JPH06314841A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH06314841A JPH06314841A JP5102345A JP10234593A JPH06314841A JP H06314841 A JPH06314841 A JP H06314841A JP 5102345 A JP5102345 A JP 5102345A JP 10234593 A JP10234593 A JP 10234593A JP H06314841 A JPH06314841 A JP H06314841A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 埋め込みリッジ構造の半導体レーザにおい
て、埋め込み成長層の欠陥密度が１０4 個／cm2 程度と
少なく良好な素子特性を有する素子を得る。 【構成】 リッジエッチング時に該エッチング部に光を
照射し、これが第２クラッド層１７を通過し光反射層５
で反射されることにより、該第２クラッド層１７中の入
射光と反射光との干渉により生ずる干渉光のうち、特定
の波長の光が見えてからこれが全く見えなくなるまでの
時間をあらかじめモニターして求めておき、実際にこの
干渉光が見え出してから、所定の時間が経過したときに
エッチングを止めることにより、光反射層５上に所定膜
厚の薄膜層１３を残す。 【効果】 Ａｌ組成比が０．５程度の層厚制御されたｐ
型クラッド層１７の薄膜層１３上に、ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層９を形成するから、表面欠陥密度を低減で
き、信頼性に優れた半導体レーザを得られる。
て、埋め込み成長層の欠陥密度が１０4 個／cm2 程度と
少なく良好な素子特性を有する素子を得る。 【構成】 リッジエッチング時に該エッチング部に光を
照射し、これが第２クラッド層１７を通過し光反射層５
で反射されることにより、該第２クラッド層１７中の入
射光と反射光との干渉により生ずる干渉光のうち、特定
の波長の光が見えてからこれが全く見えなくなるまでの
時間をあらかじめモニターして求めておき、実際にこの
干渉光が見え出してから、所定の時間が経過したときに
エッチングを止めることにより、光反射層５上に所定膜
厚の薄膜層１３を残す。 【効果】 Ａｌ組成比が０．５程度の層厚制御されたｐ
型クラッド層１７の薄膜層１３上に、ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層９を形成するから、表面欠陥密度を低減で
き、信頼性に優れた半導体レーザを得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ及びそ
の製造方法に関し、特に埋め込みリッジ型半導体レーザ
の光反射層上にｐ型クラッド層の薄膜を形成してなる半
導体レーザの構造及びその製造方法に関するものであ
る。
の製造方法に関し、特に埋め込みリッジ型半導体レーザ
の光反射層上にｐ型クラッド層の薄膜を形成してなる半
導体レーザの構造及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２はエッチング阻止層(Etching Stop;
ＥＳ層) 付きの埋込みリッジ型半導体レーザ（以下、Ｅ
Ｓ−ＬＤともいう）の素子断面図である。図において、
１はｎ型ＧａＡｓからなる基板であり、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上には、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２が
配置され、さらにｎ型クラッド層２上には、ＧａＡｓと
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓから成る多重量子井戸（ＭＱＷ，
Multi Quantum Well）構造を有する活性層３が配置され
ている。そしてその上にはｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓ第
１クラッド層４、Ａｌ組成比０．６以上のＡｌＧａＡｓ
エッチング阻止層５が順次配置されている。さらにエッ
チング阻止層５の上には、リッジ形状に形成されたｐ型
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２クラッド層６と、このリッジ
８の両脇に埋込まれたｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層９が
配置されている。またｐ型第２クラッド層６上にはｐ型
ＧａＡｓコンタクト層７が配置され、電流ブロック９上
にはｐ型ドーパントであるＺｎが拡散されたＺｎ拡散層
１０が配置されている。また１５はｎ側電極であり、１
６はｐ側電極である。
ＥＳ層) 付きの埋込みリッジ型半導体レーザ（以下、Ｅ
Ｓ−ＬＤともいう）の素子断面図である。図において、
１はｎ型ＧａＡｓからなる基板であり、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上には、ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２が
配置され、さらにｎ型クラッド層２上には、ＧａＡｓと
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓから成る多重量子井戸（ＭＱＷ，
Multi Quantum Well）構造を有する活性層３が配置され
ている。そしてその上にはｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓ第
１クラッド層４、Ａｌ組成比０．６以上のＡｌＧａＡｓ
エッチング阻止層５が順次配置されている。さらにエッ
チング阻止層５の上には、リッジ形状に形成されたｐ型
Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２クラッド層６と、このリッジ
８の両脇に埋込まれたｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層９が
配置されている。またｐ型第２クラッド層６上にはｐ型
ＧａＡｓコンタクト層７が配置され、電流ブロック９上
にはｐ型ドーパントであるＺｎが拡散されたＺｎ拡散層
１０が配置されている。また１５はｎ側電極であり、１
６はｐ側電極である。
【０００３】次に、ＥＳ−ＬＤの動作について説明す
る。半導体レーザを動作させる際には、ｐ側電極１６と
ｎ側電極１５との間に順方向の電極を印加することによ
りｎ型ＧａＡｓ基板１側から電子を、ｐ型キャップ層７
側から正孔を注入する。その際、注入された正孔はｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層９によって素子中央部に集中さ
れ、リッジ８直下の活性層３内で電子と正孔が効率良く
再結合され、活性層３のエネルギーギャップに相当する
波長の光を発する。本従来例では、これは７８０ｎｍの
波長となる。リッジ８直下で発生した光は、活性層３に
沿って水平方向へ拡がろうとするが、活性層３近傍に配
置された電流ブロック層９による光吸収効果によって活
性層３内に水平方向に実効屈折率差が形成され、これに
より上記光はリッジ８内に閉込められる。この素子幅方
向の光の閉込めはｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第１クラッ
ド層４の層厚に大きく依存し、０．２〜０．３μｍの層
厚の時、最も良好な素子特性を示す。
る。半導体レーザを動作させる際には、ｐ側電極１６と
ｎ側電極１５との間に順方向の電極を印加することによ
りｎ型ＧａＡｓ基板１側から電子を、ｐ型キャップ層７
側から正孔を注入する。その際、注入された正孔はｎ型
ＧａＡｓ電流ブロック層９によって素子中央部に集中さ
れ、リッジ８直下の活性層３内で電子と正孔が効率良く
再結合され、活性層３のエネルギーギャップに相当する
波長の光を発する。本従来例では、これは７８０ｎｍの
波長となる。リッジ８直下で発生した光は、活性層３に
沿って水平方向へ拡がろうとするが、活性層３近傍に配
置された電流ブロック層９による光吸収効果によって活
性層３内に水平方向に実効屈折率差が形成され、これに
より上記光はリッジ８内に閉込められる。この素子幅方
向の光の閉込めはｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第１クラッ
ド層４の層厚に大きく依存し、０．２〜０．３μｍの層
厚の時、最も良好な素子特性を示す。
【０００４】次に、ＥＳ−ＬＤの製造方法を図３(a) 〜
(d) を用いて説明する。図３は図２に示すＥＳ−ＬＤの
リッジ部分の形成方法について示した図であり、図２と
同一符号は同一又は相当部分を示し、１１は絶縁膜であ
る。
(d) を用いて説明する。図３は図２に示すＥＳ−ＬＤの
リッジ部分の形成方法について示した図であり、図２と
同一符号は同一又は相当部分を示し、１１は絶縁膜であ
る。
【０００５】先ず、図３(a) に示すように、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上にエピタキシャル成長、例えばＭＯＣＶＤ
（Meta Organic Chemical Vapor Deposition ）等によ
り、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２，活性層３，ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ第１クラッド層４，ＡｌＧａＡｓエッチング
阻止層５，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層６，及びｐ
型ＧａＡｓコンタクト層７の各層を順次成長する。
ｓ基板１上にエピタキシャル成長、例えばＭＯＣＶＤ
（Meta Organic Chemical Vapor Deposition ）等によ
り、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２，活性層３，ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ第１クラッド層４，ＡｌＧａＡｓエッチング
阻止層５，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層６，及びｐ
型ＧａＡｓコンタクト層７の各層を順次成長する。
【０００６】その後、ウエハ上にＳｉＮ，ＳｉＯ等のエ
ッチングマスク材となる絶縁膜１１をスパッタ，熱ＣＶ
Ｄ，プラズマＣＶＤ等の方法によって形成し、その上に
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術、及
びエッチング技術を用いて、リッジ８幅に相当する幅を
有するストライプ状の絶縁膜１１を形成する。
ッチングマスク材となる絶縁膜１１をスパッタ，熱ＣＶ
Ｄ，プラズマＣＶＤ等の方法によって形成し、その上に
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術、及
びエッチング技術を用いて、リッジ８幅に相当する幅を
有するストライプ状の絶縁膜１１を形成する。
【０００７】次に図３(c) に示すように、この絶縁膜１
１をエッチングマスクとして、リッジ部分以外のコンタ
クト層７と第２クラッド層６とを除去する。このときＡ
ｌ組成比０．６以上の層はエッチングせず、Ａｌ組成比
０．６以下の層をエッチングするようなエッチャント、
例えば酒石酸と過酸化水素の混合液を用いることによ
り、エッチング阻止層５でエッチングを停止させること
ができる。この結果、素子特性に強く影響を及ぼすｐ型
第１クラッド層４の厚みを一定に保つことができ、良好
な素子特性が得られる。
１をエッチングマスクとして、リッジ部分以外のコンタ
クト層７と第２クラッド層６とを除去する。このときＡ
ｌ組成比０．６以上の層はエッチングせず、Ａｌ組成比
０．６以下の層をエッチングするようなエッチャント、
例えば酒石酸と過酸化水素の混合液を用いることによ
り、エッチング阻止層５でエッチングを停止させること
ができる。この結果、素子特性に強く影響を及ぼすｐ型
第１クラッド層４の厚みを一定に保つことができ、良好
な素子特性が得られる。
【０００８】その後、再びエピタキシャル結晶成長によ
ってｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層９をリッジの両側部
に成長することによりリッジ８を埋込む（図３(d) ）。
ってｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層９をリッジの両側部
に成長することによりリッジ８を埋込む（図３(d) ）。
【０００９】そして最後に、図２に示すように電流ブロ
ック層９中にＺｎ拡散領域１０を形成し、絶縁膜１１を
除去して、素子を完成する。
ック層９中にＺｎ拡散領域１０を形成し、絶縁膜１１を
除去して、素子を完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のＥＳ−ＬＤは以
上のように構成されており、電流ブロック層９をＡｌ組
成比０．６以上のエッチング阻止層５上に形成するが、
Ａｌ組成比が高い層上は表面酸化膜が厚いため、その上
に結晶成長すると表面欠陥が１０6 個／cm2 以上と多く
発生し、表面モフォロジーが極めて悪くなるという問題
点があった。また、この結果、動作中に表面欠陥中を通
って流れる、素子の動作に何ら寄与しないリーク電流が
時間と共に増加していくため、素子の信頼性が著しく低
下するという問題点があった。
上のように構成されており、電流ブロック層９をＡｌ組
成比０．６以上のエッチング阻止層５上に形成するが、
Ａｌ組成比が高い層上は表面酸化膜が厚いため、その上
に結晶成長すると表面欠陥が１０6 個／cm2 以上と多く
発生し、表面モフォロジーが極めて悪くなるという問題
点があった。また、この結果、動作中に表面欠陥中を通
って流れる、素子の動作に何ら寄与しないリーク電流が
時間と共に増加していくため、素子の信頼性が著しく低
下するという問題点があった。
【００１１】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、電流ブロック層を表面欠陥密度
の小さいｐ型第２クラッド層の薄膜層上に成長すること
により、良好な素子特性を有する信頼性の高い半導体レ
ーザを得ることを目的としており、さらにｐ型第２クラ
ッド層の薄膜層を再現性良く形成することにより、素子
特性の再現性，均一性に優れた半導体レーザを製造する
方法を得ることを目的とするものである。
ためになされたもので、電流ブロック層を表面欠陥密度
の小さいｐ型第２クラッド層の薄膜層上に成長すること
により、良好な素子特性を有する信頼性の高い半導体レ
ーザを得ることを目的としており、さらにｐ型第２クラ
ッド層の薄膜層を再現性良く形成することにより、素子
特性の再現性，均一性に優れた半導体レーザを製造する
方法を得ることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
レーザは、第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の
下側クラッド層、活性層、上記第１導電型とは反対導電
型である第２導電型の第１の上側クラッド層、Ａｌ組成
比ｚが０．６より大きい第２導電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡ
ｓ光反射層を順次配置し、この光反射層上に、Ａｌ組成
比ｙがｚより小さいＡｌy Ｇａ1-y Ａｓからなり，スト
ライプ形状のリッジ領域部と、該リッジ領域の両側部の
薄膜層とを有する第２導電型の第２の上側クラッド層を
配置し、この薄膜層上に第１導電型の電流ブロック層を
配置してなるものである。
レーザは、第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の
下側クラッド層、活性層、上記第１導電型とは反対導電
型である第２導電型の第１の上側クラッド層、Ａｌ組成
比ｚが０．６より大きい第２導電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡ
ｓ光反射層を順次配置し、この光反射層上に、Ａｌ組成
比ｙがｚより小さいＡｌy Ｇａ1-y Ａｓからなり，スト
ライプ形状のリッジ領域部と、該リッジ領域の両側部の
薄膜層とを有する第２導電型の第２の上側クラッド層を
配置し、この薄膜層上に第１導電型の電流ブロック層を
配置してなるものである。
【００１３】さらに、この発明は上記半導体レーザにお
いて、上記活性層上に配置する、上記第１の上側クラッ
ド層と、上記光反射層と、上記第２の上側クラッド層の
薄膜層との合計層厚を、０．３μｍ以下としたものであ
る。
いて、上記活性層上に配置する、上記第１の上側クラッ
ド層と、上記光反射層と、上記第２の上側クラッド層の
薄膜層との合計層厚を、０．３μｍ以下としたものであ
る。
【００１４】また、この発明にかかる半導体レーザの製
造方法は、第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の
下側クラッド層、活性層、第２導電型の第１の上側クラ
ッド層、Ａｌ組成比ｚが０．６より大きい第２導電型の
ＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ光反射層、Ａｌ組成比ｙがｚより小
さいＡｌy Ｇａ1-y Ａｓからなる第２導電型の第２の上
側クラッド層、及び第２導電型の第１のコンタクト層を
順次エピタキシャル成長した後、上記第１のコンタクト
層と上記第２の上側クラッド層とをエッチングしてスト
ライプ形状のリッジ領域部を形成するとともに、リッジ
領域部以外に薄膜の第２上側クラッド層を残し、この薄
膜層上に第１導電型の電流ブロック層を埋め込むように
結晶成長したものである。
造方法は、第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の
下側クラッド層、活性層、第２導電型の第１の上側クラ
ッド層、Ａｌ組成比ｚが０．６より大きい第２導電型の
ＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ光反射層、Ａｌ組成比ｙがｚより小
さいＡｌy Ｇａ1-y Ａｓからなる第２導電型の第２の上
側クラッド層、及び第２導電型の第１のコンタクト層を
順次エピタキシャル成長した後、上記第１のコンタクト
層と上記第２の上側クラッド層とをエッチングしてスト
ライプ形状のリッジ領域部を形成するとともに、リッジ
領域部以外に薄膜の第２上側クラッド層を残し、この薄
膜層上に第１導電型の電流ブロック層を埋め込むように
結晶成長したものである。
【００１５】また、この発明は上記半導体レーザの製造
方法において、光反射層によって反射される干渉光を観
察し、光反射層上のリッジ領域の両側部に第２の上側ク
ラッド層の薄膜層を残すよう、上記干渉光が見え出して
から予め定めた時間を経過したときにエッチングを止め
るようにしたものである。
方法において、光反射層によって反射される干渉光を観
察し、光反射層上のリッジ領域の両側部に第２の上側ク
ラッド層の薄膜層を残すよう、上記干渉光が見え出して
から予め定めた時間を経過したときにエッチングを止め
るようにしたものである。
【００１６】さらに、この発明は上記半導体レーザの製
造方法において、光反射層によって反射される光の内、
特定の波長の干渉光を観察し、この干渉光が周期的に現
れる回数を数え、光反射層上のリッジ領域の両側部に第
２の上側クラッド層の薄膜層を残すよう、上記観察が予
め定めた回数を経過したときにエッチングを止めるよう
にしたものである。
造方法において、光反射層によって反射される光の内、
特定の波長の干渉光を観察し、この干渉光が周期的に現
れる回数を数え、光反射層上のリッジ領域の両側部に第
２の上側クラッド層の薄膜層を残すよう、上記観察が予
め定めた回数を経過したときにエッチングを止めるよう
にしたものである。
【００１７】またさらに、この発明は上記半導体レーザ
の製造方法において、コンタクト層まで形成した後、こ
のコンタクト層の表面に上記薄膜層の厚さに相当する深
さの溝を形成し、上記光反射層によって反射され溝を通
して返ってくる干渉光を観察し、この干渉光が消えたと
きにエッチングを止めて、光反射層上のリッジ領域の両
側部に第２の上側クラッド層の薄膜層を残すようにした
ものである。
の製造方法において、コンタクト層まで形成した後、こ
のコンタクト層の表面に上記薄膜層の厚さに相当する深
さの溝を形成し、上記光反射層によって反射され溝を通
して返ってくる干渉光を観察し、この干渉光が消えたと
きにエッチングを止めて、光反射層上のリッジ領域の両
側部に第２の上側クラッド層の薄膜層を残すようにした
ものである。
【００１８】
【作用】この発明においては、Ａｌ組成比ｚが０．６よ
り大きい第２導電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ光反射層上
に、ストライプ形状のリッジ領域部と、このリッジ領域
の両側部の薄膜層とを有する、Ａｌ組成比ｙがｚより小
さいＡｌy Ｇａ1-y Ａｓからなる第２導電型の第２の上
側クラッド層を配置し、この薄膜層上に第１導電型の電
流ブロック層を配置するようにしたから、表面欠陥密度
をたとえば従来の１０6 個／cm2 から１０4 個／cm2 へ
と低減させることができ、表面モフォロジーが大幅に改
善され、良好な素子特性を有する信頼性の高い半導体レ
ーザを得ることができる。
り大きい第２導電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ光反射層上
に、ストライプ形状のリッジ領域部と、このリッジ領域
の両側部の薄膜層とを有する、Ａｌ組成比ｙがｚより小
さいＡｌy Ｇａ1-y Ａｓからなる第２導電型の第２の上
側クラッド層を配置し、この薄膜層上に第１導電型の電
流ブロック層を配置するようにしたから、表面欠陥密度
をたとえば従来の１０6 個／cm2 から１０4 個／cm2 へ
と低減させることができ、表面モフォロジーが大幅に改
善され、良好な素子特性を有する信頼性の高い半導体レ
ーザを得ることができる。
【００１９】さらにこの発明においては、活性層上に配
置する、第１の上側クラッド層と、光反射層と、第２の
上側クラッド層の薄膜層との合計層厚を、０．３μｍ以
下としたから、注入電流が電流ブロック層下で横方向に
拡がることによって生ずる無効電流が少なく、良好な素
子特性を得ることができる。
置する、第１の上側クラッド層と、光反射層と、第２の
上側クラッド層の薄膜層との合計層厚を、０．３μｍ以
下としたから、注入電流が電流ブロック層下で横方向に
拡がることによって生ずる無効電流が少なく、良好な素
子特性を得ることができる。
【００２０】またこの発明においては、第１導電型の半
導体基板上に、第１導電型の下側クラッド層と、活性層
と、上記第１導電型と反対導電型である第２導電型の第
１の上側クラッド層と、Ａｌ組成比が０．６以上の光反
射層と、Ａｌ組成比が光反射層のそれより小さい第２導
電型の第２の上側クラッド層と、第２導電型の第１のコ
ンタクト層とを順次エピタキシャル成長し、この第１の
コンタクト層と第２の上側クラッド層とをエッチングし
て、リッジ領域部以外に第２の上側クラッド層の薄膜層
を残し、この薄膜層上に第１導電型の電流ブロック層
を、リッジ領域部を埋め込むように結晶成長したから、
表面モフォロジーが大幅に改善され、良好な素子特性を
有する信頼性の高い半導体レーザを製造することができ
る。
導体基板上に、第１導電型の下側クラッド層と、活性層
と、上記第１導電型と反対導電型である第２導電型の第
１の上側クラッド層と、Ａｌ組成比が０．６以上の光反
射層と、Ａｌ組成比が光反射層のそれより小さい第２導
電型の第２の上側クラッド層と、第２導電型の第１のコ
ンタクト層とを順次エピタキシャル成長し、この第１の
コンタクト層と第２の上側クラッド層とをエッチングし
て、リッジ領域部以外に第２の上側クラッド層の薄膜層
を残し、この薄膜層上に第１導電型の電流ブロック層
を、リッジ領域部を埋め込むように結晶成長したから、
表面モフォロジーが大幅に改善され、良好な素子特性を
有する信頼性の高い半導体レーザを製造することができ
る。
【００２１】さらに、この発明においては、第２の上側
クラッド層を通過して光反射層によって反射される干渉
光を観察し、上記干渉光が見え出してから予め定めた時
間を経過したときに、または特定の干渉光が周期的に現
れる回数を数え、上記特定の干渉光の観察が予め定めた
回数を経過したときに、エッチングを止めることにより
光反射層上のリッジ領域の両側部に第２の上側クラッド
層の薄膜層を残すようにしたから、エッチングを止める
ための上記時間や上記回数を変更することにより、この
薄膜層の厚みを制御することができ、従って第２の上側
クラッド層を再現性良く薄くでき、素子特性の再現性，
均一性に優れた信頼性の高い半導体レーザを製造するこ
とができる。
クラッド層を通過して光反射層によって反射される干渉
光を観察し、上記干渉光が見え出してから予め定めた時
間を経過したときに、または特定の干渉光が周期的に現
れる回数を数え、上記特定の干渉光の観察が予め定めた
回数を経過したときに、エッチングを止めることにより
光反射層上のリッジ領域の両側部に第２の上側クラッド
層の薄膜層を残すようにしたから、エッチングを止める
ための上記時間や上記回数を変更することにより、この
薄膜層の厚みを制御することができ、従って第２の上側
クラッド層を再現性良く薄くでき、素子特性の再現性，
均一性に優れた信頼性の高い半導体レーザを製造するこ
とができる。
【００２２】さらにこの発明においては、コンタクト層
の表面に、光反射層上に残される第２の上側クラッド層
の薄膜層の層厚に相当する深さの溝領域を前もって形成
し、光反射層によって反射されこの溝を通して返ってく
る干渉光を観察し、この干渉光が消えることにより、こ
の溝領域の底面が光反射層に達したことを知りエッチン
グを止めるようにしたから、上記溝の深さがそのまま上
記第２の上側クラッド層の薄膜層の膜厚となり、上記溝
領域の深さに相当する厚さの該薄膜層を光反射層上に残
すことができる。これにより、上記第２の上側クラッド
層の薄膜層を光反射層上により正確に再現性良く残すこ
とができ、素子特性の再現性，均一性に優れた信頼性の
高い半導体レーザを製造することができる。
の表面に、光反射層上に残される第２の上側クラッド層
の薄膜層の層厚に相当する深さの溝領域を前もって形成
し、光反射層によって反射されこの溝を通して返ってく
る干渉光を観察し、この干渉光が消えることにより、こ
の溝領域の底面が光反射層に達したことを知りエッチン
グを止めるようにしたから、上記溝の深さがそのまま上
記第２の上側クラッド層の薄膜層の膜厚となり、上記溝
領域の深さに相当する厚さの該薄膜層を光反射層上に残
すことができる。これにより、上記第２の上側クラッド
層の薄膜層を光反射層上により正確に再現性良く残すこ
とができ、素子特性の再現性，均一性に優れた信頼性の
高い半導体レーザを製造することができる。
【００２３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による半導体
レーザの構造を示す図であり、図２と同一符号は同一又
は相当部分を示し、図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板
であり、この上に膜厚１．０〜２．０μｍ，キャリア濃
度５．０×１０17／cm3 ，Ａｌ組成比０．５のｎ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２（第１導電型の下側クラ
ッド層）、膜厚０．２μｍ以下で，ＧａＡｓ層とＡｌ組
成比が０．１５以下のＡｌＧａＡｓ層とを交互に複数層
積層して形成された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性
層３、膜厚０．２〜０．４μｍ，キャリア濃度２．０×
１０18／cm3，Ａｌ組成比０．５のｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓ第１クラッド層４（第２導電型の第１の上側クラ
ッド層）、膜厚０．１μｍ以下で，キャリア濃度２．０
×１０18／cm3 ，Ａｌ組成比ｚが０．６以上のＡｌｚＧ
ａ1-ｚＡｓ光反射層５が順次配置されており、この光反
射層５の上には、底辺４μｍ，上辺６μｍ，高さ２μｍ
のストライプ形状のリッジ領域部６と、第１クラッド層
４と光反射層５とを含んだ膜厚が３μｍ以下となる薄膜
層１３とを有するキャリア濃度２．０×１０18／cm3 の
ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２クラッド層１７（第２導
電型の第２の上側クラッド層）が配置されている。さら
に第２クラッド層１７のリッジ領域部６上にはｐ型Ｇａ
Ａｓ第１コンタクト層７が配置され、リッジ領域部６以
外をキャリア濃度１．０×１０19／cm3 のｎ型ＧａＡｓ
電流ブロック層９により埋め込み、さらにそのリッジ領
域部６上、及び電流ブロック層９上の全面に渡って膜厚
０．５〜２μｍのｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層１２が
配置されている。また、１５は厚さ５００オングストロ
ームのＡｕＧｅと、５００オングストロームのＮｉと、
３０００オングストロームのＡｕとからなるＡｕＧｅ／
Ｎｉ／Ａｕｎ側電極であり、１６は厚さ５００オングス
トロームのＴｉと、３０００オングストロームのＡｕと
からなるＴｉ／Ａｕｐ側電極である。そしてこれにより
幅３００μｍ，奥行３００〜６００μｍ，高さ１００μ
ｍの半導体レーザ素子を形成している。
る。 実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による半導体
レーザの構造を示す図であり、図２と同一符号は同一又
は相当部分を示し、図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板
であり、この上に膜厚１．０〜２．０μｍ，キャリア濃
度５．０×１０17／cm3 ，Ａｌ組成比０．５のｎ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層２（第１導電型の下側クラ
ッド層）、膜厚０．２μｍ以下で，ＧａＡｓ層とＡｌ組
成比が０．１５以下のＡｌＧａＡｓ層とを交互に複数層
積層して形成された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性
層３、膜厚０．２〜０．４μｍ，キャリア濃度２．０×
１０18／cm3，Ａｌ組成比０．５のｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5
Ａｓ第１クラッド層４（第２導電型の第１の上側クラ
ッド層）、膜厚０．１μｍ以下で，キャリア濃度２．０
×１０18／cm3 ，Ａｌ組成比ｚが０．６以上のＡｌｚＧ
ａ1-ｚＡｓ光反射層５が順次配置されており、この光反
射層５の上には、底辺４μｍ，上辺６μｍ，高さ２μｍ
のストライプ形状のリッジ領域部６と、第１クラッド層
４と光反射層５とを含んだ膜厚が３μｍ以下となる薄膜
層１３とを有するキャリア濃度２．０×１０18／cm3 の
ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ第２クラッド層１７（第２導
電型の第２の上側クラッド層）が配置されている。さら
に第２クラッド層１７のリッジ領域部６上にはｐ型Ｇａ
Ａｓ第１コンタクト層７が配置され、リッジ領域部６以
外をキャリア濃度１．０×１０19／cm3 のｎ型ＧａＡｓ
電流ブロック層９により埋め込み、さらにそのリッジ領
域部６上、及び電流ブロック層９上の全面に渡って膜厚
０．５〜２μｍのｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層１２が
配置されている。また、１５は厚さ５００オングストロ
ームのＡｕＧｅと、５００オングストロームのＮｉと、
３０００オングストロームのＡｕとからなるＡｕＧｅ／
Ｎｉ／Ａｕｎ側電極であり、１６は厚さ５００オングス
トロームのＴｉと、３０００オングストロームのＡｕと
からなるＴｉ／Ａｕｐ側電極である。そしてこれにより
幅３００μｍ，奥行３００〜６００μｍ，高さ１００μ
ｍの半導体レーザ素子を形成している。
【００２４】なお、光反射層５は、Ａｌ組成比ｚが、
０．６＜ｚのＡｌｚＧａ1-ｚＡｓからなる、従来例の半
導体レーザのエッチング阻止層と同じものである。
０．６＜ｚのＡｌｚＧａ1-ｚＡｓからなる、従来例の半
導体レーザのエッチング阻止層と同じものである。
【００２５】次に、製造方法について説明する。図４は
本実施例の半導体レーザを製造する方法を説明するため
の図であり、図４(a) は第２クラッド層１７の薄膜層１
３を残す工程を終了したウエハの断面図、図４(b) は第
２クラッド層１７に対し光を照射し、これが光反射層５
で反射されることによる干渉光が見え出してから予め定
めた時間が経過したときにエッチングを止めることによ
り薄膜層１３を残す方法を説明する図である。
本実施例の半導体レーザを製造する方法を説明するため
の図であり、図４(a) は第２クラッド層１７の薄膜層１
３を残す工程を終了したウエハの断面図、図４(b) は第
２クラッド層１７に対し光を照射し、これが光反射層５
で反射されることによる干渉光が見え出してから予め定
めた時間が経過したときにエッチングを止めることによ
り薄膜層１３を残す方法を説明する図である。
【００２６】次に本製造方法について説明する。ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２，活性
層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層４，ＡｌＧａＡ
ｓ光反射層５，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１７，
及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の各層を順次ＭＯＣＶ
Ｄ法等により形成し、この後、ストライプ状の絶縁膜１
１を形成する。ここまでは図３(a) 及び図３(b) におい
て、既に説明した通り、従来の方法と同じである。
ａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２，活性
層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層４，ＡｌＧａＡ
ｓ光反射層５，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１７，
及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の各層を順次ＭＯＣＶ
Ｄ法等により形成し、この後、ストライプ状の絶縁膜１
１を形成する。ここまでは図３(a) 及び図３(b) におい
て、既に説明した通り、従来の方法と同じである。
【００２７】この後、この絶縁膜１１をエッチングマス
クとして、Ａｌ組成比０．６以下の層をエッチングする
ことのできる酒石酸と過酸化水素の混合液を用いてリッ
ジエッチングを実施するとともに、この際、第２クラッ
ド層１７に対し、光を、例えば白色光を照射する。する
と、上記リッジエッチングが進み、該エッチング部の第
２クラッド層１７の層厚が次第に薄くなるに従い、上記
照射光で上記第２クラッド層１７内にある光と、上記照
射光の光反射層５による反射光で該第２クラッド層１７
内にある光とが干渉することにより、干渉縞が見えるこ
ととなる。これを波長λ＝６５００オングストロームの
赤色光等，各波長成分を有する干渉光が見え出す。これ
は第２クラッド層１７の屈折率ｎ1 と、光反射層５の屈
折率ｎ2とが異なり、かつｎ2 ＜ｎ1 を満足するからで
ある。ここで、ＡｌＧａＡｓではＡｌ組成比の高い方が
屈折率は小さくなる。
クとして、Ａｌ組成比０．６以下の層をエッチングする
ことのできる酒石酸と過酸化水素の混合液を用いてリッ
ジエッチングを実施するとともに、この際、第２クラッ
ド層１７に対し、光を、例えば白色光を照射する。する
と、上記リッジエッチングが進み、該エッチング部の第
２クラッド層１７の層厚が次第に薄くなるに従い、上記
照射光で上記第２クラッド層１７内にある光と、上記照
射光の光反射層５による反射光で該第２クラッド層１７
内にある光とが干渉することにより、干渉縞が見えるこ
ととなる。これを波長λ＝６５００オングストロームの
赤色光等，各波長成分を有する干渉光が見え出す。これ
は第２クラッド層１７の屈折率ｎ1 と、光反射層５の屈
折率ｎ2とが異なり、かつｎ2 ＜ｎ1 を満足するからで
ある。ここで、ＡｌＧａＡｓではＡｌ組成比の高い方が
屈折率は小さくなる。
【００２８】この際、第２クラッド層１７の屈折率と、
光反射層５の屈折率がそれぞれ一定であれば、干渉光が
見え出す第２クラッド層１７の残り層１３の膜厚ｄ、例
えば０．５μｍ程度，は、どのウエハにおいても常に一
定となり、よって、干渉縞が見え出してからエッチング
が光反射層５に達し、干渉縞が全く消えてしまうまでの
時間ｔも一定である。
光反射層５の屈折率がそれぞれ一定であれば、干渉光が
見え出す第２クラッド層１７の残り層１３の膜厚ｄ、例
えば０．５μｍ程度，は、どのウエハにおいても常に一
定となり、よって、干渉縞が見え出してからエッチング
が光反射層５に達し、干渉縞が全く消えてしまうまでの
時間ｔも一定である。
【００２９】そこで、第２クラッド層１７のリッジエッ
チングにより干渉光が見え出してから光反射層５に達す
るまでの時間を、予め同一構成のウエハにつきモニター
することにより求めておき、その時間をｔ（例えば１．
５分）とする。そして例えばエッチング時間を、上記ｔ
に対して０．１ｔを残して０．９ｔとし、残す第２クラ
ッド層１７の薄膜の層厚を、０．１ｔに相当する０．１
ｄとすると、干渉光が見え出してから０．９ｔ時間後に
エッチングを止めることにより、光反射層５上に層厚
０．１ｄ（図４(b) に示すｄ1 ）の薄膜層１３を残すこ
とができる。
チングにより干渉光が見え出してから光反射層５に達す
るまでの時間を、予め同一構成のウエハにつきモニター
することにより求めておき、その時間をｔ（例えば１．
５分）とする。そして例えばエッチング時間を、上記ｔ
に対して０．１ｔを残して０．９ｔとし、残す第２クラ
ッド層１７の薄膜の層厚を、０．１ｔに相当する０．１
ｄとすると、干渉光が見え出してから０．９ｔ時間後に
エッチングを止めることにより、光反射層５上に層厚
０．１ｄ（図４(b) に示すｄ1 ）の薄膜層１３を残すこ
とができる。
【００３０】その後は従来と同様、リッジ領域６以外の
薄膜層１３上にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層９を埋め込
むようにする。
薄膜層１３上にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層９を埋め込
むようにする。
【００３１】このように本実施例では、光反射層５上に
第２クラッド層１７の薄膜層１３を残し、ｎ型ＧａＡｓ
電流ブロック層９を、従来のエッチング阻止層のような
Ａｌ組成比０．６以上のＡｌＧａＡｓ層ではなく、Ａｌ
組成比が光反射層５のそれより小さい、たとえばＡｌ組
成比０．５程度のｐ型クラッド層１７の薄膜層１３上に
成長するので、該ｐ型クラッド層１７の薄膜層１３上の
表面欠陥密度は、１０6 個／cm2 から１０4 個／cm2 へ
と激減し、表面モフォロジーが大幅に改善され、欠陥中
を介して流れるリーク電流も大幅に低減されるため、素
子特性が良くなり、信頼性の高い半導体レーザを得るこ
とができる。
第２クラッド層１７の薄膜層１３を残し、ｎ型ＧａＡｓ
電流ブロック層９を、従来のエッチング阻止層のような
Ａｌ組成比０．６以上のＡｌＧａＡｓ層ではなく、Ａｌ
組成比が光反射層５のそれより小さい、たとえばＡｌ組
成比０．５程度のｐ型クラッド層１７の薄膜層１３上に
成長するので、該ｐ型クラッド層１７の薄膜層１３上の
表面欠陥密度は、１０6 個／cm2 から１０4 個／cm2 へ
と激減し、表面モフォロジーが大幅に改善され、欠陥中
を介して流れるリーク電流も大幅に低減されるため、素
子特性が良くなり、信頼性の高い半導体レーザを得るこ
とができる。
【００３２】また、リッジ領域６以外のｐ型の積層厚
Ｓ，つまり、 Ｓ＝｛ｐ型クラッド層１７の薄膜層１３の層厚ｄ1 ｝＋
｛光反射層５の層厚ｄ2 ｝＋｛ｐ型クラッド層４の層厚
ｄ3 ｝ は、レーザのしきい値電流を小さく保つために、Ｓ＜
０．３μｍの範囲で±０．０５μｍの誤差内で制御され
るのが望ましい（この積層厚Ｓが大きくなると、電流が
横方向に広がり、しきい値電流が高くなることとな
る。）、上式中の光反射層５の層厚ｄ2 及びクラッド層
４の層厚ｄ3 は、エピタキシャル成長中に精度良く制御
可能であり、かつ、上記薄膜層１３の層厚ｄ1 を上記の
ような方法で精度良く制御することにより、第１のｐ型
クラッド層４と、光反射層５と、第二のｐ型クラッド層
１７の薄膜層１３との合計層厚も０．３μｍ以下に精度
良く制御することができ、これにより横方向への電流広
がりを低減でき、素子特性の揃った信頼性の高い半導体
レーザを得ることができる。
Ｓ，つまり、 Ｓ＝｛ｐ型クラッド層１７の薄膜層１３の層厚ｄ1 ｝＋
｛光反射層５の層厚ｄ2 ｝＋｛ｐ型クラッド層４の層厚
ｄ3 ｝ は、レーザのしきい値電流を小さく保つために、Ｓ＜
０．３μｍの範囲で±０．０５μｍの誤差内で制御され
るのが望ましい（この積層厚Ｓが大きくなると、電流が
横方向に広がり、しきい値電流が高くなることとな
る。）、上式中の光反射層５の層厚ｄ2 及びクラッド層
４の層厚ｄ3 は、エピタキシャル成長中に精度良く制御
可能であり、かつ、上記薄膜層１３の層厚ｄ1 を上記の
ような方法で精度良く制御することにより、第１のｐ型
クラッド層４と、光反射層５と、第二のｐ型クラッド層
１７の薄膜層１３との合計層厚も０．３μｍ以下に精度
良く制御することができ、これにより横方向への電流広
がりを低減でき、素子特性の揃った信頼性の高い半導体
レーザを得ることができる。
【００３３】さらに、光反射層５によって反射される光
の干渉光を観察し、この干渉光が見え出してから所定時
間０．９ｔ後にエッチングを止め、第２のｐ型クラッド
層１７が全く無くなる残り時間０．１ｔに相当する０．
１ｄの厚さの薄膜層１３を残すようにしたので、この薄
膜層の厚みの制御を非常に容易に行うことができ、素子
特性の再現性，均一性に優れた信頼性の高い半導体レー
ザを製造することができる。
の干渉光を観察し、この干渉光が見え出してから所定時
間０．９ｔ後にエッチングを止め、第２のｐ型クラッド
層１７が全く無くなる残り時間０．１ｔに相当する０．
１ｄの厚さの薄膜層１３を残すようにしたので、この薄
膜層の厚みの制御を非常に容易に行うことができ、素子
特性の再現性，均一性に優れた信頼性の高い半導体レー
ザを製造することができる。
【００３４】実施例２．図５はこの発明の第２の実施例
による半導体レーザの製造方法を説明するための図であ
り、図５(a) は光反射層５で反射される特定の波長の干
渉光が周期的に繰り返し現れる回数を数え、予め定めた
回数の観察を経過したときにエッチングを止めることに
より第２のｐ型クラッド層の薄膜層を残す方法を説明す
る図、図５(b) は周期的に観察される干渉光を示した図
である。
による半導体レーザの製造方法を説明するための図であ
り、図５(a) は光反射層５で反射される特定の波長の干
渉光が周期的に繰り返し現れる回数を数え、予め定めた
回数の観察を経過したときにエッチングを止めることに
より第２のｐ型クラッド層の薄膜層を残す方法を説明す
る図、図５(b) は周期的に観察される干渉光を示した図
である。
【００３５】本実施例２では、上記実施例１の製造方法
と同様に、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層２，活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド
層４，ＡｌＧａＡｓ光反射層５，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２
クラッド層１７，及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の各
層を順次ＭＯＣＶＤ法により形成し、この後ストライプ
状の絶縁膜１１を形成し、この絶縁膜１１をエッチング
マスクとして、Ａｌ組成比０．６以下の層をエッチング
することのできる酒石酸と過酸化水素の混合液を用いて
リッジエッチングを行うことにより、図４(a) に示すよ
うな薄膜層１３を形成するものであるが、この際この薄
膜層１３を、上記クラッド層１７が無くなるまでに周期
的に強く現れる干渉光の回数を数え、その所定回数の観
察を経過したときにエッチングを止めることによって、
残すようにしている。
と同様に、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層２，活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド
層４，ＡｌＧａＡｓ光反射層５，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２
クラッド層１７，及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の各
層を順次ＭＯＣＶＤ法により形成し、この後ストライプ
状の絶縁膜１１を形成し、この絶縁膜１１をエッチング
マスクとして、Ａｌ組成比０．６以下の層をエッチング
することのできる酒石酸と過酸化水素の混合液を用いて
リッジエッチングを行うことにより、図４(a) に示すよ
うな薄膜層１３を形成するものであるが、この際この薄
膜層１３を、上記クラッド層１７が無くなるまでに周期
的に強く現れる干渉光の回数を数え、その所定回数の観
察を経過したときにエッチングを止めることによって、
残すようにしている。
【００３６】すなわち、ｐ型第２クラッド層１７をリッ
ジエッチングする際に生じる干渉光の色はエッチングが
進むにしたがって変化するが、その波長λは、数１に示
す式（１）
ジエッチングする際に生じる干渉光の色はエッチングが
進むにしたがって変化するが、その波長λは、数１に示
す式（１）
【００３７】
【数１】
【００３８】を満足する。この干渉色はｐ型第２クラッ
ド層１７の層厚ｄと共に変化するが、特定の波長が周期
的に現れる。つまり、層厚ｄがｄ＝Ｎ・λ／２ｎから見
え出すとすると、エッチングが光反射層５に達するまで
にＮ回同じ波長の光が観察されることになる。
ド層１７の層厚ｄと共に変化するが、特定の波長が周期
的に現れる。つまり、層厚ｄがｄ＝Ｎ・λ／２ｎから見
え出すとすると、エッチングが光反射層５に達するまで
にＮ回同じ波長の光が観察されることになる。
【００３９】よって、赤色等，特定の波長の干渉色が繰
り返し現れる回数Ｎを予め同一構成のウエハを用いてモ
ニターすることにより得ておき、ｐ型第２クラッド層１
７のリッジエッチングの際に、その干渉色がＮ回観測さ
れたときにエッチングを止めるようにすると、ｐ型第２
クラッド層１７の残り層厚ｄ１ は、数２に示す式(2)
り返し現れる回数Ｎを予め同一構成のウエハを用いてモ
ニターすることにより得ておき、ｐ型第２クラッド層１
７のリッジエッチングの際に、その干渉色がＮ回観測さ
れたときにエッチングを止めるようにすると、ｐ型第２
クラッド層１７の残り層厚ｄ１ は、数２に示す式(2)
【００４０】
【数２】
【００４１】となる。
【００４２】ここで、上記特定の波長の干渉色が繰り返
し現れる回数Ｎは、上記式(1) から理論的にも求められ
るはずであるが、実際に干渉色が見え始める時点は、ど
の様な状態を見え始めたとするのかという問題もあるた
め、同一構成のウエハについて予めモニターすることに
より上記Ｎを決めておくようにするのがよい。
し現れる回数Ｎは、上記式(1) から理論的にも求められ
るはずであるが、実際に干渉色が見え始める時点は、ど
の様な状態を見え始めたとするのかという問題もあるた
め、同一構成のウエハについて予めモニターすることに
より上記Ｎを決めておくようにするのがよい。
【００４３】このように、リッジエッチングの際に、エ
ッチングされる第２クラッド層１７部分に光、例えば白
色光を照射すると、そのｐ型第２クラッド層１７内の入
射光とそ光反射層５による反射光との間で干渉が起こ
り、上記エッチングにより次第に薄くなるｐ型第２クラ
ッド層１７の層厚ｄが、該干渉光の所定波長λ（例えば
λ＝６５００オングストローム）の整数倍になる度に、
その波長λの光が強く現れることとなる。このため、本
実施例２では、図５(a) に示すようにリッジエッチング
により、ｐ型第２クラッド層１７が層厚ｄ16，ｄ15，ｄ
14，ｄ13，ｄ12，ｄ11（＝ｄ1 ）と順次薄くなるに従っ
て、上記干渉光はその波長が順次変わっていき、その色
が変わっていくこととなるが、ある波長、たとえば、波
長λが６５００オングストロームの赤色の干渉光につい
てみると、この赤色の干渉光は、上記ｐ型第２クラッド
層１７が層厚ｄ16〜ｄ11（＝ｄ1 ）と順次薄くなるに従
って、図５(b) に示すように、６回観察されることとな
り、このためこの干渉光を観察しながら上記リッジエッ
チングを行い、６回観察されたときにエッチングを止め
るようにすることにより、上記所望のｄ11（＝ｄ1 ）の
膜厚を第２クラッド層１７の薄膜層１３に残すことがで
きる。ここで、上記赤色の干渉光が見えてから次に見え
るまでの上記第２クラッド層１７の層厚は、例えば０．
０９４μｍであり、上記図５(b) の強度のピークはこの
０．０９４μｍごとに現れるものであり、この値は干渉
色の上記波長λと、ｐ型第２クラッド層１７の屈折率ｎ
（約３．５）とから来るものである。
ッチングされる第２クラッド層１７部分に光、例えば白
色光を照射すると、そのｐ型第２クラッド層１７内の入
射光とそ光反射層５による反射光との間で干渉が起こ
り、上記エッチングにより次第に薄くなるｐ型第２クラ
ッド層１７の層厚ｄが、該干渉光の所定波長λ（例えば
λ＝６５００オングストローム）の整数倍になる度に、
その波長λの光が強く現れることとなる。このため、本
実施例２では、図５(a) に示すようにリッジエッチング
により、ｐ型第２クラッド層１７が層厚ｄ16，ｄ15，ｄ
14，ｄ13，ｄ12，ｄ11（＝ｄ1 ）と順次薄くなるに従っ
て、上記干渉光はその波長が順次変わっていき、その色
が変わっていくこととなるが、ある波長、たとえば、波
長λが６５００オングストロームの赤色の干渉光につい
てみると、この赤色の干渉光は、上記ｐ型第２クラッド
層１７が層厚ｄ16〜ｄ11（＝ｄ1 ）と順次薄くなるに従
って、図５(b) に示すように、６回観察されることとな
り、このためこの干渉光を観察しながら上記リッジエッ
チングを行い、６回観察されたときにエッチングを止め
るようにすることにより、上記所望のｄ11（＝ｄ1 ）の
膜厚を第２クラッド層１７の薄膜層１３に残すことがで
きる。ここで、上記赤色の干渉光が見えてから次に見え
るまでの上記第２クラッド層１７の層厚は、例えば０．
０９４μｍであり、上記図５(b) の強度のピークはこの
０．０９４μｍごとに現れるものであり、この値は干渉
色の上記波長λと、ｐ型第２クラッド層１７の屈折率ｎ
（約３．５）とから来るものである。
【００４４】このように本実施例２による製造方法で
は、周期的に繰り返し現れる特定の波長の光の干渉色が
Ｎ回観察されたときにエッチングを止め、ｐ型第２クラ
ッド層１７の薄膜層１３を得るようにしたので、最終的
に残るｐ型クラッド薄膜層１３の層厚ｄ1 を目視で所望
の値に形成することができることとなり、上記実施例１
より精度良く薄膜層１３の層厚の制御を行なうことがで
きる。
は、周期的に繰り返し現れる特定の波長の光の干渉色が
Ｎ回観察されたときにエッチングを止め、ｐ型第２クラ
ッド層１７の薄膜層１３を得るようにしたので、最終的
に残るｐ型クラッド薄膜層１３の層厚ｄ1 を目視で所望
の値に形成することができることとなり、上記実施例１
より精度良く薄膜層１３の層厚の制御を行なうことがで
きる。
【００４５】実施例３．図６はこの発明の第３の実施例
による半導体レーザの製造方法を説明するための図であ
り、図６(a) はリッジエッチングを開始する前の素子と
なるウエハの断面図であり、図６(b) はリッジエッチン
グを終了したときの素子となるウエハのの断面図であ
る。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分を
示し、１４はｐ型第２クラッド層１７の薄膜層１３の膜
厚ｄ1 に相当する深さｌ（エル）に形成された溝からな
るモニター用領域（以下、溝領域ともいう。）であり、
１４ａはそのモニター用領域１４の底面である。
による半導体レーザの製造方法を説明するための図であ
り、図６(a) はリッジエッチングを開始する前の素子と
なるウエハの断面図であり、図６(b) はリッジエッチン
グを終了したときの素子となるウエハのの断面図であ
る。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分を
示し、１４はｐ型第２クラッド層１７の薄膜層１３の膜
厚ｄ1 に相当する深さｌ（エル）に形成された溝からな
るモニター用領域（以下、溝領域ともいう。）であり、
１４ａはそのモニター用領域１４の底面である。
【００４６】本実施例３は、コンタクト層７まで形成し
た後、リッジ領域が形成される以外のコンタクト層７の
表面にｐ型第２クラッド層１７の薄膜層１３の厚さに相
当する深さの溝領域１４を形成し、その後リッジエッチ
ングを行うのであるが、この溝領域１４の底面１４ａが
光反射層５に達した時点で、上記リッジエッチングを止
めることにより、上記溝領域１４の深さと等しい厚さだ
けｐ型第２クラッド層１７の薄膜層１３を残すようにす
るものである。以下本方法について詳細に説明する。
た後、リッジ領域が形成される以外のコンタクト層７の
表面にｐ型第２クラッド層１７の薄膜層１３の厚さに相
当する深さの溝領域１４を形成し、その後リッジエッチ
ングを行うのであるが、この溝領域１４の底面１４ａが
光反射層５に達した時点で、上記リッジエッチングを止
めることにより、上記溝領域１４の深さと等しい厚さだ
けｐ型第２クラッド層１７の薄膜層１３を残すようにす
るものである。以下本方法について詳細に説明する。
【００４７】まず、上記実施例１と同様に、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２，活性層
３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層４，ＡｌＧａＡｓ
光反射層５，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１７，及
びｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の各層を順次ＭＯＣＶＤ
法等により形成し、この後、ストライプ状の絶縁膜１１
を形成する。
ｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２，活性層
３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層４，ＡｌＧａＡｓ
光反射層５，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１７，及
びｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の各層を順次ＭＯＣＶＤ
法等により形成し、この後、ストライプ状の絶縁膜１１
を形成する。
【００４８】次に、図６(a) に示すように、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層７上のデバイスとなる領域以外の表面
に、エッチングにより深さｌの溝状のモニター用領域１
４を形成する。このモニター領域１４の深さｌは、表面
粗さ計、あるいは段差計等に測定することができる。
ｓコンタクト層７上のデバイスとなる領域以外の表面
に、エッチングにより深さｌの溝状のモニター用領域１
４を形成する。このモニター領域１４の深さｌは、表面
粗さ計、あるいは段差計等に測定することができる。
【００４９】次に、酒石酸と過酸化水素の混合液による
リッジエッチングを行うと、コンタクト層７とｐ型第２
クラッド層１７とが順次同じ速さで均一にエッチングさ
れる。このエッチング中に、例えば白色光を照射し、こ
れがモニター用領域１４で光反射層５で反射されること
により干渉が生じて見える、例えば波長λ＝６５００オ
ングストロームの赤色光を観察していると、これは上記
実施例２で説明したように、膜厚の変化に応じて強く現
れたり、弱くなったりを繰り返すものであるが、モニタ
ー用領域１４の底面１４ａが光反射層５に達した時、す
なわちモニター用領域１４のｐ型第２クラッド層１７が
完全に無くなったときには、この干渉光は全く消えるこ
ととなるので、この時点でエッチングを止めるようにす
る。これにより、図６(b) に示すように、モニター用領
域１４以外では、ｐ型第２クラッド層１７の薄膜層１３
がちょうどｌの厚さだけで残ることとなる。
リッジエッチングを行うと、コンタクト層７とｐ型第２
クラッド層１７とが順次同じ速さで均一にエッチングさ
れる。このエッチング中に、例えば白色光を照射し、こ
れがモニター用領域１４で光反射層５で反射されること
により干渉が生じて見える、例えば波長λ＝６５００オ
ングストロームの赤色光を観察していると、これは上記
実施例２で説明したように、膜厚の変化に応じて強く現
れたり、弱くなったりを繰り返すものであるが、モニタ
ー用領域１４の底面１４ａが光反射層５に達した時、す
なわちモニター用領域１４のｐ型第２クラッド層１７が
完全に無くなったときには、この干渉光は全く消えるこ
ととなるので、この時点でエッチングを止めるようにす
る。これにより、図６(b) に示すように、モニター用領
域１４以外では、ｐ型第２クラッド層１７の薄膜層１３
がちょうどｌの厚さだけで残ることとなる。
【００５０】このように本実施例３では、コンタクト層
７の表面に薄膜層１３の膜厚ｄ1 に相当する深さｌの溝
状のモニター用領域１４を形成し、このモニター用領域
１４の底面１４ａが光反射層５に達して干渉光が全く見
えなくなった時点で、エッチングを止めるようにするこ
とにより、光反射層５上にｐ型第２クラッド層１７の薄
膜層１３を、膜厚ｌだけ残すことができ、上記実施例１
の効果に加えて、必要とする厚みの薄膜層を、非常に薄
く、しかもより正確な厚さに得ることができる。さらに
上記干渉光の観察において干渉光が消えたときにエッチ
ングを止めるようにしているので、その終点検出を非常
に容易に行うことができるという利点がある。
７の表面に薄膜層１３の膜厚ｄ1 に相当する深さｌの溝
状のモニター用領域１４を形成し、このモニター用領域
１４の底面１４ａが光反射層５に達して干渉光が全く見
えなくなった時点で、エッチングを止めるようにするこ
とにより、光反射層５上にｐ型第２クラッド層１７の薄
膜層１３を、膜厚ｌだけ残すことができ、上記実施例１
の効果に加えて、必要とする厚みの薄膜層を、非常に薄
く、しかもより正確な厚さに得ることができる。さらに
上記干渉光の観察において干渉光が消えたときにエッチ
ングを止めるようにしているので、その終点検出を非常
に容易に行うことができるという利点がある。
【００５１】なお、上記実施例１〜３において、各層の
導電型を変えてｐ型をｎ型とし、ｎ型をｐ型とした場合
においても、それぞれ同様の効果を得ることができるこ
とは勿論である。
導電型を変えてｐ型をｎ型とし、ｎ型をｐ型とした場合
においても、それぞれ同様の効果を得ることができるこ
とは勿論である。
【００５２】また、上記実施例１〜３では、活性層３に
ＡｌＧａＡｓ系の材料を用いた場合について示したが、
ＩｎＧａＡｓＰなど他の材料を用いて発振波長８００ｎ
ｍ前後のレーザを構成する場合にも、本発明を適用する
ことができ、上記各実施例と同様の効果を奏する。
ＡｌＧａＡｓ系の材料を用いた場合について示したが、
ＩｎＧａＡｓＰなど他の材料を用いて発振波長８００ｎ
ｍ前後のレーザを構成する場合にも、本発明を適用する
ことができ、上記各実施例と同様の効果を奏する。
【００５３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、第１
導電型の半導体基板上に、第１導電型の下側クラッド層
と、活性層と、上記第１導電型とは反対導電型である第
２導電型の第１の上側クラッド層と、Ａｌ組成比ｚが
０．６より大きい第２導電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ光反
射層とを順次配置し、この光反射層上に、ストライプ形
状のリッジ領域部と、該リッジ領域の両側部の薄膜層と
を有する構造の、Ａｌ組成比ｙがｚより小さいＡｌy Ｇ
ａ1-y Ａｓからなる第２導電型の第２の上側クラッド層
を配置し、この薄膜層上に第１導電型の電流ブロック層
を配置するようにしたので、表面欠陥密度を低減させる
ことができ、これにより表面モフォロジーを大幅に改善
することができ、良好な素子特性を有する信頼性の高い
半導体レーザを得ることができる効果がある。
導電型の半導体基板上に、第１導電型の下側クラッド層
と、活性層と、上記第１導電型とは反対導電型である第
２導電型の第１の上側クラッド層と、Ａｌ組成比ｚが
０．６より大きい第２導電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ光反
射層とを順次配置し、この光反射層上に、ストライプ形
状のリッジ領域部と、該リッジ領域の両側部の薄膜層と
を有する構造の、Ａｌ組成比ｙがｚより小さいＡｌy Ｇ
ａ1-y Ａｓからなる第２導電型の第２の上側クラッド層
を配置し、この薄膜層上に第１導電型の電流ブロック層
を配置するようにしたので、表面欠陥密度を低減させる
ことができ、これにより表面モフォロジーを大幅に改善
することができ、良好な素子特性を有する信頼性の高い
半導体レーザを得ることができる効果がある。
【００５４】またこの発明によれば、第１導電型の半導
体基板上に、第１導電型の下側クラッド層と、活性層
と、第２導電型の第１の上側クラッド層と、Ａｌ組成比
が０．６以上の光反射層と、Ａｌ組成比が光反射層のＡ
ｌ組成比より小さい第２導電型の第２の上側クラッド層
と、第２導電型の第２のコンタクト層とを順次エピタキ
シャル成長し、第２導電型の第２のコンタクト層と第２
導電型の第２の上側クラッド層とをリッジエッチングす
ることによりリッジ領域の両側部に第２の上側クラッド
層の薄膜層を残し、この薄膜層上に第１導電型の電流ブ
ロック層を、上記リッジ領域部を埋め込むように結晶成
長したので、表面欠陥密度を低減させることができ、こ
れにより表面モフォロジーを大幅に改善することがで
き、良好な素子特性を有する信頼性の高い半導体レーザ
を製造することができる効果がある。
体基板上に、第１導電型の下側クラッド層と、活性層
と、第２導電型の第１の上側クラッド層と、Ａｌ組成比
が０．６以上の光反射層と、Ａｌ組成比が光反射層のＡ
ｌ組成比より小さい第２導電型の第２の上側クラッド層
と、第２導電型の第２のコンタクト層とを順次エピタキ
シャル成長し、第２導電型の第２のコンタクト層と第２
導電型の第２の上側クラッド層とをリッジエッチングす
ることによりリッジ領域の両側部に第２の上側クラッド
層の薄膜層を残し、この薄膜層上に第１導電型の電流ブ
ロック層を、上記リッジ領域部を埋め込むように結晶成
長したので、表面欠陥密度を低減させることができ、こ
れにより表面モフォロジーを大幅に改善することがで
き、良好な素子特性を有する信頼性の高い半導体レーザ
を製造することができる効果がある。
【００５５】さらにこの発明によれば、リッジエッチン
グにより次第に薄くなる第２の上側クラッド層を通過し
て光反射層によって反射される干渉光を観察し、上記干
渉光が見え出してから予め定めた時間を経過したときに
エッチングを止めることにより、または周期的に強く現
れる特定の光の干渉色の回数を数え、この光の干渉色の
観察が予め定めた回数を経過した時にエッチングを止め
ることにより光反射層上のリッジ領域の両側部に薄膜層
の第２の上側クラッド層を残すようにしたので、この薄
膜層の厚みを制御することができ、従って第２の上側ク
ラッド層を再現性良く薄くでき、素子特性の再現性，均
一性に優れた信頼性の高い半導体レーザの製造方法を得
ることができる効果がある。
グにより次第に薄くなる第２の上側クラッド層を通過し
て光反射層によって反射される干渉光を観察し、上記干
渉光が見え出してから予め定めた時間を経過したときに
エッチングを止めることにより、または周期的に強く現
れる特定の光の干渉色の回数を数え、この光の干渉色の
観察が予め定めた回数を経過した時にエッチングを止め
ることにより光反射層上のリッジ領域の両側部に薄膜層
の第２の上側クラッド層を残すようにしたので、この薄
膜層の厚みを制御することができ、従って第２の上側ク
ラッド層を再現性良く薄くでき、素子特性の再現性，均
一性に優れた信頼性の高い半導体レーザの製造方法を得
ることができる効果がある。
【００５６】さらにこの発明によれば、リッジ領域部が
形成される以外のコンタクト層の表面に第２の上側クラ
ッド層の薄膜層の膜厚に相当する深さの溝を形成し、こ
の溝をモニター用領域として、この領域で見える干渉光
を観察し、この干渉光が消えたときにリッジエッチング
を止め、モニター用領域以外の領域に第２の上側クラッ
ド層の薄膜層を残すようにしたので、リッジエッチング
の終点検出が容易となり、この薄膜層の膜厚をより正確
に得ることができるとともに、再現性良く薄くすること
ができ、素子特性の再現性，均一性に優れた信頼性の高
い半導体レーザの製造方法を得ることができる効果があ
る。
形成される以外のコンタクト層の表面に第２の上側クラ
ッド層の薄膜層の膜厚に相当する深さの溝を形成し、こ
の溝をモニター用領域として、この領域で見える干渉光
を観察し、この干渉光が消えたときにリッジエッチング
を止め、モニター用領域以外の領域に第２の上側クラッ
ド層の薄膜層を残すようにしたので、リッジエッチング
の終点検出が容易となり、この薄膜層の膜厚をより正確
に得ることができるとともに、再現性良く薄くすること
ができ、素子特性の再現性，均一性に優れた信頼性の高
い半導体レーザの製造方法を得ることができる効果があ
る。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体レーザの
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の半導体レーザの断面図である。
【図３】従来の半導体レーザの製造方法を示す図であ
る。
る。
【図４】この発明の第１の実施例による半導体レーザの
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図５】この発明の第２の実施例による半導体レーザの
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図６】この発明の第３の実施例による半導体レーザの
製造方法を説明するための図である。
製造方法を説明するための図である。
１ ｎ型ＡｌＧａＡｓ基板 ２ ｎ型クラッド層 ３ 活性層 ４ ｐ型第１クラッド層 ５ 光反射層 ６ リッジ領域部（ｐ型第２クラッド層） ７ ｐ型第１コンタクト層 ８ リッジ ９ 電流ブロック層 １０ Ｚｎ拡散層 １１ 絶縁膜 １２ ｐ型第２コンタクト層 １３ ｐ型第２クラッド層の薄膜層 １４ モニター用領域 １５ ｎ側電極 １６ ｐ側電極 １７ ｐ型第２クラッド層
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、電流ブロック層をｐ型第２クラ
ッド層の薄膜層上に成長することにより表面欠陥密度を
小さくし、良好な素子特性を有する信頼性の高い半導体
レーザを得ることを目的としており、さらにｐ型第２ク
ラッド層の薄膜層を再現性良く形成することにより、素
子特性の再現性，均一性に優れた半導体レーザを製造す
る方法を得ることを目的とするものである。
ためになされたもので、電流ブロック層をｐ型第２クラ
ッド層の薄膜層上に成長することにより表面欠陥密度を
小さくし、良好な素子特性を有する信頼性の高い半導体
レーザを得ることを目的としており、さらにｐ型第２ク
ラッド層の薄膜層を再現性良く形成することにより、素
子特性の再現性，均一性に優れた半導体レーザを製造す
る方法を得ることを目的とするものである。
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板上に配置された
第１導電型の下側クラッド層と、 該下側クラッド層上に配置された活性層と、 該活性層上に配置された上記第１導電型と反対導電型で
ある第２導電型の第１の上側クラッド層と、 該第１の上側クラッド層上に配置されたＡｌ組成比ｚが
０．６以上の第２導電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ光反射層
と、 該光反射層上に配置された、ストライプ形状のリッジ領
域部と、該リッジ領域の両側部の薄膜層とを有する、Ａ
ｌ組成比ｙ（ｙ＜ｚ）のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓからなる第
２導電型の第２の上側クラッド層と、 該第２の上側クラッド層の上記薄膜層上に上記リッジ領
域部を埋め込むように配置された第１導電型の電流ブロ
ック層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザにおいて、 上記第１の上側クラッド層と、上記光反射層と、上記第
２の上側クラッド層の上記薄膜層との合計層厚が０．３
μｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
において、 上記第１導電型はｎ型であり、上記第２導電型はｐ型で
あることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項４】 第１導電型の半導体基板上に、第１導電
型の下側クラッド層と、活性層と、第２導電型の第１の
上側クラッド層と、Ａｌ組成比ｚが０．６以上の第２導
電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ光反射層と、Ａｌ組成比ｙ
（ｙ＜ｚ）のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓからなる第２導電型の
第２の上側クラッド層と、第２導電型の第１のコンタク
ト層とを順次エピタキシャル成長する工程と、 上記第１のコンタクト層と上記第２の上側クラッド層と
をエッチングしてストライプ形状のリッジ領域部を形成
するとともに、リッジ領域の両側部に上記第２の上側ク
ラッド層の薄膜層を残す工程と、 該第２の上側クラッド層の薄膜層上に第１導電型の電流
ブロック層を、上記リッジ領域部を埋め込むように結晶
成長する工程と、 上記リッジ領域部上、及び上記電流ブロック層上の全面
に渡って第２導電型のコンタクト層を形成する工程とを
含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体レーザの製造方法
において、 上記薄膜層を残す工程は、リッジエッチングにより次第
に薄くなる上記第２の上側クラッド層を通過して上記光
反射層によって反射される干渉光を観察し、該光反射層
上のリッジ領域の両側部に第２の上側クラッド層の薄膜
層を残すよう、該干渉光が見え出してから、予め定めた
時間を経過したときにエッチングを止めるものであるこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項６】 請求項４記載の半導体レーザの製造方法
において、 上記薄膜層を残す工程は、リッジエッチングにより次第
に薄くなる上記第２の上側クラッド層を通過して上記光
反射層によって反射される光の内、特定の波長の干渉光
を観察し、該光反射層上のリッジ領域の両側部に第２の
上側クラッド層の薄膜層を残すよう、予め定めた回数の
上記所定波長の干渉光の観察を経過したときにエッチン
グを止めるものであることを特徴とする半導体レーザの
製造方法。 - 【請求項７】 請求項４記載の半導体レーザの製造方法
において、 上記薄膜層を残す工程は、上記コンタクト層まで形成し
た後、上記薄膜層の層厚に相当する深さを有する溝をリ
ッジエッチングされるコンタクト層面に形成し、上記光
反射層によって反射される干渉光を、該溝を通して観察
し、該干渉光が消えたときにエッチングを止め、光反射
層上のリッジ領域の両側部に第２の上側クラッド層の薄
膜層を残すものであることを特徴とする半導体レーザの
製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5102345A JPH06314841A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| DE69400459T DE69400459T2 (de) | 1993-04-28 | 1994-02-16 | Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren |
| EP94102336A EP0622879B1 (en) | 1993-04-28 | 1994-02-16 | Semiconductor laser and production method thereof |
| US08/205,377 US5436923A (en) | 1993-04-28 | 1994-03-04 | Semiconductor laser including light reflecting layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5102345A JPH06314841A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314841A true JPH06314841A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14324910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5102345A Pending JPH06314841A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5436923A (ja) |
| EP (1) | EP0622879B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06314841A (ja) |
| DE (1) | DE69400459T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093682A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2008047663A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、および光ディスク装置 |
| JP2008226875A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、光ディスク装置 |
| JP2009004602A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、および光ディスク装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0714558B1 (en) * | 1994-06-20 | 1999-01-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation-emitting semiconductor index-guided diode |
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