JP3548266B2 - 閃光調光装置を備えたカメラ - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、予備発光が可能な閃光装置を備えたマルチＴＴＬカメラに関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
従来、予備発光が可能なストロボを内蔵したマルチＴＴＬカメラにおいては、露光のためのストロボ発光に先立ってストロボ予備（プリ）発光を行ない、このプリ発光による被写体反射光をマルチＴＴＬセンサの各分割センサにより受光し、各分割センサの出力分布から反射率を推定し、この推定反射率に基づいて本発光時の調光制御用センサの選択および調光制御を行なっていた。
しかし、従来の構成は、分割センサの数だけ処理回路を必要とし、またプリ発光時と本発光時の処理回路とが異なるため、回路が複雑化し増大化する、という問題を有していた。
【０００３】
【発明の目的】
本発明は、上記従来のプリ発光可能なマルチＴＴＬカメラの問題に鑑みてなされたもので、プリ発光時における被写体からの反射光をＡＦセンサにより受光し、ＡＦセンサの出力分布から各領域での反射率を求め、この反射率に基づいて本発光時のセンサ制御を行うことによって、ストロボ調光に使用するマルチＴＴＬセンサの選択をより簡単な構成で実現できるカメラを提供することを目的とする。
【０００４】
【発明の概要】
この目的を達成する本発明は、本発光前に予備発光を行なう閃光装置を備えたカメラであって、撮影距離を検出する撮影距離検出手段と、被写体の異なる領域からの光束を受光してそれぞれが被写体輝度分布に対応する焦点検出信号を出力する複数の分割焦点検出受光手段を有する焦点検出手段と、前記各分割焦点検出受光手段の受光領域の一つを含む領域の被写体光束を受光してそれぞれが測光信号を出力する複数の分割測光手段を有する測光手段と、撮影レンズの設定絞り値を検出する設定絞り値検出手段と、前記予備発光時に前記各焦点検出受光手段から出力されたそれぞれの焦点検出信号、前記設定絞り値検出手段により検出された設定絞り値、および前記撮影距離検出手段により検出された撮影距離とに基づいて、前記複数の分割測光手段の中から前記本発光時に調光制御に使用する分割測光手段を選択する分割測光手段選択手段と、この分割測光手段選択手段によって選択された分割測光手段の測光信号に基づいて、前記本発光時に前記閃光装置の調光を行なう調光手段と、前記予備発光の際に、少なくとも前記予備発光光量、前記撮影距離および設定絞り値に基づいて、被写体が標準反射率である場合に前記分割焦点検出受光手段が出力する焦点検出信号の標準値を算出する演算手段とを備え、前記分割測光手段選択手段は、前記閃光装置を本発光させるときに使用する分割測光手段として、前記予備発光により上記各焦点検出受光素子から得られた焦点検出信号と前記標準値とを比較して最も差の小さい焦点検出信号を出力した焦点検出受光手段の焦点検出領域に対応する測光領域を測光する分割測光手段を選択すること、に特徴を有する。
【０００５】
【実施例】
以下図示実施例に基づいて本発明を説明する。図１は、本発明の閃光調光装置を搭載した一眼レフカメラの主要部を示す図である。この一眼レフカメラは、ストロボ３０を内蔵したカメラボディ１０と、カメラボディ１０に着脱自在に装着された撮影レンズ２０とを備えている。撮影レンズ２０を透過した被写体光束は、大部分がメインミラー４１で反射され、フォーカシングスクリーン４２上に結像される。このフォーカシングスクリーン４２上に形成された像を撮影者は、ペンタプリズム４３およびアイピース４４を介して正立実像として観察する。
【０００６】
また、フォーカシングスクリーン４２を透過した被写体光束の一部は、アイピース４４の近傍に配置されたマルチＡＥ測光センサユニット４５に入射する。また、メインミラー４１がアップした露光時には、撮影レンズ２０から入射し、フィルムまたはシャッタ幕４７で反射した被写体光束が、マルチＴＴＬ測光センサユニット５０に入射する。マルチＴＴＬ測光センサユニット５０は、図２、図５に示すように、３個の分割測光センサ（フォトダイオード）５１１、５１２、５１３を備えている。なお、符号４６１、５０１は、被写界光を集束するルーペである。
【０００７】
一方、メインミラー４１の中央のハーフミラー部を透過した被写体光束は、サブミラー４６で反射されて、マルチＡＦセンサユニット６０に導かれる。マルチＡＦセンサユニット６０は、被写体光束を、三個の二分割光束対に分割して結像する分割光学系、および３分割された各被写体の二分割光束対を独立して受光する３個のＡＦセンサ（焦点検出受光手段）６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを備えている（図２および図５参照）。
【０００８】
図２には、マルチＴＴＬ測光センサユニット５０の３個の分割測光センサ５１１〜５１３の測光領域と、マルチＡＦセンサユニット６０のＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの焦点検出領域との関係を示してある。この図から明らかな通り、ＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの焦点検出領域のそれぞれは、対応する分割測光センサ５１１、５１２、５１３の測光領域内に含まれる。また、マルチＡＥ測光センサ４５の測光領域は、図３に示す通りである。なお、本発明の焦点検出領域およびマルチＴＴＬ測光センサ領域の数、形状、位置は図示実施例に限定されず、例えば数は２個あるいは４個以上でもよい。
【０００９】
この一眼レフカメラの制御系の構成について、図４を参照して説明する。この一眼レフカメラは、ＡＦ処理、測光処理、ストロボ発光処理など通常のカメラの機能、および、本発明の特徴である測光素子選択手段、演算手段として機能し、カメラ処理全体を統括的に制御するＣＰＵ（制御回路）１１を備えている。
【００１０】
ＣＰＵ１１は、マルチＡＦセンサユニット６０を含むＡＦ回路１２から、被写界光の焦点状態に関するデータおよびストロボプリ発光時における被写体反射光に関するデータを入力し、マルチＡＥ測光センサユニット４５およびマルチＴＴＬ測光センサユニット５０を含むマルチＡＥ測光回路１３から被写体輝度に関するデータを入力し、撮影距離検出回路１４から撮影距離情報を入力し、ＤＸコード読取回路１５から装填されたフィルムのＩＳＯ感度情報を入力し、撮影レンズ２０の設定絞値情報を設定絞り情報検出回路１７から入力する。撮影距離検出回路１４は通常、撮影レンズ２０内に設けられたフォーカシングレンズの位置検出手段を含む。設定絞り情報検出回路１７は、通常、撮影レンズ２０に搭載された図示しないメモリ手段（ＲＯＭ）を含みこのメモリ手段から設定絞り値情報を読み込む。ＣＰＵ１１は、ストロボ撮影時には、調光回路１６およびストロボ回路３１を介して内蔵ストロボ３０のプリ発光および主発光制御を行なう。
【００１１】
本実施例では設定絞り値として開放絞り値を入力しているが、これは、プリ発光時に、通常の被写体輝度を測光する場合と同様に、開放絞り状態下で反射光量をマルチＡＦセンサユニット６０により測定しているからである。さらに、プリ発光時におけるマルチＡＦセンサユニット６０による測光処理時間短縮のために、撮影レンズを透過する光量をできるだけ多くするためである。ただし、カメラ本体あるいは撮影レンズの絞り操作環によって任意に設定された絞り値を入力する構成にすることもできる。
【００１２】
さらにＣＰＵ１１にはスイッチ類として、図示しない内蔵ストロボのポップアップに連動してストロボ回路３１の電荷チャージをＯＮ／ＯＦＦするストロボスイッチＳＷＳＴＢ と、図示しないレリーズ釦と連動し、半押しでオンする測光スイッチＳＷＳおよび同全押しでオンするレリーズスイッチＳＷＲとを備えている。ＣＰＵ１１は、これらのスイッチのＯＮ／ＯＦＦをチェックしてそれらの状態に応じた処理を実行する。例えば、ストロボスイッチＳＷＳＴＢ がオンされれば、ストロボ回路３１に電荷チャージを開始させる。測光スイッチＳＷＳがオンされると、測光回路１３を起動して被写体輝度の測定処理、マルチＡＦセンサユニット６０を起動して焦点調節処理を実行する。レリーズスイッチＳＷＲがオンされると、調光回路１６およびストロボ回路３１を介してストロボ３０をプリ発光させる。そして、マルチＡＦセンサユニット６０から各焦点検出領域における輝度を入力して各焦点検出領域の反射率を検出し、本発光時に調光に使用するマルチＴＴＬ測光領域（分割測光センサ５１１〜５１３）を選択する。その後ストロボ３０を主発光させて、選択した分割測光センサ５１１〜５１３の出力を積分して、その積分が終了したら（積分値が所定値に達したら）ストロボ３０の発光を停止させる。
【００１３】
図５には、調光回路１６のより詳細な回路を示してある。マルチＴＴＬ測光センサユニット５０は、３分割された分割測光領域をそれぞれ独立して測光する３個の分割測光センサ５１１、５１２、５１３を備えている。各分割測光センサ５１１〜５１３の光電流はそれぞれ、積分回路５２１、５２２、５２３によって独立して積分される。各積分回路５２１、５２２、５２３は、オペアンプ、積分コンデンサおよびその積分値をクリアする積分クリアスイッチＳＷＣＬ１ 〜ＳＷＣＬ３ を備えている。積分クリアスイッチＳＷＣＬ１ 〜ＳＷＣＬ３ は、ＣＰＵ１１のポートＰ１ 〜Ｐ３ の出力によって制御されるが、本実施例では、ポートＰ１ 〜Ｐ３ が“Ｈ”（ハイ）レベルのときに開成して積分を開始させ、“Ｌ”（ロー）レベルのときには閉成して積分値を常時クリアしている。さらに各積分回路５２１〜５２３の非反転端子には基準電圧が入力されている。
【００１４】
各オペアンプ５２１〜５２３の積分出力はそれぞれ、調光回路１６のコンパレータ１６１〜１６３の反転端子に入力されている。コンパレータ１６１〜１６３の共通非反転端子には、ＣＰＵ１１が算出してＤ／Ａ コンバータがＤ／Ａ 変換した積分終了電圧（ＴＴＬ＿ＤＡレベル）が入力される。つまり各コンパレータ１６１〜１６３は、積分出力とＴＴＬ＿ＤＡレベルとを比較して、積分出力の方がＴＴＬ＿ＤＡレベルよりも小さくなったときにハイレベル信号、つまり積分終了信号を出力する。なおＴＴＬ＿ＤＡレベルは、フィルムのＩＳＯ感度情報に基づいてＣＰＵ１１により設定される。
【００１５】
各コンパレータ１６１〜１６３の出力は、オア回路１６４に入力されている。つまり、コンパレータ１６１〜１６３のいずれかが積分終了信号を出力すると、オア回路１６４の出力がハイレベルに変わる。オア回路１６４の出力は、ノア回路１６５の一方の入力端子に入力されている。ノア回路１６５の他方の入力端子には、ＣＰＵ１１のポートＸ（Ｘ接点）の出力が、インバータを介して入力されている。ポートＸは、通常はローレベルであり（ノア回路１６５にはハイレベルが入力）、ストロボ発光時にハイレベルに変わり、ハイレベルの発光信号を出力する。ノア回路１６５には、ローレベル信号が入力される。
【００１６】
ノア回路１６５は、通常、オア回路１６４からの入力がローレベルで、ポートＸからの入力がハイレベルなので、ローレベルのクエンチ信号を出力している。この状態でポートＸから発光信号が出力されると、ノア回路１６５の両入力がローレベルに変わるので、ハイレベルの発光信号を出力し、ストロボ３１が発光を開始する。つまり、ハイレベルの出力が、ストロボ回路３１に発光処理を開始させる発光信号となり、ノア回路１６５のローレベルの出力が、ストロボ回路３１に発光処理を停止させるクエンチ信号になる。
【００１７】
その後、積分回路５２１〜５２３が積分を開始し、いずれかの積分値がＴＴＬ＿ＤＡレベルに達すると、対応するコンパレータ１６１〜１６３のいずれかがローレベルからハイレベルに変化し、オア回路１６４の出力もローレベルからハイレベルに変化する。すると、ノア回路１６５の出力はハイレベルからローレベルに変化するので、ストロボ３０は発光を停止する。
【００１８】
この構成からなる本実施例の閃光調光装置は、ストロボ発光撮影時に次のように動作する。
プリ発光時には、ＣＰＵ１１がポートＸをハイレベルに立ち上げるので、ノア回路１６５からハイレベルの発光信号が出力され、ストロボ回路３１が発光を開始する。プリ発光時間が経過するとポートＸがローレベルに立ち下げられるので、ノア回路１６５からローレベルの発光停止信号が出力され、ストロボ回路３１がプリ発光処理を停止する。つまり、プリ発光時にはＣＰＵ１１のポートＸのみのハイ／ローコントロールによりストロボ光の発光量（ガイドナンバー）を制御できる。ただし、プリ発光時にコンパレータ１６１、１６２、１６３から積分終了信号が出力されないように、ＴＴＬ＿ＤＡレベルを０Ｖに下げておく。
この後、マルチＡＦセンサユニット６０により得られたビデオ信号レベルにより、ＣＰＵ１１はＡＦセンサ領域６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの反射率を推定し、主発光時に使用する分割測光センサ５１１、５１２、５１３のいずれかを選択する。
【００１９】
主発光時には、ＣＰＵ１１がポートＸをハイレベルに立ち上げるので、ノア回路１６５からハイレベルの発光信号が出力され、ストロボ回路３１が発光処理を開始する。そして、選択されたいずれかの積分回路５２１〜５２３からの積分レベルにより、いずれかのコンパレータ１６１、１６２、１６３から積分終了信号（ハイレベル）が出力されると、ノア回路１６５の出力がローレベルのクエンチ信号に変わるので、ストロボ回路３１が主発光を停止する。
【００２０】
図７には、マルチＡＦセンサユニット６０およびＡＦ回路１２のブロック図を示してある。このマルチＡＦセンサユニット６０は、３個のＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃが積分した電荷を画素単位で転送する１本のＣＣＤ転送部６１１を備えている。
【００２１】
なお、詳細は図示しないが、各ＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃは公知のように、互いに独立して一列に配置された多数の受光素子（フォトダイオード）アレイ、各受光素子が発生した電荷を蓄えるストレージ部、および積分が終了したら各ストレージ部が蓄積した電荷を一時的にメモリするメモリー部を備えている。被写体光を受光して受光素子が光電変換し、ストレージ部が蓄積し、メモリー部がメモリした電荷は、一斉にＣＣＤ転送部６１１に転送される。そうして、ＣＣＤ転送部６１１を一定方向に、二相の転送クロックφ１、φ２によって、各画素単位で段階的に転送され、ＣＣＤ転送部６１１の端部から画素単位で出力され、増幅器６３で増幅され、クランプ回路６４でクランプされてから、ビデオ信号Ｖｏｕｔ として出力される。
【００２２】
また、図中符号ＭＤは、ＡＦセンサ６１Ｂに隣接して設けられたモニタダークセンサで、アルミにより遮光されている。符号ＭＡ、ＭＢ、ＭＣは、各ＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃに隣接して設けられたモニタセンサである。各モニタセンサＭＡ、ＭＢ、ＭＣは、対応するＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃに入射する二分割被写体光束対の一方を受光し、受光量に応じた信号を対応する制御部６１３Ａ、６１３Ｂ、６１３Ｃに出力する。各制御部６１３Ａ、６１３Ｂ、６１３Ｃは、その信号を積分し、モニタダークセンサＭＤおよびＡＧＣ制御部６７によりセットされた一定レベルＶＲＭに達すると、積分終了信号ＥＮＤ−Ａ 、ＥＮＤ−Ｂ 、ＥＮＤ−Ｃ をタイミング発生・ドライバー回路６６に出力して積分を終了する。積分終了信号ＥＮＤ−Ａ 、ＥＮＤ−Ｂ 、ＥＮＤ−Ｃ を受けたタイミング発生・ドライバー回路６６は、残りの積分終了信号ＥＮＤ−Ａ 、ＥＮＤ−Ｂ 、ＥＮＤ−Ｃ が来るのを待って、すべての積分終了信号が来た時点で、積分制御信号φＡＤをセットしてこれをＣＰＵ１１に伝達する。以上の処理により、各ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃから適正積分値を得る。
【００２３】
各ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃの不要電荷の掃き出し、積分開始、ＣＣＤ転送部６１への転送などは、ＣＰＵ１１、タイミング発生・ドライバー回路６６およびオートゲイン制御（ＡＧＣ）回路６７によって制御される。
【００２４】
本実施例のストロボ撮影時のストロボ発光に関する動作を、さらに図８に示したＡＦ処理およびプリ発光処理に関するタイミングチャート、を参照して説明する。なお、これらのタイミングチャートにおける各信号は、次の通りである。
φＭ：システムクロック（例えば、１ＭＨｚ）
φ１ 、φ２ ：ＣＣＤ内部回路用タイミングクロック
φＩＮＴ ：積分スタート信号（“Ｌ”から“Ｈ”への立ち上がりでスタート）
ＦＥＮＤｉｎｔ ：強制積分終了信号（“Ｌ”から“Ｈ”への立ち上がりで強制積分終了）
ＶＭＡ、ＶＭＢ、ＶＭＣ：ＡＦモニタセンサＭＡ、ＭＢ、ＭＣの積分信号（積分時間制御用）
Ｖａｇｃ ：積分終了信号（ＡＦ動作時用）
φＭＣ：メモリークリア信号（積分終了時までメモリー部の出力をクリアーする信号）
φＳＭＴＧ：ストレージモニタトランスファーゲート信号（ストレージ部に溜ったフォトダイオードの電荷をメモリー部へ転送する信号；“Ｌ”から“Ｈ”への立ち上がりで転送）
φＭＲ：モニターセンサリセット信号（モニターセンサＭＡ、ＭＢ、ＭＣの積分をクリアする信号；“Ｈ”でリセット）
φＴＧ：トランスファーゲート信号（メモリー部の電荷をアナログシフトレジスタ（ＣＣＤ）に掃き出すための信号；“Ｈ”レベルで掃き出し）
φＡＤ：積分完了信号兼ビデオタイミング信号（Ａ、Ｂ、Ｃセンサの積分完了を知らせる信号；“Ｈ”から“Ｌ”への立ち下がりで完了、ビデオに同期する信号）
φＳＨ：ビデオ信号のサンプルホールド信号（“Ｈ”でサンプリング、“Ｌ”でホールド）
ＶＯＵＴ ：ビデオ信号
ＥＮＤ−Ａ 、ＥＮＤ−Ｂ 、ＥＮＤ−Ｃ ：各モニタ制御部６１３Ａ、６１３Ｂ、６１３Ｃが出力する各ＡＦモニタセンサＭＡ、ＭＢ、ＭＣごとの積分終了信号（すべてが終了すると、φＡＤが“Ｈ”から“Ｌ”に変化）
ＭＤ：Ｂセンサ部にあるモニターダークセンサ（モニタダークセンサＭＤの出力レベルを基準に積分終了信号Ｖａｇｃ レベルをセット）
ＶＲＭ：モニタダークＡＧＣレベル（モニタダークセンサＭＤの出力レベルから外部基準電圧ＶＳと積分終了信号Ｖａｇｃ レベルの差の電圧を引いたレベル；（ＶＲＭ＝ＭＤ−（ＶＳ−Ｖａｇｃ ））
Ｓ／ＨＣＴＬ：サンプルホールドコントロール信号（ＭＤ信号レベルをサンプル／ホールド回路から減算）
【００２５】
測光スイッチＳＷＳがオンされると、積分スタート信号φＩＮＴ を“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに立ち上げ、ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃが積分を開始する。同時に、モニタセンサＭＡ、ＭＢ、ＭＣの積分もスタートする。
【００２６】
モニタセンサＭＡ、ＭＢ、ＭＣの積分値がモニターダークＡＧＣレベルＶＲＭに達すると、対応するモニタ制御部６１３Ａ、６１３Ｂ、６１３Ｃが積分終了信号ＥＮＤ−Ａ 、ＥＮＤ−Ｂ 、ＥＮＤ−Ｃ を出力し、対応するＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの積分を終了させる。所定時間が経過すると、強制積分終了信号ＦＥＮＤｉｎｔ を“Ｈ”レベルに立ち上げて、ＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃが積分を終了していなくても強制的に積分を終了させる。
ＣＰＵ１１は、すべてのＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの積分を終了させたら、積分電荷を読み出して、ビデオ信号ＶＯＵＴとして取り込む。そして、積分スタート信号φＩＮＴ および強制積分終了信号ＦＥＮＤｉｎｔ を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに落す。
【００２７】
ビデオ信号ＶＯＵＴの取り込みが終了すると、既知のＡＦアルゴリズムにしたがってＡＦ演算を行ない、求められたデフォーカス量に基づいて不図示のＡＦモータを駆動する。
【００２８】
次に、レリーズスイッチＳＷＲが押されると、積分スタート信号φＩＮＴ を“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに立ち上げ、ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃが積分を開始し、モニタセンサＭＡ、ＭＢ、ＭＣの積分をスタートする。同時に、トリガー／クエンチ信号を“Ｈ”レベルに立ち上げて、ストロボのプリ発光を開始させる。
そして、所定時間経過後に、トリガー／クエンチ信号を“Ｌ”レベルに落してストロボのプリ発光を停止させると同時に、強制積分終了信号ＦＥＮＤｉｎｔ を“Ｈ”レベルに立ち上げてすべてのＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃの積分を強制的に終了させ、積分電荷を読み出して、ビデオ信号ＶＯＵＴとして取り込む。
【００２９】
ＣＰＵ１１は、取り込んだビデオ信号ＶＯＵＴに基づいて、各ＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃ毎に反射率を測定する。そして、予め設定されている標準反射率に相当する（近似する）ＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを選択して、さらに選択したＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃに対応する分割測光センサ５１１、５１２、５１３を選択して、ストロボ主発光時の光量測定センサとして利用する。
【００３０】
以上の本実施例のストロボ発光制御について、さらに図１０〜図１５に示したフローチャートを参照してより詳細に説明する。このフローチャートには、測光スイッチＳＷＳがオンされたことを条件に入る。また、この処理は、ＣＰＵ１１のＲＯＭにメモリされたプログラムに基づいてＣＰＵ１１によって実行される。
【００３１】
この処理に入ると、先ずステップ（以下「Ｓ」という）１０１においてＡＥサブルーチンをコールして、ＤＸコード入力、輝度Ｂｖ情報入力、適正露出値Ｅｖの算出、適正シャッタ速度Ｔｖおよび絞り値Ａｖの算出処理を実行する（図１０のＳ２０１〜Ｓ２０７参照）。
【００３２】
次に、Ｓ１０３において、ＡＦサブルーチン（図１２参照）をコールしてＡＦ処理を実行する。つまり、各ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃに積分を開始させて、積分した各ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃの各画素データを入力しＡ／Ｄ 変換して内部ＲＡＭ にメモリする（Ｓ３０１〜Ｓ３０５）。すべての画素データをメモリしたら、公知のアルゴリズムに基づいてデフォーカス量を演算し、撮影レンズのフォーカシングレンズ駆動量を演算し、合焦位置までレンズ駆動を行なう（Ｓ３０７〜Ｓ３１３）。以上のＳ３０１〜Ｓ３１３のＡＦループ処理を合焦するまで繰り返して、合焦したらリターンする。そして、撮影レンズ２０から現在のフォーカシングレンズ位置、つまり撮影距離情報を入力する（Ｓ１０５）。
【００３３】
以上のＳ１０１〜Ｓ１０５のＡＥ、ＡＦ処理を、測光スイッチＳＷＳがオンされている間は、レリーズスイッチＳＷＲがオンされるまで繰り返す（Ｓ１０７）。そして、レリーズスイッチＳＷＲがオンされたらレリーズ処理に進む。
【００３４】
レリーズ処理に入ると、先ず、ストロボ発光可能か否かをチェックする。ストロボ発光不可であれば、ＡＥ処理を実行し、ミラーアップ、絞り設定、シャッタ幕の走行を含むレリーズ処理を実行する（Ｓ１３１、Ｓ１３３）。なお、ストロボ発光可能な状態とは、少なくともストロボスイッチＳＷＳＴＢ がオンしている状態をいう。
【００３５】
ストロボの発光が可能であれば、ＣＰＵ１１は、プリ発光処理サブルーチン（図１３）をコールしてストロボ３０のプリ発光処理を行なう（Ｓ１１１）。プリ発光処理では先ず、強制積分終了信号ＦＥＮＤｉｎｔ により積分を終了させ、次に各ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃの積分値を掃き出してから積分（電荷の蓄積）を開始させる（Ｓ４０１、Ｓ４０３）。
【００３６】
そして、プリ発光信号（ハイレベルのトリガー／クエンチ信号）を一定時間、ポートＸからストロボ回路３１に出力する（Ｓ４０５）。ストロボ回路３１は、このプリ発光信号を受けてからストロボ３０を発光させ、このプリ発光信号が停止すると発光を停止する。なお、このプリ発光時間は、本実施例では、発光光量がガイドナンバー４に相当する時間に設定されている。
【００３７】
プリ発光を終了させると、各ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃの積分も終了させて、各画素の積分データを読み出してＡ／Ｄ 変換し、ＲＡＭ にメモリしてリターンする（Ｓ４０５〜Ｓ４０９）。本実施例では、図８に示したように、ＡＦセンサ６１Ｂ、６１Ｃ、６１Ａの順で受光光量が多い。つまり、この順の各ＡＦセンサ６１Ｂ、６１Ｃ、６１Ａに対応する領域の被写体の反射率が高い。
【００３８】
各ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃの積分データのメモリが終了すると、図１４の反射率サブルーチンをコールして、反射率算出およびマルチＴＴＬ測距領域（分割測光センサ）選択処理を行なう（Ｓ１２１）。メモリしたデータをＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃ毎に読み出して各データごとに被写体反射率を算出して、標準反射率に最も近い反射率のＡＦセンサ６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの測距領域に対応する分割測光センサ５１１〜５１３を選択する。そして選択した１個の分割測光センサ５１１〜５１３を、本発光時のＴＴＬ調光制御に使用する。
【００３９】
被写体反射率およびマルチＴＴＬ測光センサ（分割測光センサ）選択処理が終了すると、ミラーアップおよび絞りをセットし、次に、シャッタ先幕を走行させる（Ｓ１２３、Ｓ１２５）。
【００４０】
シャッタ先幕走行後、ＣＰＵ１１は、シャッタ先幕走行終了に連動するスイッチ（図示せず）の閉成に同期して、あるいはシャッタ先幕の走行開始からの一定時間計測後に、ＴＴＬ調光制御サブルーチンを実行する（Ｓ１２７、図１５参照）。
ＴＴＬ調光制御サブルーチンでは、先ず、フィルム感度Ｓｖに基づいて、受光積分値（ストロボ３０の発光量）に関するＴＴＬ＿ＤＡレベルをセットする（Ｓ６０１）。そして、Ｓ１２１で選択した分割測光センサの積分回路の積分リセットスイッチＳＷＣＬをオフにして、積分を開始させる（Ｓ６０３〜Ｓ６１３）。そして、ストロボ発光信号Ｘをハイレベルにしてリターンし、シャッタ時間の経過を待つ（Ｓ６１５）。
【００４１】
ここで、ポートＸのハイレベル信号は、インバータによってローレベル信号に反転されてノア回路１６５に入力されるので、ノア回路１６５の出力はハイレベルとなり、ストロボ回路３１が発光を開始する。そして、選択した分割測光センサの積分が終了してオア回路１６４の出力がハイレベルに変わると、ノア回路１６５の出力はローレベルとなり、ストロボ回路３１はストロボ３０の発光処理を停止する。さらにシャッタ時間が経過すると、シャッタ後幕の走行など、レリーズ後処理を実行する（Ｓ１２９）。そして、レリーズ後処理が終了すると、この処理を終了する。なお、本実施例ではフィルム感度Ｓｖのみに基づいてＴＴＬ＿ＤＡレベルをセットしたが、これに露出倍数値Ｘｖの値を加えてもよいことは明らかである。
【００４２】
測光領域（分割測光センサ）選択処理について、図１４の反射率サブルーチンを参照してより詳細に説明する。第１実施例は、撮影距離、ガイドナンバーおよび絞り値に基づいた適正光量電圧Ｖｒｅｆ を求め、この適正光量に最も近い光量が得られた測光領域を選択する構成である。
プリ発光のガイドナンバーＧＮは本実施例では４なので、適正光量電圧Ｖｒｅｆ を下記式により求める。
Ｖｒｅｆ ＝ＶＧＮ４ ・２^{（４−（ＤＶ＋Ａｖ０））} ……▲１▼
ただし、
ＶＧＮ４ ：撮影距離１ｍ、絞りＦ４およびガイドナンバー４の設定でストロボ をプリ発光し、１８％反射板による反射光によるＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃの出力電圧の平均値
乗数の「４」：ガイドナンバー４のアペックス表示値
Ｄｖ：距離情報のアペックス値
Ｄｖ＝２ｌｏｇ_２（距離）
Ａｖ_０ ：開放絞り値のアペックス値
Ａｖ_０ ＝２ｌｏｇ_２（開放絞り値）
【００４３】
上記▲１▼式に従えば、異なる撮影距離および絞り値における標準的な反射率（１８％）を仮定した場合の出力電圧を求めることができる。したがって、各ＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃの出力電圧ＶＡ、ＶＢ、ＶＣにより、各ＡＦセンサ領域の被写体反射率を求めることができる。そして、その値に応じて、適正光量電圧Ｖｒｅｆ に近いＡＦセンサ６１Ａ〜６１Ｃに対応した分割測光センサ５１１〜５１３が決定される。
【００４４】
上記▲１▼式に具体的数値を代入してみる。
『例１』
ＶＧＮ４ ＝５００ｍＶ 、距離２ｍ（Ｄｖ＝２）、Ｆ２．８ （Ａｖ_０ ＝３）のときに、
ＶＡ＝３００ｍＶ 、ＶＢ＝２５０ｍＶ 、ＶＣ＝２００ｍＶ の出力を得たとすると、
Ｖｒｅｆ ＝５００ ・２^{（４−（２＋３））} ＝５００ ・２^−２＝２５０ｍＶ
となる。したがって、
Ｖｒｅｆ −ＶＡ＝−５０ｍＶ ：反射率大
Ｖｒｅｆ −ＶＢ＝ ０ｍＶ ：適正反射率
Ｖｒｅｆ −ＶＣ＝＋５０ｍＶ ：反射率小
となるので、ＡＦセンサ６１Ｂに対応した分割測光センサ５１２を選択すればよいことが分かる。
【００４５】
また、
ＶＡ＝４００ｍＶ 、ＶＢ＝３５０ｍＶ 、ＶＣ＝３００ｍＶ の出力を得た場合には、
Ｖｒｅｆ −ＶＡ＝−１５０ ｍＶ ：反射率特に大
Ｖｒｅｆ −ＶＢ＝−１００ ｍＶ ：反射率かなり大
Ｖｒｅｆ −ＶＣ＝− ５０ ｍＶ ：反射率少し大
となる。かかる場合には適正反射率の被写体は存在しない。そこで、最も標準反射率に近いＡＦセンサ６１Ｃに対応した分割測光センサ５１３を選択する。
【００４６】
以上の分割測光センサ選択処理を実現するサブルーチンを、図１４に示してある。このサブルーチンは、Ｓ１１１の反射率、測光センサ選択処理に関するサブルーチンでもある。このサブルーチンに入ると、先ず各センサについて、プリ発光積分値の平均値ＶＡ、ＶＢ、ＶＢを演算し、適正光量電圧Ｖｒｅｆ に最も近い値を選択、つまり対応する一個の分割測光センサ５１１〜５１３を選択する（Ｓ５０７〜Ｓ５１１、またはＳ５０７、Ｓ５１５、Ｓ５１７、またはＳ５０７、Ｓ５０９、Ｓ５２１）。なお、本実施例では１個の分割測光センサを選択したが、２個以上の分割測光センサを選択してもよいことは明らかである。
【００４７】
分割測光センサ５１１〜５１３を選択したら、反射率の相違が露出値換算でどのくらいのずれ量ΔＥｖになるかを式、
ΔＥｖ＝ｌｏｇ_２（ＶＡ、Ｂ、Ｃ／Ｖｒｅｆ）
により演算する（Ｓ５１３、Ｓ５１９、Ｓ５２３）。
そして、そのずれ量ΔＥｖ分、フィルム感度Ｓｖを補正する（Ｓ５２５）。例えば、ずれ量ΔＥｖが先の例２の場合には、
ΔＥｖ＝ｌｏｇ_２（３００／２５０） ＝０．２６（Ｅｖ）
であるから、補正フィルム感度Ｓｖ′は、Ｓｖ′＝Ｓｖ−０．２６となる。この補正により、反射率が高いときには、標準的な反射率の被写体がアンダー露出になりがちなので、露光量を増加させるためにフィルム感度Ｓｖを下げた。
【００４８】
図９には、調光回路１６の第２の実施例を示してある。この第２の実施例は、一つの積分回路５２０（アンプおよび積分コンデンサ）により、３個のマルチＴＴＬ測光センサの出力を択一的に積分することに特徴を有する。図において、符号ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、３個の分割測光センサ５１１〜５１３を択一的に積分回路５２０に接続する選択スイッチ、ＳＷ４は積分回路に積分を開始させる積分スタートスイッチである。ＴＴＬ調光制御時に、Ｓ５１１、Ｓ５１７、またはＳ５２１で選択された一つのスイッチのみがオンし、積分スタートスイッチＳＷ４が開成されて、積分がスタートする。
【００４９】
この積分回路５２０の出力はコンパレータ１６０の非反転入力端子に入力され、コンパレータ１６０の反転入力端子には、ＴＴＬ＿ＤＡレベルが入力される。つまり、積分回路５２０の出力がＴＴＬ＿ＤＡレベルと比較され、積分回路５２０の出力の方が小さくなったときに、コンパレータ１６０からハイレベルの積分終了信号が出力される。
【００５０】
コンパレータ１６０の出力はノア回路１６５の一方の入力に入力され、ノア回路１６５の他方の入力には、第１の実施例と同様にＣＰＵ１１のポートＸの出力がインバータを介して入力されている。このノア回路１６５の作用は、第１の実施例と同様である。つまり、この第２の実施例は、第１の実施例と同様に動作する。
【００５１】
この第２の実施例によると、第１の実施例に比して、積分回路５２０の数が少なくて済むので、回路をコンパクト化、したがってカメラをコンパクト化できる。
【００５２】
以上の通り本実施例は、予備発光時の被写界反射率の検出をＡＦセンサの出力を利用したので、簡単な回路構成および演算処理によって本発光に使用するＴＴＬ分割測光センサの選択が可能になった。
【００５３】
以上本実施例では、予備発光光量、前記撮影距離および絞り値に基づいて、標準反射率の被写体に対して各分割測光センサが出力する標準値を算出して、予備発光時の被写界反射率の中から標準値に最も近い被写界反射率が得られた焦点検出領域に対応する測光領域の分割測光センサを選択したが、中間の反射率が得られた焦点検出領域に対応する分割測光センサを選択する構成でもよい。また、標準値は、予めカメラボディ内のＲＡＭにメモリしておいてＲＡＭから読み出す構成でもよい。さらに、予備発光を赤目軽減用の予備発光と兼用する構成にしてもよい。
【００５４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかな通り本発明は、予備発光時の被写界反射率の検出を焦点検出センサの出力を利用して求めるので、簡単な回路構成および演算処理によって本発光に使用する分割測光センサの選択および本発光時のセンサ制御が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の閃光調光装置を搭載した一眼レフカメラの一実施例の主要部をブロックで示した図である。
【図２】同一眼レフカメラの測光領域と焦点検出領域との関係を示す図である。
【図３】同一眼レフカメラのマルチＡＥ測光センサの測光領域を示す図である。
【図４】同一眼レフカメラの主要回路構成をブロックで示す図である。
【図５】同一眼レフカメラの積分回路および調光回路をより具体的に示す回路図である。
【図６】同調光回路のタイミングチャートを示す図である。
【図７】同一眼レフカメラのマルチＡＦセンサ部の詳細をブロックで示す回路図である。
【図８】同マルチＡＦセンサのストロボ発光時のタイミングチャートを示す図である。
【図９】本発明の積分回路および調光回路の別の実施例をブロックで示す図である。
【図１０】同一眼レフカメラのストロボ撮影処理に関するメインフローチャートを示す図である。
【図１１】同ストロボ撮影処理におけるＡＥ処理に関するサブルーチンを示す図である。
【図１２】同ストロボ撮影処理におけるＡＦ動作処理に関するサブルーチンを示す図である。
【図１３】同ストロボ撮影処理におけるプリ発光処理に関するサブルーチンを示す図である。
【図１４】同ストロボ撮影処理における反射率検出処理に関するサブルーチンを示す図である。
【図１５】同ストロボ撮影処理におけるＴＴＬ調光制御（主発光制御）処理に関するサブルーチンを示す図である。
【符号の説明】
１０ カメラボディ
１１ ＣＰＵ（制御回路）
１２ ＡＦ回路
１３ 測光回路
１４ 撮影距離検出回路（撮影距離検出手段）
１５ ＤＸコード読取回路
１６ 調光回路
１７ 設定絞り情報検出回路（設定絞り値検出手段）
２０ 撮影レンズ
３１ ストロボ回路
５０ マルチＴＴＬ測光センサユニット
５１１ 分割測光センサ（測光手段）
５１２ 分割測光センサ（測光手段）
５１３ 分割測光センサ（測光手段）
５２０ 積分回路
５２１ 積分回路
５２２ 積分回路
５２３ 積分回路
６０ マルチＡＦセンサユニット
６１Ａ ＡＦセンサ
６１Ｂ ＡＦセンサ
６１Ｃ ＡＦセンサ

Claims (3)

1. 本発光前に予備発光を行なう閃光装置を備えたカメラであって、
   撮影距離を検出する撮影距離検出手段と、
   被写体の異なる領域からの光束を受光してそれぞれが被写体輝度分布に対応する焦点検出信号を出力する複数の分割焦点検出受光手段を有する焦点検出手段と、
   前記各分割焦点検出受光手段の受光領域の一つを含む領域の被写体光束を受光してそれぞれが測光信号を出力する複数の分割測光手段を有する測光手段と、
   撮影レンズの設定絞り値を検出する設定絞り値検出手段と、
   前記予備発光時に前記各焦点検出受光手段から出力されたそれぞれの焦点検出信号、前記設定絞り値検出手段により検出された設定絞り値、および前記撮影距離検出手段により検出された撮影距離とに基づいて、前記複数の分割測光手段の中から前記本発光時に調光制御に使用する分割測光手段を選択する分割測光手段選択手段と、
   この分割測光手段選択手段によって選択された分割測光手段の測光信号に基づいて、前記本発光時に前記閃光装置の調光を行なう調光手段と、
   前記予備発光の際に、少なくとも前記予備発光光量、前記撮影距離および設定絞り値に基づいて、被写体が標準反射率である場合に前記分割焦点検出受光手段が出力する焦点検出信号の標準値を算出する演算手段とを備え、
   前記分割測光手段選択手段は、前記閃光装置を本発光させるときに使用する分割測光手段として、前記予備発光により上記各焦点検出受光素子から得られた焦点検出信号と前記標準値とを比較して最も差の小さい焦点検出信号を出力した焦点検出受光手段の焦点検出領域に対応する測光領域を測光する分割測光手段を選択すること、を特徴とする閃光調光装置を備えたカメラ。
2. 請求項１記載の閃光調光装置を備えたカメラにおいて、前記分割測光手段は、前記カメラの撮影レンズを透過し、シャッタ幕またはフィルムで反射した被写界光を受光するＴＴＬ測光センサである閃光調光装置を備えたカメラ。
3. 請求項１記載の閃光調光装置を備えたカメラにおいて、前記設定絞り値は、前記撮影レンズの開放絞り値である閃光調光装置を備えたカメラ。

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