JPH0364993A

JPH0364993A - 高密度集積回路のための接続板の多層配線網の導体層上に絶縁層を堆積させる方法及びそれによって得られる接続板

Info

Publication number: JPH0364993A
Application number: JP2201017A
Authority: JP
Inventors: Philippe Chantraine; フィリップ　シャントレーヌ; Marta Zorrilla; マルタ　ゾリッラ
Original assignee: Bull SAS
Current assignee: Bull SAS
Priority date: 1989-07-27
Filing date: 1990-07-27
Publication date: 1991-03-20
Anticipated expiration: 2010-04-12
Also published as: FR2650472A1; JPH0734509B2; DE69001733D1; US5082718A; ES2042242T3; EP0415806A1; EP0415806B1; DE69001733T2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、ＶＬＳ　１回路（大規模集積回路）と呼ばれ
る、少なくとも１つの集積回路を有する接続板の多層配
線網の形成方法に関するものである。

この接続板は、パッケージ内に配置される集積回路の支
持部材の表面に装着された複数の集積回路の相互接続に
使用されたり、もしくは、例えば、一般に「チップキャ
リヤ」と呼ばれる従来の支持部材の代用として、単に支
持部材として使用することができる。

従来の技術そのような接続板では、多層配線網は、通常、１つまた
は複数の集積回路の給電電位を分配する導体面を備える
絶縁プレートによって構成されている基板によって支持
されている。基板は、焼結セラミックプレートか、また
は、有機材料製、例えば、プラスチック製のプレートで
あることがある。しかし、また、このような接続板を、
柔軟性のある接続板の形をとる多層配線網だけで形成す
ることもできる。さらに、接続板は、複数の集積回路を
備え、いわゆるウェハ技術によってこれらの集積回路の
相互接続するための多層配線網によって被覆された半導
体材料製のプレートであることもある。これらのどの接
続板の場合も、多層配線網は、導体層と絶縁層を交互に
積層させることによって構成される。この積層では、絶
縁層を貫通する孔を形成して、隣接する導体層との電気
接続を形成する。導体層は、通常、アルミニウムまたは
銅製であり、絶縁層は、現在は、ポリイミド等の重合材
料によって形成されるのが好ましい。

多層配線網の製造における問題は、比較的平坦な層を得
ることにある。従来の製造方法は、導電材料層で導体を
形成し、通常、“ペースト”と呼ばれる粘性のある液体
状の重合可能な材料の絶縁層でその導体層を被覆する。

このペーストによって、下にある導体層の対応する縁部
より低い段または凹凸を備える表面が得られるという利
点がある。この方法では、少量の重合可能な材料を遠心
力を利用して塗布するか、ペーストをスパッタリングす
るか、または、例えば、シルクスクリーン印刷によって
ペーストをコーティングする。次に、このペーストを重
合する。当然、この方法の実施条件では、この重合層は
、重ねられた２つの導体層間を確実に絶縁するのに必要
な厚さを備えることになる。

更に、絶縁層は、形成すべきスルーホール（ピアホール
（ｖｉａ−ｈｏｌｅｓ））の位置を決定するマスクによ
って被覆される。従来では、これらのスルーホールの口
を広げて、らっは形にして、上部の導体層の導体は、絶
縁層上、形成したばかりのスルーホールの壁及びスルー
ホールの底部に形成する導体領域上に延在している。そ
の結果、スルーホールの位置に多数の凹部を備える上部
導体層が形成される。多数の層を積層させることによっ
て、くぼみの深さはより深くなり、その結果、積層され
た導体層に不連続が生じる恐れがあることが分かる。ま
た、スルーホールの形成及びその口の拡大は、この方法
の困難な段階である。

この方法の改良は、スルーホールを垂直線を中心にらせ
ん状にずらして、スルーホールが重なることを避けるこ
とにある。しかし、第１の欠点は、同一の絶縁層内での
スルーホールの密度が小さくなり、従って、多層配線網
内での導体の全体的な密度が小さくなることである。第
２の欠点は、スルーホールがずらされて配置されている
ことによって、多層配線網中で信頼性の高い導体層の数
を極めて急激に減らすことである。例えば、互いに９０
°ずつずらして、らせん状に配置することによって、第
５番目の層のスルーホールは、第１番目の層のスルーホ
ールと重なり、場合によってはその間にある４つのスル
ーホールが歪む。実際、この方法は、通常、約５つの導
体層を重ねる積層に限定される。

この問題点の最近の解決法は、導体層の導体ににピラー
を形成し、全体をペーストで被覆して、このペーストを
重合させ、絶縁層を形成する。絶縁層は、重ねられる２
つの導体層間に所望な絶縁を確保するのに十分な相当な
厚さとなり、一方、ピラーの部分は薄い絶縁材料が被覆
する。絶縁層は、スルーホールの形態を有するマスクに
よって被覆される。次に、絶縁層を選択的にエツチング
して、ピラーの上部面を露出させ、スルーホールの口を
広げる。ピラーを使用することによって、これらのスル
ーホールは、前述した従来の方法によって得られたスル
ーホールより明らかに浅い。

従って、上層の導体層は、かなり平らになる。

この解決法が示す問題点は、ピラーを備える導体層上で
重合された絶縁層の従来の形成方法の以下に述べる例か
ら明らかである。導体層は、基準表面上に形成され、こ
の基準表面に対して高さＨのピラーを備える、高さを有
する導体によって構成されているとする。この導体層上
に、少量のポリアミン酸の粘度の高いペーストを堆積さ
せる。

回転させて、少量のペーストを導体層全体に塗布するが
、その厚さＴＯは、ペーストの粘度、回転速度及び導体
層の形状によって決まる。炉内で、ペーストをプリベー
クする。ブリベータの温度は、ペーストの重合が始まる
イミド化の温度（約２２０℃〉より低くなければならな
い。このプリベータによって、ポリアミン酸を硬化させ
、ペーストに混入されていた溶媒の一部分を除去する。

この除去される溶媒部分は、実際には約１３０〜２００
℃の範囲にあるプリベークの温度による。プリベークさ
れた層の厚さＴ１は、層内に残留する溶媒の量、従って
、プリベーク温度とペーストの種類によって決定される
。イミド（ｇ温度の近傍でプリベークされた°標準的な
ペーストの厚さＴ１は、ペーストの初めの厚さＴＯの約
４０％まで減少される。次に、通常、約４００℃の温度
で、プリベークした層を重合させる。その結果生じたポ
リイミド層の厚さＴ２は、ペーストの種類やプリベーク
温度により程度は異なるが、厚さＴ１より小さい。結局
、通常のペーストでは、厚さＴ２は、ペースト層の初期
の厚さＴＯの約５０％である。ポリイミドの表面は、全
体的に平坦であるが、導体の縁部及びピラーの位置に段
部がある。

ここで、導体の高さｈに対する段部の高さをＳとし、下
側に接する絶縁層の表面のピラーの高さＨに対する段部
の高さをＳとする。絶縁層の平坦化率は、一般にＤＯＰ
率と呼ばれる値ｌ　−ｓ　／　ｈによって決定される。

この式は、数値りが何であっても、最初に導体層に塗布
されたペーストの高さが値りにほぼ等しいか、それ以上
であっても、この式は有効である。従って、同じ条件で
、また、ＤＯＰ率＝１−３／Ｈが得られる。現在の標準
的な層のＤＯＰ率は、約０．４である。これは、ｈ＝５
ｐｍの時はｓ＝３　μｍ５Ｈ＝２０μｍの時は５＝１２
μｍであることを意味する。実際、ピラーによる段部Ｓ
の大きさによってピラーの高さＨが低くなる。しかし、
絶縁層の最小の厚さは、重ねられた導体層間の良好な電
気絶縁を確保するために、比較的大きくなければならな
い。従って、ピラーの高さを小さくすると、絶縁層の中
に比較的深いスルーホールを形成することが必要になる
。その結果、現在の標準的な製品では、導体層中にピラ
ーを設ける解決法によっては、絶縁層の平坦性を向上さ
せる観点では上記の従来の方法をさほど改善しない。段
部の高さを小さくするために、製造者は、現在、より高
いＤＯＰ率を有する製品を研究している。しかし、従来
の技術では、段部が残り、この段部を開いて、ピラー〇
上面を露出させるスルーホールを形成しなければならな
い。このスルーホールの形成は、困難な作業であること
が分かった。実際、この作業は、マスクの積層とピラー
上のスルーホールの配置を決定する正確な位置決定を必
要とする。また、エツチング時間は、従来、°ピラー〇
金属の出現を検出する光学的手段によって決定される。

この場合、これらの光学的手段は、金属の検出を困難に
するスルーホール中で作動しなければならない。検出が
早すぎると、ポリイミドの残留した膜の存在によって、
ピラーと上部導体層との電気コンタクトの品質が影響を
受ける。

本発明が解決しようとする課題従って、現在の課題は、普通の、高価でなく、信頼性の
あるペーストを使用して、下側に接する導体層のピラー
の高さとは無関係にほぼ平坦な表面を得ることができる
一方、はぼ平坦な絶縁層にスルーホールを形成しないこ
とである。従って、このような方法によれば、はぼ平坦
な絶縁層によって正確に且つ信頼性の高い方法で分離さ
れた、多数の信頼性の高い導体層を堆積させることがで
きる。本発明は、そのような方法を提供することを目的
とする。

課題を解決するための手段本発明によるならば、少なくとも１つの高密度集積回路
を接続する多層配線網（１２）の形成方法であって、導
体層上に絶縁層を形成し、該絶縁層をエツチングして上
記導体層の所定の部分を露出させる工程を含み、上記絶
縁層は、段部の最大の高さ（Ｓ）が所望の数値（Ｖ）に
ほぼ等しいかまたはそれより小さい表面を得ることので
きる平坦化率（Ｄ○Ｐ）を有する材料から形成されてお
り、エツチングを上記絶縁層の表面全体に対して均一に
行うことを特徴とする方法が提供される。

その結果、交互に堆積された導体層と絶縁層とによって
構成された多層配線網を備え、各導体層はピラーを備え
る導体を含む、少なくとも１つの高密度集積回路の接続
板であって、上記絶縁層は下側に接する導体層のピラー
の上面とほぼ平らであることを特徴とする接続板が形成
される。

本発明の特徴及び利点は、添付図面を参照して説明する
以下の実施例によって明らかとなろう。

実施例第１図は、本発明による方法によって形成された接続板
１０の部分的な断面図である。接続板１０は、その表面
に少なくとも１つの集積回路（図示せず）と接続する多
層配線網１２を備える基板１１によって構成されている
。この基板１１は、通常、例えば、１枚のセラミックプ
レートであり、各々、この接続板に装着される集積回路
の給電電位ＵａＳＩＪｂを分配する導体面１３ａ、１３
ｂを備える。多数の導体ピラー１４ａ、１４ｂは基板１
）のを貫通して、各々、電位面１３ａ、１３ｂと接触し
ており、基板１１の同一面上に露出している。

多層配線網１２は、基板１１のこの面上に形成されてお
り、交互に重ねられた導体層と絶縁層の積層体によって
構成されている。この多層配線網１２は、第１の絶縁層
１５、第１の導体層１６、第２の絶縁層１７、第２の導
体層１８及び集積回路を支持するための第３の絶縁層１
９を備える。これらの絶縁層１５．１７．１９は、導体
面１４及び導体層１６及び１８を図示していない集積回
路に電気接続するためのスルーホール２０を備える。ス
ルーホール２０は、各々、このスルーホールの高さの導
体ピラー２）のを備える。

図示した実施例では、導体ピラー２１は、均一な横断面
を備える。ピラー２１の横断面は、円筒形または角柱形
であることがある。

第２図Ａから第２図Ｈは、絶縁層のいずれか１つの形成
のための本発明による第１の方法の連続的な段階を図示
したものである。ここで、実施例としては選択したのは
、第１図に図示した多層配線網１２の導体層１６上の第
２の絶縁層１７である。第２図Ａは、この方法の第１段
階を図示したものである。導体層１６は、本発明によっ
て形成された絶縁層１５上に積層された２つの導体１６
ａ、１６ｂによって構成されている。本発明の特徴をは
っきりするために、絶縁層１５は、図示したように、平
坦な上部表面１５ａを備えており、この面を、形成され
る様々な高さと厚さの基準とすることにする。図示した
実施例では、導体１６ａ及び１６ｂの高さｈは、他の層
の全部の導体１６及び１８と同様に、ｈ＝５μｍである
。図示した導体１６ａは、高さ８２１７μｍのピラー　
を構成する。図示した導体１６ｂは、下側に接する絶縁
層１５のピラー１４ａと接触している。

形成した多層配線網１２では、導体層の導体の広い底部
上にピラーを形成し、最終的な高さＨ＝１５μｍにする
。第２図Ａから第２図Ｈに図示した方法の実施例の特徴
は、最初に、所望の最終的な高さよりｅの分く例えば２
μｍ）だけ高さが僅かに大きいピラーを形成することに
ある。その理由は、後で説明する。

第２図Ｂ及び第２図Ｃは、各々、導体層上に重合可能な
材料からなる絶縁層を形成する従来の方法の段階を図示
したものである。第２図Ａに図示した導体層１６上に、
現在広く使用されているポリアミン酸ペーストを少量堆
積させる。このペーストは、例えば、平坦化率ＤＯＰが
０．４である、商品名ピーアイ２５−２５　（Ｐ　Ｉ２
５−２５）で、デュポンドゥヌムール（Ｄｕｐｏｎｔ　
ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ）社によって製造されているペー
スト等である。この状態の接続板１０を回転させて、遠
心力によって導体層１６の全体に均一にペーストを塗布
し、基準面１．５ａに厚さＴ′°１のペースト層２２′
′を得ることができる。

ペーストのＤＯＰ率を考慮すると、層２２１の上部面２
２°”ａには、導体１６ｂ等の導体だけの部分において
、その側面の位置に位置に段部ｓ″１と、導体１６ａ等
の結合された導体によって支持されたピラー２１の側面
の位置に高さＳ”　１の段部とができる。次に、接続板
１０を炉内に入れて、ペースト層２２°°のプリベータ
を実施する。このプリベータは、ペーストのイミド化温
度（２２０℃）より低い温度で行われる。温度に応じて
、層２２°゛のペーストはその溶媒の一部分を放出し、
ポリアミン酸の凝固した塊の形となる。このようにして
、凝固したポリアミン酸層２２′　が得られる（第２図
Ｃ）。その層の厚さＴ″１は、層２２″′の厚さＴ１１
　（第２図Ｂ）よりかなり薄い。対応する段部ｓ’ｌ及
びＳ’ｌの高さは、同じ割合で小さくなる。

従来の多層配線網１２中の絶縁層の形成方法は、次に、
層２２”　をイミド化することからなる。その結果、厚
さＴ１で、同じ割合で小さくな二た段部Ｓ１及びＳｌを
備える層２２（第２図Ｆ〉が得られる。この方法では、
次に、層２２の選択的エツチングを行い、ピラー２１の
上面を露出させる。

本発明による方法は、最大の高さが所望の値Ｖにほぼ等
しいかそれ以下の段Ｓ４、Ｓ４を備える上部面２５ａが
得られるまで、複数の単位層２３．２４．２５を順次形
成する（第２図Ｆ）。選択した実施例では、所望の値Ｖ
は、約２μｍである。第１の単位層となる層２２の厚さ
は、ピラー２１の高さ８２１７μｍとほぼ等しい。ＤＯ
Ｐ率＝０．４を考慮すると、層２２の表面２２ａは、段
Ｓ　１　層１０．２μｍ及び５ｌ＝３μｍを備える。ペ
ース）　２２”の層（１２ｆｆｌＢ）の厚さは、これら
の条件では、大体Ｔ”１＝３０μｍであり、段はＳ”　
１＝１８μｍ及びｓ”１＝５μｍである。プリベークは
、約２００℃で、１時間かけて実施し、単位層２２°（
第２図Ｃ）の厚さが大体Ｔ’　１　＝１９μｍになり、
段がＳ′１＝１１μｍ及びｓ′１＝３μｍになるように
する。

第１の単位層２２の段部Ｓ１及びｓｌを第２図Ａに図示
した導体層１６の高さＨ及びｈと等しいとみなして、第
２図Ｂ及び第２図Ｃと同様な方法で、第２のポリイミド
単位層２３（第２図Ｆ〉を形成した。すなわち、第２の
単位層２３の段部Ｓ２及びＳ２は、以下の平坦化率ＤＯ
Ｐの式；０．４＝１−３２／Ｓ　１　＝　１−ｓ　２／
ｓ　１によって決定される。

ポリイミド層の厚さが段部の最大の高さとほぼ等しくな
るようにペーストを塗布することを規則とすると、第２
の単位層２３の厚さはＴ２＝３１＝１０μｍとなり、そ
の表面２３ａの段部は５２＝６μｍ、５２＝２μｍとな
る。第２のポリイミド単位層２３は、第２図Ｃの単位層
２２′と同じ条件でプリベークしたポリアミン酸単位層
２３′〈第２図Ｄ）から形成される。単位層２３°　は
まだイミド化されていないので、その単位層２３′　　
の総量はより多い。

また、第３の単位層２４″　を堆積させ、プリベークさ
せる（第２図Ｅ）。この層をイミド化して、単位層２４
を得る（第２図Ｆ）。この単位層２４の厚さはＴ３＝３
２＝６μｍであり、段部の高さは、５３＝３．６．ｕｍ
及び５３＝１μｍである。段部Ｓ３は明らかに所望の最
大値Ｖ＝２μｍより大きいので、第４の単位層２５′（
第２図Ｅ〉は、イミド化の後、゛この第４のポリイミド
単位層（第２図Ｆ）の厚さがＴ４＝３３＝３．６μｍと
なり、段部の高さが３４＝２μｍ及び５４＝０．７μｍ
となるように形成される。最大の高さＳ４の段は所望の
値Ｖにほぼ等しいので、この第４の単位層が最後の単位
層である。このようにして、層状になった層２６゜が得
られる。

実際、プリベータによって、単位層２２′〜２５゜（第
２図Ｅ）を形成し、層２６°　のプリベークされたポリ
アミン酸の塊全部をイミド化する。選択した実施例では
、接続板１０を約１１時間かけて４００℃でベータして
、層２６・のイミド化を実施する。その結果、第２図Ｆ
の多層ポリイミド層２６が形成される。次に、この層を
均一に異方性エツチングして、ピラー２１の上面を露出
させる。この状態で、最終的な絶縁層１７が得られる（
第２図Ｇ〉。エツチングによって、最後の単位層２５の
面２５ａの状態が変わることはないので、層１７は、第
４の単位層２５の高さＳ４及びＳ４の段部を有している
。エツチングは、フルオロ化成分と結合させた酸素下で
の反応性イオンのプラズマによる従来の方法、すなわち
、プラズマ反応性イオンエツチングという名で周知の方
法によって実施される。この方法は、エツチング速度が
１１分につき０．７μｍ、すなわち、最も普及している
純粋な酸素下でのプラズマによるエツチングの速度の３
〜４倍であるという利点がある。

本発明の特徴によると、ポリイミド層２６のエツチング
は、第２図Ｇに図示したピラー２１の上面の位置で終わ
らず、第２図Ａに示した大きさｅ（本実施例では２μｍ
）の分だけ僅かであるがより下に位置までになる。ピラ
ー２１の上から２μｍを除去して、このピラーを層１７
の周囲のポリイミドと同じ高さにする（第２図Ｈ〉。こ
の除去によって、従来の技術の問題が解決される。この
従来技術によると、第２図Ｃの層２２°　をイミド化し
て、次に、エツチングして、ピラー２１の上面を露出さ
せていた。しかし、ピラー２１の金属表面の微小な欠陥
によって、ポリイミドの部分が残り、ピラーと上の層の
導体との間のコンタクトの機械的及び電気的品質を損な
うことがあった。本発明によって、各ピラー２１におい
て、ポリイミドが除去された金属表面を得ることができ
る。このエツチングは、イオンによる方法によって実施
されたが、機械的に擦ったり、または、特に、化学的エ
ツチングによっても実施することができる。

本発明は、多数の利点を備えるが、主に、下側に接する
導体層のピラーの高さと無関係にほぼ平坦な絶縁層を形
成する方法を提供する。また、多層絶縁層の均一なエツ
チングによって、最終的にピラーを合わせて平坦な絶縁
層が得られ、この層は重ねられた２つの導体層間の所望
の電気絶縁を確実に実施する。また、均一なエツチング
によって、マスクの積層とスルーホール形成のためのそ
の位置決定工程を省略することができ、エツチングの終
わりの決定に関する感度が明らかに向上する。実際、金
属とポリイミドの表面との間の対比が多層絶縁層のほぼ
平らな表面全体で明らかになり、エツチング方法を良好
に制御できる。ピラー２１の高さが僅かに（約２μｍ）
高い時、この利点を利用して、金属表面が確実に信頼で
きる機械的及び電気的接続を実施するように、このピラ
ーの高さを低くすることができる。また、多層の絶縁層
の形成方法は、ポリイミドの層の形成で周知であり、且
つ、制御しやすい段階によって実施される。また、本発
明による方法は、以下に示すように、様々に変更するこ
とができる。

第３図Ａから第３図Ｅは、導体層１６のピラー上に装着
された導体の位置での詳細な拡大図であり、各々、本発
明による第１図に図示した多層配線網１２の第２の絶縁
層１７の第２の形成方法の連続した段階を図示したもの
である。第３図Ａ及び第３図Ｂは、各々、第２図Ａ及び
第２図Ｅに対応する。

第３図Ａでは、本発明の方法によって形成され、平坦で
あるとした基準平面１５ａを備える絶縁層１５は、高さ
ｈ＝５μｍの導体１６ａを支持しており、この導体１６
ａ上には高さＨ＝１７μｍのピラー２１が装着されてい
る。上記の第１の方法と同様に、目的は、その高さＳが
大体Ｖ＝２μｍ以下である段を備える最終絶縁層１７’
）得ることである。使用したベニストはジェネラルエレ
クトリック（Ｇｅｎｅｒａｌ［Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）社に
よって製造され、平坦化率ＤＯＰ＝０．５である、ポリ
イミドシロキサンである。ペーストのスパッタリング、
それに続くプリベータによって得られた、重ねられた層
を第３図Ｂに図示した。図示した実施例では、各層の厚
さは、上記の方法と同様に、およそ、下側に接する層の
段の高さに対応する。イミド化された層について有効な
平坦化率ＤＯＰの式を使用して、段部Ｓ）のを計算する
と、８．５μｍである。２００℃でプリベークしたペー
ストの層２２°　では、約１０μｍの僅かに高い段部が
この数値に対応する。予備焼成したペーストの第２の層
２３°　を堆積させて、第２のポリイミド層を得る。こ
の層の段部Ｓ２を計算すると、４．２５μｍになる。層
２３°の表面２３″ａでは、５μｍより僅かに低い段部
Ｓ″２がこの数値に対応する。

第３の層２４′　を形成すると、段部Ｓ３が得られる。

この段部の数値を計算すると、２．１２μｍである。

このように、プリベークしたペーストの第３の層２４′
の表面２４′ａは、約２．５μｍの段部を示す。第３の
層２４の段部の最大高さＳ３は、第３図Ｂの層全体のイ
ミド化によって形成され、その高さは最終絶縁層１７の
所定の目標値である２μｍにほぼ等しいことに注目する
ことが重要である。従って、図示した実施例では、この
数値は、３つの層を堆積させるだけで得られた。

第２の方法によると、３つの単位層２２°、２３′及び
２４゛によって形成された層２６′のイミド化の前に、
エツチングを実施した。実際、純粋なヒドラジン水化物
溶液中で、１分につき約０．４μｍの速度で、エツチン
グを行った。ピラー２１の上面が現れた瞬間に、エツチ
ングを停止した。このようにして得られたエツチングさ
れた層２ｖ　　を第３図Ｃに図示した。次に、接続板１
０を約１１時間の周期の間４００℃でベータして、層２
７′　　のイミド化を実施した。

このようにして、ポリイミドの最終絶縁層１７を形成し
たく第３図Ｄ）。この層は、第３図Ｂの表面２４°ａの
段を再現する。イミド化を考慮すると、これらの段の最
大値は、所望な約２μｍになる。

イミド化して、プリベークしたペーストの層２Ｔ（第３
図Ｃ）が含む溶媒を除去すると、層１７は僅かに収縮し
、ピラー２１の上面の高さより僅かに低くなる。このピ
ラーを絶縁層１７の高さと等しくするためにピラーの金
属を対応するように除去する（第３図Ｅ）と、上記の方
法と同様に、ポリイミドが除去された金属表面を得るこ
とができ、上の導体層１８との良好な接触を確実にする
ことができる。

別の実施例は、高さＨ＝１７．３μｍのピラーを支持す
る接続板に関するものであり、アメリカ合衆国に本拠の
あるナショナル　スターチ　アンドケミカル　コーポレ
ーション（Ｎａｔｉｏｎａｌ　５ｔａｒｃｈ　ａｎｄＣ
ｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）社によって
製造されティる商品名テルミット（ＴＨＢＲＭＩＤ）　
ＢＬ−５５１２のポリイミドペーストを使用した。最終
的な層な厚さが各々約１０μｍであることを除いて、第
２図を参照した説明した第１の方法と同様にして、３つ
の層を順次堆積させた。段５３＝１．７μｍを得るため
には、３つの層で十分である。酸素とフルオロ化された
気体を主成分とする反応性イオンプラズマによってエツ
チングを実施した。エツチング速度は、１分につき約０
．６μｍである。

本発明による方法の一般化は、平坦化率ＤＯＰを参照し
て行われる。第１の層２２では、ＤＯＰ＝１−３１／Ｈ
であり、従って、５１＝Ｈ（１−ＤＯＰ）である。第２
の層２３では、ＤＯＰ＝　ｌ−３２／Ｓ１であり、従っ
て、５２＝３１　　（１−ＤＯＰ）＝Ｈ（１−ＤＯＰ）
２である。その結果、本発明の原理は、多層の層を構成
する時、重合可能の材料のＤＯＰ率を人為的に大きくす
ることである。本発明の極端な事例は、その平坦化率Ｄ
ＯＰが、その層の厚さが接して重ねられた導体層間の所
望な絶縁を確保するのに必要な厚さである１つの層だけ
で所望の数値Ｖにほぼ等しいかそれより小さい最大の段
部Ｓを得るのに十分である材料を使用する場合である。

この時、この層の均一なエツチングを実施するだけで、
例えば、第１図に図示したような所望の最終層を得るこ
とができる。

この方法は、ポリイミドに限定されず、重合可能なペー
スト、ポリマー、または、所定の平坦化率ＤＯＰによっ
て塗布されるその他の絶縁材料ならばいずれにも適用で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による方法によって得られた多層配線
網を備える、少なくとも１つの高密度集積回路の接続板
の一部分の横断面図であり、第２図Ａ〜第２図Ｈは、第
１図に図示した多層配線網の部分図であり、各々、本発
明による多層配線網の第２の絶縁層の形成方法の連続し
た段階を図示したものであり、第３図Ａ〜第３図Ｅは、第１図に図示した多層配線網の
詳細な拡大図であり、各々、本発明による第１図の多層
配線網の第２の絶縁層の形成方法の別の実施態様の連続
した段階を図示したものである。〈主な参照番号〉１０・・・接続板１２・・・多層配線網１５．１７．１９・・・絶縁層２１・・・ピラー２２．２３．２４．２５・・・単位層２６・・・絶縁層１１・・・基板１４．１６．１８・・・導体層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも１つの高密度集積回路を接続する多層
配線網（１２）の形成方法であって、導体層上に絶縁層
を形成し、該絶縁層をエッチングして上記導体層の所定
の部分を露出させる工程を含み、上記絶縁層は、段部の
最大の高さ（Ｓ）が所望の数値（Ｖ）にほぼ等しいかま
たはそれより小さい表面を得ることのできる平坦化率（
ＤＯＰ）を有する材料から形成されており、エッチング
を上記絶縁層の表面全体に対して均一に行うことを特徴
とする方法。
（２）上記材料の連続した複数の層で上記絶縁層を形成
することことを特徴とする請求項１に記載の方法。
（３）上記絶縁層を、重合可能な材料から形成すること
を特徴とする請求項１または２に記載の方法。
（４）上記複数の層は、各々、重合温度より低い温度で
プリベークしたペーストの層によって形成することを特
徴とする請求項３に記載の方法。
（５）上記エッチングを、上記複数の層からなる絶縁層
の重合前に実施することを特徴とする請求項３または４
に記載の方法。
（６）上記エッチングを、上記複数の層からなる絶縁層
の重合後に実施することを特徴とする請求項３または４
に記載の方法。
（７）最初に上記ピラー（２１）を上記導体層から厚さ
ｅだけ高くし、上記複数の層からなる絶縁層をエッチン
グして、上記ピラーの上面から上記厚さｅだけ低い層を
得て、上記ピラーの突出部分ｅを除去して、上記のエッ
チングされた絶縁層の表面を平坦にすることを特徴とす
る請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
（８）交互に堆積された導体層及び絶縁層によって構成
された多層配線網（１２）のを備える、少なくとも１つ
の高密度集積回路を有する接続板（１０）であって、上
記導体層は各々ピラー（２１）が装着された導体を含み
、上記絶縁層は、下側に接する導体層のピラー（２１）
の上面とほぼ平坦である、請求項１〜７のいずれか１項
に記載の方法の実施によって得られることを特徴とする
接続板。
（９）上記絶縁層は、重合材料によって形成されている
ことを特徴とする請求項８に記載の接続板。