CN111304746A - SiC晶体生长装置及方法 - Google Patents

SiC晶体生长装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111304746A
CN111304746A CN202010240314.4A CN202010240314A CN111304746A CN 111304746 A CN111304746 A CN 111304746A CN 202010240314 A CN202010240314 A CN 202010240314A CN 111304746 A CN111304746 A CN 111304746A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sic
sic crystal
crystal rod
raw material
cake
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010240314.4A
Other languages
English (en)
Inventor
邓树军
张洁
汪良
付芬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Beidian New Material Technology Co ltd
Original Assignee
Fujian Beidian New Material Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Beidian New Material Technology Co ltd filed Critical Fujian Beidian New Material Technology Co ltd
Priority to CN202010240314.4A priority Critical patent/CN111304746A/zh
Publication of CN111304746A publication Critical patent/CN111304746A/zh
Priority to US17/212,726 priority patent/US20210301418A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
    • C30B23/066—Heating of the material to be evaporated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种SiC晶体生长装置及方法，涉及SiC晶体制备技术领域，包括饼形坩埚和加热机构；饼形坩埚包括中空的内腔，内腔的中心设置有SiC晶体棒，SiC晶体棒的两端分别与内腔的上端面和下端面抵接；内腔的周向设置有SiC原料，且SiC原料和SiC晶体棒之间具有间隙；加热机构设置在所述饼形坩埚的外部，用于构建从SiC原料到SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场，以使SiC原料加热升华后的气体能够向SiC晶体棒方向扩散，并沉积在SiC晶体棒的侧壁上，使SiC晶体棒在侧向上生长变大，从而将小尺寸SiC晶体棒生长成大尺寸晶体，不需要多次更换坩埚扩径，良品率高，扩径时间短。

Description

SiC晶体生长装置及方法
技术领域
本发明涉及SiC晶体制备技术领域，尤其是涉及一种SiC晶体生长装置及方法。
背景技术
碳化硅单晶材料属于第三代宽带隙半导体材料的代表，具有宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点。目前碳化硅单晶生长以物理气相沉积法(PVT)为主要生长方式，已经被证明是生长SiC晶体最成熟的方法。将SiC粉料加热到2300℃，在氩气等惰性气体气氛下，升华结晶成为块状晶体。生长过程需要建立合适的温场，使气相组分Si、Si2C、SiC2稳定的生长在籽晶上。
商业上提供的SiC晶体的尺寸从2英寸，3英寸，4英寸，6英寸，以至于8英寸甚至更大。现有的晶体扩径方法一般是在PVT法生长SiC晶体的过程中，将晶体的生长界面尽量调为凸界面。晶体生长过程中不断扩径。一般1炉次最多能扩径3-5mm直径。将该晶体切片后再次放置在较大的坩埚中生长，重复多次可实现最终扩径到所需直径。而SiC晶体从2英寸扩径到8英寸一般需要几十炉次的不断繁衍，晶体很容易在加工的时候出现崩角和破裂，良品率低，整个过程可能需要几年时间才能完成从小尺寸晶体扩径到大尺寸晶体。
发明内容
本发明的目的在于提供一种SiC晶体生产装置及方法，以缓解了现有的晶体扩径方法从小尺寸晶体扩径到大尺寸晶体时，需要重复多次更换坩埚扩径，良品率低，且扩径时间长的技术问题。
本发明提供的SiC晶体生长装置，包括饼形坩埚和加热机构；
所述饼形坩埚包括中空的内腔，所述内腔的中心设置有SiC晶体棒，所述SiC晶体棒的两端分别与所述内腔的上端面和下端面抵接；所述内腔的周向设置有SiC原料，且所述SiC原料和所述SiC晶体棒之间具有间隙；
所述加热机构设置在所述饼形坩埚的外部，用于构建从所述SiC原料到所述SiC晶体棒温度逐渐递减的温度场，以使所述SiC原料升华后的气体能够向所述SiC晶体棒方向扩散，并沉积在所述SiC晶体棒的侧壁上。
进一步的，所述加热机构包括加热体和保温层；
所述保温层包覆在所述饼形坩埚的周向、顶部和底部；所述加热体设置在所述保温层的外部。
进一步的，所述加热体为感应线圈。
进一步的，所述保温层为石墨软毡保温层。
本发明提供的SiC晶体生长方法，包括以下步骤：
将SiC晶体棒设置于饼形坩埚内腔的中心位置；
将SiC原料设置于所述内腔的周向，且所述SiC原料和所述SiC晶体棒之间具有间隙；
构建从所述SiC原料到所述SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场。
进一步的，所述在所述SiC原料和所述SiC原料之间构建温度逐渐递减的温度场的步骤包括：
将所述饼形坩埚置于保温层内；
采用感应线圈、加热电阻或者微波构建所述温度场。
进一步的，所述SiC晶体棒的加热温度为2000℃-2300℃；
所述SiC原料的加热温度为2200℃-2600℃。
进一步的，所述SiC晶体棒的加热温度为2200℃；
所述SiC原料的加热温度为2300℃。
进一步的，所述SiC晶体棒的晶型为4H或6H晶型。
进一步的，所述SiC原料为圆环状SiC块料或者堆垛的多个SiC块料。
本发明提供的SiC晶体生长装置，包括饼形坩埚和加热机构；所述饼形坩埚包括中空的内腔，所述内腔的中心设置有SiC晶体棒，所述SiC晶体棒的两端分别与所述内腔的上端面和下端面抵接；所述内腔的周向设置有SiC原料，且所述SiC原料和所述SiC晶体棒之间具有间隙；所述加热机构设置在所述饼形坩埚的外部，用于构建从所述SiC原料到所述SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场，以使所述SiC原料升华后的气体能够向所述SiC晶体棒方向扩散，并沉积在所述SiC晶体棒的侧壁上，利用设置在饼形坩埚外部的加热机构从SiC原料到SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场，SiC原料加热升华后的SiC气体能够传输到SiC晶体棒处并沉积，使SiC晶体棒在侧向方向上生长变大，从而将小尺寸SiC晶体棒生长成大尺寸晶体，不需要多次更换坩埚扩径，良品率高，且晶体扩径时间短，生产效率高。
本发明提供的SiC晶体生长方法，包括以下步骤：将SiC晶体棒设置于饼形坩埚内腔的中心位置；将SiC原料设置于所述内腔的周向，且所述SiC原料和所述SiC晶体棒之间具有间隙；构建从所述SiC原料到所述SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场。本发明提供的SiC晶体生长方法是将整个SiC晶体棒的侧向(径向)作为生长面，通过建立合适的生长环境使SiC晶体棒的直径快速扩大，时间短，良品率高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的SiC晶体生长装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的SiC晶体生长装置的饼形坩埚内SiC晶体棒及SiC原料的布置示意图；
图3为本发明实施例提供的SiC晶体生长装置的晶体扩径完成的示意图；
图4为本发明实施例提供的SiC晶体生长方法的流程图。
图标：100-饼形坩埚；110-内腔；210-保温层；220-感应线圈；300-SiC晶体棒；400-SiC原料。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1-图3所示，本发明提供的SiC晶体生长装置，包括饼形坩埚100和加热机构。
饼形坩埚100包括中空的内腔110，内腔110的中心设置有SiC晶体棒300，SiC晶体棒300的两端分别与内腔110的上端面和下端面抵接；内腔110的周向设置有SiC原料400，且SiC原料400和SiC晶体棒300之间具有间隙。
将SiC原料400放置于内腔110的周向上，且以SiC晶体棒300为中心的环状区域，SiC原料400可以是SiC的整块多晶，也可以是堆垛的多个SiC块料。
加热机构设置在所述饼形坩埚100的外部，用于构建从SiC原料400到SiC晶体棒300的温度逐渐递减的温度场，以使SiC原料400升华后的气体能够向SiC晶体棒300方向扩散，并沉积在SiC晶体棒300的侧壁上。
本实施例中，SiC晶体棒300可以是较大尺寸得SiC晶体块材，也可以是直径较小的晶体块材。
利用设置在饼形坩埚100周向上的加热机构构建从SiC原料400到SiC晶体棒300的温度逐渐递减的温度场，SiC原料400加热升华后的SiC气体能够传输到SiC晶体棒300处并沉积，使SiC晶体棒300在侧向方向上生长变大，从而将小尺寸SiC晶体棒300生长成大尺寸晶体，不需要多次更换坩埚扩径，良品率高，且晶体扩径时间短，生产效率高。
饼形坩埚100可以使用石墨、Ta等耐高温材料制成。
将扩径生长后的SiC晶体切片加工后可以得到大直径的晶圆，避免了常规的扩径生长的方法是通过碳化硅粉末开始升华变成碳化硅气体，沿着温度梯度从高温区传输到较低温度区域的籽晶片处沉积结晶，在晶体的Si面或C面生长的过程中逐渐扩大直径，扩大到一定直径后切片，再次更加较大坩埚进行迭代扩径，扩径时间长，且扩径生长的晶体应力较大。很容易在加工的时候出现崩角和破裂。故而良率不高。
进一步地，加热机构包括加热体和保温层210。
保温层210包覆在所述饼形坩埚100的周向、顶部和底部；加热体设置在保温层210的外部。
进一步地，加热体为感应线圈220。
具体地，感应线圈220可以分别设置在饼形坩埚100的上端面和下端面，且由饼形坩埚100的中心朝向周边方向，由多个同心环形感应线圈组成，由饼形坩埚100的周边到中心方向，通过设置不同环形感应线圈的功率参数，从而达到构建从SiC原料400到SiC晶体棒300的温度逐渐递减的温度场。
进一步地，保温层210为石墨软毡保温层。
如图4所示，本发明提供的SiC晶体生长方法，依赖于上述的SiC晶体生长装置，具体包括以下步骤：
将SiC晶体棒300设置于饼形坩埚100的内腔110的中心位置；将SiC原料400设置于内腔110的周向，且SiC原料400和SiC晶体棒300之间具有间隙；构建从SiC原料400到SiC晶体棒300的温度逐渐递减的温度场。
进一步地，构建从SiC原料到SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场的步骤包括：将饼形坩埚100置于保温层210内；采用感应线圈220、加热电阻或者微波构建所述温度场。
具体地，保温层210为石墨软毡保温层，用于包裹饼形坩埚100。
本实施例中，感应线圈220设置在保温层210的外部，采用感应线圈220构建具有温度梯度的温度场，该温度场内，从SiC原料400到SiC晶体棒300的温度逐渐递减。
感应线圈220可以为水冷式感应线圈220。
需要说明的是，也可以采有电阻加热的方式构建温度场，这时，电阻设置在保温层210内部。
进一步地，SiC晶体棒300的加热温度为2000℃-2300℃；SiC原料400的加热温度为2200℃-2600℃。
具体地，构建的温度场能够满足PVT法生长SiC晶体的温度梯度，SiC晶体棒300的加热温度范围为2000℃-2300℃，SiC原料400的加热温度的范围为2200℃-2600℃，以使SiC原料400升华后的气态组分Si、Si2C、SiC传输到SiC晶体棒300生产界面，进行快速扩径生长。
优远地，SiC晶体棒300的加热温度为2200℃；SiC原料400的加热温度为2300℃。
进一步地，SiC晶体棒300的晶型为4H或6H晶型。
具体地，SiC晶体棒300可以为20mm厚的2英寸N型4H碳化硅晶体圆棒、20mm厚的4英寸N型4H碳化硅晶体圆棒、20mm厚的6英寸N型4H碳化硅晶体圆棒或者20mm厚的4英寸N型6H碳化硅晶体圆棒。
需要说明的是，本实施例中，饼形坩埚100内腔110的上表面和下表面之间的距离为20mm，故所选SiC晶体棒300的长度为20mm。当然饼形坩埚100的大小也可以为其他尺寸，以适应不同尺寸的SiC晶体棒300。
进一步地，SiC原料400为圆环状SiC块料或者堆垛的多个SiC块料，布置在饼形坩埚100的内腔110中，以为SiC晶体棒300为中心的区域，且SiC原料400与SiC晶体棒300之间具有间隙，并处于构建的具有温度梯度的温度场内，在温度场内，从SiC原料400到SiC晶体棒300的温度逐渐递减，SiC原料400升华后的气体向SiC晶体棒300方向输送并最终沉积在SiC晶体棒300的表面，从而使SiC晶体棒300在侧向上长大，以提高SiC晶体棒300的扩径效率。
具体地，SiC原料400可以为圆环状SiC块料，可以是整块烧结料；也可以是整块的SiC多晶环；也可以是多个堆垛在内腔110周向的多个SiC块料。
本发明提供的SiC晶体生长方法的生产过程为：
首先，在饼形坩埚100依次装入20mm厚的2英寸N型4H碳化硅晶体圆棒和SiC原料400，其中，20mm厚的2英寸N型4H碳化硅晶体圆棒放置在饼形坩埚100的内腔110的中心，SiC原料400放置在内腔110中，且位于晶体圆棒为中心的环状区域，将饼形坩埚100装入石墨软毡保温层210构建的温度场中。
其次，将其整体装入SiC单晶生长炉中，抽真空到压力1x10-5mbar以下，充入氩气控制压力在500mbar环境之下，打开水冷式感应线圈220通电感应加热饼形坩埚100，同时通过通气管通入500sccm氩气和5sccm氮气的混合气体，加热到SiC晶体棒300所在区域的温度为2200℃，SiC原料400所在原料区域的温度为2300℃，SiC原料400加热升华后为SiC气体，并能够沿着温度梯度从原料区域传输到较低温度区域的SiC晶体棒300沉积，使SiC晶体棒300在侧向方向上生长变大，经过10天生长，得到1块20mm厚的4英寸N型4H晶体。
最后，扩径完成后的晶体切片后产出30片合格的4英寸N型衬底。
需要说明的是，采用上述方法，在饼形坩埚100中心放置20mm厚的4英寸N型4H碳化硅晶体圆棒，经过10天生长，得到1块20mm厚的6英寸N型4H晶体。晶体切片后产出30片合格的6英寸N型衬底。
同理，采用上述方法，在饼形坩埚100中心放置20mm厚的6英寸N型4H碳化硅晶体圆棒，经过10天生长，得到1块20mm厚的8英寸N型4H晶体。晶体切片后产出30片合格的8英寸N型衬底。
采用上述方法，在饼形坩埚100中心放置20mm厚的4英寸N型6H碳化硅晶体圆棒，经过10天生长，得到1块20mm厚的6英寸N型6H晶体。晶体切片后产出30片合格的6英寸N型衬底。
综上所述，本发明提供的SiC晶体生长装置，包括饼形坩埚100和加热机构；饼形坩埚100包括中空的内腔110，内腔110的中心设置有SiC晶体棒300，SiC晶体棒300的两端分别与内腔110的上端面和下端面抵接；内腔110的周向设置有SiC原料400，且SiC原料400和SiC晶体棒300之间具有间隙；加热机构设置在饼形坩埚100的外部，用于构建从SiC原料400到SiC晶体棒300的温度逐渐递减的温度场，以使SiC原料400升华后的气体能够向SiC晶体棒300方向扩散，并沉积在SiC晶体棒300的侧壁上，利用设置在饼形坩埚100周向上的加热机构在SiC晶体棒300和SiC原料400之间构建温度逐渐递减的温度场，SiC原料400加热升华后的气体能够传输到SiC晶体棒300处并沉积，使SiC晶体棒300在侧向方向上生长变大，从而将小尺寸SiC晶体棒300生长成大尺寸晶体，不需要多次更换坩埚扩径，良品率高，且晶体扩径时间短，生产效率高。
本发明提供的SiC晶体生长方法，包括以下步骤：将SiC晶体棒300设置于饼形坩埚100的内腔110的中心位置；将SiC原料400设置于内腔110的周向，且SiC原料400和所述SiC晶体棒300之间具有间隙；构建从SiC原料400到SiC晶体棒300的温度逐渐递减的温度场。本发明提供的SiC晶体生长方法是将整个SiC晶体棒300的侧向(径向)作为生长面，通过建立合适的生长环境使SiC晶体棒300的直径快速扩大，时间短，良品率高。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种SiC晶体生长装置，其特征在于，包括饼形坩埚和加热机构；
所述饼形坩埚包括中空的内腔，所述内腔的中心设置有SiC晶体棒，所述SiC晶体棒的两端分别与所述内腔的上端面和下端面抵接；所述内腔的周向设置有SiC原料，且所述SiC原料和所述SiC晶体棒之间具有间隙；
所述加热机构设置在所述饼形坩埚的外部，用于构建从所述SiC原料到所述SiC晶体棒温度逐渐递减的温度场，以使所述SiC原料升华后的气体能够向所述SiC晶体棒方向扩散，并沉积在所述SiC晶体棒的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的SiC晶体生长装置，其特征在于，所述加热机构包括加热体和保温层；
所述保温层包覆在所述饼形坩埚的周向、顶部和底部；所述加热体设置在所述保温层的外部。
3.根据权利要求2所述的SiC晶体生长装置，其特征在于，所述加热体为感应线圈。
4.根据权利要求2所述的SiC晶体生长装置，其特征在于，所述保温层为石墨软毡保温层。
5.一种SiC晶体生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
将SiC晶体棒设置于饼形坩埚内腔的中心位置；
将SiC原料设置于所述内腔的周向，且所述SiC原料和所述SiC晶体棒之间具有间隙；
构建从所述SiC原料到所述SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场。
6.根据权利要求5所述的SiC晶体生长方法，其特征在于，所述构建从所述SiC原料到所述SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场的步骤包括：
将所述饼形坩埚置于保温层内；
采用感应线圈、加热电阻或者微波构建所述温度场。
7.根据权利要求6所述的SiC晶体生长方法，其特征在于，所述SiC晶体棒的加热温度为2000℃-2300℃；
所述SiC原料的加热温度为2200℃-2600℃。
8.根据权利要求7所述的SiC晶体生长方法，其特征在于，所述SiC晶体棒的加热温度为2200℃；
所述SiC原料的加热温度为2300℃。
9.根据权利要求5-8任一项所述的SiC晶体生长方法，其特征在于，所述SiC晶体棒的晶型为4H或6H晶型。
10.根据权利要求5-8任一项所述的SiC晶体生长方法，其特征在于，所述SiC原料为圆环状SiC块料或者堆垛的多个SiC块料。
CN202010240314.4A 2020-03-31 2020-03-31 SiC晶体生长装置及方法 Pending CN111304746A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010240314.4A CN111304746A (zh) 2020-03-31 2020-03-31 SiC晶体生长装置及方法
US17/212,726 US20210301418A1 (en) 2020-03-31 2021-03-25 Sic crystal growth device and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010240314.4A CN111304746A (zh) 2020-03-31 2020-03-31 SiC晶体生长装置及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111304746A true CN111304746A (zh) 2020-06-19

Family

ID=71157318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010240314.4A Pending CN111304746A (zh) 2020-03-31 2020-03-31 SiC晶体生长装置及方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20210301418A1 (zh)
CN (1) CN111304746A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111793826A (zh) * 2020-07-27 2020-10-20 河北同光科技发展有限公司 一种高质量大直径SiC单晶的制备装置及方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114836834B (zh) * 2022-07-04 2022-11-22 浙江大学杭州国际科创中心 一种pvt法连续生长单晶碳化硅的装置和方法
CN115558986B (zh) * 2022-11-14 2023-03-17 浙江晶越半导体有限公司 一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的坩埚

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009040637A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
KR20090077446A (ko) * 2008-01-11 2009-07-15 동의대학교 산학협력단 대구경 고품질 탄화규소 단결정의 직경확장을 위한 단결정성장 장치 및 그 방법
CN107059130A (zh) * 2017-04-20 2017-08-18 山东大学 一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法
CN110396723A (zh) * 2019-07-12 2019-11-01 山东天岳先进材料科技有限公司 一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用
CN111058088A (zh) * 2019-12-24 2020-04-24 山东天岳先进材料科技有限公司 一种用于pvt法制备单晶的长晶炉及其应用

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4866005A (en) * 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
JP2010105863A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Bridgestone Corp 炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法
JP2010111521A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Bridgestone Corp 炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法
US10294584B2 (en) * 2009-03-26 2019-05-21 Ii-Vi Incorporated SiC single crystal sublimation growth method and apparatus
US20160138185A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009040637A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
KR20090077446A (ko) * 2008-01-11 2009-07-15 동의대학교 산학협력단 대구경 고품질 탄화규소 단결정의 직경확장을 위한 단결정성장 장치 및 그 방법
CN107059130A (zh) * 2017-04-20 2017-08-18 山东大学 一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法
CN110396723A (zh) * 2019-07-12 2019-11-01 山东天岳先进材料科技有限公司 一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用
CN111058088A (zh) * 2019-12-24 2020-04-24 山东天岳先进材料科技有限公司 一种用于pvt法制备单晶的长晶炉及其应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
褚君浩等主编: "《半导体材料技术》", 28 February 2010 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111793826A (zh) * 2020-07-27 2020-10-20 河北同光科技发展有限公司 一种高质量大直径SiC单晶的制备装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210301418A1 (en) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210301418A1 (en) Sic crystal growth device and method
JP4388538B2 (ja) 炭化珪素単結晶製造装置
US20150361580A1 (en) Device and method for producing multi silicon carbide crystals
KR101760030B1 (ko) 대구경 탄화규소 단결정 성장 장치로부터 소구경 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법 및 장치
JP2017105676A (ja) 単結晶の製造方法および単結晶製造装置
KR20120025554A (ko) 탄화규소 결정의 제조 방법, 탄화규소 결정, 및 탄화규소 결정의 제조 장치
EP1268882B1 (en) Axial gradient transport apparatus and process for producing large size, single crystals of silicon carbide
CN112553694A (zh) 一种碳化硅单晶高温退火的方法及装置
KR102239736B1 (ko) 탄화규소 잉곳의 제조방법 및 이에 따라 제조된 탄화규소 잉곳
CN211420368U (zh) 用于生长大直径碳化硅晶体的装置
CN108149324A (zh) 一种新型氮化铝自成核生长方法
JP2018140903A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
CN218175203U (zh) 一种可调节热场的八英寸pvt生长炉
KR102236396B1 (ko) 탄화규소 잉곳의 제조방법 및 탄화규소 잉곳 제조용 시스템
CN212640658U (zh) 一种用于提高原料利用率的坩埚
EP1404904B1 (en) Production method of alpha-sic wafer
KR20170073834A (ko) 탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치
CN113512758B (zh) 碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统
JP4216491B2 (ja) α−ＳｉＣウェハの製造方法
JP7305818B1 (ja) 炭化ケイ素単結晶成長の熱場調整方法
CN117385468A (zh) 一种B掺杂AlN单晶及制备方法
JP2024509229A (ja) 基板上に単結晶層を製造するシステム及び方法
CN113512758A (zh) 碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统
CN116815319A (zh) 碳化硅晶体生长方法和长晶装置
CN117661105A (zh) 籽晶片的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200619