JPH03296290A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 210
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 41
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 101100026470 Danio rerio nipsnap2 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- 101100026472 Mus musculus Nipsnap2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
- H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32316—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm comprising only (Al)GaAs
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は信頼性の高いＡ ｌＧａＡｓ系半導体レーザ素
子およびその製造方法に関する。
子およびその製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、電流注入路を形成する溝を埋め込んだ、いわゆる
埋込み型の半導体レーザ素子が広く用いられている。こ
のような半導体レーザの一般的な製造方法を第３図（ａ
）〜（ｃ）に示す。
埋込み型の半導体レーザ素子が広く用いられている。こ
のような半導体レーザの一般的な製造方法を第３図（ａ
）〜（ｃ）に示す。
まず、第３図（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１
上に、ｎ−Ａｌ＠、５Ｇａ、Ｂ、５Ａｓ第１クラッド層
２１、Ａ１．、 Ｉ４Ｇａ！１１８Ａｓ活性層３ 、
ｐ−Ａｌ１＋、６Ｇａｇ、５Ａｓ第２クラッド層２２、
およびｎ−ＧａＡｓＮ流阻止層６２をエピタキシャル成
長法により順次積層する。次に、ストライプ状の開口部
を有するホトレジストパターン１０２を形成し、ｎ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層６２をＩ）−Ａ１［１，５Ｇａ１１．
５ＡＳＡｓ第２クラツド２の上で止まるように選択的に
エツチングして、第３図（ｂ）に示すようなストライプ
状の溝を形成する。ホトレジストパターン１０２を除去
した後、ｐ−ＡＩＢ、５Ｇａｇ、５Ａｓ第３クラッド層
２３およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を、エピタキシ
ャル成長法によって第３図（ｅ）に示すように順次積層
する。
上に、ｎ−Ａｌ＠、５Ｇａ、Ｂ、５Ａｓ第１クラッド層
２１、Ａ１．、 Ｉ４Ｇａ！１１８Ａｓ活性層３ 、
ｐ−Ａｌ１＋、６Ｇａｇ、５Ａｓ第２クラッド層２２、
およびｎ−ＧａＡｓＮ流阻止層６２をエピタキシャル成
長法により順次積層する。次に、ストライプ状の開口部
を有するホトレジストパターン１０２を形成し、ｎ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層６２をＩ）−Ａ１［１，５Ｇａ１１．
５ＡＳＡｓ第２クラツド２の上で止まるように選択的に
エツチングして、第３図（ｂ）に示すようなストライプ
状の溝を形成する。ホトレジストパターン１０２を除去
した後、ｐ−ＡＩＢ、５Ｇａｇ、５Ａｓ第３クラッド層
２３およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を、エピタキシ
ャル成長法によって第３図（ｅ）に示すように順次積層
する。
最後に、ｎ−ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極を形成し
、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７の上面にｐ側電極を形成
することによって、半導体レーザ素子か得られる。
、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７の上面にｐ側電極を形成
することによって、半導体レーザ素子か得られる。
しかし、この製造方法では、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６
２をｘ ’ｙチングした後、１）−Ａｌｓ、ｓＧａ＋＋
、ｓＡＳ第３クラッド層２３およびｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層７が積層されるまでの間に、ストライプ状溝の底
部におけるｐＡｌｇ、５ＧａＢ、５Ａｓ第２クラッド層
２２の表面が外気に曝され、酸化されてしまう。酸化さ
れたｐ−Ａｌ２ 、５Ｇａ２６Ａｓ第２クラツド層２２
の上部にエピタキシャル成長法によって形成された層は
、再成長界面近傍に多くの結晶欠陥を有する。このよう
な問題は、液相成長法（ＬＰＥ法）、分子線エピタキシ
ャル成長法（ＭＢＥ法）、有機金属熱分解法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）などのいずれのエピタキシャル成長法を用いても
発生する。
２をｘ ’ｙチングした後、１）−Ａｌｓ、ｓＧａ＋＋
、ｓＡＳ第３クラッド層２３およびｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層７が積層されるまでの間に、ストライプ状溝の底
部におけるｐＡｌｇ、５ＧａＢ、５Ａｓ第２クラッド層
２２の表面が外気に曝され、酸化されてしまう。酸化さ
れたｐ−Ａｌ２ 、５Ｇａ２６Ａｓ第２クラツド層２２
の上部にエピタキシャル成長法によって形成された層は
、再成長界面近傍に多くの結晶欠陥を有する。このよう
な問題は、液相成長法（ＬＰＥ法）、分子線エピタキシ
ャル成長法（ＭＢＥ法）、有機金属熱分解法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）などのいずれのエピタキシャル成長法を用いても
発生する。
そして、これらの結晶欠陥の多くは深いエネルギー準位
を構成し、このらような半導体レーザ素子を動作させた
場合、発生するレーザ光の一部がこの深い準位にトラッ
プされて熱に変換されるので、活性層近傍の温度が上昇
する。さらに、これらの結晶欠陥は、非発光結合中心と
して働き、発光量の低下を引き起こすので、素子特性が
劣化する原因となる。
を構成し、このらような半導体レーザ素子を動作させた
場合、発生するレーザ光の一部がこの深い準位にトラッ
プされて熱に変換されるので、活性層近傍の温度が上昇
する。さらに、これらの結晶欠陥は、非発光結合中心と
して働き、発光量の低下を引き起こすので、素子特性が
劣化する原因となる。
このような問題点を解決する手段として、ＬＰＥ法にお
いてＧａＡｓがメルトバックしやすいという性質を利用
した方法が知られている。例えば、第４図（ａ）〜（ｅ
）に示すような工程によって、ＡｌＧａＡｓ系の半導体
レーザ装置が製造される。まず第４図（ａ）に示すよう
に、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌａ、５Ｇａｅ５
Ａｓ第１クラツド層２１、Ａｌｓ、＋４Ｇａｅ、ｅｅＡ
ｓ活性層３、ｐ−Ａｌ、、５Ｇａ６．５Ａｓ第２クラッ
ド層２２、ｐ−ＧａＡｓバッファ層４、ｐ−Ａｌ２．５
０ａＢ、５Ａｓ工ツチングストツパ層５、およびｎ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層６２を、適当なエピタキシャル成長法
を用いて順次積層する。次に、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
６２の上面にストライプ状の開口部を有するホトレジス
トパターン１０２を形成し、アンモニア系エッチャント
を用いてｎ−ＧａＡｓ１流阻止層６２ヲｐ−Ａｌ８，５
Ｇａ６，５Ａｓ工ツチングストツパ層５に達するまで選
択的にエツチングして、第４図（ｂ）に示すようなスト
ライプ状の溝を形成する。次いで、ホトレジストパター
ン１０２を除去した後、フッ化水素酸の水溶液に浸すこ
とにより、第４図（ｃ）に示すように、ストライプ溝の
底部におけるｐｐ−Ａｌ２５６Ｇａ、５Ａｓ工ツチング
ストツパ層５を除去する。このように処理されたウェハ
をＬＰＥ装置内に挿入し、Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ系融液に接
触させることによって、ｎ−ＧａＡｓ’ｌ流阻止層６２
の表面およびストライプ状溝の底部のｐ−ＧａＡｓバッ
ファ層４がメルトバックし、溝の底部にｐ−Ａｌｅ、５
Ｇａｅ’、 ５Ａｓ第２クラッド層２２が露出する。引
き続いて、同一のＬＰＥ装置を用いて、さらにｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ第３クラッド層２３およびｐ−ＧａＡｓコン
タクト層７を順次積層する。最後に、ｎ−ＧａＡｓ基板
１の下面にｎ（ｌｌｌＪｉ極９２を形成し、ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層７の上面にｐ側電極９１を形成すること
によって、第４図（ｄ）の半導体レーザ素子が得られる
。
いてＧａＡｓがメルトバックしやすいという性質を利用
した方法が知られている。例えば、第４図（ａ）〜（ｅ
）に示すような工程によって、ＡｌＧａＡｓ系の半導体
レーザ装置が製造される。まず第４図（ａ）に示すよう
に、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌａ、５Ｇａｅ５
Ａｓ第１クラツド層２１、Ａｌｓ、＋４Ｇａｅ、ｅｅＡ
ｓ活性層３、ｐ−Ａｌ、、５Ｇａ６．５Ａｓ第２クラッ
ド層２２、ｐ−ＧａＡｓバッファ層４、ｐ−Ａｌ２．５
０ａＢ、５Ａｓ工ツチングストツパ層５、およびｎ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層６２を、適当なエピタキシャル成長法
を用いて順次積層する。次に、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
６２の上面にストライプ状の開口部を有するホトレジス
トパターン１０２を形成し、アンモニア系エッチャント
を用いてｎ−ＧａＡｓ１流阻止層６２ヲｐ−Ａｌ８，５
Ｇａ６，５Ａｓ工ツチングストツパ層５に達するまで選
択的にエツチングして、第４図（ｂ）に示すようなスト
ライプ状の溝を形成する。次いで、ホトレジストパター
ン１０２を除去した後、フッ化水素酸の水溶液に浸すこ
とにより、第４図（ｃ）に示すように、ストライプ溝の
底部におけるｐｐ−Ａｌ２５６Ｇａ、５Ａｓ工ツチング
ストツパ層５を除去する。このように処理されたウェハ
をＬＰＥ装置内に挿入し、Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ系融液に接
触させることによって、ｎ−ＧａＡｓ’ｌ流阻止層６２
の表面およびストライプ状溝の底部のｐ−ＧａＡｓバッ
ファ層４がメルトバックし、溝の底部にｐ−Ａｌｅ、５
Ｇａｅ’、 ５Ａｓ第２クラッド層２２が露出する。引
き続いて、同一のＬＰＥ装置を用いて、さらにｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ第３クラッド層２３およびｐ−ＧａＡｓコン
タクト層７を順次積層する。最後に、ｎ−ＧａＡｓ基板
１の下面にｎ（ｌｌｌＪｉ極９２を形成し、ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層７の上面にｐ側電極９１を形成すること
によって、第４図（ｄ）の半導体レーザ素子が得られる
。
（発明が解決しようとする課題）
上記のような従来の製造方法では、Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ系
融液によるメルトバックにおいて、溝の底部に存在する
１）−ＧａＡｓバッファ層４があまりメルトバ・７りせ
ず、溝の肩部のｎ−ＧａＡｓ’ｌ流阻止層６２が大きく
メルトバノクする。例えば、ｐ ＧａＡｓバッファ層４
は、はとんどメルトバックせずに残り、溝の肩部のｎＧ
ａＡｓ電流阻止層６２かメルトバックして、溝の幅が広
くなり、得られるレーザ素子は、第４図（ｅ）に示すよ
うな構造となる。さらに、このストライプ状溝の幅は、
Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ系融液の過飽和度の分布などに依存し
、同一ウエバ内でもばらつきが生じる。
融液によるメルトバックにおいて、溝の底部に存在する
１）−ＧａＡｓバッファ層４があまりメルトバ・７りせ
ず、溝の肩部のｎ−ＧａＡｓ’ｌ流阻止層６２が大きく
メルトバノクする。例えば、ｐ ＧａＡｓバッファ層４
は、はとんどメルトバックせずに残り、溝の肩部のｎＧ
ａＡｓ電流阻止層６２かメルトバックして、溝の幅が広
くなり、得られるレーザ素子は、第４図（ｅ）に示すよ
うな構造となる。さらに、このストライプ状溝の幅は、
Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ系融液の過飽和度の分布などに依存し
、同一ウエバ内でもばらつきが生じる。
そして、溝の底部に残ったＩ）−ＧａＡ ｓバッファ層
４は、Ａｌａ、＋４Ｇａ６．ｇ６Ａｓ活性層３で発生し
た光を吸収するので、発光強度の低下を引き起こす。ｐ
−ＧａＡＳバッファ層４を非常に薄くして完全にメルト
バックさきでも、溝の幅にばらつきが生じるので、閾値
電流にばらつきが生じ、製品の歩留りが低下する。
４は、Ａｌａ、＋４Ｇａ６．ｇ６Ａｓ活性層３で発生し
た光を吸収するので、発光強度の低下を引き起こす。ｐ
−ＧａＡＳバッファ層４を非常に薄くして完全にメルト
バックさきでも、溝の幅にばらつきが生じるので、閾値
電流にばらつきが生じ、製品の歩留りが低下する。
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、その
目的とするところは、信頼性の高いＡｌＧａＡｓ系半導
体レーザ素子を提供することにある。本発明の池の目的
は、このような信頼性の高いＡｌＧａＡｓ系半導体レー
ザ素子を歩留り良く製造し得る製造方法を提供すること
にある。
目的とするところは、信頼性の高いＡｌＧａＡｓ系半導
体レーザ素子を提供することにある。本発明の池の目的
は、このような信頼性の高いＡｌＧａＡｓ系半導体レー
ザ素子を歩留り良く製造し得る製造方法を提供すること
にある。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板の上方に順次
形成された、ｎ−Ａ ｌＧａＡｓ第１クラッド層、Ａｌ
ＧａＡｓ活性層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、お
よび電流阻止層を含む積層構造を宵する半導体レーザ素
子であって、該電流阻止層がｎ−ＡｌＧａＡｓからなり
。
形成された、ｎ−Ａ ｌＧａＡｓ第１クラッド層、Ａｌ
ＧａＡｓ活性層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、お
よび電流阻止層を含む積層構造を宵する半導体レーザ素
子であって、該電流阻止層がｎ−ＡｌＧａＡｓからなり
。
ストライプ状の電流注入路を構成し、そのことにより上
記目的が達成される。
記目的が達成される。
好ましい実施態様によれば、本発明の半導体レーザ素子
は、前記電流阻止層の下側に、１−ＧａＡｓからなる光
吸収層を有し、そのことにより上記目的が達成される。
は、前記電流阻止層の下側に、１−ＧａＡｓからなる光
吸収層を有し、そのことにより上記目的が達成される。
本発明による半導体レーザ素子の製造方法は、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、Ａｌ
ＧａＡｓ活性層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、ｐ
−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−ＡｌＧａＡｓエツチングス
トッパ層、必要に応じてｎ−ＧａＡｓ光吸収層、ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ電流阻止層およびｎ−ＧａＡｓ保護層をエピ
タキシャル成長法により順次積層する工程と；該ｎ−Ｇ
ａＡｓ保護層、ｎ−ＧａＡｓ光吸収層、およびｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ電流阻止層とをエツチングしてストライプ状の
溝を形成する工程と；該ストアー ＝８− ライブ状溝の底部における該ｎ−ＡｌＧａＡｓエツチン
グストッパ層を除去する工程と；該ストライプ状溝の底
部における該ｐ−ＧａＡｓバッファ層およびｎ−ＧａＡ
ｓ保護層の少なくとも一部を、メルトバックにより除去
する工程と；引き続いて、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッ
ド層およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層をエピタキシャル
成長法により順次積層する工程と；を包含し、そのこと
により上記目的が達成される。
Ａｓ基板上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、Ａｌ
ＧａＡｓ活性層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、ｐ
−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−ＡｌＧａＡｓエツチングス
トッパ層、必要に応じてｎ−ＧａＡｓ光吸収層、ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ電流阻止層およびｎ−ＧａＡｓ保護層をエピ
タキシャル成長法により順次積層する工程と；該ｎ−Ｇ
ａＡｓ保護層、ｎ−ＧａＡｓ光吸収層、およびｎ−Ａｌ
ＧａＡｓ電流阻止層とをエツチングしてストライプ状の
溝を形成する工程と；該ストアー ＝８− ライブ状溝の底部における該ｎ−ＡｌＧａＡｓエツチン
グストッパ層を除去する工程と；該ストライプ状溝の底
部における該ｐ−ＧａＡｓバッファ層およびｎ−ＧａＡ
ｓ保護層の少なくとも一部を、メルトバックにより除去
する工程と；引き続いて、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッ
ド層およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層をエピタキシャル
成長法により順次積層する工程と；を包含し、そのこと
により上記目的が達成される。
本発明の方法によれば、電流阻止層がｎ−ＡｌＧａＡｓ
からなるので、Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ系融液によって電流阻
止層がメルトバックすることがない。したがって、ｐ−
ＧａＡｓバッファ層を完全にメルトバックすることが可
能であり。、電流注入路の幅にばらつきが生じない。溝
の底部にバッファ層が残存しないので、バッファ層が活
性層から発生した光を吸収して発光量を低下させること
がない。さらに、バッファ層のメルトバックから、第３
クラッド層の積層を引き続いて行うので、第３クラッド
層の成長界面近傍に結晶欠陥が生じることなく、結晶欠
陥に起因する問題点もない。
からなるので、Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ系融液によって電流阻
止層がメルトバックすることがない。したがって、ｐ−
ＧａＡｓバッファ層を完全にメルトバックすることが可
能であり。、電流注入路の幅にばらつきが生じない。溝
の底部にバッファ層が残存しないので、バッファ層が活
性層から発生した光を吸収して発光量を低下させること
がない。さらに、バッファ層のメルトバックから、第３
クラッド層の積層を引き続いて行うので、第３クラッド
層の成長界面近傍に結晶欠陥が生じることなく、結晶欠
陥に起因する問題点もない。
本発明の電流阻止層のＡ１組成比は、溝のエツチング条
件やエツチングストッパ層の組成に依存するが、０．０
１〜０．４０であることが好ましい。
件やエツチングストッパ層の組成に依存するが、０．０
１〜０．４０であることが好ましい。
電流阻止層のＡ１組成比が０．２を越える場合、以下の
ような問題点が生じる場合がある。ストライプ状溝をエ
ツチングした後、ｎ−ＡｌＧａＡｓエツチングストッパ
層を、例えば、フッ化水素酸水溶液で除去するが、この
とき溝の底部のエツチングストッパ層を完全に除去して
、ｐ−ＧａＡｓバッファ層を露出しておかなければ、次
の工程で、ｐ−ＧａＡｓバッファ層をメルトバックする
ことが困難となる。したがって、ｎ−ＡｌＧａＡｓエツ
チングストッパ層を除去する場合は、第５図（ａ）に示
すようなオーバーエツチングの状態になり易い。このよ
うなオーバーエツチングの状態にあるウェハをＧａ−Ａ
ｌ−Ａｓ系融液でメルトバックした場合、ｎ ＡｌＧａ
Ａｓ電流阻止層がメルトバックされにくいため、第５図
（ｂ）に示すように、ｎＡｌＧａＡｓエツチングストッ
パＦｍ トルーＧａＡｓバッファ層とがへこんだ状態に
なる。この状態でｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層およ
びｐ−ＧａＡｓコンタクト層の積層を一 １〇− 行うと、このへこみ部分での結晶の成長状態が悪くなり
、エピタキシャル欠陥が発生し易くなる。
ような問題点が生じる場合がある。ストライプ状溝をエ
ツチングした後、ｎ−ＡｌＧａＡｓエツチングストッパ
層を、例えば、フッ化水素酸水溶液で除去するが、この
とき溝の底部のエツチングストッパ層を完全に除去して
、ｐ−ＧａＡｓバッファ層を露出しておかなければ、次
の工程で、ｐ−ＧａＡｓバッファ層をメルトバックする
ことが困難となる。したがって、ｎ−ＡｌＧａＡｓエツ
チングストッパ層を除去する場合は、第５図（ａ）に示
すようなオーバーエツチングの状態になり易い。このよ
うなオーバーエツチングの状態にあるウェハをＧａ−Ａ
ｌ−Ａｓ系融液でメルトバックした場合、ｎ ＡｌＧａ
Ａｓ電流阻止層がメルトバックされにくいため、第５図
（ｂ）に示すように、ｎＡｌＧａＡｓエツチングストッ
パＦｍ トルーＧａＡｓバッファ層とがへこんだ状態に
なる。この状態でｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層およ
びｐ−ＧａＡｓコンタクト層の積層を一 １〇− 行うと、このへこみ部分での結晶の成長状態が悪くなり
、エピタキシャル欠陥が発生し易くなる。
このような問題を解決する手段として、電流阻止層の下
側に、ｎ−ＧａＡｓからなる光吸収層を設けてもよい。
側に、ｎ−ＧａＡｓからなる光吸収層を設けてもよい。
この光吸収層は、ｎ−ＧａＡｓバッファ層とともにメル
トバックするので、エツチングストッパ層のへこみを解
決することが出来る。
トバックするので、エツチングストッパ層のへこみを解
決することが出来る。
（実施例）
以下に、本発明の実施例について説明する。なお、以下
の実施例において、ＡｌＧａＡｓからなる各層のＡ１組
成比は適宜変更され得る。
の実施例において、ＡｌＧａＡｓからなる各層のＡ１組
成比は適宜変更され得る。
灸皿匠よ
第１図（ａ）〜（ｄ）に、本発明による半導体レーザ素
子の一実施例の製造工程を示す。以下に、これらの図に
したがって、本実施例の半導体レーザ素子の製造方法を
説明する。
子の一実施例の製造工程を示す。以下に、これらの図に
したがって、本実施例の半導体レーザ素子の製造方法を
説明する。
（１）ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ
層、ｎ−Ａｌａ、５［ＩＧａ［！、５１！ＡＳ第１クラ
ッド層２１、Ａ１１１．ｌ４Ｇａ１１．８６ＡＳ活性層
３、ｌ） ＡＩ［！ ５［ＩＧａ＋！、５［ＩＡＳ第２
クラッド層２２、ｐ−ＧａＡｓバッファ層４、ｎ−Ａｌ
ｇ、６１ＩＧａＢ、４２Ａｓ工ツチングストツパ層５、
ｎ−ＡＩＩＩ、ＩＢＧａ２．ｇＢＡｓ電流阻止層６１、
およびｎ−ＧａＡｓ保護層１０１を、ＭＢＥ法により順
次積層した（第１図（ａ））。ＭＢＥ法は、界面が急峻
であるので、超格子構造を有する活性層を得ることがで
きる。さらに、第１および第２クラッド層に５Ｃ１１構
造あるいはＧＡＩＩＪ−３ＣＨ構造を形成することがで
きる。
層、ｎ−Ａｌａ、５［ＩＧａ［！、５１！ＡＳ第１クラ
ッド層２１、Ａ１１１．ｌ４Ｇａ１１．８６ＡＳ活性層
３、ｌ） ＡＩ［！ ５［ＩＧａ＋！、５［ＩＡＳ第２
クラッド層２２、ｐ−ＧａＡｓバッファ層４、ｎ−Ａｌ
ｇ、６１ＩＧａＢ、４２Ａｓ工ツチングストツパ層５、
ｎ−ＡＩＩＩ、ＩＢＧａ２．ｇＢＡｓ電流阻止層６１、
およびｎ−ＧａＡｓ保護層１０１を、ＭＢＥ法により順
次積層した（第１図（ａ））。ＭＢＥ法は、界面が急峻
であるので、超格子構造を有する活性層を得ることがで
きる。さらに、第１および第２クラッド層に５Ｃ１１構
造あるいはＧＡＩＩＪ−３ＣＨ構造を形成することがで
きる。
しかし、他のエピタキシャル成長法、例えばＭＯＣＶＤ
法、ＬＰＥ法を用いることも可能である。
法、ＬＰＥ法を用いることも可能である。
（２）ｎ−ＧａＡｓ保護層１０１上に、ストライプ状の
開口部を有するホトレジストパターン１０２を形成し、
これをエツチングマスクとして、ホトリソグラフィ技術
により、ｎ−ＧａＡｓ保護層１０１およびｎ−Ａｌ６，
１２０ａｉ１．９［ＩＡｓ電流阻止層６１をエツチング
して、ｎ−Ａｌ！！、６１！Ｇａｇ、４２Ａｓエツチン
グストッパ層５に達するストライプ状の溝を形成した（
第１図（ｂ））。このとき、エツチング液としては、ア
ンモニア水と過酸化水素との混合液などのＧａＡｓ選択
エツチング液を用いた。電流阻止層のＡ１組成比が０．
３以下であれば、このようなエツチング液で電流阻止層
をエツチングすることが可能である。Ａ１組成比が、
０３より大きい場合は、エツチング液として、硫酸と過
酸化水素水との混合水溶液、または塩酸水溶液などを用
いる。第１図（ｂ）に示したストライプ状溝の断面形状
はメサ形であるが、逆メサ形であってもよい。
開口部を有するホトレジストパターン１０２を形成し、
これをエツチングマスクとして、ホトリソグラフィ技術
により、ｎ−ＧａＡｓ保護層１０１およびｎ−Ａｌ６，
１２０ａｉ１．９［ＩＡｓ電流阻止層６１をエツチング
して、ｎ−Ａｌ！！、６１！Ｇａｇ、４２Ａｓエツチン
グストッパ層５に達するストライプ状の溝を形成した（
第１図（ｂ））。このとき、エツチング液としては、ア
ンモニア水と過酸化水素との混合液などのＧａＡｓ選択
エツチング液を用いた。電流阻止層のＡ１組成比が０．
３以下であれば、このようなエツチング液で電流阻止層
をエツチングすることが可能である。Ａ１組成比が、
０３より大きい場合は、エツチング液として、硫酸と過
酸化水素水との混合水溶液、または塩酸水溶液などを用
いる。第１図（ｂ）に示したストライプ状溝の断面形状
はメサ形であるが、逆メサ形であってもよい。
（３）ホトレジストパターン１０２を除去した後、フッ
化水素酸水溶液などのＡｌＧａＡｓ選択エツチング液に
上記のウェハを浸漬することにより、溝の底部における
ｎ−Ａ １６．６ｅＧａθ、４１］Ａｓ工ツチングスト
ツパ層５を除去した（第１図（Ｃ））。このとき、電流
阻止層か同時にエツチングされないように、電流阻止層
のＡ１組成比は０．４０以下であることが好ましい。
化水素酸水溶液などのＡｌＧａＡｓ選択エツチング液に
上記のウェハを浸漬することにより、溝の底部における
ｎ−Ａ １６．６ｅＧａθ、４１］Ａｓ工ツチングスト
ツパ層５を除去した（第１図（Ｃ））。このとき、電流
阻止層か同時にエツチングされないように、電流阻止層
のＡ１組成比は０．４０以下であることが好ましい。
（４）上記のウェハをＬＰＥ装置内に挿入し、Ｇａ−Ａ
ｌＡｓ系融液に接触させることにより、ＧａＡｓ層をメ
ルトバックさせた。ＡｌＧａＡｓ層は、たとえＡ１組成
比が低くてもメルトバックされにくい。したがって、１
−ＧａＡｓ保護層１０１および溝の底部におけるｐ−Ｇ
ａＡｓバッファ層４がメルトバックにより、除去された
（第１図（ｄ））。保護層は、必ずしもその全てが除去
される必要はない。溝の底部におけるバッファ層は完全
に除かれて、溝の底部に第２クラッド層が露出すること
か望ましい。しかし、バッファ層が、第２クラッド層お
よび後述の第３図クラッド層と同一の導電型であり、メ
ルトバック後、バッファ層が残存しても、半導体レーザ
素子の直列抵抗が大きくなるような電気的特性の悪化を
引き起こすことがないので、バッファ層の光吸収による
発光量の低下か小さい範囲であれば、多少バッファ層が
残存していてもよい。
ｌＡｓ系融液に接触させることにより、ＧａＡｓ層をメ
ルトバックさせた。ＡｌＧａＡｓ層は、たとえＡ１組成
比が低くてもメルトバックされにくい。したがって、１
−ＧａＡｓ保護層１０１および溝の底部におけるｐ−Ｇ
ａＡｓバッファ層４がメルトバックにより、除去された
（第１図（ｄ））。保護層は、必ずしもその全てが除去
される必要はない。溝の底部におけるバッファ層は完全
に除かれて、溝の底部に第２クラッド層が露出すること
か望ましい。しかし、バッファ層が、第２クラッド層お
よび後述の第３図クラッド層と同一の導電型であり、メ
ルトバック後、バッファ層が残存しても、半導体レーザ
素子の直列抵抗が大きくなるような電気的特性の悪化を
引き起こすことがないので、バッファ層の光吸収による
発光量の低下か小さい範囲であれば、多少バッファ層が
残存していてもよい。
（５）引き続いて、同一のＬＰＥ装置内で、ｐ−Ａｌｚ
、５ｓＧａｇ 、 ５ｅＡｓ第３クラッド層２３および
ｐ−ＧａＡｓ：Ｉンタクト層７を順次積層した。さらに
ｎ−ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極９２を形成し、ｐ
−ＧａＡ ｓコンタクト層の上面にｐ（ｌｌｌ’ｌ極９
１を形成して、半導体レーザ素子を得た（第１図（ｅ）
）。
、５ｓＧａｇ 、 ５ｅＡｓ第３クラッド層２３および
ｐ−ＧａＡｓ：Ｉンタクト層７を順次積層した。さらに
ｎ−ＧａＡｓ基板１の下面にｎ側電極９２を形成し、ｐ
−ＧａＡ ｓコンタクト層の上面にｐ（ｌｌｌ’ｌ極９
１を形成して、半導体レーザ素子を得た（第１図（ｅ）
）。
上記のようにして製造された本発明の半導体レーザ素子
は、上記工程（３）でエツチングストッパ層が除去され
た後、空気中に露出されて酸化したｐＧａＡｓＧａＡｓ
バッファ層ａＡｓ保護層とがメルトバ・ツクにより除去
されているのて、工程（５）で第２回目のエピタキシャ
ル成長法を行った際、成長界面近傍に結晶欠陥が生じず
、結晶欠陥に起因する深い準位や非発光再結合中心がな
く、信頼性の高い半導体レーザ素子である。さらに、電
流阻止層がＧａ−Ａｌ−Ａｓ系融液によってメルトバッ
クされ難いので、メルトバックを行うことによって、溝
の幅が広くなることがなく、同一ウエバ内で素子の閾値
電流値がばらつくなどの問題が生じない。
は、上記工程（３）でエツチングストッパ層が除去され
た後、空気中に露出されて酸化したｐＧａＡｓＧａＡｓ
バッファ層ａＡｓ保護層とがメルトバ・ツクにより除去
されているのて、工程（５）で第２回目のエピタキシャ
ル成長法を行った際、成長界面近傍に結晶欠陥が生じず
、結晶欠陥に起因する深い準位や非発光再結合中心がな
く、信頼性の高い半導体レーザ素子である。さらに、電
流阻止層がＧａ−Ａｌ−Ａｓ系融液によってメルトバッ
クされ難いので、メルトバックを行うことによって、溝
の幅が広くなることがなく、同一ウエバ内で素子の閾値
電流値がばらつくなどの問題が生じない。
実屓［鳳」−
第２図（ａ）〜（ｅ）に、本発明の他の半導体レーザ素
子の製造工程を示す。以下に、これらの図にしたがって
、本実施例の半導体レーザ素子の製造方法を説明する。
子の製造工程を示す。以下に、これらの図にしたがって
、本実施例の半導体レーザ素子の製造方法を説明する。
まず、第２図に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、
ｎ−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−Ａｌｇ、５６Ｇａ２，５
２Ａｓ第１クラッド層２１、Ａ１６，１４０ａｌ１．Ｂ
６Ａｓ活性層３．１）−Ａｌｌ！、 ５［ＩＧａ［１６
［ＩＡＳ第２クラッド層２２、ｐ−ＧａＡｓバッファ層
４、ｐ−ＡｌＢ、６３Ｇａ３，４ｇＡＳエツチングスト
ッパ層５、ｎ−ＧａＡｓ光吸収層８、ｎ＝”！！、２１
３ＧａＩ］、８［ＩＡＳ電流素子層６１、およびｎ−Ｇ
ａＡｓ保護層１０１を、ＭＢＥ法により、順次積層した
。電流阻止層のＡ１組成比は、０．０５〜０．４０であ
ることが好ましい。
ｎ−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−Ａｌｇ、５６Ｇａ２，５
２Ａｓ第１クラッド層２１、Ａ１６，１４０ａｌ１．Ｂ
６Ａｓ活性層３．１）−Ａｌｌ！、 ５［ＩＧａ［１６
［ＩＡＳ第２クラッド層２２、ｐ−ＧａＡｓバッファ層
４、ｐ−ＡｌＢ、６３Ｇａ３，４ｇＡＳエツチングスト
ッパ層５、ｎ−ＧａＡｓ光吸収層８、ｎ＝”！！、２１
３ＧａＩ］、８［ＩＡＳ電流素子層６１、およびｎ−Ｇ
ａＡｓ保護層１０１を、ＭＢＥ法により、順次積層した
。電流阻止層のＡ１組成比は、０．０５〜０．４０であ
ることが好ましい。
（２）ｎ−ＧａＡｓ保護層１０１上に、ストライプ状の
開口部を有するホトレジストパターン１０２を形成し、
これをエツチングマスクとして、ホトリソグラフィ技術
により、ｎ−ＧａＡｓ保護層１０１、ｎ−Ａｌ２，２２
Ｇａ２．ＢＡｓ？ｌｆｉ流阻止層６１流上止層６１ａＡ
ｓ光吸収層８をエツチングして、り−Ａｌｆ！、ｅ６Ｇ
ａ６，４２ＡＳエソチンゲストツバ層５に達するストラ
イプ状の溝を形成した（第２図（ｂ））。このとき、エ
ツチング液としては、アンモニア水と過酸化水素水との
混合液などのＧａＡｓ選択エツチング液を用いる。電流
阻止層のＡ１組成比が０３以下であれば、このようなエ
ツチング液で電流阻止層をエツチングすることが可能で
ある。Ａ１組成比が、 ０．３より大きい場合は、電流
阻止層のエツチング液として硫酸と過酸化水素水との混
合水溶液、または塩酸水溶液などを用いる。このときの
溝の形状はメサ形であって逆メサ形であってもよい。
開口部を有するホトレジストパターン１０２を形成し、
これをエツチングマスクとして、ホトリソグラフィ技術
により、ｎ−ＧａＡｓ保護層１０１、ｎ−Ａｌ２，２２
Ｇａ２．ＢＡｓ？ｌｆｉ流阻止層６１流上止層６１ａＡ
ｓ光吸収層８をエツチングして、り−Ａｌｆ！、ｅ６Ｇ
ａ６，４２ＡＳエソチンゲストツバ層５に達するストラ
イプ状の溝を形成した（第２図（ｂ））。このとき、エ
ツチング液としては、アンモニア水と過酸化水素水との
混合液などのＧａＡｓ選択エツチング液を用いる。電流
阻止層のＡ１組成比が０３以下であれば、このようなエ
ツチング液で電流阻止層をエツチングすることが可能で
ある。Ａ１組成比が、 ０．３より大きい場合は、電流
阻止層のエツチング液として硫酸と過酸化水素水との混
合水溶液、または塩酸水溶液などを用いる。このときの
溝の形状はメサ形であって逆メサ形であってもよい。
（３）ホトレジストパターン１０２を除去した後、フ−
１５＝ フ化水素酸水溶液などのＡｌＧａＡｓ選択エツチング液
に上記のウェハを浸漬することにより、溝の底部におけ
るｐ”ｅ、６１！Ｇａｔａ、４゜Ａｓエツチングストッ
パ層５を除去した（第２図（Ｃ））。
１５＝ フ化水素酸水溶液などのＡｌＧａＡｓ選択エツチング液
に上記のウェハを浸漬することにより、溝の底部におけ
るｐ”ｅ、６１！Ｇａｔａ、４゜Ａｓエツチングストッ
パ層５を除去した（第２図（Ｃ））。
（４）上記ウェハをＬＰＥ装置内に挿入し、Ｇａ−ＡＩ
−Ａｓ系融液に接触させると、ＧａＡｓ層がメルトバッ
クすする。ＡｌＧａＡｓ層は、たとえＡ１組成比が低く
てもメルトバックしない。したがって、ｎ−ＧａＡｓ保
護層１０１ 、ｎ−ＧａＡｓ光吸収層８、および溝の底
部におけるｎ−ＧａＡｓバッファ層４がメルトバックす
る。上記工程（３）て、ｐ−Ａｌｕ、ｅＢＧａｌ！、ａ
ｅＡＳエツチングストッパ層５が、過剰にエツチングさ
れて、溝の側部におけるｌ） Ａ’ｉ１．６２Ｇａｌｌ
、４２ＡＳ工ツチングストツバ層５にへこみがある場合
、この工程でｎ−ＧａＡｓ光吸収層８がメルトバックに
よって後退し、Ｉ）−Ａ１．！、ａ［ＩＧａｅ、４ｅＡ
ｓ工ツチングストツパ層５のへこみが解消される（第２
図（ｄ））。
−Ａｓ系融液に接触させると、ＧａＡｓ層がメルトバッ
クすする。ＡｌＧａＡｓ層は、たとえＡ１組成比が低く
てもメルトバックしない。したがって、ｎ−ＧａＡｓ保
護層１０１ 、ｎ−ＧａＡｓ光吸収層８、および溝の底
部におけるｎ−ＧａＡｓバッファ層４がメルトバックす
る。上記工程（３）て、ｐ−Ａｌｕ、ｅＢＧａｌ！、ａ
ｅＡＳエツチングストッパ層５が、過剰にエツチングさ
れて、溝の側部におけるｌ） Ａ’ｉ１．６２Ｇａｌｌ
、４２ＡＳ工ツチングストツバ層５にへこみがある場合
、この工程でｎ−ＧａＡｓ光吸収層８がメルトバックに
よって後退し、Ｉ）−Ａ１．！、ａ［ＩＧａｅ、４ｅＡ
ｓ工ツチングストツパ層５のへこみが解消される（第２
図（ｄ））。
（５）引き続いて、同一のＬＰＥ装置内で、り−ｓ、５
ｓＧａ１！、５！ＩＡＳ第３クラッド層２３およびｐ−
ＧａＡｓＤンタクト層７を順次積層した。さらにｎ−Ｇ
ａＡｓ基板１の下面にｎ側電極９２を形成し、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層の上面にｐ側電極９１を形成して、半
導体レーザ素子を得た（第２図（ｅ））。
ｓＧａ１！、５！ＩＡＳ第３クラッド層２３およびｐ−
ＧａＡｓＤンタクト層７を順次積層した。さらにｎ−Ｇ
ａＡｓ基板１の下面にｎ側電極９２を形成し、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層の上面にｐ側電極９１を形成して、半
導体レーザ素子を得た（第２図（ｅ））。
このようにして得られた本実施例の半導体レーザ素子は
、電流阻止層の下側に、Ｇａ−Ａ ｌ−Ａｓ系融液によ
ってメルトバックしやすいｎ−ＧａＡｓ光吸収層を有す
る。そのため、電流阻止層のＡ１組成比が大きい場合、
エツチングストッパ層のオーバーエツチングに起因して
電流阻止層の下に生じる、溝側部のエツチングストッパ
層とバッファ層とのへこみがない。したがって、このへ
こみ部分で生じやすい結晶成長の不良がなく、信頼性の
高い半導体レザ素子である。
、電流阻止層の下側に、Ｇａ−Ａ ｌ−Ａｓ系融液によ
ってメルトバックしやすいｎ−ＧａＡｓ光吸収層を有す
る。そのため、電流阻止層のＡ１組成比が大きい場合、
エツチングストッパ層のオーバーエツチングに起因して
電流阻止層の下に生じる、溝側部のエツチングストッパ
層とバッファ層とのへこみがない。したがって、このへ
こみ部分で生じやすい結晶成長の不良がなく、信頼性の
高い半導体レザ素子である。
（発明の効果）
このように本発明のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子は
、結晶欠陥に起因する活性層近傍の温度上昇や発光量の
低下がなく、電流注入路の幅にばらつきがない。そして
、本発明の製造方法によれば、このような信頼性の高い
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子が、歩留り良く製造さ
れ得る。
、結晶欠陥に起因する活性層近傍の温度上昇や発光量の
低下がなく、電流注入路の幅にばらつきがない。そして
、本発明の製造方法によれば、このような信頼性の高い
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子が、歩留り良く製造さ
れ得る。
＝１７
迭−一図ｊド１１隼Ｌ」咋咀
第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明による半導体レーザ素
子の一実施例の製造方法を示す断面図、第２図（ａ）〜
（ｅ）は、本発明による半導体レーザ素子の他の実施例
の製造方法を示す断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）および
第４図（ａ）〜（ｅ）は、いずれも従来の半導体レーザ
素子の製造方法を示す断面図、第５図（ａ）〜（ｂ）は
、第１図（ａ）〜（ｅ）の半導体レーザ素子の製造方法
において、電流阻止層６２のＡ１組成比が大きい場合に
生じる問題点を示す断面図である。
子の一実施例の製造方法を示す断面図、第２図（ａ）〜
（ｅ）は、本発明による半導体レーザ素子の他の実施例
の製造方法を示す断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）および
第４図（ａ）〜（ｅ）は、いずれも従来の半導体レーザ
素子の製造方法を示す断面図、第５図（ａ）〜（ｂ）は
、第１図（ａ）〜（ｅ）の半導体レーザ素子の製造方法
において、電流阻止層６２のＡ１組成比が大きい場合に
生じる問題点を示す断面図である。
１−ｎ−ＧａＡｓ基板、２１・・ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１
クラッド層、２２− ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
、２３ ・ｐ−Δ１ＧａＡｓ第３クラッド層、３・・・
ＡｌＧａＡｓ活性層、４・・・ｐ−ＧａＡｓバッファ層
、５・・・ｐ−ＡｌＧａＡｓエツチングストッパ層、６
１− ｎ−Ａ ｌＧａＡｓ電流阻止層、６２− ｎ−Ｇ
ａＡｓ？４流阻止層、７・・・ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層、８・・・光吸収層、９１・・・ｐ側電極、９２＝＝
ｎ側電極、１０１−ｎ−ＧａＡｓ保護層、１０２・・・
ホトレンストパターン。
クラッド層、２２− ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
、２３ ・ｐ−Δ１ＧａＡｓ第３クラッド層、３・・・
ＡｌＧａＡｓ活性層、４・・・ｐ−ＧａＡｓバッファ層
、５・・・ｐ−ＡｌＧａＡｓエツチングストッパ層、６
１− ｎ−Ａ ｌＧａＡｓ電流阻止層、６２− ｎ−Ｇ
ａＡｓ？４流阻止層、７・・・ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層、８・・・光吸収層、９１・・・ｐ側電極、９２＝＝
ｎ側電極、１０１−ｎ−ＧａＡｓ保護層、１０２・・・
ホトレンストパターン。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の上方に順次形成された、ｎ−ＡｌＧａ
Ａｓ第１クラッド層、ＡｌＧａＡｓ活性層、ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ第２クラッド層、および電流阻止層を含む積層構
造を有する半導体レーザ素子であって、 該電流阻止層がｎ−ＡｌＧａＡｓからなり、ストライプ
状の電流注入路を構成する、 半導体レーザ素子。 ２、前記電流阻止層の下側に、ｎ−ＧａＡｓからなる光
吸収層を有する、請求項１に記載の半導体レーザ素子。 ３、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層、ＡｌＧａＡｓ活性層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２ク
ラッド層、ｐ−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−ＡｌＧａＡｓ
エッチングストッパ層、ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流阻止層お
よびｎ−ＧａＡｓ保護層をエピタキシャル成長法により
順次積層する工程と； 該ｎ−ＧａＡｓ保護層とｎ−ＡｌＧａＡｓ電流阻止層と
をエッチングしてストライプ状の溝を形成する工程と；
該ストライプ状溝の底部における該ｎ−ＡｌＧａＡｓエ
ッチングストッパ層を除去する工程と； 該ストライプ状溝の底部における該ｐ−ＧａＡｓバッフ
ァ層およびｎ−ＧａＡｓ保護層の少なくとも一部を、メ
ルトバックにより除去する工程と； 引き続いて、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層およびｐ
−ＧａＡｓコンタクト層をエピタキシャル成長法により
順次積層する工程と；を包含する半導体レーザ素子の製
造方法。 ４、前記ｎ−ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層とｎ−
ＡｌＧａＡｓ電流阻止層とを積層する工程において、該
ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流阻止層の下側にｎ−ＧａＡｓ光吸
収層を積層し、そして、前記ストライプ状の溝を形成す
る工程において、前記ｎ−ＧａＡｓ保護層、該ｎ−Ｇａ
Ａｓ光吸収層およびｎ−ＡｌＧａＡｓ電流阻止層とをエ
ッチングする、前記請求項３に記載の半導体レーザ素子
の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099012A JP2547464B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US07/685,415 US5111470A (en) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | Semiconductor laser device and a method of fabricating the same |
| DE91303258T DE69100963T2 (de) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | Herstellungsmethode für eine Halbleiterlaser-Vorrichtung. |
| EP91303258A EP0452146B1 (en) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | Method of fabricating a semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2099012A JP2547464B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03296290A true JPH03296290A (ja) | 1991-12-26 |
| JP2547464B2 JP2547464B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=14235194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2099012A Expired - Fee Related JP2547464B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5111470A (ja) |
| EP (1) | EP0452146B1 (ja) |
| JP (1) | JP2547464B2 (ja) |
| DE (1) | DE69100963T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5175740A (en) * | 1991-07-24 | 1992-12-29 | Gte Laboratories Incorporated | Semiconductor laser and method of fabricating same |
| JPH06314841A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP3489878B2 (ja) * | 1993-10-22 | 2004-01-26 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子およびその自励発振強度の調整方法 |
| EP0695007B1 (en) * | 1994-07-04 | 2000-06-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device and its fabrication process |
| JPH08222815A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02202085A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4190813A (en) * | 1977-12-28 | 1980-02-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Strip buried heterostructure laser |
| JPS60110188A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS62169389A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| DE3788841T2 (de) * | 1986-10-07 | 1994-05-05 | Sharp Kk | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben. |
| FR2606223B1 (fr) * | 1986-10-29 | 1996-03-01 | Seiko Epson Corp | Laser a semiconducteur et son procede de fabrication |
| JPH0279486A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| DE69031401T2 (de) * | 1989-04-28 | 1998-03-19 | Sharp Kk | Halbleiterlaser, Halbleiter-Wafer und Verfahren zur Herstellung derselben |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP2099012A patent/JP2547464B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-04-12 EP EP91303258A patent/EP0452146B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-12 US US07/685,415 patent/US5111470A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-12 DE DE91303258T patent/DE69100963T2/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS603181A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
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| JPH02202085A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2547464B2 (ja) | 1996-10-23 |
| DE69100963D1 (de) | 1994-02-24 |
| US5111470A (en) | 1992-05-05 |
| EP0452146A1 (en) | 1991-10-16 |
| EP0452146B1 (en) | 1994-01-12 |
| DE69100963T2 (de) | 1994-05-05 |
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