JPH0245993A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0245993A JPH0245993A JP19687688A JP19687688A JPH0245993A JP H0245993 A JPH0245993 A JP H0245993A JP 19687688 A JP19687688 A JP 19687688A JP 19687688 A JP19687688 A JP 19687688A JP H0245993 A JPH0245993 A JP H0245993A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、コンパクトディスク、プリンタ。
光ディスク等の光源として用いることのできる半導体レ
ーザ装置の製造方法に関するものである。
ーザ装置の製造方法に関するものである。
（従来の技術〕
第３図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図であり、
この図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａｊ
！ＸＧａ、−、Ａｓ下クりッド層、３はＡｕ、Ｇａ１−
、Ａｓ活性層、４はｐ−Ａｌ１！。
この図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａｊ
！ＸＧａ、−、Ａｓ下クりッド層、３はＡｕ、Ｇａ１−
、Ａｓ活性層、４はｐ−Ａｌ１！。
Ｇａｐ−、Ａｓ上クラッド層、５はＧａＡｓメルトバッ
ク層、７はｐ−ＡＪＺｖＧａｌ−ｖＡｓキャップ層、８
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、９はｎ側電極、１０はｎ
側電極、１１はストライプ状溝、１２はＡｎ、Ｇａ、−
、Ａｓエツチングストッパ層、１３はｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層である。
ク層、７はｐ−ＡＪＺｖＧａｌ−ｖＡｓキャップ層、８
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、９はｎ側電極、１０はｎ
側電極、１１はストライプ状溝、１２はＡｎ、Ｇａ、−
、Ａｓエツチングストッパ層、１３はｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層である。
次に動作について説明する。
ｐ、ｎ側電極９．１０より注入された電子と正孔は、電
流阻止層１３のないストライプ状溝１１に集中して流れ
る。活性層３のストライプ状溝１１近傍において、注入
された電子と正孔は再結合をして発光し、注入する電流
レベルを大きくするとレーザ発振に至る。
流阻止層１３のないストライプ状溝１１に集中して流れ
る。活性層３のストライプ状溝１１近傍において、注入
された電子と正孔は再結合をして発光し、注入する電流
レベルを大きくするとレーザ発振に至る。
次に、その製造方法について説明する。
基板１の上に、下クラッド層２．活性層３．上クラッド
層４．メルトバック層５．エツチングストッパ層１２．
および電流阻止層１３をエピタキシャル成長させた後、
所要部分をレジストで保護し、選択性のあるエツチング
液（例えばＮＨ４０ＨＨ２０２系）を用いて、電流阻止
層１３の一部をエツチングする。このとき、エツチング
ストッパ層１２でエツチングをストップさせる。次に、
やはり選択性のある別のエツチング液を用いて、エツチ
ングストッパ層１２だけを除去する。
層４．メルトバック層５．エツチングストッパ層１２．
および電流阻止層１３をエピタキシャル成長させた後、
所要部分をレジストで保護し、選択性のあるエツチング
液（例えばＮＨ４０ＨＨ２０２系）を用いて、電流阻止
層１３の一部をエツチングする。このとき、エツチング
ストッパ層１２でエツチングをストップさせる。次に、
やはり選択性のある別のエツチング液を用いて、エツチ
ングストッパ層１２だけを除去する。
レジスト除去後、ＬＰＥ炉を用いてメルトバック層５を
適当な条件下で、メルトバックにより除去し、ストライ
プ状溝１１を完成させた後、そのままＬＰＥ炉でキャッ
プ層７とコンタクト層８を形成する。
適当な条件下で、メルトバックにより除去し、ストライ
プ状溝１１を完成させた後、そのままＬＰＥ炉でキャッ
プ層７とコンタクト層８を形成する。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ため、ストライプ状溝１１の形成に際して、選択性のあ
る別の２つのエッチダ液を用いて２回エツチングをする
ことが必要であり、またメルトバックに際しては、メル
トバック層５のみならず、電流阻止層１３もかなりメル
トバックされ、ストライプ状溝１１の形状制御が難しく
、レーザとしての特性もバラツク等の問題点があった。
ため、ストライプ状溝１１の形成に際して、選択性のあ
る別の２つのエッチダ液を用いて２回エツチングをする
ことが必要であり、またメルトバックに際しては、メル
トバック層５のみならず、電流阻止層１３もかなりメル
トバックされ、ストライプ状溝１１の形状制御が難しく
、レーザとしての特性もバラツク等の問題点があった。
この発明に係る半導体レーザ装置は、電流阻止層として
Ａｌ−Ｇａ−Ａｓ系材料を用い、エツチングストッパ層
を用いることなく電流阻止層をメルトバックにより除去
してストライプ状溝を形成するものである。
Ａｌ−Ｇａ−Ａｓ系材料を用い、エツチングストッパ層
を用いることなく電流阻止層をメルトバックにより除去
してストライプ状溝を形成するものである。
〔作用）
この発明においては、ストライプ状溝の形成において、
電流阻止層とメルトバック層の組成が大きく異なるため
、選択性のあるエツチング液を用いれば、電流阻止層の
みが除去されメルトバック層が残る。
電流阻止層とメルトバック層の組成が大きく異なるため
、選択性のあるエツチング液を用いれば、電流阻止層の
みが除去されメルトバック層が残る。
逆に、メルトバック時には、メルトバック層のみが除去
され、電流阻止層はそのままの形状で残ることから、ス
トライプ状溝の形状制御を確実に行なうことができる。
され、電流阻止層はそのままの形状で残ることから、ス
トライプ状溝の形状制御を確実に行なうことができる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザ装首の
断面図である。第１図において、６はｎＡ ｆｌ ｕ
Ｇ ａ （−ｕ Ａ ｓ電流阻止層であり、その他の符
号は第３図と同じものを示す。
断面図である。第１図において、６はｎＡ ｆｌ ｕ
Ｇ ａ （−ｕ Ａ ｓ電流阻止層であり、その他の符
号は第３図と同じものを示す。
次に動作について説明する。
ｐ、ｎ側電極９．１０より注入された電子と正孔は、電
流阻止層６のないストライプ状溝１１に集中して流れる
。活性層３のストライプ状溝１１近傍において、注入さ
れた電子と正孔は再結合をして発光し、注入する電流レ
ベルを大きくするとレーザ発振に至る。
流阻止層６のないストライプ状溝１１に集中して流れる
。活性層３のストライプ状溝１１近傍において、注入さ
れた電子と正孔は再結合をして発光し、注入する電流レ
ベルを大きくするとレーザ発振に至る。
次に、第１図の半導体レーザ装置の製造方法を第２図（
ａ）〜（ｅ）について説明する。
ａ）〜（ｅ）について説明する。
第２図（ａ）に示す基板１上に、下クラッド層２、活性
層３．上クラッド層４．メルトバック層５、電流阻止層
６をエピタキシャル成長させた後（第２（ｂ））、所要
部分をレジストで保護し、選択性のあるエツチング液（
例えばＫＩ−Ｉ２ ）を用いて、電流阻止層６の一部を
エツチングする（第２図（Ｃ））。このとき、エツチン
グ液の溶解速度はＡｊ２ＧａＡｓで大きく、ＧａＡｓで
小さいものを用いることにより、メルトバック層５でエ
ツチングをストップすることは容易にできる。
層３．上クラッド層４．メルトバック層５、電流阻止層
６をエピタキシャル成長させた後（第２（ｂ））、所要
部分をレジストで保護し、選択性のあるエツチング液（
例えばＫＩ−Ｉ２ ）を用いて、電流阻止層６の一部を
エツチングする（第２図（Ｃ））。このとき、エツチン
グ液の溶解速度はＡｊ２ＧａＡｓで大きく、ＧａＡｓで
小さいものを用いることにより、メルトバック層５でエ
ツチングをストップすることは容易にできる。
レジスト除去後、ＬＰＥ炉を用いてメルトバック層５を
適当な条件下で、メルトバックにより除去し、ストライ
プ状溝１１を形成した後（第２図（ｄ））、そのままＬ
ＰＥ炉でキャップ層７とコンタクト層８を形成する（第
２図（ｅ））。
適当な条件下で、メルトバックにより除去し、ストライ
プ状溝１１を形成した後（第２図（ｄ））、そのままＬ
ＰＥ炉でキャップ層７とコンタクト層８を形成する（第
２図（ｅ））。
なお、上記実施例では、基板１にｎ−ＧａＡｓを用いた
が、ｐ−ＧａＡｓでもよい。また、上記実施例の構造で
は、基板１がｐ型の場合、電流阻止層６はｐ型を用いる
必要性が生じる。ところで正孔は電子に比べて穆勤度が
小さいため、一般にｐ型半導体の電流阻止層はその効果
が小さい。しかし、この実施例の構造では、バンドギャ
ップの大きいＡｌ２−Ｇａ−Ａｓ系を電流阻止層として
いるため、ｐ型であってもその電流阻止効果は大きく、
何ら問題点を生じない。
が、ｐ−ＧａＡｓでもよい。また、上記実施例の構造で
は、基板１がｐ型の場合、電流阻止層６はｐ型を用いる
必要性が生じる。ところで正孔は電子に比べて穆勤度が
小さいため、一般にｐ型半導体の電流阻止層はその効果
が小さい。しかし、この実施例の構造では、バンドギャ
ップの大きいＡｌ２−Ｇａ−Ａｓ系を電流阻止層として
いるため、ｐ型であってもその電流阻止効果は大きく、
何ら問題点を生じない。
（発明の効果）
以上説明したようにこの発明によれば、電流阻止層とし
てＡｌ１−Ｇａ−Ａｓ系系材料金用い、エツチングスト
ッパ層を用いることなく電流阻止層をメルトバックによ
り除去してストライプ状溝を形成するので、ストライプ
状溝の形成が簡単になり、かつその形状の制御性が向上
する効果がある。
てＡｌ１−Ｇａ−Ａｓ系系材料金用い、エツチングスト
ッパ層を用いることなく電流阻止層をメルトバックによ
り除去してストライプ状溝を形成するので、ストライプ
状溝の形成が簡単になり、かつその形状の制御性が向上
する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図、第２図は、第１図の半導体レーザ装置の製
造方法を説明するための工程断面図、第３図は従来の半
導体レーザ装置を示す断面図である。 図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａ１１ｙ
、Ｇａ、−、Ａｓ下ツクラッド層３はＡＩＬｙＧａｌ−
、Ａｓ活性層、４はｐ−Ａ１１ｙ Ｇａ＋−ｔＡｓ上ク
ラッド層、５はＧａＡｓメルトバック層、６はｎ Ａ
ｊ２ ｕＧ ａ １−ｕ Ａ ｓ電流阻止層、７はｐ
−／１ｊ２ｖ Ｇａ、−ｖＡｓキャップ層、８はｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層、９，１０はｐ側、ｎ側電極、１１
はストライプ状溝である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第 図 ｎ １、事件の表示 特願昭６３ １９６８７６号 ２、発明の名称 半導体レーザ装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 （竺 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書の第４頁１８〜２０行、第７頁１５〜１７行の「
エツチングストッパ層を用いろことなく電流阻止層をメ
ルトバ・ツクにより除去」を、それぞれ「エツチングス
トッパ層を用いろことなく選択性エツチングにより電流
阻止層を除去し、さらに残ったメルトバック層をメルト
バックにより除去」と補正する。 以 上
示す断面図、第２図は、第１図の半導体レーザ装置の製
造方法を説明するための工程断面図、第３図は従来の半
導体レーザ装置を示す断面図である。 図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａ１１ｙ
、Ｇａ、−、Ａｓ下ツクラッド層３はＡＩＬｙＧａｌ−
、Ａｓ活性層、４はｐ−Ａ１１ｙ Ｇａ＋−ｔＡｓ上ク
ラッド層、５はＧａＡｓメルトバック層、６はｎ Ａ
ｊ２ ｕＧ ａ １−ｕ Ａ ｓ電流阻止層、７はｐ
−／１ｊ２ｖ Ｇａ、−ｖＡｓキャップ層、８はｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層、９，１０はｐ側、ｎ側電極、１１
はストライプ状溝である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第 図 ｎ １、事件の表示 特願昭６３ １９６８７６号 ２、発明の名称 半導体レーザ装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 （竺 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書の第４頁１８〜２０行、第７頁１５〜１７行の「
エツチングストッパ層を用いろことなく電流阻止層をメ
ルトバ・ツクにより除去」を、それぞれ「エツチングス
トッパ層を用いろことなく選択性エツチングにより電流
阻止層を除去し、さらに残ったメルトバック層をメルト
バックにより除去」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 第１の導電型を有するＧａＡｓ半導体基板上に、第１の
導電型を有するＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ下クラッ
ド層、Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ活性層、第２の導
電型を有するＡｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓ上クラッド
層、ＧａＡｓメルトバック層、第１の導電型を有するＡ
ｌ＿ｕＧａ＿１＿−＿ｕＡｓ電流阻止層を順次積層する
工程と、前記ＧａＡｓメルトバック層とＡｌ＿ｕＧａ＿
１＿−＿ｕＡｓ電流阻止層の同一領域に選択性のあるエ
ッチング液を用いてエッチングして前記ＧａＡｓメルト
バック層を露出せしめた後、メルトバックにより前記露
出したＧａＡｓメルトバック層を除去して電流通路用の
ストライプ状の溝を形成する工程と、前記Ａｌ＿ｕＧａ
＿１＿−＿ｕＡｓ電流阻止層上に前記電流通路用のスト
ライプ溝においてのみ前記Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡ
ｓ上クラッド層と電気的に接触する第２の導電型を有す
るＡｌ＿ｖＧａ＿１＿−＿ｖＡｓキャップ層と、このＡ
ｌ＿ｖＧａ＿１＿−＿ｖＡｓキャップ層上に第２の導電
型を有するＧａＡｓコンタクト層を積層する工程と、前
記ＧａＡｓ半導体基板および前記ＧａＡｓコンタクト層
に各々オーミック接触する電極を形成する工程とを含む
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19687688A JPH0245993A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19687688A JPH0245993A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245993A true JPH0245993A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16365122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19687688A Pending JPH0245993A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245993A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296290A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| EP0477013A2 (en) * | 1990-09-20 | 1992-03-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor laser |
-
1988
- 1988-08-06 JP JP19687688A patent/JPH0245993A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296290A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| EP0477013A2 (en) * | 1990-09-20 | 1992-03-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor laser |
| US5210767A (en) * | 1990-09-20 | 1993-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
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