JP2685776B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JP2685776B2 JP2685776B2 JP63026490A JP2649088A JP2685776B2 JP 2685776 B2 JP2685776 B2 JP 2685776B2 JP 63026490 A JP63026490 A JP 63026490A JP 2649088 A JP2649088 A JP 2649088A JP 2685776 B2 JP2685776 B2 JP 2685776B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、可視光領域で発光あるいはレーザ発振す
る半導体発光素子に関する。
る半導体発光素子に関する。
（従来の技術） In1-x-yGayAlxP（０x,y１）系の材料は、GaAs基
板と格子整合した条件でIII−Ｖ族混晶半導体の中で最
大のバンドギャップを有し（ただし窒化物等を除く）、
580nm（黄色）〜690nm（赤色）の範囲で発光又はレーザ
発振の可能性を有している。
板と格子整合した条件でIII−Ｖ族混晶半導体の中で最
大のバンドギャップを有し（ただし窒化物等を除く）、
580nm（黄色）〜690nm（赤色）の範囲で発光又はレーザ
発振の可能性を有している。
電流注入型レーザの例としては、第５図に示す構造に
よる素子で波長670〜680nmの赤色レーザが得られてい
る。第５図の構造は以下に述べるようになっている。ｎ
−GaAs基板11上に、ｎ−GaAsバッファ層12、ｎ−（Al
0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐクラッド層13、アンドープGa0.5I
n0.5Ｐ活性層14P−（Al0.3Ga0.7）0.5Ｐ層15によるダブ
ルヘテロ構造が形成されている。このダブルヘテロ構造
の上にｐ−GaAs層16、ｎ−GaAs層17を順次形成し、フォ
トリングラフィ法によりｎ−GaAs層17の一部をストライ
プ状21に除去し、さらにｐ−GaAsコンタクト層18を全面
に形成する。ｐ−GaAsコンタクト層18およびｎ−GaAs基
板11の表面にｐ型電極19、ｎ型電極20をそれぞれ形成す
る。この素子に電流を流すとｎ−GaAs層17によるpn反転
層で電流がストライプ状開口21により狭窄され、ストラ
イプ状の発光を得、ストライプ方向にレーザ発振を得る
ことができる。この構造は、酸化しやすいAl化合物であ
るｐ−（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐクラッド層の表面を露
出することなくストライプ状開口21を形成し、ｐ−GaAs
層16上にｐ−GaAsコンタクト層18を形成するため、良好
な成長界面が得られる。
よる素子で波長670〜680nmの赤色レーザが得られてい
る。第５図の構造は以下に述べるようになっている。ｎ
−GaAs基板11上に、ｎ−GaAsバッファ層12、ｎ−（Al
0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐクラッド層13、アンドープGa0.5I
n0.5Ｐ活性層14P−（Al0.3Ga0.7）0.5Ｐ層15によるダブ
ルヘテロ構造が形成されている。このダブルヘテロ構造
の上にｐ−GaAs層16、ｎ−GaAs層17を順次形成し、フォ
トリングラフィ法によりｎ−GaAs層17の一部をストライ
プ状21に除去し、さらにｐ−GaAsコンタクト層18を全面
に形成する。ｐ−GaAsコンタクト層18およびｎ−GaAs基
板11の表面にｐ型電極19、ｎ型電極20をそれぞれ形成す
る。この素子に電流を流すとｎ−GaAs層17によるpn反転
層で電流がストライプ状開口21により狭窄され、ストラ
イプ状の発光を得、ストライプ方向にレーザ発振を得る
ことができる。この構造は、酸化しやすいAl化合物であ
るｐ−（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐクラッド層の表面を露
出することなくストライプ状開口21を形成し、ｐ−GaAs
層16上にｐ−GaAsコンタクト層18を形成するため、良好
な成長界面が得られる。
（発明が解決しようとする課題） しかし、第５図に示した従来の構造において、ｐ−Ga
As層16での電流拡がり及びｎ−GaAs層17のストライプ状
開口21形成時のエッチング工程が問題となる。ｐ−GaAs
層16での電流拡がりを抑えるには、ｐ−GaAs層16とｐ−
（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐクラッド層15のキャリア濃度
と厚さを制御する必要がある。ｐ−GaAs層16のキャリア
濃度を下げ電流拡がりを小さくするとレーザのシリーズ
抵抗が高くなる欠点がある。また、ｎ−GaAs層17のスト
ライプ状開口21形成時のエッチング工程において、ｐ−
GaAs層16でエッチングを止めることは、技術的に難し
く、ｎ−GaAs層17を完全にエッチング除去するためにｐ
−GaAs層16が少しエッチングされる。このためｐ−GaAs
層16の厚さを設定して電流拡がりを抑えることは、難し
く歩留りも悪い。ｐ−GaAs層16をｐ−GaAlAs層に変える
ことも行われている。しかし、GaAs層とGaAlAs層のエッ
チングレートのちがいによりｐ−GaAlAs層のオーバーエ
ッチングの問題は解決するが、ｐ−GaAlAs層はｐ−GaAs
層に比べて、キャリア濃度が一般に低いためレーザのシ
リーズ抵抗が高くなる欠点を有している。
As層16での電流拡がり及びｎ−GaAs層17のストライプ状
開口21形成時のエッチング工程が問題となる。ｐ−GaAs
層16での電流拡がりを抑えるには、ｐ−GaAs層16とｐ−
（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐクラッド層15のキャリア濃度
と厚さを制御する必要がある。ｐ−GaAs層16のキャリア
濃度を下げ電流拡がりを小さくするとレーザのシリーズ
抵抗が高くなる欠点がある。また、ｎ−GaAs層17のスト
ライプ状開口21形成時のエッチング工程において、ｐ−
GaAs層16でエッチングを止めることは、技術的に難し
く、ｎ−GaAs層17を完全にエッチング除去するためにｐ
−GaAs層16が少しエッチングされる。このためｐ−GaAs
層16の厚さを設定して電流拡がりを抑えることは、難し
く歩留りも悪い。ｐ−GaAs層16をｐ−GaAlAs層に変える
ことも行われている。しかし、GaAs層とGaAlAs層のエッ
チングレートのちがいによりｐ−GaAlAs層のオーバーエ
ッチングの問題は解決するが、ｐ−GaAlAs層はｐ−GaAs
層に比べて、キャリア濃度が一般に低いためレーザのシ
リーズ抵抗が高くなる欠点を有している。
本発明の目的は、このような従来の欠点を排除し、高
歩留りで、電流狭窄が良好でかつ性能、信頼性に優れた
可視光半導体発光素子を提供することにある。
歩留りで、電流狭窄が良好でかつ性能、信頼性に優れた
可視光半導体発光素子を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記問題点を解決するために半導体発光素子は、In
1-x-yGayAlxP（０x,y１）からなる活性層を上下か
らはさむ第１及び第２の２つのクラッド層を含むダブル
ヘテロ接合部を半導体基板上に有し、２つのクラッド層
のうち基板とは反対側に位置する第２のクラッド層上に
In1-zGazP（０ｚ＜１）からなる中間バンドギャップ
層を有し、中間バンドギャップ層上に一部を中間バンド
ギャップ層まで除去した電流狭窄層を有し、電流狭窄層
に被われてない中間バンドギャッブ層に第２のクラッド
層と同じ導電型の不純物が拡散された領域を有し、電流
狭窄層に被われていない中間バンドギャップ層上及び電
流狭窄層上に第２のクラッド層と同じ導電型のコンタク
ト層を有した構造であり、その製造方法において、中間
バンドギャップ層と一部を中間バンドギャップ層まで除
去した電流狭窄層に対して、不純物を拡散する工程と電
流狭窄層に被われてない中間バンドギャップ層上および
電流狭窄層上に第２のクラッド層と同じ導電型のコンタ
クト層を形成する工程を有機金属気相成長法における反
応炉の中で行うものである。
1-x-yGayAlxP（０x,y１）からなる活性層を上下か
らはさむ第１及び第２の２つのクラッド層を含むダブル
ヘテロ接合部を半導体基板上に有し、２つのクラッド層
のうち基板とは反対側に位置する第２のクラッド層上に
In1-zGazP（０ｚ＜１）からなる中間バンドギャップ
層を有し、中間バンドギャップ層上に一部を中間バンド
ギャップ層まで除去した電流狭窄層を有し、電流狭窄層
に被われてない中間バンドギャッブ層に第２のクラッド
層と同じ導電型の不純物が拡散された領域を有し、電流
狭窄層に被われていない中間バンドギャップ層上及び電
流狭窄層上に第２のクラッド層と同じ導電型のコンタク
ト層を有した構造であり、その製造方法において、中間
バンドギャップ層と一部を中間バンドギャップ層まで除
去した電流狭窄層に対して、不純物を拡散する工程と電
流狭窄層に被われてない中間バンドギャップ層上および
電流狭窄層上に第２のクラッド層と同じ導電型のコンタ
クト層を形成する工程を有機金属気相成長法における反
応炉の中で行うものである。
（作用） 本発明は、上述の構造及び製造方法を用いることによ
り従来技術の問題点を解決するものである。第４図は、
本発明の原理を説明するための図である。ダブルヘテロ
構造の第２のクラッドｘ＝0.35,y＝0.15としたｐ−In
0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ層31、中間バンドギャップ層を
ｚ＝0.5としたｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層32、電流狭窄層をｎ
−GaAS層33、コンタクト層をｐ−GaAs層34、拡散領域35
を形成する不純物をZnとし、各層の成長法は、たとえば
有機金属気相成長法（MOCVD法）とする。
り従来技術の問題点を解決するものである。第４図は、
本発明の原理を説明するための図である。ダブルヘテロ
構造の第２のクラッドｘ＝0.35,y＝0.15としたｐ−In
0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ層31、中間バンドギャップ層を
ｚ＝0.5としたｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層32、電流狭窄層をｎ
−GaAS層33、コンタクト層をｐ−GaAs層34、拡散領域35
を形成する不純物をZnとし、各層の成長法は、たとえば
有機金属気相成長法（MOCVD法）とする。
ｎ−GaAs層33のエッチング工程において、ｐ−In0.5G
a0.5Ｐ層32はｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ層31のカバ
ーとなり、Alの酸化があるｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5
Ｐ層31のカバーとなり、Alの酸化があるｐ−In0.5（Ga
0.3Al0.7）0.5Ｐ層31が大気中に露出することを防ぐ。
a0.5Ｐ層32はｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ層31のカバ
ーとなり、Alの酸化があるｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5
Ｐ層31のカバーとなり、Alの酸化があるｐ−In0.5（Ga
0.3Al0.7）0.5Ｐ層31が大気中に露出することを防ぐ。
ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層32において、Znが拡散された領域
のキャリア濃度はZnが拡散されない領域のキャリア濃度
より１桁以上高いため、ｐ−In0.5Ga0.5P32での電流拡
がりは少ない。
のキャリア濃度はZnが拡散されない領域のキャリア濃度
より１桁以上高いため、ｐ−In0.5Ga0.5P32での電流拡
がりは少ない。
ｎ−GaAS層33とｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層32ではZnの拡散速
度が１桁程度ちがうため、ｎ−GaAs層33が拡散ブロック
層として働き、拡散ブロック用のマスク等を施す必要が
なく、工程が簡単になる。
度が１桁程度ちがうため、ｎ−GaAs層33が拡散ブロック
層として働き、拡散ブロック用のマスク等を施す必要が
なく、工程が簡単になる。
以上延べた利点を本発明は有している。
（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明す
る。第１図は、本発明の第１の実施例を示す断面図であ
る。
る。第１図は、本発明の第１の実施例を示す断面図であ
る。
ｎ−GaAs基板41上にｎ−GaAsバッファ層42、ｎ−In
0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ（ｘ＝0.35,y＝0.15）第１のク
ラッド層43、アンドープIn0.5Ga0.5Ｐ（ｘ＝ｙ＝0.5）
活性層44、ｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ（ｘ＝0.35,y
＝0.15）第２のクラッド層45、ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ（ｚ＝
0.5）中間バンドギャップ層46が形成され、さらに一部
をｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層46まで除去したｎ−GaAs電流狭窄
層47、オーミックコンタクトを形成するｐ−GaAsコンタ
クト層48、Znが拡散された領域49が形成された構造であ
る。ｐ−GaASコンタクト層48上には、ｐ型電極であるAu
Zn50,n−GaAs基板41の裏面には、ｎ型電極であるAuGe51
が形成されている。
0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ（ｘ＝0.35,y＝0.15）第１のク
ラッド層43、アンドープIn0.5Ga0.5Ｐ（ｘ＝ｙ＝0.5）
活性層44、ｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ（ｘ＝0.35,y
＝0.15）第２のクラッド層45、ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ（ｚ＝
0.5）中間バンドギャップ層46が形成され、さらに一部
をｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層46まで除去したｎ−GaAs電流狭窄
層47、オーミックコンタクトを形成するｐ−GaAsコンタ
クト層48、Znが拡散された領域49が形成された構造であ
る。ｐ−GaASコンタクト層48上には、ｐ型電極であるAu
Zn50,n−GaAs基板41の裏面には、ｎ型電極であるAuGe51
が形成されている。
本実施例の素子に電流を注入すると、ｎ−GaAs電流狭
窄層47によるpn反転層のため注入電流は電流狭窄部52に
制限される。このため、この電流狭窄部52にほぼ沿った
活性層44で発光が生じ、またレーザ発振も得られる。
窄層47によるpn反転層のため注入電流は電流狭窄部52に
制限される。このため、この電流狭窄部52にほぼ沿った
活性層44で発光が生じ、またレーザ発振も得られる。
第１図において、たとえばｐ−In0.5Ga0.5Ｐ中間バン
ドギャップ層46が厚さ0.05μｍ、キャリア濃度５×1017
cm-3の場合、Zn拡散領域49のキャリア濃度は１×1019cm
程度あり、ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層46の電流狭窄部52に電流
が拡がることなく集中する。
ドギャップ層46が厚さ0.05μｍ、キャリア濃度５×1017
cm-3の場合、Zn拡散領域49のキャリア濃度は１×1019cm
程度あり、ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層46の電流狭窄部52に電流
が拡がることなく集中する。
したがって、注入電流は、電流狭窄部52によく制限さ
れ、電流拡がりによって無効に消費される電流が少ない
ので、発光効率は高く、このためレーザにした場合、そ
の発振しきい値は低くなる。また本発明では、活性層と
してアンドドーブIn0.5Ga0.5Ｐ層を用いているので、波
長は670〜680nmの赤色可視光レーザが得られる。尚、第
２図に示す如く電流狭窄層がｎ−Ga0.75Al0.25As（ｗ＝
0.25）層あるいはｎ−In0.5（Ga0.7Al0.3）0.5Ｐ（ｘ′
＝0.15,y′＝0.35）層また、中間バンドギャップ層が、
ｎ−In0.5Ga0.5Ｐ（ｚ＝0.5）層あるいはアンドーブIn
0.5Ga0.5Ｐ（ｚ＝0.5）層の構造でも上述の性能を示
す。ただし、上述したx,y,z,w,x′,y′の数値等は本発
明の効果がある範囲で変更可能な事は言うまでもない。
れ、電流拡がりによって無効に消費される電流が少ない
ので、発光効率は高く、このためレーザにした場合、そ
の発振しきい値は低くなる。また本発明では、活性層と
してアンドドーブIn0.5Ga0.5Ｐ層を用いているので、波
長は670〜680nmの赤色可視光レーザが得られる。尚、第
２図に示す如く電流狭窄層がｎ−Ga0.75Al0.25As（ｗ＝
0.25）層あるいはｎ−In0.5（Ga0.7Al0.3）0.5Ｐ（ｘ′
＝0.15,y′＝0.35）層また、中間バンドギャップ層が、
ｎ−In0.5Ga0.5Ｐ（ｚ＝0.5）層あるいはアンドーブIn
0.5Ga0.5Ｐ（ｚ＝0.5）層の構造でも上述の性能を示
す。ただし、上述したx,y,z,w,x′,y′の数値等は本発
明の効果がある範囲で変更可能な事は言うまでもない。
第３図に本実施例を実現するための製造方法について
示す。第１図と共通の部分は同じ番号を用いてある。第
３図（ａ）に示すように、ｎ−GaAs基板41上に有機金属
気相成長法によりｎ−GaAsバッファ層42、ｎ−In0.5（G
a0.3Al0.7）0.5Ｐ第１のクラッド層43、アンドープIn
0.5Ga0.5Ｐ活性層44、ｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ第
２のクラッド層45、ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ中間バンドギャッ
プ層46、ｎ−GaAs電流狭窄層47を順次成長させる。次に
第３図（ｂ）に示すように、フォトレジスト53を用いｎ
−GaAs層47を選択的にエッチング除去し、電流狭窄部52
を形成する。このとき確実にｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層46表面
を露出させるために、ｎ−GaAs層47とｐ−In0.5Ga0.5Ｐ
層46とでエッチングレートのちがうエッチング液を用い
る。たとえば、エッチング液としては、硫酸、過酸化水
素水、水の混液（体積比8:1:1）などが適している。次
に第３図（ｃ）に示すように、フォトレジスト35を除去
し、ｎ−GaAS層47とｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層46の表面を出
し、有機金属気相成長法における反応炉の中でZn拡散工
程を行う。拡散工程において、ｎ−GaAs層47とｐ−In
0.5Ga0.5Ｐ層46では、Znの拡散速度が１桁以上ちがうた
め、電流狭窄部52にZnが深く拡散され第３図（ｄ）に示
す構造となる。次に、第３図（ｃ）に示すようにｐ−Ga
Asコンタクト層48を成長し、ｐ型電極AuZn50及びＮ型電
極AuGe51を形成する。ｐ−GaAs層48を成長するとき、Al
を含む化合物が表面に露出してないため、ｐ−GaAsコン
タクト層48はきわめて良質であり、良好な電極形成がで
き、素子特性や信頼性が向上した。また、Zn拡散工程も
有機金属気相成長法における反応炉の中で行うため、製
造工程が簡略化しその製造コストが安くなる。
示す。第１図と共通の部分は同じ番号を用いてある。第
３図（ａ）に示すように、ｎ−GaAs基板41上に有機金属
気相成長法によりｎ−GaAsバッファ層42、ｎ−In0.5（G
a0.3Al0.7）0.5Ｐ第１のクラッド層43、アンドープIn
0.5Ga0.5Ｐ活性層44、ｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ第
２のクラッド層45、ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ中間バンドギャッ
プ層46、ｎ−GaAs電流狭窄層47を順次成長させる。次に
第３図（ｂ）に示すように、フォトレジスト53を用いｎ
−GaAs層47を選択的にエッチング除去し、電流狭窄部52
を形成する。このとき確実にｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層46表面
を露出させるために、ｎ−GaAs層47とｐ−In0.5Ga0.5Ｐ
層46とでエッチングレートのちがうエッチング液を用い
る。たとえば、エッチング液としては、硫酸、過酸化水
素水、水の混液（体積比8:1:1）などが適している。次
に第３図（ｃ）に示すように、フォトレジスト35を除去
し、ｎ−GaAS層47とｐ−In0.5Ga0.5Ｐ層46の表面を出
し、有機金属気相成長法における反応炉の中でZn拡散工
程を行う。拡散工程において、ｎ−GaAs層47とｐ−In
0.5Ga0.5Ｐ層46では、Znの拡散速度が１桁以上ちがうた
め、電流狭窄部52にZnが深く拡散され第３図（ｄ）に示
す構造となる。次に、第３図（ｃ）に示すようにｐ−Ga
Asコンタクト層48を成長し、ｐ型電極AuZn50及びＮ型電
極AuGe51を形成する。ｐ−GaAs層48を成長するとき、Al
を含む化合物が表面に露出してないため、ｐ−GaAsコン
タクト層48はきわめて良質であり、良好な電極形成がで
き、素子特性や信頼性が向上した。また、Zn拡散工程も
有機金属気相成長法における反応炉の中で行うため、製
造工程が簡略化しその製造コストが安くなる。
なお、本発明は上記実施例に限られない。要するに本
発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施す
ることができる。
発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施す
ることができる。
以上述べたように本発明によれば歩留りよく電流狭窄
層が良好でかつ性能，信頼性の優れた可視光半導体発光
素子をより低いコストで提供することができる。
層が良好でかつ性能，信頼性の優れた可視光半導体発光
素子をより低いコストで提供することができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は第１の実
施例の製造工程を示す図、第４図は本発明の原理を説明
するための断面図、第５図は従来の半導体発光素子の例
を示す断面図である。 41……ｎ−GaAs基板、42……ｎ−GaAsバッファ層、43…
…ｎ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ第１のクラッド層、44
……アンドープIn0.5Ga0.5Ｐ活性層、31,61,45……ｐ−
In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ第２のクラッド層、32,46…
…ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ中間バンドギャップ層、33,47……
ｎ−GaAs電流狭窄層、34,64,48……ｐ−GaAsコンタクト
層、35,65,49……Zn拡散領域、50……Ｐ型電極AuZn、51
……Ｎ型電極AuGe、51……Ｎ型電極AuGe、66,52……電
流狭窄部、62……ｎ−In0.5Ga0.5Ｐあるいはアンドーブ
In0.5Ga0.5Ｐ中間バンドギャップ層、63……ｎ−Ga0.75
Al0.25Asあるいはｎ−In0.5（Ga0.7Al0.3）0.5Ｐ電流狭
窄層。
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は第１の実
施例の製造工程を示す図、第４図は本発明の原理を説明
するための断面図、第５図は従来の半導体発光素子の例
を示す断面図である。 41……ｎ−GaAs基板、42……ｎ−GaAsバッファ層、43…
…ｎ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ第１のクラッド層、44
……アンドープIn0.5Ga0.5Ｐ活性層、31,61,45……ｐ−
In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐ第２のクラッド層、32,46…
…ｐ−In0.5Ga0.5Ｐ中間バンドギャップ層、33,47……
ｎ−GaAs電流狭窄層、34,64,48……ｐ−GaAsコンタクト
層、35,65,49……Zn拡散領域、50……Ｐ型電極AuZn、51
……Ｎ型電極AuGe、51……Ｎ型電極AuGe、66,52……電
流狭窄部、62……ｎ−In0.5Ga0.5Ｐあるいはアンドーブ
In0.5Ga0.5Ｐ中間バンドギャップ層、63……ｎ−Ga0.75
Al0.25Asあるいはｎ−In0.5（Ga0.7Al0.3）0.5Ｐ電流狭
窄層。
Claims (3)
- 【請求項１】In1-x-yGayAlxP（０x,y１）からな
り、活性層を上下から挟む第１及び第２の２つのクラッ
ド層を含むダブルヘテロ接合部が半導体基板上に形成さ
れている半導体発光素子において、少なくとも前記クラ
ッド層のうち基板とは反対側に位置する前記第２のクラ
ッド層上にIn1-zGazP（０ｚ＜１）からなる中間バン
ドギャップ層を設け、この中間バンドギャップ層上に、
一部の中間バンドギャップ層が露出するように電流狭窄
層を設け、前記露出した中間バンドギャップ層に第２の
クラッド層と同じ導電型の不純物が拡散された領域を有
し、前記電流狭窄層上及び中間バンドギャップ層上に、
第２のクラッド層と同じ導電型のコンタクト層を設けた
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】前記中間バンドギャップ層上に一部を中間
バンドギャップ層まで除去して形成された電流狭窄層
が、Ga1-wAlwAs（０ｗ１）あるいはIn
１−ｘ′−ｙ′Gaｙ′Alｘ′Ｐ（０ｘ′,y′１）か
らなる半導体層であることを特徴とする請求項１記載の
半導体発光素子。 - 【請求項３】In1-x-yGayAlxP（０x,y１）からな
り、活性層を上下から挟む第１及び第２のクラッド層の
うち、基板とは反対側に位置する第２のクラッド層上に
In1-zGazP（０ｚ＜１）からなる中間バンドギャップ
層を形成する工程と、この中間バンドギャップ層上に、
Ga1-wAlwAs（０ｗ１）あるいはIn１−ｘ′−ｙ′Ga
ｙ′Alｘ′Ｐ（０ｘ′,y′１）からなる半導体層を
形成する工程と、この半導体層の一部を中間バンドギャ
ップ層に到達するまで除去し、その残された半導体層表
面及び露出した中間バンドギャップ層に、不純物を拡散
する工程と、該工程で拡散された半導体層上及び中間バ
ンドギャップ層上に第２のクラッド層と同じ導電型のコ
ンタクト層を形成する工程とを備えたことを特徴とする
半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026490A JP2685776B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| DE89301262T DE68909632T2 (de) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | Halbleiterlaser-Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren. |
| EP89301262A EP0328393B1 (en) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | Semiconductor laser device and the manufacturing method thereof |
| US07/307,927 US4922499A (en) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | Semiconductor laser device and the manufacturing method thereof |
| US07/486,397 US4987097A (en) | 1988-02-09 | 1990-02-28 | Method of manufacturing a semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026490A JP2685776B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202881A JPH01202881A (ja) | 1989-08-15 |
| JP2685776B2 true JP2685776B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=12194942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026490A Expired - Fee Related JP2685776B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685776B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137088A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6381886A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63026490A patent/JP2685776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01202881A (ja) | 1989-08-15 |
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