JP3044815B2 - ピリミジン誘導体及びそれを含む強誘電性液晶組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て有用な、新規の強誘電性液晶材料に関するもので、更
に詳しくいえば、従来の液晶材料と比較して配向性、応
答特性等に優れ、液晶表示素子の材料として有用な化合
物、及び該化合物を含有する強誘電性液晶組成物に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、広く用いられている液晶表示素子
は、主にネマチック液晶を利用したツイスティッド・ネ
マチック（ＴＮ）型、あるいはスーパー・ツイスティッ
ド・ネマチック（ＳＴＮ）型と呼ばれるものであり、多
くの利点を有しているものの、その応答速度は、ＣＲＴ
等の発光型の表示方式と比較すると格段に遅いという大
きな欠点を有し、その応用に大きな制限があった。その
他の液晶表示方式も多方面から検討されているが、その
応答性の改善は余りなされていないのが実状である。

【０００３】ところが、最近見いだされた強誘電性キラ
ルスメクチック液晶を利用した液晶表示素子において
は、従来のＴＮ型などの表示素子の１００倍以上もの高
速応答が可能となった。さらに双安定性を有するため、
電源を切っても表示の記憶（メモリー効果）が得られる
ことが明らかになった。このため、大画面高解像度ディ
スプレイ、薄型テレビ、光シャッター、プリンターヘッ
ド等への利用可能性が大きく、現在、その実用化に向け
て活発に開発研究がなされている。

【０００４】強誘電性液晶の液晶相は、チルト系のキラ
ルスメクチック相に属するが、その中でも最も低粘性の
キラルスメクチックＣ（以下、ＳＣ^*と省略する。）相
が実用上望ましい。既に数多くのＳＣ^*相を示す液晶化
合物（以下、ＳＣ^*化合物という。）が合成され、検討
されているが、強誘電性液晶表示用光スイッチング素子
として用いるのに、十分な性質を有するものは未だ知ら
れていない。よって、他の液晶化合物と混合してＳＣ^*
相を示す液晶組成物（以下、ＳＣ^*液晶組成物とい
う。）として用いられている。このようなＳＣ^*液晶組
成物の検討は活発に行われており、現在では、キラルで
ないスメクチックＣ（以下、ＳＣと省略する。）相を示
す母体液晶に、光学活性化合物から成るキラルドーパン
トを添加する方法が一般的である。これによって高速応
答性、良好な配向性、広い作動温度範囲等の特性を合わ
せ持つＳＣ^*液晶組成物が得られるようになってきた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般的に、ＳＣ相を示
す化合物（以下、ＳＣ化合物という。）はＳＣ^*化合物
よりも低粘性であるが、充分といえるものは少ない。現
在のところ、ＳＣ母体液晶を構成するＳＣ化合物は、例
えば、一般式（Ａ）

【０００６】

【化２】

【０００７】（式中、Ｒ^a及びＲ^bはアルキル基、アルコ
キシル基、アルコキシカルボニル基、アルカノイルオキ
シ基、またはアルコキシカルボニルオキシ基を表わし、
互いに同一であっても異なっていてもよいが、同時にア
ルキル基を表わすことはない。）で表わされる化合物、
あるいは一般式（Ｂ）

【０００８】

【化３】

【０００９】（式中、Ｒ^a、Ｒ^bは、前記一般式（Ａ）と
同じ意味を表わす。）で表わされる化合物が主に用いら
れている。これらのうち、一般式（Ａ）で表わされる化
合物は、分子内にエステル結合が存在するため、その粘
性は比較的高く、これを主成分とするＳＣ母体液晶を用
いた液晶表示素子において、充分な高速応答を得ること
は困難であった。

【００１０】一方、一般式（Ｂ）で表わされる化合物
は、Ｒ^a、Ｒ^bの一方がアルキル基、他方がアルコキシル
基の場合には比較的低粘性であり、特にＲ^aが直鎖状ア
ルキル基であり、Ｒ^bが直鎖状アルコキシル基である一
般式（Ｃ）

【００１１】

【化４】

【００１２】（式中、Ｒ^c及びＲ^dは直鎖状アルキル基を
表わし、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
で表わされる化合物は、ＳＣ母体液晶の主成分として現
在汎用されている。

【００１３】しかしながら、この一般式（Ｃ）で表わさ
れる化合物には次のような問題点があった。まず、一般
式（Ｃ）で表わされる化合物の示すＳＣ相の上限温度が
あまり高くないことである。

【００１４】一般式（Ｃ）で表わされる化合物のＳＣ相
の温度範囲は、Ｒ^c、Ｒ^dの炭素原子数を大きく、具体的
には炭素原子数８〜１２のアルキル基とすることによ
り、多少高温域に拡大することが可能である。しかしな
がら、側鎖に長鎖アルキル基を有する化合物では、ＳＣ
相の高温域にスメクチックＡ（以下、ＳＡと省略す
る。）相を広い温度範囲で有するものの、ネマチック
（以下、Ｎと省略する。）相は存在しないか、あるいは
その温度範囲は非常に狭くなる傾向がある。従って、こ
のような化合物を主成分として含有するＳＣ母体液晶
も、ＳＣ相の高温域にＳＡ相を有するものの、Ｎ相は存
在しないか、あるいは存在してもその温度範囲は非常に
狭いものであった。

【００１５】また、一般的に液晶組成物の特性改善のた
めに、キラルドーパントとして用いる光学活性化合物、
あるいは応答性改善のために粘度降下剤として用いる減
粘液晶等を母体液晶に添加することがあるが、これによ
ってＳＣ相の上限温度を下げてしまい、ＳＣ相の温度範
囲を狭くする傾向があるので、一般式（Ｃ）で表わされ
る化合物を主成分とする液晶組成物に添加した場合、実
用上広い温度範囲で使用可能な液晶組成物を得ることは
かなり困難であった。

【００１６】また、これとは別に、一般的に液晶組成物
の温度範囲を特に高温域に拡大するために、主として３
環式化合物である高温液晶を添加することが知られてい
るが、この３環式化合物はいずれも粘性が高く、応答性
に悪影響を与えてしまう問題を有している。

【００１７】一方、キラルドーパントとして少量添加し
た場合に、充分大きい自発分極を誘起できるような光学
活性化合物、あるいは上記のような減粘液晶は、ＳＡ相
の温度範囲を拡大し、Ｎ相の温度範囲を狭くするか、あ
るいは消失させる傾向の強いものが多く、それらを添加
して得られるＳＣ^*液晶組成物では、ＳＣ^*相の高温域に
ＳＡ相のみを有し、Ｎ^*相を示さないものが多かった。

【００１８】ところが、現在一般的に行われている配向
方法では、ＳＣ^*相の高温域にＳＡ相およびＮ^*相を示す
ような相系列を有し、かつＮ^*相における螺旋のピッチ
が充分長い場合に良好な配向が得られ、他の相系列の場
合には配向性が劣るのが実状である。

【００１９】以上述べたように、一般式（Ｃ）で表わさ
れる化合物を主成分とするＳＣ母体液晶を用いて、高温
域まで広い温度範囲を有し、高速応答が可能で、かつ配
向性に優れたＳＣ^*液晶組成物を得ることはかなり困難
であった。

【００２０】本発明が解決しようとする課題は、低粘性
で、ＳＣ相の上限温度がより高く、ＳＡ相を示す傾向が
より弱く、Ｎ相を示す傾向がより強い化合物を提供する
ことであり、また、その化合物を含有し、高温域まで広
い温度範囲を有し、高速応答が可能で、かつ配向性に優
れた強誘電性液晶組成物を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、一般式（Ｉ）

【００２２】

【化５】

【００２３】（式中、Ｒ¹は炭素原子数８〜１２の直鎖
状アルキル基を表わすが、好ましくは炭素原子数８〜１
０の直鎖状アルキル基を表わし、Ｒ²は炭素原子数３〜
７の直鎖状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭素原
子数３〜５の直鎖状アルキル基を表わし、二重結合はト
ランス配置を表わす。）で表わされる化合物を提供す
る。 本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物の特徴
は、２位に二重結合を有する炭素原子数６〜１０のアル
ケニルオキシ基を有する点にある。

【００２４】側鎖にアルケニル基あるいはアルケニルオ
キシ基を有する化合物は、既に知られており、例えば特
開昭６１−８３１３６号公報には、４−ペンテニルオキ
シ基を有する式

【００２５】

【化６】

【００２６】の化合物が示されており、この化合物の相
転移温度は、３６．５℃（Ｃｒ→Ｎ）、５５．９℃（Ｎ
−Ｉ）であった。また、特開昭６１−２９１５３６号公
報にはクロチルオキシ基を有する式

【００２７】

【化７】

【００２８】の化合物が示されており、この化合物の相
転移温度は、５４℃（Ｃｒ→Ｎ）、６１℃（Ｎ−Ｉ）で
あった。これらの化合物は一般式（Ｉ）で表わされる化
合物の類似構造を有しているが、根本的に異なる点は、
これらの化合物はネマチック液晶材料用として開発され
たものであり、側鎖が短いためにＮ相のみを示し、ＳＣ
相を示さない点である。

【００２９】一般に、ネマチック液晶化合物の側鎖を長
くしていくと、スメクチック相を発現しやすくなるのは
よく知られたことである。しかしながら、スメクチック
相には前記ＳＡ相からスメクチックＬ（ＳＬ）相まで多
くの相が存在し、その中のどの相を示すか予想すること
は難しく、前記特開昭６１−８３１３６号公報や特開昭
６１−２９１５３６号公報からも予想されるものではな
く、また、このＳＣ化合物を含有するＳＣ^*液晶組成物
の優れた効果も予想できるものではない。

【００３０】本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物
は、例えば、以下のようにして容易に製造することがで
きる。即ち、一般式（ＩＩ）

【００３１】

【化８】

【００３２】（式中、Ｒ¹は一般式（Ｉ）におけると同
じ意味を表わす。）で表わされる化合物を塩基存在下
に、一般式（ＩＩＩ）

【００３３】

【化９】

【００３４】（式中、Ｒ²は一般式（Ｉ）と同じ意味を
表わし、二重結合はトランス配置を表わし、Ｘは塩素、
臭素又は沃素を表わす。）で表わされる化合物と反応さ
せることにより得ることができる。ここで一般式（Ｉ
Ｉ）で表わされる化合物は、一般式（Ｃ）で表わされる
化合物の合成中間体としてよく知られた化合物であり、
一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物は、対応する一般
式（ＩＶ）

【００３５】

【化１０】

【００３６】（式中、Ｒ²は一般式（Ｉ）と同じ意味を
表わし、二重結合はトランス配置を表わす。）で表わさ
れる化合物をハロゲン化することにより容易に得ること
ができる。

【００３７】ここで、一般式（ＩＶ）で表わされる化合
物は、Ｒ²が炭素原子数３〜５のアルキル基の化合物に
ついては市販されており入手が可能である。その他の化
合物についても対応するアルキニルアルコールを半還元
することにより容易に得ることができる。

【００３８】斯くして得られる一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物の代表的なものの例を第１表に示す。

【００３９】

【表１】

【００４０】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｉは等方性液体
相をそれぞれ表わす。また比較例として、Ｒ¹が炭素原
子数６のアルキル基である化合物を示した。）第１表か
ら明らかなように、一般式（Ｉ）で表わされる化合物は
高い温度域までＳＣ相を示すことが理解できる。また、
一般式（Ｃ）で表わされる化合物において、Ｒ^c、Ｒ^dが
第１表中のＮｏ．２の化合物のＲ¹、Ｒ²と等しい式

【００４１】

【化１１】

【００４２】の化合物の相転移温度は、４６℃（Ｃｒ→
ＳＣ）、４９℃（ＳＣ−ＳＡ）、６１℃（ＳＡ−Ｎ）、
６６℃（Ｎ−Ｉ）であった。この結果から第１表中のＮ
ｏ．２の化合物は、この化合物と比較するとＳＡ相が消
失し、Ｎ相の温度範囲が約２倍に拡大していることが理
解できる。また、ＳＣ相の上限温度は約６゜も上昇して
いることがわかる。前述のように、このような相系列は
液晶組成物を調製する上で、非常に好ましい。

【００４３】また、一般式（Ｃ）で表わされる化合物
で、Ｒ^c、Ｒ^dが第１表中のＮｏ．５の化合物のＲ¹、Ｒ²
と等しい式

【００４４】

【化１２】

【００４５】の化合物の相転移温度は、３７℃（Ｃｒ→
ＳＣ）、５９℃（ＳＣ−ＳＡ）、７１℃（ＳＡ−Ｉ）で
あった。第１表中のＮｏ．５の化合物は、この化合物と
比較してＳＡ相の温度範囲が狭くなり、ＳＣ相の高温域
にＳＡ相のみを示し、Ｎ相は示さないが、第１表中のＮ
ｏ．２の化合物と同様に、ＳＣ相の上限温度が上昇して
いることがわかる。

【００４６】また、本発明の液晶組成物は、一般式
（Ｉ）で表わされる化合物を含有するＳＣ母体液晶に、
光学活性化合物から成るキラルドーパントを添加してな
る強誘電性ＳＣ^*液晶組成物であり、特に等方性液体
（Ｉ）相からの冷却時に、Ｎ^*相及びＳＡ相を経てＳＣ^*
相を示す相系列を有するもので、配向性に優れ、また広
い温度範囲で使用可能で、低粘性の液晶組成物である。

【００４７】一般式（Ｉ）で表わされる化合物そのもの
が低粘性であり、ＳＣ相の上限温度が高く、ＳＡ相に比
べてＮ相を示しやすいといった性質を有するため、この
化合物を用いることにより、ＳＡ相を拡大し、Ｎ相を消
失させる傾向を示すキラルドーパントや減粘液晶化合物
を用いても、上記のような優れた特性を示す液晶組成物
を容易に調製することができる。

【００４８】このような優れた特性を充分に示すため
に、本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物をＳＣ母
体液晶中に５重量％以上含有することが好ましい。ま
た、液晶組成物の融点を降下させて、温度範囲を低温域
に拡大するためには、液晶分子の骨格や側鎖の形状の異
なった他種のＳＣ化合物を加える必要があるので、一般
式（Ｉ）の化合物の含有量は５〜５０重量％の範囲であ
ることが好ましい。

【００４９】一般式（Ｉ）で表わされる化合物とともに
母体液晶の構成成分として用いるのに適当なＳＣ化合物
としては、前述の一般式（Ｂ）あるいは一般式（Ｃ）で
表わされる化合物や、一般式（Ｄ）

【００５０】

【化１３】

【００５１】（式中、Ｒ^a及びＲ^bは一般式（Ａ）におけ
ると同じ意味を表わす。）で表わされる化合物をあげる
ことができる。 また、減粘液晶としては一般式（Ｅ）

【００５２】

【化１４】

【００５３】（式中、Ｒ^c及びＲ^dは一般式（Ｃ）におけ
ると同じ意味を表わし、シクロヘキサン環はトランス配
置である。）で表わされる化合物や、一般式（Ｆ）

【００５４】

【化１５】

【００５５】（式中、Ｒ^c及びＲ^dは一般式（Ｃ）におけ
ると同じ意味を表わす。）で表わされる化合物をあげる
ことができる。後述の実施例にも示すように、一般式
（Ｃ）で表わされる化合物のみから成るＳＣ母体液晶
（Ｍ−１）を調製した。このＳＣ母体液晶（Ｍ−１）
は、

【００５６】

【化１６】

【００５７】から成るものである。このＳＣ母体液晶
（Ｍ−１）９０重量％、及びＳＡ相を拡大し、Ｎ相を消
失させやすい光学活性化合物である式（Ｐ）

【００５８】

【化１７】

【００５９】で表わされる化合物１０重量％から成るＳ
Ｃ^*液晶組成物（Ｎ−２）は、５６℃以下でＳＣ^*相を示
し、６８℃以下でＳＡ相を示しそれ以上の温度でＩ相と
なり、Ｎ^*相は示さなかった。この液晶組成物の室温に
おける電気光学的応答速度は３４μ秒であった。

【００６０】これに対し、上記ＳＣ母体液晶（Ｍ−１）
８０重量％、及び第１表中のＮｏ．１の化合物２０重量
％から成るＳＣ母体液晶（Ｍ−２）を調製し、次にこの
ＳＣ母体液晶（Ｍ−２）９０重量％及び式（Ｐ）の化合
物１０重量％から成るＳＣ^*液晶組成物を調製したとこ
ろ、５５℃以下でＳＣ^*相を示し、６５℃以下でＳＡ相
を示し、６７℃以下でＮ^*相を示した。この液晶組成物
は上記ＳＣ^*液晶組成物（Ｎ−２）に比べて配向性が良
好で、室温における応答は３１μ秒とさらに高速応答性
を示した。

【００６１】

【実施例】以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明
するが、本発明の主旨および適用範囲はこれらの実施例
によって制限されるものではない。

【００６２】本実施例において、相転移温度の測定は温
度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計
（ＤＳＣ）を併用して行った。また、組成物中における
「％」はすべて「重量％」を表わすものとする。

【００６３】また、化合物の構造は核磁気共鳴スペクト
ル（ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確
認した。なお、ＮＭＲにおけるＣＤＣｌ₃は溶媒を表わ
し、ｓは一重線を、ｄは二重線を、ｔは三重線を、ｍは
多重線を表わす。またＩＲにおけるＮｕｊｏｌは流動パ
ラフィン中の懸濁状態における測定を表わす。 （実施例１） ２−［４−（２−ヘキセニルオキシ）フ
ェニル］−５−オクチルピリミジン（第１表中のＮｏ．
１の化合物）の合成 ２−（４−ヒドロキシフェニル）−５−オクチルピリミ
ジン１．９１ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）２０ｍｌに溶解した。この溶液に室温でｔ−ブトキ
シカリウム０．７８ｇを加え、３０分間攪拌した。この
混合物に２−ヘキセノールより合成した１−ブロモ−２
−ヘキセン１．１４ｇのＤＭＦ５ｍｌ溶液を室温で３０
分間で滴下し、さらに６時間攪拌した。反応終了後、エ
ーテルを加え、有機層を希塩酸、水、次いで飽和食塩水
で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、有機層を
ろ過した。このろ液から溶媒を留去して、粗生成物２．
０２ｇを得た。粗生成物をカラムクロマトグラフィー
（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）を用
いて精製して、２−［４−（２−ヘキセニルオキシ）フ
ェニル］−５−オクチルピリミジンの白色結晶１．６８
ｇを得た。さらにこれをエタノールから再結晶させて、
精製物を得た。 相転移温度；３８．９℃（Ｃｒ→ＳＣ）、５１．５℃
（ＳＣ−Ｎ）、６５．０℃（Ｎ−Ｉ） ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：δ＝０．９０（ｔ，６Ｈ）、
１．１３−１．２３（ｍ，１６Ｈ）、２．５６（ｔ，２
Ｈ）、４．５０（ｄ，２Ｈ）、５．４７−６．０７
（ｍ，２Ｈ）、６．９７（ｄ，２Ｈ）、８．３０（ｄ，
２Ｈ）、８．５３（ｄ，２Ｈ） ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）：１６１０、１５９０、１５５０、
１５２０、１２６０、１１７０、１１２０、１０２０、
９８０、８５０、８１０、６６０ｃｍ^-1 （実施例２〜５）実施例１と同様にして、第１表中のＮ
ｏ．２〜Ｎｏ．５の化合物を合成した。各化合物の相転
移温度は第１表に示した。 （実施例６） ＳＣ^*液晶組成物の調製 一般式（Ｃ）で表わされる化合物から成り、以下の組成
のＳＣ母体液晶（Ｍ−１）を調製した。

【００６４】

【化１８】

【００６５】さらに、このＳＣ母体液晶（Ｍ−１）８０
％及び第１表中のＮｏ．１の化合物２０％から成るＳＣ
母体液晶（Ｍ−２）を調製した。次に、このＳＣ母体液
晶（Ｍ−２）９０％、及び式（Ｐ）

【００６６】

【化１９】

【００６７】の化合物１０％から成るＳＣ^*液晶組成物
（Ｎ−１）を調製した。この液晶組成物は５５℃以下で
ＳＣ^*相を示し、６５℃以下でＳＡ相を示し、６７℃以
下でＮ^*相を示した。 （比較例１）ＳＣ母体液晶（Ｍ−１）９０％及び式
（Ｐ）の化合物１０％から成るＳＣ^*液晶組成物（Ｎ−
２）を調製した。この液晶組成物は５６℃以下でＳＣ^*
相を示し、６８℃以下でＳＡ相を示し、それ以上の温度
でＩ相となり、Ｎ^*相は示さなかった。 （実施例７） 液晶表示素子の作成 まず、ＩＴＯ蒸着ガラス板（電極面積７０mm²）にポリ
イミド形成溶液を塗布し、ポリイミド被膜を作成した
（基板Ａ）。同様にして、グラスファイバーのスペーサ
ーを混合した上記のポリイミド形成溶液を用いてスペー
サーを含んだポリイミド被膜を作成した（基板Ｂ）。こ
の基板Ａ及び基板Ｂをナイロン布でラビング処理を施し
た後、一方の基板に熱硬化型エポキシ接着剤を塗布し
て、基板Ａ及び基板Ｂをそのラビング方向が互いに平行
かつ逆向きになるように重ね合わせ、加熱硬化させ、セ
ルを作成した。

【００６８】こうして得られたセルに、実施例１で得ら
れたＳＣ^*液晶組成物（Ｎ−１）を加熱して等方性液体
（Ｉ）相とした状態で注入し、次いで徐冷を行い、Ｎ^*
相、ＳＡ相、ついでＳＣ^*相を配向させ、液晶表示素子
を得た。配向状態は非常に良好であった。このセルのセ
ル厚を測定したところ、約２．０μｍであった。

【００６９】このセルに電界強度１０Ｖ_p-p／μｍの矩
形波を印加してその電気光学的応答速度を測定したとこ
ろ、２５℃で３１μ秒と高速応答を確認できた。このと
きの自発分極は２１．８ｎＣ／ｃｍ²、チルト角は２
２．８゜であった。コントラストは非常に良好であっ
た。 （比較例２）実施例７で作製したセルに、比較例１で得
られたＳＣ^*液晶組成物（Ｎ−２）を用い、同様にして
液晶表示素子を作成した。この液晶組成物はＮ^*相を示
さず、Ｉ相から直接ＳＡ相に転移するため、実施例７と
比較して、配向性はかなり劣っていた。

【００７０】実施例７と同様にして測定した電気光学的
応答速度は、２５℃で３４μ秒であった。このときの自
発分極は２４．７ｎＣ／ｃｍ²、チルト角は２４．０゜
であった。コントラストは実施例７と比較してかなり劣
っていた。 （実施例８）以下の組成から成るＳＣ^*液晶組成物（Ｎ
−３）を調製した。

【００７１】

【化２０】

【００７２】この液晶組成物は５３℃以下でＳＣ^*相
を、７０℃以下でＳＡ相を、７１℃以下でＮ^*相を示し
た。またその融点は約−２５℃であった。実施例７と同
様にして、液晶表示素子を作成し、その電気光学的応答
速度を測定したところ、２５℃で２９μ秒と非常に高速
であった。またその配向性は非常に良好であり、コント
ラストも良好であった。これによって、広い温度範囲で
使用可能であり、配向性、応答性ともに非常に実用的な
強誘電性液晶組成物及び表示素子が得られた。

【００７３】

【発明の効果】本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合
物を含有する強誘電性液晶組成物は、広い温度範囲でＳ
Ｃ^*相を示し、室温で５０μ秒以下という高速応答が可
能である。 また、配向性に優れ、良好なコントラスト
を得ることができ、表示用光スイッチング素子の材料と
して極めて有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07D 239/26 C09K 19/34 C09K 19/42 C09K 19/58 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ¹は炭素原子数８〜１２の直鎖状アルキル基
   を表わし、Ｒ²は炭素原子数３〜７の直鎖状のアルキル
   基を表わし、二重結合はトランス配置を表わす。）で表
   わされる化合物。
2. 【請求項２】 （１）請求項１記載の化合物を含有する
   母体液晶及び（２）光学活性化合物から成るキラルドー
   パントを含有する強誘電性液晶組成物。
3. 【請求項３】 請求項２記載の強誘電性液晶組成物を構
   成要素とする液晶表示素子。