JPH0267260A - ジシアノ基を有する光学活性化合物 - Google Patents
ジシアノ基を有する光学活性化合物Info
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- JPH0267260A JPH0267260A JP63216335A JP21633588A JPH0267260A JP H0267260 A JPH0267260 A JP H0267260A JP 63216335 A JP63216335 A JP 63216335A JP 21633588 A JP21633588 A JP 21633588A JP H0267260 A JPH0267260 A JP H0267260A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気光学的表示材料として有用なジシアノ基
を有する光学活性化合物及び液晶材料に係るものであり
、特に応答性、メモリー性に優れた強誘電性液晶表示用
材料に関するものである。
を有する光学活性化合物及び液晶材料に係るものであり
、特に応答性、メモリー性に優れた強誘電性液晶表示用
材料に関するものである。
液晶表示素子は、その優れたIP!f徴(低電圧作動、
低消費電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき
目がつかれない。)によって、現在広く用いられている
。しかしながら、最も一般的であるTN型表示方式では
、CRTなどの発光型表示方式と比較すると応答が極め
て遅く、かつ印加電場を切っ九場合の表示の記憶(メモ
リー効果)が得られないため、高速応答の必要な光シヤ
ツター グリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビ
等の動画面等への応用には多くの制約があり、適したも
のとは言えなかった。
低消費電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき
目がつかれない。)によって、現在広く用いられている
。しかしながら、最も一般的であるTN型表示方式では
、CRTなどの発光型表示方式と比較すると応答が極め
て遅く、かつ印加電場を切っ九場合の表示の記憶(メモ
リー効果)が得られないため、高速応答の必要な光シヤ
ツター グリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビ
等の動画面等への応用には多くの制約があり、適したも
のとは言えなかった。
最近、メイヤーらにより強誘電性液晶を用いる表示方式
が報告され、これによるとTN型の100〜1000倍
という高速応答とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在、盛んに研究、開
発が進められている。
が報告され、これによるとTN型の100〜1000倍
という高速応答とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在、盛んに研究、開
発が進められている。
強誘電性液晶の液晶相は、チルト系のカイラルスメクチ
ック相に属するものであるが、実用的には、その中で最
も低粘性であるカイラルスメクチックC(以下、Sc”
と省略する。)相が最も望ましい。
ック相に属するものであるが、実用的には、その中で最
も低粘性であるカイラルスメクチックC(以下、Sc”
と省略する。)相が最も望ましい。
Sc*相を示す液晶化合物は、既に数多く合成され、検
討されているが、強誘電性表示素子として用いる九めの
条件としては、(イ)室温を含む広い温度範囲でSc*
相を示すこと、(ロ)良好な配向を得るために、Sc0
相の高温側に適当な相系列を有し、かつその螺旋ピッチ
が大きいこと、(ハ)適当なチルト角を有すること、(
ニ)粘性が小さいこと、(ホ)自発分極がある程度大き
いこと、が好ましいが、これらを単独で満足するものは
知られていない。
討されているが、強誘電性表示素子として用いる九めの
条件としては、(イ)室温を含む広い温度範囲でSc*
相を示すこと、(ロ)良好な配向を得るために、Sc0
相の高温側に適当な相系列を有し、かつその螺旋ピッチ
が大きいこと、(ハ)適当なチルト角を有すること、(
ニ)粘性が小さいこと、(ホ)自発分極がある程度大き
いこと、が好ましいが、これらを単独で満足するものは
知られていない。
そのため、現在では、Sc*相を示す液晶組成物(以下
、Sc*液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
、Sc*液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
Sc1液晶組成物の調製方法としては、強誘電性を示さ
ず、キラルでないスメクチックC(以下、F1aと省略
する。)相を示す液晶化合物又は組成物(以下、母体液
晶という。)に、キラルな化合物(以下、キラルドーノ
やントという。)を添加するのが一般的である。しかし
、この方法では、キラルドーパントとしてよほど大きな
自発分極を示す吃のでないと、Sc*組成物の自発分極
が小さくなりすぎて、高速応答を示さなくなる。
ず、キラルでないスメクチックC(以下、F1aと省略
する。)相を示す液晶化合物又は組成物(以下、母体液
晶という。)に、キラルな化合物(以下、キラルドーノ
やントという。)を添加するのが一般的である。しかし
、この方法では、キラルドーパントとしてよほど大きな
自発分極を示す吃のでないと、Sc*組成物の自発分極
が小さくなりすぎて、高速応答を示さなくなる。
また、キラルドー・9ントとしては、液晶相を示すこと
は必ずしも必要でないが、できる麿らば液晶性を示す方
が、組成物の液晶温度範囲を狭くしないためには好都合
である。
は必ずしも必要でないが、できる麿らば液晶性を示す方
が、組成物の液晶温度範囲を狭くしないためには好都合
である。
この目的に比較的沿ったものとして、
合物が、強め自発分極を有するものとして、宮沢らによ
り報告されている(特開昭63−48254号)。しか
し、この化合物を製造するにあたっては市販化合物から
の合成工程数が長い、有毒で後処理の面倒なシアン化合
物を用いる等製造上の問題点が多かった。
り報告されている(特開昭63−48254号)。しか
し、この化合物を製造するにあたっては市販化合物から
の合成工程数が長い、有毒で後処理の面倒なシアン化合
物を用いる等製造上の問題点が多かった。
以上の理由から、キラルドー・母ントとして母体液晶に
添加することにより大きな自発分極を示しうるもので、
かつ液晶性、できるならばキラルスメクチック相を高温
まで示し、かつ工業的に容易に製造しうる化合物が望ま
れていた。
添加することにより大きな自発分極を示しうるもので、
かつ液晶性、できるならばキラルスメクチック相を高温
まで示し、かつ工業的に容易に製造しうる化合物が望ま
れていた。
本発明が解決しようとする課題は、以上の条件を満足す
る化合物を提供し、これを用いて、Nmを含む広い温度
範囲でSc*相を示し、高速の応答性を示すことのでき
るB cI組成物を提供することにある。
る化合物を提供し、これを用いて、Nmを含む広い温度
範囲でSc*相を示し、高速の応答性を示すことのでき
るB cI組成物を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、−数式で表わさ
れる化合物を提供する。
れる化合物を提供する。
上記式中、R1は炭素原子数1〜18のアルキル基、ア
ルコキシル基又はアルカノイルオキシ基を表わし、Xは
水素原子又はフッ素原子を表わすが、R1がアルキル基
である場合には、Xは水素原子を表わす。nは0又は1
を表わすが、n = 1の場合、式(1)の化合物は3
11型となり、その液晶相を示す温度範囲が広く、Sc
*相を高温域まで示す九め、母体液晶に添加することに
よってSC8液晶組成物とした際に、SC*CI組成物
の液晶相を示す温度範囲を狭くしないので有利である。
ルコキシル基又はアルカノイルオキシ基を表わし、Xは
水素原子又はフッ素原子を表わすが、R1がアルキル基
である場合には、Xは水素原子を表わす。nは0又は1
を表わすが、n = 1の場合、式(1)の化合物は3
11型となり、その液晶相を示す温度範囲が広く、Sc
*相を高温域まで示す九め、母体液晶に添加することに
よってSC8液晶組成物とした際に、SC*CI組成物
の液晶相を示す温度範囲を狭くしないので有利である。
轟=0の場合、式(1)の化合物は、2壌型となシその
液晶性は低下するが、3環型と比較するとより大きい自
発分極を誘起し、粘度も低いという特徴がある。R2は
炭素数2〜10のアルキル基を表わすが、工業的にはn
−C6H、s−のものがより安価に入手できるので有
利である。C9は不斉炭素原子であってその絶対配置は
(R)または(S)であって、ラセミ体でないことが必
要である。
液晶性は低下するが、3環型と比較するとより大きい自
発分極を誘起し、粘度も低いという特徴がある。R2は
炭素数2〜10のアルキル基を表わすが、工業的にはn
−C6H、s−のものがより安価に入手できるので有
利である。C9は不斉炭素原子であってその絶対配置は
(R)または(S)であって、ラセミ体でないことが必
要である。
本発明に係わる式(1)の化合物は、例えば、以下の工
程図に示すようにして容易に製造することができる。
程図に示すようにして容易に製造することができる。
/
市販の式(II)の2.3−ジシアノヒドロキノンと式
(III)の光学活性2−フルカノールの0−トシレー
ト(式中、Rは式(1)におけるのと同様であってC0
はCIとは逆の絶対配置を示している。)とを塩基中で
反応させ1式(IV)の2.3−ジシアノ−4−光学活
性アルコキシフェノールが得られる。
(III)の光学活性2−フルカノールの0−トシレー
ト(式中、Rは式(1)におけるのと同様であってC0
はCIとは逆の絶対配置を示している。)とを塩基中で
反応させ1式(IV)の2.3−ジシアノ−4−光学活
性アルコキシフェノールが得られる。
一方、式(V)のカルがン酸(V)を塩化チオニルで処
理して、式(M)の酸塩化物とし、式(IV)の化合物
と式(■)の化合物をピリジン存在下で反応させて、本
発明の式(1)の化合物を得ることができる。
理して、式(M)の酸塩化物とし、式(IV)の化合物
と式(■)の化合物をピリジン存在下で反応させて、本
発明の式(1)の化合物を得ることができる。
あるいは式(fV)の化合物と式(V)の化合物とを直
接、ジシクロへキシルカルがジイミド(DCC)等の脱
水剤存在下で反応させても本発明の式(1)の化合物を
得ることができる。
接、ジシクロへキシルカルがジイミド(DCC)等の脱
水剤存在下で反応させても本発明の式(1)の化合物を
得ることができる。
斯くして製造される式(1)の化合物の代表的なものの
転移温度を第1表に掲げる。
転移温度を第1表に掲げる。
尚、液晶相及び相転移温度の測定は温度調節ステージを
備え九偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D8C)を併用
して行ったが、転移温度はその試料の純度あるいは測定
条件によって若干変動するものである。
備え九偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D8C)を併用
して行ったが、転移温度はその試料の純度あるいは測定
条件によって若干変動するものである。
第1表においてCrは結晶相、SAはスメクチック人相
、Sc9はキラルスメクチツクC相、N″はキラルネマ
チック相、■は等方性液体相を各々表わす。
、Sc9はキラルスメクチツクC相、N″はキラルネマ
チック相、■は等方性液体相を各々表わす。
☆は急冷時に液晶相を確認できるが、結晶化のため転移
温度の測定、液晶相の種類の同定が困難であることを示
している。
温度の測定、液晶相の種類の同定が困難であることを示
している。
「ら旋の向き」とはネマチック相を示す液晶に添加した
場合に誘起するら旋の向きを表わす。
場合に誘起するら旋の向きを表わす。
生成物の純度は薄層クロマトグラフィー(TLC)、高
速液体クロマトグラフィー(HPLC)で確認した。
速液体クロマトグラフィー(HPLC)で確認した。
生成物の構造は核磁気共鳴ス(クトル(NMR)、赤外
吸収スペクトル(IR)により確認した。
吸収スペクトル(IR)により確認した。
〆一つ
/
/
本発明の式(1)の化合物の大きな特徴として、キラル
ドーノ4?ンとして8c相を示す母体液晶に少量添加し
た場合に、非常に大きな自発分極を誘起できることをあ
げることができる。また、本発明の式(1)の化合物は
、特に3環型の場合において、高mまでSc*相を示し
、母体液晶に添加してその温度域を高温域に拡大する効
果をも有する。
ドーノ4?ンとして8c相を示す母体液晶に少量添加し
た場合に、非常に大きな自発分極を誘起できることをあ
げることができる。また、本発明の式(1)の化合物は
、特に3環型の場合において、高mまでSc*相を示し
、母体液晶に添加してその温度域を高温域に拡大する効
果をも有する。
例えば、後述する母体液晶(A)は、13℃〜68℃で
Sc相を示すがこれに第1表の実施例I61の化合物を
5重量%、10重量%、20重11チ添加した場合のT
a点(S、*相の上限温度)は各々71℃、71.5℃
、73℃と上昇した。ま九、後述する母体液晶CB)は
、−3℃〜43℃でSc相を示すが、この組成物を用い
た場合では、第1表の実施例41の化合物を5重量%及
び10重量%の添加した場合のTa点は、各々54℃、
58℃と大きく上昇した。
Sc相を示すがこれに第1表の実施例I61の化合物を
5重量%、10重量%、20重11チ添加した場合のT
a点(S、*相の上限温度)は各々71℃、71.5℃
、73℃と上昇した。ま九、後述する母体液晶CB)は
、−3℃〜43℃でSc相を示すが、この組成物を用い
た場合では、第1表の実施例41の化合物を5重量%及
び10重量%の添加した場合のTa点は、各々54℃、
58℃と大きく上昇した。
また、母体液晶(A)に第1表の実施例ム1の化合物を
10重量%添加したSC*組成物において、66°(T
e−T=5°)における自発分極の値は、2、54 n
C7cm2と大きいものであった。
10重量%添加したSC*組成物において、66°(T
e−T=5°)における自発分極の値は、2、54 n
C7cm2と大きいものであった。
また、本発明の式(1)の化合物は、2個の置換シアノ
基の影響により誘電率異方性が大きい負の値を有する。
基の影響により誘電率異方性が大きい負の値を有する。
従って、ACスタビライズ駆動方式にも好適に使用する
ことができる。
ことができる。
更に本発明の式(1)の化合物の誘起するら旋ピッチは
非常に小さいのでSTN液晶へのキラルドーノ9ントと
して用いることも可能である。
非常に小さいのでSTN液晶へのキラルドーノ9ントと
して用いることも可能である。
さて、本発明の母体液晶に用いられる化合物としては、
例えば2m屋ではフェニルベンゾエート系化合物(A)
やピリミジン系化合物(B)などをあげることができる
。
例えば2m屋ではフェニルベンゾエート系化合物(A)
やピリミジン系化合物(B)などをあげることができる
。
(Ha 、 Hbはそれぞれ独立的に直鎖状又は分岐状
のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカル?ニルオキ
シ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルMニル
オキシ基のいずれかを表わす。)(R,Rは前記と同様
である。) また、A、Bを含めて一般式Cで表わされる化合物であ
れば、この目的に用いることができる。
のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカル?ニルオキ
シ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルMニル
オキシ基のいずれかを表わす。)(R,Rは前記と同様
である。) また、A、Bを含めて一般式Cで表わされる化合物であ
れば、この目的に用いることができる。
高温域に拡大するためには、3環型の化合物を用いるこ
とができる。この3積属化合物は、−船釣には弐〇で表
わすことができる。
とができる。この3積属化合物は、−船釣には弐〇で表
わすことができる。
D =
(R、Rは前記と同様であり、2.は−coo−。
−0CO−−CH20−、−0CH2−−CH2CH2
−、−CEIC−るいはこれらのハロダン置換体を表わ
す。)さらに、これらの組成物のSa*相の温度範囲を
を表わし、2.及びz2はそれぞれ独立的に、−COO
−−OCO−、−C)! 0− −0CH2−−CH2
CH2−、−CミC−又は単結合を表わす。) これらは単独で用いることができるが、2成分以上の組
成物として用いる方がより広い温度範囲が得られるため
好都合である。t&(A)〜(D)以外でもSc相を示
す化合物ならば、同様に用いることができる。(A)
−(D)に示された化合物、もしくは(A)〜(D)以
外の化合物であって、それ自身Se相を示さないもので
ありても、粘性の低い、液晶性化合物であれば、組成物
の粘度低下のために加えることも、応答を速くするため
には有効な方法である。
−、−CEIC−るいはこれらのハロダン置換体を表わ
す。)さらに、これらの組成物のSa*相の温度範囲を
を表わし、2.及びz2はそれぞれ独立的に、−COO
−−OCO−、−C)! 0− −0CH2−−CH2
CH2−、−CミC−又は単結合を表わす。) これらは単独で用いることができるが、2成分以上の組
成物として用いる方がより広い温度範囲が得られるため
好都合である。t&(A)〜(D)以外でもSc相を示
す化合物ならば、同様に用いることができる。(A)
−(D)に示された化合物、もしくは(A)〜(D)以
外の化合物であって、それ自身Se相を示さないもので
ありても、粘性の低い、液晶性化合物であれば、組成物
の粘度低下のために加えることも、応答を速くするため
には有効な方法である。
この目的のためには両側鎖がn−アルキル基である化合
物が%に有効である。
物が%に有効である。
前述の母体液晶(A)は、
72℃以下でS、相を、81’C以下でN相を示す組成
物である。
物である。
また、前述の母体液晶(B)は、
から成り、融点が13℃で、68℃以下でSe相を、か
ら成り、融点が一3℃で、43℃以下でSo相、65℃
以下で8□相、76.5℃以下でN相を示す組成物であ
る。
ら成り、融点が一3℃で、43℃以下でSo相、65℃
以下で8□相、76.5℃以下でN相を示す組成物であ
る。
さて、得られ九液晶化合物あるいは組成物は、2枚の透
明ガラス電極間に均一な厚さ(1m〜20μm程度)で
封入することKよシ、液晶デバイスとして使用すること
ができる。良好なコントラストを得るためには、均一に
配向し九モノドメインとする必要があり、このために多
くの方法が試みられている。特に最近では、等方性液体
相(1)→カイラルネ!チック相(N“)→スフクチ1
2人相< SA )→カイラルスメクチックC相(Sa
” )という相系列を示す液晶を配向処理を施したセル
で、特にN0相のら旋ピッチを大きくして、配向させる
方法が一般によ〈用いられている。このような場合に、
キラルドーノ4’ 7 )として、本発明の式(1)の
化合物のみを用いると、そのら旋ピッチが小さくなりす
ぎ、配向に悪影響を及ぼすこともありうるが、ら旋の捩
り方向が逆であるような化合物、例えばCIが(R)配
置の不斉炭素原子である場合には、光学活性基として有
する化合物上キラルド−ノfントとして併用し、CIが
(S)配置の不斉炭素原子であ光学活性基として有する
化合物をキラルドーパントとして併用するとら旋ピッチ
を大きくして、この目的にかなうことができる。併用す
る化合物としては、上に掲げた光学活性基を有する化合
物以外でもら旋の捩れ方向が逆であって、自発分極の方
向が同一かあるいは本発明の式(I)の化合物と比較す
ると極めて小さいような化合物であれば同様に用いるこ
とができる。
明ガラス電極間に均一な厚さ(1m〜20μm程度)で
封入することKよシ、液晶デバイスとして使用すること
ができる。良好なコントラストを得るためには、均一に
配向し九モノドメインとする必要があり、このために多
くの方法が試みられている。特に最近では、等方性液体
相(1)→カイラルネ!チック相(N“)→スフクチ1
2人相< SA )→カイラルスメクチックC相(Sa
” )という相系列を示す液晶を配向処理を施したセル
で、特にN0相のら旋ピッチを大きくして、配向させる
方法が一般によ〈用いられている。このような場合に、
キラルドーノ4’ 7 )として、本発明の式(1)の
化合物のみを用いると、そのら旋ピッチが小さくなりす
ぎ、配向に悪影響を及ぼすこともありうるが、ら旋の捩
り方向が逆であるような化合物、例えばCIが(R)配
置の不斉炭素原子である場合には、光学活性基として有
する化合物上キラルド−ノfントとして併用し、CIが
(S)配置の不斉炭素原子であ光学活性基として有する
化合物をキラルドーパントとして併用するとら旋ピッチ
を大きくして、この目的にかなうことができる。併用す
る化合物としては、上に掲げた光学活性基を有する化合
物以外でもら旋の捩れ方向が逆であって、自発分極の方
向が同一かあるいは本発明の式(I)の化合物と比較す
ると極めて小さいような化合物であれば同様に用いるこ
とができる。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨および適用範囲は、これらの実施例に
よシ、制限されるものではない。
論、本発明の主旨および適用範囲は、これらの実施例に
よシ、制限されるものではない。
実施例1
(R)−2,3−ジシアノ−4−(l−メチルへグチル
オキシ)フェニル4′−オクチルオキシビフェニル−4
−カルざキシレートの合成(式(1)において、i
n −CaHl 、0− 。
オキシ)フェニル4′−オクチルオキシビフェニル−4
−カルざキシレートの合成(式(1)において、i
n −CaHl 、0− 。
X= tl * n = 1 、 R2=n−C6H1
3−+ CIの絶対配置(R)の化合物)2.3−ソシ
アノハイドロキノン10.0.9(62,5ミリモル)
をジメチルホルムアミド(以下、DMF’と省略する。
3−+ CIの絶対配置(R)の化合物)2.3−ソシ
アノハイドロキノン10.0.9(62,5ミリモル)
をジメチルホルムアミド(以下、DMF’と省略する。
)300−に溶解し、この溶液に、カリウムt−シトキ
シド14.0.9(125ミリモル)t−加えて60℃
に加熱し喪。この溶液に、(S) −1−メチルヘプチ
ルp−)ルエンスルホネート17.8II(62,6ミ
リそル)t−滴下し、滴下終了後、同温度で6時間攪拌
した後、室温まで放冷した。この反応混合物に10−塩
酸を加えて弱酸性とし、水llを加えた後、酢酸エチル
500ILlで抽出した。有機層を、水層が中性となる
まで、水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し虎。抽
出液から溶媒を留去し、抽出物をシリカグルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒:ヘキサンー酢酸エチル)を
用いて精製し、イルエンから再結晶させて(S) −2
,3−ジシアノ−4−(l−メチルへブチルオキシ)フ
ェノール3.2.9(収率19%)を得た。
シド14.0.9(125ミリモル)t−加えて60℃
に加熱し喪。この溶液に、(S) −1−メチルヘプチ
ルp−)ルエンスルホネート17.8II(62,6ミ
リそル)t−滴下し、滴下終了後、同温度で6時間攪拌
した後、室温まで放冷した。この反応混合物に10−塩
酸を加えて弱酸性とし、水llを加えた後、酢酸エチル
500ILlで抽出した。有機層を、水層が中性となる
まで、水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し虎。抽
出液から溶媒を留去し、抽出物をシリカグルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒:ヘキサンー酢酸エチル)を
用いて精製し、イルエンから再結晶させて(S) −2
,3−ジシアノ−4−(l−メチルへブチルオキシ)フ
ェノール3.2.9(収率19%)を得た。
4′−オクチルオキシビフェニル−4−カルボン酸を塩
化チオニルで処理して得た4′−オクチルオキシビフェ
ニル−4−カルボン酸塩化物380III9及び上記の
(S) −2,3−ジシアノ−4−(1−メチルへブチ
ルオキシ)フェノール300■を塩化メチレン8 j!
7Kll!解し、この溶液にピリジン2Mを加え、還流
下、4時間加熱攪拌し九。放冷後、エーテル及び10%
塩酸を加え、有機層を飽和炭酸水素す) IJウム水溶
液、水、飽和食塩水で順次洗浄し友。有機層から溶媒を
留去して得られた粗生成物580rR9をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーを用いて精製し、標記化合物の
白色結晶300m9を得た。(収率47%) 更にエタノールから再結晶させて精製し良化合物の相転
移温度を測定したところ、3a”−N”点105℃、N
”−I点106℃、融点104℃でありた。
化チオニルで処理して得た4′−オクチルオキシビフェ
ニル−4−カルボン酸塩化物380III9及び上記の
(S) −2,3−ジシアノ−4−(1−メチルへブチ
ルオキシ)フェノール300■を塩化メチレン8 j!
7Kll!解し、この溶液にピリジン2Mを加え、還流
下、4時間加熱攪拌し九。放冷後、エーテル及び10%
塩酸を加え、有機層を飽和炭酸水素す) IJウム水溶
液、水、飽和食塩水で順次洗浄し友。有機層から溶媒を
留去して得られた粗生成物580rR9をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーを用いて精製し、標記化合物の
白色結晶300m9を得た。(収率47%) 更にエタノールから再結晶させて精製し良化合物の相転
移温度を測定したところ、3a”−N”点105℃、N
”−I点106℃、融点104℃でありた。
2 H、−CH20−)δ1.50(2重線、3H90
べ3)δ0.8〜2.0(多重線、28H1その他の水
素)I R: 3090.2250.1745,1
605.15B0.1530゜1250.1190.1
125.1080.1040.965,870゜835
.765,715,695(cfR−’)実施例2 実施例Iにおいて、(R) −1−メチルヘプチルp−
トルエンスルホネートに代えて(S) −1−メチルヘ
プチルp−トルエンスルホネートを用いた以外は、実施
例1と同様にして(S) −2,3−ジシアノ−4−(
1−メチルへブチルオキシ)フェニル4′−オクチルオ
キシピフェニル−4−力/I/?キシレート(前記第1
表の実施例A2の化合物)を得た。
べ3)δ0.8〜2.0(多重線、28H1その他の水
素)I R: 3090.2250.1745,1
605.15B0.1530゜1250.1190.1
125.1080.1040.965,870゜835
.765,715,695(cfR−’)実施例2 実施例Iにおいて、(R) −1−メチルヘプチルp−
トルエンスルホネートに代えて(S) −1−メチルヘ
プチルp−トルエンスルホネートを用いた以外は、実施
例1と同様にして(S) −2,3−ジシアノ−4−(
1−メチルへブチルオキシ)フェニル4′−オクチルオ
キシピフェニル−4−力/I/?キシレート(前記第1
表の実施例A2の化合物)を得た。
実施例3及び4
実施例1において、4/−オクチルオキシピフェニル−
4−カルがン酸塩化物に代えて4−オクチルオキシ安息
香酸塩化物又は3′−フルオロ−4′−デカノイルオキ
シピフェニル−4−カルゲン酸塩化物を各々用いた以外
は、実施例1と同様にして、(R) −2,3−ジシア
ノ−4−(1−メチルへブチルオキシ)フェニル4−オ
クチルオキシベンゾエート(前記第1表の実施例ム3の
化合物)及び(R) −2,3−ジシアノ−4−(1−
メチルへブチルオキシ)フェニル3′−フルオロ−4′
−デカノイルオキシピフェニル−4−カル−キシレート
(前記第1表の実施例A4の化合物)を各々得た。
4−カルがン酸塩化物に代えて4−オクチルオキシ安息
香酸塩化物又は3′−フルオロ−4′−デカノイルオキ
シピフェニル−4−カルゲン酸塩化物を各々用いた以外
は、実施例1と同様にして、(R) −2,3−ジシア
ノ−4−(1−メチルへブチルオキシ)フェニル4−オ
クチルオキシベンゾエート(前記第1表の実施例ム3の
化合物)及び(R) −2,3−ジシアノ−4−(1−
メチルへブチルオキシ)フェニル3′−フルオロ−4′
−デカノイルオキシピフェニル−4−カル−キシレート
(前記第1表の実施例A4の化合物)を各々得た。
実施例5
前述の母体液晶(A) K実施例1で得た化合物lOチ
を添加してSc*液晶組成物を調製した。
を添加してSc*液晶組成物を調製した。
この組成物は71.5℃までSc*相を示し、81℃ま
でN1相を示した。
でN1相を示した。
この組成物を等方性液体相まで加熱し、厚さ1.9μm
のスペーサーを介し、ポリイミドコーティングラビング
配向処理を行った2枚のがラス透明電極間に充填し、5
°/分の割合で徐冷し、SC1液晶表示セルを作成した
。
のスペーサーを介し、ポリイミドコーティングラビング
配向処理を行った2枚のがラス透明電極間に充填し、5
°/分の割合で徐冷し、SC1液晶表示セルを作成した
。
このセルに1(J/ の矩形波を印加してその応−
p 答速度を測定したところ、66.5℃で28μ秒という
高速応答性を示し友。
p 答速度を測定したところ、66.5℃で28μ秒という
高速応答性を示し友。
このときの自発分極は2.54 nC/cm”であった
。
。
本発明の化合物は、キラルドー/?ントとして、母体と
なるSC相を示す液晶化合物又は組成物に混合してSc
*液晶組成物とした場合において、少量の添加で大きい
自発分極を誘起することができる。
なるSC相を示す液晶化合物又は組成物に混合してSc
*液晶組成物とした場合において、少量の添加で大きい
自発分極を誘起することができる。
また本発明の式(1)の化合物は、実施例にも示したよ
うに、工業的にも容易に製造でき、それ自体無色であっ
て、光、水分、熱等に対すZ化学的安定性に優れるもの
であり、非常に実用的である0更に、本発明における強
誘電性液漏化合物又は本発明の式(1)の化合物を含有
する組成物は、配向性が良好であり、応答速度が従来の
ネマチック液晶の100倍以上と極めて大きく、液晶デ
バイスの材料として極めて有用である。
うに、工業的にも容易に製造でき、それ自体無色であっ
て、光、水分、熱等に対すZ化学的安定性に優れるもの
であり、非常に実用的である0更に、本発明における強
誘電性液漏化合物又は本発明の式(1)の化合物を含有
する組成物は、配向性が良好であり、応答速度が従来の
ネマチック液晶の100倍以上と極めて大きく、液晶デ
バイスの材料として極めて有用である。
また、本発明の式(1)の化合物を従来のネマチック液
晶に添加した場合、少量の添加で小さいら旋ピッチを生
じるので、STN液晶を製造するための液晶材料として
も有用である。
晶に添加した場合、少量の添加で小さいら旋ピッチを生
じるので、STN液晶を製造するための液晶材料として
も有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は炭素原子数1〜18のアルキル基、ア
ルコキシル基又はアルカノイルオキシ基を表わし、Xは
水素原子又はフッ素原子を表わすが、R^1がアルキル
基である場合には、Xは水素原子を表わす。nは0又は
1を表わし、R^2は炭素原子数2〜10のアルキル基
を表わし、C^*は(R)配置又は(S)配置の不斉炭
素原子を表わす。)で表わされる光学活性化合物。 2、R^1が炭素原子数1〜18のアルコキシル基であ
る請求項1記載の光学活性化合物。 3、nが1である請求項2記載の光学活性化合物。 4、R^1がn−オクチルオキシ基であり、Xが水素原
子であり、C^*が(R)配置の不斉炭素原子であり、
R^2がn−ヘキシル基である請求項3記載の光学活性
化合物。 5、R^1がn−オクチルオキシ基であり、Xが水素原
子であり、C^*が(S)配置の不斉炭素原子であり、
R^2がn−ヘキシル基である請求項3記載の光学活性
化合物。 6、R^1がn−デカニルオキシ基であり、Xがフッ素
原子であり、C^*が(R)配置の不斉炭素原子であり
、R^2がn−ヘキシル基である請求項3記載の光学活
性化合物。 7、nが0である請求項2記載の光学活性化合物。 8、R^1がn−オクチルオキシ基であり、Xが水素原
子であり、C^*が(R)配置の不斉炭素原子であり、
R^2がn−ヘキシル基である請求項7記載の光学活性
化合物。 9、請求項1記載の光学活性化合物を含有する液晶組成
物。 10、スメクチックC相を示す液晶化合物又は組成物に
、請求項1記載の光学活性化合物を含有するキラルドー
パントを添加して成ることを特徴とする強誘電性キラル
スメクチック液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63216335A JP2638988B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | ジシアノ基を有する光学活性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63216335A JP2638988B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | ジシアノ基を有する光学活性化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0267260A true JPH0267260A (ja) | 1990-03-07 |
JP2638988B2 JP2638988B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=16686931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63216335A Expired - Fee Related JP2638988B2 (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | ジシアノ基を有する光学活性化合物 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2638988B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5607780A (en) * | 1993-07-30 | 1997-03-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof |
CN103058886A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-04-24 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 多氟多氰类液晶化合物及其制备方法与应用 |
CN108085020A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-05-29 | 烟台显华化工科技有限公司 | 一种负介电各向异性液晶组合物及其应用 |
CN108315017A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-07-24 | 烟台显华化工科技有限公司 | 一种具有负介电各向异性的液晶化合物及其制备方法和应用 |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63216335A patent/JP2638988B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5607780A (en) * | 1993-07-30 | 1997-03-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof |
CN103058886A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-04-24 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 多氟多氰类液晶化合物及其制备方法与应用 |
CN108085020A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-05-29 | 烟台显华化工科技有限公司 | 一种负介电各向异性液晶组合物及其应用 |
CN108315017A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-07-24 | 烟台显华化工科技有限公司 | 一种具有负介电各向异性的液晶化合物及其制备方法和应用 |
CN108315017B (zh) * | 2018-02-01 | 2020-02-07 | 烟台显华化工科技有限公司 | 一种具有负介电各向异性的液晶化合物及其制备方法和应用 |
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