DE60332542D1 - Siliciumcarbid-einkristall und verfahren und vorrichtung zu seiner herstellung - Google Patents

Siliciumcarbid-einkristall und verfahren und vorrichtung zu seiner herstellung

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Atsushi Takagi
Naoki Oyanagi
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5146975B2 (ja) * 2004-06-17 2013-02-20 新日鐵住金株式会社 炭化珪素単結晶および単結晶ウェハ
US7323052B2 (en) * 2005-03-24 2008-01-29 Cree, Inc. Apparatus and method for the production of bulk silicon carbide single crystals
JP4766620B2 (ja) * 2006-03-23 2011-09-07 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造装置
DE102009004751B4 (de) * 2009-01-15 2012-08-09 Sicrystal Ag Thermisch isolierte Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines SiC-Volumeneinkristalls
JP2010241628A (ja) * 2009-04-03 2010-10-28 Bridgestone Corp 炭化珪素単結晶の製造装置
KR20120138445A (ko) * 2011-06-15 2012-12-26 엘지이노텍 주식회사 잉곳 제조 장치
US8758510B2 (en) 2011-12-28 2014-06-24 Sicrystal Aktiengesellschaft Production method for an SiC volume monocrystal with a non-homogeneous lattice plane course and a monocrystalline SiC substrate with a non-homogeneous lattice plane course
JP7242989B2 (ja) * 2018-10-17 2023-03-22 株式会社レゾナック ＳｉＣ単結晶製造装置
CN109402731B (zh) 2018-10-17 2021-01-15 福建北电新材料科技有限公司 一种高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法
JP7464806B2 (ja) * 2018-11-05 2024-04-10 学校法人関西学院 ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
CN113652738B (zh) * 2021-07-27 2022-08-26 奥趋光电技术(杭州)有限公司 一种用于物理气相传输法生长晶体的坩埚系统及其使用方法
CN115287748A (zh) * 2022-07-27 2022-11-04 武汉大学 一种用于升华法制备碳化硅单晶的坩埚
CN115261977A (zh) * 2022-08-04 2022-11-01 福建北电新材料科技有限公司 碳化硅预处理方法和装置
CN116920642B (zh) * 2023-09-14 2024-01-19 苏州优晶光电科技有限公司 一种固相合成碳化硅的混料方法及合成方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3275415A (en) * 1964-02-27 1966-09-27 Westinghouse Electric Corp Apparatus for and preparation of silicon carbide single crystals
JPS518400B1 (de) 1971-05-12 1976-03-16
DE2552621C3 (de) * 1975-11-24 1979-09-13 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Siliciumeinkristallen mit in radialer Richtung tellerförmigem Profil des spezifischen Widerstandes
US4866005A (en) * 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US5211801A (en) * 1989-06-20 1993-05-18 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing single-crystal silicon carbide
JPH06316499A (ja) 1993-04-30 1994-11-15 Sharp Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
EP0933450B1 (de) * 1998-01-19 2002-04-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines SiC-Einkristalles
JP4140123B2 (ja) * 1999-03-23 2008-08-27 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法及び単結晶製造装置
JP3988307B2 (ja) * 1999-03-26 2007-10-10 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ
US6406539B1 (en) * 1999-04-28 2002-06-18 Showa Denko K.K, Process for producing silicon carbide single crystal and production apparatus therefor
JP2001158695A (ja) * 1999-11-29 2001-06-12 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
US6514338B2 (en) * 1999-12-27 2003-02-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal
US6428621B1 (en) * 2000-02-15 2002-08-06 The Fox Group, Inc. Method for growing low defect density silicon carbide
WO2002002852A1 (fr) * 2000-06-30 2002-01-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Plaquette en silicium monocristallin et procede de fabrication
US6565652B1 (en) * 2001-12-06 2003-05-20 Seh America, Inc. High resistivity silicon wafer and method of producing same using the magnetic field Czochralski method

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Publication number Publication date
US7371281B2 (en) 2008-05-13
AU2003272882A1 (en) 2004-04-08
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WO2004027122A1 (en) 2004-04-01
US20060144324A1 (en) 2006-07-06

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