JPH02288285A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02288285A JPH02288285A JP10972389A JP10972389A JPH02288285A JP H02288285 A JPH02288285 A JP H02288285A JP 10972389 A JP10972389 A JP 10972389A JP 10972389 A JP10972389 A JP 10972389A JP H02288285 A JPH02288285 A JP H02288285A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
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- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ＡＵＧａｌｎＰを活性層とする半導体レー
ザ装置に関し、特に電流をリッジ部（ｒｉｄｇｅ）の活
性層に可及的に集中して流通させると共に、光を効率よ
く上記リッジ部に閉じ込めることのできる半導体レーザ
装置を得ることを目的としたものである。
ザ装置に関し、特に電流をリッジ部（ｒｉｄｇｅ）の活
性層に可及的に集中して流通させると共に、光を効率よ
く上記リッジ部に閉じ込めることのできる半導体レーザ
装置を得ることを目的としたものである。
（従来の技術）
第３図は例えばＥｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ
ｏｆ ｔｈｅ１８ｔｈ （１９８６Ｉｎｔｅｒｎａｔ
ｉｏｎａｌ）Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ
Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅ
ｒｉａｌｓ、１９８６、ＰＰ１５３−１５６に示された
従来の半導体レーザ装置を示す、同図において、（１）
はｎ形（以下”ｎ−”と記す） ＧａＡｓ基板、（２）
はｎ −（Ａ１ｙＧａ＋−ｙ）ｏ、 ５ｌｎｏＳＰ第１
クラッド層、（３）は真性の（Ａｕｘｃａ＋−、）ｏ、
５ｌｎｏ、 ％Ｐ活性層、（４）はＰ形（以下″ｐ−
”と記す）（Ａｌ＠Ｇａ＋−ｔ）ｏ、 ａｌｎｏ、 ｓ
Ｐ第２クラッド層、（５）はｐ−ＧａＡｓバッファ層、
（６）はｐ −ＧａＡｓコンタクト層である。クラッド
層（４）のリッジ部（２０）の両側に設けられた（７）
はｎ −ＧａＡｓ電流阻止層、（９）は例えばＡｕＧａ
／Ａｕからなるｎ電極、（１０）は例えばＡｕＺｎ／Ａ
ｕからなるｐ電極である。また、（１２）はクラッド層
（４）と電流阻止層（７）との間に再成長により形成さ
れたｐｎ接合である。こ＼で、第１クラッド層（２）、
第２クラッド層（４）、活性層（３）を構成する材料の
Ａ交組成の割合ｘ、ｙ、ｚ相互間には、般に０≦ｘ＜ｙ
、０≦Ｘ＜Ｚの関係か保たれている。
ｏｆ ｔｈｅ１８ｔｈ （１９８６Ｉｎｔｅｒｎａｔ
ｉｏｎａｌ）Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ
Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅ
ｒｉａｌｓ、１９８６、ＰＰ１５３−１５６に示された
従来の半導体レーザ装置を示す、同図において、（１）
はｎ形（以下”ｎ−”と記す） ＧａＡｓ基板、（２）
はｎ −（Ａ１ｙＧａ＋−ｙ）ｏ、 ５ｌｎｏＳＰ第１
クラッド層、（３）は真性の（Ａｕｘｃａ＋−、）ｏ、
５ｌｎｏ、 ％Ｐ活性層、（４）はＰ形（以下″ｐ−
”と記す）（Ａｌ＠Ｇａ＋−ｔ）ｏ、 ａｌｎｏ、 ｓ
Ｐ第２クラッド層、（５）はｐ−ＧａＡｓバッファ層、
（６）はｐ −ＧａＡｓコンタクト層である。クラッド
層（４）のリッジ部（２０）の両側に設けられた（７）
はｎ −ＧａＡｓ電流阻止層、（９）は例えばＡｕＧａ
／Ａｕからなるｎ電極、（１０）は例えばＡｕＺｎ／Ａ
ｕからなるｐ電極である。また、（１２）はクラッド層
（４）と電流阻止層（７）との間に再成長により形成さ
れたｐｎ接合である。こ＼で、第１クラッド層（２）、
第２クラッド層（４）、活性層（３）を構成する材料の
Ａ交組成の割合ｘ、ｙ、ｚ相互間には、般に０≦ｘ＜ｙ
、０≦Ｘ＜Ｚの関係か保たれている。
この半導体レーザ装置は次のようにして製造される。先
づｎ −ＧａＡｓ基板（１）上にＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａ
ｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法によりｎ （ＡＪ
２ｙＧａ＋−ｙ）ｏ、５ｌｎｏ、ｓＰ第１クラッド層（
２）、真性の（ＡＬＧａ＋−ｘ）ｏ、 ５ｌｎｏ、 Ｓ
Ｐ活性層（３）、ｐ−（ＡＪ２ｇＧａ＋−５）ｏ、 ５
ｌｎｏ、 ｓＰ第２クラッド層（４）、ｐ−ＧａＡｓバ
ッファ層（５）を順次成長させる。この場合。
づｎ −ＧａＡｓ基板（１）上にＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａ
ｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法によりｎ （ＡＪ
２ｙＧａ＋−ｙ）ｏ、５ｌｎｏ、ｓＰ第１クラッド層（
２）、真性の（ＡＬＧａ＋−ｘ）ｏ、 ５ｌｎｏ、 Ｓ
Ｐ活性層（３）、ｐ−（ＡＪ２ｇＧａ＋−５）ｏ、 ５
ｌｎｏ、 ｓＰ第２クラッド層（４）、ｐ−ＧａＡｓバ
ッファ層（５）を順次成長させる。この場合。
第３図には示されていないが基板（１）と第１クラッド
層（２）との間にｎ −ＧａＡｓバッファ層を設けても
よい。
層（２）との間にｎ −ＧａＡｓバッファ層を設けても
よい。
次にこのウェハのｐ −ＧａＡｓバッファ層（５） ｆ
に熱ＣＶＤ法により例えば１０００人程度のＳｉＮ膜を
形成し、写真製版によりリッジ部を形成するための幅が
約５μｍのストライブ状マスクを形成する。
に熱ＣＶＤ法により例えば１０００人程度のＳｉＮ膜を
形成し、写真製版によりリッジ部を形成するための幅が
約５μｍのストライブ状マスクを形成する。
次に化学工・ンチングにより上記バッファ層（５）と第
２クラッド層（４）の一部を除去し、リッジ部（２０）
を形成する。この場合、リッジ部（２０）の両側の第２
クラッド層（４）の残存厚みは０．３μｍ程度とされる
。
２クラッド層（４）の一部を除去し、リッジ部（２０）
を形成する。この場合、リッジ部（２０）の両側の第２
クラッド層（４）の残存厚みは０．３μｍ程度とされる
。
そのＩＭＯｃＶＤ法によりｎ −ＧａＡｓ１ｉ流阻止層
（７）を成長させて上記リッジ部（２０）の両側を埋込
む、ざらにリッジ部（２０）上のＳｉＮストライブ状マ
スクをＩＩＦ系のエウチング液を用いて除去した後、再
びＭＯＣＶＤ法によりｐ −ＧａＡｓコンタクト層（６
）を全面に成長させて形成する。最後にｎ電極（９）
、 ｐ電極（ｌＯ）をそれぞれ蒸着する。
（７）を成長させて上記リッジ部（２０）の両側を埋込
む、ざらにリッジ部（２０）上のＳｉＮストライブ状マ
スクをＩＩＦ系のエウチング液を用いて除去した後、再
びＭＯＣＶＤ法によりｐ −ＧａＡｓコンタクト層（６
）を全面に成長させて形成する。最後にｎ電極（９）
、 ｐ電極（ｌＯ）をそれぞれ蒸着する。
この半導体レーザ装置において、ｎ電極（９）とｐ電極
（ｌＯ）をバイアス電源に接続して順方向バイアスをか
けてやると、電流は第２クラッド層（４）の厚い領域、
すなわちリッジ部（２ｏ）に効率よく注入され、その領
域の下の活性層（３）の部分で光を発する。また、リッ
ジ部（２０）の両側には発生した光を吸収する光吸収層
として作用するｎ −ＧａＡｓ電流阻止層（７）かある
ため１等価的に光は第２クラッド層（４）の厚い領域に
閉じ込められる。
（ｌＯ）をバイアス電源に接続して順方向バイアスをか
けてやると、電流は第２クラッド層（４）の厚い領域、
すなわちリッジ部（２ｏ）に効率よく注入され、その領
域の下の活性層（３）の部分で光を発する。また、リッ
ジ部（２０）の両側には発生した光を吸収する光吸収層
として作用するｎ −ＧａＡｓ電流阻止層（７）かある
ため１等価的に光は第２クラッド層（４）の厚い領域に
閉じ込められる。
上述のような構成をもった半導体レーザ装置は、順バイ
アスかかけられたときはｐｎ接合（１２）は逆バイアス
され、これか電流を阻止する役割をはたしている。しか
しながら、このｐｎ接合（１２）はエツチング等により
汚染されているため、リーク電流が大きく、電流を効率
よくリッジ部（２ｏ）の下の活性層（３）にのみ流して
やることが困難であり、またｐｎ接合の耐圧も低く、効
率のよい半導体レーザ装置を得るのか困難てあった。
アスかかけられたときはｐｎ接合（１２）は逆バイアス
され、これか電流を阻止する役割をはたしている。しか
しながら、このｐｎ接合（１２）はエツチング等により
汚染されているため、リーク電流が大きく、電流を効率
よくリッジ部（２ｏ）の下の活性層（３）にのみ流して
やることが困難であり、またｐｎ接合の耐圧も低く、効
率のよい半導体レーザ装置を得るのか困難てあった。
この発明は、電流なリッジ部の下部の活性層にのみ集中
的に流すことができ、且つ光を効率よくリッジ部の活性
層に閉じ込めることのできる半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とする。
的に流すことができ、且つ光を効率よくリッジ部の活性
層に閉じ込めることのできる半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とする。
（，１題を解決するための手段）
この発明による半導体レーザ装置は、リッジ部以外の活
性層及び第１クラッド層の上記活性層に近い領域を、該
第１クラッド層の導電形と反対の導電形にしたものであ
る。
性層及び第１クラッド層の上記活性層に近い領域を、該
第１クラッド層の導電形と反対の導電形にしたものであ
る。
（作 用）
この発明の半導体レーザ装置では、電流はリッジ部のみ
に効率よく集中的に注入され、また活性層で発生した光
が電流阻止層で吸収されるのか抑制され、発生した光は
有効にリッジ部の活性層に閉じ込められる。
に効率よく集中的に注入され、また活性層で発生した光
が電流阻止層で吸収されるのか抑制され、発生した光は
有効にリッジ部の活性層に閉じ込められる。
（実 施 例）
以下、第１図によってこの発明の半導体レーザ装置の構
造を、第２図（ａ）乃至（ｆ）によってこの発明の半導
体レーザ装置の製造方法を説明する。
造を、第２図（ａ）乃至（ｆ）によってこの発明の半導
体レーザ装置の製造方法を説明する。
第１図で、（ｉ）はｎ −ＧａＡｓ基板、（２）は該基
板上に形成されたｎ （Ａｐｙｃａ＋−ｙ）。５ｌｎ
ｏ、ｓＰ第１クラッド層、（コ）は第１クラッド層上に
形成された真性の（ＡＵ、Ｇａ＋−Ｉｌ）。５１ｎｌ）
、 ｓＰかラナル活性層、（４）は活性層上に形成され
た Ｐ −（Ａｉｚａａ＋−ｘ）ｏ５１ｎｏ、 ｓＰ第２ク
ラッド層である。この場合、Ａ９．組成の割合は、第３
図に示す従来の半導体レーザ装置と同様に、一般に０≦
Ｘ〈ｙ、ｏ≦Ｘ＜Ｚとなるように定められている。第２
クラッド層（４）は一部が除去されてリッジ部（２０）
が形成されている。リッジ部（２０）の上部にはｐ −
１ｎＰバッファ層（５）が形成され、また第２クラッド
層（４）の除去された部分、つまりリッジ部（２０）の
両側部はｎ −ＧａＡｓ電流阻止層（７）で埋められて
いる。バッファ層（５）、電流阻止層（７）の上にはｐ
−ＧａＡｓコンタクト層（６）が形成されている。
板上に形成されたｎ （Ａｐｙｃａ＋−ｙ）。５ｌｎ
ｏ、ｓＰ第１クラッド層、（コ）は第１クラッド層上に
形成された真性の（ＡＵ、Ｇａ＋−Ｉｌ）。５１ｎｌ）
、 ｓＰかラナル活性層、（４）は活性層上に形成され
た Ｐ −（Ａｉｚａａ＋−ｘ）ｏ５１ｎｏ、 ｓＰ第２ク
ラッド層である。この場合、Ａ９．組成の割合は、第３
図に示す従来の半導体レーザ装置と同様に、一般に０≦
Ｘ〈ｙ、ｏ≦Ｘ＜Ｚとなるように定められている。第２
クラッド層（４）は一部が除去されてリッジ部（２０）
が形成されている。リッジ部（２０）の上部にはｐ −
１ｎＰバッファ層（５）が形成され、また第２クラッド
層（４）の除去された部分、つまりリッジ部（２０）の
両側部はｎ −ＧａＡｓ電流阻止層（７）で埋められて
いる。バッファ層（５）、電流阻止層（７）の上にはｐ
−ＧａＡｓコンタクト層（６）が形成されている。
斜線で示した領域（８）は例えばＺｎを拡散して形成さ
れたｐ形拡散領域で、該Ｐ形拡散領域（８）と第１クラ
ツド（２）との間にはｐｎ接合（１３）が形成され、ま
たこのｐ形拡散領域（８）と電流阻止層（７）との間に
は再生成界面であるｐｎ接合（１２）が形成されている
。
れたｐ形拡散領域で、該Ｐ形拡散領域（８）と第１クラ
ツド（２）との間にはｐｎ接合（１３）が形成され、ま
たこのｐ形拡散領域（８）と電流阻止層（７）との間に
は再生成界面であるｐｎ接合（１２）が形成されている
。
次に第２図を参照して第１図に示すこの発明の半導体レ
ーザの製造方法を説明する。
ーザの製造方法を説明する。
ｎ −ＧａＡｓ基板（１）上にＭＯＣＶＤ法によりｎ
−（ＡＪ２ｙＧａ＋−ｙ）ｏ、 ｑｌｎｏ、 ｓＰ第１
クラッド層（２）、真性の（ＡＪ２ｘＧａ＋−＋＋）ｏ
、 ５ｌｎｏ、 ５ｐ活性層（３）、ｐ −（ＡＪ２ｇ
Ｇａｌ−ｊＯ，＋５ｌｎｏ、 Ｓｐ第２クラッド層（４
）、ｐ −１ｎＰバッファ層（５）、ｐ −ＧａＡｓコ
ンタクト層（６′）をこの順序で成長させ１次いで上記
コンタクト層（６′）上に１０００人程度ＯＨさのＳｉ
Ｎ膜（１１）を例えばｐ−ｃｖＤ法によって形成する（
第２図（ａ）） 。
−（ＡＪ２ｙＧａ＋−ｙ）ｏ、 ｑｌｎｏ、 ｓＰ第１
クラッド層（２）、真性の（ＡＪ２ｘＧａ＋−＋＋）ｏ
、 ５ｌｎｏ、 ５ｐ活性層（３）、ｐ −（ＡＪ２ｇ
Ｇａｌ−ｊＯ，＋５ｌｎｏ、 Ｓｐ第２クラッド層（４
）、ｐ −１ｎＰバッファ層（５）、ｐ −ＧａＡｓコ
ンタクト層（６′）をこの順序で成長させ１次いで上記
コンタクト層（６′）上に１０００人程度ＯＨさのＳｉ
Ｎ膜（１１）を例えばｐ−ｃｖＤ法によって形成する（
第２図（ａ）） 。
次に写真製版によってＳｉＮ膜（１１）を部分的に工・
シチングして幅が３１Ｌｍ〜７ＪＬｍのストライブ状マ
スク（１１’）を形成する（第２図（ｂ）） 。
シチングして幅が３１Ｌｍ〜７ＪＬｍのストライブ状マ
スク（１１’）を形成する（第２図（ｂ）） 。
次にＨ，Ｓｏ、系のエツチング液を用いて第２クラッド
層（４）の途中まで選択的にエウチングしてリッジ部（
２０）を形成する。この場合、第２クラ・ント層（４）
の残存厚みｔは０．２７ｔｍ〜０．５μｍ程度であるこ
とが望ましい（第２図（ｃ）） 。
層（４）の途中まで選択的にエウチングしてリッジ部（
２０）を形成する。この場合、第２クラ・ント層（４）
の残存厚みｔは０．２７ｔｍ〜０．５μｍ程度であるこ
とが望ましい（第２図（ｃ）） 。
次にこれをＭＯＣＶＤ装置の炉の中に段数し、Ａｓ１ｌ
＋（アルシン）ＳよびＤＩＩＺｎ （ジメチルジンク）
形成する（第２図（ｄ））。
＋（アルシン）ＳよびＤＩＩＺｎ （ジメチルジンク）
形成する（第２図（ｄ））。
引続き同じ炉内でＳｉＮ膜のマスク（１１’）を利用し
てｎ −ＧａＡｓをリッジ部（２０）の両側に選択的に
成長させてｎ −ＧａＡｓ電流阻止層（７）を形成する
（第２図（ｅ）） 。
てｎ −ＧａＡｓをリッジ部（２０）の両側に選択的に
成長させてｎ −ＧａＡｓ電流阻止層（７）を形成する
（第２図（ｅ）） 。
次にＳｉＮ膜のマスク（１１’）を除去後、再びＭＯＣ
ＶＤ法によりＰ −ＧａＡｓを全面成長させて、先に形
成され、リッジ部（２０）の最上部に残存するコンタク
ト層（６′）と合体してｐ −ＧａＡｓコンタクト層（
６）を形成する（第２図（ｆ）） 。
ＶＤ法によりＰ −ＧａＡｓを全面成長させて、先に形
成され、リッジ部（２０）の最上部に残存するコンタク
ト層（６′）と合体してｐ −ＧａＡｓコンタクト層（
６）を形成する（第２図（ｆ）） 。
最後に基板（１）に例えばＡｕＧｅ／Ａｕのｎ電極（９
）を、コンタクト層（６）に例えばＡｕＺｎ／Ａｕのｐ
電極（ｌＯ）をそれぞれ形成して第１図の半導体レーザ
装置を得る。
）を、コンタクト層（６）に例えばＡｕＺｎ／Ａｕのｐ
電極（ｌＯ）をそれぞれ形成して第１図の半導体レーザ
装置を得る。
１シ
なお、ｐ拡散領域（８）を形成するに当っては、＾
上記のＺｎの他に例えばＭｇ、 Ｃｄ、 Ｂｅ等の■族
の他の金属を使用することもできる。
の他の金属を使用することもできる。
この半導体レーザ装置において、基板（＋）とコンタク
ト層（６）との間にバイアスをかけてやると、電流はｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層（７）だけでなく、リッジ部（
２０）の下部から離れた第１クラツド（２）中に形成さ
れたｐｎ接合（１３）により効率よくリッジ部（２０）
の活性層部分（３′）に注入される。これは、第１クラ
ッド層（２）のＡ１組成の濃度の方が活性層（３）のリ
ツ＆部分（３′）のＡ１組成の濃度よドギャップの方が
活性層部分（３′）のバンドギャッへ プよりも大きいことによる。
ト層（６）との間にバイアスをかけてやると、電流はｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層（７）だけでなく、リッジ部（
２０）の下部から離れた第１クラツド（２）中に形成さ
れたｐｎ接合（１３）により効率よくリッジ部（２０）
の活性層部分（３′）に注入される。これは、第１クラ
ッド層（２）のＡ１組成の濃度の方が活性層（３）のリ
ツ＆部分（３′）のＡ１組成の濃度よドギャップの方が
活性層部分（３′）のバンドギャッへ プよりも大きいことによる。
また、（ＡＬＧａ＋−＋＋）ｏ、５ｌｎｏ、ｓＰ活性層
（３）のＩｎが拡散された拡散領域は、Ｚｎが拡散され
ていない活性層部分（３′）よりも屈折率が大きくなる
。このため、上記活性層部分（３′）で発生した光は有
効にリッジ部内に閉じ込められ、電流阻止層（７）によ
る光の吸収が抑制され、高効率の半導体レーザ装置が得
られる。
（３）のＩｎが拡散された拡散領域は、Ｚｎが拡散され
ていない活性層部分（３′）よりも屈折率が大きくなる
。このため、上記活性層部分（３′）で発生した光は有
効にリッジ部内に閉じ込められ、電流阻止層（７）によ
る光の吸収が抑制され、高効率の半導体レーザ装置が得
られる。
なお、実施例ではｎ形基板（１）を使用しているが、ｐ
形基板を使用してもよい、また、電流阻止層（７）を省
略してもよい。
形基板を使用してもよい、また、電流阻止層（７）を省
略してもよい。
以上のように、この発明によれば、リッジ部の下部領域
を除く第１クラッド層（２）の活性層（３）の近傍のみ
の導電形を逆の導電形に反転させたことにより、極めて
高効率の半導体レーザ装置を提供することができる。
を除く第１クラッド層（２）の活性層（３）の近傍のみ
の導電形を逆の導電形に反転させたことにより、極めて
高効率の半導体レーザ装置を提供することができる。
第１図はこの発明による半導体レーザ装置の一実施例の
断面図、第２図（ａ）乃至（ｆ）は第１図に示すこの発
明による半導体レーザ装置の製造方法を説明する図、第
３図は従来の半導体レーザ装置の例を示す断面図である
。 （１）・・・・基板、（２）・・・・第１のクラッド層
。 （３）・・・・活性層、（４）・・・・第２クラッド層
、（５）・・・・・・電流阻止層（半導体材料の層）、
（８）・・・・拡散領域（第２の導電形の領域） 、
（２０）・・・・リッジ部。 第 １ １Ａ３ 初 代 理 人 大 岩 増 雄（自発
） 第２ 回 １、事件の表示 持腐１−平１ １０９７２３号 ２、発明の名称 半導体レーザ装置 ３、補正をする者 ５ 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」及び「図面の簡単な説明
」の各欄。 ６ 補正の内容 （１）明細書の第３頁第１行中のｒ ＧａＡｓバッファ
層」をｒ ＩｎＧａＰバッファ層」と訂正します。 （２）同書第３頁第４行中のｒ ＡｕＧａ／ Ａｕ Ｊ
をｒ ＡｕＧｅ／ＡｕＪと訂正します。 （３）同書第３頁第１７行乃至第１８行中のｒ ｐ −
ＧａＡｓバッファ層」をｒ ｐ −１ｎＧａＰバッファ
層」と訂正します。 （４）同書第４頁第２行中のｒ ｐ −ＧａＡｓバッフ
ァ層」をｒ ｐ −１ｎＧａＰバッファ層」と訂正しま
す。 （５）同書第４頁第１３行中の「ストライブ」を「スト
ライプ」と訂正します。 （６）同書第７頁第７行中のｒ ｐ −１ｎＰバッファ
層」をｒ ｐ −１ｎＧａＰバッファ層」と訂正します
。 （７）同書第８頁第３行乃至第４行中のｒ ｐ −１ｎ
Ｐバッファ層」をｒ ｐ −１ｎＧａＰバッファ層」と
訂正します。 （８）同書第８頁第１７行中のｒ ＡｓＬ （アルシン
）」をｒＰＨｚ （フォスフイン）」と訂正しまず。 （９）同書第１１貫第１１行中のｒ（５）Ｊをｒ（７）
Ｊと訂正します。 以 上
断面図、第２図（ａ）乃至（ｆ）は第１図に示すこの発
明による半導体レーザ装置の製造方法を説明する図、第
３図は従来の半導体レーザ装置の例を示す断面図である
。 （１）・・・・基板、（２）・・・・第１のクラッド層
。 （３）・・・・活性層、（４）・・・・第２クラッド層
、（５）・・・・・・電流阻止層（半導体材料の層）、
（８）・・・・拡散領域（第２の導電形の領域） 、
（２０）・・・・リッジ部。 第 １ １Ａ３ 初 代 理 人 大 岩 増 雄（自発
） 第２ 回 １、事件の表示 持腐１−平１ １０９７２３号 ２、発明の名称 半導体レーザ装置 ３、補正をする者 ５ 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」及び「図面の簡単な説明
」の各欄。 ６ 補正の内容 （１）明細書の第３頁第１行中のｒ ＧａＡｓバッファ
層」をｒ ＩｎＧａＰバッファ層」と訂正します。 （２）同書第３頁第４行中のｒ ＡｕＧａ／ Ａｕ Ｊ
をｒ ＡｕＧｅ／ＡｕＪと訂正します。 （３）同書第３頁第１７行乃至第１８行中のｒ ｐ −
ＧａＡｓバッファ層」をｒ ｐ −１ｎＧａＰバッファ
層」と訂正します。 （４）同書第４頁第２行中のｒ ｐ −ＧａＡｓバッフ
ァ層」をｒ ｐ −１ｎＧａＰバッファ層」と訂正しま
す。 （５）同書第４頁第１３行中の「ストライブ」を「スト
ライプ」と訂正します。 （６）同書第７頁第７行中のｒ ｐ −１ｎＰバッファ
層」をｒ ｐ −１ｎＧａＰバッファ層」と訂正します
。 （７）同書第８頁第３行乃至第４行中のｒ ｐ −１ｎ
Ｐバッファ層」をｒ ｐ −１ｎＧａＰバッファ層」と
訂正します。 （８）同書第８頁第１７行中のｒ ＡｓＬ （アルシン
）」をｒＰＨｚ （フォスフイン）」と訂正しまず。 （９）同書第１１貫第１１行中のｒ（５）Ｊをｒ（７）
Ｊと訂正します。 以 上
Claims (2)
- （１）第１の導電形のＧａＡｓ基板上に形成された第１
の導電形の（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿０＿．＿５
Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐからなる第１クラッド層と、該第１
クラッド層上に形成された真性の（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿
−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐからなる活性
層と、該活性層上に形成された第２の導電形の（Ａｌ＿
ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ
からなる第２クラッド層とを具備し、上記ｘ、ｙ、ｚ間
にはｏ≦ｘ＜ｙ、ｏ≦ｘ＜ｚの関係が保たれ、また上記
第２クラッド層はリッジ部を形成する部分を残して他の
部分を、上記活性層で発生した光がしみ出す厚さにまで
除去し、さらに上記第２クラッド層の除去された領域の
下にある活性層の領域および上記第１クラッド層の上記
活性層に近い領域のみを第２の導電形にしたことを特徴
とする半導体レーザ装置。 - （２）上記第２のクラッド層の除去された部分に上記活
性層で発生した光を吸収する半導体材料の層を形成した
ことを特徴とする請求項（１）記載の半導体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10972389A JPH02288285A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10972389A JPH02288285A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288285A true JPH02288285A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14517593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10972389A Pending JPH02288285A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297023A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
| EP0712185A1 (en) * | 1994-11-10 | 1996-05-15 | Xerox Corporation | Index-guided visible laser formed by selectively randomizing the ordered phase of ALGaInP |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184888A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Hitachi Ltd | 埋込みヘテロ型半導体レ−ザ |
| JPS6457783A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| JPS6482594A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device and manufacture thereof |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP10972389A patent/JPH02288285A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184888A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Hitachi Ltd | 埋込みヘテロ型半導体レ−ザ |
| JPS6457783A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| JPS6482594A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device and manufacture thereof |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297023A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
| EP0712185A1 (en) * | 1994-11-10 | 1996-05-15 | Xerox Corporation | Index-guided visible laser formed by selectively randomizing the ordered phase of ALGaInP |
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