JPS6177384A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS6177384A JPS6177384A JP59198047A JP19804784A JPS6177384A JP S6177384 A JPS6177384 A JP S6177384A JP 59198047 A JP59198047 A JP 59198047A JP 19804784 A JP19804784 A JP 19804784A JP S6177384 A JPS6177384 A JP S6177384A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、可視光領域で発光あるいはレーザ発振する半
導体発光素子に関する。
導体発光素子に関する。
(従来技術とその問題点)
(AtXGjt7x)0.5In0.sP系の材料は、
良質粉a A s基板と格子整合し、AlとGa の組
成を変えることにより、すなわちXの値をOから1まで
変えることによシ、バンドギャップを約1.96Vから
約2.35eVの範囲で変化させることができる。この
うち約1.geV〜約2.3eVの範囲は直接遷移型で
ある。このため(AlxGa t−x)0.5In0.
sP ’e活性層、(人IYGII t−y) O,1
In0.5p (1>y)x≧、OX−クラッド層とし
たダブルヘテロ構造を構成することにより、波長068
μm〜0.56μ犠(赤〜黄緑の可視光に相当する)の
範囲で発光またはレーザ発振を得ることができる。電流
注入型レーザの一例として第4図(a)に示す構造によ
る素子で、波長0.68μ惧の赤色レーザダイオードが
得られている(アプライド・フィジックスΦレターズ(
Appl 、phys、Lett、)43(1983)
p、987)。第4図(a)の構造は以下に述べるよう
になっている。n−GaAs 基板11上にn−Ga
Asバッファ層12. n−(At0.!ao4)O
J I n 0.11 Pクラッド層13.アンドープ
Ga6,5In0.5P活性層14. p−(Al0
.5Ga0.y)0.sPクラッド層15、p−GaA
sキャップ層16を順次形成する。
良質粉a A s基板と格子整合し、AlとGa の組
成を変えることにより、すなわちXの値をOから1まで
変えることによシ、バンドギャップを約1.96Vから
約2.35eVの範囲で変化させることができる。この
うち約1.geV〜約2.3eVの範囲は直接遷移型で
ある。このため(AlxGa t−x)0.5In0.
sP ’e活性層、(人IYGII t−y) O,1
In0.5p (1>y)x≧、OX−クラッド層とし
たダブルヘテロ構造を構成することにより、波長068
μm〜0.56μ犠(赤〜黄緑の可視光に相当する)の
範囲で発光またはレーザ発振を得ることができる。電流
注入型レーザの一例として第4図(a)に示す構造によ
る素子で、波長0.68μ惧の赤色レーザダイオードが
得られている(アプライド・フィジックスΦレターズ(
Appl 、phys、Lett、)43(1983)
p、987)。第4図(a)の構造は以下に述べるよう
になっている。n−GaAs 基板11上にn−Ga
Asバッファ層12. n−(At0.!ao4)O
J I n 0.11 Pクラッド層13.アンドープ
Ga6,5In0.5P活性層14. p−(Al0
.5Ga0.y)0.sPクラッド層15、p−GaA
sキャップ層16を順次形成する。
次にストライプ状開口22をもつ8i02膜17および
p型用電極18、n型用電極19を形成する。
p型用電極18、n型用電極19を形成する。
この素子に電流を通電すると、ストライプ状開口22に
よシ限定された領域に電流注入領域が制限され、ストラ
イプ状の発光を得、ストライプ方向にレーザ発振を得る
ことができる。ところが、この構造ではp型電極18と
の低接触抵抗コンタクトをとるためp−GaAsキャッ
プ層16を低抵抗にしているため、このp−GaAsキ
ャップ層16での電流波がりが大きく、活性層14にお
いてストライプ状に電流を十分狭窄することが困難であ
る。
よシ限定された領域に電流注入領域が制限され、ストラ
イプ状の発光を得、ストライプ方向にレーザ発振を得る
ことができる。ところが、この構造ではp型電極18と
の低接触抵抗コンタクトをとるためp−GaAsキャッ
プ層16を低抵抗にしているため、このp−GaAsキ
ャップ層16での電流波がりが大きく、活性層14にお
いてストライプ状に電流を十分狭窄することが困難であ
る。
この困難を解決するために、AAxGal−)(As系
などで行なわれている内部ストライプレーザ、つ′まり
多層エビタΦシアル成長で形成する一部の層中にストラ
イプ状に導電型の異なる領域を設け、そのストライプ状
領域に電流を注入する構造(例えば、アイ・イー暢イー
・イー・ジャーナル・オプ・カンタム・エレクトロニク
ス(IEEE J。
などで行なわれている内部ストライプレーザ、つ′まり
多層エビタΦシアル成長で形成する一部の層中にストラ
イプ状に導電型の異なる領域を設け、そのストライプ状
領域に電流を注入する構造(例えば、アイ・イー暢イー
・イー・ジャーナル・オプ・カンタム・エレクトロニク
ス(IEEE J。
Quautum、Electron、 QEll(19
75)418)からの類推により、第4図(ロ)に示す
構造が提案されている。これは前述の第4図(a)の素
子と同様に、n−GaAs基板11上にn−GaAsバ
ッファ層12を介してn−(A−!0.aGa0.y)
0.s In0.iPクラッド層13、アンドープG
ao4In04P活性層14、p−(AuO,3GaO
,7)0.BPクラッド層15によるダブルヘテロ構造
を形成する。次にこのダブルヘテロ構造の上に、ストラ
イプ状開口23をもつn−GaAs層20を形成し、さ
らにp−GaAs層21f:全面に形成し、p−GaA
s層21およびn−GaAs基板11の表面にp型用電
極18、n型用電極19をそれぞれ形成した構造を有す
る。この素子に電流を流すと、n−GaAs層20によ
るpn反転層で電流がストライプ状開口23により狭窄
されるため、低抵抗p−G a A s層21による電
流波がシの影響は受けない。
75)418)からの類推により、第4図(ロ)に示す
構造が提案されている。これは前述の第4図(a)の素
子と同様に、n−GaAs基板11上にn−GaAsバ
ッファ層12を介してn−(A−!0.aGa0.y)
0.s In0.iPクラッド層13、アンドープG
ao4In04P活性層14、p−(AuO,3GaO
,7)0.BPクラッド層15によるダブルヘテロ構造
を形成する。次にこのダブルヘテロ構造の上に、ストラ
イプ状開口23をもつn−GaAs層20を形成し、さ
らにp−GaAs層21f:全面に形成し、p−GaA
s層21およびn−GaAs基板11の表面にp型用電
極18、n型用電極19をそれぞれ形成した構造を有す
る。この素子に電流を流すと、n−GaAs層20によ
るpn反転層で電流がストライプ状開口23により狭窄
されるため、低抵抗p−G a A s層21による電
流波がシの影響は受けない。
したがって、ストライプ状開口230幅で効率よく活性
層14に電流注入ができるので効率のよい発光が得られ
、レーザ素子としての発振閾値管下げることができる。
層14に電流注入ができるので効率のよい発光が得られ
、レーザ素子としての発振閾値管下げることができる。
この構造を有する素子を作るには、その性質上有機金属
熱分解気相エピタキシ(MO−VPE) 法または分子
線エピタキシ(MBE)法がその成長法として適してい
る。すなわち、第4図(b)で示した構造は、ダブルヘ
テロ構造の上にn−GaAs層20を均一に成長させた
あと、フォトリングラフィ法によシ、ストライプ状開口
23の部分のみ選択的に除去し、このあと、p−GaA
s層21を成長させることによシ実現できる。しかるに
この場合、p−G a A s層21を成長させる前の
状態においては、人S化合物であるn−GaAs層20
と、P化合物であるp−υu □、3Ga O,7)
0.5 In64P 層15が露出しているので、その
表面を保護するためにAsの蒸発とPの蒸発を共に抑制
しなくてはならない。それ故MO−VPE法を用いる場
合にはアルシン(AsH3)とホスワイン(PHs)の
ガスを同時に流す必要があシ、またMBE法ではAs
ビームとPビームの両方を照射する必要がある。しかし
ながら、G a A s上にPH,あるいはPビームを
照射した後成長したGaAsおよびAIGaInP上に
As HsあるいはAsビームを照射した後成長したG
aAaは、その表面状態、結晶性などが劣るため、素子
の性能や信頼性の劣化の原因となる。さらに、ストライ
プ開口23形成後は、p−GaAs層21を成長させる
だけであるにも拘らずAIGaInP露出面があるため
。
熱分解気相エピタキシ(MO−VPE) 法または分子
線エピタキシ(MBE)法がその成長法として適してい
る。すなわち、第4図(b)で示した構造は、ダブルヘ
テロ構造の上にn−GaAs層20を均一に成長させた
あと、フォトリングラフィ法によシ、ストライプ状開口
23の部分のみ選択的に除去し、このあと、p−GaA
s層21を成長させることによシ実現できる。しかるに
この場合、p−G a A s層21を成長させる前の
状態においては、人S化合物であるn−GaAs層20
と、P化合物であるp−υu □、3Ga O,7)
0.5 In64P 層15が露出しているので、その
表面を保護するためにAsの蒸発とPの蒸発を共に抑制
しなくてはならない。それ故MO−VPE法を用いる場
合にはアルシン(AsH3)とホスワイン(PHs)の
ガスを同時に流す必要があシ、またMBE法ではAs
ビームとPビームの両方を照射する必要がある。しかし
ながら、G a A s上にPH,あるいはPビームを
照射した後成長したGaAsおよびAIGaInP上に
As HsあるいはAsビームを照射した後成長したG
aAaは、その表面状態、結晶性などが劣るため、素子
の性能や信頼性の劣化の原因となる。さらに、ストライ
プ開口23形成後は、p−GaAs層21を成長させる
だけであるにも拘らずAIGaInP露出面があるため
。
P化合物表面を保護する必要があり、その成長装置が複
雑となる。以上説明したように従来技術はいくつかの欠
点を有している。
雑となる。以上説明したように従来技術はいくつかの欠
点を有している。
(発明の目的)
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、より
低いコストで電流狭窄が良好でかつ性能、信頼性の湯れ
た□可視光半導体発光素子を提供することにある。
低いコストで電流狭窄が良好でかつ性能、信頼性の湯れ
た□可視光半導体発光素子を提供することにある。
(発明の構成)
本発明によれば、(AlxGa 1−z)0.5In0
.g P ’e活性層、(AjyGax−y)0.5I
n0.sP(1≧y>x≧0)をクラッド層とするダブ
ルヘテロ構造を有し、こめダブルヘテロ構造の上に第1
導電型のAt z G a 1−ZA8層(1≧2≧0
.05)を形成しこのAlzGal−zAs 層表面の
うち一部を除いた表面上に第2導電型の第1のGaAs
層を形成し、さらに第1のGaAs層に被われていない
A7zGa 1−zAs層の表面上および第1のGaA
s層上に第1導電型の第2のGaAs層を形成した半導
体発光素子が得られる。
.g P ’e活性層、(AjyGax−y)0.5I
n0.sP(1≧y>x≧0)をクラッド層とするダブ
ルヘテロ構造を有し、こめダブルヘテロ構造の上に第1
導電型のAt z G a 1−ZA8層(1≧2≧0
.05)を形成しこのAlzGal−zAs 層表面の
うち一部を除いた表面上に第2導電型の第1のGaAs
層を形成し、さらに第1のGaAs層に被われていない
A7zGa 1−zAs層の表面上および第1のGaA
s層上に第1導電型の第2のGaAs層を形成した半導
体発光素子が得られる。
(構成の詳細な駅1明)
本発明は上述の構成をとることにより従来技術の問題を
解決した。
解決した。
第2図は本発明の詳細な説明するための図である。ダブ
ルヘテロ構造のクラッド層としてy=0.3としたp−
(A704Ga0.y)n、5In0.5P30の上(
Cz−=0、2としたp−AA0.zGa O,SAS
層31、n−GaAs層32を順次形成する。成長法は
、例えばMC)VPE法で行なう。フォトリングラフィ
法によIp n −GaAs層32の一部分を除去して
第2図(a)のように開口を設ける。このようにすると
、部分的にpn 反転領域を挾んでエピタキシャル成
長を続はル場合、もとのダブルヘテロ構造がA!GaI
nP系のようにP化合物で構成されていても2回目の成
長は、 A s化合物のみの露出した面に行なうことが
できる。
ルヘテロ構造のクラッド層としてy=0.3としたp−
(A704Ga0.y)n、5In0.5P30の上(
Cz−=0、2としたp−AA0.zGa O,SAS
層31、n−GaAs層32を順次形成する。成長法は
、例えばMC)VPE法で行なう。フォトリングラフィ
法によIp n −GaAs層32の一部分を除去して
第2図(a)のように開口を設ける。このようにすると
、部分的にpn 反転領域を挾んでエピタキシャル成
長を続はル場合、もとのダブルヘテロ構造がA!GaI
nP系のようにP化合物で構成されていても2回目の成
長は、 A s化合物のみの露出した面に行なうことが
できる。
すなわち、第2図(b)に示したように2回目の成長で
形成するp−GaAs層33は、p−Ala 2Gao
4As層31およびn−GaAs層32の上に行なうこ
とになる。p−GaAs層33の成長を行なう場合、第
2図(a)で示された構造の表面はVPE法を用いると
きはAsH3、M B E法を用いるときはAs ビー
ムで保護すればよ< 、PHzないしPビームを用いな
くてよい。このため、成長したp−GaAs層33の表
面状態や結晶性はよい。また、2回目のG a A s
層成長のための装置もGaAs基板上にGaAaを成長
する通常の装置でよいため、簡便である。なお、AiG
aInP系をおおう層としてG aA sを用いずMG
al−zAsを用いたのは、第2図(a)の構造苦成の
際、p−AtGaAs層が薄くても、GaAsと1Ga
Asで選択性をもつエツチング液を用いることによl)
、 GaAsのエツチングが、AtGaAsの表面で
停止し、形成が容易となるからである。
形成するp−GaAs層33は、p−Ala 2Gao
4As層31およびn−GaAs層32の上に行なうこ
とになる。p−GaAs層33の成長を行なう場合、第
2図(a)で示された構造の表面はVPE法を用いると
きはAsH3、M B E法を用いるときはAs ビー
ムで保護すればよ< 、PHzないしPビームを用いな
くてよい。このため、成長したp−GaAs層33の表
面状態や結晶性はよい。また、2回目のG a A s
層成長のための装置もGaAs基板上にGaAaを成長
する通常の装置でよいため、簡便である。なお、AiG
aInP系をおおう層としてG aA sを用いずMG
al−zAsを用いたのは、第2図(a)の構造苦成の
際、p−AtGaAs層が薄くても、GaAsと1Ga
Asで選択性をもつエツチング液を用いることによl)
、 GaAsのエツチングが、AtGaAsの表面で
停止し、形成が容易となるからである。
(実施例)
以下本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第1図は本発明の1実施例を示す斜視図である。n
−G aA s基板41上にn−GaAsバッファ層4
2. n−(AJ!0.aGa0.y)0.5In0
.sPクラッド層43.アンドープca0.sl:no
、SP活性層44.1)−(Al0.aGa0.y)
0.5In0.sPクラッド層45、p−A70.zG
a0.BAs層46が形成されさらにストライプ状開口
51をもつn−GaAs層47、オーミックコンタクト
をとるためのp−GaAS層48ykもった構造を有し
、p−GaAs層48上にはp型用電極49、n−G
a A s基板41の裏面にはn型用電極5oがとシつ
けられている。
る。第1図は本発明の1実施例を示す斜視図である。n
−G aA s基板41上にn−GaAsバッファ層4
2. n−(AJ!0.aGa0.y)0.5In0
.sPクラッド層43.アンドープca0.sl:no
、SP活性層44.1)−(Al0.aGa0.y)
0.5In0.sPクラッド層45、p−A70.zG
a0.BAs層46が形成されさらにストライプ状開口
51をもつn−GaAs層47、オーミックコンタクト
をとるためのp−GaAS層48ykもった構造を有し
、p−GaAs層48上にはp型用電極49、n−G
a A s基板41の裏面にはn型用電極5oがとシつ
けられている。
この実施例の素子に電流を注入すると、n −GaAs
層47によるpn反転層のために、注入電流はストライ
ブ状開口51に制限される。このため、このストライプ
状開口51にほぼ沿った活性層44で発光が生じ、また
レーザ発振も得られる。p−(Al0.!IGa0.y
)0.5In0.sPクラッド層45は厚さが約1μ惧
で比抵抗が約0.2Ω儒 となるドーピングを行なっで
あるので、クラッド層45での電流波がりは小さい。ま
たp−Az 0.2Ga60gAs層46は厚さが約0
.2μ常 と薄く、比抵抗も約01ΩGとなっているの
で、この層における電流波がシは小さい。
層47によるpn反転層のために、注入電流はストライ
ブ状開口51に制限される。このため、このストライプ
状開口51にほぼ沿った活性層44で発光が生じ、また
レーザ発振も得られる。p−(Al0.!IGa0.y
)0.5In0.sPクラッド層45は厚さが約1μ惧
で比抵抗が約0.2Ω儒 となるドーピングを行なっで
あるので、クラッド層45での電流波がりは小さい。ま
たp−Az 0.2Ga60gAs層46は厚さが約0
.2μ常 と薄く、比抵抗も約01ΩGとなっているの
で、この層における電流波がシは小さい。
従って、注入電流はストライブ状開口51によく制限さ
れ、電流波がシによって無効に消費される電流が少ない
ので、発光効率は高く、従ってレーザにした場合その発
振閾値は低い。また、この実施例では、活性層としてx
=OのGa 6,6 In O,6P、クラッド層とし
てy==Q、3の(At0.aGa0.y)0.5In
0.sPを用いているので、波長0.67〜0.68μ
mの赤色可視光レーザが得られる。この実施例では、以
上述べたような優れた基本特性を維持しつつ、次に述べ
る製作法の特徴と相俟ってさらに性能、信頼性の優れた
素子が、よシ低いコストで得られる。
れ、電流波がシによって無効に消費される電流が少ない
ので、発光効率は高く、従ってレーザにした場合その発
振閾値は低い。また、この実施例では、活性層としてx
=OのGa 6,6 In O,6P、クラッド層とし
てy==Q、3の(At0.aGa0.y)0.5In
0.sPを用いているので、波長0.67〜0.68μ
mの赤色可視光レーザが得られる。この実施例では、以
上述べたような優れた基本特性を維持しつつ、次に述べ
る製作法の特徴と相俟ってさらに性能、信頼性の優れた
素子が、よシ低いコストで得られる。
第3図にこの実施例を実現するだめの製作法を示す。第
1図と共通お部分には同じ番号を用いである。第3図(
a)に示すようにn−GaAs基板41上にMOVPE
法によシ、n−GaAsバフ77層42、n−(Aj0
.aGa0.y)0.1In0.sP クラット層43
、アンドープGa□、5In(1,5P活性層44、p
−(A−to4Ga6.7)0.8In0.5Pクラッ
ド層45、p −kl、 6,2Ga 6.BAs層4
6、n−GaAs層47を順次成長させる。次に第3図
(b)に示すようにフォトレジスト52を用いてn−G
aA a層47を選択的にエツチングし、ストライプ
状開口51を形成する。このとき、エツチング液として
アンモニア水と過酸化水(体積比!O:1)のようにG
aAsのみをエツチングし、AIG aA sをエツチ
ングしないエツチング液を用いることにより、p −A
A 052ca 64A8層46の表面が露出しタラ自
動的にエツチングを停止させることができる。
1図と共通お部分には同じ番号を用いである。第3図(
a)に示すようにn−GaAs基板41上にMOVPE
法によシ、n−GaAsバフ77層42、n−(Aj0
.aGa0.y)0.1In0.sP クラット層43
、アンドープGa□、5In(1,5P活性層44、p
−(A−to4Ga6.7)0.8In0.5Pクラッ
ド層45、p −kl、 6,2Ga 6.BAs層4
6、n−GaAs層47を順次成長させる。次に第3図
(b)に示すようにフォトレジスト52を用いてn−G
aA a層47を選択的にエツチングし、ストライプ
状開口51を形成する。このとき、エツチング液として
アンモニア水と過酸化水(体積比!O:1)のようにG
aAsのみをエツチングし、AIG aA sをエツチ
ングしないエツチング液を用いることにより、p −A
A 052ca 64A8層46の表面が露出しタラ自
動的にエツチングを停止させることができる。
レジスト52を除去すると表面に露出するのはn−Ga
As層47および開口51のp−A−t0.2Ga O
,B As層46で、り l) A s化合物のみであ
る。このあと、wc3図(c)+7)ように、p−Ga
As層48t−成長するときに基板の保護のためにはM
OVPE 法の場合A s HBだけを流せばよい。こ
うして得られたp−GaAs層48はきわめて良質であ
り、また良質声結晶ゆえその上に良好な電極が形成され
、その素子特性や信頼性が向上した。1だ、この場合p
−GaAs層の成長は、GaAs基板上にG aA s
を成長させる通常の簡便な装置で行なえるため、その製
造コストが安くなる。
As層47および開口51のp−A−t0.2Ga O
,B As層46で、り l) A s化合物のみであ
る。このあと、wc3図(c)+7)ように、p−Ga
As層48t−成長するときに基板の保護のためにはM
OVPE 法の場合A s HBだけを流せばよい。こ
うして得られたp−GaAs層48はきわめて良質であ
り、また良質声結晶ゆえその上に良好な電極が形成され
、その素子特性や信頼性が向上した。1だ、この場合p
−GaAs層の成長は、GaAs基板上にG aA s
を成長させる通常の簡便な装置で行なえるため、その製
造コストが安くなる。
この実施例では、MOVPE 法による成長の場合につ
いて述べたが、同様の効果はMBE法による成長の場合
についても得られる。また、活性層およびクラッド層の
組成x、yならびにklzGal。
いて述べたが、同様の効果はMBE法による成長の場合
についても得られる。また、活性層およびクラッド層の
組成x、yならびにklzGal。
As層の組成2として特定の値を用いたが、他の値の組
み合わせでも不発明の効果の得られることはいうまでも
ない。
み合わせでも不発明の効果の得られることはいうまでも
ない。
(発明の効果)
以上述べたように本発明によれば、電流狭窄が良好でか
つ性能、信頼性の優れた可視光半導体発光素子をより低
いコストで提供することができる。
つ性能、信頼性の優れた可視光半導体発光素子をより低
いコストで提供することができる。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図、第2図(a)
、 (b)は本発明の詳細な説明するための断面図、第
3図(a)、 Ca)、 (c’)は本発明の半導体発
光素子を製作する工程を示す断面図、第4図(a)、
(b)はそれぞれ従来の半導体発光素子を示す斜視図で
ある。 41−−− ・−・n−GaAs基板、42 ・−1・
−n−GaAsバッファ層、43 、 45 ・・・・
” p−(、M0.aGa0.y)0.5In0.iP
クラッド層、44・・・・・・アンドープGa(1,5
In64P活性層、46− ・・・p−AJl0.2G
a(1,8As層、47 ・−・−n−GaAs層、4
8−・−p−GaAs層、490.・、−P短電極、5
0・・・・・・n短電極、51・・・・・・ストライプ
状開口。 32π−砂As (cLン 茅 2 図 (a、) (7,) (C) 茶3図 第 4 田
、 (b)は本発明の詳細な説明するための断面図、第
3図(a)、 Ca)、 (c’)は本発明の半導体発
光素子を製作する工程を示す断面図、第4図(a)、
(b)はそれぞれ従来の半導体発光素子を示す斜視図で
ある。 41−−− ・−・n−GaAs基板、42 ・−1・
−n−GaAsバッファ層、43 、 45 ・・・・
” p−(、M0.aGa0.y)0.5In0.iP
クラッド層、44・・・・・・アンドープGa(1,5
In64P活性層、46− ・・・p−AJl0.2G
a(1,8As層、47 ・−・−n−GaAs層、4
8−・−p−GaAs層、490.・、−P短電極、5
0・・・・・・n短電極、51・・・・・・ストライプ
状開口。 32π−砂As (cLン 茅 2 図 (a、) (7,) (C) 茶3図 第 4 田
Claims (1)
- (Al_xGa_1_−_x)_0_._5In_0_
._5Pを活性層、(Al_yGa_1_−_y)_0
_._5In_0_._5P(1≧y>x≧0)をクラ
ッド層とするダブルヘテロ構造を有し、該ダブルヘテロ
構造上に第1導電型のAl_zGa_1_−_zAs層
(1≧z≧0.05)、該Al_zGa_1_−_zA
s層の表面のうち一部を除いた表面上に第2導電型の第
1のGaAs層、さらに第1のGaAs層に被われてい
ないAl_zGa_1_−_zAs層の表面上および第
1のGaAs層上に第1導電型の第2のGaAs層を形
成したことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59198047A JPS6177384A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59198047A JPS6177384A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6177384A true JPS6177384A (ja) | 1986-04-19 |
JPH0558275B2 JPH0558275B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=16384647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59198047A Granted JPS6177384A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6177384A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63104493A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Nec Corp | 半導体レ−ザ素子 |
JPS63179590A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | AlGaInP半導体発光素子 |
JPS63236385A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
JPH02116187A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体レーザ |
JPH03209894A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
US6737288B2 (en) | 2001-05-24 | 2004-05-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3000653U (ja) * | 1994-02-01 | 1994-08-09 | 田渕商事株式会社 | かばん |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59198047A patent/JPS6177384A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63104493A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Nec Corp | 半導体レ−ザ素子 |
JPS63179590A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | AlGaInP半導体発光素子 |
JPS63236385A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
JPH02116187A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体レーザ |
JPH03209894A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
US6737288B2 (en) | 2001-05-24 | 2004-05-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0558275B2 (ja) | 1993-08-26 |
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