JP2000058915A - 窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置 - Google Patents

窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置

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JP2000058915A JP22022198A JP22022198A JP2000058915A JP 2000058915 A JP2000058915 A JP 2000058915A JP 22022198 A JP22022198 A JP 22022198A JP 22022198 A JP22022198 A JP 22022198A JP 2000058915 A JP2000058915 A JP 2000058915A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、
光ディスク等の光ピックアップの光学系に光源として組
み込むことが可能な、良好な雑音特性を有する半導体レ
ーザ素子を提供する。 【解決手段】 基板上に、窒化物半導体からなるクラッ
ド層及び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からな
る活性層を形成した半導体レーザ素子において、前記基
板と、基板側に存在するクラッド層との間に、エネルギ
ーギャップが活性層とほぼ同じか、または、活性層より
も小さい半導体からなる光吸収層を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の光
ピックアップの光学系に光源として組み込まれる窒化ガ
リウム系半導体レーザ素子に関する。
【0002】
【従来の技術】紫外から緑色の波長領域での発光波長を
有する半導体レーザ素子(LD)の半導体材料として、
窒化ガリウム系半導体(GaInAlN)が用いられて
いる。この窒化ガリウム系半導体を用いた半導体レーザ
素子は、例えば、MRS InternetJ.Nitride Semicond.Re
s.2(1997)5に記載されており、その断面図を図4に示
す。図4において、201はサファイア基板、202は
GaNバッファ層、203はn−GaNコンタクト層、
204はn−In0.05Ga0.95N層、205はn−Al
0.08Ga0.92Nクラッド層、206はn−GaNガイド
層、207はIn0.15Ga0.85N量子井戸層とIn0.02
Ga0.98N障壁層とからなる多重量子井戸構造活性層、
208はp−Al0.2Ga0.8N層、209はp−GaN
ガイド層、210はp−Al0.08Ga0.92Nクラッド
層、211はp−GaNコンタクト層、212はp側電
極、213はn側電極である。ここで、多重量子井戸構
造活性層207は、3.5nm厚のIn0.15Ga0.85
量子井戸層が4層、7nm厚のIn0.02Ga0.98N障壁
層が3層、の合計7層で構成され、量子井戸層と障壁層
が交互に形成されている。また、この従来例では注入電
流を狭窄するためにp−Al0.08Ga0.92Nクラッド層
210とp−GaNコンタクト層211はリッジストラ
イプ状に形成されている。
【0003】一方、窒化ガリウム系半導体を用いた半導
体レーザ素子を光ディスクシステムの光源として用いる
場合、データの読み出し時における雑音によるデータの
読み出しエラーを防止するために、一定電流を注入して
も光出力が変調されている自励発振型の半導体レーザ素
子が用いられており、このような半導体レーザ素子は特
開平9−191160号公報に記載されている。その断
面図を図5に示す。図5において、221はn−SiC
基板、222はn−AlNバッファ層、223はn−A
lGaNクラッド層、224はn−GaN光ガイド層、
225は厚さ10nmのIn0.05Ga0.95N量子井戸活
性層、226はp−GaN光ガイド層、227はp−A
lGaNクラッド層、228は厚さ5nmのp−In
0.1Ga0.9N可飽和吸収層、229はp−GaNコンタ
クト層、230はp側電極、231はn側電極ある。こ
の従来例においては、活性層225で発生した光の一部
が可飽和吸収層228で吸収されることによって可飽和
吸収層228の吸収係数が変化し、それに伴って活性層
225からのレーザ発振による発光強度が周期的に変化
する。
【0004】その結果、半導体レーザ素子からの出射光
の干渉性が低下する。このように干渉性が低下した半導
体レーザ素子を光ディスクシステムの光源として用いる
と、ディスクからの反射光が半導体レーザ素子の活性領
域に直接戻ってきても、レーザからの出射光と反射によ
る戻り光が干渉を起こさないため雑音の発生が抑えら
れ、データの読み出しエラーを防止していた。
【0005】ところで、このような半導体レーザ素子
を、光ディスク等の光ピックアップの光学系の光源とし
て組み込む場合、ディスク面に形成されているピット列
上に、半導体レーザ素子から出射されたレーザビームの
スポットを正確に当てるために、トラッキングサーボ機
構が必要である。この機構として一般には、スポットと
ピットとの位置ずれを検出するために3ビーム法と呼ば
れる手法が用いられている。
【0006】この手法を用いた光ピックアップ装置の概
略構成図を図6に示す。図6において半導体レーザ素子
241から出射されたレーザ光242は回折格子243
によって3本のビームに分割される。この分割されたビ
ームは無偏光ビームスプリッタ244からコリメータレ
ンズ245に導かれて平行ビームとされた後、対物レン
ズ246によってディスク247のピット列からなる情
報記録面に集光される。集光された後、この情報記録面
で反射した3本のビームは、対物レンズ246及びコリ
メータレンズ245を通って無偏光ビームスプリッタ2
44に導かれ、それぞれ個別にフォトダイオード24
8、249、250に受光される。これら3個のフォト
ダイオードのうち、フォトダイオード248はディスク
247の情報記録面に記録されたピット列による信号を
読み取る機能を果たし、フォトダイオード249と25
0は、レーザビームのスポットとピットとの位置ずれを
検出する機能を果たす。このフォトダイオード249と
250からの出力に応じて対物レンズ246等の位置修
正が行われて、レーザビームのスポットをディスク面に
形成されているピット列上に正確に当てることができ
る。
【0007】このような3ビーム法においては、情報記
録面で反射した3本のビームは、無偏光ビームスプリッ
タ244で反射してフォトダイオード248、249、
250に受光されるのみならず、その一部は無偏光ビー
ムスプリッタ244を通過して回折格子243に入射し
ている。この入射ビームは回折格子243によって3本
のビームに分割された後、半導体レーザ素子241の表
面に、戻り光となって照射される。この3本の戻り光の
照射位置をA、B、Cで示す。
【0008】さらに図7には半導体レーザ素子241の
正面図での3本の戻り光の照射位置A、B、Cを示して
いる。このうちAは半導体レーザ素子241の活性領域
に直接戻ってくる戻り光であり、BとCはAの上下にお
よそ20μmから50μmの間隔で戻ってくる戻り光の
照射位置である。なお図5に示された従来例では、レー
ザからの出射光とAの位置への戻り光との干渉による雑
音を抑えるために、可飽和吸収層228が設けられてい
た。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の前
記窒化ガリウム系半導体を用いた半導体レーザ素子は以
下のような問題点があった。図6と図7に示される3ビ
ーム法を用いた場合、3本の戻り光が生じるが、このう
ち照射位置Bの戻り光は半導体レーザチップの基板に入
射している。この時、基板がサファイアや炭化硅素のよ
うにレーザ光に対して吸収係数が小さい材料からなるも
のであれば、照射位置Bの戻り光は基板内を多重反射す
ることによって干渉パターンを形成することになる。従
来の前記窒化ガリウム系半導体を用いた半導体レーザ素
子はサファイアや炭化硅素を基板に用いており、また、
活性層と基板の間にはレーザ光を吸収する層が全く存在
しないため、照射位置Bの戻り光による干渉パターンと
活性領域内部のレーザ光とが相互作用して、半導体レー
ザ素子の出射光の強度に影響を及ぼしていることが判明
した。
【0010】一方、光ディスクシステムではディスクを
回転してデータを順次読み出しているが、ディスクがわ
ずかに傾くことは避けられない。この傾きの角度はディ
スクの回転により変化するが、この変化に伴って照射位
置Bがわずかに変化してしまう。このため照射位置Bの
戻り光による干渉パターンも変化することになり、この
結果、半導体レーザ素子の出射光の強度も影響を受け
て、強度が変動してしまっていた。このように出射光の
強度が変動すると、ディスク上に記録されたデータの読
み出しエラーを生じてしまい、光ディスクシステム用の
光源として実用に供することが出来ない、という問題が
あった。
【0011】以上のように、従来の窒化ガリウム系半導
体を用いた半導体レーザ素子では、3ビーム法を用いた
光ピックアップの光学系に組み込むことを全く考慮して
いない。従って、本発明はこのような事情に鑑みてなさ
れたものであり、上記窒化ガリウム系半導体レーザ素子
における課題を解決して、光ディスクシステムの光源と
しての使用が可能な窒化ガリウム系半導体レーザ素子を
提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る窒化ガリウム系半導体発光素子は、以
下の発明から構成される。請求項1に記載の発明は、基
板上に、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガ
イド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性層を形成し
た半導体レーザ素子において、前記基板と、基板側に存
在するクラッド層との間に、エネルギーギャップが活性
層とほぼ同じか、または、活性層よりも小さい半導体か
らなる光吸収層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム
系半導体レーザ素子である。
【0013】請求項2に記載の発明は、光吸収層が、組
成の異なる2種類の半導体が交互に積層されてなる多重
量子井戸構造であることを特徴とする請求項1に記載の
窒化ガリウム系半導体レーザ素子である。
【0014】請求項3に記載の発明は、光吸収層が、少
なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体から
なることを特徴とする請求項1乃至2のいずれかに記載
の窒化ガリウム系半導体レーザ素子である。
【0015】請求項4に記載の発明は、基板が、サファ
イア基板、または、窒化ガリウム基板、または、炭化硅
素基板からなることを特徴とする請求項1乃至3のいず
れかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子である。
【0016】請求項5に記載の発明は、光吸収層の層厚
が、0.05μm以上であることを特徴とする請求項1
乃至4のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ
素子である。
【0017】請求項6に記載の発明は、少なくとも半導
体レーザ素子と回折格子とを用いた光学系からなる3ビ
ーム方式の光ピックアップ装置であって、前記半導体レ
ーザ素子に請求項1乃至5のいずれかに記載の窒化ガリ
ウム系半導体レーザ素子を用いたことを特徴とする光ピ
ックアップ装置である。
【0018】本発明に係る窒化ガリウム系半導体レーザ
素子は、基板上に、窒化物半導体からなるクラッド層及
び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性
層を形成した半導体レーザ素子であって、前記基板と、
基板側に存在するクラッド層との間に、エネルギーギャ
ップが活性層とほぼ同じか、または、活性層よりも小さ
い半導体からなる光吸収層が設けられている。このよう
な構成により、基板内に入射されたディスクからの戻り
光によって干渉パターンが形成されても、基板と、基板
側に存在するクラッド層との間に設けられた光吸収層の
ため、基板内に入射された戻り光は活性層に侵入するこ
とはない。従って、基板内に干渉パターンが形成されて
も、活性領域内部のレーザ光とは相互作用しないので半
導体レーザ素子の出射光の強度は影響を受けない。これ
により、データの読み出しエラーを生じることなく、光
ディスクシステム用の光源として実用に供することが出
来る窒化ガリウム系半導体レーザが得られた。
【0019】また光吸収層は、基板と、基板側に存在す
るクラッド層との間に設けられているので、半導体レー
ザ素子内の活性層を導波するレーザ光はこの光吸収層ま
で広がっていない。従って、光吸収層は基板内に入射さ
れたディスクからの戻り光のみを吸収し、半導体レーザ
素子内部を導波するレーザ光を吸収することはないた
め、発振閾値電流値や最大光出力などのレーザ特性を悪
化させることはない。
【0020】さらにこの光吸収層として、少なくともイ
ンジウムとガリウムを含む窒化物半導体を用いれば、イ
ンジウムの組成を大きくするだけでエネルギーギャップ
を小さく出来るため容易に光吸収層が形成できるととも
に、活性層やクラッド層を形成する材料と同じ窒化物半
導体材料を用いることになるので、結晶成長により多層
構造を形成する際に結晶性が損なわれることがない。従
って、レーザ素子の信頼性向上にとって非常に有利であ
る。
【0021】さらに、本発明に係る窒化ガリウム系半導
体レーザ素子のように、基板と、基板側に存在するクラ
ッド層との間に、少なくともインジウムとガリウムを含
み、大きなインジウム組成を有する窒化物半導体による
光吸収層を形成すると、この光吸収層が形成されていな
い場合に比べて、信頼性が向上することが見い出され
た。通常、窒化ガリウム系半導体レーザ素子では、基板
や基板上の各層との間に熱膨張係数差があるため、結晶
成長後に室温まで温度を下げる間に熱歪みが生じ、歪み
による応力が結晶内部の欠陥の広がりを増長するため、
半導体レーザ素子の劣化を引き起こしていたが、本発明
のように大きなインジウム組成を有する窒化物半導体に
よる光吸収層を形成すると、インジウム組成が大きいこ
とにより体積弾性率が小さくなり、この結果、熱歪みが
この光吸収層で緩和され、結晶内部の応力が緩和され、
結晶内部の応力が低減した。これにより結晶内部の欠陥
の広がりは増長されることなく、半導体レーザ素子の信
頼性が向上した。
【0022】また、光吸収層は単層だけではなく、組成
の異なる2種類の半導体が交互に積層されてなる多重量
子井戸構造を用いても構わない。多重量子井戸構造を用
いた場合は、量子効果により伝導帯や価電子帯のバンド
端の状態密度が増加するため光の吸収が増大するととも
に、積層された半導体の界面で光を反射するので、基板
内に入射されたディスクからの戻り光を効率よく吸収す
ることができる。
【0023】さらに、前記の少なくともインジウムとガ
リウムを含む窒化物半導体を光吸収層として用いた場合
は、インジウム組成を増大すると格子定数が大きくなる
ため、層厚が厚いと歪みが生じて結晶性が損なわれてし
まうことがあるが、インジウム組成の異なる2種類の窒
化物半導体が交互に積層されてなる多重量子井戸構造を
用いれば、インジウム組成が少ないほうの窒化物半導体
層が歪みを緩和するので、結晶性を損なわずに光吸収層
を形成できる。
【0024】本発明では、基板と、基板側に存在するク
ラッド層との間に設けられた光吸収層により、基板内に
入射されたディスクからの戻り光が活性層に侵入するこ
とを防いでいる。従って、この窒化ガリウム系半導体レ
ーザ素子を形成する基板としては、窒化物半導体からな
る活性層から出射されるレーザ光に対して光吸収係数が
小さい、サファイア、または、窒化ガリウム、または、
炭化硅素を用いる場合に、特に有効である。
【0025】さらに、基板内に入射されたディスクから
の戻り光をこの光吸収層で十分に吸収するために、光吸
収層の厚さは0.05μm以上であることが好ましい。
光吸収層としてIn0.2Ga0.8N層を用いたときの、波
長が410nmのレーザ光に対する光強度の減衰を測定
した結果を図3に示す。この図から分かるように光吸収
層の厚さが0.05μm以上であれば光強度は十分減衰
しており、基板内に入射されたディスクからの戻り光が
活性層に侵入することが防がれている。このことは、他
の材料を用いた光吸収層の場合や、組成の異なる2種類
の半導体が交互に積層されてなる多重量子井戸構造によ
り形成された光吸収層の場合でも、同様の結果が得られ
た。従って、厚さが0.05μm以上の光吸収層を用い
ることにより、データの読み出しエラーを生じることな
く、光ディスクシステム用の光源として実用に供するこ
とが出来る窒化ガリウム系半導体レーザ素子が得られ
た。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、具体例に従ってさらに詳細
に説明する。 (第1の実施例)図1は本発明の第1の実施例に係る窒
化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面図である。こ
の図において、1はc面を表面として有するサファイア
基板、2はGaNバッファ層、3はn−GaNn型コン
タクト層、4はn−In0.2Ga0.8N光吸収層、5はn
−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層、6はn−GaNガ
イド層、7は3層のIn0.15Ga0.85N量子井戸層と2
層のIn0.03Ga0.97N障壁層とからなる多重量子井戸
構造活性層、8はAl0.2Ga0.8N蒸発防止層、9はp
−GaNガイド層、10はp−Al0.1Ga0.9Np型ク
ラッド層、11はp−GaNp型コンタクト層、12は
p側電極、13はn側電極、14はSiO2絶縁膜であ
る。
【0027】本発明において、サファイア基板1の表面
はa面・r面・m面等の他の面方位であっても構わな
い。またサファイア基板に限らずGaN基板・SiC基
板・スピネル基板・MgO基板も用いることが出来る。
これらの基板はいずれもレーザ光に対して吸収係数が小
さい材料からなるので、本発明の光吸収層を用いること
で、データの読み出しエラーを生じない窒化ガリウム系
半導体レーザ素子が得られる。
【0028】さらに、GaN基板とSiC基板の場合は
サファイア基板に比べて基板上に積層した窒化ガリウム
系半導体材料との格子定数差が小さく、良好な結晶性の
膜が得られるので、レーザ素子の信頼性が向上する。ま
たGaN基板とSiC基板はサファイア基板に比べて劈
開しやすいため、劈開によるレーザ共振器端面の形成が
容易であるという利点がある。
【0029】バッファ層2はその上に窒化ガリウム系半
導体をエピタキシャル成長させることが出来るものであ
ればGaNにこだわらず他の材料、例えばAlNやAl
GaN3元混晶を用いてもよい。
【0030】n−In0.2Ga0.8N光吸収層4はレーザ
光を吸収する材料であればよく、多重量子井戸構造活性
層7を構成するIn0.15Ga0.85N量子井戸層のIn組
成以上のIn組成を持つInGaN3元混晶やInGa
AlN4元混晶を用いても構わない。
【0031】n型クラッド層5及びp型クラッド層10
は、Al0.1Ga0.9N以外のAl組成を持つAlGaN
3元混晶でもよい。この場合Al組成を大きくすると活
性層とクラッド層とのエネルギーギャップ差及び屈折率
差が大きくなり、キャリアや光が活性層に有効に閉じ込
められてさらに発振閾値電流の低減及び、温度特性の向
上が図れる。またキャリアや光の閉じ込めが保持される
程度でAl組成を小さくしていくと、クラッド層におけ
るキャリアの移動度が大きくなるため、半導体レーザ素
子の素子抵抗を小さくできる利点がある。さらにこれら
のクラッド層は微量に他の元素を含んだ4元以上の混晶
半導体でもよく、n型クラッド層5とp型クラッド層1
0とで混晶の組成が同一でなくても構わない。
【0032】GaN−ガイド層6、9は、そのエネルギ
ーギャップが、多重量子井戸構造活性層7を構成する量
子井戸層のエネルギーギャップと、クラッド層5、10
のエネルギーギャップの間の値を持つような材料であれ
ばGaNにこだわらず他の材料、例えばInGaN3元
混晶、AlGaN3元混晶、InGaAlN4元混晶等
を用いてもよい。またガイド層全体にわたってドナー又
はアクセプターをドーピングする必要はなく、多重量子
井戸構造活性層7側の一部のみをノンドープとしてもよ
く、さらにはガイド層全体をノンドープとしてもよい。
この場合、ガイド層に存在するキャリアが少なくなり、
自由キャリアによる光の吸収が低減されて、さらに発振
閾値電流が低減できるという利点がある。
【0033】多重量子井戸構造活性層7を構成する3層
のIn0.15Ga0.85N量子井戸層と2層のIn0.03Ga
0.97N障壁層は、必要なレーザ発振波長に応じてその組
成を設定すればよく、発振波長を長くしたい場合は量子
井戸層のIn組成を大きくし、短くしたい場合は量子井
戸層のIn組成を小さくする。また量子井戸層と障壁層
は、InGaN3元混晶に微量に他の元素を含んだ4元
以上の混晶半導体でもよい。さらに障壁層は単にGaN
を用いてもよい。さらに量子井戸層と障壁層の層数も本
実施例にこだわらず他の層数を用いてもよく、単一量子
井戸構造活性層でも構わない。なお、活性領域へ直接戻
ってくる戻り光によって生じる雑音を抑制出来るように
自励発振特性を得るためには、活性層を構成する量子井
戸層の層数を2層又は3層とすることが好ましい。これ
は活性層内のキャリアを変調されやすくするためであ
り、層数が多いと各量子井戸層にキャリアが均一に注入
されず、また、単一量子井戸層ではキャリア濃度が大き
くなるため、いずれの場合も活性層内のキャリアが変調
されにくくなる。
【0034】また、本実施例では、多重量子井戸構造活
性層7に接するようにAl0.2Ga0 .8N蒸発防止層8を
形成している。これは多重量子井戸構造活性層7を成長
した後にp−GaNガイド層9を成長する際に、成長温
度を上昇する必要があるが、この間に多重量子井戸構造
活性層7が蒸発してしまうことを防ぐためである。従っ
て、量子井戸層を保護するものであればAl0.2Ga0.8
N蒸発防止層8として用いることができ、他のAl組成
を有するAlGaN3元混晶やGaNを用いてもよい。
また、このAl0.2Ga0.8N蒸発防止層8にMgをドー
ピングしてもよく、この場合はp−GaNガイド層9や
p−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層10から多重量子
井戸構造活性層7へ正孔が注入され易くなるという利点
がある。さらに、量子井戸層のIn組成が小さい場合は
Al0.2Ga0.8N蒸発防止層8を形成しなくても量子井
戸層は蒸発しないため、特にAl0.2Ga0.8N蒸発防止
層8を形成しなくても、本実施例の窒化ガリウム系半導
体レーザ素子の特性は損なわれない。
【0035】次に、図1を参照して上記窒化ガリウム系
半導体レーザ素子の作製方法を説明する。以下の説明で
はMOCVD法(有機金属気相成長法)を用いた場合を
示しているが、窒化ガリウム系半導体をエピタキシャル
成長できる成長法であればよく、MBE法(分子線エピ
タキシャル成長法)やHVPE(ハイドライド気相成長
法)等の他の気相成長法を用いることもできる。
【0036】まず所定の成長炉内に設置された、c面を
表面として有する厚さ350μmのサファイア基板1上
に、トリメチルガリウム(TMG)とアンモニア(NH
3)を原料に用いて、成長温度550℃でGaNバッフ
ァ層2を35nm成長させる。
【0037】次に成長温度を1050℃まで上昇させ
て、TMGとNH3、及びシランガス(SiH4)を原料
に用いて、厚さ3μmのSiドープn−GaNn型コン
タクト層3を成長する。次に、成長温度を750℃に下
げ、TMGとNH3とSiH4、及びトリメチルインジウ
ム(TMI)を原料に用いて、厚さ0.1μmのSiド
ープn−In0.2Ga0.8N光吸収層4を成長する。次
に、再び成長温度を1050℃に上昇して、TMGとN
3とSiH4、及びトリメチルアルミニウム(TMA)
を原料に用いて、厚さ0.5μmのSiドープn−Al
0.1Ga0.9Nn型クラッド層5を成長する。続けて、T
MAを原料から除いて、成長温度は1050℃のままで
厚さ0.1μmのSiドープn−GaNガイド層6を成
長する。
【0038】その後再び、成長温度を750℃に下げ、
TMGとNH3とTMIを原料に用いて、In0.15Ga
0.85N量子井戸層(厚さ5nm)、In0.03Ga0.97
障壁層(厚さ5nm)、In0.15Ga0.85N量子井戸層
(厚さ5nm)、In0.03Ga0.97N障壁層(厚さ5n
m)、In0.15Ga0.85N量子井戸層(厚さ5nm)を
順次成長することにより多重量子井戸構造活性層(トー
タルの厚さ25nm)7を作成する。さらに続けてTM
GとTMAとNH3を原料に用いて、成長温度は750
℃のままで厚さ10nmのAl0.2Ga0.8N蒸発防止層
8を成長する。
【0039】次に、再び成長温度を1050℃に上昇し
て、TMGとNH3、及びシクロペンタジエニルマグネ
シウム(Cp2Mg)を原料に用いて、厚さ0.1μm
のMgドープp−GaNガイド層9を成長する。さらに
続けてTMAを原料に加え、成長温度は1050℃のま
まで厚さ0.5μmのMgドープp−Al0.1Ga0.9
p型クラッド層10を成長する。続けて、TMAを原料
から除いて、成長温度は1050℃のままで厚さ0.5
μmのMgドープp−GaNp型コンタクト層11を成
長して、窒化ガリウム系エピタキシャルウエハーを完成
する。その後、このウエハーを800℃の窒素ガス雰囲
気中でアニールして、Mgドープのp型層を低抵抗化す
る。
【0040】さらに、通常のフォトリソグラフィーとド
ライエッチング技術を用いて200μm幅のストライプ
状に、p−GaNp型コンタクト層11の最表面からn
−GaNn型コンタクト層3が露出するまでエッチング
を行ってメサ構造を作製する。次に、上記と同様のフォ
トリソグラフィーとドライエッチング技術を用いて、残
ったp−GaNp型コンタクト層11の最表面に、1.
5μm幅のストライプ状にリッジ構造を形成するように
p−GaNp型コンタクト層11とp−Al0.1Ga0.9
Np型クラッド層10をエッチングする。続いて、リッ
ジの側面とリッジ以外のp型層表面に厚さ200nmの
SiO2絶縁膜14を電流阻止層として形成する。
【0041】さらに、このSiO2絶縁膜14とp−G
aNp型コンタクト層11の表面にニッケルと金からな
るp側電極12を形成し、エッチングにより露出したn
−GaNn型コンタクト層3の表面にチタンとアルミニ
ウムからなるn側電極13を形成して、窒化ガリウム系
半導体レーザ素子ウエハーを完成する。
【0042】その後、このウエハーのサファイア基板1
の裏面を通常の研磨技術により研磨し、ウェハーの厚さ
を50μmとする。そしてこのウェハーをリッジストラ
イプと垂直な方向に劈開することによりレーザの共振器
端面を形成し、リッジストライプと平行な方向にレーザ
共振器を形成する。ここでは共振器の長さを500μm
とした。続いてこのレーザ素子を個々のレーザチップに
分割する。そして、各チップをステムにマウントし、ワ
イヤーボンディングにより各電極とリード端子とを接続
して、窒化ガリウム系半導体レーザ素子を完成する。
【0043】このようにして作製された窒化ガリウム系
半導体レーザ素子の発振波長は410nm、発振閾値電
流は30mAであり、良好なレーザ特性が得られた。こ
のように低い発振閾値電流値が得られるのは、光吸収層
4がn型クラッド層5とサファイア基板1との間に存在
するため、活性領域で発生したレーザ光が光吸収層4ま
で広がっておらず、レーザ光は光吸収層4では吸収され
ていないことによるものである。
【0044】また、半導体レーザ素子はサファイア基板
1の厚さが50μmであり、3ビーム法を用いてトラッ
キングサーボ機構を制御する際に生じる3本の戻り光の
うちの1本がサファイア基板1に入射されているが、光
吸収層4を設けたことにより、サファイア基板内に入射
した戻り光は活性領域内部のレーザ光と相互作用するこ
とはない。これにより、半導体レーザ素子の出射光の強
度は戻り光による影響を受けることはなく、安定した強
度の出射光が得られた。
【0045】さらに本実施例では、リッジストライプの
幅を1.5μmと狭くしているので、このリッジストラ
イプ領域外に存在する活性層が可飽和吸収層として働く
ため自励発振特性が得られ、これにより活性領域へ直接
戻ってくる戻り光によって生じる雑音も抑制された。以
上の結果、光ディスクシステム用として本実施例の窒化
ガリウム系半導体レーザ素子を用いると、データの読み
出しエラーを防止することができ、実用に供する窒化ガ
リウム系半導体レーザ素子が実現できた。
【0046】本実施例では、光吸収層4の厚さを0.1
μmとしたが、0.05μm以上の厚さであれば、本実
施例にこだわらず同等の効果が得られる。また本実施例
では、光吸収層4を、n型コンタクト層3とn型クラッ
ド層5の間に設けたが、n型コンタクト層3の内部に設
けても構わない。さらに活性領域で発生したレーザ光の
広がりよりも離れていれば、n型クラッド層5の内部に
光吸収層4を設けても構わない。
【0047】なお本実施例では、光吸収層4を成長した
後にn型クラッド層5を成長する際に成長温度を上昇し
ているが、この時光吸収層4の一部が成長温度の上昇中
に蒸発してしまうことを防ぐために、Al0.2Ga0.8
蒸発防止層8と同様の蒸発防止層を光吸収層4の上に連
続して形成しておいても構わない。
【0048】さらに本実施例の窒化ガリウム系半導体レ
ーザ素子では、自励発振特性を持たせるために、リッジ
ストライプの幅を狭くしてリッジストライプ領域外に存
在する活性層を可飽和吸収層として機能させて自励発振
を得ているが、これに限らず、共振器方向の活性層の一
部に電流注入しないようにして、この活性層を可飽和吸
収層として機能させたり、活性領域で発生したレーザ光
の広がりの内部に可飽和吸収層を設けて自励発振特性を
持たせていても構わない。なお、本実施例では活性層と
して3層の量子井戸層を持つ多重量子井戸構造活性層を
用いたが、量子井戸層が2層の場合においても本実施例
と同様に自励発振特性が得られており、活性領域へ直接
戻ってくる戻り光によって生じる雑音を抑制できた。
【0049】本実施例では、劈開によりレーザの共振器
端面を形成しているが、サファイア基板は硬くて劈開し
にくい場合があるので、ドライエッチングにより共振器
端面を形成することもできる。
【0050】さらに本実施例では絶縁体であるサファイ
アを基板として用いたため、エッチングにより露出した
n−GaNn型コンタクト層3の表面にn側電極13を
形成しているが、n型導電性を有するGaNやSiC等
を基板に用いれば、この基板の裏面にn側電極13を形
成してもよい。この場合、200μm幅のストライプ状
のメサ構造を作製するエッチングを行う必要はない。ま
た、p型とn型の構成を逆にしても構わない。さらに
は、電流阻止層としてはSiO2絶縁膜14に限らず、
SiN等の他の誘電体絶縁膜や、n型の導電性や半絶縁
性を有する半導体材料を用いることもできる。
【0051】(第2の実施例)光吸収層として、7層の
Siドープn−In0.2Ga0.8N層(厚さ5nm)と6
層のSiドープn−In0.03Ga0.97N層(厚さ5n
m)とからなる合計の厚さ0.065μmの多重量子井
戸構造を用い、この光吸収層の上に同一の成長温度でS
iドープn−Al0.2Ga0.8N蒸発防止層を設けたこと
以外は、第1の実施例と同様にして、窒化ガリウム系半
導体レーザ素子を作製した。
【0052】このようにして作製された窒化ガリウム系
半導体レーザ素子の発振波長は410nm、発振閾値電
流は30mAであり、実施例1と同様に良好なレーザ特
性が得られた。また、多重量子井戸構造からなる光吸収
層4を設けたことにより、サファイア基板内に入射した
戻り光は活性領域内部のレーザ光と相互作用することは
ない。これにより、半導体レーザ素子の出射光の強度は
戻り光による影響を受けることはなく、安定した強度の
出射光が得られた。
【0053】さらに本実施例において、光吸収層をSi
ドープn−In0.2Ga0.8N層の単一層ではなく、多重
量子井戸構造で形成したことにより、光吸収層を形成す
るSiドープn−In0.2Ga0.8N層とSiドープn−
GaNn型コンタクト層との格子定数差による歪みから
生じる結晶欠陥が低減した。また、Siドープn−Al
0.2Ga0.8N蒸発防止層を設けたためSiドープn−I
0.2Ga0.8N層の蒸発を防ぐことができ、この上に成
長したSiドープn−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層
の結晶性も向上した。以上の結果、レーザ素子の信頼性
が向上するという効果も得られた。
【0054】また本実施例では、光吸収層の厚さを0.
065μmとしたが、0.05μm以上の厚さであれ
ば、本実施例にこだわらず同等の効果が得られるので、
Siドープn−In0.2Ga0.8N層やSiドープn−I
0.03Ga0.97N層の層数や層厚を変えて多重量子井戸
構造の光吸収層を形成しても構わない。また、これら各
層のIn組成も本実施例にこだわらず、レーザ光を吸収
する材料であれば他のIn組成を持つInGaN3元混
晶やInGaAlN4元混晶を用いることもできる。
【0055】(第3の実施例)図2は本発明の第3の実
施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面
図である。この図において、21はc面を表面として有
するn型窒化ガリウム基板、22はn−GaNn型コン
タクト層、23は7層のn−In0.2Ga0.8N層と6層
のn−In0.03Ga0.97N層とからなる多重量子井戸構
造の光吸収層、24はn−Al0.2Ga0.8N蒸発防止
層、25はn−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層、26
はn−GaNガイド層、27は3層のIn0.15Ga0.85
N量子井戸層と2層のIn0.03Ga0.97N障壁層とから
なる多重量子井戸構造活性層、28はAl0.2Ga0.8
蒸発防止層、29はp−GaNガイド層、30はp−A
0.1Ga0.9Np型クラッド層、31はp−GaNp型
コンタクト層、32はp側電極、33はn側電極、34
はSiO2絶縁膜である。
【0056】この図2を参照して窒化ガリウム系半導体
レーザ素子の作製方法を説明する。まず、基板としてc
面を表面として有する厚さ100μmのn型窒化ガリウ
ム基板を用い、バッファ層を形成せずにn型窒化ガリウ
ム基板に直接n−GaNn型コンタクト層を形成したこ
と以外は、第2の実施例と同様にして、p−GaNp型
コンタクト層31まで成長させることによって、窒化ガ
リウム系半導体レーザ素子ウエハーを作成する。
【0057】その後、この半導体レーザ素子ウエハーを
800℃の窒素ガス雰囲気中でアニールして、Mgドー
プのp型層を低抵抗化する。さらに通常のフォトリソグ
ラフィーとドライエッチング技術を用いて、p−GaN
p型コンタクト層31の最表面に、1.5μm幅のスト
ライプ状にリッジ構造を形成するようにp−GaNp型
コンタクト層31とp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド
層30をエッチングする。続いて、リッジの側面とリッ
ジ以外のp型層表面に厚さ200nmのSiO2絶縁膜
34を電流阻止層として形成する。
【0058】さらに、このSiO2絶縁膜34とp−G
aNp型コンタクト層31の表面にニッケルと金からな
るp側電極32を形成し、n型窒化ガリウム基板21の
裏面にチタンとアルミニウムからなるn側電極33を形
成して、窒化ガリウム系半導体レーザ素子ウエハーを完
成する。
【0059】その後、このウェハーをリッジストライプ
と垂直な方向に劈開することによりレーザの共振器端面
を形成し、リッジストライプと平行な方向にレーザ共振
器を形成する。ここでは共振器の長さを500μmとし
た。続いて、レーザ素子を個々のレーザチップに分割す
る。そして、各チップをステムにマウントし、ワイヤー
ボンディングによりp側電極32とリード端子とを接続
して、窒化ガリウム系半導体レーザ素子を完成する。な
お、本実施例ではn型窒化ガリウム基板21を研磨せず
に基板の裏面にn側電極33を形成したが、通常の研磨
技術によりn型窒化ガリウム基板21の裏面を研磨して
ウェハーの厚さを薄くしてからn側電極33を形成した
後に、このウェハーをリッジストライプと垂直な方向に
劈開しても構わない。この場合、基板の厚さが薄いこと
により劈開が容易になるという利点がある。
【0060】このようにして作製された窒化ガリウム系
半導体レーザ素子の発振波長は410nm、発振閾値電
流は30mAであり、実施例2と同様に良好なレーザ特
性が得られた。また、多重量子井戸構造からなる光吸収
層4を設けたことにより、窒化ガリウム基板内に入射し
た戻り光は活性領域内部のレーザ光と相互作用すること
はない。これにより、半導体レーザ素子の出射光の強度
は戻り光による影響を受けることはなく、安定した強度
の出射光が得られた。なお、窒化ガリウム基板を用いた
場合は、サファイア基板に比べて屈折率が大きいことに
より、基板に入射した戻り光は基板上に結晶成長した層
内に入射しにくくなっている。従って、本実施例のよう
に窒化ガリウム基板を用いた場合はサファイア基板を用
いた場合よりも、より効果的に基板に入射した戻り光と
活性領域内部のレーザ光とが相互作用することを防止で
きた。
【0061】また、本実施例ではリッジストライプの幅
を狭くしてリッジストライプ領域外に存在する活性層を
可飽和吸収層として機能させることにより、自励発振特
性も得られた。なお、本実施例では多重量子井戸構造か
らなる光吸収層を用いたが、単一層からなる光吸収層を
用いても構わない。また光吸収層の厚さを0.065μ
mとしたが、0.05μm以上の厚さであれば、本実施
例にこだわらず同等の効果が得られるので、Siドープ
n−In0.2Ga0.8N層やSiドープn−In0.03Ga
0.97N層の層数や層厚を変えて多重量子井戸構造の光吸
収層を形成しても構わない。また、これら各層のIn組
成も本実施例にこだわらず、レーザ光を吸収する材料で
あれば他のIn組成を持つInGaN3元混晶やInG
aAlN4元混晶を用いることもできる。
【0062】さらに本実施例では、基板の窒化ガリウム
をn型としたが、n型とp型の構成を逆にしても構わな
い。さらに、電流阻止層としてはSiO2絶縁膜34に
限らず、SiN等の他の誘電体絶縁膜や、n型あるいは
p型の導電性や半絶縁性を有する半導体材料を用いるこ
ともできる。
【0063】(第4の実施例)半導体レーザ素子として
第3の実施例の窒化ガリウム系半導体レーザ素子を用い
て、図6に示される3ビーム法を用いた光ピックアップ
装置を作製した。
【0064】本実施例に用いた半導体レーザ素子には光
吸収層が設けられているので、n型窒化ガリウム基板内
に入射した戻り光は活性領域内部のレーザ光と相互作用
することはない。これにより、半導体レーザ素子の出射
光の強度は戻り光による影響を受けることはなく、安定
した強度の出射光が得られている。また、同時に半導体
レーザ素子は自励発振特性も有しており、これにより活
性領域へ直接戻ってくる戻り光によって生じる雑音も抑
制されている。以上の結果、本実施例の光ピックアップ
装置を用いて光ディスクからのデータの読み出しを行っ
たところ、エラー無しでデータの読み出しを行うことが
可能となった。
【0065】なお半導体レーザ素子として、本発明の第
1の実施例や第2の実施例の窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子を用いて光ピックアップ装置を作製しても、同様
に、エラー無しでデータの読み出しを行うことが可能な
光ピックアップ装置を作製できた。
【0066】
【発明の効果】上述したように本発明による窒化ガリウ
ム系半導体レーザ素子では、レーザ素子を形成する基板
と、基板側のクラッド層との間に、エネルギーギャップ
が活性層とほぼ同じか、または、活性層よりも小さい半
導体からなる光吸収層を設けた。この結果、3ビーム法
を用いてトラッキングサーボ機構を制御する際に生じる
3本の戻り光のうち基板内に入射される戻り光は、活性
領域内部のレーザ光と相互作用することがなくなる。
【0067】従って、半導体レーザ素子の出射光の強度
は戻り光による影響を受けることはなく、安定した強度
の出射光が得られた。また、光吸収層を設けても、活性
領域内部のレーザ光は光吸収層まで広がっていないので
光吸収層で吸収されることはなく、発振閾値電流値の増
大を生じない。これにより、良好なレーザ特性を有し、
光ディスクシステム用として使用可能な、データの読み
出し時にエラーを発生しない窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子が実現できた。
【0068】また、多重量子井戸構造の光吸収層とする
ことによって、半導体レーザ素子の出射光の強度は戻り
光の影響を受けることがなく、かつ、格子定数差による
歪みから生じる結晶欠陥が低減するという効果も得られ
た。
【0069】また、このような光吸収層を設けた窒化ガ
リウム系半導体レーザ素子を用いて作製した、3ビーム
法によるトラッキングサーボ機構を有する光ピックアッ
プ装置は、エラー無しで光ディスクからのデータの読み
出しを行うことが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る半導体レーザ素子
を示す断面図である。
【図2】本発明の第3の実施例に係る半導体レーザ素子
を示す断面図である。
【図3】光吸収層としてIn0.2Ga0.8N層を用いたと
きの、波長が410nmのレーザ光に対する光強度の減
衰を示すグラフ図である。
【図4】窒化ガリウム系半導体を用いた従来の半導体レ
ーザ素子の断面図である。
【図5】窒化ガリウム系半導体を用いた従来の自励発振
型の半導体レーザ素子の断面図である。
【図6】3ビーム法によるトラッキングサーボ機構を有
する光ピックアップ装置の概略構成図である。
【図7】3ビーム法によるトラッキングサーボ機構を有
する光ピックアップ装置に用いられている半導体レーザ
の正面図である。
【符号の説明】
1 サファイア基板 21 n型窒化ガリウム基板 2 GaNバッファ層 3、22 n−GaNn型コンタクト層 4 n−In0.2Ga0.8N光吸収層 23 n−In0.2Ga0.8Nとn−In0.03Ga0.97
とからなる多重量子井戸構造光吸収層 24 n−Al0.2Ga0.8N蒸発防止層 5、25 n−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層 6、26 n−GaNガイド層 7、27 多重量子井戸構造活性層 8、28 Al0.2Ga0.8N蒸発防止層 9、29 p−GaNガイド層 10、30 p−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層 11、31 p−GaNp型コンタクト層 12、32 p側電極 13、33 n側電極 14、34 SiO2絶縁膜

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、窒化物半導体からなるクラッ
    ド層及び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からな
    る活性層を形成した半導体レーザ素子において、 前記基板と基板側に存在するクラッド層との間に、エネ
    ルギーギャップが活性層とほぼ同じか、または、活性層
    よりも小さい半導体からなる光吸収層を設けたことを特
    徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
  2. 【請求項2】 光吸収層が、組成の異なる2種類の半導
    体が交互に積層されてなる多重量子井戸構造であること
    を特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体レ
    ーザ素子。
  3. 【請求項3】 光吸収層が、少なくともインジウムとガ
    リウムを含む窒化物半導体からなることを特徴とする請
    求項1乃至2のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体
    レーザ素子。
  4. 【請求項4】 基板が、サファイア基板、または、窒化
    ガリウム基板、または、炭化硅素基板からなることを特
    徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の窒化ガリウ
    ム系半導体レーザ素子。
  5. 【請求項5】 光吸収層の層厚が、0.05μm以上で
    あることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載
    の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
  6. 【請求項6】 少なくとも半導体レーザ素子と回折格子
    とを用いた光学系からなる3ビーム方式の光ピックアッ
    プ装置であって、前記半導体レーザ素子に請求項1乃至
    5のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子
    を用いたことを特徴とする光ピックアップ装置。
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