JPH0373961A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用性！ＦＦ） 本発明は半導体レーザー発振領域である８００ｎｍ前後
の長波長光に対して品感度を有する電子写真感光体に関
する。

〔従来の技術〕

従来の電子写真感光体としては、アルミニウム等の導電
性基板の上に５０μｍ程度のセレン（Ｓ　ｅ）膜を真空
蒸着法により形成したものがある。

しかし、このＳｅ感光体は、波長５００ｎｍ付近までし
か感度を有していない等の問題がある。

また導電性基板の上に５０μｍ程度のＳｅ層を形成し、
この上に史に数μ「ｎのセレン−テルル（Ｓｅ−Ｔｅ）
合金層を形成した感光体があるが、この感光体は上記５
ｅ−Ｔｅ合金のＴｅの含有率が高い程、分光感度が長波
長にまで伸びる半面、Ｔｅの添加量が増加するにつれて
、表面電荷の保持特性が不良となり、す（突上、感光体
として使用できなくなるという重大な問題がある。

またアルミニウム括仮の上に１μｍ程度のクロロジアン
ブルー又はスクウアリリウム酸誘導体をコーティングし
て電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵抗の高いポリビ
ニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体とポリカーボネ
ート樹脂との混合物を１０〜２０μｍコーティングして
電荷輸送層を形成した所謂複合二層型の感光体もあるが
、この感光体は７００ｎｍ以上の波長の光に対して感度
を有していないのが実情である。

更に、この複合二層型の感光体において、上記欠点を改
善した、即ち、半導体レーザー発振領域８００ｎｍ前後
に感度を有する感光体もあるが、これらのうち多くのも
のが真空蒸着法によって周１９１律表の■族もしくはＩ
Ｖ族の金属を中心金属に持つ金属フタロシアニンの膜厚
１１ｔｍ程度の薄膜を形成した後、シフト化剤溶液中に
浸漬するか、もしくはその蒸気に接触させることによっ
て本来７００ｎｍ前後の吸収帯を８００ｎｍ前後にシフ
トさせ、長波長感度を発現させている。

この膜の上に絶縁抵抗の高いポリビニルカルバゾール又
はピラゾリン誘導体とポリカーボネート樹脂もしくはポ
リエステル樹脂との混合物を１０〜２０μｍコーティン
グして電荷輸送層を形成して複合二層型の感光体を形成
している。しかしながら、この場合、電荷発生層として
用いられている周期律表の■族もしくは■族の金属を中
心金属に持つ、金属フタロシアニン薄膜は、本質的に半
導体レーザー発振珀域８００ｎｍ前後に吸収がなく、シ
フト化剤で処理しない限り、この薄膜を用いて形成した
感光体は８００　ｎ　ｍ前後の光に対して感度をＨしな
いか、又は低感度であるという重大な問題がある（特開
昭５８−１５８６４９号公報参照）。

又特開昭６３−５５５５６号公報又は特開昭６３−１４
１０７０号公報記載の化合物は、それ自身浦溶性である
がため、塗布が難しく、かつ、電荷輸送層の塗布時に溶
出するため安定した生産が困難であった。特開昭６３−
１８６２５１号公報記載のナフタロシアニン類はレーザ
ープリンターに必要とされる感度（ｃｄ　／　／Ｚ　Ｊ
）に達していなかった。

【発明が躬決しようとする課題〕

レーザー光を光源とし、電子写真感光体を用いたレーザ
ービームプリンタ等では、近年、半導体レーザーを光源
に用いることが種々試みられており、この場合、該光源
の波長は８００ｎｍ前後であることから、８００ｎｍ前
後の長波長光に対して高感度な特性を−Ｈする電子写真
感光体が強く要求されている。

本発明の目的は、シフト化剤で処理する等の特別な処理
をすることなく、７８０〜８３０　ｎ　ｎ＋の近赤外領
域の長波長の光に対して品い感度を有する電子写真感光
体を堤供することである。

〔課題をＭ決するための手段〕

本発明は、導電性支持体上に有機光導電性物質を含有す
る光導電層を有する電子写真感光体において、 前記有機光導電性物質が一般式（１） 〔式中、ＭはＳ　ｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表わし、Ｘは水酸基
、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素を表わす。〕で表わされ
る化合物を含む電子写真感光体である。

本発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体の上に光
導電層を設けたものである。

本発明において、光導電層は有機光導電性物質を含む層
であり、＆Ｊｉ！光導電性物質の皮膜、有機光導電性物
質と結合剤とを含む皮膜、電荷発生層及び電６：ｊ輸送
層からなる複合型皮膜等がある。

前記有機光導電性物質としては、前記一般式（１）で表
わされるフタロシアニンが必須成分として用いられるが
、さらに公知の光導電性物質を併用してもよい。一般式
（１）において、フタロシアニンの中心部の二つの水素
イオンが金属イオンによって置換された構造ををするが
、この金属をＳ　ｉ　ＳＧ　ｅ　ＳＳ　ｎより選んだ少
なくともＩＰｌｉを採用し、このフタロシアニンの平面
横這に対して、垂直方向に粘合しているＸとして、水酸
基、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素を採用することを特徴
としている。

前記電荷輸送物質としては、高分子化合物のものでは、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルイ
ンドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオフェン、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリビ
ニルピラゾリン等が挙げられる。低分子化合物のもので
はフルオレノン、フルオレン、２．７−ジニトロ−９−
フルオレノン、４Ｈ−インデノ（１，２，６）チオフェ
ン−４−オン、３．７−ジニトロ−ジベンゾチオフェン
−５−オキサイド、１−ブロムピレン、２−フェニルピ
レン、カルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール、３−フ
ェニルカルバゾール、３−（Ｎ−メチル−Ｎ〜フェニル
ヒドラゾン）メチル−９−エチルカルバゾール、２−フ
ェニルインドール、２−フェニルナフタレン、オキサジ
アゾール、２．５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル
）−１，３，４−オキサジアゾール、１−フェニル−３
−（４−ジエチルアミノスチリル）５−　（４−ジエチ
ルアミノスチリル−５−（４−ジエチルアミノフェニル
）ピラゾリン、ｌ−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、ｐ−（ジメチルアミノ）スチ
ルベン、２（４−ジプロピルアミノフェニル）−４−（
４ジメチルアミノフエニル）−５−（２−クロロフェニ
ル）−１，３−オキサゾール、２−（４ジメチルアミノ
フエニル）−４−（４−ジメチルアミノフェニル）−５
−（２−フルオロフェニル）−１，３−オキサゾール、
２−　（４−ジエチルアミノフェニル）−４−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−５−（２−フルオロフェニル
）−１，３オキサゾール、２−　（４−ジプロピルアミ
ノブ１ニル）−４−（４〜ジメチルアミノフエニル）５
−　（２−フルオロフェニル）−１，３−オキサゾール
、イミダゾール、クリセン、テトラフェン、アクリデン
、トリフェニルアミン、これらの誘導体が例示できる。

しかし、特に奸ましい電荷輸送物質としては、下記一般
式（ＩＩ）、（ｍ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で表わされる
化ｎ物である。

リール基を表わし、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子又は
アルキル基を表わし、Ｒ２及びＲ３は各々独立に置換又
は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基を
表わす。〕 〔式中、ｋｓ　ｆｌ　ｓ　ｍＳｎは０又は１を表わし、
Ｒ４Ｒ５、Ｒｅ　　　Ｒ７Ｒ８Ｒ９ＲＩＯ及びＲ１１は
各々独立にアルキル基、置換又は未置換のアリールμを
表わす。〕 １２１３Ｒ１６及びＲ１７は各々独立に〔式中、ＲＲ 水素原子、アルキル基、置換又は未置換のアリ−１４１
５１８ ル基、複素環基を表わし、ＲＲＲ及び Ｒ１９は各々独立にアルキル基、アラルキル基、置換又
は未置換のアリール基を表わす。〕〔式中、Ｒ及びＲ２
１は置換又は未置換のアリ−０ ル基を表わし、Ｒ２０とＲ２Ｉは直接もしくは連結基を
介して粘合してもよ＜、Ｒ２２は水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基もしくは置換又は未置換のフェニル基を
表わし、Ｒ及びＲ２４はアルキル基、３ アラルキル基もしくは置換又は未置換のアリール基を表
わし、少なくとも一方は置換又は未置換のアリール基で
ある。〕 前記、フタロシアニンと電荷輸送物質を混合して使用す
る場合は、電荷輸送物質／フタロシアニンが重量比で１
０／１〜２／１の割合で配合するのが好ましい。このと
き電荷輸送物質が高分子化合物のものであれば、後記の
結合剤を使用しなくてもよいが、この場合でも、又、電
荷輸送物質が低分子化合物の場合でも、結合剤をこれら
の化合物全量に対して、５００重量％以下で使用するの
が好ましい。

又、電荷輸送物質と１．て、低分子化合物を使用する場
合は、粘合剤を３（Ｉｆｆ！ｍ％以−り使用するのが好
ましい。また電荷輸送物質を用いない場合でも、同様の
量で粘合剤を使用してもよい。

これらの結合剤を使用する場合、さらに、可塑剤、流動
性付与剤、ピンホール抑制剤等の添加剤を必要に応じて
添加することができる。

このように混合やでもよいが、下記に述べる２層複合型
とすることが好ましい。

電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型の光導電層を
形成する場合、電６：７発生層中には、前記したフタロ
シアニン又はこれと化６’４を発生するを機顔料が含有
させられ、結合剤を該有［顔料に対して５００重ＩＸ１
％以下の量で含有させてもよく、又、前記した添加剤を
該フタロシアニン又はこれと有機顔料との総量にχ＝ｔ
　ｔ、て、５重量％以下で添加してもよい。

又電６：を輸送層には、前記した電荷輸送物質が含有さ
せられ、結合剤を謹電荷輸送物質に対して５００重量％
以ドで金白゛させてもよい。電荷輸送物質が低分子化合
物の場合は、粘合剤を該化合物に対して、５０重量％以
上含有させるのが好ましい。

電（；：を輸送層には、前記した添加剤を電ｒｒｌ輸送
物質に対して５重量％以ドで含有させてもよい。

前記した場合すべてに使用し得る粘合剤としては、シリ
コーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
エステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂
、スチレン−ブタジェン」（重合体、ポリメタクリル酸
メチル樹脂、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアクリ
ルアミド樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルピ
ラゾリン、ポリビニルピレン等が挙げられる。

又、熱及び／又は光によって架橋される熱硬化型樹脂及
び光硬化型樹脂も使用できる。

いずれにしても、絶縁性で、通常の状態で皮膜を形成し
うる樹脂、並びに熱及び／又は光によって硬化し、皮膜
を形成する樹脂であれば特に制限はない。可塑剤として
は、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタリン、ジメ
チルフタレート−等が挙げられる。

流動性付１ｊ、剤としては、モダフロー（モンザントケ
ミカル社製）、アクロナール４Ｆ（バスフ社製）等が挙
げられ、ピンホール抑制剤としては、ベンゾイン、ジメ
チルフタレート等が挙げられる。

これらは適宜選択して使用され、その量も適宜決定され
ればよい。

本発明において導電層とは、導電処理した紙又はプラス
チックフィルム、アルミニウムのような金属箔を積層し
たプラスチックフィルム、金属板等の導電体である。

本発明の電子写真感光体は、導電層の上に光導電層を形
成したものである。光導電層の厚さは５〜５０μｍが奸
ましい。

先導？Ｉｉ雇として電６：ｊ発生層及び電荷輸送層の複
合型を使用する場合、電＋１：ｊ発生層は灯ましくは０
．００１〜１０７ｚｍ、特に好ましくは０．２〜５μｍ
の厚さにする。Ｏ，ＯＯ１７ｚｍ未満では、電荷発生層
を均一に形成するのが困難になり、１０μｍを越えると
ｍ−Ｊ’−写真特性がｌｉＬ下する傾向にある。

電荷輸送層の厚さは好ましくは５〜５０μｍ１特に好ま
しくは８〜２０μｍ、である。５μｍ未満の厚さでは、
初期電位が低くなり、５０μｍを越えると、感度が低下
する傾向がある。

導電層上に、光導電層を形成するには、有機光導電性物
質を導電層に蒸着する方法、有機光導電性物質及び必要
に応じ、その他の成分をアセトン、メチルエチルケトン
等のケトン系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系
溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、塩化メチ
レン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素系溶剤、メタ
ノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶
剤に均一に溶解又は分散させて導電層上に塗布し、乾燥
する方法などがある。塗布法としては、スピンコード法
、浸漬法等を採用できる。

電荷発生層及び電荷輸送層を形成する場合も同様に行う
ことができるが、この場合、電ｆ；Ｉ発生層と電荷輸送
層は、どちらを上層としてもよく、電荷発生層を二層の
電（’４輸送層ではさむようにしてもよい。

浸漬法によって塗布する場合には、一般式（１）で表わ
されるフタロシアニン化合物をメタノール、ジメチルホ
ルムアミド等の極性溶剤にボールミル、超音波等を用い
て分散させた塗液に導電性基板を浸漬するのが好ましい
。

保護層の形成は、光導電層の形成における塗布、乾燥す
る方法と同様にすればよい。

本発明に係る電子写真感光体は、更に導電層のすぐ上に
薄い接着層又はバリア層を有してもよく、表面に保護層
を有していてもよい。

本発明に係る電子写真感光体に使用する一般式（Ｉ）で
表わされるフタロシアニン化合物は、光の照射により電
荷を発生ずる。

このフタロシアニン化合物は、次の方法で製造すること
ができる。

先づ、１．３−ジイミノイソインドリン又はフタロニト
リルと四塩化珪素、四塩化ゲルマニウム又は四塩化錫、
四臭化珪素、四フッ化珪素、四ヨウ化珪素などとを２０
０〜２５０℃で３〜１０時間反応させ、中心金属に２個
のハロゲン原子が結合したフタロシアニンを製造する。

次に、このフタロシアニンを酸、アルカリ処理し、２個
のハロゲン原子を水酸基に交換する。

又、この電荷発生物質の特徴としては、中心金属に置換
したハロゲン原子又は水酸基が電荷発生効率を向上して
いる点にある。

水頭発明の電荷発生物質の具体例と、特に好ましい電荷
輸送物質の具体例を表１〜５に示す。

ＣＧは電荷発生物質を、ＣＴは電荷輸送物質を示す。

一般式（ｎ）で表わされるスチルベン化合物は、例えば
特開昭５８−１９８０４３号公報に開示された方法に準
じて合成できる。また一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び
（Ｖ）で表わされる化合物はそれぞれ以下の方法で合成
できる。代表的合成例を具体的に示す。

（製造例１）例示化合物ＣＴ−（ｍ）−７の合成２．５
−ビス（４−ヨードフェニル）−３，４−シフエニルチ
オフエン１２ｆ、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン１
０ｇ１無水炭酸力リウム１０ｇおよび電解銅８ｇをスル
ホラン５０ｍ１に分散し、１９０℃で４００時間攪拌た
。放冷後、水１００ｍ１に排出し、生じた沈澱を炉し分
け、水、メタノールの順に洗浄後、乾燥した。得られた
粗生成物をベンゼンで抽出し、抽出液をベンゼン：へキ
サン（１／　１　）混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲ
ルカラムクロマトにより稍製した。ベンゼン−アセトニ
トリル混合溶媒より再結晶し、淡費色結晶（融点１４５
〜１４６℃）の例示化合物ＣＴ−（ｍ）−７１５ｇを得
た。

（製造例２）例示化合物ＣＴ−ＩＶ−ｌの合成下記構造
式 で表わされる化合物３．３ｇと１，１−ジフェニルヒド
ラジン塩酸塩４．０ｇをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
１００ｍ１に混合、溶解し、室温で２時間攪拌した。原
料のアルデヒド化合物の消失を確認した後、水１００　
ｍｌを加え、生じた沈澱を炉別、乾燥した。クロロホル
ム−エタノールよす再結晶して黄色結晶（融点２１８〜
２２０．５℃の例示化合物ＣＴ−■−１　２．８ｓｒを
得た。

（製造例３）例示化合物ＣＴ−Ｖ−ｌの合成Ｍ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド２００ｍ１に下式で表わされるトリ
フェニルアミン化合物２８．７ｇを分散し、０〜５℃で
オキシ塩化リン１５．６ｇを滴下した。同温度で１時間
攪拌した後、７０〜７５℃まで昇温し、３時間攪拌した
。

室温まで冷却した後、反応液を氷水８００　ｍｌに注ぎ
、水酸化ナトリウム水溶液を加え、アルカリ性とした。

さらに室温で１時間攪袢した後、沈殿物をｉ戸取、乾燥
した。

含水エタノールより再結晶して黄色結晶（６５℃よりシ
ンター）の下記構造式 で表わされるアルデヒド化合物２０．５ｇを得た。

このアルデヒド化合物２．７ｇと１．１−ジフェニルヒ
ドラジン塩酸塩１．５ｇをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド５０ｍ１に混合溶解し、室温で３時間攪拌した。原料
のアルデヒド化合物の消失を確認した後、水５０ｍ１を
加え、生じた沈澱を炉別、乾燥した。粗生成物を少量の
酢酸エチルに溶解し、エタノールを加え生じた沈澱を炉
別、乾燥し、黄色粉体（９２℃よりシンター）の例示化
合物ＣＴ−Ｖ−１２．５ｓｒを得た。

（実施例１） ポリエステル樹脂（東洋紡製、商品名「バイロン２００
Ｊ　）０．５ｇ、次記構造式で表わされるフタロシアニ
ン０．　　’ｚｒ　（ＣＧ−１）及びテトラヒドロフラ
ン５０ｇをボールミルで粉砕、混合し、得られた分散液
をアルミニウム板にワイヤーバーを用いて塗布、８０℃
で２０分乾燥して約０．５μの電荷発生層を形成した。

この電荷発生層上に化合物（族２　　ＣＴ−ｎ−１）１
ｇ、ポリカーボネート樹脂（商品名「パンライトに一１
３００Ｊ帝人化或製）Ｉｇをクロロホルム１０ｇに溶解
した溶液をワイヤーバーを用いて塗布、８０℃で３０分
乾燥して厚さ約１８μの電荷輸送層を形成して、積層型
感光体を作製した。

静電複写紙試験装置（■川口電機製作所製モデル　ＥＰ
Ａ−８１００）を用いて感光体を印加電圧−６ＫＶのコ
ロナ放電により（１シ電させ、その時の表面電位Ｖ。を
測定し、２秒間暗所に放置しその時の表面電位ｖ２を測
定し、続いて感光体の表面光強度が１０μｗ　／　ｃｄ
となる状態で７８０ｎｍ又は８３０ｎｍの光を照射して
表面電位がｖ２の１／２になる特間を測定し、半減露光
量の逆数１　／Ｅｌ／２　　（ｃｄ／μＪ）をス１算し
た。また光照射１０秒後の表面電位ｖ１□即ち、残留電
位を測定した。

又、可視光での性能評価は同様の測定機器を用いて、ハ
ロゲンランプ（色温度　２８５６’Ｋ）を用いて、感光
体の表面の照度が５１ｕｘとなるようにして測定した。

半減露光ｆｆｉ　Ｅ　ｌ／２は（ＩＬＩＸ　ｓｅｃ　）
の１１位でＪｐ１定した。

（実施例２） ポリエステル樹脂（商品名「バイロン２００Ｊ東洋紡製
）０．５部、と下記式フタロシアニン（ＣＧ−２）０．
５部及び Ｃ２ シクロヘキサノン５０部をボールミルで粉砕混合し、得
られた分散液をアルミニウム板にワイヤーバーを用いて
塗布、８０℃で２０分乾燥して約１μｍの電荷発生層を
形成した。この電荷発生層上に下式（ＣＴ−ＩＩＩ−１
） で表わされる化合物１部、ポリカーボネート樹脂（商品
名「パンライトＫ　−１３００Ｊ含入化成製）１部をク
ロロホルム１０部に溶解した溶液をワイヤーバーを用い
て塗布、８０℃で３０分乾燥して厚さ約１８μｍの電荷
輸送層を形成して、積ＷＩ型感光体を作製した。

静電複写紙試験装置（■川口電機製作所製モデル　Ｅ　
ＰＡ−８１００）を用いて感光体を印加電圧−６ＫＶの
コロナ放電により帯電させ、その時の表面電位Ｖ。を測
定し、その後２秒間暗所に放置しその時の表面電位ｖ２
を１ｌｌｌｌ定し、続いて感光体の表面の光強度が１０
部ｗ／ｃ−となる状態で７８０ｎｍ又は８３０ｎｍの光
を照射して表面電位がｖ２の１／２になる時間を測定し
、１　／　Ｅ　ｌ／２　　（ｃｊ／μＪ）を計算した。

また光照射１０秒後の表面電位Ｖ　　即ち、残留電位を
測定１２ゝ した。又、実施例１と同様にして、可視光でＥ　１／２
　　（１ｕｘ−ｓｅｅ）を測定した。

（実施例３〜２０） 電荷発生物質として表−１に例示した本発明の化合物の
内、表−６に掲げた化合物を夫々使用し、電荷輸送物質
として、表２〜５に例示した化合物の内、表−６に掲げ
た化合物をそれぞれ使用し、実施例１と同様に感光体を
作製し、１　／　Ｅ　１／２（ｃｄ／μＪ）及びＥ　１
／２　　（！ｕｘ−ｓｅｅ）を求めた。使用した電荷発
生物質、電荷輸送物質および１／Ｅ１／２　　（ｃｇｆ
／　ｕ　Ｊ　）　、Ｅ　ｌ／２　　（ｌｕｘ−ｓｅｅ）
を実施例１及び２と共に表−６に示す。

（比較例−１） α型無金属フタロシアニンを電荷発生物質として用いた
以外は実施例−１と同様にして、積層型感光体を作製し
た。実施例１と同様に測定した結果を表−６に示す。

（比較例−２） 下記化合物を電荷発生物質として用いた以外は実施例−
１と同様にして、積ＷＩ型感光体を作製した。実施例１
と同様に測定した結果を表−６に示す。

Ｏ８ｉ（Ｃ６Ｈ１３）３ 〔発明の効果〕 実施例、比較例より明らかなように、比較例の電荷発生
物質であるα−フタロシアニン、ケイ素ナフタロシアニ
ンの場合、波長７８０ｎｍ。

８３０ｎｍにおける感度（Ｃ−／μＪ））が著しく悪く
、かつ、光照射１０秒後の表面電位ｖｌ。即ち残留電位
も高い、これは可視光においても同様に感度を表わす半
減露光量（ＩＬＩＩＫ　−５ｏｃ　）が大きく即ち感度
が悪く、かつ残留電位が大きいことが判る。

これに対し、本発明の電荷発生物質及び電荷輸送物質を
使用すると感度、残留電位共に良好な値となっている。

即ち本発明の電子写真感光体は、半導体レーザー発振領
域である波長８００．ｎｍ前後の光に対して高感度な特
性を有しており、シフト化剤で特別な処理をする必要が
ないという優れた特性を有する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に有機光導電性物質を含有する光導
   電層を有する電子写真感光体において、前記有機光導電
   性物質が一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、ＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表わし、Ｘは水酸基、
   塩素、臭素、ヨウ素、フッ素を表わす。〕で表わされる
   化合物を含む電子写真感光体。 ２、光導電層が電荷発生層と電荷輸送層より構成されて
   おり、かつ電荷発生層中に一般式（ I ）の有機光導電
   性物質を含有している請求項１記載の電子写真感光体。 ３、電荷輸送層中に下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ａｒ＿１、及びＡｒ＿２は置換又は未置換のア
   リール基を表わし、Ｒ＾１は水素原子、ハロゲン原子又
   はアルキル基を表わし、Ｒ＾２及びＲ＾３は各々独立に
   置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリー
   ル基を表わす。〕 で示される電荷輸送物質を含む請求項２記載の電子写真
   感光体。 ４、電荷輸送層中に下記一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０又は１を表わし、Ｒ＾４、
   Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０
   及びＲ＾１＾１は各々独立にアルキル基、置換又は未置
   換のアリール基を表わす。〕 で示される電荷輸送物質を含む請求項２記載の電子写真
   感光体。 ５、電荷輸送層中に下記一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３、Ｒ＾１＾６及びＲ＾
   １＾７は各々独立に水素原子、アルキル基、置換又は未
   置換のアリール基、複素環基を表わし、Ｒ＾１＾４、Ｒ
   ＾１＾５、Ｒ＾１＾８及びＲ＾１＾９は各々独立にアル
   キル基、アラルキル基、置換又は未置換のアリール基を
   表わす。〕 で示される電荷輸送物質を含む請求項２記載の電子写真
   感光体。 ６、電荷輸送層中に下記一般式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） 〔式中、Ｒ＿２＿０及びＲ＿２＿１は置換又は未置換の
   アリール基を表わし、Ｒ＿２＿０とＲ＿２＿１は直接も
   しくは連結基を介して結合してもよく、Ｒ＿２＿２は水
   素原子、ハロゲン原子、アルキル基もしくは置換又は未
   置換のフェニル基を表わし、Ｒ＿２＿３及びＲ＿２＿４
   はアルキル基、アラルキル基もしくは置換又は未置換の
   アリール基を表わし、少なくとも一方は置換又は未置換
   のアリール基である。〕 で示される電荷輸送物質を含む請求項２記載の電子写真
   感光体。