
４８−１ないし４８−ｍに結合される。 【００２３】アレ―の各検出素子から信号を読出すため
に必要な時間の長さを短かくするため、検出素子列は図
３に示すように２群に分けることができる。ｎ行の検出
器アレ―２６のこの例では、行１から行ｎ／２までの検
出素子４０′が第１群の共通の信号線４７に接続されて
いる。同時に、行（ｎ／２）＋１から行ｎまでの検出素
子４０″は第２群の共通の信号線４９に接続されている
。この例では、アレ―の上半分の検出素子４０′をアレ
―の下半分の検出素子４０″と同時に読み出すことがで
きる。注意しなければならないのは検出器アレ―２６の
この代替実施例は必要な信号検知回路の数が２倍になる
ことである。しかし、検出素子で電荷を検知するために
必要な時間は半分となる。あるいはそのかわりに、検知
時間を前の実施例と同じにして検知回路の帯域幅を狭く
することも可能である。更に、検出器アレ―を細分する
ことにより、検知回路から見た電気雑音と容量が小さく
なる。 【００２４】前記の通り、検出器アレ―２６の最大の分
解能が必要でない用途では画像デ―タ量を減らすことが
有利である。Ｘ線検出器２２では、画素数を減らすため
検出素子を行および列に沿って組合わせることができる
。二次元画像の場合、結果として得られる画像の歪みを
避けるためデ―タ低減は両次元で等しく行なわなければ
ならない。さまざまの視野、画像マトリックスのサイズ
、および画像取得速度を作るため、本発明では画像を細
分してｑ×ｐ個の検出素子の二次元群とすることができ
る。ここでｐおよびｑは整数である。ｑ×ｐ群はアレ―
全体と同じ横縦比を持つ。典型的な正方形アレ―の場合
、ｐとｑは等しく、たとえば１ないし４の範囲内の共通
の値を持つ。その結果、細分された群は１，４，９また
は１６個の検出素子を持つ。 【００２５】本概念の一変形では、検出アレ―に検出素
子の正方形マトリックスが含まれない。たとえば、ＮＴ
ＳＣ規格のビデオカメラ用の画像発生器のようにアレ―
内の検出素子の列が行よりも多い場合がある。非正方形
の検出器アレ―が使用されるが、画像処理は画像デ―タ
の正方形アレ―を必要とすることがある。このような場
合、余分な列の検出素子からの信号は使用されないか、
または組み合わせて画像素子の正方形マトリックスとす
る。これを行なったとき、本概念に関する限り、非正方
形検出器アレ―は正方形検出器アレ―と同等となる。こ
の変形の場合、変数ｍおよびｎは実際の検出器アレ―の
検出素子の列および行の数を表わさず、ｍおよびｎが同
等な正方形アレ―の列および行の数に対応する。 【００２６】再び図２を参照して説明すると、１群の行
選択線４６−１ないし４６−ｎに正電圧Ｖｏｎを同時に
印加することにより、隣接した検出素子４０からの電荷
信号を列に沿って容易に組み合わせることができる。こ
の場合、検知回路が列信号線４８−１ないし４８−ｍの
ホトダイオ―ド４２からの電圧を測定すれば、各検知回
路の出力は対応する列の選択された群の検出素子からの
信号の平均に対応する。他方、検知回路がホトダイオ―
ド４２から除去された電荷を補充するために必要な電流
を測定すれば、各検知回路の出力は列内の選択された群
の検出素子からの信号の和に対応する。 【００２７】アレ―内の数行を同時に選択することによ
り数行の検出素子４０からの信号を組み合わせることが
できるが、隣接した列の（すなわちアレ―の他方の次元
に沿った）検出素子からの信号の組合わせは外部回路に
よって行なわなければならない。図４では、検知回路５
０が画像処理器２８に組み込まれて、多数の列からの信
号を組み合わせる。この回路５０により検出素子を個別
に検出するか、もしくは２，３または４列に組み合わせ
ることができる。最初の１２行の検出素子４０に対する
検知回路５０の部分が図４に示されている。アレ―の隣
接した１２列の群ごとにこの回路部分と同じものが設け
られる。 【００２８】検知回路は一連のモジュ―ル５１，５２，
５３および５４を有する。各モジュ―ルはアレ―の３列
の出力信号を処理する。第１のモジュ―ル５１は検出器
アレ―２６の列１，５および９に対する列信号線４８−
１，４８−５および４８−９に結合されている。モジュ
―ル５２は列２，６および１０に対する列信号線４８−
２，４８−６および４８−１０ に結合されている。同
様に、第３のモジュ―ル５３は列３，７および１１に対
する検出器アレ―の列信号線４８−３，４８−７および
４８−１１ に結合されている。図示された第４のモジ
ュ―ル５４は検出器アレ―の列４，８および１２に対す
る列信号線４８−４，４８−８および４８−１２ に結
合されている。 【００２９】各モジュ―ル５１−５４の内部回路は同一
であるので、第１のモジュ―ル５１に対する回路を詳し
く説明する。列１，５および９に対する列信号線４８−
１，４８−５および４８−９はそれぞれ個別の積分器５
６の入力に結合されている。各積分器５６の出力はアナ
ログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）５８の中のサンプル
ホ―ルド回路に接続されている。アナログ−ディジタル
変換器５８は積分器の出力をサンプリングし、出力をデ
ィジタル形式に変換する。ディジタル化された個別出力
は３組のデ―タバッファ６０に記憶される。モジュ―ル
５１の中の各組のデ―タバッファ６０のディジタル出力
は４入力１出力のマルチプレクサ６２（ＭＵＸＡ）の個
別の入力に接続されている。マルチプレクサ６２の４番
目の入力に対するデ―タ線はすべてア―ス電位に結合さ
れ、数字０を表わす入力が与えられる。 【００３０】図示された４個のモジュ―ル５１，５２，
５３および５４の各々に対するマルチプレクサ６２はそ
れぞれＭＵＸ Ａ，ＭＵＸ Ｂ，ＭＵＸ Ｃおよ
びＭＵＸＤと表わされる。モジュ―ル５１−５４の４個
のマルチプレクサ６２の出力は加算回路６４の入力に結
合されており、加算器ブロックの中の計算式Ａ＋Ｂ＋Ｃ
＋Ｄで表わされるように、マルチプレクサ出力の和を生
ずる。 したがって、加算回路６４の出力はモジュ―ルマルチプ
レクサ６２からの信号の和、そして１群の検出器アレ―
の列からの画像信号の組み合わせを表わす。 【００３１】図４には示されていないが、検知回路５０
の中のマルチプレクサ６２は、その入力線の１つをその
出力線に結合するように各マルチプレクサに指示する検
出器制御器２７からの制御信号を受ける。１群の４個の
モジュ―ル５１−５４のそれぞれの４個のマルチプレク
サＡ，Ｂ，ＣおよびＤに印加される制御信号に応じて、
検出素子４０の１，２，３または４列の出力信号を組み
合わせてその群のモジュ―ルに対する加算器６４からの
出力とすることができる。 【００３２】単一の列を選択するため、対応するマルチ
プレクサ６２が対応する入力線をその出力線に結合する
ように指示され、４個のモジュ―ル５１−５４の群に対
する他のマルチプレクサはそれぞれア―スされた第４の
入力をそれらのそれぞれの出力線に結合するように指示
される。この動作により加算器６４では選択された列信
号と他のマルチプレクサ６２からの零信号との和が得ら
れる。たとえば第２の列だけを選択するため、マルチプ
レクサＢはその第１の入力をその出力に結合するように
指示され、マルチプレクサＡ，ＣおよびＤはそれらの第
４の入力をそれらの出力に結合するように指示される。 その後、別の指示の組をマルチプレクサ６２に送って、
検出器アレ―からの他の列信号線の各々からの信号に順
次アクセスすることができる。この技術では各列が個別
にアドレッシングされているので、画像デ―タの低減は
行なわれない。 【００３３】この回路で可能な最大量のデ―タ低減を行
なうため、検出器アレ―２６の４本の信号線の画像デ―
タが検知回路５０によって組み合わされる。たとえば、
列１−４の信号を組み合わせるときは、４個のマルチプ
レクサ６２はすべてそれらの第１入力をそれらの出力に
結合するように指示される。この動作により、列信号線
１，２，３および４からの信号が加算器６４の入力に印
加され、加算器６４で加算されて加算器出力に送出され
る。次に、他のモジュ―ルバッファ６０からの信号を加
算器６４が順次組合わせるようにマルチプレクサに送出
される方向を変えることによって、検出器アレ―２６の
４列の各隣接群を順次処理することができる。 【００３４】上記の説明から、当業者はどのように検知
回路５０を使い、またマルチプレクサ６２に指示してア
レ―の隣接する対または３つの列ずつの検出素子を組み
合わせることによりデ―タ低減を行えることも容易に理
解することができよう。 【００３５】図４に開示された回路では検出器アレ―２
６からの列信号線４８−１ないし４８−ｍの各々に対し
て個別のアナログ−ディジタル変換器５８を用いている
。この場合、比較的遅いディジタル化速度の変換器を使
用できる利点はあるが、比較的多数の変換器を必要とす
る。 代案として、ディジタル化の前にデ―タを組み合わせて
アナログ−ディジタル変換器の数を減らすこともできる
。しかし、この代案ではより高速の変換器を使用しなけ
ればならなくなり、アナログ組合わせ回路への電子雑音
の導入の可能性が増大する。 【００３６】このような代案の検知回路７０の例が図５
に示されている。図４の検知回路５０のもとの実施例と
同様、代替回路７０は検出器アレ―の１２列に対して示
されており、アレ―の隣接した１２列の各群に対してこ
の回路部分と同じものが設けられる。信号検知回路７０
のこの部分は図の破線で示すように４個のモジュ―ル７
１，７２，７３および７４によって形成される。モジュ
―ル７２−７４は個別の積分器７６に結合された３つの
列信号線に結合されている。各モジュ―ル内の３個の積
分器７６の出力はアナログの４入力１出力マルチプレク
サ７７の個別の入力に結合されている。アナログマルチ
プレクサ７７の第４の入力は零電位入力を供給するため
ア―ス電位に結合されている。各マルチプレクサ７７は
その出力を検出器アレ―からの３個の入力信号のいずれ
かまたはア―スされた入力に設定することができる。４
個のマルチプレクサＭＵＸ Ａ，ＭＵＸ Ｂ，ＭＵ
Ｘ ＣおよびＭＵＸ Ｄが次に加算増幅器７８で組
み合わされる。４個のモジュ―ル７１−７４の出力信号
の和はアナログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）８０でデ
ィジタル化され、その結果はディジタルバッファ８２に
記憶される。図５には検出器制御器２７も示されており
、これは図に示すように検知回路７０に制御信号を供給
する。 【００３７】図４で検知回路５０の動作について述べた
のと同様にして、各モジュ―ル７１−７４の中のマルチ
プレクサ７７は指示されて各列信号線に個別にアクセス
するかまたは列信号線を２つずつ、３つずつ、または４
つずつ組み合わせることにより所望の程度までデ―タ低
減を行なう。 【００３８】Ｘ線装置に患者を位置ぎめするとき、主に
関心のある患者の身体の領域が通常、Ｘ線装置の視野の
中心に配置される。したがって、Ｘ線画像の中心の画素
がそのシステムを使用する医療従事者にとって最も重要
なものとなる。画像の中心の画質を最高にするため、本
発明はホトダイオ―ドの予備充電から検出器アレ―２６
の中心の画素の行が電荷読出しのために走査されるまで
の経過時間を最小限にする。これはまず中心行を検知し
、アレ―の中心から次第に離れる向きに中心の両側の列
を交互に順次選択することにより行なわれる。これは中
心の画素に対する経過時間を最小限にする。 【００３９】図２および３に示す検出器アレ―の２つの
実施例の各々に対して、また異なるデ―タ低減の程度に
対して検出素子の行を選択するシ―ケンスが後記の表に
記載しある。 【００４０】たとえば図２に示す光検出器アレ―に対し
て、表１は検出器制御器２７は行選択線４６−１ないし
４６−ｎの各々を駆動することにより個々のホトダイオ
―ド４２の電荷を読み出すシ―ケンスを示している。表
に示すように第１の読出し周期の間に、検出器制御器２
７は検出器アレ―の中心のｎ／２と表わされた行選択線
に正電圧（Ｖｏｎ）を印加する。これにより、この中心
行のそれぞれのホトダイオ―ドの電荷を対応する列信号
線４８−１ないし４８−ｍで読み出すことができる。こ
の例ではデ―タ低減は行なわれないので、検出器制御器
２７により一度に１行だけが選択される。画像処理器２
８の中の検知回路が各ダイオ―ドの残留電荷を測定する
ために充分な時間が経過した後、検出器制御器２７は中
心行選択線ｎ／２に負電圧からＶｏｆｆ を差し引いた
ものを印加する。 【００４１】次に検出器制御器は次の行選択線に正電圧
Ｖｏｎを印加することにより、行（ｎ／２）＋１と表わ
される中心のすぐ隣りの１つの行選択線を選択する。そ
の行のホトダイオ―ドの電荷が検知されれば、検出器制
御器は（ｎ／２）＋１の行選択線に−Ｖｏｆｆ 電圧を
印加する。次に、検出器制御器２７は（ｎ／２）−１と
表わされる中心行の他方の側の行選択線を選択し、同様
にしてその線を付勢することにより行のホトダイオ―ド
の電荷を検知する。 【００４２】表１に示すように、（ｎ／２）＋２および
（ｎ／２）−２と表わされる選択された次の２行はアレ
―の中心から更にはなれた２行である。最終的に第１お
よび最後の行が電荷検知のため選択されるまでこの行選
択のシ―ケンスが継続する。 【００４３】光検出器電荷の読出しの際にデ―タ低減手
法を適用しなければならないときは、所望のデ―タ低減
の程度に応じて複数の行選択線を同時にタ―ンオンする
。 【００４４】表２に示すように、各読出し周期の間に検
出器アレ―２６の２行を選択することによってデ―タを
低減する。第１の読出し周期の間に、検出器制御器２７
は検出器アレ―２６に中心行（ｎ／２）と１つの隣接行
（ｎ／２）−１を選択する。２行が選択されたとき、ア
レ―の各列の２個のホトダイオ―ドの電荷が対応する信
号線４８に印加されるので、これらの線４８の各々の線
の信号は２つの光検出器位置４２の電荷を表わす。各行
対を読み出しているとき、図４の検知回路が動作して前
に述べたように検出器アレ―２６の隣接列対からの信号
を組み合わせる。これらの組み合わされた信号を更に処
理してモニタ３２に表示し、装置３０に記憶する（図１
参照）。 【００４５】表２に示すデ―タ低減手法の第１の読出し
周期の完了時に、光検出器アレ―２６の中央の片側のも
う１つの隣接行対が選択され、それらの電荷が組合わさ
るように同時に読み出される。第３の読出し周期では、
光検出器アレ―２６の中央の片対側の次の行対が検出器
制御器２７によって選択され、それらの行選択線が駆動
される。読出し過程は継続され、検出器制御器２７はア
レ―の中央の両側に交互に、かつ中央から順次離れてゆ
く光検出器アレ―の隣接行対を選択する。最後に、第１
および第２の行が選択され、それらの電荷が読出され、
その後、最終読出し周期の最後の行および終りから２番
目の行が選択されて読出される。表１と表２を比較する
と明らかなように、行対を同時に読み出す後者の例のデ
―タ低減手法では光検出器アレ―の各位置を個別に読み
出す表１の例と比較して読出し周期数が半分となる。 【００４６】同様なデ―タ低減手法が表３および表４に
示されている。表３は３つずつの行の同時読出しにより
、また図４に示す検知回路５０で３つずつ列を同様に組
み合わせることによりデ―タを低減する読出し方式に関
するものである。表４に示す手法でデ―タを更に低減す
ることもできる。表４では各読出し周期の間に４本ずつ
行選択線４６を同時に駆動することにより４つずつ行が
同時に読出される。 【００４７】表５ないし表８は図３に示す光検出器アレ
―とともに使用される読出し手法を示す。図３では光検
出素子４０の各列が半分に分割され、上側の光素子群が
下側の検出素子群からの個別列信号線に接続されている
。この光検出器アレ―の構造では検出素子を個別に読み
出さなければならないとき、アレ―の上半分の行と下半
分の行が同時に読み出される。表５に示すように第１の
読出し周期の間に、アレ―の中心にある２つの行（ｎ／
２）および（ｎ／２）＋１が検出器制御器２７によって
選択される。次の読出し周期の間に、アレ―の中心の両
側の次の隣接した行（ｎ／２）−１および（ｎ／２）＋
２が選択される。最後の読出し周期で第１の行および最
後の行が選択されるまでこの選択は継続する。 【００４８】図３の検出器アレ―から読出されるデ―タ
を低減しなければならないとき、各読出し周期の間にア
レ―の上部と下部双方の２行を読むことができる。この
デ―タ低減手法に対する行読出しが表６に示されている
。同様に、この検出器アレ―のデ―タを更に整理しなけ
ればならないときは、検出器アレ―２６の上部と下部双
方の３行が検出器アレ―２７によって同時に読み出され
、表７に示すように各読出し周期の間に６本ずつ行選択
線が駆動される。表８は図３の検出器アレ―からのデ―
タを更に整理しなければならないときの読出し方式を示
す。この場合、検出器制御器２７によって８行が同時に
駆動される。これらの行のうち４行が検出器アレ―２６
の上半分にあり、他の４行が下半分にある。 【００４９】 【表１】表１ 図２の実施例で個別のＸ線検知素子を
検知するための行選択シ―ケンス。 【００５０】 【００５１】 【表２】表２ 図２の実施例で行対ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 【００５２】 読出し周期
選択される行
１ （ｎ／
２），（ｎ／２）−１ ２
（ｎ／２）
＋１，（ｎ／２）＋２ ３
（ｎ／２）
−２，（ｎ／２）−３ ４
（ｎ／２）
＋３，（ｎ／２）＋４ ・
・
・
・
・
・ （ｎ／２）−１
２，１ （
ｎ／２） ｎ−１，ｎ 【００５３】 【表３】表３ 図２の実施例で３行ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 【００５４】 読出し周期
選択される行
１ （ｎ／
２），（ｎ／２）−１，（ｎ／２）−２
２
（ｎ／２）＋１，（ｎ／２）＋２，（ｎ／２）
＋３ ３
（ｎ／２）−３，（ｎ／２
）−４，（ｎ／２）−５
４ （ｎ／
２）＋４，（ｎ／２）＋５，（ｎ／２）＋６
・
・
・
・
・
・ （ｎ／３
）−１ ３，２，１
（ｎ／３）
ｎ−２，ｎ−１，ｎ 【００５５】 【表４】表４ 図２の実施例で４行ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 読出し周期 選択されるシ―ケンス
１ （ｎ／２），
（ｎ／２）−１，（ｎ／２）−２，（ｎ／２）−３
２ （ｎ／２）＋１
，（ｎ／２）＋２，（ｎ／２）＋３，（ｎ／２）＋４
３ （ｎ／２）−
４，（ｎ／２）−５，（ｎ／２）−６，（ｎ／２）−７
４ （ｎ／２）
＋５，（ｎ／２）＋６，（ｎ／２）＋７，（ｎ／２）＋
８ ・
・ ・
・ ・
・（ｎ／４）−１
４，３，２，１（ｎ／４）
ｎ−３，ｎ−２，ｎ−１，ｎ 【００５６】 【表５】表５ 図３の実施例でＸ線検出素子を個別に
検知するための行選択シ―ケンス。 ・
・【００５７】 【表６】表６ 図３の実施例で行対ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 読出し周期 選択される行
１ （ｎ／２），（ｎ／２
）−１，（ｎ／２）＋１，（ｎ／２）＋２ ２
（ｎ／２）−２，（ｎ／
２）−３，（ｎ／２）＋３，（ｎ／２）＋４
３ （ｎ／２）−４，（ｎ
／２）−５，（ｎ／２）＋５，（ｎ／２）＋６
４ （ｎ／２）−６，（
ｎ／２）−７，（ｎ／２）＋７，（ｎ／２）＋８
・
・ ・
・ ・
・ （ｎ／４）−１
４，３，ｎ−３，ｎ−２ （ｎ／
４） ２，１，ｎ−１，ｎ 【００５８】 【表７】表７ 図３の実施例で３行ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。 読出し周期 選択される行
１ （ｎ／２），（ｎ／２）−１，（ｎ
／２）−２，（ｎ／２）＋１，（ｎ／２）＋２，（ｎ／
２）＋３ ２ （ｎ／２）−３
，（ｎ／２）−４，（ｎ／２）−５，（ｎ／２）＋４，
（ｎ／２）＋５，（ｎ／２）＋６ ３
（ｎ／２）−６，（ｎ／２）−７，（ｎ／２）
−８，（ｎ／２）＋７，（ｎ／２）＋８，（ｎ／２）＋
９ ４ （ｎ／２）−９，（ｎ
／２）−１０，（ｎ／２）−１１，（ｎ／２）＋１０，
（ｎ／２）＋１１，（ｎ／２）＋１２ ・
・ ・
・ ・
・ （ｎ／６）−１
６，５，４，ｎ−５，ｎ−４，ｎ−３ （ｎ
／６） ３，２，１，ｎ−２，ｎ−１，ｎ
【００５９】 【表８】表８ 図３の実施例で４行ずつまとめられた
Ｘ線検出素子を検知するための行選択シ―ケンス。この
表の各行は異なる読出し周期を表わす。 読出し周期 選択される行 １ （ｎ／２），（ｎ／２）−
１，（ｎ／２）−２，（ｎ／２）−３，（ｎ／２）＋１
，（ｎ／２）＋２， （ｎ
／２）＋３，（ｎ／２）＋４ ２
（ｎ／２）−４，（ｎ／２）−５，（ｎ／２）−６
，（ｎ／２）−７，（ｎ／２）＋５，（ｎ／２）＋６
（ｎ／２）＋７，（ｎ／
２）＋８
・
・
・
・
・
・
（ｎ／８）−１ ８，７，６，５，ｎ−７，ｎ
−６，ｎ−５，ｎ−４ （ｎ／８）
４，３，２，１，ｎ−３，ｎ−２，ｎ−１，ｎ
【図１】本発明を使用するＸ線蛍光透視装置のブロック
図である。
図である。
【図２】図１の装置の画像検出器アレ―の概略回路図で
ある。
ある。
【図３】図１の装置に対する代替の画像検出器アレ―の
概略回路図である。
概略回路図である。
【図４】検出器アレ―からの画素信号を処理するための
ディジタルデ―タ低減回路を示すブロック図である。
ディジタルデ―タ低減回路を示すブロック図である。
【図５】代替のアナログデ―タ低減回路を示すブロック
図である。
図である。
２６ 光検出器アレ―
２７ 検出器制御器
４２ ホトダイオ―ド
４４ トランジスタ
４６ 行選択線
４７ 第１群の共通の信号線
４８ 列信号線
４９ 第２群の共通の信号線
５６ 積分器
５８ アナログ−ディジタル変換器
６２ マルチプレクサ
６４ 加算器
７６ 積分器
７７ マルチプレクサ
７８ 加算増幅器
８０ アナログ−ディジタル変換器
Claims (19)
- 【請求項１】 行列形式で配列された光検出器アレ―
から画像デ―タを読み出す方法に於いて、（ａ）アレ―
のほぼ中心の少なくとも１行の光検出器から信号を検知
するステップ、 （ｂ）ステップａで信号を検知した行の一方の側にある
少なくとも１行の光検出器からの信号を検知するステッ
プ、 （ｃ）ステップａで信号を検知した行の他方の側にある
少なくとも１行の光検出器からの信号を検知するステッ
プ、および （ｄ）すべての行の光検出器からの信号が検知されるま
でステップｂおよびｃを反復するステップ、を含むこと
を特徴とする方法。 - 【請求項２】 単一の行の光検出器からの信号がステ
ップａ，ｂおよびｃにおいて検知され、ステップｂおよ
びｃにおいて信号が検知される各行が前に検知された光
検出器の行に隣接している請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 第１の互いに隣接している複数の行の
光検出器からの信号が同時にステップａ，ｂおよびｃに
おいて同時に検知される請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 ステップｂおよびｃにおいて信号を検
知する各々の第１の複数の行が前に信号を検知した光検
出器の行に隣接している請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 光検出器からの信号を検知していると
きはいつでも第２の複数の隣接の列の光検出器から検知
される信号を組合わせるステップを含んでいる請求項３
記載の方法。 - 【請求項６】 第１の複数と第２の複数との比がアレ
―の行数と列数との比とほぼ同じである請求項５記載の
方法。 - 【請求項７】 ステップｂおよびｃが同時に実行され
る請求項１記載の画像デ―タ読出し方法。 - 【請求項８】 ｍおよびｎを整数としてｎ行ｍ列に配
列された個別の光検出器を有する検出器アレ―であって
、各列の光検出器の少なくとも一部がスイッチ手段によ
り共通の列出力線に接続されるような検出器アレ―から
画像デ―タを読み出す方法に於いて、 （ａ）検出器アレ―の中心にある最初の行群の光検出器
からの信号を列出力線に印加するステップ、（ｂ）最初
の行群の一方の側にある行群の光検出器からの信号を列
出力線に印加するステップ、（ｃ）最初の行群の他方の
側にある行群の光検出器からの信号を列出力線に印加す
るステップ、および（ｄ）すべての行の光検出器からの
信号が列出力線に印加されるまでステップｂおよびｃを
反復するステップ、を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項９】 ステップｂおよびｃでそれらから信号
を印加する光検出器の行群が前にそれから信号を印加し
た行群に隣接している請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 ｑ列の出力線の群からの信号を組み
合わせてｍ／ｑ個の組合わせ出力信号とするステップを
含む請求項８記載の方法。 - 【請求項１１】 ｐを整数として、各群がｐ行の光検
出器で構成され、またｐ列の出力線の群からの信号を組
み合わせてｍ／ｐ個の組合わせ出力信号とするステップ
を含む請求項８記載の方法。 - 【請求項１２】 ｎ行ｍ列に配列された光検出器のア
レ―であって、各列の一部の光検出器が選択手段によっ
てその列に対する個別の出力線に接続されている光検出
器のアレ―から画像デ―タを読み出す方法に於いて、（
ａ）選択手段を駆動することによりｐ行の群の光検出器
からの信号を出力線に印加するステップ、（ｂ）ｑ個の
出力線よりなる群からの信号を組み合わせてｍ／ｑ個の
組合わせ出力信号とするステップ、および（ｃ）検出器
アレ―の他の行群に対してステップａおよびｂを反復す
るステップ、を含み、上記のｍ，ｎ，ｐおよびｑが整数
であることを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 ｍがｎに等しく、ｐがｑに等しい請
求項１２記載の方法。 - 【請求項１４】 ステップａが実行される初回は行群
がアレ―の中心に最も近く、その後ステップａが実行さ
れるたびごとに行群がアレ―の中心から順次離れてゆく
請求項１２記載の方法。 - 【請求項１５】 ステップａが実行される初回は行群
がアレ―の中心に最も近く、その後ステップａが実行さ
れるたびごとに群内の行がアレ―の中心の両側から交互
に選ばれる請求項１２記載の方法。 - 【請求項１６】 画像検出装置に於いて、ｍ列ｎ行に
配列された光検出器のアレ―であって、各列の光検出器
がスイッチ手段によってその列に対する個別の出力線に
接続され、ｍ，ｎ，ｐおよびｑを整数として、ｎ行が複
数のｐ行の群に分割され、列出力線が複数のｑ本の線の
群に分割されている光検出器のアレ―、スイッチ手段を
順次駆動することにより一度に１行群の光検出器からの
信号を同時に出力線に印加する手段、および各群の出力
線からの信号を組み合わせて組合わせ出力信号とする手
段、を含むことを特徴とする画像検出装置。 - 【請求項１７】 上記組合わせ手段が、各々の列出力
線上の信号を積分する個別の手段、各群の列出力線の数
ｑを選択的に決定する手段、および上記決定手段に応答
して、隣接したｑ本の出力線の各群に関連した上記積分
手段からの信号を加算する手段を有する請求項１６記載
の画像検出装置。 - 【請求項１８】 上記組合わせ手段が各組合わせ出力
信号をディジタル化する手段を含んでいる請求項１７記
載の画像検出装置。 - 【請求項１９】 上記組合わせ手段が、各々の列出力
線上の信号を積分する個別の手段、上記各積分手段から
の積分信号をディジタル化する手段、各群の列出力線の
数ｑを選択的に決定する手段、および上記決定手段に応
答して、隣接したｑ出力線の各群に関連した上記ディジ
タル化手段からの信号を加算することにより組合わせ出
力信号を作成する手段を有する請求項１６記載の画像検
出装置。
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