JPS60255753A - 液晶性化合物 - Google Patents
液晶性化合物Info
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- JPS60255753A JPS60255753A JP11081884A JP11081884A JPS60255753A JP S60255753 A JPS60255753 A JP S60255753A JP 11081884 A JP11081884 A JP 11081884A JP 11081884 A JP11081884 A JP 11081884A JP S60255753 A JPS60255753 A JP S60255753A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の利用分野〕
本発明は、長鎖状のアシルオキシ型のスメクチック液晶
性化合物、それを含有する液晶組成物、及び該液晶組成
物を液晶層とする液晶表示素子に関する。
性化合物、それを含有する液晶組成物、及び該液晶組成
物を液晶層とする液晶表示素子に関する。
液晶を用いた電気光学的表示素子には、従来より様々な
表示原理が応用され、実用化されている。
表示原理が応用され、実用化されている。
なかでも、ねじれ配向をもつネマチック液晶を用いたＴ
Ｎ型の液晶表示体は、腕時計、電卓などに広く利用され
ている。一方、情報の多様化に伴い高精細で大面積の表
示方式が期待される液晶表示素子としては、スメクチッ
ク液晶を用いて熱と電界との相互作用によって表示する
熱書込み方式が検討されている。それらの中で、ネマチ
ック液晶を用いたＴＮ型液晶表示素子と同じ様にスメク
チック液晶を用いた熱書込み表示素子にも低電圧。
Ｎ型の液晶表示体は、腕時計、電卓などに広く利用され
ている。一方、情報の多様化に伴い高精細で大面積の表
示方式が期待される液晶表示素子としては、スメクチッ
ク液晶を用いて熱と電界との相互作用によって表示する
熱書込み方式が検討されている。それらの中で、ネマチ
ック液晶を用いたＴＮ型液晶表示素子と同じ様にスメク
チック液晶を用いた熱書込み表示素子にも低電圧。
低出力で駆動することが非常に重要視されており、それ
に適した液晶性化合物を見出すことが要求されている。
に適した液晶性化合物を見出すことが要求されている。
一般に液晶表示素子の動作電圧に対応する液晶のしきい
値電圧（Ｖ Ｔｈ ）を低くするには。
値電圧（Ｖ Ｔｈ ）を低くするには。
液晶の誘電率異方性（Δε）を大きくする必要がある。
これまで知られている中で、代表的なスメクチック液晶
で比較的大きな正の誘電異方性を示（式中、Ｒ′は炭素
数８〜１２月直鎖アルキル基（式中、Ｒ’ Ｏは炭素数
８〜１２の直鎖アルコキシ基を示す、） で示される液晶化合物（以下、従来形と略記する）があ
る、しかし、ビフェニル系の液晶化合物では、液晶の誘
電率異方性の物性が不十分であり、小さい欠点がある。
で比較的大きな正の誘電異方性を示（式中、Ｒ′は炭素
数８〜１２月直鎖アルキル基（式中、Ｒ’ Ｏは炭素数
８〜１２の直鎖アルコキシ基を示す、） で示される液晶化合物（以下、従来形と略記する）があ
る、しかし、ビフェニル系の液晶化合物では、液晶の誘
電率異方性の物性が不十分であり、小さい欠点がある。
また、ビフェニル系液晶化合物よりも比較的誘電率異方
性が大きくなるものには、（Ｒは炭素数３〜９のアルキ
ル基を示す、）液晶化合物がある。しかし、炭素数９ま
でのアルキル基を示すアシルオキシ型液晶は、大部分が
ネマチック液晶相を示す化合物であり、広いスメクチッ
ク相を見い出せない欠点がある。
性が大きくなるものには、（Ｒは炭素数３〜９のアルキ
ル基を示す、）液晶化合物がある。しかし、炭素数９ま
でのアルキル基を示すアシルオキシ型液晶は、大部分が
ネマチック液晶相を示す化合物であり、広いスメクチッ
ク相を見い出せない欠点がある。
本発明の目的は、広いスメクチック液晶相を示し且つ正
の誘電率異方性が大きい長鎖状のアシルオキシ型液晶性
化合物を提供するにあり、またこの液晶性化合物を一組
成成分とする液晶組成物及びそれを液晶層とする液晶表
示素子を提供することにある。
の誘電率異方性が大きい長鎖状のアシルオキシ型液晶性
化合物を提供するにあり、またこの液晶性化合物を一組
成成分とする液晶組成物及びそれを液晶層とする液晶表
示素子を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は液（式中Ｒ
は炭素数１０以上のアルキル基を示し、又Ｚは一〇Ｎ基
、−Ｆ基を示す）で表されることを特徴とする。
は炭素数１０以上のアルキル基を示し、又Ｚは一〇Ｎ基
、−Ｆ基を示す）で表されることを特徴とする。
また、本発明の第２の発明は液晶組成物の発明であって
、前記一般式（１）で表される液晶性化合物の少なくと
も１種を含有することを特徴とする。
、前記一般式（１）で表される液晶性化合物の少なくと
も１種を含有することを特徴とする。
そして、本発明の第３は液晶表示素子の発明であって、
２枚の対向する電極基板間に液晶層を挾持し、該電極基
板間に電圧を印加して該液晶層を光学的に変調させる液
晶表示素子において、該液晶層を形成する液晶組成物が
、前記一般式Ｉで表される液晶性化合物の少なくとも１
種を含有する液晶組成物であることを特徴とする。
２枚の対向する電極基板間に液晶層を挾持し、該電極基
板間に電圧を印加して該液晶層を光学的に変調させる液
晶表示素子において、該液晶層を形成する液晶組成物が
、前記一般式Ｉで表される液晶性化合物の少なくとも１
種を含有する液晶組成物であることを特徴とする。
本発明者は種々の方面から比較的誘電率異方性が大きく
て且つスメクチック相の広い化合物を見出−す、べく検
討を重ねた。その結果、分子長軸方向の分子サイズを長
鎖にすることにより、ネマチック相よりもスメクチック
相が得られやすい知見を得た。そこで、末端炭素鎖長を
長くしたアシルオキシ型の化合物を合成し本発明に至っ
た。
て且つスメクチック相の広い化合物を見出−す、べく検
討を重ねた。その結果、分子長軸方向の分子サイズを長
鎖にすることにより、ネマチック相よりもスメクチック
相が得られやすい知見を得た。そこで、末端炭素鎖長を
長くしたアシルオキシ型の化合物を合成し本発明に至っ
た。
なお、両端の非環状末端基の両端にアシルオキシ基が導
入されると、比較的スメクチック液晶になりやすい、し
かし、誘電率異方性が小さくなる。
入されると、比較的スメクチック液晶になりやすい、し
かし、誘電率異方性が小さくなる。
したがって１本発明ではアシルオキシ基を含む非環状末
端基がある場合、そのような基は一端だけに設けられる
。
端基がある場合、そのような基は一端だけに設けられる
。
また、非環状末端基は６員環同志の結合部に対してそれ
ぞれバラ位に位置することによって液晶分子が直線化し
、スメクチック液晶相がより一層図れる。
ぞれバラ位に位置することによって液晶分子が直線化し
、スメクチック液晶相がより一層図れる。
本発明の塩品性化合物は一般的な方法で例えばチオニル
を加えて還流下に加熱して酸塩化物とし、過剰の塩化チ
オニルを減圧下で完全に留去して、ピリジンに溶解した
冷溶液を＠製し、これに先の酸塩化物の不活性溶媒溶液
をかくはん下に適下し室温で反応させる９反応終了後、
反応物は氷冷して水に注ぎ出し、水層を分離しピリジン
塩を洗浄する。次いで、不活性溶媒を留出後、適当な再
結晶溶媒（エタノールなど）を用いて精製すると無色の
結晶である このようにして得られた化合物はスメチック液晶相を示
す正の誘電異方性が大きい液晶組成物成分として用いら
れ、応用例に示すような方法で１゛Ｎ表示、特に熱と電
界との相互作用によって表示する熱書込み素子に最適で
ある。
を加えて還流下に加熱して酸塩化物とし、過剰の塩化チ
オニルを減圧下で完全に留去して、ピリジンに溶解した
冷溶液を＠製し、これに先の酸塩化物の不活性溶媒溶液
をかくはん下に適下し室温で反応させる９反応終了後、
反応物は氷冷して水に注ぎ出し、水層を分離しピリジン
塩を洗浄する。次いで、不活性溶媒を留出後、適当な再
結晶溶媒（エタノールなど）を用いて精製すると無色の
結晶である このようにして得られた化合物はスメチック液晶相を示
す正の誘電異方性が大きい液晶組成物成分として用いら
れ、応用例に示すような方法で１゛Ｎ表示、特に熱と電
界との相互作用によって表示する熱書込み素子に最適で
ある。
本発明の液晶組成物は、上記液晶性化合物単独でもまた
他の液晶性化合物との混合物あるいは更に色素、旋光性
物質等の添加物を加えたものでも良い。組成比は任意に
選択できるが、望ましくは５重量％以上である。誘電率
異方性が正の液晶化合物を混合すればＴＮ表示が可能と
なり、誘電率異方性が負の液晶化合物及び二色性色素を
混合すればポジ型カラー表示が可能となる。特にスメク
チック相を有する正の大きな誘電率異方性の塩晶化合物
を混合すれば、熱と電界との相互作用によって表示する
熱書込み表示に利用できる。その他適宜添加物を選択し
てあらゆる表示が可能となる。
他の液晶性化合物との混合物あるいは更に色素、旋光性
物質等の添加物を加えたものでも良い。組成比は任意に
選択できるが、望ましくは５重量％以上である。誘電率
異方性が正の液晶化合物を混合すればＴＮ表示が可能と
なり、誘電率異方性が負の液晶化合物及び二色性色素を
混合すればポジ型カラー表示が可能となる。特にスメク
チック相を有する正の大きな誘電率異方性の塩晶化合物
を混合すれば、熱と電界との相互作用によって表示する
熱書込み表示に利用できる。その他適宜添加物を選択し
てあらゆる表示が可能となる。
以下に本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されない。なお、相転移温度の値は
測定方法や純度により若干の変動を伴うものである。
発明はこれらに限定されない。なお、相転移温度の値は
測定方法や純度により若干の変動を伴うものである。
なおまた、添付図面の第１図及び第２図は１本発明の液
晶性化合物の例の赤外吸収スペクトル線図である。
晶性化合物の例の赤外吸収スペクトル線図である。
実施例１
〈４−トリデカノイルオキシ安息香酸−４′−シアノフ
ェニルエステル（略号１２ＡＣ）の製造方法と物性〉 まず、ｐ−ヒドロキシ安息香酸１３．８ｇ（０，１モル
）をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で
冷す、その後、塩化トリデカノイル２７．９ｇ （０，
１２モル）を１０℃以下で滴下した。更に、滴下後１５
℃で４時間熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及びピ
リジンを留去して水洗した。水洗した後エーテルを注加
して更に水洗、Ｋ２ ＣＯ＊乾燥後エーテルを蒸留留去
し、残った結晶モル）をベンゼン５０ｍＱに溶解抜水中
で冷す。
ェニルエステル（略号１２ＡＣ）の製造方法と物性〉 まず、ｐ−ヒドロキシ安息香酸１３．８ｇ（０，１モル
）をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で
冷す、その後、塩化トリデカノイル２７．９ｇ （０，
１２モル）を１０℃以下で滴下した。更に、滴下後１５
℃で４時間熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及びピ
リジンを留去して水洗した。水洗した後エーテルを注加
して更に水洗、Ｋ２ ＣＯ＊乾燥後エーテルを蒸留留去
し、残った結晶モル）をベンゼン５０ｍＱに溶解抜水中
で冷す。
更に過剰の塩化チオニル２３．８ｇ （０，２モル）を
加え６０〜７０℃の油浴中で３時間還流する。
加え６０〜７０℃の油浴中で３時間還流する。
更に、Ｐ−シアノフェノール１１．９ｇ（０，１モル）
をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で冷
す、その後前記で合成したＣ１２ Ｈｅ５ＣＯ２以下で
ベンゼンに溶解して滴下した。更に、滴下後１５℃で４
時間熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及びピリジン
を留去して水洗した。水洗した後エーテルを注加して更
に水洗、Ｋ２ ＣＯ＊乾燥後ち４−トリデカノイルオキ
シ安息香酸−４′−シアノフェニルエステルは４５〜７
０℃でスメクチック液晶状態を示す液晶性化合物であっ
た。また、その元素分析値は次のごとくである。
をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で冷
す、その後前記で合成したＣ１２ Ｈｅ５ＣＯ２以下で
ベンゼンに溶解して滴下した。更に、滴下後１５℃で４
時間熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及びピリジン
を留去して水洗した。水洗した後エーテルを注加して更
に水洗、Ｋ２ ＣＯ＊乾燥後ち４−トリデカノイルオキ
シ安息香酸−４′−シアノフェニルエステルは４５〜７
０℃でスメクチック液晶状態を示す液晶性化合物であっ
た。また、その元素分析値は次のごとくである。
分析値 計算値（Ｃ９ｙＨ３３Ｎ＋ Ｏ，ｓとして）Ｃ
７４，４６％ ７４．４８％ ８ ７．５６％ ７．５９％ Ｃ３，２］％ ３．２２％ 第１図に赤外吸収スペクトルを示す。
７４，４６％ ７４．４８％ ８ ７．５６％ ７．５９％ Ｃ３，２］％ ３．２２％ 第１図に赤外吸収スペクトルを示す。
実施例２
〈４−テトラゾカッイルオキシ安息香酸−４′−シアノ
フエニルエステル（略号１３ＡＣ）の製造方法と物性〉 まず、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸１３．８ｇ（０，１モル
）をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で
冷す。その後、塩化テトラデカノイル２９．６ｇ （０
，１２モル）を１０℃以下で滴下した。更に、滴下後１
５℃で４時間熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及び
ピリジンを留去して水洗した。水洗した後エーテルを注
加して更に水洗、Ｋ２ ＣＯ３乾燥後エーテルを蒸留留
去し、残った結晶（０，１モル）をベンゼン５０ｍＱに
溶解抜水中で冷す。更に過剰の塩化チオニル２３．８
ｇ（０，２モル）を加え６０〜７０℃の油浴中で３時間
還流す更に、Ｐ−シアノフェノール１１．９ｇ （０，
１モル）をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら
水中で冷す。その後前記で合成したを１０℃以下でベン
ゼンに溶解して滴下した。更に１滴下後２０℃で５時間
熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及びピリジンを留
去して水洗した。
フエニルエステル（略号１３ＡＣ）の製造方法と物性〉 まず、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸１３．８ｇ（０，１モル
）をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で
冷す。その後、塩化テトラデカノイル２９．６ｇ （０
，１２モル）を１０℃以下で滴下した。更に、滴下後１
５℃で４時間熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及び
ピリジンを留去して水洗した。水洗した後エーテルを注
加して更に水洗、Ｋ２ ＣＯ３乾燥後エーテルを蒸留留
去し、残った結晶（０，１モル）をベンゼン５０ｍＱに
溶解抜水中で冷す。更に過剰の塩化チオニル２３．８
ｇ（０，２モル）を加え６０〜７０℃の油浴中で３時間
還流す更に、Ｐ−シアノフェノール１１．９ｇ （０，
１モル）をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら
水中で冷す。その後前記で合成したを１０℃以下でベン
ゼンに溶解して滴下した。更に１滴下後２０℃で５時間
熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及びピリジンを留
去して水洗した。
水洗した後エーテルを注加して更に水洗、Ｋ２ ＣＯ３
乾燥後エーテルを蒸留留去し、残った結晶物を工この化
合物すなわち４−テトラゾカッイルオキシ安息１１＆−
４’−シアノフェニルエステルは７１〜８８℃でスメク
チック液晶状態を示す液晶性化合物であった。また、そ
の元素分析値は次のごとくで、その赤外吸収スペクトル
は第１図と同様になる。
乾燥後エーテルを蒸留留去し、残った結晶物を工この化
合物すなわち４−テトラゾカッイルオキシ安息１１＆−
４’−シアノフェニルエステルは７１〜８８℃でスメク
チック液晶状態を示す液晶性化合物であった。また、そ
の元素分析値は次のごとくで、その赤外吸収スペクトル
は第１図と同様になる。
分析値 計算値（Ｃ２８ＨおＮ、０４として）Ｃ７４，
８５％ ７４．８３％ ８ ７．７８％ ７．８０％ Ｎ ３．１０％ ３．１２％ 同様にして以下に例示する化合物が得られる。
８５％ ７４．８３％ ８ ７．７８％ ７．８０％ Ｎ ３．１０％ ３．１２％ 同様にして以下に例示する化合物が得られる。
チーウンデカノイルオキシ安息香酸−４′シアノフエニ
ルエステル、４−ドデカノイルオキシ安息香酸−４′−
シアノフェニルエステル（７２〜９１℃でスメクチック
液晶）、４−ペンタデカノイルオキシ安息香酸−４′−
シアノフェニルエステル、４−ヘキサデカノイルオキシ
安息香酸−４′−シアノフェニルエステルなど。
ルエステル、４−ドデカノイルオキシ安息香酸−４′−
シアノフェニルエステル（７２〜９１℃でスメクチック
液晶）、４−ペンタデカノイルオキシ安息香酸−４′−
シアノフェニルエステル、４−ヘキサデカノイルオキシ
安息香酸−４′−シアノフェニルエステルなど。
実施例３
〈４−ドデカノイルオキシ安息香酸−４′−シアノフェ
ニルエステル（略号１１ＡＦ）の製造方法と物性〉 まず、ｐ−ヒドロキシ安息香酸１３．８ｇ（０，１モル
）をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で
冷す、その後、塩化ドデカノイル２６．３ｇ （０，ｔ
２モル）を１０℃以下で滴下した。更に、滴下後１５
℃で４時間熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及びピ
リジンを留去して水洗した。水洗した後エーテルを注加
して更に水洗、Ｋ２ ＣＯ＊乾燥後エーテルを蒸留留去
し、残った（０．１モル）をベンゼン５０ｍｌ１に溶解
抜水中で冷す。更に過剰の塩化チオニル２３．８ｇ （
０，２モル）を加え６０〜７０℃の油浴中で３時間還流
する。終了後過剰の塩化チオニルを留去後蒸留し更に、
ｐ−フロロフェノール１１．２ｇ （０，１モル）をベ
ンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で冷す、
その後前記で合成したを１０℃以下でベンゼンに溶解し
て滴下した。更に、滴下後１５℃で４時間熟成する。熟
成機減圧にしてベンゼン及びピリジンを留去して水洗し
た。
ニルエステル（略号１１ＡＦ）の製造方法と物性〉 まず、ｐ−ヒドロキシ安息香酸１３．８ｇ（０，１モル
）をベンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で
冷す、その後、塩化ドデカノイル２６．３ｇ （０，ｔ
２モル）を１０℃以下で滴下した。更に、滴下後１５
℃で４時間熟成する。熟成機減圧にしてベンゼン及びピ
リジンを留去して水洗した。水洗した後エーテルを注加
して更に水洗、Ｋ２ ＣＯ＊乾燥後エーテルを蒸留留去
し、残った（０．１モル）をベンゼン５０ｍｌ１に溶解
抜水中で冷す。更に過剰の塩化チオニル２３．８ｇ （
０，２モル）を加え６０〜７０℃の油浴中で３時間還流
する。終了後過剰の塩化チオニルを留去後蒸留し更に、
ｐ−フロロフェノール１１．２ｇ （０，１モル）をベ
ンゼン−ピリジン混液中で懸濁させながら水中で冷す、
その後前記で合成したを１０℃以下でベンゼンに溶解し
て滴下した。更に、滴下後１５℃で４時間熟成する。熟
成機減圧にしてベンゼン及びピリジンを留去して水洗し
た。
水洗した後エーテルを注加して更に水洗、Ｋ２ ＣＯ！
１乾燥後エーテルを蒸留留去し、残った結晶物をエタノ
ールで再結晶して無色の結晶Ｃ，，Ｈｔ３ＣＯｚわち４
−ドデカノイルオキシ安息香酸−４′−フロロフェニル
エステルは融点６８℃の化合物であった。またその元素
分析値は次のごとくで、その赤外吸収スペクトルは第２
図に示す。
１乾燥後エーテルを蒸留留去し、残った結晶物をエタノ
ールで再結晶して無色の結晶Ｃ，，Ｈｔ３ＣＯｚわち４
−ドデカノイルオキシ安息香酸−４′−フロロフェニル
エステルは融点６８℃の化合物であった。またその元素
分析値は次のごとくで、その赤外吸収スペクトルは第２
図に示す。
分析値 計算値（ＣＱｓＨ３１０４Ｆｔとして）Ｃ７４
，／１５％ ７２．４６％ ８ ７．５０％ ７．４９％ 同様にシて以下に例示する化合物が得られる。
，／１５％ ７２．４６％ ８ ７．５０％ ７．４９％ 同様にシて以下に例示する化合物が得られる。
４−ウンデカノイルオキシ安息香酸−４′−フロロフェ
ニルエステル、４−トリデカノイルオキシ安息香酸−４
’−フロロフェニルエステル、４−テトラゾカッイルオ
キシ安息香酸−４′−フロロフェニルエステル、４−ペ
ンタデカノイルオキシ安り香酸−４’−フロロフェニル
エステル、４−ヘキサデカノイルオキシ安息香酸−４′
−フロロフェニルエステルなど。
ニルエステル、４−トリデカノイルオキシ安息香酸−４
’−フロロフェニルエステル、４−テトラゾカッイルオ
キシ安息香酸−４′−フロロフェニルエステル、４−ペ
ンタデカノイルオキシ安り香酸−４’−フロロフェニル
エステル、４−ヘキサデカノイルオキシ安息香酸−４′
−フロロフェニルエステルなど。
実施例４
ＣＮとを１＝１に混合して調製した。その後、合成した
化合物１２ＡＣを１０．２０重量％混合して組成物を調
合し、相転移温度並びに誘電率異方性を測定した。その
結果を表１に示す。
化合物１２ＡＣを１０．２０重量％混合して組成物を調
合し、相転移温度並びに誘電率異方性を測定した。その
結果を表１に示す。
実施例５
実施例４のビフェニル系の既存液晶に合成した化合物１
１ＡＦを１０．２０重量％混合して組成物を調合し、相
転移温度並びに誘電率異方性を測定した。その結果を表
１に示す。
１ＡＦを１０．２０重量％混合して組成物を調合し、相
転移温度並びに誘電率異方性を測定した。その結果を表
１に示す。
表１から明らかなように、本発明の化合物を配合した液
晶組成物はスメクチック相が広くなり且つ誘電率異方性
を大きくする効果を示す。
晶組成物はスメクチック相が広くなり且つ誘電率異方性
を大きくする効果を示す。
実施例６
実施例４の液晶組成物（２０重量％混合組成物）を用い
て第３図に示す構成から成る熱書込み液晶素子を作製し
た。すなわち第３図は熱書込み液晶表示素子の構成概略
図である。第３図において、符号１はガラス基板、２は
透明電極、３は配向膜。
て第３図に示す構成から成る熱書込み液晶素子を作製し
た。すなわち第３図は熱書込み液晶表示素子の構成概略
図である。第３図において、符号１はガラス基板、２は
透明電極、３は配向膜。
４はスペーサ、５はスメクチック液晶、６は電圧電源、
７は半透明鏡、８は収束レンズ、９はレーザ光、１０は
白色ランプ、１１は拡大鏡そして１２はスクリーンを意
味する。そしてその素子の全面消去電圧を測定（ギャッ
プ２５μｍ、レーザ２出カフ２μｊ／ｄｏｔ） した結
果、現状の６０Ｖから５３Ｖに低下させることが可能と
なった。
７は半透明鏡、８は収束レンズ、９はレーザ光、１０は
白色ランプ、１１は拡大鏡そして１２はスクリーンを意
味する。そしてその素子の全面消去電圧を測定（ギャッ
プ２５μｍ、レーザ２出カフ２μｊ／ｄｏｔ） した結
果、現状の６０Ｖから５３Ｖに低下させることが可能と
なった。
以上、説明したように本発明の長鎖状のアシルオキシ型
化合物は、スメクチック液晶相が広くなり、誘電率異方
性を大きくできることから、これを用いた液晶組成物で
熱書込み液晶表示素子の全面消去電圧を低下させる効果
がある。
化合物は、スメクチック液晶相が広くなり、誘電率異方
性を大きくできることから、これを用いた液晶組成物で
熱書込み液晶表示素子の全面消去電圧を低下させる効果
がある。
第１図及び第２図は本発明による各種の液晶性物質の赤
外吸収スペクトル線図、第３図は熱書込み液晶表示素子
の構成概略図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・配向
膜、４・・・スペーサ、５・・・スメクチック液晶、６
・・・電圧電源、７・・・半透明鏡、８・・・収束レン
ズ、９・・・レーザ光、１０・・・白色ランプ、１１・
・・拡大鏡、１２・・・スクリーン。 代理人 弁理士 高橋明夫 第１頁の続き ■Ｉｎｔ、Ｃ１，’ 識別記号 庁内整理番号Ｏ発明者
北 村 輝 夫 日立市幸町３丁「所内 ■発明者 内矩 昭夫 日立車輪３Ｔ１所内
外吸収スペクトル線図、第３図は熱書込み液晶表示素子
の構成概略図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・配向
膜、４・・・スペーサ、５・・・スメクチック液晶、６
・・・電圧電源、７・・・半透明鏡、８・・・収束レン
ズ、９・・・レーザ光、１０・・・白色ランプ、１１・
・・拡大鏡、１２・・・スクリーン。 代理人 弁理士 高橋明夫 第１頁の続き ■Ｉｎｔ、Ｃ１，’ 識別記号 庁内整理番号Ｏ発明者
北 村 輝 夫 日立市幸町３丁「所内 ■発明者 内矩 昭夫 日立車輪３Ｔ１所内
Claims (1)
- （式中Ｒは炭素数１０以上のアルキル基を示し、又Ｚは
一〇Ｎ基、−Ｆ基を示す）で表されることを特徴とする
液晶性化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081884A JPS60255753A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 液晶性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081884A JPS60255753A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 液晶性化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255753A true JPS60255753A (ja) | 1985-12-17 |
Family
ID=14545433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11081884A Pending JPS60255753A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 液晶性化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60255753A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4699731A (en) * | 1985-05-23 | 1987-10-13 | Nec Corporation | Liquid crystal material for a thermal writing liquid crystal element |
| US4834906A (en) * | 1985-01-22 | 1989-05-30 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic A liquid crystal compositions |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP11081884A patent/JPS60255753A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4834906A (en) * | 1985-01-22 | 1989-05-30 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic A liquid crystal compositions |
| US4699731A (en) * | 1985-05-23 | 1987-10-13 | Nec Corporation | Liquid crystal material for a thermal writing liquid crystal element |
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