CN116815319A - 碳化硅晶体生长方法和长晶装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例提供了一种碳化硅晶体生长方法和长晶装置涉及半导体及时领域。碳化硅晶体生长方法包括以下步骤：(1)组装阶段；(2)除杂升温阶段；(3)形核阶段：根据第一温度传感器和第二温度传感器的温度得到坩埚顶部的边缘与中心的实际温差；依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近坩埚的方向移动，以使坩埚顶部的中心与边缘的实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚顶部中心的温度低于边缘的温度，让碳化硅原料气相传输至籽晶处形核；(4)生长阶段。其能够在形核阶段更好地调节籽晶区环形温场，以提高了晶体生长质量与生长速率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长方法和长晶装置。
背景技术
碳化硅晶体是典型的宽禁带半导体材料，是继硅、砷化镓之后的第三代半导体材料代表之一。碳化硅晶体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率等优异特性，成为制备高温、高频、高功率及抗辐射器件的热门材料之一。
目前碳化硅生长的方法主要有物理气相传输法(PVT)、液相外延法(LPE)、化学气相沉积法(CVD)等。其中PVT法是应用最成熟的方法，其通过对坩埚内的碳化硅粉料进行加热，使粉料分解，在温度较低的籽晶处结晶生长，从而实现晶体的生长。
PVT法生长碳化硅晶体往往需要在籽晶处构建非常均匀的温度场，通过稳定的径向温梯和轴向温梯实现碳化硅气氛的均匀向上传输及有序排列，从而得到低缺陷密度的高质量碳化硅晶体。形核是碳化硅晶体生长中非常重要的环节，形核质量的好坏将直接决定后期碳化硅晶体的结晶质量，而形核阶段温场的控制与调节则成为影响形核质量的关键因素。
现有的，在PVT法生长碳化硅晶体的形核阶段，碳化硅晶体生长的温场不稳定，影响了形核质量，直接影响了碳化硅晶体的生长质量。
发明内容
本发明的目的包括，例如，提供了一种碳化硅晶体生长方法和长晶装置，其能够在形核阶段更好地调节籽晶区环形温场，实现径向温梯的定向定量调节，以生长出均匀致密的单晶后，再以快速生长单晶方式生长，这样可以提高了晶体生长质量与生长速率。
本发明的实施例可以这样实现：
第一方面，本发明提供一种碳化硅晶体生长方法，所述方法包括以下步骤：
(1)组装阶段，将籽晶置于坩埚的顶部，碳化硅原料填充于坩埚的底部；将填料后的坩埚置于长晶装置的石墨加热器内，并使坩埚位于长晶装置的修饰加热器的下方，且让长晶装置的一个温度传感器与坩埚顶部的中心对应，另一个温度传感器与坩埚顶部的边缘对应；
(2)除杂升温阶段：利用长晶装置抽真空至第一预设压力以下；再以第一预设速率向长晶装置内充入氩气，使长晶装置压力回至第二预设压力，并以此循环多个周期；再控制所述石墨加热器和修饰加热器加热，使籽晶的温度在第一温度范围内，并使压力保持在第一预设范围内；
(3)形核阶段：根据第一温度传感器和第二温度传感器的温度得到坩埚顶部的边缘与中心的实际温差；依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近坩埚的方向移动，以使坩埚顶部的边缘与中心的实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚顶部中心的温度低于边缘的温度，让碳化硅原料气相传输至籽晶处形核；
(4)生长阶段：控制坩埚内的温度和压力，使得碳化硅原料气相传输至籽晶处进行长晶。
在可选的实施方式中，所述第一温差预设范围具有一上限制和下限值；
所述依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近坩埚的方向移动的步骤包括；
若所述实际温差大于所述上限制，则控制修饰加热器着靠近所述坩埚顶部的方向移动；
若所述实际温差小于所述下限值，则控制修饰加热器向着远离所述坩埚顶部的方向移动；
若所述实际温差在所述上限值与下限值的温差范围内，则使所述修饰加热器维持在原来的位置。
在可选的实施方式中，形核阶段，所述上限制为15℃，所述下限值为6℃。
在可选的实施方式中，所述石墨加热器上端向内凸设有凸设部；
所述修饰加热器在所述凸设部的高度范围内移动。
在可选的实施方式中，所述生长阶段包括：
主长晶阶段：对长晶装置腔体内进行降压第一预设时间，使腔体内压力下降至第二预设压力范围；在第二预设时间内，使腔体内压力维持在第二预设压力范围内，并使坩埚底部粉料去的温度维持在第一温度区间,气相温度维持第二温度区间,籽晶温度维持在第三温度区间，并控制修饰加热器移动使坩埚盖边缘与中心温度差维持在第二温差预设范围内；
末长晶阶段：第三预设时间内，使腔体内压力上升至第三预设压力范围内，并使坩埚底部粉料去的温度下降至在第四温度区间,气相温度下降至五温度区间,籽晶温度下降至第六温度区间，并使坩埚盖中心与边缘温度差维持在第二温差预设范围内，并控制修饰加热器移动使坩埚盖边缘的中心温度差维持在第三温差预设范围内；并使其维持第四预设时间。
在可选的实施方式中，在所述末长晶阶段，所述坩埚边缘的温度接近或小于所述坩埚的中心温度。
第二方面，本发明提供一种长晶装置，包括本体、石墨加热器、修饰加热器、第一温度传感器和第二温度传感器；
所述本体具有一腔室，所述腔室内设置有坩埚托盘，所述石墨加热器设置于所述腔室内，且套设在所述坩埚托盘的外周；
所述修饰加热器可移动地安装于所述本体，且与所述坩埚托盘对应设置；
所述第一温度传感器和第二温度传感器安装于所述本体，用于分别探测放置在坩埚托盘上坩埚顶部中心和边缘的温度。
在可选的实施方式中，所述石墨加热器的顶部向内凸设有环形的凸设部；
所述修饰加热器可移动地安装在石墨架热器内，且可在所述凸设部的高度范围内移动。
在可选的实施方式中，所述第一温度传感器和所述第二温度传感器外红外温度传感器；
所述修饰加热器的中心设置有第一测温孔，边缘设置有第二测温孔，所述第一温度传感器可通过所述第一测温孔测量坩埚顶盖中心的温度，所述第二温度传感器可通过第二测温孔测量坩埚边缘的温度。
在可选的实施方式中，所述修饰加热器具有多个环设的加热区，多个所述环设的加热区可独立控温。
本发明实施例提供的碳化硅晶体生长方法和长晶装置的有益效果包括，例如：
本申请通过设置第一温度传感器检测坩埚顶部的中心温度，设置第二温度传感器检测坩埚顶部边缘的温度，再将修饰加热器可移动地安装在坩埚的上方。在形核阶段根据第一温度传感器和第二温度传感器的温度得到坩埚顶部的中心与边缘的实际温差，并依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近坩埚的方向移动，以使坩埚顶部的边缘与中心的实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚顶部中心的温度低于边缘的温度，让碳化硅原料气相传输至籽晶处形核。通过修饰加热器的移动可以在在形核阶段更好地调节籽晶区环形温场，实现径向温梯的定向定量调节，以生长出均匀致密的单晶后，再以快速生长单晶方式生长，这样可以提高了晶体生长质量与生长速率。同时，在形核阶段可以让中间区域生长速度快，而边缘区域生长速度慢，这样使晶体端部在形核阶段形成一个凸球面，从而可以增大长晶的面积，以在主长晶阶段可以快速的长晶。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的长晶装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的长晶装置的修饰加热器结构示意图；
图3为本发明另外一些实施例提供的长晶装置的修饰加热器结构示意图；
图4为本发明实施提供的碳化硅晶体生长方法在形核阶段形成的晶体的形状；
图5为本发明实施提供的碳化硅晶体生长方法在末长晶阶段形成的晶体的形状。
图标：100-长晶装置；110-本体；111-腔室；130-石墨加热器；131-凸设部；133-突出部；150-修饰加热器；151-第一测温孔；153-第二测温孔；155-加热区；171-第一温度传感器；173-第二温度传感器；190-坩埚托盘；200-坩埚。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。
实施例
请参照图1和图2，本实施例提供一种长晶装置100，其用于利用物理气相传输法生长晶锭。长晶装置100包括本体110、石墨加热器130、修饰加热器150、第一温度传感器171和第二温度传感器173。本体110具有一腔室111，腔室111内设置有坩埚托盘190，石墨加热器130设置于腔室111内，且围合在坩埚外周。修饰加热器150可移动地安装于本体110，且与坩埚托盘190对应设置。第一温度传感器171和第二温度传感器173安装于所述本体110，用于分别探测放置在坩埚托盘190上坩埚200顶部中心和边缘的温度。修饰加热器150可依据第一温度传感器171和第二温度传感器173器检测到的温度移动，从而调节温场分布。
本实施例通过本体110的腔室111内安装可移动的修饰加热器150，利用修饰加热器150可以方便的调节温场的径向温度，再配合石墨加热器130来形成高度方向的温场分布，从而可以更好的实现长晶。
在本实施例中，修饰加热器150为石墨加热器，其通过电动伸缩杆或液压伸缩杆安装在腔室111的顶壁，且伸入在石墨加热器130内。利用电动伸缩杆或液压伸缩杆的伸缩从而可以调整修饰加热器150的位置，以实现对坩埚200顶部的加热。
请参照图1和图2，在本实施例中，石墨加热器130呈圆筒状，所述石墨加热器130的顶部向内凸设有环形的凸设部131，底部也先内凸设有环形突出部133。这样利用底部的环形突出部133与修饰加热器150的相对位置可实现坩埚200高度方向温场的控制。
在本实施例中，为避免修饰加热器150对石墨加热器130高度方向温度场的影响，修饰加热器150可在凸设部131的高度范围内移动。
具体的，为保证修饰加热器150的移动范围可在石墨加热器130和修饰加热器150上设置上下限位结构，以限制修饰加热器150移动。
请参照图1和图2，在本实施例中，所述第一温度传感器171和所述第二温度传感器173外红外温度传感器，所述修饰加热器150的中心设置有第一测温孔151，边缘设置有第二测温孔153，所述第一温度传感器171器可通过所述第一测温孔151测量坩埚200顶盖中心的温度，所述第二温度传感器173可通过第二测温孔153测量坩埚200边缘的温度。
请参照图1和图2，在本实施例中，修饰加热器150为石墨状制成的螺旋式的加热器。
请参照图3，在本申请的另外一些实施例中，所述修饰加热器150也可具有多个环设的加热区155，多个所述环设的加热区155，每个加热区155可独立控温。从而可以根据不同的需求调控不同区域的温度。
本实施例还提供一种碳化硅晶体的生长方法，其能够提高晶体的生长效率和生长质量。
在本实施例中，碳化硅晶体生长方法包括以下步骤：
(1)组装阶段，将籽晶置于坩埚200的顶部，碳化硅原料填充于坩埚200的底部；将填料后的坩埚200置于长晶装置100的石墨加热器130内，并使坩埚200位于长晶装置100的修饰加热器150的下方，且让长晶装置100的一个温度传感器与坩埚200顶部的中心对应，另一个温度传感器与坩埚200顶部的边缘对应；
(2)除杂升温阶段：利用长晶装置100抽真空至第一预设压力以下；再以第一预设速率向长晶装置100内充入氩气，使长晶装置100内压力将至第二预设压力，并以此循环多个周期；再控制所述石墨加热器130和修饰加热器150加热，使籽晶的温度在第一温度范围内，并使压力保持在第一预设范围内；
(3)形核阶段：根据第一温度传感器171和第二温度传感器173的温度得到坩埚200顶部的边缘与中心的实际温差；依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器150向着远离坩埚200或靠近坩埚200的方向移动，以使坩埚200顶部的边缘与中心的实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚200顶部中心的温度低于边缘的温度，让碳化硅原料气相传输至籽晶处形核；
(4)生长阶段：控制坩埚200内的温度和压力，使得碳化硅原料气相传输至籽晶处进行长晶。
本实施例通过设置第一温度传感器171检测坩埚200顶部的中心温度，设置第二温度传感器173检测坩埚200顶部边缘的温度，再将修饰加热器150可移动地安装在坩埚200的上方。在形核阶段根据第一温度传感器171和第二温度传感器173的温度得到坩埚200顶部的中心与边缘的实际温差，并依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器150向着远离坩埚200或靠近坩埚200的方向移动，以使坩埚200顶部的边缘与中心的实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚200顶部中心的温度接近或低于边缘的温度，让碳化硅原料气相传输至籽晶处形核。通过修饰加热器150的移动可以在在形核阶段更好地调节籽晶区环形温场，实现径向温梯的定向定量调节，以生长出均匀致密的单晶后，再以快速生长单晶方式生长，这样可以提高了晶体生长质量与生长速率。同时，在形核阶段可以让中间区域生长速度快，而边缘区域生长速度慢，这样使晶体端部在形核阶段形成一个凸球面，如图4所示。从而可以增大长晶的面积，以在主长晶阶段可以快速的长晶。
在本实施例中，第一预设压力为10^-6mbar，可上下少许浮动。第一预设速率为50～500ml/min，第二预设压力300～500mbar，第一温度范围为1400～1800℃中任一值，第一预设范围为700～900mbar。
在本实施例中，所述第一温差预设范围具有一上限制和下限值；
所述依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器150向着远离坩埚200或靠近坩埚200的方向移动的步骤包括；
若所述实际温差大于所述上限制，则控制修饰加热器150向着靠近所述坩埚200顶部的方向移动；
若所述实际温差小于所述下限值，则控制修饰加热器150向着远离所述坩埚200顶部的方向移动；
若所述实际温差在所述上限值与下限值的温差范围内，则使所述修饰加热器150维持在原来的位置。
在本实施例中，所述上限制为15℃，所述下限值为6℃。
本实施例通过控制实际温差在6℃-15℃之间，这样可以更好的形成环形温场，让形核阶段能够长慢一些，从而可以长的更好。
在本实施例，所述石墨加热器130上端向内凸设有凸设部131；所述修饰加热器150在所述凸设部131的高度范围内移动。
本实施例让，修饰加热器150在凸设部131的高度范围内移动，这样可以避免修饰加热器150影响石墨加热器130的轴向温场分布。
在本实施例中，所述生长阶段包括：
主长晶阶段：在第一预设时间内，使腔体内压力下降至第二预设压力范围；在第二预设时间内，使腔体内压力维持在第二预设压力范围内，并使坩埚200底部粉料去的温度维持在第一温度区间,气相温度维持第二温度区间,籽晶温度维持在第三温度区间，并控制修饰加热器150移动使坩埚200盖中心与边缘温度差维持在第二温差预设范围内；
末长晶阶段：第三预设时间内，使腔体内压力上升至第三预设压力范围内，并使坩埚200底部粉料去的温度下降至在第四温度区间,气相温度下降至五温度区间,籽晶温度下降至第六温度区间，并使坩埚200盖中心与边缘温度差维持在第二温差预设范围内，并控制修饰加热器150移动使坩埚200盖边缘的中心温度差维持在第三温差预设范围内；并使其维持第四预设时间。
在本实施例中，第一预设时间为8h，第二预设压力范围为5～40mbar。第二预设时间80-100h，第一温度区间为2450～2550℃，第二温度区间为2300～2400℃，第三温度区间为2250～2350℃，第三预设时间为8h，第三预设压力范围50～100mbar,第四温度区间为2300～2550℃，第五温度区间为2150～2400℃,第六温度区间为2100～2350℃。第四预设时间为20-30h。
本实施例让形核阶段的温度低于长晶阶段的温度，而让形核阶段的压力高于长晶阶段的压力，这样可以在形核阶段让形核的速度变慢，生长质量变高。
在本实施例中，在所述主长晶阶段，所述坩埚200盖边缘的温度接近大于所述坩埚200盖的中心温度，且第二预设温差范围的取值为2～6℃，同时末长晶阶段，所述坩埚200盖边缘的温度接近或小于所述坩埚200的中心温度，且第三预设温差范围的取值为3～-5℃。这样可以让晶体地外圈长速增快，而中心长速变慢，从而消除应力，可以最终长成小凸度的晶体，如图5所示，可以切更多的晶圆。
在末长晶阶段，可用调整修饰加热器150的位置实现实际温度差在第三预设范围，也可通过调整修饰加热器150不同区域的温度实现实际温差在第三预设范围内。
在本实施例中，所述方法还包括：
退火阶段：使腔体内压力在100～200mbar，退火持续时间5hr,粉料温度1100～1300℃,气相温度1050～1250℃,籽晶温度1000～1200℃,退火持续时间5hr,再自然冷却,降压到一大气压力，取出坩埚200。
综上所述，本实施例提供的碳化硅晶体生长方法和长晶装置100的工作原理和有益效果是：
长晶装置100使用一组大功率主石墨加热器130，坩埚200下方石墨加热器130厚度比侧壁厚很多，形成有固定稳定的轴向温度梯度,不需要靠软件控制坩埚200升降,只需调整修饰加热器150上下位置与环形温梯，不会对温场的均匀稳定性造成严重影响，可维持住原本碳化硅气氛的有序传输，不会使坩埚200内的碳化硅粉料发生震动移位，减少了多型、包裹体等缺陷的产生机率，提高了碳化硅的晶体结晶质量。另外，采用碳化硅晶体生长方法，在形核与主长晶阶段，固定主石墨加热器130与坩埚200相对位置，通过控制修饰加热器150上下位置，调节籽晶区环形温场，实现径向温梯的定向定量调节，生长出均匀致密的单晶台阶后再以快速生长单晶方式生长，这提高了晶体生长质量与生长速率，在最后生长与退火阶段，使用低温较高压力值，降低单晶生长速率，防止碳化后形成碳包裹物，减小晶体应力，获得高质量的晶体。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)组装阶段，将籽晶置于坩埚的顶部，碳化硅原料填充于坩埚的底部；将填料后的坩埚置于长晶装置的石墨加热器内，并使坩埚位于长晶装置的修饰加热器的下方，且让长晶装置的一个温度传感器与坩埚顶部的中心对应，另一个温度传感器与坩埚顶部的边缘对应；
(2)除杂升温阶段：利用长晶装置抽真空至第一预设压力以下；再以第一预设速率向长晶装置内充入氩气，使长晶装置内压力将至第二预设压力，并以此循环多个周期；再控制所述石墨加热器和修饰加热器加热，使籽晶的温度在第一温度范围内，并使压力保持在第一预设范围内；
(3)形核阶段：根据第一温度传感器和第二温度传感器的温度得到坩埚顶部的边缘与中心的实际温差；依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近坩埚的方向移动，以使坩埚顶部的边缘与中心的实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚顶部中心的温度低于边缘的温度，让碳化硅原料气相传输至籽晶处形核；
(4)生长阶段：控制坩埚内的温度和压力，使得碳化硅原料气相传输至籽晶处进行长晶。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述第一温差预设范围具有一上限制和下限值；
所述依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近坩埚的方向移动的步骤包括；
若所述实际温差大于所述上限值，则控制修饰加热器向着靠近所述坩埚顶部的方向移动；
若所述实际温差小于所述下限值，则控制修饰加热器向着远离所述坩埚顶部的方向移动；
若所述实际温差在所述上限值与所述下限值的温差范围内，则使所述修饰加热器维持在原来的位置。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，形核阶段，所述上限制为15℃，所述下限值为6℃。
4.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述石墨加热器上端向内凸设有凸设部；
所述修饰加热器在所述凸设部的高度范围内移动。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述控制坩埚内的温度和压力，使得碳化硅原料气相传输至籽晶处进行长晶的步骤包括：
主长晶阶段：对长晶装置腔体内进行降压第一预设时间，使腔体内压力下降至第二预设压力范围；在第二预设时间内，使腔体内压力维持在第二预设压力范围内，并使坩埚底部粉料去的温度维持在第一温度区间,气相温度维持第二温度区间,籽晶温度维持在第三温度区间，并控制修饰加热器移动使坩埚盖边缘与中心温度差维持在第二温差预设范围内；
末长晶阶段：第三预设时间内，使腔体内压力上升至第三预设压力范围内，并使坩埚底部粉料去的温度下降至在第四温度区间,气相温度下降至五温度区间,籽晶温度下降至第六温度区间，并使坩埚盖中心与边缘温度差维持在第二温差预设范围内，并控制修饰加热器移动使坩埚盖边缘的中心温度差维持在第三温差预设范围内；并使其维持第四预设时间。
6.根据权利要求5所述的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，在所述末长晶阶段，所述坩埚边缘的温度等于或小于所述坩埚的中心温度。
7.一种长晶装置，其特征在于，包括本体、石墨加热器、修饰加热器、第一温度传感器和第二温度传感器；
所述本体具有一腔室，所述腔室内设置有坩埚托盘，所述石墨加热器设置于所述腔室内，且套设在所述坩埚托盘的外周；
所述修饰加热器可移动地安装于所述本体，且与所述坩埚托盘对应设置；
所述第一温度传感器和第二温度传感器安装于所述本体，用于分别探测放置在坩埚托盘上坩埚顶部中心和边缘的温度。
8.根据权利要求7所述的长晶装置，其特征在于，所述石墨加热器的顶部向内凸设有环形的凸设部；
所述修饰加热器可移动地安装在石墨架热器内，且可在所述凸设部的高度范围内移动。
9.根据权利要求7所述的长晶装置，其特征在于，所述第一温度传感器和所述第二温度传感器外红外温度传感器；
所述修饰加热器的中心设置有第一测温孔，边缘设置有第二测温孔，所述第一温度传感器可通过所述第一测温孔测量坩埚顶盖中心的温度，所述第二温度传感器可通过第二测温孔测量坩埚边缘的温度。
10.根据权利要求7所述的长晶装置，其特征在于，所述修饰加热器具有多个环设的加热区，多个所述环设的加热区可独立控温。
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|---|---|---|---|
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| US20130269598A1 (en) * | 2010-12-14 | 2013-10-17 | Institute Of Physics Chinese Academy Of Sciences | Process for growing silicon carbide single crystal by physical vapor transport method and annealing silicon carbide single crystal in situ |
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2023
- 2023-06-27 CN CN202310770372.1A patent/CN116815319A/zh active Pending
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