JPH04199033A - Ｔｔｌ自動調光制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、閃光撮影時に撮影レンズ登通して入射した被
写体からの光量に基づいて、閃光装置の発光量を制御す
るカメラのＴＴＬ自動調光制御装置に関する。

Ｂ、従来の技術 従来から、閃光撮影時の閃光装置の発光量を制御するカ
メラのＴＴＬ自動調光制御装置が知られている。

この種の装置では、フィルム面の全面、またはその主要
な部分から反射する光に受光する１個の受光素子を設け
、閃光撮影時の被写体像からの光量を横比して閃光装置
の発光量を制御する。すなわち、シャッターの全開後に
閃光装置の発光を開始させ、フィルム面で反射した被写
体からの光を受光素子で受光し、受光量の積分値が所定
値に達したら閃光装置の発光を停止して、所定の露光量
で閃光撮影が行なわれるように発光量を制御する。

しかし、この従来装置では、フィルム面の全面、または
その主要部分からの反射光を１個の受光素子で受光する
ので、前者では、被写界全体の平均的な光量に基づいて
調光制御が行なわれ、また後者では、被写界の主要部分
の光量に基づいて調光制御が行なわれる。従って、被写
界の細かな状況に対応した調光制御が行なわれず、例え
ば、撮影者が撮りたい主要被写体の露出が適正にならな
いという問題があった。

近年、このような従来装置の問題を解決する技術が開発
されつつあり、例えば、本出願人もマルチパターン測光
方式のＴＴＬ自動調光制御装置を提案している（特願平
１−２０３７３５号参照）。

この装置では、被写界を複数の領域に分割して測光する
複数の受光素子から成る光電変換器によってフィルム面
からの反射光を受光し、閃光装置の発光量を制御する。

すなわち、フォーカルプレーンシャッターを開く直前に
閃光装置を予備発光させ１発光時の被写体からの光束が
シャッター幕表面で反射した光を上記光電変換器で受光
し、各受光素子の出力を個別に積分して各分割領域の被
写界反射光分布として検出する。これらの被写界反射光
分布情報は、所定のマルチパターンアルゴリズムに従っ
て演算処理され、主要被写体にとって最適な露出となる
ように各分割領域に対する重み付け量が決定される。次
に、シャッターを開いた直後に閃光装置を本発光させ、
上述したようにフィルム面で反射した光を光電変換器で
受光する。

そして、光電変換器の各受光素子の出力を上述した各分
割領域毎の重み付け量に従って重み付けし、それらを加
算して積分する。その積分値が所定値に達したら閃光装
置の発光を停止させ１本発光を終了させる。なお以下で
は、このような調光方式をＴＴＬマルチ調光と呼ぶ。

Ｃ１発明が解決しようとする課題 ところで、閃光装置の発光エネルギは、同装置に内蔵さ
れる主コンデンサに蓄えられている９−般の閃光装置は
外形寸法上の制約があり、短時間に何回も発光可能な大
容量の主コンデンサを装備することができない。

しかしながら、上述した後者のＴＴＬマルチ調光制御装
置では、本発光による閃光撮影に先立つて予備発光を行
なうので、閃光撮影を連続して行うと何駒も撮らないう
ちに主コンデンサの充電エネルギが不足し１発光不能に
なるという問題がある。

特に、撮影駒毎の露出量を段階的に変化させて一連の複
数駒を連続閃光撮影するブラケテイング撮影時には、短
時間内に撮影駒数分だけ予備発光と本発光を繰返し、連
続した一連の駒数の後半には、閃光発光不能な状態でシ
ャッターがレリーズされてしまう。

本発明の目的は１本発光に先立って行なわれる予備発光
の回数を必要最小限とし、発光エネルギを節約して高速
連続閃光撮影を可能とするＴＴＬ自動調光制御装置を提
供することにある。

００課題を解決するための手段 クレーム対応図である第１図に対応づけて本発明を説明
すると１本発明は、複数の撮影駒に連続閃光撮影を行な
う連続閃光撮影モード選択手段１０１と、この連続閃光
撮影モードが選択されると、連続閃光撮影前に少なくと
も１回閃光装置１０２を予備発光させ、その後は本発光
を行なわせる発光制御手段１０３と、予備発光時に被写
界の複数に分割された領域毎の反射光分布情報を検出し
。

これらの反射光分布情報に基づいて所定のマルチパター
ンアルゴリズムにより各分割領域毎の重み付け量を算出
する重み付け量算出手段１０４と。

各分割領域毎の重み付け量に基づいて各領域を測光し、
本発光時の調光制御を行なう調光制御手段１０５とを備
えることにより、上記目的が達成される。

８０作用 発光制御手段１０３は、連続閃光撮影モードが選択され
ると連続閃光撮影前に少なくとも１回閃光装置を予備発
光させ、重み付け量算出手段１０４は、この予備発光時
に被写界の複数に分割された領域毎の反射光分布情報を
検出し、これらの反射光分布情報に基づいて所定のマル
チパターンアルゴリズムにより各分割領域毎の重み付け
量を算出する。その後、発光制御手段１０３は、閃光装
置１０２に本発光を行なわせる。このとき調光制御手段
１０５は、各分割領域毎の重み付け量に基づいて各領域
を測光し１本発光時の調光制御を行なう。したがって、
連続閃光撮影に先立って少なくとも１回予備発光をすれ
ばよい。

Ｆ、実施例 第２図は、本発明の一実施例を示す閃光装置を装着した
カメラの断面図である。

カメラ１の上部のアクセサリシュー２に閃光装置３が装
着され、アクセサリシュー２内に設けられた接点を介し
て、カメラ１から伝送される調光制御信号により調光制
御が行なわれる。カメラ１の内部には、フィルム４の表
面またはこのフィルム面を覆うフォーカルプレーンシャ
ッターの先幕５の表面からの反射光を受光する位置に、
集光レンズ６および光電変換器７が設けられる。

露光中は、可動ミラー９およびシャッター先幕５が退避
状態にあり、被写体からの光束りは、撮影レンズ８を通
過してフィルム４面上に結像し、そのうちの一部の光束
は、フィルム４の表面で反射して集光レンズ６を通って
光電変換器７に達する。露光中でない時、被写体からの
光束りは、第２図に示すようにフィルム４の直前に配置
されるシャッター先幕５面上にほぼ結像し、そのうちの
一部の光束は、先幕５の表面で反射して集光レンズ６を
通って光電変換器７に達する。

第３図は、光電変換器７および集光レンズ６の配置図で
ある。光電変換器７は、中央の円形の受光素子（以下、
フォトダイオードと呼ぶ）ＰＤＩと、その左右に配置さ
れる図示形状のフォトダイードＰＤ２〜ＰＤ５とから構
成され、各フォトダイードＰＤＩ〜ＰＤＳ上の光量を電
気信号に変換して８力する。集光レンズ６は、３つのレ
ンズ６ａ〜６ｃから構成され、それぞれ光電変換器７の
フォトダイードＰＤＩ〜ＰＤＳ上に被写体からの光束を
再結像する。

第４図は、第２図のへ方向から見た時のフィルム４表面
の開口領域１１．集光レンズ６および光電変換器７の光
学的な関係を示す。フィルム４表面の開口領域１１は、
楕円形の中央部１１ａと４つの周辺部１１ｂ〜ｌｉｅと
に分割される。なお、上述した光電変換器７の各フォト
ダイードＰＤ１〜ＰＤ５の形状は、この開口領域１１の
各分割部の形状と一致しており、中央のフォトダイード
ＰＤ１が中央部ＬＬａに、左側フォトダイードＰＤ２、
ＰＯ２が左側周辺部Ｉｌｂ、ｌｌｃに、右側フォトダイ
ードＰＤ４．ＰＤ５が右側周辺部１１ｄ、Ｌｉｅにそれ
ぞれ対応する。開口領域１１の中央部１１ａからの反射
光は、集光レンズ６の中央レンズ６ａを介して光電変換
器７の中央のフォトダイードＰＤＩ上に集光され、フィ
ルム４面の中央部１１ａに結像された被写体像にほぼ等
しい像が形成される。同様に、開口領域１１の左側周辺
部１１ｂ、ｌｉｅからの反射光は、左側のレンズ６ｂを
介して左側のフォトダイードＰＤ２．ＰＤｓ上に集光さ
れ、左側周辺部１１ｂ、ｌｌｃに結像された被写体像に
ほぼ等しい像が形成される。

さらにまた、右側周辺部ｌｉｄ、ｌｉｅからの反射光は
、右側のレンズ６ｃを介して右側のフォトダイードＰＤ
４．ＰＤＳ上に集光され、右側周辺部１１　ｄ、１１　
ｅに結像された被写体像にほぼ等しい像が形成される。

各フォトダイードＰＤＩ〜ＰＤ５は、対応するフィルム
面の各分割部１１ａ〜Ｌｌｅからの光束を受光して測光
を行ない、上述した閃光装置３が予備発光または本発光
した時の被写界の反射光分布情報を検出する。

第５図は、一実施例の回路構成を示すカメラおよび閃光
装置のブロック図である。

カメラ１は、測光・調光回路２１．マイクロコンピュー
タ２２．先幕駆動用マグネット２３．後幕駆動用マグネ
ット２４．先幕用インタフェース回路２５．後幕用イン
タフェース回路２６．Ｄ／Ａ変換器２７〜３１およびス
イッチ３２〜３６から構成される。

測光・調光回路２１は、まず予備発光時に、光電変換器
７の各領域毎のフォトダイードＰＤＩ〜ＰＤ５の測光値
に基づいて被写界の反射光分布情報を検出し、これらの
情報を出力端子ＶＯＩ〜■０５から後述するマイクロコ
ンピュータ２２し；伝送する。次に、これらの情報に基
づいて演算された各領域の重み付け量を、マイクロコン
ピュータ２２からＤ／Ａ変換器２７〜３１を介して入力
端子ＶＧＩ〜ＶＧ５から入力する。そして本発光が始る
と、各領域１１ａ〜ｌｉｅの測光値を各領域の重み付け
量に従って重み付けし、それらを加算して積分する。こ
の積分値が所定値に達したら、出力端子５ＴＯＰから発
光停止信号を出力して閃光装置３の発光を停止する。

マイクロコンピュータ２２は、中央処理装置。

Ａ／Ｄ変換器、メモリなどから構成され、後述する制御
プログラムを実行して出力端子Ｐ○２から発光開始信号
を閃光装置３へ出力して発光を開始させ、出力端子ＰＯ
５，ＰＯ６からシャッター制御信号を出力して先幕およ
び後幕用マグネット２３．２４を制御する。

さらに、マイクロコンピュータ２２は、測光・調光回路
２１を制御する。すなわち、予備発光を開始する前に、
出力ポートＰ○（８）からデータバス３７を介してすべ
てのＤ／Ａ変換器２７〜３１に同じゲイン設定電圧を出
力させる。このゲイン設定電圧は、測光・調光回路２１
において各フォトダイードＰＤＩ〜ＰＤ５の検出測光値
を増幅するときの増幅ゲインを決定するもので、予備発
光時は各領域１１ａ〜ｌｌｅとも同し増幅ゲインに設定
して被写界の反射光分布を測定する。そして予備発光終
了時に、Ａ／Ｄ変換用入力端子ＡＤ１〜ＡＤ５から予備
発光時の各領域１１ａ〜１１ｅの測光値の積分量を入力
し、これらの測光値の積分量を所定のアルゴリズムに従
って処理して各領域の重み付け量を決定する。次に、出
力ポートＰＯ７〜ＰＯＢからＤ　／　Ａ変換器選択信号
を出力してＤ／Ａ変換器２７〜３１を選択し、出力ポー
トｐｏ　（ｓ）からデータバス３７を介して各Ｄ／Ａ変
換器に対応する領域のゲイン設定電圧を出力させる。こ
のゲイン設定電圧は、上述した各領域１、１　ａ〜ｌｉ
ｅの重み付け量に応じた電圧である。

また、閃光装置３の予備発光および本発光期間中に、フ
ォトダイードＰＤ１〜ＰＤ５の測光値を積分させるため
の積分制御信号を、出力ポートＰ○１から測光・調光回
路２２へ出力する。

スイッチ３２は、第２図に示すように可動ミラー９が撮
影レンズ８の光軸から退避されるとオンし、スイッチ３
３は、フォーカルプレーンシャッターが全開するとオン
し、スイッチは３４、シャッターレリーズの全押し時に
オンする。また、スイッチ３５は、ＴＴＬ調光制御モー
ドを切り換える切換スイッチであり、オンすると上述し
たＴＴＬマルチ調光制御が選択され、オフすると通常の
平均測光によるＴＴＬ調光制御が選択される。スイッチ
３６は、ブラケティング撮影モードの選択スイッチであ
り、オン時にブラケティング撮影モードが選択され、オ
フ時に通常の撮影モードが選択される。これらのスイッ
チ３２〜３６からの信号は、それぞれマイクロコンピュ
ータ２２のプルアップ抵抗付き人力端子ＰＩＩ〜ＰＩ５
に入力される。

先幕および後幕用マグネット２３．２４は、それぞれ先
幕および後幕シャッターばねのチャージ状態を係止する
マグネットであり、マイクロコンピュータ２２によりイ
ンタフェース回路２５，２６を介して駆動される。

閃光装置３は、それぞれ公知の発光部３ａと発光制御回
路３ｂとから構成される。発光制御回路３ｂは、昇圧回
路、主コンデンサ、発光制御ＳＣＲなどから構成され、
接点Ｓ２からの発光開始信号および接点Ｓ１からの発光
停止信号に従って発光部３ａを調光制御する。

なお上述したように、カメラ１上部のアクセサリシュー
２に閃光装置３を装着した時に、カメラ１側の接点Ｂ１
〜Ｂ３と閃光装Ｗ３側の接点８１〜Ｓ３とが接続され、
カメラ１から閃光装置３に発光開始および停止信号が供
給される。なお、接点Ｂ３およびＳ３はＧＮＤ接続端子
である。

第６図は測光・調光回路２１の詳細を示す。

測光・調光回路２１は、機能ごとに６つの回路ブロック
に分割される。回路２１ａ〜２１ｅは、上述した各分割
領域１１ａ〜１１ｅの測光を行ない、それらの測光値を
各領域１１ａ〜１１．　ｅの重み付け量に応じて増幅し
、予備発光および本発光期間中の測光値を積分して出力
する。回路２１ａは分割領域１１の中央部１１ａの測光
を行ない、回路２１ｂは左周辺部下１．１　ｂの測光を
行ない、回路２１ｃは左周辺部上１１ｃの測光を行なう
。

さらに、回路２１ｄは右周辺部下ｌｉｄの測光を行ない
、回路２１ｅは右周辺部上ｌｉｅの測光を行なう。また
１回路２１ｆは、本発光時に、各領域１１ａ〜ｌｉｅの
横比測光値の和の積分値が所定値に達すると、閃光装置
３に発光停止信号を出力する。

まず１回路２１ａの中央部領域１１ａの測光動作を説明
する。

中央部領域１１ａを測光するフォトダイードＰＤ１の出
力する測光値に応じた電流は、ダイオードＤｌｌの帰還
をかけたオペアンプＡｌｌによって対数圧縮され、基準
電圧Ｅ１を基準とした電圧出力に変換される。中央部１
１ａの測光値に応じたオペアンプＡｌｌの出力電圧は、
トランジスタＱｌｌ、Ｑ１２のエミッタへ供給される。

一方、入力端子ｖＧ１からの重み付け量に応したゲイン
設定電圧は、トランジスタＱｌｌ、Ｑ１２のベースへ供
給される。トランジスタＱｌｌ、Ｑ１２のコレクタ電流
は、これらへ−スおよびエミッタ間の電位差が大きいほ
ど増加する。すなわち、中央部１１ａの測光値は、重み
付け量によって重み付けられ、トランジスタＱ１］、、
Ｑ１２のコレクタ電流として出力される。

さらに、このトランジスタＱｌｌ、Ｑ１２のコレクタ電
流は、カレントミラー回路を構成するトランジスタＱ１
３．Ｑ１４により反転され、コンデンサＣ１ｌを充電す
る。すなわち、このコンデンサＣ１ｌの充電電圧は、中
央部１　］、　ａの測光値の積分量である。コンデンサ
Ｃ１ｌの充電電圧は、フォロワーアンプＡ１２および出
力端子ＶＯ１を介してマイクロコンピュータ２２へ測光
値の積分量を示す電圧として出力される。ＦＥＴＱＩ５
は、入力端子ＩＴＧの積分制御信号に従ってコンデンサ
Ｃ１ｌの充電電荷を放電する。

なお、回路２１ｂ〜回路２１ｅの動作は、上記中央部の
回路２１ａと同様であり説明を省略する。

次に、回路２１ｆの調光動作を説明する。

各領域１１ａ〜ｌｉｅの測光値に応じたトランジスタＱ
ｌｌ〜Ｑ５１のコレクタ電流は、加算されてコンデンサ
Ｃ１を充電する。このコンデンサＣ１に充電された電圧
は、コンパレータＣＰＩによって基準電圧Ｅ２と比較さ
れ、コンデンサＣ１の充電電圧の絶対値が基準電圧Ｅ２
の絶対値を越えると、コンパレータＣＰＩの出力がＬＯ
レベルからＨルベルに反転し、さらにインバータＧ２に
よって出力端子５ＴＯＰがＨｉレベルからＬＯレベルに
反転する。すなわち、各領域１１ａ〜１１ｅの測光値の
積分値が所定値を越えると、閃光装置３へ発光停止信号
が出力される。ＦＥＴＱＩは、入力端子ＩＴＧからの積
分制御信号に従ってコンデンサＣ１の充電電荷を放電す
る。

第７図は、マイクロコンピュータで実行されるメインプ
ログラムを示すフローチャート、第８図は、そのレリー
ズサブルーチンを示すフローチャート、第９図は、第５
図に示す回路各部の動作を示すタイムチャートである。

これらの図により、動作を説明する。

マイクロコンピュータ２２は、カメラ１の電源が投入さ
れると第７図のメインプログラムの実行を開始する。実
行開始後のステップＳ１で、フラグティング撮影モード
が選択されたことを示すフラグＦ１をクリアし、続くス
テップＳ２で、フラグテイング撮影時の一連の撮影駒の
中で現在撮影中の駒番号を示すメモリＭ１に１を格納す
る。なお、この実施例では、例えば適正露出値に対して
１段ずつ増減した露出値で合計３枚のフラグティング撮
影を行なう場合を説明する。次にステップＳ３で、スイ
ッチ３６によりフラグティング撮影モードかどうかを判
別し、フラグティング撮影モードであればステップＳ４
へ進み、そうでなければステップＳ７へ進む。ステップ
Ｓ４では、フラグＦ１をセットしてステップＳ５へ進む
。フラグティング撮影モードでなければ、ステップＳ７
でフラグＦ１をクリヤし、続くステップＳ８でメモリＭ
１に１を格納してステップＳ５へ進む。ステップＳ５で
、スイッチ３４によりシャッターレリーズが全押しされ
たかどうかを判別し、全押しされていればステップＳ６
へ進んで第８図に示すしリーズサブルーチンを実行しく
第９図の時刻ｔｌ）、全押しされていなければステップ
Ｓ３へ戻る。

シャッターレリーズが全押しされていると第８図のステ
ップＳｌｌにおいて、インタフェース回路２５．２６を
介して先幕および後幕用マグネット２３．２４に通電し
、シャッターばねのチャージを係止させる（第９図の時
刻ｔ２）。続くステップＳ１２で、可動ミラー９を撮影
レンズ８の光軸りから退避させ、ステップＳ１３では、
スイッチ３２により可動ミラー９が退避完了したかどう
かを判別し、完了したらステップ８１４へ進む（第９図
の時刻ｔ３）。ステップＳ１４で、スイッチ３５により
ＴＴＬマルチ調光モードかどうかを判別し、ＴＴＬマル
チ調光モードであればステップ５１Ｂへ進み、そうでな
ければステップＳ２９へ進む。ステップＳ１５では、フ
ラグＦ１がセットされているかどうか、すなわちフラグ
テイング撮影モードであるかどうかを判別し、フラグテ
ィング撮影モードであればステップＳ２４へ進み、そう
でなければステップＳ１６へ進む。ステップＳ２４では
、メモリＭ１の値が１かどうかを判別し、フラグテイン
グ撮影モードの１枚目の撮影駒であればステップＳ１６
へ進み、そうでなければステップＳ２５へ進む。

ステップ８１６〜ステツプＳ２１では、予備発光制御を
行なう。まずステップ５１６で、データバス３７を介し
てＤ／Ａ変換器２７〜３１を制御し、ｍ光・調光回路２
１の入力端子ＶＧＩ〜ＶＧ５に同電圧のゲイン設定電圧
を印加させる（第９図の時刻ｔ４）。次にステップＳ１
７において、出力端子Ｐ○１を介して積分制御信号を出
力し、測光・調光回路２１のコンデンサＣ１，Ｃ１ｌ〜
Ｃ５１に測光値の積分を開始させるとともに、出力端子
ＰＯ２を介して発光開始信号を出力し、閃光装置３の予
備発光を開始させる（第９図の時刻ｔ５）。続くステッ
プＳ１９で、測光・調光回路２１が予備発光の測光およ
び調光動作を終了するまでの時間だけ待機する。

閃光装置３の予備発光が開始されると、測光・調光回路
２１は、フォトダイードＰＤ１〜ＰＤ５により各領域１
１ａ〜ｌ　１．　ｃｌの測光を行ない、測光値に応じた
電気信号を出力する。そして、上述したように、各領域
の測光値に応じた電気信号を同じ増幅ゲインで増幅し、
第９図に示すように、各領域ごとの増幅された電気信号
によりコンデンサＣ１ｌ〜Ｃ５１を充電するとともに、
これらの電気信号を加算してコンデンサＣ１を充電する
。

すなわち、測光値を積分する。そして、出力端子ｖＯ１
〜ｖＯ５からコンデンサＣ１１−Ｃ５１（７）端子電圧
、すなわち各領域ごとの測光値の積分量をマイクロコン
ピュータ２２へ出力する。さらに、測光・調光回路２１
は、各領域の測光値の和の積分量であるコンデンサＣ１
の充電電圧が所定値に達すると、第９図の時刻ｔ６で出
力端子５ＴＯＰから発光停止信号を出力し、閃光装置３
の予備発光を停止させる。この結果、閃光袋Ｗ３が発光
を停止するので被写界からの反射光もなくなり、第９図
に示すように、コンデンサＣ１，Ｃ１ｌ〜Ｃ５１への充
電が停止して端子電圧は一定となる。

ステップＳ１９において、入力端子ＡＤ１〜ＡＤ５を介
してコンデンサＣ１ｌ〜Ｃ５１の端子電圧を入力し、Ａ
／Ｄ変換する。続くステップＳ２０で、それらの電圧を
所定のマルチパターン演算アルゴリズムに従って処理し
、各領域の重み付け量を算出し、さらに、この重み付け
量をフィルム感度に基づいて補正してゲイン設定電圧Ｖ
ｇ　（ｎ）（ただし、ｎは領域の番号を示し、ｎ＝１〜
５）を決定する。なお、このマルチパターン演算アルゴ
リズムは、例えば先に引用した特願平１−２０３７３５
号に開示したアルゴリズムであるが、本発明には直接関
係ないので説明を省略する。マルチパターン演算が終了
すると、ステップＳ２１で、次の本発光に備えて積分制
御信号および発光開始信号をリセットし、測光・調光回
路２１のコンデンサＣ１，Ｃ１ｌ〜Ｃ５１を放電させる
（第９図の時刻ｔ７）。続くステップＳ２２では、再度
フラグＦ１が１であるかどうかを判別し、フラグティン
グ撮影モードが選択されていればステップＳ２５へ進み
、そうでなければステップＳ２３へ進む。

ステップＳ２５では、データバス３７を介してＤ／Ａ変
換器２７〜３１を制御し、測光・調光回路２１の入力端
子ＶＧＩ〜ＶＧ５に、次式により算出されるゲイン設定
電圧Ｖｇｌ　（ｎ）を印加させる（第９図の時刻ｔ８）
。

Ｖｇｌ　（ｎ）＝Ｖｇ　（ｎ）＋Δ■（２−（ＭＬ））
　　　　　・・・　（１） ここで、ΔＶは、フラケティング撮影時の露出を、撮影
駒ごとに所定量ずつ増減させ るためのゲイン設定電圧の増減量。

（Ｍｌ）は、メモリＭ１に格納されて いる現在のフラケティング撮影駒数。

次にステップＳ２６で、フラケティング撮影駒数メモリ
Ｍ１に１を加算した後、ステップＳ２７へ進み、フラケ
ティング撮影駒数が４かどうかを判別し、４であればス
テップＳ２８へ進んでメモリＭ１に１を格納し、４でな
ければステップＳ３０へ進む。

ステップＳ２２でフラケティング撮影でないと判別され
た時は、ステップＳ２３において、測光・調光回路２１
の入力端子ＶＧＬ〜ＶＧ５に、上記ステップで算出され
たゲイン設定電圧Ｖｇ　（ｎ）を印加するようにＤ／Ａ
変換器２７〜３１を制御する（第９図の時刻ｔＳ）。

ステップＳ３０では、インタフェース回路２５を制御し
て先幕マグネット２３への通電を停止し、シャッターレ
リーズ動作を開始させる（第９図の時刻ｔ９）。続くス
テップＳ３１で、スイッチ３３によりシャッターが全開
したかどうかを判別し、全開したらステップＳ３２へ進
み（第９図の時刻ｔｌｏ）、上述したように、積分制御
信号を出力して測光・調光回路２１の測光値の積分を開
始させるとともに、発光開始信号を８力して閃光装置３
の本発光を開始させる。さらにステップＳ３３で、シャ
ッター秒時の計時を開始する。このとき、測光・調光回
路２１は、各領域の重み付け量に相当するゲイン設定電
圧に従ってフォトダイードＰＤ１〜ＰＤ５の検出測光値
を増幅し、それらを加算した電流でコンデンサＣ１を充
電する。コンデンサＣ１の充電電圧が所定値に達したら
、測光・調光回路２１は、上述したように出力端子５Ｔ
ＯＰをＬｏレベルに反転し、閃光装置３の本発光を停止
させる（第９図の時刻ｔ１１）。

ステップＳ３４では、設定されたシャッター秒時が経過
した時刻１　］、　］で、インタインース回路２６を制
御して後幕マグネット２４．７＼の通電を停止し、シャ
ッターを閉じる。ステップＳ３５では、次の本発光に備
えて積分制御信号および発光開始信号をリセットし、測
光・調光回路２１のコンデンサＣ１，Ｃ１ｌ〜Ｃ５１を
放電させる。

以上の処理後、次の閃光撮影に備えてミラー即動機構が
駆動され、時刻ｔ１３で可動ミラー９がダウンしてスイ
ッチ３２がオフし、またシャッターが駆動され、時刻ｔ
１４でシャッターが閉じてスイッチ３３がオフする。以
上でフラケティング撮影の１駒目の閃光撮影が終了し、
第７図のメインプログラムへリターンする。

第７図のメインプログラムへリターン後、ステップＳ３
へ戻ってふたたび上述した処理が実行され、ステップＳ
５で、シャッターが全押しされると第８図に示すレリー
スサブルーチンを実行して第２駒目の撮影を行なう。ミ
ラーアップ後のステップＳ２４において、フラケティン
グ撮影駒数を示すメモリＭ１は２となっているので、ス
テップ３１６〜ステツプＳ２１における予備発光を行な
わず、ステップＳ２５へ進む。ステップＳ２５では、上
述した（１）式により第２駒目のゲイン設定電圧Ｖｇｌ
（ｎ）を算出し、Ｄ／Ａ変換器２７〜３１を介して測光
・調光回路２１の入力端子ＶＧ１〜ＶＧ５に印加する。

そして、本発光を開始させて第２駒目の閃光撮影を行な
う。このとき。

閃光装置３は、第１駒目より一段多い露光量になるよう
に調光制御される。

さらに、第３駒目の閃光撮影では、第２駒目と同様に予
備発光を行なわずに本発光による閃光撮影が行なわれ、
第２駒目よりもさらに一段多い露光量になるように閃光
装Ｗ３の調光制御が行なわれる。

一方、フラケティング撮影モードが選択されていない時
は、レリーズルーチンのステップ８１．５が否定されて
ステップＳ　１．、６〜ステツプｓ２１を実行し、撮影
ごとに予備発光を行なってゲイン設定電圧Ｖｇ　（ｎ）
を算出するとともに、ステップＳ２２が否定されてステ
ップＳ２３へ進み、それらのゲイン設定電圧Ｖｇ　（ｎ
）により本発光時の調光制御を行なう。

なお、ステップＳ１４においてＴＴＬマルチ調光モード
でないと判別された時は、平均調光モードで閃光撮影を
行なう。この場合は、予備発光を行なわず、ステップＳ
２９で、フィルム感度に基づいてすべての領域に対する
一律のゲイン設定電圧を算出し、ステップＳ２２へ進ん
でフラケティング撮影かどうかを判別する。その後、上
述したように、フラケティング撮影であれば、ステップ
Ｓ２５で撮影駒数に応じてゲイン設定電圧を補正し、測
光・調光回路２１へ印加する。フラケティング撮影でな
ければ、ステップＳ２２で算出されたゲイン設定電圧を
測光・調光回路２１へ印加する。すなわち、平均調光モ
ードでは、予備発光によって被写界の反射光分布を検出
せず、すべての領域に対して一律のゲイン設定電圧を設
定して調光制御する。

以上説明したように、フラケティング撮影モード時は、
閃光撮影に先立って閃光装Ｗ３を少なくとも１回予備発
光させ、この予備発光時の被写界の反射光分布情報を検
出し、これらを所定のアルゴリズムに従って処理して各
領域毎の重み付け量を算出する。閃光撮影時は、予備発
光時に算出された重み付け量に従って各領域の測光値に
重み付けを行ない、それらの和の積分値が所定値を越え
たら本発光を停止する。このように、予備発光は一連の
フラケティング撮影前に１度だけ行なうようにしたので
、主コンデンサに蓄えられる発光エネルギを節約でき、
撮影中に主コンデンサの充電エネルギが不足して閃光撮
影不能になることが回避される。また、主コンデンサの
充電・放電回数が低減されて主コンデンサの寿命が長く
なる。

なお、上記実施例ではフラケテイング撮影モートについ
て説明したが、複数の撮影駒に同じ発光量で連続閃光撮
影を行なう場合についても本発明を適用できる。

また、一般にフラケティング撮影では、閃光装置３の発
光量を撮影駒ごとに増加または減少させるとともに、絞
りとシャッター速度によって決定される露出値も所定量
ずつずらして撮影されるが、これについては本発明と直
接関係ないので説明を省略する。

以上の実施例の構成において、スイッチ３５が連続撮影
モード選択手段を、測光・調光回路２１およびマイクロ
コンピュータ２２が発光制御手段および調光制御手段を
、マイクロコンピュータ２２が重み付け量算出手段をそ
れぞれ構成する。

Ｇ１発明の詳細 な説明したように本発明によれば、連続閃光撮影モード
が選択されると連続閃光撮影前に少なくとも１回閃光装
置を予備発光させ、この予備発光時の被写界の複数の分
割領域の反射光分布情報に基づいて各分割領域毎の重み
付け量を算出し、閃光撮影時はこれらの重み付け量に基
づき各領域を測光して本発光の調光制御を行なうように
したので、必要最小限の予備発光回数で連続閃光撮影を
行なうことができ、閃光装置の主コンデンサの充電エネ
ルギを節約して高速連続閃光撮影を行なうことができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はクレーム対応図である。 第２図は本発明の一実施例を示す閃光装置を装着したカ
メラの断面図である。第３図は光電変換器および集光レ
ンズの配置図、第４図はフィルム面の開口領域、集光レ
ンズおよび光電変換器の光学的な関係を示す図、第５図
は一実施例の回路構成を示すブロック図、第６図はその
測光・調光回路の回路図、第７図はマイクロコンピュー
タで実行されるメイン制御プログラムを示すフローチャ
ート、第８図はそのレリーズサブルーチンを示すフロー
チャート、第９図は回路各部の作動状態を示すタイムチ
ャートである。 １：カメラ　　　　　３：閃光装置 ６：集光レンズ　　　７：光電変換器 １１：開口領域　　　２１：測光・調光回路２２：マイ
クロコンピュータ ２３：先幕匪動用マグネット ２４：後幕駆動用マグネット ２５．２６：インタフェース回路 ２７〜３１：Ｄ／Ａ変換器 ３２〜３６：スイッチ　　３７：データノベスＰＤＩ〜
ＰＤ５　：フオトダイード １０１：連続閃光撮影モード選択手段 １０２：閃光装置　　　　１ｏ３：発光制御手段１０４
：重み付け量算出手段 １０５：調光制御手段 特許出願人　　　株式会社ニコン 代理人弁理士　　　永　井　冬　紀 第１図 第２図 １　カメラ　　２．アクセサリーンユ−３閃光装置４　
フィルム　　５．７ヤノター先珀６　：　ｍ九ｌノシズ
７　尤電変換番　　　８゛ｍｌν；（〜　ｊ　　　９　
：　ｒ＋ｌ動ミう−第５図 第４図 第７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 複数の撮影駒に連続閃光撮影を行なう連続閃光撮影モー
   ド選択手段と、 前記連続閃光撮影モードが選択されると、前記連続閃光
   撮影前に少なくとも１回閃光装置を予備発光させ、その
   後は本発光を行なわせる発光制御手段と、 前記予備発光時に被写界の複数に分割された領域毎の反
   射光分布情報を検出し、これらの反射光分布情報に基づ
   いて所定のマルチパターンアルゴリズムにより前記各分
   割領域毎の重み付け量を算出する重み付け量算出手段と
   、 前記各分割領域毎の重み付け量に基づいて前記各領域を
   測光し、前記本発光時の調光制御を行なう調光制御手段
   とを備えることを特徴とするＴＴＬ自動調光制御装置。