JPH0240346A - フェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘導体及び液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 九吸ａ狡■豆ヱ 本発明は、新規なフェニルシクロヘキシルカルボン酸エ
ステル誘導体およびそれを含有する液晶組成物に関する
。さらに詳しくは、本発明は、表示素子などに用いられ
る強誘電性液晶物質として新規なフェニルシクロヘキシ
ルカルボン酸エステル誘導体、およびそのフェニルシク
ロヘキシルカルボン酸エステル誘導体を少なくと６１種
含有する液晶組成物に関する。

の　　　　　ｔ　びに　の 従来、表示デバイスとして最も一般的に用いられてきた
のは、テレビなどに用いられているＣＲＴデバイスであ
る。しかし、近年にいたり表示デバイスの携帯化、大画
面化、薄型化への要望が強まるとともに種々の用途に対
応して多種の表示デバイスが開発されてきた。たとえば
、液晶デイスプレィ、プラズマブライスプレィ、ＬＥＤ
デイスプレィ、ＥＬデイスプレィ、ＥＣＤデイスプレィ
などがある。

これらのうちで、液晶デイスプレィは０Ａｆｉ器、デジ
タルウォッチ、電卓、携帯ゲーム器などで実用化され、
また最近は小型テレビなどの動画用表示デバイスとして
も広く背反してきた。

このような液晶表示デバイスの駆動方式とじては、現在
多くの種類があるが一般的に用いられているのは、１゛
Ｎ（ツイストネマチック）モードである。このＴＮモー
ドは液晶化合物のネマチック相での分子の誘電異方性を
利用して表示を行なう方式であり、外部から印加する電
界の２乗に比例したエネルギーによって駆動する（ｆｏ
ｃＥ２）。

しかし、この方式においては、表示画像を変えるために
は液晶分子の位置を変化させる必要があり、そのため駆
動時間が長くなる。さらに、スイッチングに要する電圧
、すなわち消費電力も大きくなり、またスイッチングし
きい値特性があまり良好でないため、高速で分子位置を
変えるべく切りかえ動作を行なう際には、非表示画素に
までもれ電圧がかかり、表示のコントラストが著しく低
下する。このように従来のＴＮモードによる表示方式は
、特に大型画面用表示デバイス、あるいは小型テレビな
どのような動画用表示デバイスとしては適当な方式とは
言えない。

また、現在、ＴＮモードにおけるスイッチングしきい値
特性を改善してコントラストを向上させたＳＴＮ　（ス
パーツイストネマチック）モードを採用した表示デバイ
スが使用されている。しかし、この方式も誘電異方性を
利用している点はＴＮモードと変りなく、それゆえスイ
ッチング時間が長くなり、動画用などの表示デバイスと
しては満足できるものではない。

一方、１９７５年Ｒ，Ｂ、　Ｍｅｙｅｒらは強誘電性を
示す有機化合物を合成した。そして、１９８０年にはそ
の強誘電性化合物をギャップの小さいセル中に充填する
ことにより光スイツチング素子、すなわち表示デバイス
として使用できることを示唆しな。

この強誘電性液晶化合物を用いた光スイツチング素子は
、ＴＮモードあるいはＳＴＮモードと異なり、液晶分子
の配向方向を変えるだけでスイッチング素子として機能
しうるめで、スイッチング時間が非常に短縮される。さ
らに強誘電性液晶は、それがもつ自発分極（Ｐｇ）と電
界強度（Ｂ）との積、すなわちＰｓ　ＸＥの値が液晶分
子の配向方向を変化させる実効エネルギー強度となるの
で、消費電力が非常に少なくなる。また、強誘電性液晶
は、印加電界の方向によって２つの安定状態、すなわち
双安定性をもつのでスイッチングのしきい値特性は非常
に良好であり、動画用表示デバイスなどに用いるのに好
適である。

ところで、このような強誘電性液晶を光スイツチング素
子などに使用する場合には、動作温度範囲が常温付近に
あること、動作温度幅が広いこと、スイッチング速度が
早いこと、スイッチングしきい値電圧が適正な範囲にあ
ることなど、多くの特性をもつことが要求される。殊に
、これらのうち、動作温度範囲は強誘電性化合物を実用
化する際に非常に重要な特性である。

罠かし、これまで知られている強誘電性化合物は、その
動作温度範囲が室温付近にないか、あるいは、室温付近
にあっても動作温度幅やその他の特性が充分でなく、強
誘電性液晶化合物として実用上満足できるものは得られ
ていない［Ｒ，Ｂ、Ｈｅ１／ｅｒｅｔ　ａｔ、ジャーナ
ル・デ・フィジーク（Ｊ、ｄｅＰｈｙｓ、　）３６巻［
−６９頁、　１９７５年；出口、蒸出、第１１回液晶討
論会１６８頁、１９８５年コ、シたがって、動作温度幅
等の特性が実用レベルにある液晶化合物の開発が望まれ
ていた。

発明の目的 本発明は、前記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、新規なフェニルシクロヘキシ
ルカルボン酸エステル誘導体およびそれを含有する液晶
組成物の堤供することを目的としている。

また、本発明は、特に室温付近に動作温度範囲をもち、
かつ、その他の液晶特性にも優れた新規なフェニルシク
ロヘキシルカルボン酸エステル誘導体およびそれを含有
する強誘電性液晶組成物を撞供することを目的としてい
る。

発明の概要 本発明に係るフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステ
ル誘導体は、次式（Ｉ）で表わされることを特徴として
いる。

但し、式（Ｉ）に於て、Ｘは、炭素数６〜１８のアルキ
ル基、アルコキシ基及びハロゲン化アルキル基よりなる
群から選ばれる一種の基であり、Ｙは、　−（Ｃ１１＞
　　　　−Ｃｌｌ−（Ｃｌｌ　２　）　　ｌ　−Ｃ１１
３ｎ （ただし、ｎは０〜３の整数であり、ｍは１〜６の整数
であり、Ｚは、メチル基、エチル基、メトキシ基、ハロ
ゲン原子およびハロゲン化メチル基よりなる群から選ば
れる一種の基若しくは原子である）で表わされる基であ
る。

また、本発明に係る液晶組成物は、次式（Ｉ）で表わさ
れるフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘導体
を少なくとも一種含有することを特徴としている。

ただし、式（Ｉ）において、Ｘは、炭素数６〜１８のア
ルキル基、アルコキシ基およびハロゲン化アルキル基よ
りなる群から選ばれる一種の基であり、 Ｙは、−（ＣＨ）　　−Ｃｌｌ−（Ｃｌｌ２）　１−Ｃ
ｌｌ３（ただし、ｎは０〜３の整数であり、ｍは１〜６
の整数であり、Ｚは、メチル基、エチル基、メトキシ基
、ハロゲン原子およびハロゲン化メチル基よりなる群か
ら選ばれる一種の基若しくは原子である）で表わされる
基である。

本発明に係るフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステ
ル誘導体は、新規な液晶物質である。そして、このよう
なフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘導体を
含む液晶組成物を用いることにより、室温付近およびそ
れ以下の動作温度範囲をもち、スイッチング速度が高く
、従って大型画面デイスプレィにも適用でき、かつ、消
費電力がきわめて少なく、しかも安定したコントラスト
が得られるなどの優れた特性を有する表示素子または電
気光学素子を得ることができる。

九肌立入止煎ＩＪ 次に本発明に係るフェニルシクロヘキシルカルボン酸エ
ステル誘導体および液晶組成物について具体的に説明す
る。

本発明に係る新規なフェニルシクロヘキシルカルボン酸
エステル誘導体は、次式（Ｉ）に表わすことができる。

また本発明に係る液晶組成物は次式（Ｉ）で表わされる
フェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘導体を少
なくとも一種含有している６ ただし、上記式（Ｉ）において、Ｘは、アルキル基、ア
ルコキシ基、またはハロゲン化アルキル基であり、これ
らの基は、６〜１８の炭素原子を有している６特に本発
明では、炭素数が８〜１４であるアルコキシ基である化
合物が好ましく用いられる。また、上記式（Ｉ）におい
て、Ｙは、次式（ａ）で表わされる基である。

（Ｃｌｌ　　）　　　Ｃ１ｌ　　（Ｃｌｌ２　）ｒａ　
　ＣＨ３（ａ）ｎ ただし、上記（ａ）において、ｎは０〜３の整数であり
、ｍは１〜６の整数である。特に本発明にでは、ｎが０
〜１の整数である化合物が好ましく用いられる。また上
記式（ａ）において、Ｚはメチル基、エチル基、メトキ
シ基、ハロゲン原子およびハロゲン化メチル基のうちか
ら選択される一種類の基または原子であり、特に本発明
では、Ｚがメチル基である化合物が好ましく用いられる
。置換基等として上記のようなＺを有する炭素原子は光
学活性を示す。

本発明に係るフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステ
ル誘導体としては、たとえば、４’−［４°’−（Ｒ−
１°′°−メチルへブチルオキシカルボニル）フェニル
オキシカルボニル］−シクロへキシル−４−アルコキシ
ベンゼン； ４’−［４”−（Ｒ−２”　’−メチルブチルオキシカ
ルボニル）フェニルオキシカルボニル１−シクロへキシ
ル−４−アルコキシベンゼン； ４’−［４”−（Ｒ−３”’−メチルペンチルオキシカ
ルボニル）フェニルオキシカルボニル】−シクロへキシ
ル−４−アルコキシベンゼン； ・４−［４°’−（Ｒ−１”’−エチルへキシルオキシ
カルボニル）フェニルオキシカルボニル１−シクロへキ
シル−４−アルコキシベンゼン、 ４’−［４”−（Ｒ−１−トリフロロメチルへブチルオ
キシカルボニル）フェニルオキシカルボニル１−シクロ
へキシル−４−アルコキシベンゼン等を挙げることがで
きる。

これらの化合物の中でも、たとえば４−［４°°−（Ｒ
−２°°°−メチルブチルオキシカルボニル）フェニル
オキシカルボニル１−シクロへキシル−４−アルコキシ
ベンゼンは、５０℃までスメクチックＡ相を呈すると共
に、２０℃までスメクチックＣ相を呈するので、このよ
うな化合物を単独で、あるいは組合わせて用いることに
より、優れた特性を有する液晶組成物を得ることができ
る。

また、上記のような化合物の、うち、たとえば４゛−［
４°’−（Ｒ−１°゛°−メチルへブチルオキシカルボ
ニル）フェニルオキシカルボニル１−シクロへキシル−
４−デシルオキシベンゼンは０℃までスメクチックＡ相
を呈する。このような化合物は単独ではカイラルスメク
チック液晶化合物としては使用することはできないが、
たとえば他のカイラルスメクチックＣ相を呈する化合物
と組合わせて使用することにより、カイラルスメクチッ
ク液相組成物として使用することができる。

次に、本発明に係る式（Ｉ）で表わされるフェニルシク
ロヘキシルカルボン酸エステル誘導体の製造方法の一例
について具体的に説明する。

なお、下記に示す合成ルートにおいて記載した式中のｎ
、ｍおよび２は前記と同じ意味である。

また、Ｒはアルキル基を表わし、＊印を付した炭素原子
は光学活性炭素を表わす。

本発明のフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘
導体の合成に際しては、上記合成ルートに示すように、
まず、４°−アルコキシビフェニル−４−カルボンａ（
ｉ）のようなカルボン酸誘導体を、イソアミルアルコー
ル等の有機溶媒中で、金属ナトリウム等を用いて、カル
ボキシル基が結合しているベンゼン環を還元し、４°−
アルコキシフェニルシクロへキシル−４−カルボン酸（
ｉｉ　）を得る０次にこの４°−アルコキシフェニルシ
クロへキシル−４−カルボン酸（１１）と、塩化オキサ
リル（ＣＯＣＪ）２のような塩素化剤とを反応させて、
４−アルコキシフェニルシクロへキシル−４−カルボン
酸クロライド（ｉ）を得る。

他方、４−ベンジルオキシ安息香酸（１ｖ）のような安
息香酸誘導体に、ヘキサン等の反応溶媒を用いて、ピリ
ジン等の塩基性触媒の存在下に塩化チオニル（ＳＯＣｊ
□）等の塩素化剤を反応させて、４−ベンジルオキシ安
息香酸クロライド（Ｖ）のような塩素化物を得る。これ
をテトラしドロフラン（ＴＨＦ）等の溶媒中で、ピリジ
ンの等の塩基性触媒の存在下に、前記式（Ｉ）における
基Ｙを構成し得るようなアルコール（ｖｌ）と反応させ
て４−ベンジルオキシ安息香酸エステル誘導体（Ｖｌｌ
　）を得る。この際、前記式（Ｉ）における基Ｙを構成
し得るようなアルコール（ｖｌ）としては、たとえば２
−ブタノール、２−メチルブタノール、２−ヘキサノー
ル、２−オクタツール、３−オクタツール、２−メチル
オクタツール、２−メトキシプロパツール、２−エトキ
シプロパノール、２−プロポキシプロパノール、２−ク
ロロプロパツール、３−クロロブタノール、２−クロロ
ヘキサノール、２−クロロヘプタツール、２−クロロオ
クタツール、２〜クロロデカノール、１−トリフロロメ
チルヘプタノールを使用することができる。

次に、得られた４−ベンジルオキシ安息香酸エステル誘
導体（ＶＵ　）を、エタノール等の溶媒中で、パラジウ
ム炭素触媒のような還元触媒の存−右下に、水素ガスと
接触させることにより還元して脱ベンジル化を行ない、
４−オキシ安息香酸エステル誘導体（ｖｉ）を得る。

このようにして得た４°−アルコキシフェニルシクロヘ
キシル−４・・カルボン酸クロライド（ｍ）と４−オキ
シ安息香酸エステル誘導体（■）とを、テトラヒドロフ
ラン等の反応溶媒中で、ピリジン等の塩基性触媒の存在
下に反応させることにより、最終目的物である本発明の
フェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘導体（ｉ
×）を得ることができる。

上記のようにして得られる本発明に係るフェニルシクロ
ヘキシルカルボン酸エステル誘導体のうち、４°−［４
°’−（Ｒ−２°°゛−メチルブチルオキシカルボニル
）フェニルオキシカルボニル］−シクロへキシル−４−
デシルオキシベンゼンの’Ｈ−ＮＭＲスペクトルのチャ
ートを第１図に、４°−［４”−（Ｒ−１°゛メチルへ
ブチルオキシカルボニル）フェニルオキシカルボニル］
−シクロへキシル−４−デシルオキシベンゼンの１Ｈ−
ＮＭＲスペクトルのチャートを第２図に示す。

以上のようにして得られる本発明に係るフェニルシクロ
ヘキシルカルボン酸エステル誘導体の中には、強誘電性
を示し、また室温およびそれ以下の温度でスメクチック
相を呈する化合物が多いことが判明した。従来、単独で
、３０℃以下の温度にてスメクチック相を示す液晶化合
物はほとんど知られていない０本発明に係るフェニルシ
クロヘキシルカルボン酸エステル誘導体は、室温付近で
スメクチック相を呈する全く新規な液晶化合物である。

したがって、このようなフェニルシクロヘキシルカルボ
ン酸エステル誘導体を配合することにより、良好な特性
を有する液晶組成物を形成することができる。

すなわち、本発明に係る液晶組成物は、上記のようなフ
ェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘導体を含む
ことを特徴としている。

本発明に係る液晶組成物は、上記のフェニルシクロヘキ
シルカルボン酸エステル誘導体を主剤として用いること
もでき、さらに、他の液晶化合物を主剤として用い、こ
れに上記のフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル
誘導体を配合して、特性を改善するために使用すること
もできる。

したがって、本発明に係る液晶組成物における上記のフ
ェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘導体の含有
率は、フェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル誘導
体の使用の態様にあわせて適宜設定することができ、た
とえば、液相組成物全体に対する含有率を１〜９９重量
％の範囲にすることが望ましい。

また上記のフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステル
誘導体は、単独または２種以上を混合して用いることが
できる。

上記のようなフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステ
ル誘導体と混合することにより液晶組成物を形成するこ
とができる化合物としては、カイラルスメクチックＣ相
を呈する液晶化合物、コレステリック液晶化合物、ネマ
ッチック液晶化合物等を挙げることができる。

本発明に係る液晶組成物において、フェニルシクロヘキ
シルカルボン酸エステル誘導体と共に配合することがで
きるカイラルスメクチックＣ相を呈する化合物の例とし
ては、（＋）−４’−（２”−メチルブチルオキシ）フ
ェニル−６−オクチルオキシナフタレン−２−カルボン
酸エステル、４゛−デシルオキシフェニル−〇−（（＋
）−２”−メチルブチルオキシフタレン−２−カルボン
酸エステル、 ０Ｃ■３ および、 を挙げることができる。

さらに、上記のカイラルスメクチックＣ相を呈する化合
物以外の化合物で、本発明のフェニルシクロヘキシルカ
ルボン酸エステル誘導体と共に、本発明に係る液晶組成
物を構成することができる液晶化合物の例としては、 ＣＨ３０−＠ーＣＨ＝Ｎー＠−Ｃ４Ｈ　９、ｃ　６Ｈ　
１３０−＠−ＣＨ＝Ｎ−＠−ＣＮなどのシッフ塩基系液
晶化合物、 などのアゾキシ系液晶化合物、 Ｃ４Ｈ９０÷ｃｏｏ÷Ｃ６Ｈｌ３ Ｃ７）＋１５０−＠−ＣＯＯ−＠−ＣＮなどの安息香酸
エステル系液晶化合物、Ｃ５’　１１舎ｃｏｏ÷ＣＭ Ｃ５■１１→−ｃｏｏ÷ＯＣ５■１１ などのシクロへキシルカルボン酸エステル系液晶化合物
、 ｃ５Ｈ１１＋＋ＣＭ などのビフェニル系液晶化合物、 ’５　’　１１ぺ灸−◎−（トＯＮ などのターフエノール系液晶化合物、 Ｃ７Ｉｔ　１ｓボか一＠”−ＣＮ Ｃ５Ｈ１１べ及〜◎−Φ＞　ＣＮ などのシクロヘキシル系液晶化合物 および 等のピリジン系液晶化合物に代表されるネマチック系の
液晶化合物をはじめとして、さらに塩酸コレステリンノ
ナン酸コレステリンおよびオレイン酸コレステリンなど
のコレステリック系の液晶化合物ならびに公知のスメク
チック系の液晶化合物を挙げることができる。

なお、本発明に係る液晶組成物は、例えば、電導性賦与
剤および寿命向上剤など、通常の液晶組成物に配合する
ことができる添加剤を含んでいてもよい。

本発明の液晶組成物を用いた表示方法の例としては、具
体的には以下に示す方法を挙げることができる。

第１の方法は、例えば２〜５μｍの間隙を有する薄膜セ
ル中に本発明に係る液晶組成物を注入し、基板の規制力
を利用して強誘電性液晶化合物を基板に平行に配向させ
、２枚の偏光板の間に、この液晶組成物を注入した薄膜
セルを介在させ、この薄膜セルに外部電界を印加し、強
誘電性液晶化合物の配向ベクトルを変えることにより、
２枚の偏光板と強誘電性液晶化合物の複屈折とを利用し
、て表示を行なう方法である。この場合に用いる！［！
は、その表面にシリカなどが斜方蒸着されていることが
好ましい。

また、第２の方法は、本発明の液晶組成物と二色性色素
とを混合し、色素の二色性を利用する方法であり、この
方法は、強誘電性液晶組成物の配向方向を変えることに
より色素による光の吸収を変えて表示を行なう方法であ
る。この場合に使用する色素は通常二色性色素であり、
このような二色性色素の例としては、アゾ色素、ナフト
キノン系色素、シアニン系色素およびアントラキノン系
色素等を挙げることができる。

なお、本発明に係る液晶組成物は、上記の表示方法の他
に、通常利用されている表示方法で採用することもでき
る。

また、本発明に係る液晶組成物を用いて製造された表示
デバイスは、スタテイ・ツク駆動、単純マトリックス駆
動および複合マトリックス駆動などの電気アドレス表示
、光アドレス表示、熱アドレス表示ならびに電子ビーム
アドレス表示等の駆動方式により駆動させることができ
る。

本発明に係る液相組成物は、ホワイトティラー型カラー
表示用デバイス、コレステリックネマチック相転移型表
示用デバイス、ＴＮ型セルにおけるリバースドメイン発
生防止用デバイスなどのデバイスに使用する液晶組成物
として使用することもできる また、本発明に係る液晶組成物のうち、スメクチック液
晶となる組成物は、熱書き込み表示素子、レーザー書き
込み表示素子などの記憶型表示素子に使用可能である。

本発明に係るフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステ
ル誘導体のように室温でスメクチック相を示す強誘電性
液晶化合物は、強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ
相を用いている表示素子に適用すると、室温で数十マイ
クロセコンドの高速応答性が実現できるので、各走査に
要する時間が大巾に短縮され、走査線の多い大画像デイ
スプレィを、温度コントロールのための補助手段を用い
ることなく、容易に走査させることができる。

本発明に係る液晶組成物のうち、強誘電性液晶を薄膜セ
ルに適用すれば、自発分極により電界消去後もメモリー
効果をもつので、消費電力が少なく、しかも表示素子の
コントラストが安定する。

さらに、液晶分子の配向方向を変えるだけでスイッチン
グができ、電界強度の一次項が駆動に効くので低電圧駆
動が可能となる。またたとえば光スイツチング素子に用
いて数μｍのギャップの２枚の基板間にカイラルスメク
チック相を実現すると、カイラルスメクチック相は、系
の対称性が低いため、双安定性を示す、それ故２つの状
態間を電界反転することにより、光スイッチングを行な
うことができる。対称性の低い高次の液晶相でも２つ以
上の安定状態を示すので同様に光スイッチングを行なう
ことができる。さらにスメクチックＡ相においても電界
により誘起的に液晶分子が傾くので光スイッチングを行
なうことができる。

なお、本発明に係る強誘電性液晶は、上記のような用途
の外表水素子のほか、光シヤツターや液晶プリンターな
どの光スイツチング素子、圧電素子および焦電素子とし
ても用いることができる。

１旦二憇１ 本発明に係るフェニルシクロヘキシルカルボン酸エステ
ル誘導体およびそれを含有する液晶組成物は、室温付近
およびそれ以下の温度でスメクチック相を呈する新規な
強誘電性液晶物質である。

したがって、本発明に係るフェニルシクロヘキシルカル
ボン酸エステル誘導体を有する液晶組成物は、同種また
は他種の液晶化合物の配合によって、強誘電性を損うこ
となく、液晶相の温度範囲を低温化、広域化することが
できる。

さらに、このような液晶組成物を用いることにより、室
温で高速応答性が実現でき、走査時間が大巾に短縮でき
る。

また、このような特性を有する液晶組成物を薄膜セルに
充填して用いることにより、フェニルシクロヘキシルカ
ルボン酸エステル誘導体が自発分極をもつので、電界消
去後もメモリー効果をもつデバイスを得ることができる
。このようなデバイスは、消費電力が少なく、安定した
コントラストが得られる。まｆＳ低電圧駆動も可能であ
る。

このようなデバイスは、双安定性を示すので、光スイツ
チング素子用に好適である。

（実施例） 次に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。

天」自１１ ４’−［４”−（Ｒ−２°゛−メチルブチルオキシカル
ボニル）フェニルオキシカルボニル］−シクロへキシル
−４−デシルオキシベンゼンの製造 Ｃ１０Ｈ２１０＋→３→ｃｏｏ　−■−ｃｏｏ−−Ｃ１
１−”ＣＨ（ＣＭ　　）−Ｃ２Ｉ＋５星」」え附 ４−しドロキシ安息香酸６．９ｇ（５０ミリモル）、ト
２−メチルブタノール６．６ｇ（７５ミリモル）、濃硫
酸０．３ｍｌをベンゼン４０ｍ１中で２４時間撹拌した
後、エーテル抽出を行なった。抽出物を水洗し、重曹水
で中和し、さらに水洗した後、濃縮した。

得られた濃縮物をカラムクロマトグラフィーをにより分
離し、目的物である４−（２°−メチルブチルオキシカ
ルボニル）−ヒドロキシベンゼン１０．０ｇ（４８ミリ
モル）を得た。

肛λ且コ ４°−デシルオキシビフェニル−４−カルボン酸３．５
ｇ＜１０ミリモル）、金属ナトリウム２１０ｇ１６モル
）およびイソアミルアルコール１．５１を還流装置に入
れ、１２時間加熱還流を行なった。

次いで、反応系に水を加え、共沸によりイソアミルアル
コールを留出させた。イソアミルアルコールを留出させ
た残部に水と塩酸とを加え、中和を行なった。

中和後、エーテル抽出を行なって、抽出物を水洗し、濃
縮した後、ヘキサン溶媒にて再結晶を行なったところ、
目的物である４°−カルボキシシクロへキシル−４−デ
シルオキシベンゼン２．１ｇ（５，８ミリモル）が白色
結晶として得られた。

肛ユ且１ 第２段階で得られた４゛−カルボキシシクロへキシル−
４−デシルオキシベンゼン１゜０８　ｇ　（３ミリモル
）と二塩化オキサリル２．５６０１１（３０ミリモル）
とを６０℃で５時間撹拌した後、減圧下に、未反応の二
塩化オキサリルを除去することにより目的物である酸ク
ロライドを得た。

１土且且 第１段階で得られたしドロキシベンゼン誘導体０．４７
ｔ　（２，２５ミリモル）を、２．４１ｍ１（３０ミリ
モル）のピリジンおよび１０ｍ１のテトラヒドロフラン
１０ｍ１との混合溶液に溶解し、この溶液に、第３段階
で得られた酸クロライド１゜５ミリモルをテトラヒドロ
フランに溶解した溶液を、室温にて滴下して反応させた
。

反応液を、濃縮した後、カラムクロマトグラフィーを用
いて分離操作を行なうことにより、目的物である４’−
［４°’−（Ｒ−２°゛°−メチルブチルオキシカルボ
ニル）フェニルオキシカルボニル】−シクロへキシル−
４−デシルオキシベンゼンを０．５ｇ得た。

この化合物の’Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、
Ｃ０Ｃｊ３で測定）を第１図に示す。

第１図から明らかなように、この化合物は次のような特
異なピークを示した。

δ（ｐｐｍ　）　　０．８−１．１　　（ｍ、９Ｈ，−
Ｃ１３）１．１−２．７　　（１ｍ、２９Ｈ） ３．８−４．０　　（ｔ、２Ｈ，−０−ＣＨ２−）４．
０−４．３　　（１１，２Ｈ，−０−ＣＨ２−’）６．
７−８．２　　（＋ｗ、８Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ）この
化合物の相転移温度の測定結果を以下に示す。

５３℃　　　　　　　　　　　８１℃ 上記において、Ｃｒｙは結晶相を、ｓｍ　ｃ”はカイラ
ルスメクチックＣ相を、ＳＩＡはスメクチックＡ相を、
Ｉｓｏは等方性液体相を表わす。

犬ｌ自ｉλ ４　’　−［４°’−（Ｒ−１°°°−メチルへブチル
オキシカルボニル）フェニルオキシカルボニル】−シク
ロへキシル−４−−シル　　シベンゼンの ｃ　１０　Ｈ２１０ａ　ｃｏｏ　＋　ｃｏｏ−−”ＣＨ
−（ＣＨ３）（ＣＨ２’）　５−ＣＨ３策」」え附 常法により合成された４−ベンジルオーＩｒキシ安息香
酸１１゜４ｇ（５０ミリモル）を、塩化チオニル３６．
６０１１（０，５ミリモル）およびジメチルホルムアミ
ド０．１ｍｌと混合し、７０℃にて２時間撹拌後、加熱
還流を１時間行なった。

１時間経過後、反応系から未反応の塩化チオニルを除去
することにより、目的物である４−ベンジルオキシ安息
香酸クロライドを得た。

剃λ且且 第１段階で得られた４−ベンジルオキシ安息香酸クロラ
イド１１．４ｇ（５０ミリモル）を、テトラヒドロフラ
ン１００ｍ１中に溶かし、この溶液を、Ｒ−２−オクタ
ツール６．５ｇ（５０ミリモル）とピリジン６０．４ｍ
１（０，７５ミリモル）との混合溶液の中に撹拌しなが
ら滴下した。

滴下終了後、２４時間撹拌を行ない、その後、反応液を
水中に投入し、次いでエーテル抽出を行なった。

抽出物を水洗し、濃縮後、ヘキサン溶媒にて再結晶を行
な、っなところ、目的物である１°−メチルへブチル−
４−ベンジルオキシ−ベンゾエート１２、８４　ｔ　（
３７，８ミリモル）が得られた。

１１段量 常法に従い、１°−メチルへブチル−４−ベンジルオキ
シ−ベンゾエート１２．８４ｇ　（３７，８ミリモル）
を、５％パラジウム炭素２．４９ｇが配合されているエ
タノール１５０ｍ１中に加え、常圧にて８時間水素のバ
ブリングさせ、１°−メチルへブチル−４−ベンジルオ
キシ−ベンゾエートの還元を行った。

次いで、濾過により触媒を除き、炉液を濃縮して目的物
である１°−メチルへ１チル−４−ヒドロキシ−ベンゾ
エート９．５７ｇ　（３７，８ミリモル）を得た。

匿Ａ」【附 実施例１における第２段階と同様に操作して４゛−カル
ボキシシクロへキシル−４−デシルオキシベンゼンを得
た。

桓ｊ」え附 第４段階で得られた４°−カルボキシシクロへキシル−
４−デシルオキシベンゼンを用いて、実施例１における
第３段階と同様に操作して４゛−カルボキシシクロへキ
シル−４−デシルオキシベンゼンの酸クロライドを得た
。

隻立ユ１ 第５段階で得られた酸クロライド１．２ｇ（２ミリモル
）をテトラヒドロフラン１０ｍ１に溶解した溶液を、第
３段階で得られたヒドロキシベンゼン誘導体０．５ｇ（
２ミリモル）、ピリジン２．４１ｍ１（３０ミリモル）
およびテトラヒドロフラン１０ｍ１からなる混合溶液に
室温にて滴下し、７時間撹拌した。

次いで、反応液を濃縮した後、カラムクロマトグラフィ
ーを用いて目的物である４°−［４°°−（Ｒ−ｉ”’
−メチルへブチルオキシカルボニル）フェニルオキシカ
ルボニル１−シクロへキシル−４−デシルオキシベンゼ
ン０．５５ｇを分離した。

コノ化合物ノ’Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、
Ｃ０ｃｊｌ　３で測定）を第２図に示す。

第２図から明らかなように、この化合物は次のような特
異なピークを示した。

δ（ｐｐｍ　）　　０．８−１．１　（１，９Ｈ，−Ｃ
Ｈ５）１．２−２．８　　＜　ｎ、３６Ｈ） ３．８−４．０　（ｔ、２Ｎ、−Ｑ−Ｃ）１２−）５．
０−５．２　（ＩＩ、Ｈ，−０−ＣＨ２−）６．８−８
．２　　（１，８Ｈ，ａｒｏｌｌａｔｉｃ）この化合物
の相転移温度の測定結果を以下に示す。

６０℃　　　　　　　　　　８１・Ｃ Ｃｒｙ　　　　　　　　５ＩＩＡ　　　　　　　ｒｓ。

〈０℃　　　　　　　　　　８１℃

【図面の簡単な説明】

第１図は４°−［４”−（Ｒ−２”’−メチルブチルオ
キシカルボニル）フェニルオキシカルボニルツーシクロ
へキシル−４−デシルオキシベンゼンの１Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルめチャートである。 第２図は４°−［４”−（Ｒ−１°ローメチルへブチル
オキシカルボニル）フェニルオキシカルボニルツーシク
ロへキシル−４−デシルオキシベンゼンのＩＨ−ＮＭＲ
スペクトルのチャートである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）次式（ I ）で表わされるフェニルシクロヘキシル
   カルボン酸エステル誘導体： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） ［ただし、式（ I ）において、Ｘは、炭素数６〜１８
   のアルキル基、アルコキシ基およびハロゲン化アルキル
   基よりなる群から選ばれる一種の基であり、 Ｙは、▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、ｎは０〜３の整数であり、ｍは１〜６の整数
   であり、Ｚは、メチル基、エチル基、メトキシ基、ハロ
   ゲン原子およびハロゲン化メチル基よりなる群から選ば
   れる一種の基若しくは原子である）で表わされる基であ
   る］。 ２）次式（ I ）で表わされるフェニルシクロヘキシル
   カルボン酸エステル誘導体を少なくとも一種含有するこ
   とを特徴とする液晶組成物： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） ［ただし、式（ I ）において、Ｘは、炭素数６〜１８
   のアルキル基、アルコキシ基およびハロゲン化アルキル
   基よりなる群から選ばれる一種の基であり、 Ｙは、▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、ｎは０〜３の整数であり、ｍは１〜６の整数
   であり、Ｚは、メチル基、エチル基、メトキシ基、ハロ
   ゲン原子およびハロゲン化メチル基よりなる群から選ば
   れる一種の基若しくは原子である）で表わされる基であ
   る］。