JPH03223225A - 液晶化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は強誘電性液晶材料として有用な新規な液晶化合
物に関する。

（以下余白） ［従来の技術］ 現在、液晶表示素子としてはＴＮ（ねじれネマチック）
型表示方式が最も広汎に使用されている。

このＴＮ液晶表示は、駆動電圧が低い、消費電力が少な
いなど、多くの利点を持っている。しかしながら、応答
速度の点に於て発光型素子（陰極管、エレクトロルミネ
ッセンス、プラズマデイスプレィ等）と比較して劣って
いる。ねじれ角を１８０〜２７０°にした新しいＴＮ型
表示素子も開発されているが、応答速度はやはり劣って
いる。この様に種々の改善の努力は行われているが、応
答速度の速いＴＮ型表示素子は実現には至っていない。

しかしながら最近、盛んに研究が進められている強誘電
性液晶を用いる新しい表示方式においては、著しい応答
速度の改善の可能性がある（Ｎ、　Ａ。

Ｃ１ａｒｋら；　Ａｐｐｌ　ｉｅｄ　Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、、　３６．８９９（１９８０））。この方式は強誘
電性を示すカイラルスメクチックＣ相等のカイラルスメ
クチック相を利用する方法である。強誘電性を示す相は
カイラルスメクチックＣ相のみてはなく、カイラルスメ
クチックＦ、Ｇ、Ｈ等の相が強誘電性を示すことが知ら
れている。実際に利用される強誘電性液晶表示素子に使
用される強誘電性液晶材料には多くの特性が要求される
が、それらを満たすには現在のところ、一つの化合物で
は応じられず、いくつかの液晶化合物または非液晶化合
物を混合して得られる強誘電性液晶組成物を使用する必
要がある。

また、強誘電性液晶化合物のみからなる強誘電性液晶組
成物ばかりではなく、特開昭６０−３６００３号公報に
は非カイラルなスメクチックＣ，Ｆ、Ｇ、Ｈ，Ｉ等の相
を呈する化合物および組成物を基本物質として、これに
強誘電性液晶相を呈する一種または複数の化合物を混合
して全体を強誘電性液晶組成物とし得ることが報告され
ている。さらにスメクチックＣ等の相を呈する化合物お
よび組成物を基本物質として、光学活性ではあるが強誘
電性液晶相は呈しない一種あるいは複数の化合物を混合
して全体を強誘電性液晶組成物とする報告も見受けられ
る（Ｍｏ１．Ｃｒｙｓｔ、Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、、　８
９゜３２７　（１９８２））。

これらのことを総合すると強誘電性液晶相を呈するか否
にかかわらず光学活性である化合物の一種または複数を
基本物質と混合して強誘電性液晶組成物を構成できるこ
とがわかる。

これらの基本物質としては、スメクチックＣ等の非カイ
ラルなスメクチック液晶相を示す種々の化合物が用いら
れるが、実用的には室温を含む広い温度範囲でスメクチ
ックＣ相を呈する液晶化合物もしくは混合物が望ましい
。これらのスメクチックＣ液晶混合物の成分として、フ
ェニルベンゾエート系、フェニルピリジン系および５−
アルキル−２−（４−アルコキシフェニル）ピリミジン
などの液晶化合物が挙げられる。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、これらに光学活性化合物を添加することによっ
て得られるカイラルスメクチックＣ液晶材料が強誘電性
を利用する液晶表示に於て優れた性能を示すか否かにつ
いては、未だ最終的な評価が得られていない。それは強
誘電性を利用する液晶表示が技術的に完成していないこ
とによるものである。従って、現状では新しいスメクチ
ックＣ材料を種々試験してみることが必要である。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは上記の様な用途に使用するに適した、スメ
クチックＣ相を呈する新規な液晶化合物について鋭意検
討を行った結果、本発明に到達した。すなわち本発明は
、一般式 ％式％（１） 〔式中、Ｒ，Ｒ’は炭素数１〜１８のアルキル基を、Ｘ
１は直接結合、−〇−１−Ｓ−１−Ｃ≡Ｃ−１−ｏｃｏ
−まｔ、＝は−ｃｏｏ−を、Ａ１、Ａ２およびＡ３は１
〜１８のアルキル基を、Ｘ１は塩素原子で置換されてい
てもよい１，４−フェニレン基を、Ｘ２は−Ｃ≡Ｃ−ま
たは−ＣＨ２ＣＨ２−を、ｍＳｎは０または１を、Ｘ３
は直接結合、−〇−１−Ｓ−１−ＣＯＯ−または−ＯＣ
○−を表す（ただしｍ、ｎの少なくとも一方は１であり
、ｍがＯ，ｎが１の場合、Ｘｌは−ＣＥＣ−である）〕
で示される液晶化合物である。

一般式（１）において、Ｒ，Ｒ’を示す炭素数１〜１８
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル
基、ｎ−へブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、
　ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、
ｎ−テトラデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−オクタ
デシル基などが挙げられる。

これらのうち、好ましくは炭素数４〜１４のアルキル基
である。

Ａ１、Ａ２およびＡ３は好ましくは、１〜２個のフッ素
原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基であ
る。

Ｘｌ、Ｘ３は好ましくは直接結合、−０−１−ＣＥＣ−
１−ＣＯＯ−および−〇〇〇−である。

一般式（１）で示される化合物の具体例としては、表−
１に示すような基を有する化合物が挙げられる。

（Ｉ）ｍがＯ，ｎが１の場合。

表−１（１） 表−１ （２） 表−１ （３） 表−１ （４） 表−１ （５） 表−１ （６） 表−１ （７） （Ｉｆ）　ｍが１、ｎが０、Ｘ２が−ＣＥＣ−の場合。

表−１（８） 表−１ （９） 表−１ （１０） 表−１ （１１） （ＩＩＩ）　ｍ、 場合。

ｎが１、 Ｘ２が−Ｃ≡Ｃ−１ Ａ２が一〇−の 表−１ （１２） 表−１ （１３） 表−１ （１４） （ＩＶ）　ｍ、　ｎが１、Ｘ２が−ＣＨ２ＣＨ２−１Ａ
２が−Ｏ−の場合。

表−１（１５） 表−１ （１６） 表−１ （１７） 表−１中、各記号はそれぞれ以下の基を表す。

ＢＵＴ　　ｎ−Ｃ，Ｈｇ− ＰＥＮ　　ｎ−ｃ５）１１１− ）ＩＥＸ　　ｎ−Ｃ’６）１１３− ＨＥＰ　　ｎ−Ｃ７Ｈ１５− ＯＣＴ　、　ｎ−Ｃ８１（１７− ＮＯＮ　　ｎ−ｃ９）１１９− ＤＥＣ：　ｎ−Ｃ＋９）１２＋− ＵＮＤ　’、　ｎ−Ｃ３ｌ　８２３− ＤＯＤ　；　ｎ−Ｃｌ２）１２５− ＴＥＤ　；　ｎ−Ｃ４ｎ−Ｃ４４ Ａ２　　；　−ＣＥＣ− Ｅｓ　　；　−ＣＯＯ− ；単結合 一般式（１）に含まれる化合物は、例えば次の工程を経
て合成できる〔下記式中、Ｒ，Ｒ’およびＸｌは一般式
（１）の場合と同一である〕。

■ ｍが０１ ｎが１、 ｘｌが一〇≡Ｃ−１ Ａ２が Ｙ−＜２＞−０Ｈ （Ｙ； ＣＩ、Ｂｒｏｒ １） （２） ｖ−（５−ｏｃｏ−０ （３） ０−＜３−ｏｃｏ−０ （４） すなわち一般式（２）の化合物にベンゾイルクロリドを
作用させて、一般式（３）の化合物とした後、不活性ガ
ス雰囲気下、０価または２価のパラジウム触媒を用いて
フェニルボウ酸と反応させることにより、一般式（４）
の化合物を得る。

一般式（４）の化合物を、臭素あるいはヨウ素を用いて
ハロゲン化した後、塩基（例えば水酸化ナトリウム）で
加水分解することにより、一般式（６）の化合物を得る
。

一般式（６）の化合物を、塩基（例えば水酸化ナトリウ
ム）の存在下アルキル化剤（例えばハロゲン化アルキル
）と反応させて、一般式（８）の化合物を得る。

一般式（８）の化合物と一般式（９）の化合物を、トリ
エチルアミン中不活性ガス雰囲気下、０価または２価の
パラジウム触媒を用いて反応させることにより、本発明
の化合物である一般式（１ａ）の化合物を得ることがで
きる。

また一般式（１ａ）の化合物は、次の様な工程を経ても
合成できる。

ｖ−６−ｏ＋１ （Ｙ；　Ｃ１，Ｂｒ　ｏｒ １） （２） ｙ−（ｊ−ｏＲ・ （１０） ｙ−ｏ−＄−ＯＲ・ （１２） すなわち、一般式（２）の化合物を塩基（例えば水酸化
ナトリウム）の存在下、一般式（７）のアルキル化剤（
例えばハロゲン化アルキル）と反応させることにより、
一般式（１０）の化合物を得る。

一般式（１０）の化合物に金属マグネシウムを作用しグ
刀ニャール試薬としたのち、パラジウムあるいはニッケ
ル触媒存在下、一般式（１１）で示されるジハロゲノベ
ンゼン誘導体と反応させることにより一般式（１２）の
化合物を得る。

一般式（１２）の化合物と一般式（９）の化合物を、ト
リエチルアミン中不活性ガス雰囲気下、０価または２価
のパラジウム触媒を用いて反応させることにより、本発
明の化合物である一般式（１ａ）の化合物を得ることが
できる。

■　ｍが０、ｎが１、Ｘｌが直接結合、Ａ２が一〇−１
Ｒ”−Ｃ≡Ｃ−０−６−ＯＲ′（１ａ′）（Ｒ”−Ｃｌ
１２ＣＨ２−；　Ｒ） すなわち、一般式（ｌａ’）の化合物〔一般式（１ａ）
の化合物においてＲ”−ＣＨ２ＣＨ２−がＲのもの〕を
パラジウムカーボン存在下、水素添加することにより本
発明の化合物である一般式（１ｂ）の化合物を得ること
ができる。

■　ｍが０、ｎが１、Ｘｌが−〇−１Ａ２が一〇−１Ａ
３が−６−１Ｘ３が一〇−の場合。

Ｙ−（ｆｉ−ｏｃｏ−０ （Ｙ；　Ｃｌ、Ｂｒ　ｏｒ　Ｉ） （３） Ｒ−０−Ｃ＞−（！＞−ＯＣＯ−０ （１４） Ｒ−０−０−ｄ＞−ＯＨ （１５） すなわち一般式（３）の化合物と一般式（１３〕の化合
物を、不活性ガス雰囲気下、０価または２価のパラジウ
ム触媒を用いて反応させることにより、一般式（１４）
の化合物を得る。

一般式（１４）の化合物を塩基（例えば水酸化ナトリウ
ム）で加水分解した後、塩基（例えば水酸化ナトリウム
）の存在下アルキル化剤（例えばハロゲン化アルキル）
と反応させて、本発明の化合物である一般式（１ｃ）の
化合物を得ることができる。

また一般式（１ｃ）の化合物は、次の様な工程を経ても
合成できる。

ｙ−（ｊ−ｏＲ′ （１０） すなわち、一般式（１０）の化合物に金属マグネシウム
を作用させグリニヤール試薬とした後、パラジウムある
いはニッケル触媒存在下、一般式（１６）で示されるｐ
−アルキルオキシハロゲンベンゼンと反応させることに
より、本発明の化合物である一般式（１ｃ）の化合物を
得ることがてきる。

また一般式（１ｃ）の化合物は、次の様な工程を経ても
合成できる。

Ｒ−０−０−Ｙ （Ｙ；　Ｃ１，Ｂｒ　ｏｒ １） （１６） すなわち一般式（１６）で示されるｐ−アルキルオキシ
ハロゲノベンゼンに金属マグネシウムを作用させグリニ
ヤール試薬とした後、パラジウムあるいはニッケル触媒
存在下、一般式（１０）の化合物と反応させることによ
り本発明の化合物である一般式（１ｃ）の化合物を得る
ことができる。

■ ｍが１、 ｎが０、 Ｘｌが一〇−１ Ａ１が−０−１ Ｘ２が−ＣＣｌ−１ Ａ３が−６−１ Ｘ３が一〇−の場合。

Ｒ−０−Ω−■ （Ｙ；　Ｃｌ、Ｂｒ　ｏｒ　Ｉ） （１６） Ｒ−０−（）−ＣＥＣ−Ｃ（Ｃ）１３）２−ＯＨ（１７
） Ｒ−０−０−ＣＥＣＩ＋ （１８） Ｙ−φ−ＯＲ’ （１０） すなわち一般式（１６）で示されるｐ−アルキルオキシ
ハロゲンベンゼンと３−メチル−１−ブチン−３−オー
ルを、不活性ガス雰囲気下、０価または２価のパラジウ
ム触媒を用いて反応させ、次いて水酸化ナトリウムで処
理することにより、一般式（１８）の化合物を得る。

一般式（１０）の化合物と一般式（１８）の化合物とを
、不活性ガス雰囲気下、０価または２価のパラジウム触
媒を用いて反応させることにより、本発明の化合物であ
る一般式（１ｄ）の化合物を得ることができる。

■ ｍが１、 ｎが０、 ｘｌが一〇−１ Ａ１が一〇−１ Ｘ２が−ＣＥＣ−１ Ａ３が−６−１ Ｘ３が一〇〇〇−の場合。

１−（！＞−Ｃ８４ （１９） ＋　−（ｂ−ｃｏｏＨ （２０） −（ｊ−ｃｏｃ＋ （２１） すなわち一般式（１９）の化合物を過マンガン酸カリウ
ムで酸化することにより一般式（２０）の化合物を得る
。

一般式（２０）の化合物を塩化チオニルで処理した後、
一般式（２２）の化合物と反応させることにより、一般
式（２３）の化合物を得る。

一般式（２３）の化合物と一般式（１８）の化合物とを
、不活性ガス雰囲気下、０価または２価のパラジウム触
媒を用いて反応させることにより、。

本発明の化合物である一般式（１ｅ）の化合物を得るこ
とができる。

Ａ２が一〇−１Ａ３が−６−１ Ｘ３が一〇−の場合。

（Ｙ； ＣＩ、Ｂｒｏｒ ） Ｙ−０−６−ｏＲ・ （Ｉ２） すなわち一般式（２４）の化合物と３−メチル−１−ブ
チン−３−オールを、不活性ガス雰囲気下、０価または
２価のパラジウム触媒を用いて反応させ、次いて水酸化
ナトリウムで処理することにより、一般式（２６）の化
合物を得る。

一般式（１２）の化合物と一般式（２６）の化合物とを
、不活性ガス雰囲気下、０価または２価のパラジウム触
媒を用いて反応させることにより、本発明の化合物であ
る一般式（１ｆ）の化合物を得ることができる。

Ａ２が−０−１Ａ３が−０−１ Ｘ３が一〇−の場合。

Ｙ−０−０−ＯＨ （Ｙ；　Ｃ１，Ｂｒ、１） （２７） Ｙ−０−０−ＯＲ’ （２８） すなわち一般式（２７）で示される４−ヒドロキシ−４
′−ハロゲノビフエニルを、塩基（例えば水酸化ナトリ
ウム）の存在下、アルキル化剤（例えばハロゲン化アル
キル）と反応させて、一般式（２８）の化合物を得る。

一般式（２８）の化合物と一般式（２６）の化合物とを
、不活性ガス雰囲気下、０価または２価のパラジウム触
媒を用いて反応させることにより、本発明の化合物であ
る一般式（１ｇ）の化合物を得ることができる。

一〇−の場合。

すなわち、一般式（１ｆ）あるいは一般式（１ｇ）の化
合物をパラジウムカーボン存在下、水素添加することに
より本発明の化合物である一般式（１１）の化合物を得
ることができる。

液晶は一般に２種以上の多成分から成る液晶組成物とし
て用いられ、本発明の液晶化合物も液晶組成物の成分と
して利用することができる。液晶組成物には、スメクチ
ック液晶、たとえば光学活性部位を有しないスメクチッ
ク液晶［２−ｐ−アルキルオキシフェニル−５−アルキ
ルピリミジン、２−ｐ−アルキルフェニル−５−アルキ
ルオギシビリミシ゛ン、２−ｐ−アルカノ−イルオキシ
フェニル−５−アルキルビリミシン、２−ｐ−アルキル
オキシカルボニルフェニル−５−アルキルピリミジン、
２−　ｐ−アルキルフェニル−５−ｐ−アルキルオキシ
フェニルピリミジン、２−ｐ−アルキルオキシ−ｍ−フ
ルオロフェニル−５−アルキルピリミジン、２−ｐ−ア
ルキルオキシフェニル−５−（ｔｒａｎｓ−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ピリミジン、２−ｐ−アルキルオキ
シフェニル−５−アルキルピリジン、２−ｐ−アルキル
オキシ−ｍ−フルオロフェニル−５−アルキルピリジン
、２−ｐ−（ｐ’−アルキルフェニル）フェニル−５−
アルキルピリミジン、２−ｐ−アルキルフェニル−５−
ｐ−アルキルフェニルピリミジン、ｐ−アルキルオキシ
フェニル−５−アルキルビコリネート、２−ｐ−アルキ
ルオキシフェニル−５−アルキルオキシピラジン、２−
ｐ−アルキルフェニル−５−アルキルピリミジン、２−
ｐ−アルキルオキシフェニル−５−アルキルオキシピリ
ミジン、２−ｐ−アルキルフェニル−５−アルキルオキ
シピリミジン、４−アルキルオキシ−４′−ビフェニル
カルボン酸−ｐ′−（アルキルオキシカルボニル）フェ
ニルエステル、４−アルキルオキシ−４′−ビフェニル
カルボン酸−アルキルエステルなどコおよび／または強
誘電性液晶［光学活性４−アルキルオキシ−４′−ビフ
ェニルカルボン酸−ｐ’　−（２−メチルブチルオキシ
カルボニル）フェニルエステル、光学活性４−工１−ア
ルキルオキシー４′−ビフェニルカルボン酸−２−メチ
ルブチルエステル、光学活性ｐ−アルキルオキシベンジ
リデン−ｐ′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメー
ト、光学活性ｐ−アルキルオキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメートなど］および／
または通常のカイラルスメクチック液晶［光学活性４−
（ｐ−アルキルオキシビフェニル−ｐ′−オキシカルボ
ニル）−４’　−（２−メチルブチルオキシカルボニル
）シクロヘキサン、光学活性ｐ−ｎ−アルキルオキシベ
ンジリデン−ｐ’−（２−メチルブチルオキシカルボニ
ル）アニリンなどコを含有してもよい。また液晶性を示
さないカイラル化合物および／または２色性色素、たと
えばアントラキノン系色素、アゾ系色素などを含んでい
てもよい。

強誘電性を示す液晶組成物は、電圧印加により光スイツ
チング現象を起こし、これを利用した応答の速い表示素
子を作製できる〔たとえば特開昭５６−１０７２１６号
公報、特開昭５９−１１８７４４号公報、エヌエークラ
ーク（Ｎ、Ａ、ＣＩａｒｋ）、ニス　テ、イー　ラガウ
オール　（Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｖａｌ　ｌ）　；アプラ
イド　フィジックス　レター　（Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒ）３６．８９９（１９８
０）など〕。

本発明における液晶組成物は、セル間隔０．５〜１０μ
ｍ、好ましくは０．５〜３μｍの液晶セルに真空封入し
、両側偏光子を設置することにより光スイツチング素子
（表示素子）として使用できる。

上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配向処理した２
枚のガラス基板をスペーサーを挟んで貼り合わせること
によって作製することができる。

上記スペーサーとしては、アルミナビーズ、ガラスファ
イバー、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。配向処
理方法としては、通常の配向処理、たとえばポリイミド
膜、ラビング処理、ＳｉＯ斜め蒸着などが適用できる。

［実施例コ 以下、本発明を実施例により更に説明するが、本発明は
これに限定されない。

実施例−１ 表−１中Ｎ　ｏ、４５の化合物の製造 ■０−フルオロ−■）−ヨードフェノール：３０．０ｇ
を無水トルエン３００ｍ１に溶かし、ピリジン１６■１
を加え室温で攪拌した。これにベンゾイルクロリド１７
．６ｍｌを１５分間かけて滴下し、そのまま室温で２４
時間攪拌した。反応混合物を水、ＩＮ塩酸、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄後、トルエンを留去
した。得られた固体をメタノールから再結晶することに
より、下記化合物（ａ）３８．２ｇを得た。

１−ｄ’−ＯＣＯ−０（ａ） ■■て得られた化合物（ａ）　１２．８ｇをトルエン５
０ｍ１に溶かし、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２５ｍ１を
加え室温で攪拌した。これに不活性ガス雰囲気下、テト
ラキストリフェニルホスフィンパラジウム８６０ｍｇ、
フェニルホウｉ１５．Ｏｇのエタノール溶液３０ｍ１を
加え、５時間加熱還流を行った。放冷後、３０％過酸化
水素水３ｍｌで反応を止め、トルエンで抽出、水洗後、
トルエンを留去した。得られた固体をヘキサンから再、
結晶することにより、下記化合物（ｂ）７．０ｇを得た
。

ｏ−ｄ−ｏｃｏ−ｏ　　　（ｂ） ■■て得られた化合物（ｂ）２．８ｇを酢酸３５ｍ１に
溶かし、これに硫酸１ｍｌ、メタ過ヨウ素酸５５０ｍｇ
、およびヨウ素１．２ｇを加え、９０℃で１０時間攪拌
した。放冷後、反応混合物を氷水２００ｍ１に注ぎ、亜
硫酸水素ナトリウムで過剰のヨウ素を還元した後、析出
した固体をろ取した。これをトルエンから再結晶するこ
とにより、下記化合物（ｃ）１．７ｇを得た。

＋−ｏ−ｄ−ｏｃｏ−ｏ　　　（Ｃ） ■■て得られた化合物（ｃ）１．７ｇをエタノール３０
ｍ１に懸濁させ、これに水酸化ナトリウム４９（ｌｎｇ
を加え、１時間加熱還流を行った。放冷後、エタノール
を留去し得られた固体を水４０ｍ１に溶かした。この溶
液に炭酸ガスを吹き込み、析出した固体をろ取すること
により、下記化合物（ｄ）１．２ｇを得た。

＋　−０−ｄ−ｏｈ　　　　（ｄ） ■■て得られた化合物（ｄ）１．２ｇをジメチルスルホ
キシド２０ｍ１に溶かし、これに水酸化ナトリウム水溶
液（４６０ｍｇ１５ｍｌ　）および１−ブロモヘキサン
７６０ｍｇを加え、６５°Ｃて２時間攪拌した。放冷後
、反応混合物をヘキサンで抽出、２回水洗した。ヘキサ
ンを留去することにより、下記化合物（ｅ）１．２ｇを
得た。

−ｏ−ｄ−ｏｃ６　Ｈ，３（ｅ） ■■て得られた化合物（ｅ）７００ｍｇと１−デシン５
００ｒｎｇをトリエチルアミン１０ｍ１中、触媒にジク
ロロビストリフェニルホスフィンパラジウム１２ｍｇお
よびヨウ化鋼（Ｉ　）　３ｍｇを用いて、窒素雰囲気上
室温で一昼夜反応させた。反応終了後、トリエチルアミ
ンを留去し、ヘキサンで抽出した。ヘキサン層をＩＮ塩
酸、水で順次洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製した。得られた固体をエタノールから２回再
結晶することにより、本発明の化合物である表−１中Ｎ
　ｏ、４５の化合物４００ｍｇを得た。化合物の構造は
、ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル分析）、ＭＳ（質量分
析）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル分析）および元素分析
により確認した。上記化合物のＩＲスペクトル、Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトルおよびＦ−ＮＭＲスペクトルをそれぞれ
第１図、第２図および第３図に示す。

元素分析値：　　理論値（％）　　実測値（％）Ｃ：８
２．３１　　　　　Ｃ：８２．１１Ｈ：　９．３１　　
　　　Ｈ：　９．４６Ｆ：　４．６５　　　　　Ｆ：　
４．７５実施例−２ 表−１中Ｎｏ、２１の化合物の製造 実施例−１で得られた表−１中Ｎ　ｏ、４５の化合物２
７０ｍｇをエタノール１５ｍ１に溶かし、これに５％パ
ラジウムカーボン１００ｍｇを加え、常圧の水素雰囲気
下、室温で水素添加を行った。水素の吸収が無くなるの
を確認した後、ろ過により触媒を除きエタノールを留去
した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製後、エタノールから２回再結晶することによ
り、本発明の化合物である表−１中Ｎｏ、２１の化合物
８０ｎ＋ｇを得た。上記化合物のＩＲスペクトル、Ｈ−
ＮＭＲスペクトルおよびＦ−ＮＭＲスペクトルをそれぞ
れ第４図、第５図および第６図に示す。

元素分析値：　　理論値（％）　　実測値（％）Ｃ：８
１．５０　　　　　Ｃ：８１．３７Ｈ：１０．０２　　
　　　ｔｌ：１０．２２Ｆ：　４．６０　　　　　Ｆ：
　４．５３実施例−３ 表−１中Ｎｏ、７６の化合物の製造 ■０−フルオローｐ−ヨードフェノール１５．０ｇをジ
メチルスルホキシド１２０ｍ１中に溶かし、これに水酸
化ナトリウム水溶液（３，０ｇ／］０ｍ１）およびｎ−
ヘキシルブロマイド１０．４ｇを加え、室温で３日間攪
拌した。

反応混合物をヘキサンで抽出、３回水洗した。ヘキサン
を留去することにより油状のｐ−ｎ−へキシルオキシ−
ｍ−フルオロヨードベンゼン１６．７ｇを得た。

■ｐ−ヨードフェノール３４．０ｇをジメチルスルホキ
シド３５０ｊｎｌに溶かし、これに水酸化ナトリウム水
溶液（７，４ｇ１５０ｍ１）およびｎ−デシルブロマイ
ド３２．４ｇを加えて室温で３日間攪拌した。反応混合
物をヘキサンで抽出、３回水洗した。ヘキサンを留去す
ることにより油状のｐ−ｎ−デシルオキシヨードベンゼ
ン４６．６ｇを得た。

■ｐ−ｎ−デシルオキシヨードベンゼン３０．０ｇと３
−メチル−１−ブチン−３−オール８．４ｇをトリエチ
ルアミン２００ｍ１中、触媒にジクロロビストリフェニ
ルホスフィンパラジウム３２０ｍｇおよびヨウ化銅（Ｉ
）８０ｍｇを用いて窒素雰囲気上室温で一昼夜反応させ
た。反応終了後、トリエチルアミンを留去しヘキサンで
抽出した。ヘキサン層をＩＮ塩酸、水で順次洗浄後、ヘ
キサンを留去することにより固体の下記化合物（ｆ）２
２．８ｇを得た。

ｎ−ｃｌ＆！）１２＋　−（）−Ｃ≡Ｃ−Ｃ（ＣＩＩ３
）２−ＯＨ（ｆ）■■て得た化合物（ｆ）２２．８ｇを
乾燥トルエン８００ｍ１に溶かし、これに粉末の水酸化
ナトリウム９．９ｇを加えて１時間加熱還流した。冷却
後、水洗を経てからトルエンを除去した。得られた黒色
のオイルをメタノール抽出した後、メタノールを留去す
ることにより油状のｐ−ｎ−デシルオキシフェニルアセ
チレン１３．２ｇを得た。

■■で得たｐ−ｎ−へキシルオキシ−ｍ−フルオロヨー
ドベンゼン１．６ｇと■て得たｐ−ｎ−デシルオキシ−
ｍ−フルオロフェニルアセチレン１．３ｇをトリエチル
アミン３０■１中、触媒にジクロロビストリフェニルホ
スフィンパラジウム４０ｍｇおよびヨウ化８Ｍ（Ｉ）１
０ｍｇを用いて窒素雰囲気下、室温で５時間反応させた
。反応終了後、トリエチルアミンを留去しトルエンで抽
出した。トルエン層をＩＮ塩酸、水で順次洗浄後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。得られた
固体をエタノールで２回再結晶することにより本発明の
化合物である表−１中Ｎ　ｏ、７６の化合物を１．７ｇ
を得た。上記化合物のＩＲスペクトル、Ｈ−ＮＭＲスペ
クトルおよびＦ−ＮＭＲスペクトルをそれぞれ第７図、
第８図および第９図に示す。

元素分析値： 理論値（％）　　実測値（％） Ｃニア９．６５　　　　　Ｃニア９．３８Ｈ：　９．０
７　　　　　Ｈ：　９．２１Ｆ：　４．２０　　　　　
Ｆ：　４．０９実施例−４ 表−１中Ｎ　ｏ、９３の化合物の製造 ■水１０００ｍ　ｌ、ピリジン１０１００Ｏの混合溶媒
にｐ−ヨード−〇−フルオロトルエン１０！ｌＪｇを溶
かし、還流下で過マンガン酸カリウム１８０ｇを数回に
分けて投入した。投入終了後、過マンガン酸カリウムの
色が消失するまで還流した。反応終了後、未反応のｐ−
ヨード−〇−フルオロトルエンを蒸留により除いた後、
室温まで冷却した。減圧ろ過により二酸化マンガンを除
去した後、ろ液に濃塩酸を加えて酸性にした。生じた白
色沈澱を減圧ろ過による単離、水洗、乾燥を経てからト
ルエンで再結晶することによりｐ−ヨード−〇−フルオ
ロ安息香酸４２ｇを得た。

■■て得たｐ−ヨード−〇−フルオロ安息香酸５．３３
ｇに塩化チオニル１０ｍ１を加えて５時間還流し、過剰
の塩化チオニルを留去してｐ−ヨード−〇−フルオロ安
息香酸塩化物を得た。このものは特に精製せず、乾燥ト
ルエン２０ｍ１に溶かしそのまま次の反応に使用した。

一方１−ブタノール１．５０ｇ、乾燥ピリジン３．２ｇ
を乾燥トルエン３０＋ｎｌに溶かしたものを氷冷してお
き、そこへ上記酸塩化物のトルエン溶液を攪拌下に約３
０分て滴下し、更に９０℃の湯浴上で５時間攪拌した。

冷却後、ＩＮ塩酸水、水、炭酸水素ナトリウム水、水で
順次洗浄後、トルエンを減圧上留去した。ヘキサン可容
部をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製するこ
とにより油状のｐ−ヨード−〇−フルオロ安息香酸ブチ
ルエステル６．０９ｇを得た。

■実施例−３■て得たｐ−ｎ−デシルオキシ−ｍ−フル
オロフェニルアセチレンｐ−ｎ−ムギシルオキシ−ｍ−
フルオロヨードベンゼン１．３ｇと■て得たｐ−ヨード
−〇−フルオロ安息香酸ブチルエステル１．６ｇをトリ
エチルアミン３０ｍ１中、触媒にジクロロビストリフェ
ニルホスフィンパラジウム４０ｍｇおよびヨウ化銅（Ｉ
）１０ｍｇを用いて窒素雰囲気下、室温で５時間反応さ
せた。反応終了後、トリエチルアミンを留去しトルエン
で抽出した。トルエン層をＩＮ塩酸、水で順次洗浄後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。得ら
れた固体をエタノールで２回再結晶することにより本発
明の化合物である表−１中Ｎ　ｏ、９３の化合物を１．
７ｇを得た。上記化合物のＩＲスペクトル、Ｈ−ＮＭＲ
スペクトルおよびＦ−ＮＭＲスペクトルをそれぞれ第１
０図、第１１図および第１２図に示す。

元素分析値：　　理論値（％）　　実測値（％）Ｃニア
６．９９　　　　　Ｃニア７．１３Ｈ：　８．１９　　
　　　Ｈ：　８．０２Ｆ：　４．２０　　　　　Ｆ：　
４．０４実施例−５ 表−１中Ｎｏ、１１４の化合物の製造 ■実施例−３■て得たｐ−ｎ−へキシルオキシ−ｍ−フ
ルオロヨードベンゼン１４．０ｇと３−メチル−１−ブ
チン−３−オールをトリエチルアミン８０ｍ１中、触媒
にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム２７
２ｍｇおよびヨウ化銅（Ｉ　）　６８ｍｇを用いて窒素
雰囲気下室温で一昼夜反応させた。反応終了後、トリエ
チルアミンを留去しヘキサンで抽出した。ヘキサン層を
ＩＮ塩酸、水で順次洗浄後、ヘキサンを留去することに
より下記化合物（ｇ）１２．５ｇを得た。

ｎ−Ｃ６Ｈ１３０−ｂ−Ｃ：Ｃ−Ｃ（Ｃｔ（３）２−Ｏ
Ｎ　　（ｇ）■■て得た化合物（ｇ）１２．５ｇを乾燥
トルエン４００ｍ１に溶かし、これに粉末の水酸化ナト
リウム５．４ｇを加えて１時間加熱還流した。冷却後、
水洗を経てからトルエンを留去した。得られた黒色のオ
イルをメタノール抽出した後、メタノールを留去するこ
とにより油状のｐ−ｎ−へキシルオキシ−ｍ−フルオロ
フェニルアセチレン７．５５：を得た。

■実施例−１０で得た化合物（ｅ）２．５ｇと■て得た
ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−フルオロフェニルアセチ
レン１．７ｇをトリエチルアミン１００ｍ１中、触媒に
ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム４０ｍ
ｇおよびヨウ化鋼（Ｉ）１０ｍｇを用いて窒素雰囲気下
、室温で５時間反応させた。反応終了後、トリエチルア
ミンを留去しトルエンで抽出した。トルエン層をＩＮ塩
酸、水で順次洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製した。得られた固体をエタノールで２回再結
晶することにより本発明の化合物である表−１中Ｎｏ、
１１４の化合物２．０ｇを得た。上記化合物のＩＲスペ
クトル、Ｈ−ＮＭＲスペクトルおよびＦ−ＮＭＲスペク
トルをそれぞれ第１３図、第１４図および第１５図に示
す。

元素分析値：　　理論値（％）　　実測値（％）Ｃニア
８．３７　　　　　Ｃニア８．２２Ｈ：　７．３５　　
　　　Ｈ：　７．３３Ｆ：　７．７６　　　　　Ｆ：　
７．８２実施例−６ 表−１中Ｎｏ、１０８の化合物の製造 ■ｐ−ヨードフェノール２５．０３をジメチルスルホキ
シド２５０ｍ１に溶かし、これに水酸化ナトリウム水溶
液（５，０ｇ／２０ｍ１　）およびｎ−ヘキシルブロマ
イド１７．８ｇを加えて室温で３日間攪拌した。反応混
合物をヘキサンで抽出、３回水洗した。ヘキサンを留去
することにより油状のｐ　−１１−ヘキシルオキシヨー
ドベンゼン２９．５ｇを得た。

■ｐ−ｎ−へキシルオキシヨードベンゼン２９．５ｇと
３−メチル−１−ブチン−３−オール１２．４ｇをトリ
エチルアミン１５０ｍ１中、触媒にジクロロビストリフ
ェニルホスフィンパラジウム３００＋ｎｇ：ｌ’；よび
ヨウ化銅（Ｉ）７５ｍｇを用いて窒素雰囲気下室温で一
昼夜反応させた。反応終了後、トリエチルアミンを留去
しヘキサンで抽出した。ヘキサン層をＩＮ塩酸、水で順
次洗浄後、ヘキサンを留去することにより固体の下記化
合物（ｈ）２３．２ｇを得た。

ｎ−Ｃ６Ｈ，３Ｏ−０−Ｃ：Ｃ−Ｃ（Ｃｌ１３）２−ｏ
ｎ　　　（ｈ）■■で得た化合物（ｈ）２３．２ｇを乾
燥トルエン８００ｍ１に溶かし、これに粉末の水酸化す
トリウム１０．７ｇを加えて１時間加熱還流した。冷却
後、水洗を経てからトルエンを除去した。得られた黒色
のオイルをメタノール抽出した後、メタノールを留去す
ることにより油状のｐ−ｎ−へキシルオキシフェニルア
セチレン１２．８ｇを得た。

■実施例−１■て得た化合物（ｅ）２．５ｇと■で得た
ｐ−ｎ−へキシルオキシフェニルアセチレン１．５ｇを
トリエチルアミン１００ｍ１中、触媒にジクＵ：ｌＵ１
ビストリフェニルホスフィンパラジウム４０ｍ３および
ヨウ化銅（１）１０ｍｇを用いて窒素雰囲気下、室温で
５時間反応させた。反応終了後、トリエチルアミンを留
去しトルエンで抽出した。トルエン層をＩＮ塩酸、水で
Ｊｌ［Ｎ次洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製した。得られた固体をエタノールで２回再結晶
することにより本発明の化合物である表−１中Ｎｏ、１
０８の化合物１．８ｇを得た。上記化合物のＩＲスペク
トル、Ｈ−ＮＭＲスペクトルおよび下−ＮＭＲスペクト
ルをそれぞれ第１６図、第１７図および第１８図に示す
。

元素分析値： 理論値（％）　　実測値（％） Ｃ：８１．３６　　　　　Ｃ：８１．５３Ｈ：　７．８
４　　　　　Ｈ：　７．８０Ｆ：　４．０３　　　　　
Ｆ：　４．００実施例−７ 表−１中Ｎｏ、１１７の化合物の製造 ■ｐ−ｎ−ヘキシル−ヨードベンゼン３０．０ｇと３−
メチル−１−ブチン−３−オールｌＯ，５ｇをトリエチ
ルアミン２００ｍ１中、触媒にジクロロビストリフェニ
ルホスフィンパラジウム３３０ｍｇおよびヨウ化銅（１
）　８０ｍｇを用いて窒素雰囲気上室温で一昼夜反応さ
せた。反応終了後、トリエチルアミンを留去しヘキサン
で抽出した。ヘキサン層をＩＮ塩酸、水で順次洗浄後、
ヘキサンを留去することにより油状の下記化合物（ｉ）
２５．４ｇを得た。

ｎ−Ｃ６Ｈ，３−０−Ｃ：Ｃ−Ｃ（ＣＨ３）２−０ｔｌ
　　　（り■■て得た化合物（ｉ）２５．４ｇを乾燥ト
ルエン８００ｍ　ｌに溶かし、これに粉末の水酸化ナト
リウム１２．５ｇを加えて１時間加熱還流した。冷却後
、水洗を経てからトルエンを除去した。得られた黒色の
オイルをメタノール抽出した後、メタノールを留去する
ことにより油状のｐ−ｎ−へキシル−フェニルアセチレ
ン１５．１ｇを得た。

■実施例−１■て得た化合物（ｅ）２．５ｇと■て得た
ｐ−ｎ−へキシル−フェニルアセチレン１．４ｇをトリ
エチルアミン１００ｍｌ中、触媒にジクロロビストリフ
ェニルホスフィンパラジウム４０ｍｇおよびヨウ化銅（
Ｉ）Ｌｏｎｇを用いて窒素雰囲気下、室温で５時間反応
させた。反応終了後、トリエチルアミンを留去しトルエ
ンで抽出した。トルエン層をＩＮ塩酸、水で順次洗浄後
、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。得
られた固体をエタノールで２回再結晶することにより本
発明の化合物である表−１中Ｎｏ、１１７化合物１．８
ｇを得た。上記化合物のＩＲスペクトル、Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルおよびＦ−ＮＭＲスペクトルをそれぞれ第１９
図、第２０図および第２１図に示す。

元素分析値： 理論値（％）　　実測函（％） Ｃ：８４．２１　　　　　　　Ｃ：８４．２０Ｈ：　８
．１１　　　　　　　＋１：　８．０７Ｆ：　４．１７
　　　　　　　Ｆ：　４．２０実施例−８ 表−１中Ｎｏ、１１１の化合物の製造 ■４−ヒドロキシー４′−ブロモビフェニル５．０ｇを
ジメチルスルホキシド５０ｍ１に溶かし、これに水酸化
ナトリウム水溶液（２，４ｇ／２０ｍ　ｌ　）およびｎ
−ヘキシルブロマイド４．０ｇを加えて室温で３日間攪
拌した。

反応混合物をヘキサンで抽出、３回水洗した。ヘキサン
を留去することにより油状の４−ｎ−へキシルオキシ−
４′−ブロモビフェニル５．０８を得た。

■■て得た４−ｎ−へキシルオキシ−４′−ブロモビフ
ェニル１．５ｇと実施例−５■て得たｐ−ｎ−へキシル
オキシ−ｍ−フルオロフェニルアセチレンｔ、２ｇをト
リエチルアミン１００ｍｌ中、触媒にジクロロビストリ
フェニルホスフィンパラジウム４０ｍｇ、ヨウ化銅（Ｉ
）１０ｍｇおよびトリフェニルホスフィン８０ｍｇを用
いて窒素雰囲気下、５時間加熱還流させた。反応終了後
、トリエチルアミンを留去しトルエンで抽出した。トル
エン層をＩＮ塩酸、水で順次洗浄後、シリカゲルカラム
クコマドグラフィーで精製した。得られた固体をエタノ
ールで２回再結晶することにより本発明の化合物である
表−１中Ｎｏ。

１１１の化合物１．７ｇを得た。上記化合物のＩＲスペ
クトル、Ｈ−ＮＭＲスペクトルおよびＦ−ＮＭＲスペク
トルをそれぞれ第２２図、第２３図および第２４図に示
す。

元素分析値：　　理論値（％）　　実測値（％）Ｃ：８
１．３２　　　　　Ｃ：８１．５３Ｈ：　７．９０　　
　　　Ｈ：　７．８０Ｆ：　４．０２　　　　　Ｆ：　
４．００実施例−９ 表−１中Ｎｏ、１３５の化合物の製造 実施例−５で得られた表−１中Ｎｏ、１１４の化合物５
００ｍｇをエタノール２０ｍ１に懸濁させ、これに５％
パラジウムカーボン１００ｍｇを加え、常圧の水素雰囲
気下、室温で水素添加を行った。水素の吸収が無くなる
のを確認した後、ろ過により触媒を除きエタノールを留
去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製後、エタノールから２回再結晶することに
より、本発明の化合物である表−１中Ｎｏ、１３５の化
合物３８０ｍｇを得た。

上記化合物のＩＲスペクトル、Ｈ−ＮＭＲスペクトルお
よびＦ−ＮＭＲスペクトルをそれぞれ第２５図、第２６
図および第２７図に示す。

元素分析値：　　理論値（％）　　実測値（％）Ｃニア
７．７３　　　　　Ｃニア７．７０Ｈ：　８．１０　　
　　　Ｈ：　８．０５Ｆ：　７．６９　　　　　Ｆ：　
７．７２実施例−１、実施例−２、実施例−３、実施例
−４、実施例−５、実施例−６、実施例−７、実施例−
８および実施例−９で得られた化合物の相転移温度を表
−２に示す。

表−２（１） 表−２ （２） 表−２中各記号はそれぞれ以下のとうりである。

Ｃｒｙ；結晶相 Ｓ、；未同定スメクチック相 Ｓｏ　；スメクチックＣ相 ＳＱ　；スメクチックＡ相 Ｎ　；ネマチック相 Ｉｓｏ”等方性液体相 相が存在する 相が存在しない （）：モノトロピック相を表す ［発明の効果コ 本発明は新規のスメクチックＣ液晶を提供し、またこれ
らのスメクチック液晶は次のような顕著な特徴を有する
。

（１）液晶組成物には負の誘電率異方性が求められてい
るが、本発明のスメクチックＣ液晶は分子短軸方向に電
子吸引性であるハロゲン原子が結合しているため誘電率
異方性が負であり、液晶組成物の誘電率異方性を負にす
るための成分として非常に有用である。

（２）本発明のスメクチック液晶の中てＣｒ　ｙ−８ｏ
の相系列を持つものは、混合によりスメクチックＣ相の
下限温度を下げることが可能であり、スメクチックＣ相
の温度範囲を拡大する成分として非常に有用である。

（３）分子内にエステル結合が無いため低粘度である。

（４）他のスメクチックＣ液晶との相溶性がすぐれてい
る。

（５）分子が剛直なため配向性が非常に良い。

（６）光、熱、水分に対する安定性が良い。

（７）本発明のスメクチック液晶はアセチレン結合を有
しているため複屈折率が大きく、このためスメクチック
（Ｊ＆晶組成物だけではなく、ネマチック液晶組成物に
も添加することにより、液晶表示セルの厚さを薄くして
応答速度を速くすることができる。

上記効果を奏することから本発明の液晶化合物は実用的
な強誘電性スメクチック液晶組成物を開発するにあたっ
て非常に有用な物質である。

【図面の簡単な説明】

第１図・第２図・第３図、第４図・第５図・第６図、第
７図・第８図・第９図、第１０図・第１１図・第１２図
、第１３図・第１４図・第１５図、第１６図・第１７図
・第１８図、第１９図・第２０図・第２１図、第２２図
・第２３図・第２４図および′第２５図・第２６図・第
２７図はそれぞれ実施例−１、実施例−２、実施例−３
、実施例−４、実施例−５、実施例−６、実施例−７、
実施例−８および実施例−９で得られた化合物のＩＲｌ
−ＮＭＲおよびＦ−ＮＭＲスペクトルを示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 Ｒ−Ｘ＾１−（−Ａ＾１−Ｘ＾２−）＿ｍ−（−Ａ＾２
   −）＿ｎ−Ａ＾３−Ｘ＾３−Ｒ’（１）〔式中、Ｒ、Ｒ
   ’は炭素数１〜１８のアルキル基を、Ｘ＾１は直接結合
   、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＯ−または−Ｃ
   ＯＯ−を、Ａ＾１、Ａ＾２およびＡ＾３は１〜４個のフ
   ッ素原子または塩素原子で置換されていてもよい１，４
   −フェニレン基を、Ｘ＾２は−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２を、ｍ、ｎは０または１を、Ｘ＾３は直接結
   合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−を表
   す（ただしｍ、ｎの少なくとも一方は１であり、ｍが０
   、ｎが１の場合、Ｘ＾１は−Ｃ≡Ｃ−である）〕で示さ
   れる液晶化合物。 ２、一般式（１）において、Ａ＾２が１，４−フェニレ
   ン基、ｎが１であり、かつＡ＾３がフッ素原子または塩
   素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基で
   ある請求項１記載の液晶化合物。 ３、一般式（１）においてＸ＾１が−Ｏ−、ｍが１、Ａ
   ＾１が１，４−フェニレン基、Ｘ＾２が−Ｃ≡Ｃ−、ｎ
   が０、Ａ＾３がフッ素原子または塩素原子で置換されて
   いてもよい１，４−フェニレン基であり、かつＸ＾３が
   −Ｏ−である請求項１記載の液晶化合物。 ４、一般式（１）において、Ｘ＾１が直接結合、−Ｏ−
   、−Ｓ−または−Ｃ≡Ｃ−、ｍが１、Ａ＾１が１，４−
   フェニレン基、Ｘ＾２が−Ｃ≡Ｃ−、ｎは０または１（
   ただしｎが１のときＡ＾２は１〜４個のフッ素原子また
   は塩素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン
   基である）、Ａ＾３が１〜４個のフッ素原子または塩素
   原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、か
   つＸ＾３が−ＣＯＯ−である請求項１記載の液晶化合物
   。 ５、一般式（１）において、Ｘ＾１が−ＣＯＯ−、ｎお
   よびｍは１、Ａ＾１が１〜４個のフッ素原子または塩素
   原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、Ｘ
   ＾２が−Ｃ≡Ｃ−、Ａ＾２およびＡ＾３は１，４−フェ
   ニレン基、かつＸ＾３が直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−また
   は−Ｃ≡Ｃ−である請求項１記載の液晶化合物。