JPH03501118A - 炭化珪素単結晶の昇華成長 - Google Patents

炭化珪素単結晶の昇華成長

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 炭化珪素単結晶の昇華成長 (技術分野) 本発明は、炭化珪素の昇華成長を制御して高品質単結晶を製造する方法である。
(発明の背景) 炭化珪素は常に半導体材料用の候補である。炭化珪素は、広いバンドギャップ( ベータポリタイプで2.2エレクトロンボルト、6Hアルフアで2.8)、高い 熱係数、低い誘電率を有し、しかも珪素のような他の半導体材料が安定である温 度よりも遥かに高い温度で安定を保つ。これらの特徴が炭化珪素に優れた半導体 特性を付与し、炭化珪素から製造した電気的デバイスは、珪素のような現在量も 普通に使用されている半導体材料から製造したデバイスよりも、高い温度でかつ 高い放射線密度で作動すると予期できる。また、炭化珪素は高い飽和電子ドリフ ト速度を有することから高速、高出力レベルで作動するデバイスをもたらす可能 性があり、また高い熱伝導により高密度デバイス集積を可能とする。
固体物理と半導体挙動とに精通した者であれば知っている通り、有用な電気的デ バイスを製造できる材料として有用であるためには、この基礎的な半導体材料は 特定の性質を有していなければならない。多くの応用分野において、結晶格子欠 陥のレベルが非常に低く、更に不所望の不純物レベルが非常に低い単結晶が必要 とされている。純粋な材料においてさえも、欠陥格子構造を有する材料は電気的 デバイス用として有用ではなく、またこうした結晶中の不純物は注意深く制御し て電気的特性に合うようにするのが好ましい。もしこの不純物を制御できないと 、この材料は電気的デバイス用として一般に不充分となる。
従って、炭化珪素の好適な結晶試料を入手することが、上記したような所望の特 性を有するデバイスを炭化珪素から成功裡に製造するために基本的に必要である 。こうした試料は単一の所望の結晶ポリタイプを有していなければならず(炭化 珪素は少なくとも150の結晶格子タイプをとりつる)、所望のポリタイプの充 分に規則的な結晶構造を有していなければならず、しかも、実質的に不純物を有 していないか、又はこの炭化珪素に所望のn特性又はp特性を付与するために選 択的に添加された不純物のみを含んでいるものでなければならない。
従って、こうした炭化珪素の物理的特性と使用可能性とは相当の長きに亘って認 識されてきたので、多数の研究者が多数の結晶質炭化珪素の形成技術を提案した 。
これらの技術は一般に二つの広範なカテゴリーに入るが、幾つかの技術はこのよ うに容易に分類できるとは限らないことが理解できる。このうち第一の技術は化 学蒸着(CVD)として知られ、反応性ガスをある種の系内へと導入し、この内 部で反応性ガスが適当な基板上で炭化珪素結晶を形成するものである。
こうしたCVD技術における新規で商業的に重要な改良が、近年の米国同時係属 出願で議論されている。これらは本発明の譲受人に譲渡されたもので、「ベータ SiC薄膜の成長及びこの上に製造された半導体デバイス」 (出願番号113 ,921号、1987年10月26日提出)及び「アルファSiC薄膜のホモエ ピタキシャル成長及びこの上に製造された半導体デバイス」 (出願番号113 .573.1987年10月26日提出)である。
炭化珪素結晶を成長させる他の主要技術は、一般に昇華技術として言及されるも のである。この昇華という名称が意味し、記述するところでは、昇華技術は一般 に、出発物質として、特定ポリタイプの所望の単結晶よりもあるタイプの固体炭 化珪素材料を使用し、次いで固体炭化珪素が昇華するまでこの出発材料を加熱す る。次いでこの気化した材料を濃縮させ、この濃縮により所望の結晶を製造させ る。
固体、液体及び気体の物理化学に精通した者が知っているように、結晶が形成さ れる種々な表面が、濃縮すべき分子又は原子を運ぶ気体または液体からなる流体 よりも幾分か低い温度であるとき、結晶成長が促進される。
結晶型不純物をほとんど考慮にいれない場合に固体炭化珪素を製造する技術の一 つはアチソン炉法であり、典型的には耐摩耗目的のために炭化珪素を製造するの に使用される。しかし、より良い結晶を製造するのに実際に有用である最初の昇 華技術の一つは、ジエイ・エイ・レリー(Lelly)により1950年代に開 発され、これらの技術のうち一つは米国特許第2.854.364号に記載され ている。一般的見地からは、レリーの技術は、カーボン容器の内側を炭化珪素材 料源でライニングするものである。
炭化珪素が昇華する温度へとこの容器を加熱し、次いでこれを濃縮することによ り、再結晶した炭化珪素が容器のライニングに沿って再堆積するのが促進される 。このレリー法は一般に源である材料の品質を高め得たけれども、現在まで電気 的デバイスに好適な炭化珪素単結晶を一貫して再現可能に製造できていない。
米国特許第3.228.756号において、ハーゲンローザ−(Herge−n rother)は、炭化珪素種晶を使用してこの上に他の炭化珪素を濃縮して結 晶成長を形成させる、他の昇華成長技術について議論している。ハーゲンローザ ーの提案によれば、適切に成長を促進するため、種晶を適当な温度、一般に20 00°Cを越える温度へとこの種晶が1800°C〜2000℃の間の温度にあ る時間を最小化するように加熱しなければならない。
米国特許第3.236.780号においてオザロウ(Ozarow)が議論する 種を使用しない他の昇華技術では、カーボン容器内部の炭化珪素ライニングを使 用し、この容器の炭化珪素ライニングされた内側部分とこの容器の外側部分との 間に放射温度勾配を設定しようとする。
米国特許第3.615.930号及び第3.962.406号において、ニラペ ンバーブ(Kn ippenberg)は、所望形態の炭化珪素を成長させる他 の試みについて述べる。第3.615.930号特許では、昇華によって結晶が 成長するにつれて炭化珪素中にp−n接合を成長させる方法について述べる。こ の特許中の議論によれば、ドナー型ドーパント原子を含む不活性気体の存在下に 閉鎖空間内で炭化珪素を加熱し、これに続いてドーパント材料を容器から排気し 、アクセプタードーパントの存在下に容器を再加熱する。
この技術は、反対の伝導形式を有し、p−n接合を成形する隣接結晶部分を生じ させようとするものである。
第3.962.406号特許において、ニラペンバーブは、粒状炭化珪素又は加 熱時に炭化珪素を生成する材料のいずれかからなる塊で二酸化珪素コアーを取り 囲んで完全にパックする、三段階の炭化珪素形成法について述べる。この系を、 二酸化珪素コアーの周囲で炭化珪素殻が生成する温度にまで加熱し、次いで更に 加熱して炭化珪素殻の内側から二酸化珪素を気化させる。最後に、この系を更に 加熱し、炭化珪素殻の内側で更に炭化珪素が成長し続けるのを促進する。
米国特許第4.147.572号において、ヴオダドコフ(Vodadkof  )は、固体炭化珪素材料源と種晶とを互いに平行に近接した位置関係で配置する 幾何学的配向昇華技術について述べる。
米国特許第4.556.436号において、アダマイアーノ(Addamia− no)は、2300°C〜2700℃の間の昇華温度から1800°C未満の他 の温度への急冷によって特徴付けられる、アルファ炭化珪素上にベータ炭化珪素 の薄膜を形成するためのレリー型炉装置について述べる。アダマイアーノは、立 方体状(ベータ)炭化珪素の大きな単結晶は単純には得られず、また珪素又はダ イアモンドのような他の材料上に炭化珪素を成長させることはむしろ難しいこと に言及する。
米国特許第4.664.944号において、スー(Hsu)は、非炭化珪素反応 体を使用する点で化学蒸着技術に類似するが、流体化床中に炭化珪素粒子を含み 、これにより幾分か昇華技術に類似した、炭化珪素結晶形成のための流体化法技 術について述べる。
しかし、炭化珪素昇華技術におけるより重要な業績のうちの幾つかは、米国特許 以外の文献に記載されている。例えば、シーメンス(Siemens)社の独国 (連邦共和国)特許第3.230.727号で議論されている炭化珪素昇華技術 では、炭化珪素種晶と炭化珪素材料源との間の熱勾配を最小化することを中心に 議論されている。この特許では、反応容器内の源と種との間の距離が1cm離れ るごとに20℃以下へと熱勾配を制限することが提案されている。またこの特許 では、この昇華装置内の全気圧を1〜5ミリバール、好ましくは1.5〜2.5 ミリバールの間の範囲内に保持すべきことが提案される。
しかし、この西独国特許は、ソビエト連邦において、特にワイ・エム・タイロフ (Tairov)によって包括的に研究された技術を改良したものと考えること ができる。例えば、「種々の炭化珪素ポリタイプの大型単結晶を成長させる一般 的原則(GeneralPrinciples of Growing Lar ge−5ize Single Crystals of Vari−ous  5ilicon Carbide Po1ytypes)J (ジャーナル オ ブ クリスタル グロース、 52 1981年、第146〜150頁)及び「 ポリタイプ構造の結晶成長及び特徴付け(Crystal Growth an d Characterization of Po1ytype 5truc tures)Jから「ポリタイプ結晶の成長制御における進歩(Progres s in Controlling the Gro−wth of Po1y typic Crystals)J (ピー・クリシュナ編集、パーガンモン  プレス、ロンドン1983年、第111頁)参照。タイロフは、レリーの方法の 欠点、特に、結晶成長に高温が必要とされる点(2600°C〜2700°C) 及び得られた結晶ポリタイプを制御できない点を特徴する特許文献中で焼入かの 他の研究者を参照して議論しながら、タイロフはレリーの方法の改善方法として 種の使用を提案する。特に、タイロフは、所望ポリタイプの種晶を選択するか、 又は六角形格子の0001面へとある角度で作用する炭化珪素面上で再濃縮結晶 を成長させることによって、炭化珪素結晶のポリタイプ成長を制御することを提 案する。タイロフは、成長のための軸方向の温度勾配を、1センチメートル当た り約30℃と40℃との間とすることを提案する。
他の研究では、タイロフは種々のパラメーターを調整した場合の結果的な炭化珪 素の成長への影響を研究し、他方特別な結論を抽き出すことが難しい旨述べてい る。タイロフは工程温度を研究し、ニラペンバーブのような研究者によって考え られていたよりも成長工程温度の重要性が比較的小さいと結論した。
タイロフは、特定のポリタイプ結晶の生成に対する成長速度の効果についても同 様に結論を抽き出すことができず、結晶成長速度の増加が無秩序な構造の結晶の パーセンテージの増加に統計的に対応するという結論のみを得た。タイロフは同 様に気相化学量論と結晶成長との間にいかなる結論も抽き出すことができなかっ たが、特定の不純物が特定の炭化珪素ポリタイプ結晶の成長に有利であることを 指摘した。例えば、窒素濃度が高いと立方状ポリタイプ炭化珪素結晶に有利であ り、アルミニウムや幾つかの他の材料は六角形4Hポリタイプの成長に有利であ り、酸素は2Hポリタイプに貢献する。タイロフは、機構が理解できないことか らこれらの効果が未だ説明されないと結論した。
クイロフの実験において、タイロフはまた、気相材料源として特定ポリタイプの 炭化珪素単結晶を使用することを試み、気相源としてこうした特定のポリタイプ の単結晶を使用すると特定ポリタイプの結晶成長を生じ得ると述べた。熱論、単 結晶を材料源として使用することは理論的興味があるけれども、特に商業的見地 から見て一層実際的な目標は、単結晶以外のより普通の炭化珪素源から単結晶を 製造することであると理解される。
最後に、タイロフは、昇華成長が向けられる基板表面を処理することは、得られ る結晶の成長に影響しうると結論した。それにも係わらず、広範な種類のデータ 結果から、更に同定されていない因子がタイロフの観察した炭素珪素結晶の成長 に影響しており、これらの未知の因子のためタイロフは結晶成長機構の基本的理 解へは到達できなかったとタイロフは結論した。
従って、炭化珪素の特性が長く認識されてきたにも係わらず、また炭化珪素が革 命的ではないとしても注目すべき半導体材料及びその結果としてのデバイスを与 えうるという認識にも係わらず、またここに記載したものを含む多くの研究者に より行われた徹底した実験にも係わらず、本発明の前には、所望の選択的ポリタ イプの炭化珪素の大型単結晶を繰り返し一貫して成長させるための好適な技術が 存在しなかった。
従って、本発明の目的は、所望ポリタイプの炭化珪素の大型単結晶を制御しつつ 繰り返し可能に成長させるための方法を提供することである。
本発明の他の目的は、材料源のポリタイプを制御することによって炭化珪素の大 型単結晶を成長させる方法を提供することである。
この発明の他の目的は、炭化珪素単結晶以外の材料源を用いてこうした炭化珪素 単結晶を成長させる方法を提供することである。
この発明の他の目的は、特定の表面積を有する材料源を選択することによってこ うした炭化珪素結晶を成長させる方法を提供することである。
この発明の他の目的は、所定の粒径分布を有する材料源を選択することによって 大型の炭化珪素単結晶を成長させる方法を提供することである。
この発明の他の目的は、昇華技術を用いてこうした炭化珪素単結晶を成長させる 方法であって、以前に達成されてきたよりも一層長い時間に亘って一層大型の結 晶へと炭化珪素結晶を連続的に成長させるために可能な限り最も好ましい条件を 維持するように、材料源と種との間の熱勾配を連続的に調整する方法を提供する ことである。
本発明の前記した目的及び他の目的、利点及び特徴、及びこれらを達成する方法 は、好適な実施例を説明する添付図面と関連して本発明の次記の詳細な説明を考 慮することによって一層容易に明白なものとなるであろう。ここで:(図面の説 明) 第1図は本発明の方法に従って使用した昇華るつぼの断面図、第2図は第1図の るつぼの種晶ホルダーの拡大図、第3図は本発明の方法に従って使用した昇華炉 の断面図、第4図は炭化珪素粉末源を系内へと連続的に導入するためのスクリュ ー型機構を示す昇華系の図、 第5図は昇華系内へと炭化珪素前駆体材料を導入するためのガス供給機構を示す 昇華系の図、及び 第6図は本発明の方法に従って使用した独自の加熱部材を示す昇華系の図である 。
(詳細な説明) 第1図は本発明の方法に従って使用する昇華るつぼの断面図を示す。このるつぼ は広<10で示し、典型的には黒鉛からなる。
るつぼlOは一般に筒状であり、多孔質黒鉛ライナー11、リッド12、及び第 2図に拡大図を示す種ホルダー13を有する。このるつぼの残部は壁14と床1 5とによって区切られる。第1図に更に示すように、多孔質黒鉛ライナー11の 下部、るつぼ壁14及びるつぼリッド12の間に環状チャンバ16を設けるよう に、多孔質黒鉛ライナー11を形成する。中央昇華チャンバを20で示す。
ここで記載したすべての機器において、記載したるつぼは好ましくは黒鉛から形 成され、最も好ましくは炭化珪素とほぼ同、じ熱膨張係数を存する黒鉛からなる 。こうした材料は商業的に入手できる。熱膨張係数が相対的に近似していること は、ここで記載した極度の高温へと加熱され、これらのプロセスが起る材料には とりわけ必要である。これにより、昇華工程の間にるつぼのクラッキングを防止 でき、このるつぼの寿命が一般に延びる。
更に、炭化珪素結晶を成長させる試みに精通した者であれば認識しているように 、系中に黒鉛が存在すると、昇華プロセスが起るにつれて炭素原子の平衡源を提 供し、フラックスの中の変化を消すことによって炭化珪素の成長が促進される。
更に、黒鉛は、これらのプロセスの高温に耐えることができ、かつ気体流中への 不所望の不純物の導入を避けることができる、数少ない経済的に成熟した材料の うちの−っである。
第2図に種ホルダー13を更に詳細に示す。種晶17は、チャンバ20内へと延 びる種ホルダー13の上側部分上に支持される。黒鉛ウオッシャ−21は、種ホ ルダー13の下側部とるつぼ15の床との間に位置する。また第2図は、本発明 の好適例において、種の温度を光学的高温計によってモニターできるように種へ と光学的アクセスを与える光学的開口22を示す。
第1図に示すような昇華るつぼは典型的には第3図に23で広く示す昇華炉と共 に使用され、ここでるつぼは再び10で示す。
炉23は一般には筒状であり、筒状加熱部材24を有し、この反対側を図面中に 示す。炉23はまた炭素繊維絶縁体25によって取り囲まれ、光学ポー)26. 27及び28を有し、これらを通して炉の内側部分の温度を光学的高温計で測定 することができる。電力貫通端子は一般的に30で示し、炉の外側ハウジングは 31で示す。
本発明の第一の態様においては、所望のポリタイプを有する単一の炭化珪素種晶 と、炭化珪素粉末源とを、第1図〜第3図に示した昇華るつぼ及び炉のような系 中へと導入する。このるつぼが第1図に示した型のものであるとき、炭化珪素粉 末源は環状チャンバ16内に配置する。本発明のこの第一の態様においては、実 質的にすべてが一定のポリタイプ組成を有する炭化珪素粉末源を使用することに より、種晶上での所望の結晶成長の製造が大、きく向上することを見出した。
本出願人は、いかなる特定の法則によっても拘束されることを望むものではない が、異なるポリタイプの炭化珪素は異なる蒸発活性化エネルギーを有することが 知られている。特に、立方体状(3C)炭化珪素に対しては、蒸発活性化エネル ギーは1モル当り108キロカロリー(Kcal)であり、六角形4H炭化珪素 に対しては144 Kcal/mole及び六角形6H炭化珪素に対しては11 9Kcal/moleである。炭化珪素が昇華するときには、三つの基本的な気 体物質: S+、 S+tC及び5IC2を形成するため、これらの相違は重要 である。粉末源のポリタイプに従い、発生する各化学種の量又はフラックスは異 なるであろう。同様の挙動により、全気体流中の各化学種の量は、これらの化学 種が再濃縮されるときに成長するポリタイプの型に影響する傾向があるであろう 。
ここで使用したように、「フラックス(束)jという語は、与えられた時間の間 に与えられた面積の所定平面を通過する物質又はエネルギーの量に関するもので ある。従って、気化した化学種の流れを記述するのに使用するときには、−秒当 り一平方センチメートル当りのダラム数軸/ cut/5ec)のような物質、 面積及び時間のユニットとしてフラックスを測定、指示できる。
ここで使用したように、「一定のポリタイプ組成」という語は、一定比率の特定 のポリタイプからなる粉末源に関するものであり、単一のポリタイプからなるも のを含む。例えば、50%がアルファポリタイプ、50%がベータポリタイプで ある粉末源が一定のポリタイプ組成を示すように、実質的に完全に6Hアルフア 炭素珪素からなる粉末源も一定のポリタイプ組成を示す。
言い換えると、この組成は、ポリタイプに関して同質であろうと異種成分からな っていようと、昇華プロセスを通じて同じ組成を保つように制御しなければなら ない。
更に直裁に述べるならば粉末源が一定のポリタイプ組成を実質的に有するように 選択し、制御すると、発生するSi、 5izC及び5iCzの相対量又は比率 が一定に保たれ、このプロセスの他のパラメータを適切に制御でき、種晶上に所 望の単結晶成長を生じさせる。また、もし粉末源が種々の比率の炭化珪素ポリタ イプの可変混合物であるときには、発生するSi、 Si、C及びSiC2の相 対量(比率)は連続的に変化し、これに応じて種晶上に他のポリタイプを同時に 成長させるのを促進し続ける。これは異なるポリタイプを有する多数の結晶を種 晶の上に成長させるという望ましくない結果をもたらす。
一度炭化珪素粉末源と種晶とを導入すると、この炭化珪素粉末源の温度を炭化珪 素がこの粉末源から昇華するのに充分な温度、典型的には2300℃のオーダー の温度にまで上げる。この粉末源の温度を上げている間は、同様にこの種晶の成 長面の温度を、粉末源の温度に近づいているが粉末源の温度よりは低く、かつ炭 化珪素が昇華する温度よりも低い温度まで上げる。典型的には、種晶の成長面は 約2200°Cまで加熱する。炭化珪素粉末源と炭化珪素種晶の成長面とをこの 無関係な温度に充分な時間保持することにより、所望のポリタイプを有する単結 晶炭化珪素の巨視的成長が種晶上に形成される。
相変態に精通した者であれば理解できるように、昇華と濃縮とは平衡プロセスで あり、絶対及び相対温度だけでなく系の蒸気圧によって影響される。従って、更 に理解できることに、ここで記載したプロセス及び系においては、これらのプロ セスを促進し、ここで記載した温度及び熱勾配の考慮に基づいて制御し、調整で きるような方法で、蒸気圧を適切に制御する。
本発明につき、更に、昇華法によって適当な単結晶を形成するためには、一定の ポリタイプ組成を維持することに加え、一定した粒径分布の炭化珪素粉末源を選 択することが同様に本技術を高めることを見出した。先に記載した方法と類似の 方法により、一定した方法で粒径を制御すると炭化珪素粉末源から発生する化学 種のフラックスの輪郭が一定となり、これに対応して種晶の上での炭化珪素の昇 華成長が一定する。−態様においては、所定のタイラー(Tyler)メツシュ  スクリーンを通過する試料の重量パーセントによって規定される欠配の粒径分 布を有する粉末が本プロセスを高める。
タイラー メツシュ スクリーン 通過した重量パーセント20〜40 43  % 40〜60 19 % 60〜100 1.7 % 100より上 21% 更に、与えられた粉末形態に対して、粉末源の露出表面積は粒径に比例する。露 出表面積が一定すると順に上記フラックス全体の一定性も高まり、従ってこの方 法で粒径分布を制御することでフラックスの輪郭の一定性も高まる。
他の態様で議論するように、炭化珪素粉末源と種晶の成長面とは共にそれぞれ異 なる温度へと加熱され、この粉末源から昇華した化学種が種晶の上へと濃縮され るのを促進するために種晶の成長面を粉末源よりも幾分か冷たくする。
本発明の他の態様においては、種晶の成長面と粉末源との間の熱勾配を制御する ことで所望のポリタイプを有する大型の単結晶が適切に制御され、成長すること を見出した。この点で、熱勾配は多数の方法で制御できる。例えば、ある条件下 では熱勾配は種晶の成長面の間で一定に保たれるように制御するが、一方他の条 件下では、粉末源と種晶の成長面との間の熱勾配は制御しつつ変化させることが 好ましい。
種々の昇華技術に精通した者であれば知っているように、粉末源を種晶から物理 的に分離する一方、これらをそれぞれ異なる温度に保持することにより、熱勾配 をしばしば導入する。従って、こうして得た熱勾配は、粉末源と種晶の成長面と の間の幾何学的距離の関数、例えば、1センチメートル当たり20℃等である。
ここで、もし粉末源を最初に例えば2300℃の温度に維持し、種晶の成長面を 例えば2200℃の温度に維持し、かつ粉末源と種晶との間の距離を最初に10 0センチメートルにすると、100℃を10センチメートルで割った、即ち、1 センチメートル当り10℃の熱勾配が設定される。
熱勾配を制御する一つの態様においては、本発明は所望のポリタイプの炭化珪素 種単結晶と炭化珪素粉末源とを昇華系中へと導入することからなる。炭化珪素粉 末源の温度を炭化珪素が昇華するのに充分な温度にまで上げ、粉末源の温度に近 づいているがしかしこの粉末源の温度よりは低く、かつ系の蒸気圧条件下で、炭 化珪素が昇華する温度よりも低い温度へと、種晶の温度を上昇させることによっ て、種晶の成長面と粉末源との間に熱勾配を導入する。結晶が成長し、一般にる つぼの頂部に最も近い粉末源を使い終えると、種晶の成長面と粉末源との間の熱 勾配が上昇し、これにより一定の熱勾配を維持することによって得られるべきも のを越えて更に結晶成長を促進し続ける。
昇華成長プロセスの間、るつぼのより熱い頂部の近くで炭化珪素を含有する気体 種が発生し、るつぼのより冷たい下部にあってそれぞれの対応する温度の低い方 の種へと熱勾配を通って輸送される。しかし、この材料源もまた熱勾配の中にあ り、この材料源の昇華は材料源の下部よりも上部で遥かに速い速度で起こる傾向 がある。結果としてもし温度勾配が一定に保たれると、材料源上部が使い果たさ れるのにつれ、時間と共にフラックスの急速な減少が起こる。同様にして、結晶 が成長するのにつれ、熱勾配に対するその位置変化の結果としてその成長面が温 度中に増加する。これは時間の関数としての粘着係数の減少を引き起こし、同様 に成長速度を減少させる。
しかし、本発明に従い、もし粉末源が消費されるのにつれ、また種晶が成長する のにつれて熱勾配が連続的に増加するならば、この源と種との間の絶対温度差を 、結晶成長に最も好ましくあり続ける値に維持できることを見出した。
本発明の一態様においては、熱勾配の制御は、種晶の成長面と粉末源との間の熱 勾配を増加させる工程からなり、また粉末源の温度を増加させる一方、種晶の成 長面の温度を粉末源よりも低い最初の温度に保持することによって同様のことを 達成できる。
他の態様においては、本発明は、結晶が成長するのにつれ、また粉末源が消費さ れるのにつれて種晶の成長面と粉末源との間で測定される熱勾配を一寓に維持す ることを含む。この成長面は、その面の上で所望の結晶が連続的に成長するのに 熱力学的条件が有利か又は不利かのいずれかであるので、この成長面の温度は結 晶に対して最も致命的な温度であると理解される。
従って、本発明の他の態様においては、種晶の成長面と粉末源との間の固定され た熱勾配を維持する工程は、種晶が成長するのにつれて種晶の成長面と粉末源と の間に相対運動を与える一方、この粉末源と種晶の成長面とをそれぞれ異なる、 しかし一定の温度に保持することからなる。
他の態様においては、種晶の成長面と粉末源との間で固定された熱勾配を保持す る工程は、結晶が成長するにつれて種晶の成長面と粉末源との間で固定された幾 何学的距離を保持する工程からなる。
更に他の態様においては、種晶の成長面と粉末源との間の熱勾配を一定に保持す る方法は、粉末源の温度と種晶の温度とを別個にモニターし、粉末源の温度と種 晶の温度とを別個に調整して所望の熱勾配を保持することによって、粉末源と種 晶との温度を独立に制御することからなる。
本発明の他の態様においては、本発明の方法を使用し、ミラー指数面のうちの一 つに対して少し軸から外れた昇華面を与える炭化珪素種晶を備えることによって 、炭化珪素単結晶の成長を、高めることができることを見出した。実際、軸の外 れた炭化珪素結晶は、三次元結晶学的情報を昇華の間濃縮しつつある原子へと転 移する傾向がある。従って、こうした軸の外れた成長面は、所望の特定の炭化珪 素ポリタイプが繰り返し可能に成長するのを促進するために使用しつる。昇華成 長の間に炭化珪素結晶に不純物をドープする場合には、この技術が特に重要であ る。炭化珪素の性質に精通した者であれば知っているように、特定の不純物は特 定ポリタイプの炭化珪素の成長を促進する傾向がある。例えば、アルミニウムを ドーピングすると4H炭化珪素の成長に有利であることが知られているが、軸の 外れた種を使用すると、本発明に従ってアルミニウムをドーピングすることで炭 化珪素の6H結晶を成長させることができる。
本発明の方法において無線周波(RF)誘導加熱よりも、むしろ抵抗加熱を使用 することで、熱勾配制御と温度制御、保持の実際のところ全工程を高めうろこと を、本発明に従って更に見出した。
抵抗加熱は、昇華プロセスの全体に亘って多くの利益を与える。最初に抵抗加熱 は、誘導加熱を使用してハンドリングできるよりもより大きい結晶径にまでプロ セスを大規模化することを可能とする。誘導加熱技術は幾つかの制限を有し、誘 導技術を使用して開発されたいかなる炭化珪素昇華プロセスをも同様にして商業 的に有用な規模にまで大規模化することができない。
例えば、誘導加熱においては、誘導コイルを昇華が起る真空容器の外側に配置し 、この容器内に存在する気体(例えばアルゴン)のイオン化を防止しなければな らない。第二に、もし昇華るつぼの径が大きくなると、誘導加熱に使用するコイ ルはるつぼの外側層のみを加熱する傾向があり、不所望で許容できない径方向の 熱勾配を生じさせる。最後に、誘導加熱では、RF比出力変換するガラス製真空 容器を使用する必要がある。結果として、このガラス製容器のオーバーヒートを 防止するため、熱絶縁プレゼントの厚さを増加させるか、又はこのガラスを典型 的には水で冷却しなければならない。熱絶縁体の量を多くすると、結晶が成長で きる実際のサイズが減少し、容器を水で冷却すると、全系の熱効率が劇的に減少 する。
また、抵抗加熱は誘導加熱にくらべて顕著にエネルギー効率が高く、抵抗加熱部 材は真空容器内に位置させることができ、外殻加熱又は径方向の熱勾配の効果は ほとんど完全に除去でき、抵抗加熱は、温度安定性の改善、プロセスの反復性及 び全熱勾配の制御を実現する。
第4図、第5図及び第6図は、本発明の方法を遂行するために使用できる幾つか の機器を示す。第4図は、成長中の結晶33がエピタキシャル付着した炭化珪素 種晶32を示す。結晶32及び33はそれぞれ黒鉛種ホルダー34上に保持され 、これは順にシャフト35上に配置される。このるつぼの残部は、黒鉛壁部36 と多孔質黒鉛バリア37とによって区切られる。炭化珪素粉末源4oはベッド4 1中に保持される。炭化珪素粉末を所望位置へと確実に一定して供給するために 、スクリューリフティング機構43を荷なう回転シャフト42を高密度黒鉛シリ ンダー44内に配置する。
第4図に示すように、シャフト42が回転すると、スクリュー機構43が炭化珪 素粉末源40をスクリュー機構の頂部へ、多孔質黒鉛バリアー37と隣接する位 置へと上昇させる。先に記載したように、特定の態様では、高密度黒鉛シリンダ ー44の頂部の炭化珪素粉末源を約2300℃の温度に保持する一方、成長する 結晶33の成長面の温度を幾分か低い温度、典型的には2200 ’Cに保持す る。
炭化珪素粉末源を連続的に昇華領域へと供給させることで、幾つかの利益が得ら れる。特に、ここで開示した他の技術について記載したように、この連続的供給 により、更に昇華粉末源が一定のフラックス密度を発生するのを確保できる。実 際に、新しい粉末源が昇華領域内へと連続的に移動し、昇華が進行するのにつれ て一定のフラックスを与える。
光学サイトホール45も図示しており、光学高温計を使用して成長中の結晶33 の温度をモニターするか、又は高密度黒鉛シリンダー44の頂部にある炭化珪素 粉末源40に対する結晶の正確な位置を決定するのに使用できる。
本発明の特定の態様においては、成長中の結晶33の成長面が炭化珪素粉末源4 0から離れて、又は所望ならばこれへと向かって動くように、シャフトを引くこ とができる。
本発明の更に他の例によれば、成長面を横断する温度プロフィルが確実に一定と なるように、シャフトを回転させることができる。こうした方法より、フラック ス変化の効果が消えるので結晶の対称的な成長を促進することができ、成長中の 結晶が黒鉛のかこいへと付着するのを防止できる。
第6図は第4図と同じ特徴を多く示しているが、しかし、別個で独立の加熱部材 をも示す。第6図において、別個で独立に制御される抵抗加熱部材を46及び4 7で示す。ここで先に記載したように、上側部材46は種晶32と成長中の結晶 33との温度を制御するのに使用でき、一方下側加熱部材47は、高密度黒鉛シ リンダー44の頂部にある炭化珪素粉末源40の温度を制御するのに使用できる 。
加熱部材46及び47によって発生した温度をそれぞれモニターするため、光学 サイトホール50及び51を設け、光学高温計での発生温度のモニターを可能と できる。
第5図は、本発明の更に他の態様を実施するために使用する機器を示す。この態 様では、昇華して次いで成長中の結晶として再濃縮される炭化珪素を粉末として は供給せず、その代わり、シラン(SiH2)とエチレン(C2H4)との各ガ スの系中への供給をこれらが直ちに反応して炭化珪素上記を生成するであろう温 度で行うことによって系中へと導入し、次いで、粉末源から発生した蒸気が多孔 質黒鉛バリアーを通って成長中の結晶上へと移動するその仕方で炭化珪素蒸気を 移動させる。
前記した態様におけるように、この系は種晶32、成長結晶33、黒鉛種ホルダ ー34、シャフト35、黒鉛壁36.10、多孔質黒鉛バリアー37、及び光学 サイトホール45を有する。しかし、炭化珪素粉末源のベッドの代わりに、この 系はシランガス供給部52及びエチレンガス供給部53を有する。これらの分子 が系の高温の下で解離するのを防止するため、これらが昇華系内のあるポイント に達するまでこれらを水冷モリブデンジャケット中で絶縁し、このポイントでは 温度が約2400℃に保たれ、これらの材料が解離され、直ちに反応して炭化珪 素を形成する。
一度シランとエチレンとがジャケット54を離れ、反応して炭化珪素含有化学種 を形成すると、これらは粉末源から昇華した炭化珪素上記種と同様に振舞う。こ れらは多孔質黒鉛バリアー37を通過し、成長中の結晶33の成長面上に宿る。
昇華目的のためにこうしたガス供給系を使用することで幾つかの利益が得られ、 その第一のものはSiC蒸気の一定したフラックスを成長中の結晶表面へと運搬 できることである。他の利益は、シランとエチレンとが商業的規模で高純度で得 られ、従ってこの技術から純粋な結晶が得られることである。
実施例1 6Hアルフアポリタイプ炭化珪素から種を準備した。この種晶を包んで平坦性を 確保し、次いで順次細粒化されたダイヤモンドペーストで研摩し、最後に0.1 マイクロメートルのペーストで研摩した。この種を熱硫酸(H2SO4)で5分 間洗浄し、水酸化アンモニウム(N)1.OH)と過酸化水素(H20□)との 1=1混合物で5分間洗浄し、フッ化水素酸(HF)で1分間洗浄し、次いで最 後に脱イオン化水で洗浄した。こ種を乾燥酸素中1200℃で90分間酸化し、 残留した研摩ダメージを除去した。こ酸化物をHFでのエツチングにより除去し た。
次いで種と粉末源とをるつぼ中に装備した。この粉末源は、次の粒径分布を有す る6H炭化珪素粒子からなる。
タイラー メツシュ サイズ 通過パーセンテージ (重量)20〜4043パ ーセント 40〜6019パーセント 60〜100 17パーセント 100を越える 21パーセント 次いで、この装備後のるつぼを昇華炉中に配置する一方、少し過圧のアルゴンを 炉中に保持して水による汚染を防止し、こうして炉のポンプ脱気時間を短縮する 。この炉を5X10’)−ル未満の基本圧力にまで排気する。この炉を真空(5 X 10−’ ) −ル)中で1200℃に約10分間加熱する。低圧系に精通 した者であれば理解できるように、絶対真空は達成できない。従って、ここで使 用する「真空」という語は、大気圧よりも圧力の低い種々の系についてのもので あり、適当な場合には、特定の条件を最も良く記述するため特定の圧力を採用す る。次いで、この炉をアルゴンで400トールの圧力まで再び満たす。
次いで、るつぼの頂部が約2260°Cとなり、種の温度が約2160℃となる まで系の温度を上昇させ、ここでこの特定の系内で1センチメートル(cm)当 り31℃の熱勾配に使用温度を対応させる。
ついで、この系を85分間の間に亘って400トールの圧力から約lOトールの 圧力へと緩徐に排気する。この系をされらの条件下に6時間保持し、この後に系 をアルゴンで760トールまで再び満たし、この温度を90分間の間に亘って2 00℃まで下げる。
この炉の装備を外すと、上のプロセスにより、12ミリメートル(mm)の径と 6mmの厚さとを有する透明な6Hアルフア炭化珪素結晶を得た。
実施例2 6Hアルフア−SiC種を、この(0001)平面を3°[11203方向へと 向かってカットすることによって準備した。次いで実施例1で記載したように、 この種を包んで平坦性を確保し、順次細かくなるダイヤモンドペーストで研摩し 、洗浄し、酸化し、エツチングした。
この材料源に0.2重量パーセントの量のアルミニウムをドープした。種と粉末 源とをるつぼ内へと装備し、ここでこの粉末源は実施例1で記載したものと同じ 粒径分布を有する。実施例1で記載したように、るつぼに装備をし、容器を排気 し、初期加熱し、アルゴンを再び満たす。
次いで、32°C/cmO熱勾配に対応するよう、るつぼの頂部が2240℃、 種が2135℃となるまで温度を上昇させる。
実施例1で記載したように炉を400トールから10トールまで排気し、この昇 華条件を4時間の間保持した。次いで、この炉をアルゴンで大気圧(760トー ル)になるまで再び満たし、この温度を90分間の間に亘って200°Cまで下 げる。
この炉から装備を外したとき、上のプロセスから径12mm、厚さ6mmの暗青 色6HアルフアーSiC結晶を得た。こうして得た結晶はp型であり、1立方セ ンチメートル当り約108キヤリア原子のキャリア濃度を有していた。
上の記載において、本発明の好ましい例示的な態様につき記載してきたが、これ らは例示のために記載したもので制限のためにではなく、本発明の範囲は欠配の 請求の範囲に記載する。
匡際調査報告

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.電気的デバイスの製造に好適に使用できる炭化珪素の単一ポリタイプの大型 単結晶を成長させる方法であって;所望ポリタイプの炭化珪素の種単結晶と、実 質的に一定のポリタイプ組成を有する炭化珪素粉末源とを昇華系内へと導入する こと; この炭化珪素粉末源の温度を炭化珪素が粉末源から昇華するのに充分な温度まで 上昇させること;一方種晶の成長面の温度を、粉末源の温度に近く、しかしこの 粉末源の温度よりは低くかつこの昇華系の気圧条件下で炭化珪素が昇華する温度 よりも低い温度へと上昇させること;及び 種晶の上に所望ポリタイプの単結晶炭化珪素の巨視的成長を所望量製造するのに 充分な時間の間、炭化珪素粉末源と炭化珪素種晶とをそれぞれの温度に保持する ことを有する方法。
  2. 2.炭化珪素の種晶を閉鎖系内へと導入する工程に先立って、炭化珪素の研摩し た種晶を調製する工程を更に有する、請求項1による方法。
  3. 3.炭化珪素粉末源を含有する閉鎖系内へと炭化珪素の種単結晶を導入する工程 において、更に、最初に粉末源と種晶とを互いに分離する、請求項1による方法 。
  4. 4.炭化珪素粉末源を含有する閉鎖系内へと炭化珪素の種晶を導入する工程にお いて、所定の粒径分布を有する炭化珪素粉末源を含有する閉鎖系内へと炭化珪素 種晶を導入する、請求項1による方法。
  5. 5.炭化珪素粉末源の温度を上昇させる工程において、炭化珪素粉末源の温度を 約2250℃〜2350℃の間へと上昇させる、請求項1による方法。
  6. 6.炭化珪素粉末源の温度を上昇させる工程において、炭化珪素粉末源の温度を 約2300℃へと上昇させる、請求項1による方法。
  7. 7.種晶の温度を上昇させる工程において、種晶の温度を約2150℃〜225 0℃の間へと上昇させる、請求項1による方法。
  8. 8.種晶の温度を上昇させる工程において、種晶の温度を約2200℃へと上昇 させる、請求項1による方法。
  9. 9.炭化珪素粉末源を導入する工程において、新しい炭化珪素粉末源を昇華系内 へと連続的に導入する、請求項1による方法。
  10. 10.炭化珪素の種単結晶を導入する工程において、低数ミラー指数面に対応す る面をカットし、このカットされた低数ミラー指数面に対して垂直の軸に垂直で ない面を露出させた種晶を導入する、請求項1による方法。
  11. 11.電気的デバイスの製造に好適に使用できる炭化珪素の単一ポリタイプの大 型単結晶を成長させる方法であって;所望ポリタイプの炭化珪素の種単結晶と、 所定の表面積分布を有する炭化珪素粉末源とを閉鎖系内へと導入すること;この 炭化珪素粉末源の温度を炭化珪素が粉末源から昇華するのに充分な温度まで上昇 させること;一方種結晶の成長面の温度を、粉末源の温度に近く、しかしこの粉 末源の温度よりは低くかつこの昇華系の気圧条件下で炭化珪素が昇華する温度よ りも低い温度へと上昇させること;及び 種晶の上に所望ポリタイプの単結晶炭化珪素の巨視的成長を所望量製造するのに 充分な時間の間、炭化珪素粉末源と炭化珪素種晶の成長面とをそれぞれの異なる 温度に保持すること を有する方法。
  12. 12.炭化珪素の種単結晶を炭化珪素粉末源を含有する閉鎖系内へと導入する工 程に先立って、炭化珪素の研摩した種晶を調製する工程を更に有する、請求項1 1による方法。
  13. 13.炭化珪素粉末源を含有する閉鎖系内へと炭化珪素の種単結晶を導入する工 程において、更に、最初に炭化珪素粉末源と種晶とを互いに分離する、請求項1 1による方法。
  14. 14.炭化珪素粉末源を含有する閉鎖系内へと炭化珪素の種晶を導入する工程に おいて、更に、実質的に一定のポリタイプ組成を有する炭化珪素粉末源を導入す る、請求項11による方法。
  15. 15.電気的デバイスの製造に好適に使用できる炭化珪素の単一ポリタイプの大 型単結晶を成長させる方法であって;所定の粒径分布を有する炭化珪素粉末源を 含有する所望ポリタイプの炭化珪素の種単結晶を昇華系内へと導入すること;こ の炭化珪素粉末源の温度を炭化珪素が粉末源から昇華するのに充分な温度まで上 昇させること;一方種結晶の成長面の温度を、粉末源の温度に近く、しかしこの 粉末源の温度よりは低くかつこの昇華系の気圧条件下で炭化珪素が昇華する温度 よりも低い温度へと上昇させること;及び 種晶の上に所望ポリタイプの単結晶炭化珪素の巨視的成長を所望量製造するのに 充分な時間の間、炭化珪素粉末源と炭化珪素種晶の成長面とをそれぞれの異なる 温度に保持すること を有する方法。
  16. 16.炭化珪素の種単結晶を炭化珪素粉末源を含有する閉鎖系内へと導入する工 程に先立って、炭化珪素の研摩した種晶を調製する工程を更に有する、請求項1 5による方法。
  17. 17.種晶と炭化珪素の粉末源とを閉鎖系内へと導入する工程において、実質的 に一定のポリタイプ組成を有する炭化珪素粉末源を導入する、請求項15による 方法。
  18. 18.炭化珪素の種単結晶と炭化珪素粉末源とを閉鎖系内へと導入する工程にお いて、所定の表面積分布を有する炭化珪素粉末源を導入する、請求項15による 方法。
  19. 19.炭化珪素粉末源を系内へと導入する工程において、炭化珪素粉末を系内へ と連続的に導入する、請求項15による方法。
  20. 20.炭化珪素を系内へと連続的に導入する工程において、炭化珪素粉末をスク リューコンベヤ機構を用いて源から系へと連続的に供給する、請求項15による 方法。
  21. 21.炭化珪素を系内へと連続的に導入する工程において、超音波エネルギーを 用いて炭化珪素粉末を系内へと動かすことで炭化珪素粉末を源から系へと連続的 に供給する、請求項15による方法。
  22. 22.炭化珪素粉末源を昇華系内へと導入する工程において、所定のタイラーメ ッシュスクリーンを通過する試料の重量パーセントによって測定した次記の粒径 分布を有する炭化珪素粉末を導入する、請求項15による方法。 タイラーメッシユスクリーン通過重量パーセント20〜4043% 40〜6019% 60〜10017% 100を越える21%
  23. 23.電気的デバイスの製造に好適に使用できる炭化珪素の単一ポリタイプの大 型単結晶を成長させる方法であって;所望ポリタイプの炭化珪素の種単結晶と、 炭化珪素粉末源とを閉鎖系内へと導入すること; この炭化珪素粉末源の温度を炭化珪素が粉末源から昇華するのに充分な温度まで 上昇させること;一方種晶の温度を、粉末源の温度に近く、しかしこの粉末源の 温度よりは低くかつこの昇華系の気圧条件下で炭化珪素が昇華する温度よりも低 い温度へと上昇させることによって種晶と粉末源との間に熱勾配を導入すること ;及び結晶が成長して粉末源が消費されるのにつれて種晶と粉末源との間の熱勾 配を増大させ、これにより一定の温度勾配を保持することで得られるであろう結 晶成長を越えて更に結晶成長を連続的に促進すること を有する方法。
  24. 24.炭化珪素の種単結晶と炭化珪素粉末源とを閉鎖系内へと導入する工程に先 立って、炭化珪素の研摩された種晶を調製する工程を更に有する、請求項23に よる方法。
  25. 25.種単結晶と炭化珪素粉末源とを閉鎖系内へと導入する工程において、最初 に種晶と炭化珪素粉末源とを互いに分離する、請求項23による方法。
  26. 26.種晶と粉末源との間の温度勾配を増大させる工程において、粉末の温度を 上昇させる一方、種晶の成長面の温度を粉末源よりも低い初期温度に保持する、 請求項23による方法。
  27. 27.熱勾配を導入する工程において、1センチメートル当たり20℃の熱勾配 を導入する、請求項23による方法。
  28. 28.熱勾配を増大させる工程において、1センチメートル当たり約20℃から 1センチメートル当たり約50℃へと熱勾配を増大させる、請求項23による方 法。
  29. 29.粉末源の温度を上昇させ、熱勾配を導入しかつこの熱勾配を増大させる工 程において、抵抗加熱デバイスを使用して温度を上昇させ、熱勾配を導入しかつ この熱勾配を増大させる、請求項23による方法。
  30. 30.電気的デバイスの製造に好適に使用できる炭化珪素の単一ポリタイプの大 型単結晶を成長させる方法であって;所望ポリタイプの炭化珪素の種晶と、炭化 珪素粉末源とを閉鎖系内へと導入すること; この炭化珪素粉末源の温度を炭化珪素が粉末源から昇華するのに充分な温度まで 上昇させること;一方種晶の温度を、粉末源の温度に近く、しかしこの粉末源の 温度よりは低くかつこの昇華系の気圧条件下で炭化珪素が昇華する温度よりも低 い温度へと上昇させることによって種晶の成長面と粉末源との間に熱勾配を導入 すること;及び結晶が成長して粉末源が消費されるのにつれて種晶の成長面と粉 末源との間で一定の熱勾配を保持し、これにより種晶の単一の成長面の上で単一 の種晶の一定した成長速度と単一のポリタイプの一定した成長とを保持すること を有する方法。
  31. 31.種晶の成長面と粉末源との間で固定した熱勾配を保持する工程において、 種晶が成長するにつれて種晶の成長面と粉末源との間に相対運動を与え、一方粉 末源を炭化珪素が昇華するのに充分な温度に保持し、また粉末源の温度に近いが しかしこの粉末源の温度よりは低くかつ炭化珪素が昇華する温度よりも低い温度 に種晶を保持する、請求項30による方法。
  32. 32.種晶の成長面と粉末源との間で固定した熱勾配を保持する工程において、 結晶が成長するにつれて種晶の成長面と粉末源との間で固定した距離を保持する 、請求項30による方法。
  33. 33.種晶の成長面と粉末源との間で一定の熱勾配を保持する工程において、粉 末源の温度と種晶の温度とを別個にモニターし、粉末源の温度と種晶の温度とを 別個に調整することによって、粉末源と種晶との温度を独立に制御する、請求項 30による方法。
  34. 34.電気的デバイスの製造に好適に使用できる炭化珪素の単一ポリタイプの大 型単結晶を成長させる方法であって;所望ポリタイプの炭化珪素の種単結晶と、 炭化珪素粉末源とを閉鎖系内へと導入すること; この炭化珪素粉末源の温度を炭化珪素が粉末源から昇華するのに充分な温度まで 上昇させること;一方種晶の成長面の温度を、粉末源の温度に近く、しかしこの 粉末源の温度よりは低くかつこの昇華系の気圧条件下で炭化珪素が昇華する温度 よりも低い温度へと上昇させることによって種晶の成長面と粉末源との間に熱勾 配を導入すること;及び 種晶が成長して粉末源が消費されるのにつれて種晶を回転させ、これによって種 晶の成長面に亘って一定の温度プロフィルを保持し、フラックス変化の効果を減 らし、かつ閉鎖系の機械的部分に対して成長中の結晶が不所望に付着し始めるの を防止すること を有する方法。
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US (2) US4866005A (ja)
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DE (3) DE3856514T2 (ja)
WO (1) WO1989004055A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002537209A (ja) * 1999-02-19 2002-11-05 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト α‐SiC塊状単結晶の成長方法
JP2003504298A (ja) * 1999-07-07 2003-02-04 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト SiC単結晶を成長圧力下に加熱して昇華成長させる方法
JP2005507173A (ja) * 2001-10-23 2005-03-10 クリー インコーポレイテッド 半導体デバイスの視覚的検査を向上させるためのパターン
JP2012510951A (ja) * 2008-12-08 2012-05-17 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド 向上した軸勾配輸送(agt)成長方法、及び抵抗加熱を利用した装置

Families Citing this family (471)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0403887B1 (de) * 1989-06-20 1993-04-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Siliziumkarbid
US4946547A (en) * 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5200022A (en) * 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5093576A (en) * 1991-03-15 1992-03-03 Cree Research High sensitivity ultraviolet radiation detector
US5958132A (en) * 1991-04-18 1999-09-28 Nippon Steel Corporation SiC single crystal and method for growth thereof
AU2250392A (en) * 1991-06-12 1993-01-12 Case Western Reserve University Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers
US5248385A (en) * 1991-06-12 1993-09-28 The United States Of America, As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration Process for the homoepitaxial growth of single-crystal silicon carbide films on silicon carbide wafers
US5465249A (en) * 1991-11-26 1995-11-07 Cree Research, Inc. Nonvolatile random access memory device having transistor and capacitor made in silicon carbide substrate
US5783335A (en) * 1992-04-07 1998-07-21 The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer Fluidized bed deposition of diamond
US5459107A (en) * 1992-06-05 1995-10-17 Cree Research, Inc. Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures
US5629531A (en) * 1992-06-05 1997-05-13 Cree Research, Inc. Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures
US5709745A (en) * 1993-01-25 1998-01-20 Ohio Aerospace Institute Compound semi-conductors and controlled doping thereof
CA2113336C (en) * 1993-01-25 2001-10-23 David J. Larkin Compound semi-conductors and controlled doping thereof
US5441011A (en) * 1993-03-16 1995-08-15 Nippon Steel Corporation Sublimation growth of single crystal SiC
DE4310744A1 (de) * 1993-04-01 1994-10-06 Siemens Ag Vorrichtung zum Herstellen von SiC-Einkristallen
DE4310745C2 (de) * 1993-04-01 1999-07-08 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von SiC-Einkristallen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5611955A (en) * 1993-10-18 1997-03-18 Northrop Grumman Corp. High resistivity silicon carbide substrates for high power microwave devices
US6077619A (en) * 1994-10-31 2000-06-20 Sullivan; Thomas M. Polycrystalline silicon carbide ceramic wafer and substrate
US6309766B1 (en) 1994-10-31 2001-10-30 Thomas M. Sullivan Polycrystalline silicon carbide ceramic wafer and substrate
KR0183082B1 (ko) * 1994-11-28 1999-04-15 전성원 복합 재료용 예비성형체 제조방법
US5679153A (en) * 1994-11-30 1997-10-21 Cree Research, Inc. Method for reducing micropipe formation in the epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures
US5585648A (en) * 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
SE9502288D0 (sv) * 1995-06-26 1995-06-26 Abb Research Ltd A device and a method for epitaxially growing objects by CVD
DE19527536A1 (de) * 1995-07-27 1997-01-30 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Siliciumcarbid-Einkristallen
US6030661A (en) * 1995-08-04 2000-02-29 Abb Research Ltd. Device and a method for epitaxially growing objects by CVD
JP3491402B2 (ja) * 1995-08-07 2004-01-26 株式会社デンソー 単結晶製造方法及びその単結晶製造装置
US5762896A (en) * 1995-08-31 1998-06-09 C3, Inc. Silicon carbide gemstones
US5683507A (en) * 1995-09-05 1997-11-04 Northrop Grumman Corporation Apparatus for growing large silicon carbide single crystals
SE9503428D0 (sv) 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A method for epitaxially growing objects and a device for such a growth
EP0781619A1 (en) 1995-12-15 1997-07-02 Cree Research, Inc. Method of making silicone carbide wafers from silicon carbide bulk crystals
US5746827A (en) * 1995-12-27 1998-05-05 Northrop Grumman Corporation Method of producing large diameter silicon carbide crystals
US6547877B2 (en) 1996-01-22 2003-04-15 The Fox Group, Inc. Tantalum crucible fabrication and treatment
US6261363B1 (en) 1997-01-22 2001-07-17 Yury Alexandrovich Vodakov Technique for growing silicon carbide monocrystals
RU2094547C1 (ru) * 1996-01-22 1997-10-27 Юрий Александрович Водаков Сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния и источник карбида кремния для осуществления способа
US5718760A (en) 1996-02-05 1998-02-17 Cree Research, Inc. Growth of colorless silicon carbide crystals
JP3384242B2 (ja) * 1996-03-29 2003-03-10 株式会社豊田中央研究所 炭化珪素単結晶の製造方法
US6110279A (en) * 1996-03-29 2000-08-29 Denso Corporation Method of producing single-crystal silicon carbide
US5944890A (en) * 1996-03-29 1999-08-31 Denso Corporation Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method
FR2747401B1 (fr) * 1996-04-10 1998-05-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede pour la formation de carbure de silicium (sic) monocristallin sur un germe
US6403708B2 (en) 1996-05-27 2002-06-11 Mitsui Chemicals Inc Crystalline polypropylenes, process for preparing thereof, polypropylene compositions, and thermoformed products
US5858086A (en) * 1996-10-17 1999-01-12 Hunter; Charles Eric Growth of bulk single crystals of aluminum nitride
US6039812A (en) * 1996-10-21 2000-03-21 Abb Research Ltd. Device for epitaxially growing objects and method for such a growth
US6537371B2 (en) 1997-01-22 2003-03-25 The Fox Group, Inc. Niobium crucible fabrication and treatment
US6562130B2 (en) 1997-01-22 2003-05-13 The Fox Group, Inc. Low defect axially grown single crystal silicon carbide
WO1998033961A1 (en) * 1997-01-31 1998-08-06 Northrop Grumman Corporation Apparatus for growing large silicon carbide single crystals
CA2258080C (en) * 1997-04-11 2007-06-05 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device
US5873937A (en) * 1997-05-05 1999-02-23 Northrop Grumman Corporation Method of growing 4H silicon carbide crystal
US5937317A (en) * 1997-05-08 1999-08-10 Northrop Grumman Corporation Method of making a low resistivity silicon carbide boule
US5788768A (en) * 1997-05-08 1998-08-04 Northrop Grumman Corporation Feedstock arrangement for silicon carbide boule growth
JP4597363B2 (ja) * 1997-08-29 2010-12-15 クリー インコーポレイテッド 標準パッケージで使用される信頼性が高い強固な第iii族発光ダイオード
US6825501B2 (en) 1997-08-29 2004-11-30 Cree, Inc. Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications
US6336971B1 (en) 1997-09-12 2002-01-08 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal
WO1999014405A1 (fr) * 1997-09-12 1999-03-25 Showa Denko Kabushiki Kaisha Procede et appareil permettant de produire un cristal unique de carbure de silicium
US6479839B2 (en) 1997-11-18 2002-11-12 Technologies & Devices International, Inc. III-V compounds semiconductor device with an AlxByInzGa1-x-y-zN non continuous quantum dot layer
US6849862B2 (en) 1997-11-18 2005-02-01 Technologies And Devices International, Inc. III-V compound semiconductor device with an AlxByInzGa1-x-y-zN1-a-bPaAsb non-continuous quantum dot layer
US6890809B2 (en) * 1997-11-18 2005-05-10 Technologies And Deviles International, Inc. Method for fabricating a P-N heterojunction device utilizing HVPE grown III-V compound layers and resultant device
US6599133B2 (en) 1997-11-18 2003-07-29 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing III-V compound semiconductor structures with an integral non-continuous quantum dot layer utilizing HVPE techniques
US6559467B2 (en) 1997-11-18 2003-05-06 Technologies And Devices International, Inc. P-n heterojunction-based structures utilizing HVPE grown III-V compound layers
US6555452B2 (en) 1997-11-18 2003-04-29 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing p-type III-V compound material utilizing HVPE techniques
US6559038B2 (en) 1997-11-18 2003-05-06 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing p-n heterojunction-based structures utilizing HVPE techniques
US6476420B2 (en) 1997-11-18 2002-11-05 Technologies And Devices International, Inc. P-N homojunction-based structures utilizing HVPE growth III-V compound layers
US6472300B2 (en) 1997-11-18 2002-10-29 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing p-n homojunction-based structures utilizing HVPE techniques
US20020047135A1 (en) * 1997-11-18 2002-04-25 Nikolaev Audrey E. P-N junction-based structures utilizing HVPE grown III-V compound layers
US5985024A (en) * 1997-12-11 1999-11-16 Northrop Grumman Corporation Method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide
EP0933450B1 (en) * 1998-01-19 2002-04-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal
US6608327B1 (en) 1998-02-27 2003-08-19 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structure including laterally offset patterned layers
US6051849A (en) 1998-02-27 2000-04-18 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer
US6265289B1 (en) 1998-06-10 2001-07-24 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6048813A (en) 1998-10-09 2000-04-11 Cree, Inc. Simulated diamond gemstones formed of aluminum nitride and aluminum nitride: silicon carbide alloys
US6177688B1 (en) 1998-11-24 2001-01-23 North Carolina State University Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates
US6255198B1 (en) 1998-11-24 2001-07-03 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby
US6406539B1 (en) 1999-04-28 2002-06-18 Showa Denko K.K, Process for producing silicon carbide single crystal and production apparatus therefor
DE19931332C2 (de) * 1999-07-07 2002-06-06 Siemens Ag Vorrichtung zur Herstellung eines SiC-Einkristalls mit einem doppelwandigen Tiegel
US6562131B2 (en) 1999-07-20 2003-05-13 The Fox Group, Inc. Method for growing single crystal silicon carbide
US6824611B1 (en) * 1999-10-08 2004-11-30 Cree, Inc. Method and apparatus for growing silicon carbide crystals
US6451112B1 (en) 1999-10-15 2002-09-17 Denso Corporation Method and apparatus for fabricating high quality single crystal
US6521514B1 (en) 1999-11-17 2003-02-18 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on sapphire substrates
US8829546B2 (en) 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
US6614056B1 (en) 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
AU4139101A (en) 1999-12-03 2001-06-12 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
US6380108B1 (en) 1999-12-21 2002-04-30 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on weak posts, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6403451B1 (en) 2000-02-09 2002-06-11 Noerh Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts
JP4880164B2 (ja) 2000-02-15 2012-02-22 ザ フォックス グループ,インコーポレイティド 低欠陥密度炭化ケイ素材料
US6261929B1 (en) 2000-02-24 2001-07-17 North Carolina State University Methods of forming a plurality of semiconductor layers using spaced trench arrays
EP1268882B1 (en) * 2000-03-13 2011-05-11 II-VI Incorporated Axial gradient transport apparatus and process for producing large size, single crystals of silicon carbide
AU2001250835A1 (en) * 2000-03-13 2001-09-24 Ii-Vi Incorporated Large size single crystal seed crystal fabrication by intergrowth of tiled seed crystals
US6573128B1 (en) 2000-11-28 2003-06-03 Cree, Inc. Epitaxial edge termination for silicon carbide Schottky devices and methods of fabricating silicon carbide devices incorporating same
JP4275308B2 (ja) * 2000-12-28 2009-06-10 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置
US6800876B2 (en) * 2001-01-16 2004-10-05 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137)
US6906352B2 (en) 2001-01-16 2005-06-14 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well
US6863728B2 (en) 2001-02-14 2005-03-08 The Fox Group, Inc. Apparatus for growing low defect density silicon carbide
US6670278B2 (en) 2001-03-30 2003-12-30 Lam Research Corporation Method of plasma etching of silicon carbide
US6849882B2 (en) 2001-05-11 2005-02-01 Cree Inc. Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer
US6706114B2 (en) 2001-05-21 2004-03-16 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide crystals
US7553373B2 (en) 2001-06-15 2009-06-30 Bridgestone Corporation Silicon carbide single crystal and production thereof
JP2004531894A (ja) 2001-06-15 2004-10-14 クリー インコーポレイテッド 紫外線発光ダイオード
US20020189536A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-19 Bridgestone Corporation Silicon carbide single crystal and production thereof
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
WO2003032397A2 (en) 2001-07-24 2003-04-17 Cree, Inc. INSULTING GATE AlGaN/GaN HEMT
US6749685B2 (en) * 2001-08-16 2004-06-15 Cree, Inc. Silicon carbide sublimation systems and associated methods
US6780243B1 (en) 2001-11-01 2004-08-24 Dow Corning Enterprises, Inc. Method of silicon carbide monocrystalline boule growth
US7030428B2 (en) * 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
US6814801B2 (en) * 2002-06-24 2004-11-09 Cree, Inc. Method for producing semi-insulating resistivity in high purity silicon carbide crystals
US7601441B2 (en) * 2002-06-24 2009-10-13 Cree, Inc. One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer
US7220313B2 (en) * 2003-07-28 2007-05-22 Cree, Inc. Reducing nitrogen content in silicon carbide crystals by sublimation growth in a hydrogen-containing ambient
US7316747B2 (en) * 2002-06-24 2008-01-08 Cree, Inc. Seeded single crystal silicon carbide growth and resulting crystals
US6982204B2 (en) 2002-07-16 2006-01-03 Cree, Inc. Nitride-based transistors and methods of fabrication thereof using non-etched contact recesses
DE60332542D1 (de) * 2002-09-19 2010-06-24 Showa Denko Kk Siliciumcarbid-einkristall und verfahren und vorrichtung zu seiner herstellung
US6825559B2 (en) 2003-01-02 2004-11-30 Cree, Inc. Group III nitride based flip-chip intergrated circuit and method for fabricating
US9515135B2 (en) * 2003-01-15 2016-12-06 Cree, Inc. Edge termination structures for silicon carbide devices
US7026650B2 (en) * 2003-01-15 2006-04-11 Cree, Inc. Multiple floating guard ring edge termination for silicon carbide devices
US6952024B2 (en) * 2003-02-13 2005-10-04 Cree, Inc. Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer
US6987281B2 (en) * 2003-02-13 2006-01-17 Cree, Inc. Group III nitride contact structures for light emitting devices
US7170097B2 (en) * 2003-02-14 2007-01-30 Cree, Inc. Inverted light emitting diode on conductive substrate
US7898047B2 (en) * 2003-03-03 2011-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices
US7112860B2 (en) 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
US6964917B2 (en) * 2003-04-08 2005-11-15 Cree, Inc. Semi-insulating silicon carbide produced by Neutron transmutation doping
EP1620903B1 (en) 2003-04-30 2017-08-16 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
ITMI20031196A1 (it) * 2003-06-13 2004-12-14 Lpe Spa Sistema per crescere cristalli di carburo di silicio
KR100782998B1 (ko) * 2003-06-16 2007-12-07 쇼와 덴코 가부시키가이샤 실리콘 카바이드 단결정의 성장 방법, 실리콘 카바이드 씨드결정 및 실리콘 카바이드 단결정
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US6972438B2 (en) * 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
US6974720B2 (en) * 2003-10-16 2005-12-13 Cree, Inc. Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby
JP4835157B2 (ja) * 2003-11-25 2011-12-14 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドn型半導体、その製造方法、半導体素子、及び電子放出素子
US7135715B2 (en) * 2004-01-07 2006-11-14 Cree, Inc. Co-doping for fermi level control in semi-insulating Group III nitrides
US7045404B2 (en) * 2004-01-16 2006-05-16 Cree, Inc. Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof
US7901994B2 (en) 2004-01-16 2011-03-08 Cree, Inc. Methods of manufacturing group III nitride semiconductor devices with silicon nitride layers
US7612390B2 (en) * 2004-02-05 2009-11-03 Cree, Inc. Heterojunction transistors including energy barriers
US7170111B2 (en) 2004-02-05 2007-01-30 Cree, Inc. Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same
US7056383B2 (en) * 2004-02-13 2006-06-06 The Fox Group, Inc. Tantalum based crucible
WO2005106985A2 (en) * 2004-04-22 2005-11-10 Cree, Inc. Improved substrate buffer structure for group iii nitride devices
US7825006B2 (en) 2004-05-06 2010-11-02 Cree, Inc. Lift-off process for GaN films formed on SiC substrates and devices fabricated using the method
US7084441B2 (en) 2004-05-20 2006-08-01 Cree, Inc. Semiconductor devices having a hybrid channel layer, current aperture transistors and methods of fabricating same
US7432142B2 (en) 2004-05-20 2008-10-07 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions
US20060006394A1 (en) * 2004-05-28 2006-01-12 Caracal, Inc. Silicon carbide Schottky diodes and fabrication method
US9368428B2 (en) * 2004-06-30 2016-06-14 Cree, Inc. Dielectric wafer level bonding with conductive feed-throughs for electrical connection and thermal management
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7238560B2 (en) 2004-07-23 2007-07-03 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors with a cap layer and a recessed gate
US20060017064A1 (en) * 2004-07-26 2006-01-26 Saxler Adam W Nitride-based transistors having laterally grown active region and methods of fabricating same
US7192482B2 (en) 2004-08-10 2007-03-20 Cree, Inc. Seed and seedholder combinations for high quality growth of large silicon carbide single crystals
US7294324B2 (en) * 2004-09-21 2007-11-13 Cree, Inc. Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US8174037B2 (en) * 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7314520B2 (en) * 2004-10-04 2008-01-01 Cree, Inc. Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer
US7314521B2 (en) 2004-10-04 2008-01-01 Cree, Inc. Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer
US8998949B2 (en) * 2004-11-09 2015-04-07 Biomet Sports Medicine, Llc Soft tissue conduit device
US7300519B2 (en) * 2004-11-17 2007-11-27 Cree, Inc. Reduction of subsurface damage in the production of bulk SiC crystals
US7456443B2 (en) * 2004-11-23 2008-11-25 Cree, Inc. Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region
US7709859B2 (en) * 2004-11-23 2010-05-04 Cree, Inc. Cap layers including aluminum nitride for nitride-based transistors
US7161194B2 (en) 2004-12-06 2007-01-09 Cree, Inc. High power density and/or linearity transistors
US7355215B2 (en) 2004-12-06 2008-04-08 Cree, Inc. Field effect transistors (FETs) having multi-watt output power at millimeter-wave frequencies
US7563321B2 (en) * 2004-12-08 2009-07-21 Cree, Inc. Process for producing high quality large size silicon carbide crystals
US7811943B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-12 Cree, Inc. Process for producing silicon carbide crystals having increased minority carrier lifetimes
US7236053B2 (en) * 2004-12-31 2007-06-26 Cree, Inc. High efficiency switch-mode power amplifier
US7436039B2 (en) * 2005-01-06 2008-10-14 Velox Semiconductor Corporation Gallium nitride semiconductor device
US7246735B2 (en) * 2005-01-07 2007-07-24 Asm Assembly Automation Ltd. Wire clamping plate
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7335920B2 (en) 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
US7276117B2 (en) * 2005-02-09 2007-10-02 Cree Dulles, Inc. Method of forming semi-insulating silicon carbide single crystal
US7932111B2 (en) * 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
US7465967B2 (en) 2005-03-15 2008-12-16 Cree, Inc. Group III nitride field effect transistors (FETS) capable of withstanding high temperature reverse bias test conditions
US7323052B2 (en) * 2005-03-24 2008-01-29 Cree, Inc. Apparatus and method for the production of bulk silicon carbide single crystals
US7422634B2 (en) * 2005-04-07 2008-09-09 Cree, Inc. Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV
US7626217B2 (en) * 2005-04-11 2009-12-01 Cree, Inc. Composite substrates of conductive and insulating or semi-insulating group III-nitrides for group III-nitride devices
US8575651B2 (en) 2005-04-11 2013-11-05 Cree, Inc. Devices having thick semi-insulating epitaxial gallium nitride layer
US7608524B2 (en) * 2005-04-19 2009-10-27 Ii-Vi Incorporated Method of and system for forming SiC crystals having spatially uniform doping impurities
US20060263279A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-23 Laurencin Cato T Adjustable path sublimator system and related method of use
US7615774B2 (en) * 2005-04-29 2009-11-10 Cree.Inc. Aluminum free group III-nitride based high electron mobility transistors
US7544963B2 (en) 2005-04-29 2009-06-09 Cree, Inc. Binary group III-nitride based high electron mobility transistors
US8901699B2 (en) 2005-05-11 2014-12-02 Cree, Inc. Silicon carbide junction barrier Schottky diodes with suppressed minority carrier injection
US7387680B2 (en) * 2005-05-13 2008-06-17 Cree, Inc. Method and apparatus for the production of silicon carbide crystals
US9412926B2 (en) * 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US9331192B2 (en) * 2005-06-29 2016-05-03 Cree, Inc. Low dislocation density group III nitride layers on silicon carbide substrates and methods of making the same
US20070018199A1 (en) 2005-07-20 2007-01-25 Cree, Inc. Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer
US20070018198A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Brandes George R High electron mobility electronic device structures comprising native substrates and methods for making the same
US8674375B2 (en) * 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
US7638818B2 (en) 2005-09-07 2009-12-29 Cree, Inc. Robust transistors with fluorine treatment
US20070110657A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Hunter Charles E Unseeded silicon carbide single crystals
US7419892B2 (en) * 2005-12-13 2008-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions and protective layers and methods of forming the same
EP1963743B1 (en) * 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Lighting device
US7709269B2 (en) * 2006-01-17 2010-05-04 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including dielectrically-supported gate electrodes
US7592211B2 (en) 2006-01-17 2009-09-22 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including supported gate electrodes
US8101961B2 (en) 2006-01-25 2012-01-24 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with growth substrates
US8430213B2 (en) * 2006-02-08 2013-04-30 Hitachi, Ltd. Electric brake
US7566918B2 (en) 2006-02-23 2009-07-28 Cree, Inc. Nitride based transistors for millimeter wave operation
US7388236B2 (en) * 2006-03-29 2008-06-17 Cree, Inc. High efficiency and/or high power density wide bandgap transistors
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
EP3168618B1 (en) 2006-04-04 2018-11-21 Singulex, Inc. Highly sensitive methods for analysis of troponin
USD738832S1 (en) 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
WO2007116517A1 (ja) * 2006-04-10 2007-10-18 Fujitsu Limited 化合物半導体構造とその製造方法
US9335006B2 (en) * 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
JP2007284306A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶及びその製造方法
JP4954596B2 (ja) * 2006-04-21 2012-06-20 新日本製鐵株式会社 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US9040398B2 (en) * 2006-05-16 2015-05-26 Cree, Inc. Method of fabricating seminconductor devices including self aligned refractory contacts
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
US8698184B2 (en) 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
US8980445B2 (en) * 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
CN101490315A (zh) * 2006-07-19 2009-07-22 陶氏康宁公司 生产具有改善的载流子寿命的基底的方法
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US8432012B2 (en) 2006-08-01 2013-04-30 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same
US7728402B2 (en) * 2006-08-01 2010-06-01 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown
US8710510B2 (en) * 2006-08-17 2014-04-29 Cree, Inc. High power insulated gate bipolar transistors
US8310143B2 (en) * 2006-08-23 2012-11-13 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
CN101536168A (zh) 2006-09-14 2009-09-16 科锐有限公司 无微管碳化硅及其相关制备方法
US9018619B2 (en) * 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
US10873002B2 (en) * 2006-10-20 2020-12-22 Cree, Inc. Permanent wafer bonding using metal alloy preform discs
US8823057B2 (en) 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US8283699B2 (en) 2006-11-13 2012-10-09 Cree, Inc. GaN based HEMTs with buried field plates
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
US9318327B2 (en) 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
EP2095011A1 (en) 2006-12-04 2009-09-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
CN101622493A (zh) * 2006-12-04 2010-01-06 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
US7834367B2 (en) * 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9196799B2 (en) * 2007-01-22 2015-11-24 Cree, Inc. LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
US8835987B2 (en) * 2007-02-27 2014-09-16 Cree, Inc. Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers
US8362503B2 (en) 2007-03-09 2013-01-29 Cree, Inc. Thick nitride semiconductor structures with interlayer structures
US8212290B2 (en) * 2007-03-23 2012-07-03 Cree, Inc. High temperature performance capable gallium nitride transistor
US9484499B2 (en) * 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
US7982363B2 (en) * 2007-05-14 2011-07-19 Cree, Inc. Bulk acoustic device and method for fabricating
JP5517930B2 (ja) * 2007-06-27 2014-06-11 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド ゆがみ及び反りの少ないSiC基質の製造
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US8111001B2 (en) 2007-07-17 2012-02-07 Cree, Inc. LED with integrated constant current driver
EP2171502B1 (en) * 2007-07-17 2016-09-14 Cree, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
US8409351B2 (en) * 2007-08-08 2013-04-02 Sic Systems, Inc. Production of bulk silicon carbide with hot-filament chemical vapor deposition
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8163086B2 (en) * 2007-08-29 2012-04-24 Cree, Inc. Halogen assisted physical vapor transport method for silicon carbide growth
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US9082921B2 (en) 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US9666762B2 (en) 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US9172012B2 (en) 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US7915629B2 (en) * 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
US7985970B2 (en) 2009-04-06 2011-07-26 Cree, Inc. High voltage low current surface-emitting LED
US8536584B2 (en) 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US8460764B2 (en) * 2008-03-06 2013-06-11 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for producing ultra-thin graphitic layers
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
US7859000B2 (en) * 2008-04-10 2010-12-28 Cree, Inc. LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same
US9287469B2 (en) 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US8232558B2 (en) 2008-05-21 2012-07-31 Cree, Inc. Junction barrier Schottky diodes with current surge capability
EP2301071B1 (en) * 2008-05-29 2019-05-08 Cree, Inc. Light source with near field mixing
CA2732795C (en) * 2008-06-11 2016-08-09 Susanne Gardner Beverages composed of wine components
US8384115B2 (en) * 2008-08-01 2013-02-26 Cree, Inc. Bond pad design for enhancing light extraction from LED chips
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8858032B2 (en) 2008-10-24 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element
US8017963B2 (en) 2008-12-08 2011-09-13 Cree, Inc. Light emitting diode with a dielectric mirror having a lateral configuration
US7897419B2 (en) 2008-12-23 2011-03-01 Cree, Inc. Color correction for wafer level white LEDs
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
US8368112B2 (en) * 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8083384B2 (en) 2009-02-02 2011-12-27 Teledyne Technologies Incorporated Efficient illumination device for aircraft
JP5779171B2 (ja) 2009-03-26 2015-09-16 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド SiC単結晶の昇華成長方法及び装置
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8741715B2 (en) * 2009-04-29 2014-06-03 Cree, Inc. Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication
US8294507B2 (en) 2009-05-08 2012-10-23 Cree, Inc. Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits
US9035328B2 (en) 2011-02-04 2015-05-19 Cree, Inc. Light-emitting diode component
US8629509B2 (en) * 2009-06-02 2014-01-14 Cree, Inc. High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter
US8193848B2 (en) 2009-06-02 2012-06-05 Cree, Inc. Power switching devices having controllable surge current capabilities
US8304783B2 (en) * 2009-06-03 2012-11-06 Cree, Inc. Schottky diodes including polysilicon having low barrier heights and methods of fabricating the same
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8860043B2 (en) 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8541787B2 (en) * 2009-07-15 2013-09-24 Cree, Inc. High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability
US8105889B2 (en) 2009-07-27 2012-01-31 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including self-aligned gate electrodes and source/drain regions
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8354690B2 (en) 2009-08-31 2013-01-15 Cree, Inc. Solid-state pinch off thyristor circuits
US9362459B2 (en) * 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
KR20120082873A (ko) * 2009-09-15 2012-07-24 투-식스 인코포레이티드 SiC 단결정의 승화 성장
US9312343B2 (en) 2009-10-13 2016-04-12 Cree, Inc. Transistors with semiconductor interconnection layers and semiconductor channel layers of different semiconductor materials
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
US8350370B2 (en) * 2010-01-29 2013-01-08 Cree Huizhou Opto Limited Wide angle oval light emitting diode package
US9548206B2 (en) 2010-02-11 2017-01-17 Cree, Inc. Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features
US8563372B2 (en) * 2010-02-11 2013-10-22 Cree, Inc. Methods of forming contact structures including alternating metal and silicon layers and related devices
US9214352B2 (en) 2010-02-11 2015-12-15 Cree, Inc. Ohmic contact to semiconductor device
US9468070B2 (en) 2010-02-16 2016-10-11 Cree Inc. Color control of light emitting devices and applications thereof
US9117739B2 (en) 2010-03-08 2015-08-25 Cree, Inc. Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
US8901583B2 (en) 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
US8415671B2 (en) 2010-04-16 2013-04-09 Cree, Inc. Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
EP2591280B1 (en) 2010-07-06 2017-12-13 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9831393B2 (en) 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
US8764224B2 (en) 2010-08-12 2014-07-01 Cree, Inc. Luminaire with distributed LED sources
US9627361B2 (en) 2010-10-07 2017-04-18 Cree, Inc. Multiple configuration light emitting devices and methods
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US9249952B2 (en) 2010-11-05 2016-02-02 Cree, Inc. Multi-configurable, high luminous output light fixture systems, devices and methods
USD707192S1 (en) 2010-11-18 2014-06-17 Cree, Inc. Light emitting device
USD712850S1 (en) 2010-11-18 2014-09-09 Cree, Inc. Light emitter device
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
USD721339S1 (en) 2010-12-03 2015-01-20 Cree, Inc. Light emitter device
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US20150062915A1 (en) 2013-09-05 2015-03-05 Cree, Inc. Light emitting diode devices and methods with reflective material for increased light output
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US9240395B2 (en) 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
USD706231S1 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Cree, Inc. Light emitting device
US9822951B2 (en) 2010-12-06 2017-11-21 Cree, Inc. LED retrofit lens for fluorescent tube
US10309627B2 (en) 2012-11-08 2019-06-04 Cree, Inc. Light fixture retrofit kit with integrated light bar
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
US9391247B2 (en) 2010-12-16 2016-07-12 Cree, Inc. High power LEDs with non-polymer material lenses and methods of making the same
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US9583681B2 (en) 2011-02-07 2017-02-28 Cree, Inc. Light emitter device packages, modules and methods
CN103348496A (zh) 2011-02-07 2013-10-09 克利公司 用于发光二极管(led)发光的部件和方法
US8809880B2 (en) 2011-02-16 2014-08-19 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8922108B2 (en) 2011-03-01 2014-12-30 Cree, Inc. Remote component devices, systems, and methods for use with light emitting devices
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
US8680556B2 (en) 2011-03-24 2014-03-25 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US9263636B2 (en) 2011-05-04 2016-02-16 Cree, Inc. Light-emitting diode (LED) for achieving an asymmetric light output
US9029945B2 (en) 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9142662B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
KR20120128506A (ko) * 2011-05-17 2012-11-27 엘지이노텍 주식회사 종자정 부착 장치
US8777463B2 (en) 2011-06-23 2014-07-15 Cree, Inc. Hybrid solid state emitter printed circuit board for use in a solid state directional lamp
US8757840B2 (en) 2011-06-23 2014-06-24 Cree, Inc. Solid state retroreflective directional lamp
US8777455B2 (en) 2011-06-23 2014-07-15 Cree, Inc. Retroreflective, multi-element design for a solid state directional lamp
US8616724B2 (en) 2011-06-23 2013-12-31 Cree, Inc. Solid state directional lamp including retroreflective, multi-element directional lamp optic
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US8686429B2 (en) 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
KR20130002616A (ko) * 2011-06-29 2013-01-08 에스케이이노베이션 주식회사 탄화규소 단결정 성장 장치 및 그 방법
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
CN103782402B (zh) 2011-07-21 2017-12-01 克利公司 用于改进的化学抗性的发光体器件封装、部件和方法、以及相关方法
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
WO2013036481A2 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Cree, Inc. Light emitter packages and devices having improved wire bonding and related methods
US8618582B2 (en) 2011-09-11 2013-12-31 Cree, Inc. Edge termination structure employing recesses for edge termination elements
US8680587B2 (en) 2011-09-11 2014-03-25 Cree, Inc. Schottky diode
CN103918079B (zh) 2011-09-11 2017-10-31 科锐 包括具有改进布局的晶体管的高电流密度功率模块
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
US8664665B2 (en) 2011-09-11 2014-03-04 Cree, Inc. Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array
US8957440B2 (en) 2011-10-04 2015-02-17 Cree, Inc. Light emitting devices with low packaging factor
USD705181S1 (en) 2011-10-26 2014-05-20 Cree, Inc. Light emitting device component
WO2013070696A1 (en) 2011-11-07 2013-05-16 Cree, Inc. High voltage array light emitting diode (led) devices, fixtures and methods
US10043960B2 (en) 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US8895998B2 (en) 2012-03-30 2014-11-25 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
JP5799846B2 (ja) * 2012-02-14 2015-10-28 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
US10020244B2 (en) 2012-03-27 2018-07-10 Cree, Inc. Polymer via plugs with high thermal integrity
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US9538590B2 (en) 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
CN104364904B (zh) 2012-04-06 2017-12-08 克利公司 用于发射期望的光束图案的发光二极管部件和方法
US9188290B2 (en) 2012-04-10 2015-11-17 Cree, Inc. Indirect linear fixture
US8878204B2 (en) 2012-05-04 2014-11-04 Cree, Inc. Submount based light emitter components and methods
US10439112B2 (en) 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
USD749051S1 (en) 2012-05-31 2016-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9349929B2 (en) 2012-05-31 2016-05-24 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods
US9590155B2 (en) 2012-06-06 2017-03-07 Cree, Inc. Light emitting devices and substrates with improved plating
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs
US8860040B2 (en) 2012-09-11 2014-10-14 Dow Corning Corporation High voltage power semiconductor devices on SiC
US9018639B2 (en) 2012-10-26 2015-04-28 Dow Corning Corporation Flat SiC semiconductor substrate
US10788176B2 (en) 2013-02-08 2020-09-29 Ideal Industries Lighting Llc Modular LED lighting system
US9441818B2 (en) 2012-11-08 2016-09-13 Cree, Inc. Uplight with suspended fixture
US9494304B2 (en) 2012-11-08 2016-11-15 Cree, Inc. Recessed light fixture retrofit kit
US9482396B2 (en) 2012-11-08 2016-11-01 Cree, Inc. Integrated linear light engine
US9316382B2 (en) 2013-01-31 2016-04-19 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules
US9017804B2 (en) 2013-02-05 2015-04-28 Dow Corning Corporation Method to reduce dislocations in SiC crystal growth
US9738991B2 (en) 2013-02-05 2017-08-22 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion
US9797064B2 (en) 2013-02-05 2017-10-24 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
US8916896B2 (en) 2013-02-22 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved performance
US10295124B2 (en) 2013-02-27 2019-05-21 Cree, Inc. Light emitter packages and methods
USD738026S1 (en) 2013-03-14 2015-09-01 Cree, Inc. Linear wrap light fixture
US9874333B2 (en) 2013-03-14 2018-01-23 Cree, Inc. Surface ambient wrap light fixture
US10584860B2 (en) 2013-03-14 2020-03-10 Ideal Industries, Llc Linear light fixture with interchangeable light engine unit
US9431590B2 (en) 2013-03-15 2016-08-30 Cree, Inc. Ceramic based light emitting diode (LED) devices and methods
US9215792B2 (en) 2013-03-15 2015-12-15 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for light emitter components
US8940614B2 (en) 2013-03-15 2015-01-27 Dow Corning Corporation SiC substrate with SiC epitaxial film
US9897267B2 (en) 2013-03-15 2018-02-20 Cree, Inc. Light emitter components, systems, and related methods
USD733952S1 (en) 2013-03-15 2015-07-07 Cree, Inc. Indirect linear fixture
USD738542S1 (en) 2013-04-19 2015-09-08 Cree, Inc. Light emitting unit
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
CN105264678B (zh) 2013-06-04 2019-06-21 克利公司 发光二极管介质镜
US9847411B2 (en) 2013-06-09 2017-12-19 Cree, Inc. Recessed field plate transistor structures
US9679981B2 (en) 2013-06-09 2017-06-13 Cree, Inc. Cascode structures for GaN HEMTs
US9755059B2 (en) 2013-06-09 2017-09-05 Cree, Inc. Cascode structures with GaN cap layers
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
CN105518190B (zh) 2013-09-06 2021-08-27 Gtat公司 从硅碳化物先驱物来生产大块硅碳化物的方法和器具
US10900653B2 (en) 2013-11-01 2021-01-26 Cree Hong Kong Limited LED mini-linear light engine
US10612747B2 (en) 2013-12-16 2020-04-07 Ideal Industries Lighting Llc Linear shelf light fixture with gap filler elements
USD750308S1 (en) 2013-12-16 2016-02-23 Cree, Inc. Linear shelf light fixture
US10100988B2 (en) 2013-12-16 2018-10-16 Cree, Inc. Linear shelf light fixture with reflectors
US10234119B2 (en) 2014-03-24 2019-03-19 Cree, Inc. Multiple voltage light emitter packages, systems, and related methods
USD757324S1 (en) 2014-04-14 2016-05-24 Cree, Inc. Linear shelf light fixture with reflectors
US9279192B2 (en) 2014-07-29 2016-03-08 Dow Corning Corporation Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
CN107223168B (zh) 2015-02-05 2019-11-05 美国陶氏有机硅公司 用于宽能带隙晶体的种晶升华的炉
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
RU2603159C1 (ru) * 2015-07-23 2016-11-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ") Способ получения монокристаллического sic
JP6036946B2 (ja) * 2015-08-26 2016-11-30 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
EP3353339A4 (en) 2015-09-24 2019-05-08 Melior Innovations Inc. STEAM-VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND TECHNIQUES USING SILICON CARBIDE DERIVED FROM HIGH-PURITY POLYMER
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10804251B2 (en) 2016-11-22 2020-10-13 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, components and methods
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
CN110447110B (zh) 2017-08-25 2022-12-23 惠州科锐半导体照明有限公司 集成封装中的多个led光源透镜设计
US11056625B2 (en) 2018-02-19 2021-07-06 Creeled, Inc. Clear coating for light emitting device exterior having chemical resistance and related methods
JP7255089B2 (ja) * 2018-05-25 2023-04-11 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法
JP7129856B2 (ja) * 2018-09-06 2022-09-02 昭和電工株式会社 結晶成長装置
IT201900000223A1 (it) * 2019-01-09 2020-07-09 Lpe Spa Camera di reazione con elemento rotante e reattore per deposizione di materiale semiconduttore
US10923585B2 (en) 2019-06-13 2021-02-16 Cree, Inc. High electron mobility transistors having improved contact spacing and/or improved contact vias
US10971612B2 (en) 2019-06-13 2021-04-06 Cree, Inc. High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability
US11257940B2 (en) 2020-01-14 2022-02-22 Cree, Inc. Group III HEMT and capacitor that share structural features
CN111304746A (zh) * 2020-03-31 2020-06-19 福建北电新材料科技有限公司 SiC晶体生长装置及方法
US20210313293A1 (en) 2020-04-03 2021-10-07 Cree, Inc. Rf amplifier devices and methods of manufacturing
US11356070B2 (en) 2020-06-01 2022-06-07 Wolfspeed, Inc. RF amplifiers having shielded transmission line structures
US11837457B2 (en) 2020-09-11 2023-12-05 Wolfspeed, Inc. Packaging for RF transistor amplifiers
US11769768B2 (en) 2020-06-01 2023-09-26 Wolfspeed, Inc. Methods for pillar connection on frontside and passive device integration on backside of die
US11228287B2 (en) 2020-06-17 2022-01-18 Cree, Inc. Multi-stage decoupling networks integrated with on-package impedance matching networks for RF power amplifiers
US11533025B2 (en) 2020-06-18 2022-12-20 Wolfspeed, Inc. Integrated doherty amplifier with added isolation between the carrier and the peaking transistors
US11581859B2 (en) 2020-06-26 2023-02-14 Wolfspeed, Inc. Radio frequency (RF) transistor amplifier packages with improved isolation and lead configurations
US11887945B2 (en) 2020-09-30 2024-01-30 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device with isolation and/or protection structures
US20220139852A1 (en) 2020-10-30 2022-05-05 Cree, Inc. Transistor packages with improved die attach
US20220376085A1 (en) 2021-05-20 2022-11-24 Cree, Inc. Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance
US11842937B2 (en) 2021-07-30 2023-12-12 Wolfspeed, Inc. Encapsulation stack for improved humidity performance and related fabrication methods
US20230075505A1 (en) 2021-09-03 2023-03-09 Wolfspeed, Inc. Metal pillar connection topologies for heterogeneous packaging
US20230078017A1 (en) 2021-09-16 2023-03-16 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device incorporating a substrate recess
EP4324961A1 (en) * 2022-08-17 2024-02-21 SiCrystal GmbH Method for producing a bulk sic single crystal with improved quality using a sic seed crystal with a temporary protective oxide layer, and sic seed crystal with protective oxide layer
US20240105824A1 (en) 2022-09-23 2024-03-28 Wolfspeed, Inc. Barrier Structure for Sub-100 Nanometer Gate Length Devices
US20240105823A1 (en) 2022-09-23 2024-03-28 Wolfspeed, Inc. Barrier Structure for Dispersion Reduction in Transistor Devices
US20240120202A1 (en) 2022-10-06 2024-04-11 Wolfspeed, Inc. Implanted Regions for Semiconductor Structures with Deep Buried Layers

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL87348C (ja) * 1954-03-19 1900-01-01
US3228756A (en) * 1960-05-20 1966-01-11 Transitron Electronic Corp Method of growing single crystal silicon carbide
US3236780A (en) * 1962-12-19 1966-02-22 Gen Electric Luminescent silicon carbide and preparation thereof
NL6615060A (ja) * 1966-10-25 1968-04-26
US3558284A (en) * 1967-05-05 1971-01-26 American Science & Eng Inc Crystal growing apparatus
US3511614A (en) * 1967-06-16 1970-05-12 Little Inc A Heat sensitive fuel controlled verneuil process
US3962406A (en) * 1967-11-25 1976-06-08 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing silicon carbide crystals
US3910767A (en) * 1972-07-05 1975-10-07 Emile Joseph Jemal Apparatus for preparing metallic compounds by sublimation
US3862857A (en) * 1972-12-26 1975-01-28 Ibm Method for making amorphous semiconductor thin films
US3901767A (en) * 1973-04-23 1975-08-26 Robert L Williams Distillation mechanism and system
DE2324783A1 (de) * 1973-05-16 1974-12-12 Siemens Ag Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines kristalls nach verneuil
US3960503A (en) * 1974-12-27 1976-06-01 Corning Glass Works Particulate material feeder for high temperature vacuum system
US4147572A (en) * 1976-10-18 1979-04-03 Vodakov Jury A Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition technique
US4108670A (en) * 1976-12-20 1978-08-22 Ppg Industries, Inc. Porous refractory metal boride article having dense matrix
US4310614A (en) * 1979-03-19 1982-01-12 Xerox Corporation Method and apparatus for pretreating and depositing thin films on substrates
JPS5696883A (en) * 1979-12-29 1981-08-05 Toshiba Corp Manufacture of silicon carbide diode
JPS5948792B2 (ja) * 1982-08-17 1984-11-28 工業技術院長 炭化けい素結晶成長法
DE3230727A1 (de) * 1982-08-18 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von siliziumkarbid
DD224886A1 (de) * 1983-06-30 1985-07-17 Univ Dresden Tech Verfahren zur zuechtung von siliciumcarbid-einkristallen
US4627990A (en) * 1984-03-07 1986-12-09 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method of and apparatus for supplying powdery material
US4556436A (en) * 1984-08-22 1985-12-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of preparing single crystalline cubic silicon carbide layers
NL8500645A (nl) * 1985-03-07 1986-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het afzetten van een laag, die in hoofdzaak uit siliciumcarbide bestaat op een substraat.
JPH0788274B2 (ja) * 1985-09-18 1995-09-27 三洋電機株式会社 SiC単結晶の成長方法
US4640221A (en) * 1985-10-30 1987-02-03 International Business Machines Corporation Vacuum deposition system with improved mass flow control
US4664944A (en) * 1986-01-31 1987-05-12 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Deposition method for producing silicon carbide high-temperature semiconductors
JPS63283014A (ja) * 1987-04-28 1988-11-18 Sharp Corp 炭化珪素半導体素子
US10156877B2 (en) 2016-10-01 2018-12-18 Intel Corporation Enhanced power management for support of priority system events
CN110312461B (zh) 2017-04-19 2022-07-15 Hoya株式会社 内窥镜顶部的安装装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002537209A (ja) * 1999-02-19 2002-11-05 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト α‐SiC塊状単結晶の成長方法
JP2003504298A (ja) * 1999-07-07 2003-02-04 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト SiC単結晶を成長圧力下に加熱して昇華成長させる方法
JP2005507173A (ja) * 2001-10-23 2005-03-10 クリー インコーポレイテッド 半導体デバイスの視覚的検査を向上させるためのパターン
JP2012510951A (ja) * 2008-12-08 2012-05-17 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド 向上した軸勾配輸送(agt)成長方法、及び抵抗加熱を利用した装置
US9228274B2 (en) 2008-12-08 2016-01-05 Ii-Vi Incorporated Axial gradient transport growth process and apparatus utilizing resistive heating

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Publication number Publication date
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DE3855539T2 (de) 1997-01-23
WO1989004055A1 (en) 1989-05-05
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EP0389533B1 (en) 1996-09-11

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