JP3999952B2 - 化合物半導体デバイス製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、化合物半導体層を含むデバイスを作製する化合物半導体デバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、化合物半導体デバイスとして、ＣＤ（コンパクト・ディスク）、ＭＤ（ミニ・ディスク）用のピックアップに用いられる半導体レーザ素子の需要は益々拡大しており、特性ばらつきが少なく信頼性に優れた半導体レーザ素子が要求されている。半導体レーザ素子の基本構造としてダブルヘテロ接合構造が用いられていたが、光出力の高出力化や、しきい電流の低電流化の要求に伴い、例えばキャリア閉じ込め領域と光閉じ込め領域とを分離した、分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ：separate confinement heterostructure）や、活性領域に量子井戸を形成した、多重量子井戸（ＭＱＷ：multi quantum well）構造を持つものが用いられるようになった。これらの積層構造で最も薄い半導体層の厚さは数十Å〜数百Åであるため、これまで半導体層形成法として一般的であった液相エピタキシ法に代わって、最近は、層厚制御が容易な有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：metal organic chemical vapor deposition）法や分子線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epitaxy）法などの気相エピタキシ法が使われている。
【０００３】
一般的に、それらの半導体層の厚さは成長時間を設定することによって制御される。具体的には、化合物半導体デバイスに用いられる半導体層の材料を予めモニタ用ウエハ上に堆積し、堆積した層の厚さを成長時間で除算してその成長レートを求める。そして、実際に化合物半導体デバイスを作製する段階で、上記成長レートを元にして、その半導体層が所定の目標層厚に成長されるように、成長時間を設定する。
【０００４】
ここで、堆積した層の厚さを測定する従来の方法としては、
ｉ） ウエハをへき開して、堆積した層の断面を走査電子顕微鏡などで直接観察する方法や、
ii） 堆積した層を選択的にエッチングして、その段差を接触式段差計で測定する方法
などが知られている。
iii） また、特開平１−９８２１５号公報には、薄膜結晶の層厚をフォトルミネッセンス法によって非破壊で測定する方法が開示されている。これによれば、エピタキシャル基板上に、ＧａＡｓ井戸層をＡｌＧａＡｓバリア層で挟み込んでなる量子井戸構造を形成し、フォトルミネッセンス法によって前記井戸層からの発光波長を測定する。この発光波長は井戸層の厚さに対応しているので、発光波長から井戸層の厚さを求めることができる。井戸層の厚さが５０Å〜１００Åの範囲内であれば、特に精度良く井戸層の厚さを求めることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
半導体レーザ素子の特性ばらつきを低減するためには、積層構造をなす各半導体層の厚さを正確に制御することが重要となる。例えば記録再生の高速化のため光ディスク用光源として半導体レーザ素子の高出力化が進んでいるが、高出力の半導体レーザ素子では、光学系との結合効率を上げるため、ヘテロ接合面に垂直な方向の放射角（これを「垂直放射角」と呼ぶ。）を１６°〜１９°と小さくし、かつ垂直放射角のばらつきを小さくするように放射角を制御することが重要となってくる。現在高出力半導体レーザ素子に用いられているＳＣＨ，ＭＱＷ構造では、垂直放射角は、活性層とクラッド層の屈折率差や光閉じ込めを行っているガイド層の厚さに依存している。ガイド層の厚さは通常２７０Å〜３００Åの範囲内に設定され、数Åオーダで制御する必要がある。そのためにはガイド層の成長レートを正確に求めなければならない。
【０００６】
しかしながら、ウエハをへき開して、堆積した層の断面を走査電子顕微鏡で観察し層厚を測定する方法（上記ｉ）では、観察できるようにするために層厚を少なくとも０．５μｍ以上にする必要があるため、実際のガイド層の厚さの約２０倍の層厚から求めた成長レートに基づいて、ガイド層の成長時間を設定することになる。この方法では、電子顕微鏡での層厚の読み取り誤差を避けることができず、また、ガイド層の実際の厚さでの成長レートと観察用の層厚での成長レートとの間のズレも存在する。このため、この方法に基づいてÅオーダの層厚制御をすることは難しい。
【０００７】
また、堆積した層を選択的にエッチングして、その段差を接触式段差計で測定する方法（上記ii）は、堆積した層のうち例えばガイド層のみを選択的にエッチングするための適当なエッチャントが存在しない場合は、適用ができない。
【０００８】
また、前記特開平１−９８２１５号公報の方法（上記iii）は、ＡｌＧａＡｓのような三元混晶からなる井戸層には適用できない。即ち、三元混晶からなる井戸層の場合、井戸層からの発光波長を決める因子としては井戸層の厚さと組成（Ａｌ混晶比）とがあり、それぞれ独立に変化する。このため、上記方法ではこの２つの因子を確定することができないのである。また井戸層の厚さが２００Å程度になると井戸層の厚さに対して発光波長の変化が小さくなるので、フォトルミネッセンス測定による測定誤差が大きくなる。
【０００９】
そこで、この発明の課題は、化合物半導体層の厚さを正確に制御できる化合物半導体デバイス製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、この発明の化合物半導体デバイス製造方法は、
所定の成長法により目標層厚に成長されるべき或る化合物半導体層を含むデバイスを作製する化合物半導体デバイス製造方法であって、
上記化合物半導体層のための成長時間を決定する工程は、
モニタ用ウエハ上に、量子準位と層厚とが１対１に対応する材料からなる第１量子井戸層を形成するとともに、上記第１量子井戸層に対して材料および厚さが同じである第２量子井戸層と上記化合物半導体層に対して材料が同じであるモニタ用化合物半導体層とを一定周期で複数回繰り返し成長して積層を形成するステップと、
上記第１量子井戸層の上記量子準位を反映したフォトルミネッセンスを測定して、上記第１量子井戸層の厚さを求めるステップと、
Ｘ線回折法により上記積層内の第２量子井戸層とモニタ用化合物半導体層との空間的周期を測定するステップと、
上記測定した空間的周期から上記求めた第１量子井戸層の厚さを差し引いて上記モニタ用化合物半導体層の厚さを求め、このモニタ用化合物半導体層の厚さから算出される成長レートから上記化合物半導体層の成長時間を決定するステップを有することを特徴とする。
【００１２】
この発明の化合物半導体デバイス製造方法によれば、作製すべきデバイスに含まれる化合物半導体層が目標層厚に成長されるように、上記化合物半導体層の成長時間を精度良く決定できる。したがって、上記化合物半導体層の厚さを正確に目標層厚に制御することができる。
【００１３】
一実施形態の化合物半導体デバイス製造方法は、上記第１量子井戸層を上記積層内のモニタ用化合物半導体層よりもバンドギャップの広い層で挟んだ状態に形成することを特徴とする。
【００１４】
この一実施形態の化合物半導体デバイス製造方法では、第１量子井戸層のフォトルミネッセンスを容易に測定できる。したがって、その測定値から第１量子井戸層の厚さを精度良く求めることができる。
【００１５】
一実施形態の化合物半導体デバイス製造方法は、上記第１量子井戸層及び第２量子井戸層の材料はＧａＡｓであることを特徴とする。
【００１６】
ＧａＡｓは量子準位と層厚とが１対１に対応する。したがって、上記第１量子井戸層及び第２量子井戸層の材料として好適に用いられる。
【００１７】
一実施形態の化合物半導体デバイス製造方法は、上記第１量子井戸層及び第２量子井戸層は厚さ２５Å乃至３０ÅのＧａＡｓからなり、上記モニタ用化合物半導体層は厚さ１７０Å乃至２００ÅのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（ｘ＝０．３５）からなり、上記第１量子井戸層をＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（ｘ＝０．４８）で挟んだ状態に形成することを特徴とする。
【００１８】
この一実施形態の化合物半導体デバイス製造方法では、第１量子井戸層のフォトルミネッセンスを容易に測定できる。したがって、その測定値から第１量子井戸層の厚さを精度良く求めることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２２】
図２（Ｄ）は、この発明の化合物半導体デバイス製造方法を適用して作製すべきリッジ型半導体レーザ素子（ＳＣＨ−ＭＱＷレーザ素子）の断面構造を示している。この図２（Ｄ）中、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓバッファ層（層厚０．５μｍ）、３はｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１クラッド層（ｘ＝０．４６、層厚２．７μｍ）、４はｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．２μｍ）、５はノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１光ガイド層（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）、６はノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ量子井戸活性層、７はノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２光ガイド層（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）、８はｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１クラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．２μｍ）、９はｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層（層厚２６Å）、１０はｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層（ｘ＝０．４８、層厚１．３μｍ）、１１はｐ型ＧａＡｓキャップ層（層厚０．７５μｍ）、１３はｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ電流ブロック層（ｘ＝０．７、層厚１．０μｍ）、１４はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層（層厚０．３μｍ）、１５はｐ型ＧａＡｓ平坦化層（層厚０．７μｍ）、１６はｐ型ＧａＡｓコンタクト層（層厚５０μｍ）、１７はｐ電極、１８はｎ電極をそれぞれ示している。上記各括弧内に示した層厚は目標層厚である。
【００２３】
このＡｌＧａＡｓ系材料からなる半導体レーザ素子は、発振波長が７８０ｎｍ〜７８６ｎｍ、垂直放射角分布が１６°〜１９°程度になることを予定したものである。各層２〜１１、１３〜１６は、上記各括弧内に示した目標層厚になるようにＭＯＣＶＤ法によって結晶成長される。ＡｌＧａＡｓガイド層５，７やＡｌＧａＡｓクラッド層３，４，８，１０、ＧａＡｓキャップ層１１などの厚さが目標層厚になるように制御するためには、実際の結晶成長の前に予め、それらの層の成長レートを正確に求めておく必要がある。
【００２４】
（１）まず、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）からなるガイド層５，７の成長レートを求めるものとする。
【００２５】
▲１▼ 具体的には、図３に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２６上に、ＭＯＣＶＤ法によって成長レートモニタ用の層を積層する。この例では、第１Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓクラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．２μｍ）２２と、第２ＧａＡｓ量子井戸層（層厚２６〜３０Å）２０と上記ガイド層５，７に対応するモニタ用Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（ｘ＝０．３５、層厚１７０〜２００Å）２１とを一定周期で８回繰り返し成長してなる積層２５と、第２Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓクラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．２μｍ）２３と、第１ＧａＡｓ量子井戸層（層厚２６〜３０Å）１９と、第３Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓクラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．４μｍ）２４とをこの順に堆積する。ここで注目すべきは、成長レートを求めるべきガイド層５，７の混晶比とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１の混晶比とを同一に設定するとともに、ガイド層５，７の厚さとＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１の厚さとを同程度に設定していることである。また、後述する測定上の便宜のために、第１ＧａＡｓ量子井戸層１９の成長時間と第２ＧａＡｓ量子井戸層２０の成長時間とを同一に設定している。
【００２６】
▲２▼ 次に、第１ＧａＡｓ量子井戸層１９の厚さを求める。
【００２７】
そのために、フォトルミネッセンス法によって第１ＧａＡｓ量子井戸層１９からの発光波長を測定する。図４は、その測定結果を示している。ＧａＡｓ量子井戸層の量子準位に対応する層厚とフォトルミネッセンス発光波長との間には、図５に示すような１対１の対応関係があることが分かっている。よって、図４中で強度ピークを示す発光波長から、第１ＧａＡｓ量子井戸層１９の厚さを求めることができる。
【００２８】
▲３▼ 次に、積層２５における第２ＧａＡｓ量子井戸層２０とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１との空間的周期を求める。
【００２９】
詳しくは、第３クラッド層２４、第１ＧａＡｓ量子井戸層１９および第２クラッド層２３をエッチングにより除去して、ウエハ最上面に第２ＧａＡｓ量子井戸層２０が露出するようにする。このウエハを用いてＸ線回折測定を行う。図６は、その測定結果を示している。この図６中の測定波形には、ＧａＡｓ基板のピークと、ＡｌＧａＡｓのピークと、サテライトピークとが含まれている。このサテライトピークの間隔から第２ＧａＡｓ量子井戸層２０とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１との空間的周期を求めることができる。
【００３０】
▲４▼ さて、第１ＧａＡｓ量子井戸層１９と第２ＧａＡｓ量子井戸層２０とは既述のように成長時間が同一に設定されているので、互いに同じ層厚になっている。したがって、上記▲３▼で求めた第２ＧａＡｓ量子井戸層２０とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１との空間的周期から、上記▲２▼で求めた第１ＧａＡｓ量子井戸層１９の厚さを差し引けば、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１の厚さが求められる。そして、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１の厚さを成長時間で割算すれば、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１の成長レートを求めることができる。このＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層２１の成長レートは、上記ガイド層５，７の成長レートに相当する。
【００３１】
（２）また、図２（Ｄ）中に示したｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３，４やｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層８，１０、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１の成長レートを求める。
【００３２】
これらの層３，４，８，９，１１は、ガイド層５，７とは異なり、Åオーダの層厚制御を必要としないため、従来法で成長レートを求めることができる。例えば、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３，４やｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層８，１０、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１に対応するクラッド層、キャップ層をモニタ用ウエハ上に１μｍ程度堆積した後、ウエハをへき開して、堆積した層の断面を走査電子顕微鏡などで直接観察して層厚を求める（従来法ｉ）。そして、求めた層厚を成長時間で割算すれば、成長レートを求めることができる。
【００３３】
（３）次に、上記各層３，４，５，７，８，９，１１の目標層厚を、上記（１）（２）で求めた各層３，４，５，７，８，９，１１の成長レートで割算して、各層３，４，５，７，８，９，１１の成長時間を決める。
【００３４】
（４）この後、実際に上記半導体レーザ素子の作製を行う。
【００３５】
▲１▼ まず、図１（Ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、上記（３）で決定した成長時間でＭＯＣＶＤ法により順次結晶成長を行う。
【００３６】
すなわち、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（層厚０．５μｍ）２、ｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１クラッド層（ｘ＝０．４６、層厚２．７μｍ）３、ｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．２μｍ）４、ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１光ガイド層（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）５、ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ量子井戸活性層６、ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２光ガイド層（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）７、ｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１クラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．２μｍ）８、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層（層厚２６Å）９、ｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層（ｘ＝０．４８、層厚１．３μｍ）１０、ｐ型ＧａＡｓキャップ層（層厚０．７５μｍ）１１を、この順に成長する。各層３，４，５，７，８，９，１１の成長時間は正確な成長レートに基づいて決定されたものであるから、各層３，４，５，７，８，９，１１の厚さを精度良く目標層厚に制御することができる。
【００３７】
▲２▼ 次に、図１（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法などによりキャップ層１１上に、図１（Ｂ）の紙面に垂直な方向に延びるストライプ状のレジスト１２を形成する。続いて、このレジスト１２をマスクとして、硫酸系エッチング液とフッ酸を用いてｐ型ＧａＡｓキャップ層１１およびｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層１０をエッチングして、レジスト１２直下にキャップ層１１および第２クラッド層１０の一部からなるリッジを形成する。レジスト１２を除去した後、図２（Ｃ）に示すように、この上に再度のＭＯＣＶＤ法によりｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ電流ブロック層（ｘ＝０．７、層厚１．０μｍ）１３、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層（層厚０．３μｍ）１４、ｐ型ＧａＡｓ平坦化層（層厚０．７μｍ）１５を成長する。次に、リッジ上以外の部分にフォトリソグラフィ法でレジスト（図示せず）を形成して、平坦化層１５、電流ブロック層１４および１３のうちリッジ上に堆積した不要な部分をアンモニア系および硫酸系エッチング液を用いてエッチングする。そのレジストを除去した後、図２（Ｄ）に示すように、この上にＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層（層厚５０μｍ）１６を成長させる。
【００３８】
▲３▼ 次に、ウエハの裏面（ＧａＡｓ基板面）に研磨やエッチングを施して、ウエハの厚さを１００μｍにする。この後、ウエハの裏面にｎ電極１８、ウエハの表面にｐ電極１８を形成する。そして、ウエハをリッジのストライプと垂直な方向にへき開してバー状に分割する。この分割により現れたレーザ光出射面（両面）にそれぞれ絶縁膜をコーティングして、半導体レーザ素子（ＳＣＨ−ＭＱＷレーザ素子）を完成する。
【００３９】
図７(Ａ)（Ｂ）は、ガイド層の成長レートを従来法で決めて作製したレーザ素子の垂直放射角分布と、本実施形態により作製したレーザ素子の垂直放射角分布とを対比して示している。本発明によるレーザ素子(図７(Ｂ))では発振波長が７８０〜７８６ｎｍで垂直放射角分布が１６°〜１９°となり、従来法によるもの(図７(Ａ))に比して、ばらつきを低減することができた。この結果、素子の歩留りを高めることができた。
【００４０】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の化合物半導体デバイス製造方法によれば、作製すべきデバイスに含まれる化合物半導体層が目標層厚に成長されるように、上記化合物半導体層の成長時間を精度良く決定できる。したがって、上記化合物半導体層の厚さを正確に目標層厚に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施形態の化合物半導体デバイス製造方法の
工程を示す図である。
【図２】 この発明の一実施形態の化合物半導体デバイス製造方法の
工程を示す図である。
【図３】 成長レートモニタ用ウエハの断面構造を示す図である。
【図４】 フォトルミネッセンス法によって上記成長レートモニタ用ウエハにおける第１ＧａＡｓ量子井戸層１９からの発光波長を測定した結果を示す図である。
【図５】 ＧａＡｓ層のフォトルミネッセンス法による発光波長と層厚との間の関係を示す図である。
【図６】 上記成長レートモニタ用ウエハにおける積層２５のＸ線回折測定結果を示す図である。
【図７】 ガイド層の成長レートを従来法で決めて作製したレーザ素子の垂直放射角分布と、本実施形態により作製したレーザ素子の垂直放射角分布とを対比して示す図である。
【符号の説明】
１，２６ ｎ型ＧａＡｓ基板
５ ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１光ガイド層（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）
６ ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ量子井戸活性層
７ ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２光ガイド層（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）
１９ 第１ＧａＡｓ量子井戸層（層厚２６〜３０Å）
２０ 第２ＧａＡｓ量子井戸層（層厚２６〜３０Å）
２１ Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（ｘ＝０．３５、層厚１７０〜２００Å）
２２ 第１Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓクラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．２μｍ）
２３ 第２Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓクラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．２μｍ）
２４ 第３Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓクラッド層（ｘ＝０．４８、層厚０．４μｍ）
２５ 積層

Claims (4)

1. 所定の成長法により目標層厚に成長されるべき或る化合物半導体層を含むデバイスを作製する化合物半導体デバイス製造方法であって、
   上記化合物半導体層のための成長時間を決定する工程は、
   モニタ用ウエハ上に、量子準位と層厚とが１対１に対応する材料からなる第１量子井戸層を形成するとともに、上記第１量子井戸層に対して材料および厚さが同じである第２量子井戸層と上記化合物半導体層に対して材料が同じであるモニタ用化合物半導体層とを一定周期で複数回繰り返し成長して積層を形成するステップと、
   上記第１量子井戸層の上記量子準位を反映したフォトルミネッセンスを測定して、上記第１量子井戸層の厚さを求めるステップと、
   Ｘ線回折法により上記積層内の第２量子井戸層とモニタ用化合物半導体層との空間的周期を測定するステップと、
   上記測定した空間的周期から上記求めた第１量子井戸層の厚さを差し引いて上記モニタ用化合物半導体層の厚さを求め、このモニタ用化合物半導体層の厚さから算出される成長レートから上記化合物半導体層の成長時間を決定するステップを有することを特徴とする化合物半導体デバイス製造方法。
2. 請求項１に記載の化合物半導体デバイス製造方法において、
   上記第１量子井戸層を上記積層内のモニタ用化合物半導体層よりもバンドギャップの広い層で挟んだ状態に形成することを特徴とする化合物半導体デバイス製造方法。
3. 請求項１または２に記載の化合物半導体デバイス製造方法において、
   上記第１量子井戸層及び第２量子井戸層の材料はＧａＡｓであることを特徴とする化合物半導体デバイス製造方法。
4. 請求項１に記載の化合物半導体デバイス製造方法において、
   上記第１量子井戸層及び第２量子井戸層は厚さ２５Å乃至３０ÅのＧａＡｓからなり、
   上記モニタ用化合物半導体層は厚さ１７０Å乃至２００ÅのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（ｘ＝０．３５）からなり、
   上記第１量子井戸層をＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（ｘ＝０．４８）で挟んだ状態に形成することを特徴とする化合物半導体デバイス製造方法。

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