JP3795931B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体発光素子に関するものであり、活性層上に設けられた電流阻止層の一部をエッチング除去して形成されたグルーブ(groove)を有する半導体発光素子であって、電流阻止層に形成されるグルーブの形状を容易かつ比較的再現性良く決定し得る様に改良された新規な半導体発光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
活性層上に設けられた電流阻止層の一部をエッチング除去して形成されたグルーブを有する半導体発光素子は公知である。斯かる構造の半導体発光素子においては、グルーブによって電流狭搾が行われるため、一定形状のグルーブ、特に、底面の面積を一定としたグルーブを再現性良く形成することが重要である。すなわち、素子作成の際のエッチングプロセスによって生じる大きなサイドエッチングにより、グルーブの底面の面積が大きく変動する場合は、例えば、レーザーにおいては、しきい値電流が変動し、また、単一横モードの光を発光する素子が安定的に得られ難い。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記実情に鑑みなされたものであり、その目的は、電流阻止層に形成されるグルーブの形状を容易かつ比較的再現性良く決定し得る様に改良された新規な半導体発光素子を提供することにある。
【0004】
本発明者等は、上記の目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、活性層上のエッチング阻止層およびキャップ層とこれらの各層に挟まれた電流阻止層とを特定の材料の組み合わせで構成することにより、電流阻止層において外広がりに形成されるグルーブのサイドエッチングを制限することが出来、上記の目的を容易に達成し得るとの知見を得た。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の知見を基に完成されたものであり、その第1の要旨は、 活性層上に設けられた電流阻止層の一部をエッチング除去して形成されたグルーブを有する半導体発光素子において、n型基板上に、少なくとも、n型下側クラッド層、活性層、p型第1上側クラッド層、p型エッチング阻止層、n型電流阻止層、n型キャップ層、p型第2上側クラッド層、p型コンタクト層を順次に配置し、下側および上側クラッド層がAlGaAs系材料で構成され、エッチング阻止層およびキャップ層がMAs(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、電流阻止層がMP(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、且つ、電流阻止層に形成されるグルーブの各壁面に主として{111}面を露出して成ることを特徴とする半導体発光素子に存する。
【0006】
また、本発明の第2の要旨は、第1の要旨に係る半導体発光素子において、キャップ層をエッチング除去した構造の半導体発光素子に存し、本発明の第3の要旨は、基本的には、第1の要旨に係る半導体発光素子において、電流阻止層に形成されるグルーブの底面に位置するエッチング阻止層をエッチング除去した構造の半導体発光素子に存し、本発明の第4の要旨は、基本的には、第1の要旨に係る半導体発光素子において、キャップ層および電流阻止層に形成されるグルーブの底面に位置するエッチング阻止層をエッチング除去した構造の半導体発光素子に存する。
【0007】
以下、本発明を詳細に説明する。本発明の半導体発光素子において、n型基板としては、通常、所謂III −V族化合物単結晶基板(ウエハ)が使用される。III −V族化合物単結晶基板は、周期律表の第III b 族元素と第Vb 族元素との化合物のバルク結晶から切り出して得られる。本発明においては、通常、GaP、GaAs、InPの群から選択されるウエハが使用される。これらの中では、特にGaAsが好適に使用される。
【0008】
先ず、本発明の第1の要旨に係る半導体発光素子(a)について説明する。第1の要旨に係る半導体発光素子は、n型基板上に、少なくとも、n型下側クラッド層、活性層、p型第1上側クラッド層、p型エッチング阻止層、n型電流阻止層、n型キャップ層、p型第2上側クラッド層、p型コンタクト層を順次に配置した構造を有する。
【0009】
図1は、本発明の半導体発光素子(a)におけるエピ構造の一例を示す模式的説明図であり、図中、(1)は基板、(2)はバッファ層、(3)は下側クラッド層、(4)は活性層、(5)は第1上側クラッド層、(6)はエッチング阻止層、(7)は電流阻止層、(8)はキャップ層を表す。これらの各層は、エピタキシャル薄膜として形成される。斯かるエピ構造は、後述する本発明の半導体発光素子(b)〜(d)においても利用される。
【0010】
バッファ層(2)は、好ましい態様として、基板バルク結晶の不完全性を緩和し、結晶軸を同一にしたエピタキシャル薄膜の形成を容易にするために使用される。バッファ層(2)は、基板(1)と同一の化合物で構成するのが好ましく、基板(1)としてGaAsを使用した場合は、通常、バッファ層(2)にはGaAsが使用される。
【0011】
下側クラッド層(3)及び第1上側クラッド層(5)は、活性層(4)の屈折率より小さな屈折率を有する材料で構成される。バッファ層(2)としてGaAsを使用した場合は、ダブルヘテロ接合を構成するため、通常、AlGaAs系材料(Alx Ga1-x As)が使用され、その混晶比は、屈折率が上記の条件を満足する様に適宜選択される。通常、混晶比は0.15〜0.50の範囲とされる。そして、下側クラッド層(3)及び第1上側クラッド層(5)の混晶比は、通常、同一とされるが、必ずしもその必要はない。
【0012】
活性層(4)は、GaAs材料、AlGaAs系材料、InGaAs系材料、InGaAsP系材料などによって構成され、その構造としては、例えば、上記の材料の薄膜から成る各種の量子井戸構造(SQW、MQW)等を採用することが出来る。そして、活性層(4)には、通常、光ガイド層が併用される。光ガイド層の構造としては、活性層の両側に光ガイド層を設けた構造(SCH構造)、光ガイド層の組成を徐々に変化させることにより屈折率を連続的に変化させた構造(GRIN−SCH構造)等を採用することが出来る。活性層(4)の材料および構造は、目的とする発光波長や出力などによって適宜選択される。
【0013】
エッチング阻止層(6)及びキャップ層(8)は、MAs(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成される。具体的な構成材料としては、AlAs、GaAs、InAs、InGaAs、AlGaAs等が挙げられるが、特にGaAsが好適に使用される。
【0014】
電流阻止層(7)は、MP(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成される。具体的な構成材料としては、GaP、InP、InGaP、AlGaP、AlGaInP等が挙げられるが、特に、InGaPが好適に使用される。具体的には、GaAs基板を使用した場合は、In0.5 Ga0.5 Pが使用される。
【0015】
前記の各導電型におけるドーパントとしては、n型には、通常、Si、Se、Te等が使用され、p型には、通常、Be、Zn、C、Mg等が使用される。そして、各層におけるキャリア濃度は、各層の有する機能に従って適宜選択される。
【0016】
また、通常、バッファ層(2)の厚さは0.1〜1μm、下側クラッド層(3)の厚さは0.5〜3μm、活性層(4)の厚さは量子井戸構造の場合1層当たり0.005〜0.02μm、第1上側クラッド層(5)の厚さは0.05〜0.3μm、エッチング阻止層(6)の厚さは0.005〜0.1μm、電流阻止層(7)の厚さは0.4〜3μmの範囲から選択される。
【0017】
図2は、本発明の半導体発光素子(a)の一例の説明図であり、共振器長と直角方向に垂直に切断した断面の模式的説明図である。本発明の半導体発光素子(a)は、活性層(4)上に設けられたキャップ層(8)と電流阻止層(7)の一部をエッチング除去して形成されたグルーブ(20)を有する。グルーブ(20)は、電流注入路と光導波路とを構成する要素であり、その平面形状は、通常、共振器長方向に伸びるストライプ状とされる。
【0018】
そして、本発明の半導体発光素子(a)は、電流阻止層(7)に形成されるグルーブの各壁面に主として{111}面を露出して成ることを特徴とする。斯かる特徴的構造は、基本的には、MP(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成される電流阻止層(7)のエピタキシャル結晶成長の際に{100}面を結晶成長面として利用することにより容易に実現することが出来る。
【0019】
上記のエピタキシャル結晶成長においては、オフ基板を使用する公知の方法に従い、結晶成長面にステップを付与するため、主として{100}面から僅かに傾斜させた面を結晶成長面として使用することも出来る。この場合、傾斜角度は、通常、0.5〜15°の範囲から適宜選択される。エピタキシャルウエハーの製造は、公知の任意の方法を採用することが出来るが、気相成長法、特に、分子線エピタキシャル成長法(MBE法)又は有機金属化学気相成長法(MOCVD法)を採用するのが好ましい。
【0020】
グルーブ(20)を形成するための電流阻止層のエッチングにおいては、SiNx等の保護膜を利用してエッチング窓を形成する公知のリソグラフィー技術とMAsに対するMPの公知の選択エッチング方法が採用される。エッチング剤には、MP結晶の{111}面が主に現れている面を除く他の面を選択的にエッチングし得るエッチング剤が使用される。電流阻止層(7)のエッチングされない結晶面は、実質的には{111}面であるが、エッチングされない結晶面には、{111}面の他にこれに近接した結晶面({211}面と{311}面)が存在することもある。
【0021】
従って、エッチングされない結晶面が複数存在する場合、角度見合いとしての{111}面の存在割合は、{111}面に近接する他の面の種類によって異なるが、通常、50%程度以上である。換言すれば、エッチングされない複数の結晶面には、{111}面とそれ以外に{211}面と{311}面の一方または両者が存在し、角度見合いとしての{111}面の存在割合は、通常、50%程度以上である。
【0022】
上記の選択エッチングにより、活性層(4)上に設けられたキャップ層(8)と電流阻止層(7)の一部をエッチング除去して共振器長方向に伸びるストライプ状のグルーブ(20)が形成される。そして、MPで構成される電流阻止層(7)の表面にMAsで構成されるキャップ層(8)が形成されている場合は、サイドエッチングは制限される。
【0023】
すなわち、電流阻止層(7)のエッチングは、エッチングされたキャップ層の端部(81)、(81)を変動することなく、換言すれば、グルーブ(20)を形成する外広がりの各壁面がキャップ層(8)の下面側に進入することなく行われる。その結果、グルーブ(20)は、キャップ層(8)の下面の端面から伸びた形状となる。
【0024】
従って、本発明の半導体発光素子(a)は、グルーブの各壁面がキャップ層の下面側に進入する大きなサイドエッチングが行われる従来の素子構造に比し、グルーブ(20)の形状の変動が少ない。それがため、本発明の半導体発光素子(a)は、高精度に行い得るエピタキシャル結晶成長およびリソグラフィー技術により、グルーブ(20)の形状を容易かつ比較的再現性良く決定し得る。
【0025】
グルーブの各壁面にサイドエッチングが起こらず、しかも、InGaP等のMP結晶の{111}面のみが露出する場合、外広がりに形成されるグルーブ(20)の各壁面のエッチング阻止層(6)からの内角(α)は、理論的には、54.7°となる。しかしながら、MP結晶の{111}面に近接する結晶面、例えば、{311}面(角度:25.2°)が一部露出する場合は、54.7°より鋭角となる。従って、上記の内角(α)は、電子顕微鏡写真に基づく測定値としては、MP結晶の{111}面に近接する結晶面の種類、エピタキシャル結晶成長の際の格子整合性の程度、電子顕微鏡写真による測定誤差などを考慮した場合、通常、45〜60°の範囲となる。
【0026】
本発明の半導体発光素子(a)は、キャップ層(8)及びグルーブ(20)の上にp型第2上側クラッド層(9)とp型コンタクト層(10)を順次に形成して構成される。そして、グルーブ(20)は、第2上側クラッド層(9)よって埋められる。
【0027】
第2クラッド層(9)は、下側クラッド層(3)と同様、活性層(4)の屈折率より小さな屈折率を有する材料で構成される。具体的には、通常、AlGaAs系材料(Alx Ga1-x As)が使用され、その混晶比は、屈折率が上記の条件を満足する様に適宜選択される。通常、混晶比は0.15〜0.50の範囲とされる。そして、第2クラッド層(9)の混晶比は、通常、下側クラッド層(3)同一とされるが、必ずしもその必要はない。一方、コンタクト層(10)は、通常、GaAs材料で構成される。第2クラッド層(9)及びコンタクト層(10)の各厚さは、通常、0.5〜3μmから選択される。
【0028】
電極(31)は、n型基板(1)の表面に形成され、n型電極の場合、基板(1)表面に例えばAuGe/Ni/Auを順次に蒸着した後、アロイ処理することによって形成される。電極(32)は、p型コンタクト層(10)の表面に形成され、p型電極の場合、コンタクト層(10)表面に例えばTi/Pt/Auを順次に蒸着した後、アロイ処理することによって形成される。
【0029】
図3は、本発明の第2の要旨に係る半導体発光素子(b)の一例の説明図であり、共振器長と直角方向に垂直に切断した断面の模式的説明図である。本発明の半導体発光素子(b)は、前記の半導体発光素子(a)において、キャップ層(8)をエッチング除去した構造を有する。すなわち、前述の方法に従ってグルーブ(20)を形成した後、キャップ層(8)を選択的にエッチング除去し、第2上側クラッド層(9)とコンタクト層(10)を順次に形成して構成される。
【0030】
図4は、本発明の第3の要旨に係る半導体発光素子(c)の一例の説明図であり、共振器長と直角方向に垂直に切断した断面の模式的説明図である。本発明の半導体発光素子(c)は、前記の半導体発光素子(a)において、電流阻止層(7)に形成されるグルーブ(20)の底面に位置するエッチング阻止層をエッチング除去した構造を有する。すなわち、前述の方法に従ってグルーブ(20)を形成した後、グルーブ(20)の底面に位置するエッチング阻止層を選択的にエッチング除去し、第2上側クラッド層(9)とコンタクト層(10)を順次に形成して構成される。
【0031】
図5は、本発明の第4の要旨に係る半導体発光素子(d)の一例の説明図であり、共振器長と直角方向に垂直に切断した断面の模式的説明図である。本発明の半導体発光素子(d)は、前記の半導体発光素子(a)において、キャップ層および電流阻止層(7)に形成されるグルーブ(20)の底面に位置するエッチング阻止層を選択的にエッチング除去し、第2上側クラッド層(9)とコンタクト層(10)を順次に形成して構成される。
【0032】
電極(30)、(31)を形成して完成された半導体発光素子(a)〜(d)は、チップ単位に分割され、レーザーダイオード(LD)として利用される。以上の説明は、レーザーダイオードを例としたものであるが、本発明の半導体発光素子は、発光ダイオード(LED)等にも適用し得る。
【0033】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【0034】
実施例1
先ず、MBE法により、n型GaAs基板(ドーパント:Si、キャリア濃度:1×1018cm-3)の表面に、n型GaAsから成るバッファ層(Si:1×1018cm-3、0.6μm)、n型Al0.3 Ga0.7 Asから成る下側クラッド層(Si:1×1018cm-3、1.5μm)、アンドープ型のGaAsから成る下側光ガイド層(0.05μm)、アンドープ型のIn0.2 Ga0.8 As(0.006μm、SQW)、アンドープ型のGaAsから成る上側光ガイド層(0.05μm)、p型Al0.3 Ga0.7 Asから成る第1上側クラッド層(Be:1×1018cm-3、0.1μm)、p型GaAsから成るエッチング阻止層(Be:1×1018cm-3、0.01μm)、n型In0.5 Ga0.5 Pから成る電流阻止層(Si:1×1018cm-3、1.0μm)、n型GaAsから成るキャップ層(Si:1×1018cm-3、0.1μm)を順次に形成してエピタキシャルウエハを得た。
【0035】
次いで、キャップ層の上に保護膜としてSiNx 膜を形成し、リソグラフィー技術により、SiNx 膜に幅4μmのストライプ状の孔を形成した。その後、硫酸(98重量%):過酸化水素水(30重量%):水の容量比が3:1:1の混合エッチング水溶液を使用して25℃の温度でキャップ層を選択的にエッチングし、更に、塩酸(36重量%):水の容量比が4:1の混合エッチング水溶液を使用して25℃の温度で電流阻止層を選択的にエッチングしてグルーブを形成した。
【0036】
X線解析パターンにより、電流阻止層において外広がりに形成されたグルーブの各壁面の結晶面を測定した結果、In0.5 Ga0.5 P結晶の{111}面であることが確認された。また、電子顕微鏡写真に基づき各壁面のエッチング阻止層からの内角(α)を測定した結果は53°であった。
【0037】
次いで、キャップ層の表面にp型Al0.3 Ga0.7 Asの第2上側クラッド層(Zn:1×1018cm-3、1.5μm)を形成してグルーブを埋め込み、更に、第2上側クラッド層の表面にp型GaAsのコンタクト層(Zn:5×1018cm-3、3.0μm)を形成した。上記の第2上側クラッド層およびコンタクト層は、MOCVD法により形成した。
【0038】
基板およびコンタクト層の表面に電極を形成し、チップ単位に分割し、共振器長500μmの図2に示す構造のレーザーダイオードを得た。p型電極は、順次にTi/Pt/Auを蒸着した後、アロイ処理することによって形成し、n型電極は、順次にAuGe/Ni/Auを蒸着した後、アロイ処理することによって形成した。得られたレーザーダイオードの発振波長は980nmであり、端面処理を行わずに測定した電流−出力特性は図6(a)に示す通りであった。そして、しきい値電流(Ith)は12(mA)であった。
【0039】
実施例2
実施例1において、エッチング阻止層をp型Al0.5 Ga0.5 As(Be:1×1018cm-3、0.01μm)に変更した以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャルウエハを得た後、グルーブを形成した。グルーブの各壁面は、主としてIn0.5 Ga0.5 P結晶の{111}面であり、各壁面のエッチング阻止層からの内角(α)は48°であった。
【0040】
次いで、酒石酸水溶液(50重量%):過酸化水素水(30重量%)の容量比が1:1の混合エッチング水溶液を使用し、25℃の温度で20秒間、キャップ層を選択的にエッチングした。次いで、実施例1と同様に操作して共振器長500μmの図3に示す構造のレーザーダイオードを得た。得られたレーザーダイオードの発振波長は980nmであり、端面処理を行わずに測定した電流−出力特性は図6(b)に示す通りであった。そして、しきい値電流(Ith)は17(mA)であった。
【0041】
実施例3
実施例1において、エッチング阻止層をp型GaAsから成るエッチング阻止層(Be:1×1018cm-3、0.1μm)、キャップ層をn型Al0.5 Ga0.5 As(Si:1×1018cm-3、0.1μm)に変更した以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャルウエハを得た後、グルーブを形成した。グルーブの各壁面は、主としてIn0.5 Ga0.5 P結晶の{111}面であり、各壁面のエッチング阻止層からの内角(α)は50°であった。
【0042】
次いで、酒石酸水溶液(50重量%):過酸化水素水(30重量%)の容量比が1:1の混合エッチング水溶液を使用し、25℃の温度でエッチング阻止層の一部(電流阻止層に形成されたグルーブの底面に位置するエッチング阻止層)を選択的にエッチングした。エッチング阻止層においては、図4に示す様に、少量のサイドエッチングが起こった。次いで、実施例1と同様に操作して共振器長500μmの図4に示す構造のレーザーダイオードを得た。得られたレーザーダイオードの発振波長は980nmであり、端面処理を行わずに測定した電流−出力特性は図6(c)に示す通りであった。そして、しきい値電流(Ith)は24(mA)であった。
【0043】
実施例4
実施例1において、キャップ層の厚さを0.01μmに変更した以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャルウエハを得た後、グルーブを形成した。グルーブの各壁面は、主としてIn0.5 Ga0.5 P結晶の{111}面であり、各壁面のエッチング阻止層からの内角(α)は54°であった。
【0044】
次いで、酒石酸水溶液(50重量%):過酸化水素水(30重量%)の容量比が20:1の混合エッチング水溶液を使用し、25℃の温度でキャップ層とエッチング阻止層の一部(電流阻止層に形成されたグルーブの底面に位置するエッチング阻止層)を選択的にエッチングした。エッチング阻止層においては、図5に示す様に、少量のサイドエッチングが起こった。次いで、実施例1と同様に操作して共振器長500μmの図5に示す構造のレーザーダイオードを得た。得られたレーザーダイオードの発振波長は980nmであり、端面処理を行わずに測定した電流−出力特性は図6(d)に示す通りであった。そして、しきい値電流(Ith)は22(mA)であった。
【0045】
【発明の効果】
以上説明した本発明によれば、電流阻止層に形成されるグルーブの形状を容易かつ比較的再現性良く決定し得る様に改良された新規な半導体発光素子が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体発光素子におけるエピ構造の一例を示す模式的説明図である。
【図2】本発明の第1の要旨に係る半導体発光素子の一例の説明図である。
【図3】本発明の第2の要旨に係る半導体発光素子の一例の説明図である。
【図4】本発明の第3の要旨に係る半導体発光素子の一例の説明図である。
【図5】本発明の第4の要旨に係る半導体発光素子の一例の説明図である。
【図6】実施例1〜4で得られたレーザーダイオードの電流−出力特性図である。
【符号の説明】
1:n型基板
2:n型バッファ層
3:n型下側クラッド層
4:活性層
5:p型第1上側クラッド層
6:p型エッチング阻止層
7:n型電流阻止層
8:n型キャップ層
9:p型第2上側クラッド層
10:p型コンタクト層
20:グルーブ
31:電極
32:電極
81:エッチングされたキャップ層の端部
Claims (5)
- 活性層上に設けられた電流阻止層の一部をエッチング除去して形成されたグルーブを有する半導体発光素子において、n型基板上に、少なくとも、n型下側クラッド層、活性層、p型第1上側クラッド層、p型エッチング阻止層、n型電流阻止層、n型キャップ層、p型第2上側クラッド層、p型コンタクト層を順次に配置し、下側および上側クラッド層がAlGaAs系材料で構成され、エッチング阻止層およびキャップ層がMAs(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、電流阻止層がMP(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、且つ、電流阻止層に形成されるグルーブの各壁面に主として{111}面を露出して成ることを特徴とする半導体発光素子。
- 活性層上に設けられた電流阻止層の一部をエッチング除去して形成されたグルーブを有する半導体発光素子において、n型基板上に、少なくとも、n型下側クラッド層、活性層、p型第1上側クラッド層、p型エッチング阻止層、n型電流阻止層、p型第2上側クラッド層、p型コンタクト層を順次に配置し、下側および上側クラッド層がAlGaAs系材料で構成され、エッチング阻止層がMAs(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、電流阻止層がMP(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、且つ、電流阻止層に形成されるグルーブの各壁面に主として{111}面を露出して成ることを特徴とする半導体発光素子。
- 活性層上に設けられた電流阻止層の一部をエッチング除去して形成されたグルーブを有する半導体発光素子において、n型基板上に、少なくとも、n型下側クラッド層、活性層、p型第1上側クラッド層、p型エッチング阻止層、n型電流阻止層、n型キャップ層、p型第2上側クラッド層、p型コンタクト層を順次に配置し、電流阻止層に形成されるグルーブの底面に位置するエッチング阻止層をエッチング除去し、下側および上側クラッド層がAlGaAs系材料で構成され、エッチング阻止層およびキャップ層がMAs(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、電流阻止層がMP(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、且つ、電流阻止層に形成されるグルーブの各壁面に主として{111}面を露出して成ることを特徴とする半導体発光素子。
- 活性層上に設けられた電流阻止層の一部をエッチング除去して形成されたグルーブを有する半導体発光素子において、n型基板上に、少なくとも、n型下側クラッド層、活性層、p型第1上側クラッド層、p型エッチング阻止層、n型電流阻止層、p型第2上側クラッド層、p型コンタクト層を順次に配置し、電流阻止層に形成されるグルーブの底面に位置するエッチング阻止層をエッチング除去し、下側および上側クラッド層がAlGaAs系材料で構成され、エッチング阻止層がMAs(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、電流阻止層がMP(MはIII b 族元素の一種または二種以上を表す)で構成され、且つ、電流阻止層に形成されるグルーブの各壁面に主として{111}面を露出して成ることを特徴とする半導体発光素子。
- エッチング阻止層とキャップ層とがGaAs材料で構成され、電流阻止層がIn0.5 Ga 0.5P材料で構成されている請求項1又は3に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02736894A JP3795931B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体発光素子 |
TW084100840A TW347597B (en) | 1994-01-31 | 1995-01-28 | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode |
US08/380,836 US5566198A (en) | 1994-01-31 | 1995-01-30 | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode |
DE69502211T DE69502211T2 (de) | 1994-01-31 | 1995-01-30 | Verfahren zur Herstellung einer Nut in einer Halbleiter-Laserdiode und Halbleiter-Laserdiode |
EP95300557A EP0666625B1 (en) | 1994-01-31 | 1995-01-30 | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode |
US08/681,017 US5920767A (en) | 1994-01-31 | 1996-07-22 | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02736894A JP3795931B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07221406A JPH07221406A (ja) | 1995-08-18 |
JP3795931B2 true JP3795931B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=12219112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02736894A Expired - Fee Related JP3795931B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3795931B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5428987B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-02-26 | 住友電気工業株式会社 | マッハツェンダー型光変調素子 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP02736894A patent/JP3795931B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07221406A (ja) | 1995-08-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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A02 | Decision of refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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