JPH0525134A - ピリジン誘導体とそれを含む強誘電性液晶組成物 - Google Patents
ピリジン誘導体とそれを含む強誘電性液晶組成物Info
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- JPH0525134A JPH0525134A JP3175259A JP17525991A JPH0525134A JP H0525134 A JPH0525134 A JP H0525134A JP 3175259 A JP3175259 A JP 3175259A JP 17525991 A JP17525991 A JP 17525991A JP H0525134 A JPH0525134 A JP H0525134A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 78
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract description 8
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 title abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 141
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 28
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 125
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 18
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 claims description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims description 9
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 17
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 abstract description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- ZBDWIYMYNWKMOP-UHFFFAOYSA-N 2-(4-hex-2-enoxyphenyl)-5-octylpyridine Chemical compound N1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(OCC=CCCC)C=C1 ZBDWIYMYNWKMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N [methyl(oxido){1-[6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]ethyl}-lambda(6)-sulfanylidene]cyanamide Chemical compound N#CN=S(C)(=O)C(C)C1=CC=C(C(F)(F)F)N=C1 ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- LMBFAGIMSUYTBN-MPZNNTNKSA-N teixobactin Chemical compound C([C@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H]1C(N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](C[C@@H]2NC(=N)NC2)C(=O)N[C@H](C(=O)O[C@H]1C)[C@@H](C)CC)=O)NC)C1=CC=CC=C1 LMBFAGIMSUYTBN-MPZNNTNKSA-N 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 135
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- -1 bicyclic compound Chemical class 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- ZCHHRLHTBGRGOT-SNAWJCMRSA-N (E)-hex-2-en-1-ol Chemical compound CCC\C=C\CO ZCHHRLHTBGRGOT-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyrimidine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=NC=CC=N1 OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQMSHHKLVWFXEE-UHFFFAOYSA-N 4-(5-octylpyridin-2-yl)phenol Chemical compound N1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 FQMSHHKLVWFXEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005194 alkoxycarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002140 halogenating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Chemical group 0.000 description 1
- 229940057995 liquid paraffin Drugs 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000819 phase cycle Methods 0.000 description 1
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Pyridine Compounds (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式(I)
【化1】
(R1:炭素原子数6〜12の直鎖状アルキル基、R2:
炭素原子数3〜7直鎖状アルキル基、二重結合はトラン
ス配置)で表わされる化合物。また、これを含有するS
C母体液晶にキラルドーパントを加えてなる強誘電性液
晶組成物。 【効果】 本発明の一般式(I)の化合物を含有する強
誘電性液晶組成物は、広い温度範囲で使用可能で、配向
性が良く、高速応答が可能であり、液晶表示素子の材料
として有用である。
炭素原子数3〜7直鎖状アルキル基、二重結合はトラン
ス配置)で表わされる化合物。また、これを含有するS
C母体液晶にキラルドーパントを加えてなる強誘電性液
晶組成物。 【効果】 本発明の一般式(I)の化合物を含有する強
誘電性液晶組成物は、広い温度範囲で使用可能で、配向
性が良く、高速応答が可能であり、液晶表示素子の材料
として有用である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て有用な強誘電性液晶材料に関し、更に詳しくは、従来
の液晶材料と比較して配向性、応答性等に優れ、液晶表
示素子の材料として有用な化合物、及び該化合物を含有
する強誘電性液晶組成物に関する。
て有用な強誘電性液晶材料に関し、更に詳しくは、従来
の液晶材料と比較して配向性、応答性等に優れ、液晶表
示素子の材料として有用な化合物、及び該化合物を含有
する強誘電性液晶組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、広く用いられている液晶表示素子
は、主にネマチック液晶を利用したTN(ツイスティッ
ド・ネマチック)型、あるいはSTN(スーパー・ツイ
スティッド・ネマチック)型と呼ばれるものであり、多
くの利点を有しているものの、その応答性はCRT等の
発光型の表示方式と比較すると格段に遅いという大きな
欠点を有し、その応用に大きな制限があった。その他の
液晶表示方式も多方面から検討されているが、その応答
性の改善は余りなされていないのが実情である。
は、主にネマチック液晶を利用したTN(ツイスティッ
ド・ネマチック)型、あるいはSTN(スーパー・ツイ
スティッド・ネマチック)型と呼ばれるものであり、多
くの利点を有しているものの、その応答性はCRT等の
発光型の表示方式と比較すると格段に遅いという大きな
欠点を有し、その応用に大きな制限があった。その他の
液晶表示方式も多方面から検討されているが、その応答
性の改善は余りなされていないのが実情である。
【0003】ところが、最近見いだされた強誘電性キラ
ルスメクチック液晶を利用した液晶表示素子において
は、従来のTN型などの表示素子の100倍以上の高速
応答が可能となった。さらに双安定性を有するため、電
源を切っても表示の記憶(メモリー効果)が得られるこ
とが明らかになった。このため、大画面高解像度ディス
プレイ、薄型テレビ、光シャッター、プリンターヘッド
等への利用可能性が大きく、現在、その実用化に向けて
活発に開発研究がなされている。
ルスメクチック液晶を利用した液晶表示素子において
は、従来のTN型などの表示素子の100倍以上の高速
応答が可能となった。さらに双安定性を有するため、電
源を切っても表示の記憶(メモリー効果)が得られるこ
とが明らかになった。このため、大画面高解像度ディス
プレイ、薄型テレビ、光シャッター、プリンターヘッド
等への利用可能性が大きく、現在、その実用化に向けて
活発に開発研究がなされている。
【0004】強誘電性液晶の液晶相は、チルト系のキラ
ルスメクチック相に属するが、その中でも最も低粘性の
キラルスメクチックC(以下、SC*と省略する。)相
が実用上望ましい。既に数多くのSC*相を示す液晶化
合物(以下、SC*化合物と省略する。)が合成され、
検討されているが、強誘電性液晶表示用光スイッチング
素子として用いるのに、十分な性質を有するものは未だ
知られていない。よって、他の液晶化合物と混合してS
C*相を示す液晶組成物(以下、SC*液晶組成物と省略
する。)として用いられている。このようなSC*液晶
組成物の検討は活発に行われており、現在では、キラル
でないスメクチックC(以下、SCと省略する。)相を
示す母体液晶(以下、SC母体液晶と省略する。)に、
光学活性化合物から成るキラルドーパントを添加する方
法が一般的である。これによって高速応答性、良好な配
向性、広い作動温度範囲等の特性を合わせ持つSC*液
晶組成物が得られるようになってきた。
ルスメクチック相に属するが、その中でも最も低粘性の
キラルスメクチックC(以下、SC*と省略する。)相
が実用上望ましい。既に数多くのSC*相を示す液晶化
合物(以下、SC*化合物と省略する。)が合成され、
検討されているが、強誘電性液晶表示用光スイッチング
素子として用いるのに、十分な性質を有するものは未だ
知られていない。よって、他の液晶化合物と混合してS
C*相を示す液晶組成物(以下、SC*液晶組成物と省略
する。)として用いられている。このようなSC*液晶
組成物の検討は活発に行われており、現在では、キラル
でないスメクチックC(以下、SCと省略する。)相を
示す母体液晶(以下、SC母体液晶と省略する。)に、
光学活性化合物から成るキラルドーパントを添加する方
法が一般的である。これによって高速応答性、良好な配
向性、広い作動温度範囲等の特性を合わせ持つSC*液
晶組成物が得られるようになってきた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般的にSC相を示す
化合物(以下、SC化合物と省略する。)はSC*化合
物よりも低粘性であるが、充分といえるものは少ない。
現在のところ、SC母体液晶を構成するSC化合物は、
例えば、一般式(A)
化合物(以下、SC化合物と省略する。)はSC*化合
物よりも低粘性であるが、充分といえるものは少ない。
現在のところ、SC母体液晶を構成するSC化合物は、
例えば、一般式(A)
【0006】
【化4】
【0007】(式中、Ra及びRbはアルキル基、アルコ
キシル基、アルコキシカルボニル基、アルカノイルオキ
シ基、又はアルコキシカルボニルオキシ基を表わし、互
いに同一であっても異なっていてもよいが、同時にアル
キル基を表わすことはない。)で表わされる化合物、あ
るいは一般式(B)
キシル基、アルコキシカルボニル基、アルカノイルオキ
シ基、又はアルコキシカルボニルオキシ基を表わし、互
いに同一であっても異なっていてもよいが、同時にアル
キル基を表わすことはない。)で表わされる化合物、あ
るいは一般式(B)
【0008】
【化5】
【0009】(式中、Ra及びRbは、前記一般式(A)
におけると同じ意味を表わす。)で表わされる化合物が
主に用いられている。これらのうち、一般式(A)で表
わされる化合物は、分子内にエステル結合が存在するた
め、その粘性は比較的高く、これを主成分とするSC母
体液晶を用いた液晶表示素子において、充分な高速応答
を得ることは困難であった。
におけると同じ意味を表わす。)で表わされる化合物が
主に用いられている。これらのうち、一般式(A)で表
わされる化合物は、分子内にエステル結合が存在するた
め、その粘性は比較的高く、これを主成分とするSC母
体液晶を用いた液晶表示素子において、充分な高速応答
を得ることは困難であった。
【0010】一方、一般式(B)で表わされる化合物
は、Ra、Rbの一方がアルキル基、他方がアルコキシル
基である化合物の場合には比較的低粘性であり、特にR
aが直鎖状のアルキル基であり、Rbが直鎖状又は分岐状
のアルコキシル基である一般式(C)
は、Ra、Rbの一方がアルキル基、他方がアルコキシル
基である化合物の場合には比較的低粘性であり、特にR
aが直鎖状のアルキル基であり、Rbが直鎖状又は分岐状
のアルコキシル基である一般式(C)
【0011】
【化6】
【0012】(式中、Rcは直鎖状のアルキル基を表わ
し、Rdは直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす。)
で表わされる化合物は、SC母体液晶の主成分として、
現在汎用されている。
し、Rdは直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす。)
で表わされる化合物は、SC母体液晶の主成分として、
現在汎用されている。
【0013】しかしながら、この一般式(C)で表わさ
れる化合物には、SC相の上限温度があまり高くないと
いう問題点があった。キラルドーパントとして用いる光
学活性化合物、あるいは応答性改善のために粘度降下剤
として用いる減粘液晶等を母体液晶に添加するとSC相
の上限温度を下げてしまい、SC相の温度範囲は狭くな
る傾向がある。このため、一般式(C)で表わされる化
合物を主成分とする母体液晶組成物を用いて、実用上広
い温度範囲で使用可能な液晶組成物を得ることはかなり
困難であった。一方、液晶組成物の温度範囲を特に高温
域に拡大するために、主として3環式化合物である高温
液晶を添加することが知られているが、この3環式化合
物はいずれも粘性が高く、液晶組成物に添加した場合に
多量に用いるとその応答性に悪影響を与えてしまう問題
を有している。
れる化合物には、SC相の上限温度があまり高くないと
いう問題点があった。キラルドーパントとして用いる光
学活性化合物、あるいは応答性改善のために粘度降下剤
として用いる減粘液晶等を母体液晶に添加するとSC相
の上限温度を下げてしまい、SC相の温度範囲は狭くな
る傾向がある。このため、一般式(C)で表わされる化
合物を主成分とする母体液晶組成物を用いて、実用上広
い温度範囲で使用可能な液晶組成物を得ることはかなり
困難であった。一方、液晶組成物の温度範囲を特に高温
域に拡大するために、主として3環式化合物である高温
液晶を添加することが知られているが、この3環式化合
物はいずれも粘性が高く、液晶組成物に添加した場合に
多量に用いるとその応答性に悪影響を与えてしまう問題
を有している。
【0014】この一般式(C)で表わされる化合物の温
度範囲を改善した低粘性の2環式化合物として、一般式
(D)
度範囲を改善した低粘性の2環式化合物として、一般式
(D)
【0015】
【化7】
【0016】(式中、Re及びRfは直鎖状のアルキル基
を表わし、互いに同一であっても異なっていてもよ
い。)で表わされる化合物が知られており、この一般式
(D)で表わされる化合物のSC相の上限温度は、類似
構造を有する一般式(C)で表わされる化合物よりも1
0〜20℃も高い。
を表わし、互いに同一であっても異なっていてもよ
い。)で表わされる化合物が知られており、この一般式
(D)で表わされる化合物のSC相の上限温度は、類似
構造を有する一般式(C)で表わされる化合物よりも1
0〜20℃も高い。
【0017】しかしながら、この一般式(D)で表わさ
れる化合物は、SC相の低温域により高次のスメクチッ
クF相、スメクチックH相(以下、それぞれSF、SH
と省略する。)相を有しており、そのSC相の温度範囲
自体はあまり広くない。またSC相の高温域にネマチッ
ク(以下、Nと省略する。)相が存在せず、液晶組成物
に添加した場合に、得られる液晶組成物のN相を消失さ
せやすい傾向にあった。従って、この一般式(D)で表
わされる化合物を主成分として含有するSC母体液晶
は、SC相の上限温度は比較的高いものの、SC相の高
温域にN相は存在しないか、あるいは存在してもその温
度範囲は非常に狭いものとなり、また低温域では上述の
高次のスメクチック相が出現しやすいため、低温域まで
SC相を示すような広い温度範囲を有する液晶組成物を
得ることは難しかった。
れる化合物は、SC相の低温域により高次のスメクチッ
クF相、スメクチックH相(以下、それぞれSF、SH
と省略する。)相を有しており、そのSC相の温度範囲
自体はあまり広くない。またSC相の高温域にネマチッ
ク(以下、Nと省略する。)相が存在せず、液晶組成物
に添加した場合に、得られる液晶組成物のN相を消失さ
せやすい傾向にあった。従って、この一般式(D)で表
わされる化合物を主成分として含有するSC母体液晶
は、SC相の上限温度は比較的高いものの、SC相の高
温域にN相は存在しないか、あるいは存在してもその温
度範囲は非常に狭いものとなり、また低温域では上述の
高次のスメクチック相が出現しやすいため、低温域まで
SC相を示すような広い温度範囲を有する液晶組成物を
得ることは難しかった。
【0018】一方、キラルドーパントとして少量添加し
た場合に、充分大きい自発分極を誘起できるような光学
活性化合物、あるいは上記のような減粘液晶等を液晶組
成物に添加すると、液晶組成物のSA相の温度範囲を拡
大し、N相の温度範囲は狭くするか、あるいは消失させ
る傾向の強いものが多く、それらを添加して得られるS
C*液晶組成物では、SC*相の高温域にSA相のみを有
し、キラルネマチック(以下、N*と省略する)相を示
さないものが多かった。
た場合に、充分大きい自発分極を誘起できるような光学
活性化合物、あるいは上記のような減粘液晶等を液晶組
成物に添加すると、液晶組成物のSA相の温度範囲を拡
大し、N相の温度範囲は狭くするか、あるいは消失させ
る傾向の強いものが多く、それらを添加して得られるS
C*液晶組成物では、SC*相の高温域にSA相のみを有
し、キラルネマチック(以下、N*と省略する)相を示
さないものが多かった。
【0019】ところが、現在一般的に行われている配向
方法では、SC*相の高温域にSA相及びN*相を示すよ
うな相系列を有し、かつN*相における螺旋のピッチが
充分長い場合に良好な配向が得られ、他の相系列の場合
には配向性が劣るのが実情である。
方法では、SC*相の高温域にSA相及びN*相を示すよ
うな相系列を有し、かつN*相における螺旋のピッチが
充分長い場合に良好な配向が得られ、他の相系列の場合
には配向性が劣るのが実情である。
【0020】また上記の光学活性化合物や減粘液晶は、
母体液晶に添加した場合にはSC相の温度範囲、特にそ
の上限温度を低下させる傾向が強いものが多い。以上述
べたように、一般式(C)あるいは一般式(D)で表わ
される化合物を主成分とするSC母体液晶を用いて、低
温域から高温域まで広い温度範囲を有し、高速応答が可
能で、かつ配向性に優れた強誘電性SC*液晶組成物を
得ることはかなり困難であった。
母体液晶に添加した場合にはSC相の温度範囲、特にそ
の上限温度を低下させる傾向が強いものが多い。以上述
べたように、一般式(C)あるいは一般式(D)で表わ
される化合物を主成分とするSC母体液晶を用いて、低
温域から高温域まで広い温度範囲を有し、高速応答が可
能で、かつ配向性に優れた強誘電性SC*液晶組成物を
得ることはかなり困難であった。
【0021】本発明が解決しようとする課題は、低粘性
で、SC相の上限温度がより高く、N相を示す傾向がよ
り強い化合物を提供することであり、また、その化合物
を含有し、高温域まで広い温度範囲を有し、高速応答が
可能で、かつ配向性に優れた強誘電性液晶組成物を提供
することにある。
で、SC相の上限温度がより高く、N相を示す傾向がよ
り強い化合物を提供することであり、また、その化合物
を含有し、高温域まで広い温度範囲を有し、高速応答が
可能で、かつ配向性に優れた強誘電性液晶組成物を提供
することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、一般式(I)
するために、一般式(I)
【0023】
【化8】
【0024】(式中、R1は炭素原子数6〜12の直鎖
状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭素原子数7〜
10の直鎖状のアルキル基を表わし、R2は炭素原子数
3〜7の直鎖状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭
素原子数3〜5の直鎖状のアルキル基を表わす。)で表
わされる化合物を提供する。
状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭素原子数7〜
10の直鎖状のアルキル基を表わし、R2は炭素原子数
3〜7の直鎖状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭
素原子数3〜5の直鎖状のアルキル基を表わす。)で表
わされる化合物を提供する。
【0025】本発明の一般式(I)で表わされる化合物
の構造的な特徴は、2位に二重結合を有する炭素原子数
6〜10のアルケニルオキシ基を有する点である。側鎖
にアルケニル基あるいはアルケニルオキシ基を有する化
合物自体は、既に知られており、例えば、特開昭61−
83136号公報には、フェニルピリミジン骨格に4−
ペンテニルオキシ基を有する式
の構造的な特徴は、2位に二重結合を有する炭素原子数
6〜10のアルケニルオキシ基を有する点である。側鎖
にアルケニル基あるいはアルケニルオキシ基を有する化
合物自体は、既に知られており、例えば、特開昭61−
83136号公報には、フェニルピリミジン骨格に4−
ペンテニルオキシ基を有する式
【0026】
【化9】
【0027】の化合物が示されており、この化合物の相
転移温度は、36.5℃(Cr→N)、55.9℃(N
−I)であった。(Crは結晶相を表わし、Nはネマチ
ック相を表わし、Iは等方性液体相をそれぞれ表わ
す。)この化合物は一般式(C)で表わされる化合物の
類似構造を有し、本発明の一般式(I)で表わされる化
合物とも比較的類似した構造を有しているが、根本的に
異なる点は、これらの化合物はネマチック液晶材料用と
して開発されたものであり、側鎖、特にアルケニルオキ
シ基が短いためにネマチック相のみを示し、SC相は示
さない点にある。
転移温度は、36.5℃(Cr→N)、55.9℃(N
−I)であった。(Crは結晶相を表わし、Nはネマチ
ック相を表わし、Iは等方性液体相をそれぞれ表わ
す。)この化合物は一般式(C)で表わされる化合物の
類似構造を有し、本発明の一般式(I)で表わされる化
合物とも比較的類似した構造を有しているが、根本的に
異なる点は、これらの化合物はネマチック液晶材料用と
して開発されたものであり、側鎖、特にアルケニルオキ
シ基が短いためにネマチック相のみを示し、SC相は示
さない点にある。
【0028】一般に、ネマチック液晶化合物の側鎖を長
くしていくと、スメクチック相を発現しやすくなるのは
よく知られたことである。しかしながら、スメクチック
相には前記SA相からスメクチックL(SL)相まで多
くの相が存在し、その中のどの相を示すか予想すること
は難しく、前記特開昭61−83136号公報からは全
く予想されるものではなく、また、本発明の一般式
(I)の化合物、あるいはこれを含有するSC*液晶組
成物の優れた効果は容易に類推できるものではない。
本発明の一般式(I)で表わされる化合物は、例えば、
以下のようにして容易に製造することができる。即ち、
一般式(IV)
くしていくと、スメクチック相を発現しやすくなるのは
よく知られたことである。しかしながら、スメクチック
相には前記SA相からスメクチックL(SL)相まで多
くの相が存在し、その中のどの相を示すか予想すること
は難しく、前記特開昭61−83136号公報からは全
く予想されるものではなく、また、本発明の一般式
(I)の化合物、あるいはこれを含有するSC*液晶組
成物の優れた効果は容易に類推できるものではない。
本発明の一般式(I)で表わされる化合物は、例えば、
以下のようにして容易に製造することができる。即ち、
一般式(IV)
【0029】
【化10】
【0030】(式中、R1は一般式(I)におけると同
じ意味を表わす。)で表わされる化合物を塩基存在下
に、一般式(V) X−CH2−CH=CH−R2 (式中、R2は一般式(I)におけると同じ意味を表わ
し、二重結合はトランス配置を表わし、Xは塩素、臭素
またはヨウ素を表わす。)で表わされる化合物と反応さ
せることにより得ることができる。
じ意味を表わす。)で表わされる化合物を塩基存在下
に、一般式(V) X−CH2−CH=CH−R2 (式中、R2は一般式(I)におけると同じ意味を表わ
し、二重結合はトランス配置を表わし、Xは塩素、臭素
またはヨウ素を表わす。)で表わされる化合物と反応さ
せることにより得ることができる。
【0031】ここで一般式(IV)で表わされる化合物
は、一般式(D)で表わされる化合物の合成中間体とし
てよく知られた化合物であり、一般式(V)で表わされ
る化合物は、対応する一般式(VI) HO−CH2−CH=CH−R2 (式中、R2は一般式(I)におけると同じ意味を表わ
し、二重結合はトランス配置を表わす。)で表わされる
化合物をハロゲン化することにより容易に得ることがで
きる。
は、一般式(D)で表わされる化合物の合成中間体とし
てよく知られた化合物であり、一般式(V)で表わされ
る化合物は、対応する一般式(VI) HO−CH2−CH=CH−R2 (式中、R2は一般式(I)におけると同じ意味を表わ
し、二重結合はトランス配置を表わす。)で表わされる
化合物をハロゲン化することにより容易に得ることがで
きる。
【0032】ここで、一般式(VI)で表わされる化合
物は、R2が炭素原子数3〜5のアルキル基である化合
物については市販されており入手が可能である。その他
の化合物についても対応するアルキニルアルコールを半
還元することにより容易に得ることができる。
物は、R2が炭素原子数3〜5のアルキル基である化合
物については市販されており入手が可能である。その他
の化合物についても対応するアルキニルアルコールを半
還元することにより容易に得ることができる。
【0033】斯くして得られる一般式(I)で表わされ
る化合物の代表的なものの例を第1表に示す。
る化合物の代表的なものの例を第1表に示す。
【0034】
【表1】
【0035】(表中、Crは結晶相を、SFはスメクチ
ックF相を、Iは等方性液体相をそれぞれ表わし、〔〕
はその相がモノトロピックであることを表わす。)ま
た、第1表に示された化合物と側鎖の炭素原子数が等し
い、一般式(D)で表わされる化合物の例を第2表に示
す。
ックF相を、Iは等方性液体相をそれぞれ表わし、〔〕
はその相がモノトロピックであることを表わす。)ま
た、第1表に示された化合物と側鎖の炭素原子数が等し
い、一般式(D)で表わされる化合物の例を第2表に示
す。
【0036】
【表2】
【0037】(表中、SHはスメクチックH相を表わ
す。)第1表及び第2表から明らかなように、一般式
(I)で表わされる化合物は一般式(D)で表わされる
化合物と比べて、3〜6゜高い温度域までSC相を示
す。また、一般式(D)で表わされる化合物において出
現する高次のスメクチック相(SF相、SH相)が、一
般式(I)で表わされる化合物においては消失するか、
あるいは出現する場合でもその上限温度が低くなってお
り、その結果、SC相の温度範囲はかなり広くなってい
ることがわかる。
す。)第1表及び第2表から明らかなように、一般式
(I)で表わされる化合物は一般式(D)で表わされる
化合物と比べて、3〜6゜高い温度域までSC相を示
す。また、一般式(D)で表わされる化合物において出
現する高次のスメクチック相(SF相、SH相)が、一
般式(I)で表わされる化合物においては消失するか、
あるいは出現する場合でもその上限温度が低くなってお
り、その結果、SC相の温度範囲はかなり広くなってい
ることがわかる。
【0038】従って、一般式(I)で表わされる化合物
を用いた場合、一般式(D)で表わされる化合物を用い
るよりも、より容易にSC相の温度範囲が広い液晶組成
物を得ることができる。
を用いた場合、一般式(D)で表わされる化合物を用い
るよりも、より容易にSC相の温度範囲が広い液晶組成
物を得ることができる。
【0039】また、(1)一般式(C)で表わされる
化合物及び一般式(E)
化合物及び一般式(E)
【0040】
【化11】
【0041】(式中、Rg、Rhは直鎖状又は分岐状のア
ルキル基を表わす。)からなるSC液晶組成物[相転移
温度76℃(SC−SA)、78℃(SA−N)、9
0.5℃(N−I)]90重量%、及び(2)第1表の
No.1の化合物10重量%から成るSC液晶組成物の
相転移温度は74℃(SC−N)、87℃(N−I)で
あった。
ルキル基を表わす。)からなるSC液晶組成物[相転移
温度76℃(SC−SA)、78℃(SA−N)、9
0.5℃(N−I)]90重量%、及び(2)第1表の
No.1の化合物10重量%から成るSC液晶組成物の
相転移温度は74℃(SC−N)、87℃(N−I)で
あった。
【0042】これに対して、第1表のNo.1の化合物
に代えて、一般式(D)で表わされる化合物を10重量
%用いた場合には、得られる液晶組成物の相転移温度は
73℃(SC−SA)、76℃(SA−N)、87℃
(N−I)であった。
に代えて、一般式(D)で表わされる化合物を10重量
%用いた場合には、得られる液晶組成物の相転移温度は
73℃(SC−SA)、76℃(SA−N)、87℃
(N−I)であった。
【0043】以上のことから、本発明の一般式(I)で
表わされる化合物は、一般式(D)で表わされる化合物
と比べて、N相を消失させる傾向はほとんどなく、SA
相を消失させやすい傾向を有することがわかる。
表わされる化合物は、一般式(D)で表わされる化合物
と比べて、N相を消失させる傾向はほとんどなく、SA
相を消失させやすい傾向を有することがわかる。
【0044】本発明は、また、一般式(I)で表わされ
る化合物を含有する液晶組成物を提供する。本発明の第
1の液晶組成物は、(1)一般式(I)で表わされる化
合物を含有するSC相を示す母体液晶及び(2)光学活
性化合物から成るキラルドーパントを含有するSC*液
晶組成物であり、特に好ましくは、等方性液体(I)相
からの冷却時に、N*相及びSA相を経てSC*相に相転
移する相系列を有するものであり、配向性に優れ、また
広い温度範囲で使用可能で、低粘性の液晶組成物であ
る。
る化合物を含有する液晶組成物を提供する。本発明の第
1の液晶組成物は、(1)一般式(I)で表わされる化
合物を含有するSC相を示す母体液晶及び(2)光学活
性化合物から成るキラルドーパントを含有するSC*液
晶組成物であり、特に好ましくは、等方性液体(I)相
からの冷却時に、N*相及びSA相を経てSC*相に相転
移する相系列を有するものであり、配向性に優れ、また
広い温度範囲で使用可能で、低粘性の液晶組成物であ
る。
【0045】本発明の一般式(I)で表わされる化合物
は、そのものが低粘性であり、SC相の上限温度が高
く、その温度範囲が広い。またSA相を消失させやす
く、N相を示す傾向が強いといった性質を有するため、
この化合物を含有する液晶組成物に、SC相の上限温度
を低下させ、SA相を拡大し、N相を消失させる傾向を
示すキラルドーパントや減粘液晶化合物を添加しても、
上記のような優れた特性を示す液晶組成物を容易に調製
することができる。
は、そのものが低粘性であり、SC相の上限温度が高
く、その温度範囲が広い。またSA相を消失させやす
く、N相を示す傾向が強いといった性質を有するため、
この化合物を含有する液晶組成物に、SC相の上限温度
を低下させ、SA相を拡大し、N相を消失させる傾向を
示すキラルドーパントや減粘液晶化合物を添加しても、
上記のような優れた特性を示す液晶組成物を容易に調製
することができる。
【0046】このような優れた特性を充分に示すために
は、本発明の一般式(I)で表わされる化合物を、SC
母体液晶中に5重量%以上含有することが好ましい。ま
た、液晶組成物の融点を降下させて、温度範囲を低温域
に拡大するためには、液晶分子の骨格や側鎖の形状の異
なった他種のSC化合物を加える必要があるので、一般
式(I)で表わされる化合物の含有量は、5〜50重量
%の範囲であることが好ましい。
は、本発明の一般式(I)で表わされる化合物を、SC
母体液晶中に5重量%以上含有することが好ましい。ま
た、液晶組成物の融点を降下させて、温度範囲を低温域
に拡大するためには、液晶分子の骨格や側鎖の形状の異
なった他種のSC化合物を加える必要があるので、一般
式(I)で表わされる化合物の含有量は、5〜50重量
%の範囲であることが好ましい。
【0047】本発明の一般式(I)で表わされる化合物
とともに母体液晶の構成成分として用いるのに適当なS
C化合物としては、前述の一般式(C)で表わされる化
合物と同一の骨格を有する一般式(II)
とともに母体液晶の構成成分として用いるのに適当なS
C化合物としては、前述の一般式(C)で表わされる化
合物と同一の骨格を有する一般式(II)
【0048】
【化12】
【0049】(式中、R3は炭素原子数6〜12の直鎖
状のアルキル基を表わし、R4は炭素原子数6〜12の
直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は直鎖状のアルケニ
ル基を表わす。)で表わされる化合物が特に好適であ
る。
状のアルキル基を表わし、R4は炭素原子数6〜12の
直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は直鎖状のアルケニ
ル基を表わす。)で表わされる化合物が特に好適であ
る。
【0050】本発明の第2の液晶組成物は、(1)一
般式(I)で表わされる化合物及び一般式(II)で
表わされる化合物を含有するSC相を示す母体液晶、及
び(2)光学活性化合物から成るキラルドーパントを含
有するSC*液晶組成物である。
般式(I)で表わされる化合物及び一般式(II)で
表わされる化合物を含有するSC相を示す母体液晶、及
び(2)光学活性化合物から成るキラルドーパントを含
有するSC*液晶組成物である。
【0051】ここで、一般式(II)で表わされる化合
物の代表的なものの例を、第3表及び第4表に示す。
物の代表的なものの例を、第3表及び第4表に示す。
【0052】
【表3】
【0053】
【表4】
【0054】この一般式(II)で表わされる化合物及
び本発明の一般式(I)で表わされる化合物を含有する
SC*液晶組成物もまた、等方性液体(I)相からの冷
却時に、N*相及びSA相を経てSC*相に相転移する相
系列を有し、配向性に優れ、広い温度範囲で使用可能
で、低粘性の液晶組成物である。
び本発明の一般式(I)で表わされる化合物を含有する
SC*液晶組成物もまた、等方性液体(I)相からの冷
却時に、N*相及びSA相を経てSC*相に相転移する相
系列を有し、配向性に優れ、広い温度範囲で使用可能
で、低粘性の液晶組成物である。
【0055】さらに一般式(I)及び一般式(II)で
表わされる化合物とともに母体液晶の構成成分として用
いるのに適当なSC化合物としては、前述の一般式
(C)で表わされる化合物と同様の骨格を有する一般式
(III)
表わされる化合物とともに母体液晶の構成成分として用
いるのに適当なSC化合物としては、前述の一般式
(C)で表わされる化合物と同様の骨格を有する一般式
(III)
【0056】
【化13】
【0057】(式中、R5は炭素原子数6〜12の直鎖
状のアルキル基を表わし、R6は炭素原子数6〜12の
直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は直鎖状のアルケニ
ル基を表わす。)で表わされる化合物も非常に好適であ
る。
状のアルキル基を表わし、R6は炭素原子数6〜12の
直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は直鎖状のアルケニ
ル基を表わす。)で表わされる化合物も非常に好適であ
る。
【0058】本発明の第3の液晶組成物は、(1)一
般式(I)で表わされる化合物、一般式(II)で表
わされる化合物及び一般式(III)で表わされる化
合物を含有するSC相を示す母体液晶、及び(2)光学
活性化合物から成るキラルドーパントを含有するSC*
液晶組成物を提供する。
般式(I)で表わされる化合物、一般式(II)で表
わされる化合物及び一般式(III)で表わされる化
合物を含有するSC相を示す母体液晶、及び(2)光学
活性化合物から成るキラルドーパントを含有するSC*
液晶組成物を提供する。
【0059】ここで、一般式(III)で表わされる化
合物の代表的なものの例を、第5表及び第6表に示す。
合物の代表的なものの例を、第5表及び第6表に示す。
【0060】
【表5】
【0061】
【表6】
【0062】第5表及び第6表から、一般式(III)
で表わされる化合物のSC相の上限温度は一般式(I)
の化合物よりもやや高いものの、その高温域に広い温度
域でSA相を示し、液晶組成物に添加した場合にSA相
を拡大し、N相を消失させる傾向が強いものである。
で表わされる化合物のSC相の上限温度は一般式(I)
の化合物よりもやや高いものの、その高温域に広い温度
域でSA相を示し、液晶組成物に添加した場合にSA相
を拡大し、N相を消失させる傾向が強いものである。
【0063】しかしながら、本発明の一般式(I)で表
わされる化合物とともに用いることにより、好ましい相
系列を有する液晶組成物として用いることが可能とな
る。一般式(I)、一般式(II)、あるいは一般式
(III)で表わされる化合物を含有する母体液晶の応
答性を改善するために添加することができる減粘液晶と
しては、一般式(F)
わされる化合物とともに用いることにより、好ましい相
系列を有する液晶組成物として用いることが可能とな
る。一般式(I)、一般式(II)、あるいは一般式
(III)で表わされる化合物を含有する母体液晶の応
答性を改善するために添加することができる減粘液晶と
しては、一般式(F)
【0064】
【化14】
【0065】(式中、Ri及びRjは直鎖状のアルキル基
を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置である。)
で表わされる化合物や、一般式(G)
を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置である。)
で表わされる化合物や、一般式(G)
【0066】
【化15】
【0067】(式中、Ri及びRjは一般式(F)におけ
ると同じ意味を表わす。)で表わされる化合物をあげる
ことができる。一般式(I)で表わされる化合物、及び
それを含有するSC*液晶組成物の優れた特徴を示すた
めに、後述の実施例にも示すように、一般式(I)で表
わされる化合物及び一般式(II)で表わされる化合物
を含有するSC母体液晶(H−1)を調製した。
ると同じ意味を表わす。)で表わされる化合物をあげる
ことができる。一般式(I)で表わされる化合物、及び
それを含有するSC*液晶組成物の優れた特徴を示すた
めに、後述の実施例にも示すように、一般式(I)で表
わされる化合物及び一般式(II)で表わされる化合物
を含有するSC母体液晶(H−1)を調製した。
【0068】なお、SC母体液晶(H−1)は、
(I)No.1 30.0%
(II−1) 21.0%
(II−2) 14.0%
(II−3) 21.0%
(II−4) 14.0%
から成るものであり、その相転移温度は以下の通りであ
った。61.5℃(SC−SA)、64℃(SA−
N)、69℃(N−I)一方、SC母体液晶(H−1)
において、一般式(I)で表わされる化合物を含有しな
い一般式(II)で表わされる化合物のみからなるSC
母体液晶(H−2)を調製した。
った。61.5℃(SC−SA)、64℃(SA−
N)、69℃(N−I)一方、SC母体液晶(H−1)
において、一般式(I)で表わされる化合物を含有しな
い一般式(II)で表わされる化合物のみからなるSC
母体液晶(H−2)を調製した。
【0069】なお、SC母体液晶(H−2)は、
(II−1) 30.0%
(II−2) 20.0%
(II−3) 30.0%
(II−4) 20.0%
から成るものであり、その相転移温度は以下の通りであ
った。 55.5℃(SC−SA)、64.5℃(SA−N)、
70℃(N−I) 上記SC母体液晶(H−1)95重量%、及び式(P)
った。 55.5℃(SC−SA)、64.5℃(SA−N)、
70℃(N−I) 上記SC母体液晶(H−1)95重量%、及び式(P)
【0070】
【化16】
【0071】で表わされる光学活性化合物5重量%から
成るSC*液晶組成物(M−1)は、61℃以下でSC*
相を示し、66.5℃以下でSA相を示し、68.5℃
以下でN*相を示し、それ以上の温度で等方性液体
(I)相となった。
成るSC*液晶組成物(M−1)は、61℃以下でSC*
相を示し、66.5℃以下でSA相を示し、68.5℃
以下でN*相を示し、それ以上の温度で等方性液体
(I)相となった。
【0072】このSC*液晶組成物(M−1)は配向性
がよく、室温における電気光学的応答速度は40μ秒と
高速であった。それに対して、SC母体液晶(H−2)
95重量%、及び式(P)の光学活性化合物5重量%か
ら成るSC*液晶組成物(M−2)は、56℃以下でS
C*相を示し、67.5℃以下でSA相を示し、68.
5℃以下でN*相を示し、それ以上の温度で等方性液体
(I)相となった。
がよく、室温における電気光学的応答速度は40μ秒と
高速であった。それに対して、SC母体液晶(H−2)
95重量%、及び式(P)の光学活性化合物5重量%か
ら成るSC*液晶組成物(M−2)は、56℃以下でS
C*相を示し、67.5℃以下でSA相を示し、68.
5℃以下でN*相を示し、それ以上の温度で等方性液体
(I)相となった。
【0073】このSC*液晶組成物(M−2)は室温に
おける電気光学的応答速度は42μ秒と高速であった
が、その温度範囲はSC*液晶組成物(M−1)よりも
劣っていた。
おける電気光学的応答速度は42μ秒と高速であった
が、その温度範囲はSC*液晶組成物(M−1)よりも
劣っていた。
【0074】次に、SC母体液晶(H−1)において、
一般式(I)で表わされる化合物に代えて、一般式
(D)で表わされる化合物を含有し、同様の組成比のS
C母体液晶(H−3)を調製した。このSC母体液晶
(H−3)は、 (II−1) 21.0% (II−2) 14.0% (II−3) 21.0% (II−4) 14.0% (D−2) 30.0% から成るものでありその相転移温度は以下の通りであっ
た。 60℃(SC−SA)、67℃(SA−N)、69℃
(N−I) このSC母体液晶(H−3)95重量%、及び式(P)
の光学活性化合物5重量%から成るSC*液晶組成物
(M−3)は、59℃以下でSC*相を示し、68.5
℃以下でSA相を示したが、N*相は0.1゜から0.
2゜の非常に狭い温度範囲でしか示さず、それ以上の温
度で等方性液体(I)相となった。
一般式(I)で表わされる化合物に代えて、一般式
(D)で表わされる化合物を含有し、同様の組成比のS
C母体液晶(H−3)を調製した。このSC母体液晶
(H−3)は、 (II−1) 21.0% (II−2) 14.0% (II−3) 21.0% (II−4) 14.0% (D−2) 30.0% から成るものでありその相転移温度は以下の通りであっ
た。 60℃(SC−SA)、67℃(SA−N)、69℃
(N−I) このSC母体液晶(H−3)95重量%、及び式(P)
の光学活性化合物5重量%から成るSC*液晶組成物
(M−3)は、59℃以下でSC*相を示し、68.5
℃以下でSA相を示したが、N*相は0.1゜から0.
2゜の非常に狭い温度範囲でしか示さず、それ以上の温
度で等方性液体(I)相となった。
【0075】このSC*液晶組成物(M−3)の室温に
おける電気光学的応答速度は42μ秒と高速であった
が、その温度範囲及び配向性はSC*液晶組成物(M−
1)よりも劣っていた。
おける電気光学的応答速度は42μ秒と高速であった
が、その温度範囲及び配向性はSC*液晶組成物(M−
1)よりも劣っていた。
【0076】このように、SC母体液晶(H−1)、
(H−2)、(H−3)、SC*液晶組成物(M−
1)、(M−2)及び(M−3)を比較することによ
り、本発明の一般式(I)で表わされる化合物を含有す
る液晶組成物は、SC*相の上限温度が高く、SA相の
温度範囲は狭くなり、N*相の温度範囲は拡大すること
がわかる。 このことから、一般式(I)で表わされる
化合物を含有する液晶組成物は、SA相を示す傾向が強
く、N相を消失させる傾向にあるキラルドーパントを、
あるいは上記一般式(E)あるいは一般式(F)で表わ
される減粘液晶を添加しても、I−N*−SA−SC*相
の好ましい相系列と、広い温度範囲かつ高い上限温度を
保ち得ることが理解できる。
(H−2)、(H−3)、SC*液晶組成物(M−
1)、(M−2)及び(M−3)を比較することによ
り、本発明の一般式(I)で表わされる化合物を含有す
る液晶組成物は、SC*相の上限温度が高く、SA相の
温度範囲は狭くなり、N*相の温度範囲は拡大すること
がわかる。 このことから、一般式(I)で表わされる
化合物を含有する液晶組成物は、SA相を示す傾向が強
く、N相を消失させる傾向にあるキラルドーパントを、
あるいは上記一般式(E)あるいは一般式(F)で表わ
される減粘液晶を添加しても、I−N*−SA−SC*相
の好ましい相系列と、広い温度範囲かつ高い上限温度を
保ち得ることが理解できる。
【0077】また、一般式(I)で表わされる化合物
は、一般式(D)で表わされる化合物より粘性が低いの
で、その応答性はかなり改善され、非常に効果のあるこ
とが理解できる。
は、一般式(D)で表わされる化合物より粘性が低いの
で、その応答性はかなり改善され、非常に効果のあるこ
とが理解できる。
【0078】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明
するが、本発明の主旨及び適用範囲はこれらの実施例に
よって制限されるものではない。
するが、本発明の主旨及び適用範囲はこれらの実施例に
よって制限されるものではない。
【0079】本実施例において、相転移温度の測定は温
度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計
(DSC)を併用して行った。また、組成物中における
「%」はすべて「重量%」を表わすものとする。
度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計
(DSC)を併用して行った。また、組成物中における
「%」はすべて「重量%」を表わすものとする。
【0080】また、化合物の構造は核磁気共鳴スペクト
ル(NMR)及び赤外吸収スペクトル(IR)により確
認した。なお、NMRにおけるCDCl3は溶媒を表わ
し、sは一重線を、dは二重線を、tは三重線を、mは
多重線を表わす。また、IRにおけるNujolは流動
パラフィン中の懸濁状態における測定を表わす。 (実施例1) 2−[4−(2−ヘキセニルオキシ)フ
ェニル)−5−オクチルピリジン(第1表中のNo.1の化
合物)の合成 2−(4−ヒドロキシフェニル)−5−オクチルピリジ
ン200mgを、N,N−ジメチルホルムアミド(DM
F)6mlに溶解した。この溶液に室温でt−ブトキシ
カリウム80mgを加え、30分間攪拌した。この混合
物に、2−ヘキセノールより合成した1−ブロモ−2−
ヘキセン125mgのDMF2ml溶液を室温で5分間
で滴下し、さらに6時間攪拌した。反応終了後、エーテ
ルを加え、有機層を希塩酸、水、次いで飽和食塩水で洗
滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し
て、粗生成物150mgを得た。この粗生成物をカラム
クロマトグラフィー(シリカゲル、ヘキサン/酢酸エチ
ル=10/1)を用いて精製して、2−[4−(2−ヘ
キセニルオキシ)フェニル)−5−オクチルピリジンの
白色結晶101mgを得た。さらにこれをエタノールか
ら再結晶させて、精製物を得た。この精製物の相転移温
度は第1表に示した。
ル(NMR)及び赤外吸収スペクトル(IR)により確
認した。なお、NMRにおけるCDCl3は溶媒を表わ
し、sは一重線を、dは二重線を、tは三重線を、mは
多重線を表わす。また、IRにおけるNujolは流動
パラフィン中の懸濁状態における測定を表わす。 (実施例1) 2−[4−(2−ヘキセニルオキシ)フ
ェニル)−5−オクチルピリジン(第1表中のNo.1の化
合物)の合成 2−(4−ヒドロキシフェニル)−5−オクチルピリジ
ン200mgを、N,N−ジメチルホルムアミド(DM
F)6mlに溶解した。この溶液に室温でt−ブトキシ
カリウム80mgを加え、30分間攪拌した。この混合
物に、2−ヘキセノールより合成した1−ブロモ−2−
ヘキセン125mgのDMF2ml溶液を室温で5分間
で滴下し、さらに6時間攪拌した。反応終了後、エーテ
ルを加え、有機層を希塩酸、水、次いで飽和食塩水で洗
滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し
て、粗生成物150mgを得た。この粗生成物をカラム
クロマトグラフィー(シリカゲル、ヘキサン/酢酸エチ
ル=10/1)を用いて精製して、2−[4−(2−ヘ
キセニルオキシ)フェニル)−5−オクチルピリジンの
白色結晶101mgを得た。さらにこれをエタノールか
ら再結晶させて、精製物を得た。この精製物の相転移温
度は第1表に示した。
【0081】また、NMR及びIRで測定した結果は、
以下の通りであった。 NMR(CDCl3):δ=0.86−0.92(m,
6H),1.27−1.70(m,16H),2.09
−2.11(m,2H),2.62(t,2H),4.
52(d,2H),5.65−5.95(m,2H),
6.98(d,2H),7.52−7.57(m,2
H),7.90(d,2H),8.64(s,1H) IR(Nujol):1610,1520,1280,
1250,1180,1010,980,820cm-1 (実施例2、3)実施例1と同様にして、第1表中のN
o.2及びNo.3の各化合物を合成した。各化合物の
相転移温度は第1表に示した。 (実施例4) SC*液晶組成物の調製 第1表中のNo.1の化合物、及び一般式(II)で表
わされる化合物を含有する以下の組成のSC母体液晶
(H−1)を調製した。
以下の通りであった。 NMR(CDCl3):δ=0.86−0.92(m,
6H),1.27−1.70(m,16H),2.09
−2.11(m,2H),2.62(t,2H),4.
52(d,2H),5.65−5.95(m,2H),
6.98(d,2H),7.52−7.57(m,2
H),7.90(d,2H),8.64(s,1H) IR(Nujol):1610,1520,1280,
1250,1180,1010,980,820cm-1 (実施例2、3)実施例1と同様にして、第1表中のN
o.2及びNo.3の各化合物を合成した。各化合物の
相転移温度は第1表に示した。 (実施例4) SC*液晶組成物の調製 第1表中のNo.1の化合物、及び一般式(II)で表
わされる化合物を含有する以下の組成のSC母体液晶
(H−1)を調製した。
【0082】
(H−1) (I)No.1 30.0%
(II−1) 21.0%
(II−2) 14.0%
(II−3) 21.0%
(II−4) 14.0%
次に、この母体液晶(H−1)95%、及び
【0083】
【化17】
【0084】の光学活性化合物から成るキラルドーパン
ト(P)5%から成るSC*液晶組成物(M−1)を調
製した。この液晶組成物は61℃以下でSC*相を示
し、66.5℃以下でSA相を示し、68.5℃以下で
N*相を示した。 (比較例1)SC母体液晶(H−1)において、一般式
(I)で表わされる化合物に代えて、一般式(II)で
表わされる化合物のみを含有するSC母体液晶(H−
2) (H−2) (II−1) 30.0% (II−2) 20.0% (II−3) 30.0% (II−4) 20.0% を調製した。このSC母体液晶(H−2)95%、及び
光学活性化合物(P)5%から成るSC*液晶組成物
(M−2)を調製した。この液晶組成物のSC*相の上
限温度は57℃とSC*液晶組成物(M−1)に比べて
低くなり、67.5℃以下でSA相を示し、N*相の温
度範囲は1℃と狭くなった。 (比較例2)SC母体液晶(H−1)において、一般式
(I)で表わされる化合物に代えて一般式(D)で表わ
される化合物を同量用いたSC母体液晶(H−3) (H−3) (II−1) 21.0% (II−2) 14.0% (II−3) 21.0% (II−4) 14.0% (D−2) 30.0% を調製した。このSC母体液晶(H−3)95%、及び
光学活性化合物(P)5%から成るSC*液晶組成物
(M−3)を調製した。この液晶組成物は59℃以下で
SC*相を示し、68.5℃以下でSA相を示したが、
N*相の温度幅は0.1゜から0.2゜と非常に狭くな
った。 (実施例5) 液晶表示素子の作成 まず、ITO蒸着ガラス板(電極面積70mm2)にポリ
イミド形成溶液を塗布し、ポリイミド被膜を作成した
(基板A)。同様にして、グラスファイバーのスペーサ
ーを混合した上記のポリイミド形成溶液を用いてスペー
サーを含んだポリイミド被膜を作成した(基板B)。基
板A及び基板Bをナイロン布でラビング処理を施した。
一方の基板に熱硬化型エポキシ接着剤を塗布して、基板
A及び基板Bをそのラビング方向が互いに平行かつ逆向
きになるように重ね合わせ、加熱硬化させ、セルを作成
した。
ト(P)5%から成るSC*液晶組成物(M−1)を調
製した。この液晶組成物は61℃以下でSC*相を示
し、66.5℃以下でSA相を示し、68.5℃以下で
N*相を示した。 (比較例1)SC母体液晶(H−1)において、一般式
(I)で表わされる化合物に代えて、一般式(II)で
表わされる化合物のみを含有するSC母体液晶(H−
2) (H−2) (II−1) 30.0% (II−2) 20.0% (II−3) 30.0% (II−4) 20.0% を調製した。このSC母体液晶(H−2)95%、及び
光学活性化合物(P)5%から成るSC*液晶組成物
(M−2)を調製した。この液晶組成物のSC*相の上
限温度は57℃とSC*液晶組成物(M−1)に比べて
低くなり、67.5℃以下でSA相を示し、N*相の温
度範囲は1℃と狭くなった。 (比較例2)SC母体液晶(H−1)において、一般式
(I)で表わされる化合物に代えて一般式(D)で表わ
される化合物を同量用いたSC母体液晶(H−3) (H−3) (II−1) 21.0% (II−2) 14.0% (II−3) 21.0% (II−4) 14.0% (D−2) 30.0% を調製した。このSC母体液晶(H−3)95%、及び
光学活性化合物(P)5%から成るSC*液晶組成物
(M−3)を調製した。この液晶組成物は59℃以下で
SC*相を示し、68.5℃以下でSA相を示したが、
N*相の温度幅は0.1゜から0.2゜と非常に狭くな
った。 (実施例5) 液晶表示素子の作成 まず、ITO蒸着ガラス板(電極面積70mm2)にポリ
イミド形成溶液を塗布し、ポリイミド被膜を作成した
(基板A)。同様にして、グラスファイバーのスペーサ
ーを混合した上記のポリイミド形成溶液を用いてスペー
サーを含んだポリイミド被膜を作成した(基板B)。基
板A及び基板Bをナイロン布でラビング処理を施した。
一方の基板に熱硬化型エポキシ接着剤を塗布して、基板
A及び基板Bをそのラビング方向が互いに平行かつ逆向
きになるように重ね合わせ、加熱硬化させ、セルを作成
した。
【0085】こうして得られたセルに、実施例1で得ら
れたSC*液晶組成物(M−1)を加熱して等方性液体
(I)相とした状態で注入し、次いで徐冷を行い、N*
相、SA相、ついでSC*相を配向させ、液晶表示素子
を得た。配向状態は非常に良好であった。このセルのセ
ル厚を測定したところ、約2.0μmであった。
れたSC*液晶組成物(M−1)を加熱して等方性液体
(I)相とした状態で注入し、次いで徐冷を行い、N*
相、SA相、ついでSC*相を配向させ、液晶表示素子
を得た。配向状態は非常に良好であった。このセルのセ
ル厚を測定したところ、約2.0μmであった。
【0086】このセルに電界強度10Vp-p/μmの矩
形波を印加してその電気光学的応答速度を測定したとこ
ろ、25℃でμ秒と高速応答を確認できた。このときの
自発分極は9.8nC/cm2、チルト角は24.1゜
であった。コントラストは非常に良好であった。 (比較例3)実施例5と同様にして作成したセルに、比
較例1で得られたSC*液晶組成物(M−2)を用い
て、同様にして液晶表示素子を作成した。
形波を印加してその電気光学的応答速度を測定したとこ
ろ、25℃でμ秒と高速応答を確認できた。このときの
自発分極は9.8nC/cm2、チルト角は24.1゜
であった。コントラストは非常に良好であった。 (比較例3)実施例5と同様にして作成したセルに、比
較例1で得られたSC*液晶組成物(M−2)を用い
て、同様にして液晶表示素子を作成した。
【0087】実施例5と同様にして測定した電気光学的
応答速度は、25℃で42μ秒であったが、SC*液晶
組成物(M−1)を用いた場合に比べて配向性がやや悪
くコントラストが若干低くなった。また、このときの自
発分極は9.9nC/cm2であり、チルト角は23.
5゜であった。 (比較例4)実施例5と同様にして作成したセルに、比
較例2で得られたSC*液晶組成物(M−2)を用い
て、同様にして液晶表示素子を作成した。
応答速度は、25℃で42μ秒であったが、SC*液晶
組成物(M−1)を用いた場合に比べて配向性がやや悪
くコントラストが若干低くなった。また、このときの自
発分極は9.9nC/cm2であり、チルト角は23.
5゜であった。 (比較例4)実施例5と同様にして作成したセルに、比
較例2で得られたSC*液晶組成物(M−2)を用い
て、同様にして液晶表示素子を作成した。
【0088】実施例5と同様にして測定した電気光学的
応答速度は、25℃で42μ秒であり、SC*液晶組成
物(M−1)を用いた場合に比べてやや遅くなった。ま
た配向性がかなり劣り、コントラストは低くなった。ま
た、このときの自発分極は11.1nC/cm2であ
り、チルト角は23.5゜であった。 (実施例6)一般式(I)、一般式(II)及び一般式
(III)で表わされる化合物を含有し、以下の組成か
ら成るSC母体液晶(H−4)を調製した。
応答速度は、25℃で42μ秒であり、SC*液晶組成
物(M−1)を用いた場合に比べてやや遅くなった。ま
た配向性がかなり劣り、コントラストは低くなった。ま
た、このときの自発分極は11.1nC/cm2であ
り、チルト角は23.5゜であった。 (実施例6)一般式(I)、一般式(II)及び一般式
(III)で表わされる化合物を含有し、以下の組成か
ら成るSC母体液晶(H−4)を調製した。
【0089】
(H−4)
(I)No.1 12.0%
(II−1) 10.8%
(II−2) 7.2%
(II−3) 10.8%
(II−4) 7.2%
(II−11) 12.0%
(III−7) 10.0%
(E)
(Rg,Rh)=(n−C5H11,n−C8H17) 6.7%
(n−C6H13,n−C8H17) 6.7%
(n−C7H15,n−C8H17) 6.7%
(F)
(Ri,Rj)=(n−C6H13,n−C7H15) 3.3%
(n−C6H13,n−C8H17) 3.3%
(n−C6H13,n−C9H19) 3.3%
この液晶組成物は59.5℃以下でSC相を、69.5
℃以下でSA相を、79.5℃以下でN相を示した。ま
たその融点は約−24℃であった。
℃以下でSA相を、79.5℃以下でN相を示した。ま
たその融点は約−24℃であった。
【0090】このSC母体液晶(H−4)90%、及び
キラルドーパントとして光学活性化合物(P)10%か
ら成るSC*液晶組成物(M−4)を調製した。この液
晶組成物は59℃以下でSC*相を、73.5℃以下で
SA相を、75℃以下でN*相を示した。またその融点
は−25℃以下であった。
キラルドーパントとして光学活性化合物(P)10%か
ら成るSC*液晶組成物(M−4)を調製した。この液
晶組成物は59℃以下でSC*相を、73.5℃以下で
SA相を、75℃以下でN*相を示した。またその融点
は−25℃以下であった。
【0091】実施例5と同様にして、液晶表示素子を作
成し、その電気光学的応答速度を測定したところ、25
℃で35μ秒と非常に高速であった。また、その配向性
は非常に良好であり、コントラストも良好であった。
成し、その電気光学的応答速度を測定したところ、25
℃で35μ秒と非常に高速であった。また、その配向性
は非常に良好であり、コントラストも良好であった。
【0092】
【発明の効果】本発明の一般式(I)で表わされる化合
物を含有する強誘電性液晶組成物は、広い温度範囲でS
C*相を示し、室温で50μ秒以下という高速応答が可
能である。
物を含有する強誘電性液晶組成物は、広い温度範囲でS
C*相を示し、室温で50μ秒以下という高速応答が可
能である。
【0093】また、配向性に優れ、良好なコントラスト
を得ることができ、表示用光スイッチング素子の材料と
して極めて有用である。
を得ることができ、表示用光スイッチング素子の材料と
して極めて有用である。
Claims (5)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、R1は炭素原子数6〜12の直鎖状のアルキル
基を表わし、R2は炭素原子数3〜7の直鎖状のアルキ
ル基を表わす。)で表わされる化合物。 - 【請求項2】 (1)請求項1記載の一般式(I)で表
わされる化合物を含有し、スメクチックC相を示す母体
液晶、及び(2)光学活性化合物から成るキラルドーパ
ントを含有する強誘電性液晶組成物。 - 【請求項3】 一般式(II) 【化2】 (式中、R3は炭素原子数6〜12の直鎖状のアルキル
基を表わし、R4は炭素原子数6〜12の直鎖状又は分
岐状のアルキル基、又は直鎖状のアルケニル基を表わ
す。)で表わされる化合物を含有することを特徴とする
請求項2記載の強誘電性液晶組成物。 - 【請求項4】 一般式(III) 【化3】 (式中、R5は炭素原子数6〜12の直鎖状のアルキル
基を表わし、R6は炭素原子数6〜12の直鎖状又は分
岐状のアルキル基、又は直鎖状のアルケニル基を表わ
す。)で表わされる化合物を含有することを特徴とする
請求項3記載の強誘電性液晶組成物。 - 【請求項5】 請求項2、3又は4記載の強誘電性液晶
組成物を構成要素とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3175259A JP3057820B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | ピリジン誘導体とそれを含む強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3175259A JP3057820B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | ピリジン誘導体とそれを含む強誘電性液晶組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0525134A true JPH0525134A (ja) | 1993-02-02 |
JP3057820B2 JP3057820B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=15993036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3175259A Expired - Fee Related JP3057820B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | ピリジン誘導体とそれを含む強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3057820B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100340729B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-06-20 | 정명식 | 페닐비닐피리딘 및 페닐비닐피리미딘 화합물, 그 유도체들및 이들로부터 형성된 배향막을 구비하고 있는 액정표시소자 |
US10190771B2 (en) | 2013-12-25 | 2019-01-29 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Exhaust duct and boiler |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP3175259A patent/JP3057820B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100340729B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-06-20 | 정명식 | 페닐비닐피리딘 및 페닐비닐피리미딘 화합물, 그 유도체들및 이들로부터 형성된 배향막을 구비하고 있는 액정표시소자 |
US10190771B2 (en) | 2013-12-25 | 2019-01-29 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Exhaust duct and boiler |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3057820B2 (ja) | 2000-07-04 |
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