JPS6381886A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6381886A JPS6381886A JP22872286A JP22872286A JPS6381886A JP S6381886 A JPS6381886 A JP S6381886A JP 22872286 A JP22872286 A JP 22872286A JP 22872286 A JP22872286 A JP 22872286A JP S6381886 A JPS6381886 A JP S6381886A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、寥導体レーザ装置に関し、特に、Ａ ｆＬ
Ｇａ ＩｎＰ系の半導体レーザ装置における動作時で
の発熱湯減少のための改良構造に係るものである。
Ｇａ ＩｎＰ系の半導体レーザ装置における動作時で
の発熱湯減少のための改良構造に係るものである。
従来例でのこの種のＡ１ＧａＡｓ系の半導体レーザＦｂ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｖｏｌ、３？、Ｎｏ、３
Ｐ、２６２（＋９８０））に提示された構成を第３図
に示す。
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｖｏｌ、３？、Ｎｏ、３
Ｐ、２６２（＋９８０））に提示された構成を第３図
に示す。
すなわち、この第３図構成において、符号１はｒｌ１４
’ＧｌＩＪ５基板を示し、２はｎ形ＡＱ 、Ｇａｐ−、
Ａｓクラッド層、３はｎ形またはｐ形のＡ交２Ｇａｌ−
２Ａｓ活性層、４は、ｉｌのｐ形Ａｎ 、Ｇａ、−、Ａ
ｓクラッド層であり、５はストライプ状の溝を有するｎ
形ＧａＡｓ′ｉ負介ブロック層、６は第２のρ形Ａ〜Ｇ
ａ１−ｙＡｓクラッド層、７はｐ形ＧａＡｓコンタクト
層、８，３はｐ側およびｎ側電極である。
’ＧｌＩＪ５基板を示し、２はｎ形ＡＱ 、Ｇａｐ−、
Ａｓクラッド層、３はｎ形またはｐ形のＡ交２Ｇａｌ−
２Ａｓ活性層、４は、ｉｌのｐ形Ａｎ 、Ｇａ、−、Ａ
ｓクラッド層であり、５はストライプ状の溝を有するｎ
形ＧａＡｓ′ｉ負介ブロック層、６は第２のρ形Ａ〜Ｇ
ａ１−ｙＡｓクラッド層、７はｐ形ＧａＡｓコンタクト
層、８，３はｐ側およびｎ側電極である。
こ−で、この従来例によるＡｕＧａＡｓ系の半導体レー
ザ装置の場合、電流は、 ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層
５のストライプ状溝の開口部を通って流れ、この溝の下
方に位置する活性層３の部分が有効発振領域となり、こ
の活性層３の部分でレーザ発振する。
ザ装置の場合、電流は、 ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層
５のストライプ状溝の開口部を通って流れ、この溝の下
方に位置する活性層３の部分が有効発振領域となり、こ
の活性層３の部分でレーザ発振する。
しかして、前記の従来例によるＡ文ＧａＡｓ系の半・り
体し−ザ装：４の構造を、こ−でＡｉＬＧａｌｎＰ系の
１４視光甲二導体レーザ装置に適用する場合には、前記
した第１および第２のＰ形Ａ〜Ｇ ａ １− 、Ａ ｓ
クラッド層４，７ａに対応する ｐ形（Ａｘ ｘＧａｌ
−ｘ）０．５”０．５Ｐクランド層を低抵抗化し難いも
ので、実質的に例えば、ＺｎをドープしたＵｉ ｘｃａ
ｔ−ｘ）ｏ、５ｘｎｏ、ｓｐにおいては、ｘ＝０．５の
ときに比抵抗が１０−１ΩＣｌ１１程度。
体し−ザ装：４の構造を、こ−でＡｉＬＧａｌｎＰ系の
１４視光甲二導体レーザ装置に適用する場合には、前記
した第１および第２のＰ形Ａ〜Ｇ ａ １− 、Ａ ｓ
クラッド層４，７ａに対応する ｐ形（Ａｘ ｘＧａｌ
−ｘ）０．５”０．５Ｐクランド層を低抵抗化し難いも
ので、実質的に例えば、ＺｎをドープしたＵｉ ｘｃａ
ｔ−ｘ）ｏ、５ｘｎｏ、ｓｐにおいては、ｘ＝０．５の
ときに比抵抗が１０−１ΩＣｌ１１程度。
：＜＝０．７のときに比抵抗が１００ΩＣｌ１１程度で
あり、このために、そのｐ形（Ａ９．、Ｇａ１−、）ｏ
、５１ｎｏ、５Ｐクラ２ド層中での発熱が増加すること
になって、装置構成に良好な温度特性、寿命特性などが
得られないと云う問題点があった。
あり、このために、そのｐ形（Ａ９．、Ｇａ１−、）ｏ
、５１ｎｏ、５Ｐクラ２ド層中での発熱が増加すること
になって、装置構成に良好な温度特性、寿命特性などが
得られないと云う問題点があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたものであって、そのＩｌ的とするところは、Ａ
文ＧａＩｎＰ系の可視光半導体レーザ装置において、
そのｐ形（Ａ ｌ 、Ｇａ １−ｘ）ｏ 、 ５ｌｎｏ
、 ５Ｐクラ７ド層中での発熱を減少させ、これによ
って、温度特性、寿命特性などを改善させた。この種の
半導体レーザ装置を提供することである。
なされたものであって、そのＩｌ的とするところは、Ａ
文ＧａＩｎＰ系の可視光半導体レーザ装置において、
そのｐ形（Ａ ｌ 、Ｇａ １−ｘ）ｏ 、 ５ｌｎｏ
、 ５Ｐクラ７ド層中での発熱を減少させ、これによ
って、温度特性、寿命特性などを改善させた。この種の
半導体レーザ装置を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体レー
ザ装置は、装置を構成する所定導電形のクラッド層中に
あって、同一導電形のコンタクト層から、活性領域近傍
まで延び、かつ光の閉じ込めの妨げとならない程度に幅
を狭くした。同一導電形でクラッド層よりも低抵抗の電
流注入領域を形成したものである。
ザ装置は、装置を構成する所定導電形のクラッド層中に
あって、同一導電形のコンタクト層から、活性領域近傍
まで延び、かつ光の閉じ込めの妨げとならない程度に幅
を狭くした。同一導電形でクラッド層よりも低抵抗の電
流注入領域を形成したものである。
すなわち、この発明の半導体レーザ装置においては、レ
ーザ発振のための電流が、比較的抵抗の高い所定導電形
のクラッド層中だけでなく、同時に回−導電形で低抵抗
の電流注入領域中をも流れるため、このクラッド層の比
抵抗を実効的に低下し得るのである。
ーザ発振のための電流が、比較的抵抗の高い所定導電形
のクラッド層中だけでなく、同時に回−導電形で低抵抗
の電流注入領域中をも流れるため、このクラッド層の比
抵抗を実効的に低下し得るのである。
以下、この発明に係る半導体レーザ装置の一実施例につ
き、第１図および第２図を参照して詳細に説明する。
き、第１図および第２図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例を適用した半導体レーザ装
置、こ−ではＡ立Ｇａ１ｎＰ系の可視光゛ト導体レーザ
装置のａ個構成を示す斜視図であり、また第２図（ａ）
ないしくｆ）は同上実施例装置の製造なに程順に示した
それぞれ断面図である。
置、こ−ではＡ立Ｇａ１ｎＰ系の可視光゛ト導体レーザ
装置のａ個構成を示す斜視図であり、また第２図（ａ）
ないしくｆ）は同上実施例装置の製造なに程順に示した
それぞれ断面図である。
まず、この実施例による半導体レーザ装置の構成につい
て述べる。
て述べる。
第１図実施例構成において、 ｎ型ＧａＡｓ半導体基板
ｌｌ上には、ｎ型（Ａ ｆＬ、Ｇａ １−ｘ ）ｏ 、
ｓ Ｉｎｏ 、 ５Ｐクラッド層１２と、 ｎ型また
はｐ型のＧａｏ、５Ｉｎｏ、５Ｐ活性Ｆ！：１３と、第
１のｐ型（Ａｓ；ＬｘＧａｌ−ｘ）０．５”Ｑ、５Ｐク
ラッド層１４と、 ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５と
、 ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６とが、それぞれ順次
に形成されている。また、前記ｎＪＩＧａＡｓ電流ブロ
ック層１５．およびｐη！ＧａＡｓコンタクト層１Ｇを
通して、ストライプ状の溝が掘り込まれており、同構内
に第２のｐ型（Ａ ｘ 、Ｇａ １−ｘ）ｏ 、 ｓ
１１１０ 、５Ｐクラッド層１７を埋め込むと共に、前
記第１のｐ型（Ａｎ ！ｃａ１−．）ｏ、５Ｉｎｏ、５
ｐクランド層１４．およびｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
１５と、第２の ｐ型（Ａ ｘ ｘｃａ ｔ−８）ｏ
、 ５Ｉｎｏ 、 ５Ｐクラッド層１７との境界部に、
光の閉じ込めの妨げとならない程度にＩｌに、ｉを狭く
したｐ型ＧａＡｓ電流注入領域２０を拡散形成させ、さ
らに、 ｐ側電極１８およびｎ側電極１８を設けたもの
である。
ｌｌ上には、ｎ型（Ａ ｆＬ、Ｇａ １−ｘ ）ｏ 、
ｓ Ｉｎｏ 、 ５Ｐクラッド層１２と、 ｎ型また
はｐ型のＧａｏ、５Ｉｎｏ、５Ｐ活性Ｆ！：１３と、第
１のｐ型（Ａｓ；ＬｘＧａｌ−ｘ）０．５”Ｑ、５Ｐク
ラッド層１４と、 ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５と
、 ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６とが、それぞれ順次
に形成されている。また、前記ｎＪＩＧａＡｓ電流ブロ
ック層１５．およびｐη！ＧａＡｓコンタクト層１Ｇを
通して、ストライプ状の溝が掘り込まれており、同構内
に第２のｐ型（Ａ ｘ 、Ｇａ １−ｘ）ｏ 、 ｓ
１１１０ 、５Ｐクラッド層１７を埋め込むと共に、前
記第１のｐ型（Ａｎ ！ｃａ１−．）ｏ、５Ｉｎｏ、５
ｐクランド層１４．およびｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
１５と、第２の ｐ型（Ａ ｘ ｘｃａ ｔ−８）ｏ
、 ５Ｉｎｏ 、 ５Ｐクラッド層１７との境界部に、
光の閉じ込めの妨げとならない程度にＩｌに、ｉを狭く
したｐ型ＧａＡｓ電流注入領域２０を拡散形成させ、さ
らに、 ｐ側電極１８およびｎ側電極１８を設けたもの
である。
次に、この実施例による半導体レーザ装置の製造方法に
ついて述べる。
ついて述べる。
最初に、前記したｎ型ＧａＡｓ半導体基板ｌ上に対して
、 ｎ型（Ａｘ 、Ｇａｔ−り、）、５１ｎｏ、５Ｐク
ラッド層１２゜ｎ型またはＰ型Ｇａｏ、５Ｉｎｏ、５Ｐ
活性層１３．第１のｐ型（１，ｑ ｘ”ｌ−１り０．５
”０．５２クラッド層１４．ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック
層１５．およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６のそれぞ
れを、例えば、この場合、にｏ−ｃｖｏ法またはＭＢＥ
法などにより順次に成長形成させる（第１図（ａ））。
、 ｎ型（Ａｘ 、Ｇａｔ−り、）、５１ｎｏ、５Ｐク
ラッド層１２゜ｎ型またはＰ型Ｇａｏ、５Ｉｎｏ、５Ｐ
活性層１３．第１のｐ型（１，ｑ ｘ”ｌ−１り０．５
”０．５２クラッド層１４．ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック
層１５．およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６のそれぞ
れを、例えば、この場合、にｏ−ｃｖｏ法またはＭＢＥ
法などにより順次に成長形成させる（第１図（ａ））。
ついで、写真製版技術によって得たストライプ状のパタ
ーンをマスクにして、前記ｐ型Ｇａ＋Ｌｇコンタクト層
１６．およびｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５中に、遠
択的にストライプ状のメサ形溝を掘り込んで、その底部
に第１のｐ型（Ａ文！Ｇａ１−り０．５Ｉｎ０．５Ｐク
ラッド層１４を露出させ（同図（ｂ））だ後に、続いて
、各露出部分にＺｎを拡散させることによって。
ーンをマスクにして、前記ｐ型Ｇａ＋Ｌｇコンタクト層
１６．およびｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５中に、遠
択的にストライプ状のメサ形溝を掘り込んで、その底部
に第１のｐ型（Ａ文！Ｇａ１−り０．５Ｉｎ０．５Ｐク
ラッド層１４を露出させ（同図（ｂ））だ後に、続いて
、各露出部分にＺｎを拡散させることによって。
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５の露出部分をｐ形に反
転させると共に、これらの各露出部分にＰ型ＧａＡｓ電
流注入領域２０を形成させる（同図（Ｃ））。なお、こ
の電流注入領域２０の拡散形成に際しては、第１のｐ型
ＣＡｘ 、ｃａｔ−りｏ、５ｚｎｏ、５ｐクラッド層１
４中のＺｎの拡散フロントが、ｎ型（Ａｘ ｘ”１−ｘ
）０．５”０．５Ｐクラッド層１２に到達しないように
制御する。
転させると共に、これらの各露出部分にＰ型ＧａＡｓ電
流注入領域２０を形成させる（同図（Ｃ））。なお、こ
の電流注入領域２０の拡散形成に際しては、第１のｐ型
ＣＡｘ 、ｃａｔ−りｏ、５ｚｎｏ、５ｐクラッド層１
４中のＺｎの拡散フロントが、ｎ型（Ａｘ ｘ”１−ｘ
）０．５”０．５Ｐクラッド層１２に到達しないように
制御する。
さらに、前記ストライプ状溝の内部を含めて、第２のｐ
型＜ Ａ ｘ 、ｃａ １− 、 ） ｏ 、 ５ｒ
ｎ ｏ 、 ５ｐクラッド層１７を成長させ（同図（ｄ
））、ついで、フォトレジストパターンなどをマスクに
して（同図（ｅ））、ストライプ状溝以外の第２のｐ型
（Ａｎ ｘＧｄｌ−１）０．５”０．５２クラッド層１
７をエツチング除去し、 ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
８を露出させる（同図（ｆ））のであり、その後、ｐ側
電極１８およびｎ側電極１９を形成して、所期の装置構
成を得るのである。
型＜ Ａ ｘ 、ｃａ １− 、 ） ｏ 、 ５ｒ
ｎ ｏ 、 ５ｐクラッド層１７を成長させ（同図（ｄ
））、ついで、フォトレジストパターンなどをマスクに
して（同図（ｅ））、ストライプ状溝以外の第２のｐ型
（Ａｎ ｘＧｄｌ−１）０．５”０．５２クラッド層１
７をエツチング除去し、 ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
８を露出させる（同図（ｆ））のであり、その後、ｐ側
電極１８およびｎ側電極１９を形成して、所期の装置構
成を得るのである。
なおこ−で、前記各層の厚さｔ、およびＡ文組成比Ｘに
ついては、 ｎ型（ＡＪＩ ｘＧａｌ−１）０．５１１
１ｏ、ｓＰクラッド層１２ではｔ＝１〜１．５終ｍ、ｘ
＝０．５、 ｎ型またはｐ型ｃａｏ、５１ｎ、５Ｐ活性
層１３ではｔ＝０．０５〜０．１Ｊｔｍ 、第１のｐ型
（ｉ ｘＧａＩ−り０．５”０．５２クラッド層１４テ
はｔ ＝ ０．２〜０．３ Ｂｍ、ｘ＝０．５、 ｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層１５ではｔ ＝ １．０〜１
．５ ｇ厘が適当であり、またストライプ状溝の底部幅
は２〜３ Ｊ”ｌｌＴ Ｐ型ＧａＡｓ電流注入領域２０
の幅は０．２ ＪＬｍ程度が適当である。
ついては、 ｎ型（ＡＪＩ ｘＧａｌ−１）０．５１１
１ｏ、ｓＰクラッド層１２ではｔ＝１〜１．５終ｍ、ｘ
＝０．５、 ｎ型またはｐ型ｃａｏ、５１ｎ、５Ｐ活性
層１３ではｔ＝０．０５〜０．１Ｊｔｍ 、第１のｐ型
（ｉ ｘＧａＩ−り０．５”０．５２クラッド層１４テ
はｔ ＝ ０．２〜０．３ Ｂｍ、ｘ＝０．５、 ｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層１５ではｔ ＝ １．０〜１
．５ ｇ厘が適当であり、またストライプ状溝の底部幅
は２〜３ Ｊ”ｌｌＴ Ｐ型ＧａＡｓ電流注入領域２０
の幅は０．２ ＪＬｍ程度が適当である。
しかして、以上のように構成された半導体レーザ装置に
あって、ｐ側電極１８に正、ｎ側電極１９に負の電圧を
印加させた場合、電流は、ｐ側電極１８゜ｎ側電極１９
間でのｎ７ｆｉＧａ１ｇ電流ブロック層１５が介在され
る領域には流れずに、 ｐ型ＧａＡｓ電流注入領域２０
．および第２のｐ型（ｈｘ 、ｃａ１□）（，５ｒｎｏ
、５ｐクラッド層１７を流れて、 ｐ型Ｇａｏ、５Ｉｎ
ｏ、５Ｐ活性層１３での、これらの６領４４２０，１７
の下方に位置する部分が有効発振領域となり、同部分で
レーザ発振を生ずる。
あって、ｐ側電極１８に正、ｎ側電極１９に負の電圧を
印加させた場合、電流は、ｐ側電極１８゜ｎ側電極１９
間でのｎ７ｆｉＧａ１ｇ電流ブロック層１５が介在され
る領域には流れずに、 ｐ型ＧａＡｓ電流注入領域２０
．および第２のｐ型（ｈｘ 、ｃａ１□）（，５ｒｎｏ
、５ｐクラッド層１７を流れて、 ｐ型Ｇａｏ、５Ｉｎ
ｏ、５Ｐ活性層１３での、これらの６領４４２０，１７
の下方に位置する部分が有効発振領域となり、同部分で
レーザ発振を生ずる。
このとき、第２のｐ型（Ａｉ 、Ｇａ１−ｘ）ｏ、５Ｉ
ｎｏ、５Ｐクラッド層１７の比抵抗が１Ｏ−１ΩＣ−度
であるのに対し、 ｐ型ＧａＡｓ電泣注入領域２０の比
抵抗を１０−２Ωｃ。
ｎｏ、５Ｐクラッド層１７の比抵抗が１Ｏ−１ΩＣ−度
であるのに対し、 ｐ型ＧａＡｓ電泣注入領域２０の比
抵抗を１０−２Ωｃ。
以下にすることができ、しかもこ覧では、ｉｌのｐ型（
Ａ ｌ 、Ｇａｔ−ｘ）ｏ、５Ｉ１１ｏ、ｓＰクラッド
層１４での該当領域部分もまた、前記拡散によって低抵
抗化できるために、レーザ動作時におけるｐ形りラッド
層全体の抵抗を、前記したような従来のＡ文ＧａＡｓ系
レーザ構造をＡＬ；ＬＧａｌｎＰ系可視光レーザ構造に
適用する場合に比較して、約半分程度にまで低下できて
、この領域での発熱量を格段に減少し得るのである。
Ａ ｌ 、Ｇａｔ−ｘ）ｏ、５Ｉ１１ｏ、ｓＰクラッド
層１４での該当領域部分もまた、前記拡散によって低抵
抗化できるために、レーザ動作時におけるｐ形りラッド
層全体の抵抗を、前記したような従来のＡ文ＧａＡｓ系
レーザ構造をＡＬ；ＬＧａｌｎＰ系可視光レーザ構造に
適用する場合に比較して、約半分程度にまで低下できて
、この領域での発熱量を格段に減少し得るのである。
なお、前記実施例においては、活性層として、Ｇａ１ｎ
Ｐを用いているが、これはＡｕＧａＩｎＰであっても良
く、また、ｎ型の電流ブロック層についても、ＧａＡｓ
以外にＡ Ｉ ＧａＡｓとかＧａ（ｎＰを用いることが
できる。
Ｐを用いているが、これはＡｕＧａＩｎＰであっても良
く、また、ｎ型の電流ブロック層についても、ＧａＡｓ
以外にＡ Ｉ ＧａＡｓとかＧａ（ｎＰを用いることが
できる。
さらに、前記実施例においては、ｎ形半導体基板上に構
成されたレーザについて述べたが、 ｐ形半導体基板上
に構成されて、各層のｎ形と ｐ形とを逆に形成したレ
ーザについても適用できることは勿論である。
成されたレーザについて述べたが、 ｐ形半導体基板上
に構成されて、各層のｎ形と ｐ形とを逆に形成したレ
ーザについても適用できることは勿論である。
〔発Ｉす１の効果〕
以」−詳述したように、この発明に係る半導体レーザ装
置によれば、所定導電形のクラッド層中にあって、同−
導電形のコンタクト層から、活性領域近傍まで延び、か
つ光の閉じ込めの妨げとならない程度に幅を狭くした。
置によれば、所定導電形のクラッド層中にあって、同−
導電形のコンタクト層から、活性領域近傍まで延び、か
つ光の閉じ込めの妨げとならない程度に幅を狭くした。
同−導′１せ形でクラ−、ド層よりも低抵抗の電流注入
領域を形成したから、レーザ発振のための電流が、比較
的抵抗の高い所定導電形のクラッド層中だけでなく、同
時に同−導電形でクラッド層よりも低抵抗の電流注入領
域中をも疏れ、このためクラッド層の抵抗が実効的に低
ドされて、こ〜での発熱量を減少させることができ、結
果的に装置構成の温度特性、寿命特性などを格段に向１
： Ｌ得て、信頼性に優れた装置構成を実現できるもの
である。
領域を形成したから、レーザ発振のための電流が、比較
的抵抗の高い所定導電形のクラッド層中だけでなく、同
時に同−導電形でクラッド層よりも低抵抗の電流注入領
域中をも疏れ、このためクラッド層の抵抗が実効的に低
ドされて、こ〜での発熱量を減少させることができ、結
果的に装置構成の温度特性、寿命特性などを格段に向１
： Ｌ得て、信頼性に優れた装置構成を実現できるもの
である。
０′Ｓ１図はこの発明の一実施例を適用した半導体レー
ザ装置、こ−ではＡ文Ｇａ１ｎＰ系可視光半導体レーザ
装置の概要構成を示す斜視図、第２図（ａ）ないし０）
は同」一実施例装置の製造を工程順に示したそれぞれ断
面図であり、また第３図は従来例によるＡ立ＧａＡｓ系
半導体レーザ装置の概要構成を示す斜視図である。 １１・・・・ｎ形ＧａＡｓ半導体基板。 １２−−−− ｎ形（Ａ４ 、Ｇａ１−り、５１ｎｏ、
５Ｐクラッド層。 １３＝ ｎ形またはｐ形Ｇ ａ ｏ 、 ｓ Ｉ ｎ
ｏ 、 ｓ Ｐ活性層。 １４−・・・第１のｐ形（Ａ交ｘＧａ１−ｘ）０．５”
０．５Ｐクラッド層。 １５・・・・ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層。 １Ｇ・・・・ｐ形ＧａＡｓコンタクト層。 １７・・・・第２のｐ形（Ａ ｌ ｘＧ ａ ｔ −り
ｏ 、 ｓ １ ｎ ｏ 、 ５Ｐクラッド層。 １８・・・・ ｐ（Ｉｌｌ電極、１９・・・・ｎ側電極
。 ２０・・・・ｐ見ｊＧａＡｓ電流注入領域。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第２図 （ｄｌ とり （ｅ）。 （ｆ） 第３図
ザ装置、こ−ではＡ文Ｇａ１ｎＰ系可視光半導体レーザ
装置の概要構成を示す斜視図、第２図（ａ）ないし０）
は同」一実施例装置の製造を工程順に示したそれぞれ断
面図であり、また第３図は従来例によるＡ立ＧａＡｓ系
半導体レーザ装置の概要構成を示す斜視図である。 １１・・・・ｎ形ＧａＡｓ半導体基板。 １２−−−− ｎ形（Ａ４ 、Ｇａ１−り、５１ｎｏ、
５Ｐクラッド層。 １３＝ ｎ形またはｐ形Ｇ ａ ｏ 、 ｓ Ｉ ｎ
ｏ 、 ｓ Ｐ活性層。 １４−・・・第１のｐ形（Ａ交ｘＧａ１−ｘ）０．５”
０．５Ｐクラッド層。 １５・・・・ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層。 １Ｇ・・・・ｐ形ＧａＡｓコンタクト層。 １７・・・・第２のｐ形（Ａ ｌ ｘＧ ａ ｔ −り
ｏ 、 ｓ １ ｎ ｏ 、 ５Ｐクラッド層。 １８・・・・ ｐ（Ｉｌｌ電極、１９・・・・ｎ側電極
。 ２０・・・・ｐ見ｊＧａＡｓ電流注入領域。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第２図 （ｄｌ とり （ｅ）。 （ｆ） 第３図
Claims (4)
- （１）第１導電形の半導体基板上に、第１導電形のクラ
ッド層、第１または第２導電形の活性層、第２導電形の
第１のクラッド層、選択的にストライプ状の溝を掘り込
んだ第１導電形の電流ブロック層、第２導電形の第２の
クラッド層、および第２導電形のコンタクト層を、順次
に形成させた半導体レーザ装置において、少なくとも前
記第１のクラッド層中に、前記コンタクト層から活性領
域近傍まで延び、かつ光の閉じ込めの妨げとならない程
度に幅を狭くした、第１のクラッド層よりも低抵抗の第
２導電形の電流注入領域を形成したことを特徴とする半
導体レーザ装置。 - （２）コンタクト層、および電流ブロック層を選択的に
掘り込んだストライプ状の溝中に、第２導電形の第２の
クラッド層を形成させると共に、少なくとも電流ブロッ
ク層と第２のクラッド層との境界部に、電流注入領域を
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の半導体レーザ装置。 - （３）第２のクラッド層に接する、第１導電形の電流ブ
ロック層の境界部を、不純物拡散によつて第２導電形に
したことを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の半
導体レーザ装置。 - （４）各クラッド層として（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ
）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ結晶を、電流ブロッ
ク層、および電流注入領域としてＧａＡｓまたはＡｌＧ
ａＡｓ結晶を、それぞれに用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項の何れかに記載の半導体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22872286A JPS6381886A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22872286A JPS6381886A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381886A true JPS6381886A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16880789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22872286A Pending JPS6381886A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381886A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202881A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH01286481A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 可視光発光素子 |
| JPH01286480A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 可視光発光素子 |
| JPH03129892A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2007030281A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Noboru Araki | 中空木製板材 |
| JP2010275822A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Munetaka Yagisawa | 断熱材 |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP22872286A patent/JPS6381886A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202881A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH01286481A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 可視光発光素子 |
| JPH01286480A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 可視光発光素子 |
| JPH03129892A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH0572118B2 (ja) * | 1989-10-16 | 1993-10-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JP2007030281A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Noboru Araki | 中空木製板材 |
| JP2010275822A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Munetaka Yagisawa | 断熱材 |
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