JPH02224233A - 試料処理方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、試料処理方法及び装置に係り、特に半導体素
子基板等の試料を処理するのに好適な試料処理方法及び
装置に関するものである。 〔従来の技術Ｊ 半導体素子基板等の試料は、化学溶液を用いてエツチン
グ処理されたり、例えば、プラズマを利用してエツチン
グ処理される。このような試料のエツチング処理におい
ては、エツチング処理後の試料の腐食に対して充分な注
意を払う必要がある。 このようなエツチング処理後の試料の防食技術としては
、従来、例えば、特開昭５９−１８６３２６号公報に記
載のような、エツチング室と真空を保ってエツチング室
に接続されたプラズマ処理室でレジスト膜をプラズマを
利用してアッシング（灰化）処理してレジスト膜中等に
残存する腐食性物である塩素化合物を除去するものが知
られている。また、エツチング処理後の試料の温度を２
００℃以上とすることで残存する腐食性物である塩化物
の気化を助長し、それによって、エツチング処理後の試
料の腐食を防止することが可能とされている。また、例
えば、特開昭６１−１３３３８８号公報に記載のような
、エツチング処理後の試料である被処理物をエツチング
処理室から取り出して熱処理室に搬送し、ここで加熱空
気を被処理物に吹き付は乾燥させ、その後、該被処理物
を熱処理室外に取り出して水洗、乾燥させることで、エ
ツチング処理後の被処理物の大気との反応による腐食を
防止しようとするものが知られている。 ［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術、つまり、エツチング処理後の試料をプラ
ズマを利用してアッシング処理する技術や、エツチング
処理後の試料を残存腐食性物の気化を助長させる温度に
加温する技術や、エツチング処理後の試料を乾燥させた
後に水洗、乾燥処理する技術では、試料の種類によって
は充分な防食性能が得られないといった問題を有してい
る。 例えば、配線膜がアルミニウム（ＡＩ２）等の単一金属
膜のエツチング処理後の防食は、上記従来技術でも有効
と考えられる。しかしながら、イオン化傾向が異なる金
属を有する試料、例えば、Ａｌ−銅（Ｃｕ）合金膜や、
該合金膜と高融点金属又はこれらのシリサイド膜との積
層膜等のエッチング処理後の防食効果は十分に得られな
い。 即ち、近年の目覚しい微細化の進展に伴って配線膜も増
々微細化し、エレクトロマイクレージョンやストレスマ
イグレーション等による断線を防止する目的で、配線膜
として、従来のＡｌ２−シリコン（Ｓｉ）からＣｕ含有
率が数％以下のＡｌ２−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜や、これらに
加えてコンタクト抵抗を小さ（する目的を加味して、Ａ
ｌ２−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜と高融点金属、例えば、チタン
・タングステン（ＴｉＷ）やチタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）Ｊ５よびモリブデン・シリコン（ＭｏＳｉ）膜を積
層構造にしたものが用いられるようになってきている。 このような配線膜構造の場合、Ａｌ２とＣｕ、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ等の金属のイオン化傾向が異なるため、水成分
を媒体として一種の電池作用が働き、いわゆる電蝕によ
って配線膜の腐食が加速され、エツチング処理によって
生じた腐食性物を２００℃以上の高温でプラズマを利用
してアッシング処理して除去したとしても、大気中に試
料を取り出してから数ｌＯ分分数数時間以内わずかに残
る腐食性イオンによって腐食が発生するようになる。 本発明の主な目的は、試料の種類によらずエツチング処
理後の試料の腐食を十分に防止できる試料の処理方法及
び装置を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 上記主な目的は、試料の処理方法を、試料を処理する工
程と、該処理済み試料を減圧下でプラズマを利用して後
処理する工程と、該後処理済み試料を湿式処理する工程
と、該湿式処理済み試料を乾燥処理する工程とを有する
方法とし、試料の処理装置を、試料を処理する手段と、
該処理手段での処理済み試料をプラズマ後処理する手段
と、該プラズマ後処理手段での処理済み試料を湿式処理
する手段と、該湿式処理手段での処理済み試料を乾燥処
理する手段とを具備したものとすることにより、達成さ
れる。 〔作 用Ｊ 試料は、処理手段でエツチング処理される。試料は、例
えば、プラズマや腐食ガスや腐食溶液な利用してエツチ
ング処理される。処理手段でエツチング処理された試料
は、プラズマ後処理手段で減圧下でプラズマを利用して
後処理される。プラズマ後処理手段で後処理された試料
は、湿式処理手段で湿式処理される。湿式処理手段で湿
式処理された試料は、乾燥処理手段で乾燥処理される。 これにより、エツチング処理によって生じた腐食性物は
、プラズマを利用しての後処理、湿式処理を実施するこ
とでエツチング処理済み試料から充分に除去される。こ
のため、試料の種類によらず、このようなエツチング処
理済み試料を、例えば、大気中に取り出してもその腐食
を十分に防止できる。
子基板等の試料を処理するのに好適な試料処理方法及び
装置に関するものである。 〔従来の技術Ｊ 半導体素子基板等の試料は、化学溶液を用いてエツチン
グ処理されたり、例えば、プラズマを利用してエツチン
グ処理される。このような試料のエツチング処理におい
ては、エツチング処理後の試料の腐食に対して充分な注
意を払う必要がある。 このようなエツチング処理後の試料の防食技術としては
、従来、例えば、特開昭５９−１８６３２６号公報に記
載のような、エツチング室と真空を保ってエツチング室
に接続されたプラズマ処理室でレジスト膜をプラズマを
利用してアッシング（灰化）処理してレジスト膜中等に
残存する腐食性物である塩素化合物を除去するものが知
られている。また、エツチング処理後の試料の温度を２
００℃以上とすることで残存する腐食性物である塩化物
の気化を助長し、それによって、エツチング処理後の試
料の腐食を防止することが可能とされている。また、例
えば、特開昭６１−１３３３８８号公報に記載のような
、エツチング処理後の試料である被処理物をエツチング
処理室から取り出して熱処理室に搬送し、ここで加熱空
気を被処理物に吹き付は乾燥させ、その後、該被処理物
を熱処理室外に取り出して水洗、乾燥させることで、エ
ツチング処理後の被処理物の大気との反応による腐食を
防止しようとするものが知られている。 ［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術、つまり、エツチング処理後の試料をプラ
ズマを利用してアッシング処理する技術や、エツチング
処理後の試料を残存腐食性物の気化を助長させる温度に
加温する技術や、エツチング処理後の試料を乾燥させた
後に水洗、乾燥処理する技術では、試料の種類によって
は充分な防食性能が得られないといった問題を有してい
る。 例えば、配線膜がアルミニウム（ＡＩ２）等の単一金属
膜のエツチング処理後の防食は、上記従来技術でも有効
と考えられる。しかしながら、イオン化傾向が異なる金
属を有する試料、例えば、Ａｌ−銅（Ｃｕ）合金膜や、
該合金膜と高融点金属又はこれらのシリサイド膜との積
層膜等のエッチング処理後の防食効果は十分に得られな
い。 即ち、近年の目覚しい微細化の進展に伴って配線膜も増
々微細化し、エレクトロマイクレージョンやストレスマ
イグレーション等による断線を防止する目的で、配線膜
として、従来のＡｌ２−シリコン（Ｓｉ）からＣｕ含有
率が数％以下のＡｌ２−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜や、これらに
加えてコンタクト抵抗を小さ（する目的を加味して、Ａ
ｌ２−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜と高融点金属、例えば、チタン
・タングステン（ＴｉＷ）やチタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）Ｊ５よびモリブデン・シリコン（ＭｏＳｉ）膜を積
層構造にしたものが用いられるようになってきている。 このような配線膜構造の場合、Ａｌ２とＣｕ、Ｗ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ等の金属のイオン化傾向が異なるため、水成分
を媒体として一種の電池作用が働き、いわゆる電蝕によ
って配線膜の腐食が加速され、エツチング処理によって
生じた腐食性物を２００℃以上の高温でプラズマを利用
してアッシング処理して除去したとしても、大気中に試
料を取り出してから数ｌＯ分分数数時間以内わずかに残
る腐食性イオンによって腐食が発生するようになる。 本発明の主な目的は、試料の種類によらずエツチング処
理後の試料の腐食を十分に防止できる試料の処理方法及
び装置を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 上記主な目的は、試料の処理方法を、試料を処理する工
程と、該処理済み試料を減圧下でプラズマを利用して後
処理する工程と、該後処理済み試料を湿式処理する工程
と、該湿式処理済み試料を乾燥処理する工程とを有する
方法とし、試料の処理装置を、試料を処理する手段と、
該処理手段での処理済み試料をプラズマ後処理する手段
と、該プラズマ後処理手段での処理済み試料を湿式処理
する手段と、該湿式処理手段での処理済み試料を乾燥処
理する手段とを具備したものとすることにより、達成さ
れる。 〔作 用Ｊ 試料は、処理手段でエツチング処理される。試料は、例
えば、プラズマや腐食ガスや腐食溶液な利用してエツチ
ング処理される。処理手段でエツチング処理された試料
は、プラズマ後処理手段で減圧下でプラズマを利用して
後処理される。プラズマ後処理手段で後処理された試料
は、湿式処理手段で湿式処理される。湿式処理手段で湿
式処理された試料は、乾燥処理手段で乾燥処理される。 これにより、エツチング処理によって生じた腐食性物は
、プラズマを利用しての後処理、湿式処理を実施するこ
とでエツチング処理済み試料から充分に除去される。こ
のため、試料の種類によらず、このようなエツチング処
理済み試料を、例えば、大気中に取り出してもその腐食
を十分に防止できる。
【実 施 例］
以下、本発明の一実施例を第１図〜第６図により説明す
る。 第１図で、試料処理装置は、試料をエツチング処理する
処理装置１０、プラズマ後処理装置２０、湿式処理装置
３０及び乾燥処理装置４０で構成され、各処理装置間で
試料を搬送する手段５０〜７０を少なくとも有している
。 第１図で、処理装置１０としては５試料を減圧下でプラ
ズマを利用して処理、例えば、エツチング処理する装置
が用いられる。尚、プラズマエツチング処理装置として
は、プラズマエツチング装置、反応性スパッタエツチン
グ装置、無磁場型のマイクロ波プラズマエツチング装置
、有磁場型のマイクロ波プラズマエツチング装置、電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型のマイクロ波プラズマ
エツチング装置、光励起プラズマエツチング装置、中性
粒子エツチング装置等が採用される。また、処理装置１
０としては、この他に、試料を湿式にしてエツチング処
理する装置や腐食性ガスを用いてエツチング処理する装
置等の採用も可能である。 第１図で、プラズマ後処理装置２ｏとしては、処理装置
１０での処理済み試料を減圧下でプラズマを利用して後
処理、例えば、アッシング処理する装置が用いられる。 尚、アッシング処理装置としては、プラズマアッシング
装置、無磁場型及び無磁場型のマイクロ波プラズマエツ
チング装置、ＥＣＲ型のマイクロ波プラズマアッシング
装置、光励起プラズマアッシング装置等が採用される。 第１図で、湿式処理装置３０としては、プラズマ後処理
装置２０での後処理済み試料を湿式処理、例えば、スビ
ーニング湿式処理装置が用いられる。尚、スビーニング
湿式処理装置では、後処理済み試料は、水により、例え
ば、スビーニング洗浄処理されたり、薬液、水により順
次、例えば、スビーニング洗浄処理される。この場合、
薬液は、後処理済み試料から除去される物質によって適
宜、選択される。また、処理雰囲気としては、窒素ガス
等の不活性ガス雰囲気や大気雰囲気が採用される。また
、湿式処理後、該状態で水切り等の乾燥処理が実施され
る場合がある。 第１図で、乾燥処理装置４０としては、湿式処理装置３
０での湿式処理済み試料を乾燥処理、例えば、湿式処理
済み試料を加温して乾燥処理する装置や、湿式処理済み
試料に乾燥ガスを吹付けて乾燥処理する装置等が用いら
れる。また、処理雰囲気としては、窒素ガス雰囲気や大
気雰囲気が採用される。 第１図で、試料搬送手段５０は、処理装置ｌＯの処理ス
テーション（図示省略）とプラズマ後処理装置２０の処
理ステーション（図示省略）との間で処理済み試料を搬
送する機能を有する。試料搬送手段６０は、プラズマ後
処理装置２０の処理ステーションと湿式処理装置３０の
処理ステーション（図示省略）との間で後処理済み試料
を搬送する機能を有する。試料搬送手段７０は、湿式処
理装置３０の処理ステーションと乾燥処理装置４０の処
理ステーション（図示省略）との間で湿式処理済み試料
を搬送する機能を有している。試料搬送手段５０は、処
理装置ＩＯ及びプラズマ後処理装置２０の各処理ステー
ションとの間で試料を受は渡し可能である。試料搬送手
段６０は、プラズマ後処理装置２０及び湿式処理装置３
０の各処理ステーションとの間で試料を受は渡し可能で
ある。試料搬送手段７０は、湿式処理装置３０及び乾燥
処理装置４０の各処理ステーションとの間で試料を受は
渡し可能である。試料搬送手段５０〜７０としては、公
知の搬送手段１例えば、機械的に、または、電気的に、
または、磁気的に回動または往復動させられるアームに
試料をその裏面からすくい保持する試料すくい具や試料
をその外周縁でつかみ保持する試料つかみ具や試料を吸
着、例えば、電磁吸着、真空吸着する試料吸着具が設け
られたアーム搬送装置や、駆動ローラと従動ローラとに
無端ベルトが巻き掛けられたベルト搬送装置や、気体の
吹出し力により試料を搬送する装置等が採用される。試
料搬送手段５０は、処理装置１０が試料を減圧下でプラ
ズマを利用して処理する装置である場合、処理済み試料
を大気に露呈させることなく減圧空間で搬送可能に設け
られている。 第１図で、この場合、処理装置１０で処理される試料を
処理装置１０に搬送する試料搬送手段８０と乾燥処理装
置４０で乾燥処理された試料を、例えば、回収用のカセ
ット（図示省略）に搬送する試料搬送手段９０とが設け
られている。試料搬送手段８０．９０としては、試料搬
送手段５０〜６０と同様のものが採用される。 第１図で、処理装置１０が、例えば、試料を減圧下でプ
ラズマを利用して処理する装置である場合、処理装置ｌ
Ｏの試料処理雰囲気と処理装置１０で処理される試料が
処理装置ｌＯに搬送される空間並びに処理済み試料が搬
送される空間とは、連通及び遮断可能になっている。ま
た、プラズマ後処理装置２０の試料後処理雰囲気と処理
済み試料が搬送される空間並びに後処理済み試料が搬送
される空間とは、連通及び遮断可能になっている。また
、後処理済み試料が搬送される空間、湿式処理装置３０
の試料湿式処理雰囲気、湿式処理済み試料が搬送される
空間、乾燥処理装置４０の試料乾燥処理雰囲気及び乾燥
処理済み試料が搬送される空間は、連通を保持された状
態であっても良いし、各々連通及び遮断可能であっても
良い。 第１図で、処理装置ｌＯの試料処理雰囲気には、処理ス
テーションが設けられている。処理装置１０が試料を減
圧下でプラズマを利用して処理する装置である場合、処
理ステーションは、試料台（図示省略）である、プラズ
マ後処理装置２０、湿式処理装置３０及び乾燥処理装置
４０の各処理雰囲気にも処理ステーションとして試料台
（図示省略）が各々設けられている。各試料台には、試
料が１個または複数個設置可能である。 尚、処理装置１０、プラズマ後処理装置２０では、各試
料台が試料処理雰囲気を形成する構成要素の１つとして
使用される場合もある。 第２図、第３図で、更に具体的に、かつ、詳細に説明す
る。 尚、第２図、第３図で、処理装置としては、この場合、
試料を減圧下でプラズマを利用して処理する装置が用い
られている。 第２図、第３図で、バッファ室１００の頂壁には、この
場合、４個の開口部１０１ａ−１０１ｂが形成されてい
る。バッファ室１００の底壁には、排気ノズル１０２ａ
が設けられている。排気ノズル１０２ａには、排気管（
図示省略）の一端が連結され、排気管の他端は、真空ポ
ンプ等の減圧排気装置（図示省略）の吸気口に連結され
ている。バッファ室１００の平面形状は、略り字形状で
ある。バッファ室１００は、この場合、ステンレス鋼で
形成されている。バッファ室１００を平面視した場合、
Ｌ字の長辺端から短辺側に向って順に開口部１０１ａ−
１０１ｃが形成され、開口部１０１ｄは、Ｌ字の短辺に
形成されている。開口部Ｉｏｔａ〜１０１ｄは、相隣り
合う開口部と所定間隔を有している。アーム８１がバッ
ファ室ｌＯ内で回動可能に設けられている。アーム８１
は、バッファ室１０内において同一平面内で回動可能で
ある。アーム８１の回動端には、試料すくい具８２が設
けられている。試料すくい具８２の平面形状は、略この
字形状である。アーム８１は、試料すくい具８２の略中
心の回動軌跡が開口部１０１ａＡｌ０１ｂそれぞれの中
心部と略対応するように設けられている。つまり、試料
すくぃ具８２の略中心が上記の回動軌跡を描くような位
置でアーム８１の回動支点は位置付けられている。アー
ム８１の回動支点は、その位置で上端部がバッファ室ｌ
ＯＯ内に突出させられ、また、下端部がバッファ室１０
０外に突出させられてバッファ室１００の底壁に該バッ
ファ室１００内の気密を保持して回動自在に設けられた
回動軸８３の上端に設けられている０回動軸８３の下端
は、バッファ室１００外で該バッファ室１００の底壁に
対応して配置された回動駆動手段（図示省略）に連接さ
れている。アーム５１が、アーム８１と異なる位置でバ
ッファ室１００内で回動可能に設けられている。アーム
５１は、バッファ室１００内において同一平面内、かつ
、この場合、アーム８１の回動平面と同一平面内で回動
可能である。アーム５１の回動端には、試料すくい具５
２が設けられている。試料すくい具５２の平面形状は、
試料すくい具８２のそれと路間−である。アーム５１は
、試料すくい具５２の略中心の回動軌跡が開口部１０１
ｂ〜ｔｏｌｄそれぞれの中心部と略対応するように設け
られている。つまり、試料すくい具５２の略中心が上記
の回動軌跡を描くような位置でアーム５１の回動支点は
位置付けられている。アーム５１の回動支点は、その位
置で上端部がバッファ室１００内に突出させられ、また
、下端部がバッファ室ｌＯＯ外に突出させられてバッフ
ァ室ｌＯＯの底壁に該バッファ室１００内の気密を保持
して回動自在に設けられた回動軸５３の上端に設けられ
ている０回動軸５３の下端は、バッファ室１００外で該
バッファ室１００の底９に対応して配置された回動駆動
手段、例えば、モータ５４の駆動軸に連接されている。 第３図で、試料台１１０、蓋部材１１１が開口部１０１
ａをはさみ設けられている。試料台１】０は、その表面
に試料設置面を有する。試料台１１０の平面形状、寸法
は、開口部Ｉｏｔａを塞ぐに十分な形状、寸法である。 試料台１１０は、開口部１０１８を開閉可能にバッファ
室１００内に、この場合、昇降動可能に設けられている
。昇降軸１１２は、この場合、開口部１０１ａの中心を
略軸心とし、その上端部をバッファ室１００内に突出さ
せ、また、下端部をバッファ室１００外に突出させてバ
ッファ室１００の底壁に該バッフ７室１００内の気密を
保持して昇降動自在に設けられている。試料台１１０は
、その試料設置面を上面として昇降軸１１２の上端に略
水平に設けられている。昇降軸１１２の下端は、バッフ
ァ室１００外で該バッファ室１００の底壁に対応して配
置された昇降駆動手段、例えば、シリンダ１１３のシリ
ンダロッドに連接されている。試料台１１０の上面外周
縁または該外周縁に対向するバッファ室１００の頂壁内
面つまり開口部１０１ａの周りのバッファ室１００の頂
壁内面には、気密シールリング（図示省略）が設けられ
ている。試料台１１０には、試料受渡具（図示省略）が
設けられている。つまり試料受渡具は、試料台１１０の
試料設置面より下方の位置と開口部１０１ａが試料台１
１０で閉止された状態で、開口部１０１ａより外側に突
出した位置との間で昇降動可能に設けられている。蓋部
材１１１の平面形状、寸法は、開口部Ｉｏｔａを塞ぐに
十分な形状、寸法である。蓋部材１１１は、開口部１０
１ａを開閉可能にバッファ室１００外に、この場合、昇
降動可能に設けられている。昇降軸１１４は、この場合
、昇降軸１１２の軸心と軸心を略一致させバッファ室１
００外に昇降動自在に設けられている。蓋部材１１１は
、昇降軸１１４の下端に略水平に設けられている。昇降
軸１１４の上端は、バッファ室１００外で蓋部材１１１
の上方位置に配置された昇降駆動手段１例えば、シリン
ダ１１５のシリンダロッドに連接されている。蓋部材１
１１の下面外周縁または該外周縁に対向するバッファ室
１００の頂壁外面つまり開口部１０１ａの周りのバッフ
ァ室１００の頂壁外面には、気密シールリング（図示省
略）が設けられている。 第３図で、形状が、この場合、略半球状の放電管１１が
バッファ室１００の頂壁に気密に構設されている。放電
管１１の開放部形状、寸法は、開口部１０１ｂのそれと
路間−であり、放電管１１の開放部は、開口部１０１ｂ
に略一致させられている。放電管１１は、石英等の電気
的絶縁材料で形成されている。放電管１１の外側には、
該放電管１１を内部に含み導波管１２ａが配設されてい
る。マイクロ波発振手段であるマグネトロン１３と導波
管１２ａとは、導波管１２ｂで連結されている。導波管
１２ａＡｌ２ｂは、電気的導電材料で形成されている。 導波管１２ｂは、アイソレータ１２ｃ、パワーモニタ１
２ｄを有している。導波管１２ｄの外側には、磁界発生
手段であるソレノイドコイル１４が環装されている。バ
ッファ室１００内と放電管ｌｌ内とでなる空間には、試
料台１５が昇降動可能に設けられている。昇降軸１６は
、この場合、放電管１１の軸心を略軸心とし１、その上
端部をバッファ室１００内に突出させ、また、下端部を
バッファ室１００外に突出させてバッファ室１００の底
壁に該バッファ室１００内の気密を保持して昇降動自在
に設けられている。試料台１５は、その表面に試料設置
面を有する。試料台１５の平面形状、寸法は、開口部１
０ｉｂを挿通可能な形状、寸法である。試料台１５は、
その試料設置面を上面として昇降軸１６の上端に略水平
に設けられている。昇降軸１６の下端は、バッファ室１
００外で該バッファ室１００の底壁に対応して配置され
た昇降駆動手段、例えば、シリンダ（図示省略）のシリ
ンダロッドに連接されている。昇降軸１６の下端部は、
この場合バイアス電源である０例えば、高周波電源１８
に接続されている。高周波電源１８は、バッファ室１０
０外に設置され、そして、接地されている。 この場合、試料台１５と昇降軸１６は、電気的導通状態
にあり、・バッファ室１００と昇降軸１６は、電気的に
絶縁されている。試料台１５には、試料受渡具（図示省
略）が設けられている。つまり、試料受渡具は、試料台
１５の試料設置面より下方の位置と、試料台１５ｂの試
料設置面がアーム８１の試料すくい具８２及びアーム５
１の試料すくい具５２より降下した状態で、これら試料
すくい具８２．５２より上方及び下方に昇降動可能に設
けられている。また、試料台１５は、温度調節可能な構
造となっている１例えば、試料台１５の内部には、熱媒
体流路が形成され、該流路には、熱媒体である冷却媒体
、例えば、冷却水や液体アンモニウムや液体窒素等の冷
却媒体や温水、加温ガス等の加温媒体が供給される。ま
た、例えば、試料台１５には、ヒータ等の発熱手段が設
けられる。試料台１５及び昇降軸１６の外側には、バッ
ファ室１００内でフランジ１２０．１２１が設けられて
いる。フランジ１２０．１２１の内径及びその形状は、
開口部１０１ｂのそれらと略−致している。フランジ１
２０は、放電管１１、試料台１５、昇降軸１６の軸心を
略中心としてバッファ室１００の底壁内面に気密に設け
られている。フランジ１２１は、フランジ１２０と対向
して配置されている。伸縮遮へい手段である金属ベロー
ズ１２２がフランジ１２０．１２１に跨設されている。 昇降軸（図示省略）が、その上端部をバッファ室１００
内に突出させ、また、その下端部をバッファ室１００外
に突出させてバッファ室ｌＯＯの底壁に該バッファ室１
００内の気密を保持して昇降動自在に設けられている。 フランジ１２１は、該昇降軸の上端に連結されている。 昇降軸の下端は、バッファ室１００外で該バッファ室１
００の底壁に対応して配置された昇降駆動手段、例えば
、シリンダ（図示省略）のシリンダロッドに連接されて
いる。フランジ１２１の上面または、該面と対向するバ
ッファ室１００の頂壁内面つまり開口部１０１ｂの周り
のバッファ室１００の頂壁内面には、気密シールリング
（図示省略）が設けられている。フランジ１２０より内
側のバッファ室１００の底壁には、排気ノズル１０２ｂ
が設けられている。排気ノズル１０２ｂには、排気管（
図示省略）の一端が連結され、排気管の他端は、真空ポ
ンプ等の減圧排気装置（図示省略）の吸気口に連結され
ている。排気管には、開閉弁（図示省略）や圧力調節弁
、例えば、可変抵抗弁（図示省略）が設けられている。 処理ガス源（図示省略）には、ガス導入管（図示省略）
の一端が連結され、その他端は、放電管１１内等に開口
させられている。ガス導入管には、開閉弁やガス流量調
節器（図示省略）が設けられている。 第３図で、プラズマ後処理室２１がバッファ室１００の
頂壁に気密に構設されている。プラズマ後処理室２１の
開放部形状、寸法は、開口部１０１ｃのそれと路間−で
あり、プラズマ後処理室２１の開放部は、開口部１０１
ｃに略一致させられている。バッファ室１００内とプラ
ズマ後処理室２１内とでなる空間には、試料台２２が設
けられている。支持軸２３は、この場合、プラズマ後処
理室２１の軸心を略軸心とし、その上端部をバッファ室
１００内に突出させ、また、下端部をバッファ室１００
外に突出させてバッファ室１００の底壁に該バッファ室
１００内の気密を保持して設けられている。試料台２２
は、その表面に試料設置面を有する。試料台２２の平面
形状、寸法は、開口部１０１ｃより、この場合、小さい
形状、寸法である。試料台２２は、その試料設置面を上
面として支持軸２３の上端に略水平に設けられている。 試料台２２の試料設置面は、アーム５１の試料す（い具
５２より下方に位置させられている。 試料台２２には、試料受渡具（図示省略）が設けられて
いる。つまり、試料受渡具は、試料台２２の試料設置面
より下方の位置とアーム５１の試料すくい具５２より上
方の位置との間で昇降動可能に設けられている。試料台
２２及び支持軸２３の外側には、バッファ室ｌＯＯ内で
フランジ１２５．１２６が設けられている。フランジ１
２５゜１２６の内径及びその形状は、開口部１０１ｃの
それらと略一致している。フランジ１２５は、プラズマ
後処理室２１、試料台２２、支持軸２３の軸心を略中心
としてバッファ室１００の底壁内面に気密に設けられて
いる。フランジ１２６は、フランジ１２５と対向して配
置されている。伸縮遮へい手段である金属ベローズ１２
７がフランジ１２５．１２６に跨設されている。昇降軸
（図示省略）が、その上端部をバッファ室１００内に突
出させ、また、その下端部をバッファ室１００外に突出
させてバッファ室１００の底壁に該バッファ室１００内
の気密を保持して昇降動自在に設けられている。フラン
ジ１２６は、該昇降軸の上端に連結されている。昇降軸
の下端は、バッファ室１００外で該バッファ室１００の
底壁に対応して配置された昇降駆動手段１例えば、シリ
ンダ（図示省略）のシリンダロッドに連接されている。 フランジ１２６の上面または該面と対向するバッファ室
１００の頂壁内面つまり開口部１０１Ｃの周りのバッフ
ァ室１００の頂壁内面には、気密シールリング（図示省
略）が設けられている。フランジ１２５より内側のバッ
ファ室１００の底壁には、排気ノズル１０２Ｃが設けら
れている。排気ノズル１０２ｃには、排気管（図示省略
）の一端が連結され、排気管の他端は、真空ポンプ等の
減圧排気装置（図示省略）の吸気口に連結されている。 第３図で、試料台１３０．蓋部材１３１が開口部１０１
ｄをはさみ設けられている。試料台１３０は、その表面
に試料設置面を有する。試料台１３０の平面形状、寸法
は、開口部１０１ｄを塞ぐに十分な形状、寸法である。 試料台１３０は、開口部１０１ｄを開閉可能にバッファ
室１００内に、この場合、昇降動可能に設けられている
。昇降軸１３２は、この場合、開口部ｔｏｌｄの中心を
略軸心とし、その上端部をバッファ室１００内に突出さ
せ、また、下端部をバッファ室１００外に突出させてバ
ッファ室１００の底壁に該バッファ室１００内の気密を
保持して昇降動自在に設けられている。試料台１３０は
、その試料設置面を上面として昇降軸１３２の上端に略
水平に設けられている。昇降軸１３２の下端は、バッフ
ァ室１００外で該バッファ室１００の底壁に対応して配
置された昇降駆動手段、例えば、シリンダ１３３のシリ
ンダロッドに連接されている。試料台１３０の上面外周
縁または該外周縁に対向するバッファ室１００の頂壁内
側つまり開口部１０１ｄの周りのバッファ室１００の頂
壁内面には、気密シールリング（図示省略）が設けられ
ている。試料台１３０には、試料受渡具（図示省略）が
設けられている。つまり、試料受渡具は、試料台１３０
の試料設置面より下方の位置と開口部１０１ｄが試料台
１３０で閉止された状態で開口部１０１ｄより外側に突
出した位置との間で昇降動可能に設けられている。蓋部
材１３１の平面形状、寸法は、開口部１０１ｄを開閉可
能にバッファ室１００外に、この場合、昇降動可能に設
けられている。昇降軸１３４は、この場合、昇降軸１３
２の軸心と軸心を略一致させバッファ室１００外に昇降
動自在に設けられている。蓋部材１３１は、昇降軸１３
４の下端に略水平に設けられている６昇降軸１３４の上
端は、バッファ室１００外で蓋部材１３１の上方位置に
配置された昇降駆動手段、例えば、シリンダ１３５のシ
リンダロッドに連接されている。蓋部材１３１の下面外
周縁または該外周縁に対向するバッファ室１００の頂壁
外面つまり開口部ｔｏｌｄの周りのバッファ室１００の
頂壁外面には、気密シールリング（図示省略）が設けら
れている。 第２図、第３図で、バッファ室１００外でバッファ室１
００のＬ字長辺の長平方向の側面に対応してカセット台
１４０が昇降動可能に設けられている。バッファ室１０
０外でバッファ室１００のＬ字長辺の幅方向の側面に沿
って直線状にガイド１４１が設けられている。ガイド１
４１のカセット台１４０側端は、この場合、カセット台
１４０の中心部に対応するように延ばされている。アー
ム１４２は、この場合、直線状部材であり、その一端は
、ガイド１４１に該ガイド１４１でガイドされて往復動
可能に設けられている。アーム１４２の他端部には５試
料すくい具１４３が設けられている。カセット台１４０
は、カセット設置面を上面として昇降軸１４４の上端に
略水平に設けられている。昇降軸１４４の下端は、昇降
駆動手段１４５に設けられている。 第２図、第３図で、バッファ室１００外には。 この場合、湿式処理室３１．乾燥処理室４１及び試料回
収室１５０が配設されている。湿式処理室３１、乾燥処
理室４１、試料回収室１５０は、この場合、バッファ室
１００の開口部１０１ｃＡｌ０１ｄ側の側壁に沿って順
次直列に配設されている。この内、湿式処理室３１は、
開口部１０１ｄに最も近い位置に設けられている。 第２図、第３図で、湿式処理室３１内には、試料台３２
が設けられている。支持軸３３は、この場合、その上端
部を湿式処理室３１内に突出させ、また、下端部を湿式
処理室３１外に突出させて湿式処理室３１の底壁に、こ
の場合、該湿式処理室３１内の気密、水密を保持して回
動可能に設けられている。支持軸３３の下端は回動駆動
手段、例えば、モータ（図示省略）の回動軸に連接され
ている。試料台３２は、その表面に試料設置面を有する
。試料台３２は、その試料設置面を上面として支持軸３
３の上端に略水平に設けられている。試料台３２の試料
設置面は、アーム６１の試料すくい具６２より下方に位
置させられている。試料台３２には、試料受渡具（図示
省略）が設けられている。つまり、試料受渡具は、試料
台３２の試料設置面の下方の位置とアーム６１の試料す
くい具５２より上方の位置との間で昇降動可能に設けら
れている。湿式処理室３１内には、処理液供給管（図示
省略）が試料台３２の試料設置面に向って処理液を供給
可能に設けられている。 処理液供給装置（図示省略）が、湿式処理室３１外に設
置されている。処理液供給管は、処理液供給装置に連結
されている。湿式処理室３１には、廃液排出管（図示省
略）が連結されている。また、この場合、窒素ガス等の
不活性ガスを湿式処理室３１内に導入する不活性ガス導
入手段（図示省略）が設けられている。 第２図、第３図で、アーム６１が、試料台１３０と試料
台３２とに対応可能で回動可能に設けられている。アー
ム６１は、バッファ室１００外において同一平面内で回
動可能である。アーム６１の回動端には、試料すくい具
６２が設けられている。試料すくい具６２の平面形状は
、試料すくい具５２．８２のそれらと路間−である。ア
ーム６１は、試料すくい具６２の略中心の回動軌跡が試
料台１３０．３２それぞれの中心部と略対応するように
設けられている。つまり、試料すくい具６２の略中心が
上記の°回動軌跡を描くような位置でアーム６１の回動
支点は位置付けられている。アーム６１の回動支点は、
この場合、バッファ室１００外及び湿式処理室３１外で
回動自在に設けられた回動軸６３の上端に設けられてい
る０回動軸６３の下端は、回動駆動手段、例えば、モー
タ６４の凧動軸に連接されている。アーム６１、試料す
くい具６２の回動域と対応する湿式処理室３工の側壁に
は、開口部３４が形成されている。開口部３４の大きさ
、位置は、湿式処理室３１内へのアーム６１．試料すく
い具６２の進入及び退避を阻害しないようになっている
。また、開口部３４は、この場合、開閉手段（図示省略
）により開閉可能である。 第２図、第３図で、乾燥処理室４１内には、試料台４２
が設けられている。試料台４２は、その表面に試料設置
面を有する。試料台４２は、その試料設置面を上面とし
て乾燥処理室４１の底壁に略水平に設けられている。加
温手段としては、この場合、ヒータ４３が用いられる。 ヒータ４３は、試料台４２の裏面に該試料台４２を加温
可能に設けられている。ヒータ４３は、電源（図示省略
）に接続されている。試料台４２の試料設置面は、アー
ム７１の試料すくぃ具７２より下方に位置させられてい
る。試料台４２には、試料受渡具（図示省略）が設けら
れている。つまり、試料受渡具は、試料台４２の試料設
置面の下方の位置とアーム７１の試料すくい具７２の上
方の位置との間で昇降動可能に設けられている。この場
合、試料台３２の試料受渡具も、試料台３２の試料設置
面の下方の位置とアーム７１の試料すくぃ具７２の上方
の位置との間で昇降動可能である。また、この場合、窒
素ガス等の不活性ガスを乾燥処理室４１内に導入する不
活性ガス導入手段（図示省略）が設けられている。 第２図、第３図で、試料回収室１５０内には、カセット
台１５１が設けられている。昇降軸１５２は、その上端
部を試料回収室１５０内に突出させ、またその下端部を
試料回収室１５０外に突出させて試料回収室１５０の底
壁に昇降動可能に設けられている。カセット台１５１は
、カセット設置面を上面として昇降軸１５２の上端に略
水平に設けられている。昇降軸１５２の下端は、昇降駆
動手段１５３に設けられている。また、この場合、窒素
ガス等の不活性ガスを試料回収室１５０内に導入する不
活性ガス導入手段（図示省略）が設けられている。 第２図で、ガイド７３が、湿式処理室３１．乾燥処理室
４１、試料回収室１５０の内側壁面に沿って設けられて
いる。ガイド７３は、直線状の形状である。つまり、こ
の場合、試料台３２．４２及びカセット台１５１のそれ
ぞれ中心を通る線は直線であり、該直線に沿って略平行
にガイド７３は設けられている。アーム７１は、この場
合、直線状部材であり、その一端は、ガイド７３に該ガ
イド７３でガイドされて往復動可能に設けられている。 アーム７１の他端部には、試料すくい具７２が設けられ
ている。尚、第２図、第３図で、アーム７１、試料すく
い具７２の湿式処理室３１内、乾燥処理室４１内及び試
料回収室１５０内への進入及び退避を阻害しないように
、アーム７１、試料すくい具７２の往復動域と対応する
各室の側壁にはそれぞれ開口部（図示省略）が形成され
ている。また、これら開口部は、開閉手段（図示省略）
によりそれぞれ開閉可能である。また、試料回収室１５
０には、カセット搬入出用の開口部や扉（いずれも図示
省略）が設けられている。 第２図、第３図で、カセット台１４０には、カセット１
６０が設置される。カセット１６０は。 この場合、複数個の試料１７０を１個毎高さ方向に積層
し収納可能なものであり、カセット１６０から試料１７
０を取り出すために側面の１つが開放されている。カセ
ット１６０は、試料取り出し開放側面を開口部１０１ａ
に向けてカセット台１４０に設置される。カセット１６
０が設置されたカセット台１４０は、この状態で１例え
ば、下降させられる。カセット１６０の最上段に収納さ
れている試料１７０を試料すくい具１４３ですくい可能
な位置でカセット台１４０の下降は停止される。一方、
開口部１０１ａＡｌｏｌｄは、試料台１１０．１３０に
よりそれぞれ閉止され、この状態で、減圧排気装置を作
動させることでバッファ室１００内は、所定圧力に減圧
排気される。その後、蓋部材１１１は、上昇させられ、
該上昇は、試料１７０をすくい有する試料すくぃ具１４
３が開口部１０１ａに至るのを阻害しない位置で停止さ
れる。この状態で、アーム１４２は、カセット１６０に
向って移動させられ、該移動は、試料すくい具１４３が
カセット１６０の、例えば、最下段に収納されている試
料１７０の裏面と対応する位置となった時点で停止され
る。その後、カセット１６０は、試料すくい具１４３で
試料１７０をすくい可能なだけカセット台１４０を上昇
させることで上昇させられる。これにより試料１７０は
、試料すくい具１４３でその裏面をすくわれて試料すく
い具１４３に渡される。試料すくい具１４３が試料１７
０を受は取った状態で、アーム１４２は、開口部Ｉｏｔ
ａに向って移動させられる。アーム１４２のこのような
移動は、試料１７０を有する試料すくい具１４３が開口
部Ｉｏｔａと対応する位置に至った時点で停止される。 この状態で、試料台１１０の試料受渡具が上昇させられ
、これにより試料１７０は、試料すくい具１４３から試
料受渡具に渡される。その後、試料すくい具１４３は、
試料１７０を受は取った試料受渡具の下降を阻害しない
位置にアーム１４２の移動により退避させられる。その
後、試料を有する試料受渡具は下降させられる。これに
より、試料１７０は、試料受渡具から試料台１１０に渡
されてその試料設置面に設置される。その後、蓋部材１
１１は、下降させられる。これにより開口部１Ｏ１ａは
、蓋部材１１１によっても閉止され、外部との連通が遮
断される。その後、試料１７０を有する試料台１１０は
、下降させられ、該下降は、試料台１１０の試料受渡具
とアーム８１の試料す、くい具８２との間で試料１７０
を受は渡し可能な位置に試料台１１０が至った時点で停
止される。 一方、フランジ１２０，１２１、金属ベローズ１２２は
、アーム８１及び試料すくい具８２の回動を阻害しない
ように下降させられ、また、試料台１５は、その試料受
渡具とアーム８１の試料す（い具８２との間で試料１７
０を受は渡し可能な位置に下降させられる。この状態で
、試料台１１０の試料受渡具はアーム８１の試料すくい
具８２との間で試料１７０を受は渡し可能に上昇させら
れる。その後、アーム８１を試料台１１０方向に回動さ
せることで、試料すくい具８２は、試料台１１°０の試
料受渡具が有している試料１７０の裏面に対応し該試料
１７０をすくい可能に位置付けられる。この状態で、試
料台１１０の試料受渡具は下降させられ、これにより試
料１７０は、試料台１１０の試料受渡具からアーム８１
の試料すくい具８２に渡される。試料１７０をすくい受
は取った試料すくい具８２は、アーム８１を試料台１５
方向に回動させることでフランジ１２１とバッファ室１
００の頂壁内面との間を通過し試料台１５方向に回動さ
せられる。尚、試料台１１０は、再び上昇させられ、こ
れにより、開口部１０１ａは、試料台１１０により閉止
される。上記のような試料すくい具８２の回動は、該試
料す（い具８２と試料台１５の試料受渡具との間で試料
１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具８２が至っ
た時点で停止される。この状態で、試料台１５の試料受
渡具を上昇させることで、試料１７０は、試料す（い具
８２から試料台１５の試料受渡具に渡される。その後、
試料すくい具８２は、アーム８１を開口部１０１ａＡｌ
０１ｂ間の位置まで回動させることで、試料台１１０．
１５との間での次の試料の受は渡しに備えて待機させら
れる。その後、フランジ１２１、金属ベローズ１２２は
、上昇させられ、これにより金属へローズ１２２内部の
バッファ室１００内及び放電管１１内は、金属ベローズ
１２２外部のバッファ室１００内との連通を遮断される
。また、試料１７０を受は取った試料台１５の試料受渡
具を下降させることで。 試料１７０は、試料台１５の試料受渡具から試料台１５
に渡されて該試料台１５の試料設置面に設置される。試
料１７０が試料設置面に設置された試料台１５は、金属
ベローズ１２２外部のバッファ室１００内と連通を遮断
された空間を所定位置まで上昇させられる。金属ベロー
ズ１２２外部のバッファ室１００内と連通を遮断された
空間には、処理ガス源から所定の処理ガスが所定流量で
導入される。該空間に導入された処理ガスの一部は、減
圧排気装置、可変抵抗弁の作動により該空間外へ排出さ
れる。これにより、該空間の圧力は、所定のエツチング
処理圧力に調節される。−方、マグネトロン１３から、
この場合、２．４５ＧＨｚのマイクロ波が発振される。 該発振されたマイクロ波は、アイソレータ１２ｃ、パワ
ーモニタ１２ｄを介し導波管１２ｂＡｌ２ａを伝播して
放電管１１に吸収され、これにより、マイクロ波を含む
高周波電界が発生させられる。これと共に、ソレノイド
コイル１４を作動させることで、磁界が発生させられる
５金属ベロ一ズ１２２外部のバッファ室１００内と連通
を遮断された空間にある処理ガスは、これらマイクロ波
を含む高周波電界と磁界との相乗作用によりプラズマ化
される。試料台１５に設置されている試料１７０は、こ
のプラズマを利用してエツチング処理される。 このような試料すくい具５２の回動は、該試料すくい具
５２と試料台１５の試料受渡具との間でエツチング処理
済みの試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具
５２が至った時点で停止される。この状態で、試料台１
５の試料受取具は下降させられ、これによりエツチング
処理済みの試料１７０は、試料台１５の試料受取具から
アーム５１の試料すくい具５２に渡される。エツチング
処理済みの試料１７０をすくい受は取った試料すくい具
５２は、アーム５１を試料台２２方向に回動させること
で、フランジ１２１とバッファ室ｌＯＤ頂壁内面との間
を通過し試料台２２方向に回動させられる。尚、エツチ
ング処理済みの試料１７０が除去された試料台１５には
、カセット１６０にある新規な試料が上記操作の実施に
より設置される。試料台１’５に設置された新規な試料
は、上記操作の実施により引続きエツチング処理される
。一方、エツチング処理済みの試料１７０を有する試料
すくい具５２の上記のような回動前またはその間にフラ
ンジ１２６、金属ベローズ１２７は、アーム５１及び試
料すくい具５２の回動を阻害しないように下降させらさ
れる。試料１７０のエツチング処理時に高周波電源１８
が作動させられ、所定の高周波パワーが昇降軸１６を介
して試料台１５に印加され、試料１７０には、所定の高
周波バイアスが印加される。また、試料１７０は、試料
台１５を介して所定温度に調節される。 試料１７０のエツチング処理が終了した時点で、マグネ
トロン１３、ソレノイドコイル１４、高周波電源１８等
の作動が停止され、また、金属ベローズ１２２外部のバ
ッファ室１００内と連通を遮断された空間への処理ガス
の導入が停止される。 また、その後、該空間の排気が十分に行われた後に、該
空間の減圧排気手段を構成する開閉弁が閉止される。そ
の後、フランジ１２１、金属ベローズ１２２は、アーム
５１及び試料すくい具５２の回動を阻害しないように下
降させられ、また、試料台１５は、その試料受渡具とア
ーム５１の試料すくい具５２との間でエツチング処理済
み試料１７０を受は渡し可能な位置に下降させられる。 その後、試料台１５の試料受渡具は、アーム５１の試料
すくい具５２との間でエツチング処理済みの試料１７０
を受は渡し可能に上昇させられる。この状態で、試料す
くい具５２は、アーム５１を試料台１５方向に回動させ
ることで、フランジ１２１とバッファ室１００の頂壁内
面との間を通過し試料台１５方向に回動させられ、更に
、エツチング処理済みの試料１７０を有する試料す（い
具５２は、アーム５１を試料台２２方向に更に回動させ
ることで、フランジ１２６とバッファ室１００頂壁内面
との間を通過し試料台２２方向に更に回動させられる。 このような試料すくい具５２の回動は、該試料すくい具
５２と試料台２２の試料受渡具との間でエツチング処理
済みの試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具
５２が至った時点で停止される。この状態で、試料台２
２の試料受取具は上昇させられ、これによりエツチング
処理済みの試料１７０は、試料す（い具５２から試料台
２２の試料受取具に渡される。その後、試料すくい具５
２は、アーム５１を開口部１０１Ｃ，１０１ｄ間の位置
まで回動させることで、該位置に待機させられる。その
後、フランジ１２６、金属ベローズ１２７は、上昇させ
られ、これにより金属ベローズ１２７内部のバッファ室
１００内及びプラズマ後処理室２１内は、金属ベローズ
１２７外部のバッファ室１００内との連通な遮断される
６また。エツチング処理済みの試料１７０を受は取った
試料台２２の試料受渡具を下降させることで、エツチン
グ処理済みの試料１７０は、試料台２２の試料受渡具か
ら試料台２２に渡されて該試料台２２の試料設置面に設
置される。 金属ベローズ１２７外部のバッファ室１００内と連通な
遮断された空間には、後処理ガスが所定流量で導入され
ると共に、該後処理ガスの一部は該空間より排気される
。これにより該空間の圧力は、所定の後処理圧力に調節
される。その後、該空間にある後処理ガスは、この場合
、マイクロ波を含む高周波電界の作用によりプラズマ化
される。試料台２２に設置されたエツチング処理済みの
試料１７０は、このプラズマを利用して後処理される。 このようなエツチング処理済みの試料の後処理が終了し
た時点で、金属ベローズ１２７外部のバッファ室１００
内と連通を遮断された空間への後処理ガスの導入、該後
処理ガスのプラズマ化が停止される。その後、フランジ
１２８、金属ベローズ１２７は、アーム５１及び試料す
くい具５２の回動を阻害しないように下降させられる。 開口部１０１ｃＡｌｏｌｄ間に待機させられている試料
すくい具５２は、試料台２２の試料受渡具による後処理
済みの試料１７０の上昇を阻害しない位置で′、かつ、
試料台２２を通過した位置まで回動させられる。この状
態で、試料台２２の試料受渡具が上昇させられ、これに
より試料台２２に設置されている後処理済みの試料１７
０は、試料台２２の試料受渡具に渡される。その後、ア
ーム５１を試料台２２方向に回動させることで、試料す
くい具５２は、試料台２２の試料受渡具が有している後
処理済みの試料１７０の裏面に対応し、該試料１７０を
すくい可能に位置付けられる。この状態で、試料台２２
の試料受渡具は下降させられ、これにより後処理済みの
試料１７０は、試料台２２の試料受渡具からアーム５１
の試料すくい具５２に渡される。後処理済みの試料１７
０をすくい受は取った試料すくい具５２は、アーム５１
を試料台１３０方向に回動させることで、フランジ１２
６とバッファ室１００の頂壁内面との間を通過し試料台
１３０方向に回動させられる。尚、後処理済みの試料１
７０が除去された試料台２２には、次のエツチング処理
された試料が設置され、該試料はプラズマを利用して引
続き後処理される。一方、後処理済みの試料１７０を有
する試料すくい具５２の上記のような回動前またはその
間に試料台１３０は、この試料受渡具とアーム５１の試
料すくい具５２との間で後処理済みの試料１７０を受は
渡し可能な位置に下降させられる。 上記のような試料すくい具５２の回動は、該試料すくい
具５２と試料台１３０の試料受渡具との間で後処理済み
の試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具５２
が至った時点で停止される。 この状態で、試料台１３０の試料受取具は上昇させられ
、これにより後処理済みの試料１７０は、試料すくい具
５２から試料台１３０の試料受渡具に渡される。その後
、試料すくい具５２は、アーム５１を開口部１０１ｂＡ
ｌｏｌｃ間の位置まで回動させることで、次のエツチン
グ処理済み試料を試料台２２へ搬送するために該位置で
待機させられる。その後、後処理済みの試料１７０が除
去された試料台２２には、次のエツチング処理済み試料
が設置され、該試料はプラズマを利用して引続き後処理
される。一方、後処理済みの試料１７０を受は取った試
料台１３０の試料受渡具は、下降させられる。これによ
り、後処理済みの試料１７０は、試料台１３０の試料受
渡具から試料台１３０に渡されてその試料設置面に設置
される。その後、後処理済みの試料１７０を有する試料
台１３０は、上昇させられ、これにより、開口部１Ｏ１
ｄは、試料台１３０により気密に閉止される。 この状態で、蓋部材１３１は上昇させられる。この蓋部
材１３１の上昇は、試料台１３０の試料受、渡具の上昇
を阻害せず、かつ、アーム６１の試料すくい具６２が試
料台１３０の試料受渡具との間で後処理済みの試料１７
０の受は取り可能な位置に至るのを阻害しない位置に蓋
部材１３１が上昇した時点で停止される。この状態で、
まず、試料台１３０の試料受渡具が上昇させられる。こ
れにより、後処理済みの試料１７０は、試料台１３０か
ら該試料台１３０の試料受渡具に渡される。その後５試
料すくい具６２は、アーム６１を試料台１３０方向に回
動させることで試料台１３０に向って回動させられる。 このような試料すくい具６２の回動は、該試料すくい具
６２と試料台１３０の試料受渡具との間で後処理済みの
試料１７０を受は渡し可能な位置つまり試料台１３０の
試料受渡具が有する後処理済みの試料１７０の裏面と対
応する位置に試料すくい具６２が至った時点で停止され
る。その後、試料台（３０の試料受渡具は下降させられ
る。これにより、後処理済みの試料１７０は、試料台１
３０の試料受渡具から試料すくい具６２に渡される。後
処理済みの試料１７０をすくい受は取った試料すくい具
６２は、アーム６１を湿式処理室３１方向に回動させる
ことで。 湿式処理室３１内の試料台３２に向って回動させられる
。一方、試料すくい具６２に後処理済みの試料１７０を
渡した試料台１３０の試料受渡具は、試料台１３０の試
料設置面以下となる位置まで更に下降させられる。その
後、蓋部材１３１は、下降させられる。これにより、開
口部１０１ｄは、蓋部材１３１により気密に閉止される
。 尚、この状態で、試料台１３０は、再び下降させられ、
該下降させられた試料台１３０には、次の後処理済みの
試料が渡されて設置される。一方、後処理済みの試料１
７０を有する試料すくい具６２の回動は、該試料すくい
具６２と試料台３２の試料受渡具との間で後処理済みの
試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具６２が
至った時点で停止される。この状態で、試料台３２の試
料受渡具は上昇させられる。これにより後処理済みの試
料１７０は、試料すくい具６２から試料台３２の試料受
渡具に渡される。後処理済みの試料１７０を渡した試料
すくい具６２は、次の後処理済み試料の受は取りに備え
て湿式処理室３１外に退避させられる。その後、開口部
３４は閉止される。一方、後処理済みの試料１７０を受
は取った試料台３２の試料受渡具は下降させられる。こ
れにより、後処理済みの試料１７０は、試料台３２の試
料受渡具から試料台３２に渡されてその試料設置面に設
置される。その後、処理液供給装置から処理液供給管を
介して所定流量で処理液が、試科白３２に設置された後
処理済みの試料１７０の被処理面に向って供給される。 これと共に、モータの作動により後処理済みの試料１７
０は回転させられる。このような操作により後処理済み
の試料１７０の湿式処理が実施される。尚、湿式処理室
３１内には、不活性ガス導入手段により、例えば、窒素
ガスが導入され、これにより、湿式処理は窒素ガス雰囲
気下で実施される。また、該湿式処理により生じた廃液
は、廃液排出管を介して湿式処理室３１外へ排出される
。このような湿式処理が終了した時点で、処理液の供給
、試料１７０の回転等は停止される。その後、試料台３
２の試料受渡具は上昇させられる。湿式処理済みの試料
１７０は、この上昇途中で試料台３２からその試料受渡
具に渡される。湿式処理済みの試料１７０を受は取った
試料台３２の試料受渡具の上昇は、試料すくい具７２と
の間で湿式処理済みの試料１７０を受は渡し可能な位置
に至った時点で停止される。この状態で、試料すくい具
７２は、アーム７１を介して試料台３２に向って移動さ
せられる。該移動は、試料すくい具７２と試料台３２の
試料受渡具との間で湿式処理済みの試料１７０を受は渡
し可能な位置に試料すくい具７２が至った時点で停止さ
れる。その後、試料台３２の試料受渡具は下降させられ
る。これにより、湿式処理済みの試料１７０は、試料す
くい具７２に渡される。尚、湿式処理済みの試料１７０
を除去された試料台３２の試料受渡具は、次の後処理済
み試料の受は取りに備えられる。湿式処理済みの試料１
７０を有する試料すくい具７２は、アーム７１を介して
試料台４２に向って開口部を通り渣式処理室３１から乾
燥処理室４Ｉへと更に移動させられる。該移動は、試料
すくい具７２と試料台４２の試料受渡具との間で湿式処
理済みの試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい
具７２が至った時点で停止される。その後、試料台４２
の試料受渡具は上昇させられる。これにより、湿式処理
済みの試料１７０は、試料台４２の試料受渡具に渡され
る。尚、湿式処理済みの試料１７０が除去された試料す
くい具７２は、−旦、後退させられる。試料台４２の試
料受渡具は下降させられる。 これにより、湿式処理済みの試料１７０は、試料台４２
の試料受渡具から試料台４２に渡されてその試料設置面
に設置される。試料台４２は、ヒータ４３への通電によ
る発熱により加温され、湿式処理済みの試料１７０は、
試料台４２を介して加温される。湿式処理済みの試料１
７０の温度は、ヒータ４３への通電量調節により所定温
度に調節される。これにより、湿式処理済みの試料１７
０は、乾燥処理される。尚、乾燥処理室４１内には、不
活性ガス導入手段により１例えば、窒素ガスが導入され
、これにより、乾燥処理は窒素ガス雰囲気下で実施され
る。このような乾燥処理が終了した時点で、試料台４２
の試料受渡具は上昇させられる。乾燥処理済みの試料１
７０は、この上昇途中で試料台４２からその試料受渡具
に渡される。乾燥処理済みの試料Ａｌ７０を受は取った
試料台４２の試料受渡具の上昇は、試料すくい具７２と
の間で乾燥処理済みの試料１７０を受は渡し可能な位置
に至った時点で停止される。この状態で、試料すくい具
７２は、アーム７２を介して試料台４２に再び向って移
動させられる。該移動は、試料すくい具７２と試料台４
２の試料受渡具との間で乾燥処理済みの試料１７０を受
は渡し可能な位置に試料す（い具７２が至った時点で停
止される。その後、試料台４２の試料受渡具は下降させ
られる。これにより、乾燥処理済みの試料１７０は、試
料すくい具７２に渡される。尚、乾燥処理済みの試料１
７０を除去された試料台４２の試料受渡具は、次の湿式
処理済み試料の受は取りに備えられる。乾燥処理済みの
試料１７０を有する試料す（い具７２は、アーム７１を
介してカセット台１５１に向って開口部を通り乾燥処理
室４１から試料回収室１５０へと更に移動させられる。 該移動は、試料す（い具７２とカセット台１５１に設置
されたカセット１６１との間で乾燥処理済みの試料１７
０を受は渡し可能な位置に試料すくい具７２が至った時
点で停止される。カセット１６１は、例えば、収納用の
溝が複数条高さ方向に形成されたものであり、該カセッ
ト１６１は、最上部の溝で試料を受は取り可能に位置さ
せられている。この状態で、カセット１６１が所定量間
欠的に下降させられる。これにより、乾燥処理済みの試
料１７０は、カセット１６１の最上部の溝に支持されて
カセット１６１に回収、収納される。また、試料回収室
１５０内には、不活性ガス導入手段により、例えば、窒
素ガスが導入され、これにより、乾燥処理済みの試料１
７０は、窒素ガス雰囲気下でカセット１６１に収納され
て試料回収室１５０で一担、保管される。カセット１６
１への乾燥処理済み試料の回収が順次、実施され、これ
により、該回収が完了した時点でカセット１６１は試料
回収室１５０外へ搬出される。 カセット１６１に収納された状態で試料回収室１５０外
へ搬出された試料は、次工程へと運ばれる。 試料として、第４図に示すようなＳｉ基板１７１上に厚
さ３０００人のシリコン酸化膜１７２を作り、この上に
ＴｉＷＭ！１７３とＡＪ２−Ｃｕ−３ｉ膜１７４との積
層配線を形成し、フォトレジスト１７５をマスクとした
試料を用い、該試料を第２図、第３図に示した装置を用
いて処理した。 エツチング処理条件として、処理ガス種ＢＣｌ２ ｓ
＋ ＣＡ ｍ、処理ガス流量１５０ ｓｅｃ＋ａ、処理
圧力１６ｍＴｏｒｒ、マイクロ波出力６００Ｗ、ＲＦバ
イアス８０Ｗの条件を選択した。 エツチング処理を行った後、その後の工程を全て無処理
で通過させたもの（Ａ）、エツチング処理後、プラズマ
後処理を行い、その後の湿式処理を乾燥処理とを省略し
たもの（Ｂ）及び全工程で所定の処理を行ったもの（Ｄ
）、更に、エツチング処理後のプラズマ後処理を省略し
湿式処理と乾燥処理とを行ったもの（Ｃ）とで、防食に
対する効果を比較してみた。 尚、プラズマ後処理室での処理条件は、処理ガス種０．
＋ＣＦ４ 、処理ガス流量４００ ｓｅｃｍ （０−）
、３５ｓｅｃｍ （ＣＦ、 ） 、処理圧力１．５Ｔ
ｏｒｒとし、プラズマは、２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を用いて発生させた。この場合、プラズマ後処理は、主
としてフォトレジストの灰化とパターン側壁保護膜やパ
ターン底部に残存する塩化物の除去が目的であり、灰化
処理に約３０秒、そのままのプラズマ条件で約１分の追
加処理を行った。 また、湿式処理ではＡｌ分間の純水によるスビーニング
水洗処理と３０秒間のスビーニング乾燥を行った。更に
、窒素ガス雰囲゛気下でヒータにて試料台を１５０℃に
加温し、この上に湿式処理済み試料を１分間放置して乾
燥処理を行った。 その結果、エツチング処理を行った後にプラズマ後処理
して湿式処理、つまり、水洗処理と乾燥処理とを省略し
たものを光学顕微鏡を用い観察したところ、処理後、約
１時間で腐食らしきはん点状のものが認められた。そこ
で、これを更にＳＥＭを用いて詳細を観察したところ、
第５図に示すように、ＴｉＷ層とＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ層の
境界を起点として扇形状の腐食による生成物１８０が認
められた。このため、プラズマ後処理条件として、０２
に対するＣＦ、の混合比を５〜２０％。 処理圧力を０．６〜２ Ｔｏｒｒとし、また、試料温度
を処理中に２５０℃まで上昇させてみたが、いずれにお
いても処理後、数時間以内に上記と同様の腐食が認めら
れた。 上記のような腐食は、Ａｅ−Ｓｉ単層配線膜では認めら
れない、つまり、このことから、イオン化傾向の異なる
異種金属の積層配線では、いわゆる電池作用による電蝕
によって腐食が発生、加速されているものと考えられる
。 このような腐食の発生を十分に防止するためには、エツ
チング処理後のプラズマ後処理では除去しきれないわず
かな塩素成分をも徹底して除去する必要のあることが解
った。 そこで、前述の如（、各種条件にて処理を行い、処理後
腐食が発生するまでの時間を調べたところ、第６図に示
す結果が得られた。 第６図から明らかなように、積層配線等の腐食が激しい
配線材については、エツチング処理後、レジスト灰化等
のプラズマ後処理や、あるいは、エツチング処理後、レ
ジスト灰化等のプラズマ後処理を行わずに、水洗処理と
乾燥処理とを行ったものでは防食効果が十分ではなく、
エツチング処理、レジスト灰化等のプラズマ後処理、水
洗処理、乾燥処理を一貫して実施することで、初めて３
０時間以上の高い防食効果が得られる。 尚、以上の他に、エツチング後の残渣の除去を兼ねて水
洗処理の前にフッ硝酸で処理しても同様の効果が得られ
る。更に、エツチング処理後、プラズマアッシング処理
を行った後に、当該処理でも除去しきれないパターン側
壁保護膜を除去する目的で、弱アルカリ液や弱酸性液（
例えば、酢酸）で処理後、水洗処理、乾燥処理を行うこ
とにより、塩素成分をより完全に除去でき更に防食効果
を向上させることができる。 上記実施例においては、エツチング処理→プラズマ後処
理→湿式処理−乾燥処理であるが、エツチング処理→湿
式処理−乾燥処理−プラズマ後処理でも良い、この場合
、湿式処理においては、例えば、エツチング後の残漬等
の予備除去及びレジストの除去が実施される。また、例
えば、エツチング後の残渣等の予備除去が実施される。 このような場合、プラズマ後処理においては、例えば、
残留残渣等の除去が実施され、また、例えば、残留残渣
等の除去及びレジストの除去が実施される。 また、上記一実施例において、プラズマ後処理済み試料
を湿式処理完了するまでの時間は、例えば、第４図のよ
うな試料の場合、第６図に示すように約１時間で腐食が
発生するようになるため、長くとも該時間内に限定され
る。但し、できる限り短時間内で湿式処理を完了するの
が望ましい。 つまり、プラズマ後処理が完了した試料をプラズマ後処
理装置から湿式処理装置へ直ちに搬送して湿式処理する
ようにするのが望ましい、また、プラズマ後処理済み試
料を、上記一実施例では、大気中で搬送しているが、こ
の他に、真空下若しくは不活性ガス雰囲気下で搬送する
ようにしても良い、このような雰囲気下での搬送は、プ
ラズマ後処理から湿式処理着手までの時間が、例えば、
大気中における腐食発生時間よりも長くなる場合に極め
て有効である。また、このような場合、プラズマ後処理
装置と湿式処理装置との間にプラズマ後処理済み試料を
真空下若しくは不活性ガス雰囲気下で一旦保管する手段
を設けるようにしても良い。 第７図は、本発明の第２の実施例を説明するもので、本
発明の一実施例を説明する第１図と異なる点は、不動態
化処理装置１９０が、乾燥処理装置４０の後段側に付設
された点である。この場合、試料搬送手段９０は、乾燥
処理装置４０の乾燥処理室°（図示省略）から乾燥処理
済み試料を不動態化処理装置１９０の不動態化処理室（
図示省略）へ搬送する機能を有する。また、不動態化処
理済み試料を、例えば、回収用のカセット（図示省略）
に搬送する試料搬送手段２００が設けられている。尚、
第７図で、その他第１図と同−装置等は同一符号で示し
説明を省略する。 第７図で、エツチング処理されプラズマ後処理された試
料（図示省略）は、試料搬送手段６０により湿式処理装
置３０の湿式処理室（図示省略）に搬入され、該湿式処
理室内の湿式処理ステーションである試料台（図示省略
）の試料設置面に設置される。湿式処理室内の試料台に
設置されたプラズマ後処理済み試料は、例えば、現象液
処理（ＴＭＡＨ）される。このような湿式処理によりエ
ツチング後の残渣等は充分に除去される。これと共に、
試料が、例えば、第４図に示すようにＡｌ１を成分とし
て有するものにおいては、該Ａ℃も一部溶解される。こ
のような試料を、その後、乾燥処理して、例え°ば、大
気中に取り出した場合、腐食の一形態である酸化が生じ
不都合である。そこで、ＴＭＡＨされ乾燥処理装置４０
の乾燥処理室で乾燥処理された試料は、試料搬送手段９
０により不動態化処理装置１９０の不動態化処理室に搬
入され、該不動態化処理室内の処理ステーションである
試料台（図示省略）の試料設置面に設置される。一方、
不動態化処理室内では、不動態化処理用のガスプラズマ
、この場合、酸素ガスプラズマが生成若しくは移送され
る。不動態化処理室内の試料台に設置された乾燥処理済
み試料は、該酸素ガスプラズマにより不動態化処理され
る。不動態化処理済み試料は、不動態化処理室から試料
搬送手段２００により回収用のカセットに搬送されて回
収、収納される。 尚、不動態化処理は、上記の他に、例えば、硝酸を用い
て行っても良い。 〔発明の効果〕 本発明によれば、試料のエツチング処理によって生じた
腐食性物を充分に除去できるので、試料の種類によらず
エツチング処理後の試料の腐食を十分に防止できる効果
がある。
る。 第１図で、試料処理装置は、試料をエツチング処理する
処理装置１０、プラズマ後処理装置２０、湿式処理装置
３０及び乾燥処理装置４０で構成され、各処理装置間で
試料を搬送する手段５０〜７０を少なくとも有している
。 第１図で、処理装置１０としては５試料を減圧下でプラ
ズマを利用して処理、例えば、エツチング処理する装置
が用いられる。尚、プラズマエツチング処理装置として
は、プラズマエツチング装置、反応性スパッタエツチン
グ装置、無磁場型のマイクロ波プラズマエツチング装置
、有磁場型のマイクロ波プラズマエツチング装置、電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型のマイクロ波プラズマ
エツチング装置、光励起プラズマエツチング装置、中性
粒子エツチング装置等が採用される。また、処理装置１
０としては、この他に、試料を湿式にしてエツチング処
理する装置や腐食性ガスを用いてエツチング処理する装
置等の採用も可能である。 第１図で、プラズマ後処理装置２ｏとしては、処理装置
１０での処理済み試料を減圧下でプラズマを利用して後
処理、例えば、アッシング処理する装置が用いられる。 尚、アッシング処理装置としては、プラズマアッシング
装置、無磁場型及び無磁場型のマイクロ波プラズマエツ
チング装置、ＥＣＲ型のマイクロ波プラズマアッシング
装置、光励起プラズマアッシング装置等が採用される。 第１図で、湿式処理装置３０としては、プラズマ後処理
装置２０での後処理済み試料を湿式処理、例えば、スビ
ーニング湿式処理装置が用いられる。尚、スビーニング
湿式処理装置では、後処理済み試料は、水により、例え
ば、スビーニング洗浄処理されたり、薬液、水により順
次、例えば、スビーニング洗浄処理される。この場合、
薬液は、後処理済み試料から除去される物質によって適
宜、選択される。また、処理雰囲気としては、窒素ガス
等の不活性ガス雰囲気や大気雰囲気が採用される。また
、湿式処理後、該状態で水切り等の乾燥処理が実施され
る場合がある。 第１図で、乾燥処理装置４０としては、湿式処理装置３
０での湿式処理済み試料を乾燥処理、例えば、湿式処理
済み試料を加温して乾燥処理する装置や、湿式処理済み
試料に乾燥ガスを吹付けて乾燥処理する装置等が用いら
れる。また、処理雰囲気としては、窒素ガス雰囲気や大
気雰囲気が採用される。 第１図で、試料搬送手段５０は、処理装置ｌＯの処理ス
テーション（図示省略）とプラズマ後処理装置２０の処
理ステーション（図示省略）との間で処理済み試料を搬
送する機能を有する。試料搬送手段６０は、プラズマ後
処理装置２０の処理ステーションと湿式処理装置３０の
処理ステーション（図示省略）との間で後処理済み試料
を搬送する機能を有する。試料搬送手段７０は、湿式処
理装置３０の処理ステーションと乾燥処理装置４０の処
理ステーション（図示省略）との間で湿式処理済み試料
を搬送する機能を有している。試料搬送手段５０は、処
理装置ＩＯ及びプラズマ後処理装置２０の各処理ステー
ションとの間で試料を受は渡し可能である。試料搬送手
段６０は、プラズマ後処理装置２０及び湿式処理装置３
０の各処理ステーションとの間で試料を受は渡し可能で
ある。試料搬送手段７０は、湿式処理装置３０及び乾燥
処理装置４０の各処理ステーションとの間で試料を受は
渡し可能である。試料搬送手段５０〜７０としては、公
知の搬送手段１例えば、機械的に、または、電気的に、
または、磁気的に回動または往復動させられるアームに
試料をその裏面からすくい保持する試料すくい具や試料
をその外周縁でつかみ保持する試料つかみ具や試料を吸
着、例えば、電磁吸着、真空吸着する試料吸着具が設け
られたアーム搬送装置や、駆動ローラと従動ローラとに
無端ベルトが巻き掛けられたベルト搬送装置や、気体の
吹出し力により試料を搬送する装置等が採用される。試
料搬送手段５０は、処理装置１０が試料を減圧下でプラ
ズマを利用して処理する装置である場合、処理済み試料
を大気に露呈させることなく減圧空間で搬送可能に設け
られている。 第１図で、この場合、処理装置１０で処理される試料を
処理装置１０に搬送する試料搬送手段８０と乾燥処理装
置４０で乾燥処理された試料を、例えば、回収用のカセ
ット（図示省略）に搬送する試料搬送手段９０とが設け
られている。試料搬送手段８０．９０としては、試料搬
送手段５０〜６０と同様のものが採用される。 第１図で、処理装置１０が、例えば、試料を減圧下でプ
ラズマを利用して処理する装置である場合、処理装置ｌ
Ｏの試料処理雰囲気と処理装置１０で処理される試料が
処理装置ｌＯに搬送される空間並びに処理済み試料が搬
送される空間とは、連通及び遮断可能になっている。ま
た、プラズマ後処理装置２０の試料後処理雰囲気と処理
済み試料が搬送される空間並びに後処理済み試料が搬送
される空間とは、連通及び遮断可能になっている。また
、後処理済み試料が搬送される空間、湿式処理装置３０
の試料湿式処理雰囲気、湿式処理済み試料が搬送される
空間、乾燥処理装置４０の試料乾燥処理雰囲気及び乾燥
処理済み試料が搬送される空間は、連通を保持された状
態であっても良いし、各々連通及び遮断可能であっても
良い。 第１図で、処理装置ｌＯの試料処理雰囲気には、処理ス
テーションが設けられている。処理装置１０が試料を減
圧下でプラズマを利用して処理する装置である場合、処
理ステーションは、試料台（図示省略）である、プラズ
マ後処理装置２０、湿式処理装置３０及び乾燥処理装置
４０の各処理雰囲気にも処理ステーションとして試料台
（図示省略）が各々設けられている。各試料台には、試
料が１個または複数個設置可能である。 尚、処理装置１０、プラズマ後処理装置２０では、各試
料台が試料処理雰囲気を形成する構成要素の１つとして
使用される場合もある。 第２図、第３図で、更に具体的に、かつ、詳細に説明す
る。 尚、第２図、第３図で、処理装置としては、この場合、
試料を減圧下でプラズマを利用して処理する装置が用い
られている。 第２図、第３図で、バッファ室１００の頂壁には、この
場合、４個の開口部１０１ａ−１０１ｂが形成されてい
る。バッファ室１００の底壁には、排気ノズル１０２ａ
が設けられている。排気ノズル１０２ａには、排気管（
図示省略）の一端が連結され、排気管の他端は、真空ポ
ンプ等の減圧排気装置（図示省略）の吸気口に連結され
ている。バッファ室１００の平面形状は、略り字形状で
ある。バッファ室１００は、この場合、ステンレス鋼で
形成されている。バッファ室１００を平面視した場合、
Ｌ字の長辺端から短辺側に向って順に開口部１０１ａ−
１０１ｃが形成され、開口部１０１ｄは、Ｌ字の短辺に
形成されている。開口部Ｉｏｔａ〜１０１ｄは、相隣り
合う開口部と所定間隔を有している。アーム８１がバッ
ファ室ｌＯ内で回動可能に設けられている。アーム８１
は、バッファ室１０内において同一平面内で回動可能で
ある。アーム８１の回動端には、試料すくい具８２が設
けられている。試料すくい具８２の平面形状は、略この
字形状である。アーム８１は、試料すくい具８２の略中
心の回動軌跡が開口部１０１ａＡｌ０１ｂそれぞれの中
心部と略対応するように設けられている。つまり、試料
すくぃ具８２の略中心が上記の回動軌跡を描くような位
置でアーム８１の回動支点は位置付けられている。アー
ム８１の回動支点は、その位置で上端部がバッファ室ｌ
ＯＯ内に突出させられ、また、下端部がバッファ室１０
０外に突出させられてバッファ室１００の底壁に該バッ
ファ室１００内の気密を保持して回動自在に設けられた
回動軸８３の上端に設けられている０回動軸８３の下端
は、バッファ室１００外で該バッファ室１００の底壁に
対応して配置された回動駆動手段（図示省略）に連接さ
れている。アーム５１が、アーム８１と異なる位置でバ
ッファ室１００内で回動可能に設けられている。アーム
５１は、バッファ室１００内において同一平面内、かつ
、この場合、アーム８１の回動平面と同一平面内で回動
可能である。アーム５１の回動端には、試料すくい具５
２が設けられている。試料すくい具５２の平面形状は、
試料すくい具８２のそれと路間−である。アーム５１は
、試料すくい具５２の略中心の回動軌跡が開口部１０１
ｂ〜ｔｏｌｄそれぞれの中心部と略対応するように設け
られている。つまり、試料すくい具５２の略中心が上記
の回動軌跡を描くような位置でアーム５１の回動支点は
位置付けられている。アーム５１の回動支点は、その位
置で上端部がバッファ室１００内に突出させられ、また
、下端部がバッファ室ｌＯＯ外に突出させられてバッフ
ァ室ｌＯＯの底壁に該バッファ室１００内の気密を保持
して回動自在に設けられた回動軸５３の上端に設けられ
ている０回動軸５３の下端は、バッファ室１００外で該
バッファ室１００の底９に対応して配置された回動駆動
手段、例えば、モータ５４の駆動軸に連接されている。 第３図で、試料台１１０、蓋部材１１１が開口部１０１
ａをはさみ設けられている。試料台１】０は、その表面
に試料設置面を有する。試料台１１０の平面形状、寸法
は、開口部Ｉｏｔａを塞ぐに十分な形状、寸法である。 試料台１１０は、開口部１０１８を開閉可能にバッファ
室１００内に、この場合、昇降動可能に設けられている
。昇降軸１１２は、この場合、開口部１０１ａの中心を
略軸心とし、その上端部をバッファ室１００内に突出さ
せ、また、下端部をバッファ室１００外に突出させてバ
ッファ室１００の底壁に該バッフ７室１００内の気密を
保持して昇降動自在に設けられている。試料台１１０は
、その試料設置面を上面として昇降軸１１２の上端に略
水平に設けられている。昇降軸１１２の下端は、バッフ
ァ室１００外で該バッファ室１００の底壁に対応して配
置された昇降駆動手段、例えば、シリンダ１１３のシリ
ンダロッドに連接されている。試料台１１０の上面外周
縁または該外周縁に対向するバッファ室１００の頂壁内
面つまり開口部１０１ａの周りのバッファ室１００の頂
壁内面には、気密シールリング（図示省略）が設けられ
ている。試料台１１０には、試料受渡具（図示省略）が
設けられている。つまり試料受渡具は、試料台１１０の
試料設置面より下方の位置と開口部１０１ａが試料台１
１０で閉止された状態で、開口部１０１ａより外側に突
出した位置との間で昇降動可能に設けられている。蓋部
材１１１の平面形状、寸法は、開口部Ｉｏｔａを塞ぐに
十分な形状、寸法である。蓋部材１１１は、開口部１０
１ａを開閉可能にバッファ室１００外に、この場合、昇
降動可能に設けられている。昇降軸１１４は、この場合
、昇降軸１１２の軸心と軸心を略一致させバッファ室１
００外に昇降動自在に設けられている。蓋部材１１１は
、昇降軸１１４の下端に略水平に設けられている。昇降
軸１１４の上端は、バッファ室１００外で蓋部材１１１
の上方位置に配置された昇降駆動手段１例えば、シリン
ダ１１５のシリンダロッドに連接されている。蓋部材１
１１の下面外周縁または該外周縁に対向するバッファ室
１００の頂壁外面つまり開口部１０１ａの周りのバッフ
ァ室１００の頂壁外面には、気密シールリング（図示省
略）が設けられている。 第３図で、形状が、この場合、略半球状の放電管１１が
バッファ室１００の頂壁に気密に構設されている。放電
管１１の開放部形状、寸法は、開口部１０１ｂのそれと
路間−であり、放電管１１の開放部は、開口部１０１ｂ
に略一致させられている。放電管１１は、石英等の電気
的絶縁材料で形成されている。放電管１１の外側には、
該放電管１１を内部に含み導波管１２ａが配設されてい
る。マイクロ波発振手段であるマグネトロン１３と導波
管１２ａとは、導波管１２ｂで連結されている。導波管
１２ａＡｌ２ｂは、電気的導電材料で形成されている。 導波管１２ｂは、アイソレータ１２ｃ、パワーモニタ１
２ｄを有している。導波管１２ｄの外側には、磁界発生
手段であるソレノイドコイル１４が環装されている。バ
ッファ室１００内と放電管ｌｌ内とでなる空間には、試
料台１５が昇降動可能に設けられている。昇降軸１６は
、この場合、放電管１１の軸心を略軸心とし１、その上
端部をバッファ室１００内に突出させ、また、下端部を
バッファ室１００外に突出させてバッファ室１００の底
壁に該バッファ室１００内の気密を保持して昇降動自在
に設けられている。試料台１５は、その表面に試料設置
面を有する。試料台１５の平面形状、寸法は、開口部１
０ｉｂを挿通可能な形状、寸法である。試料台１５は、
その試料設置面を上面として昇降軸１６の上端に略水平
に設けられている。昇降軸１６の下端は、バッファ室１
００外で該バッファ室１００の底壁に対応して配置され
た昇降駆動手段、例えば、シリンダ（図示省略）のシリ
ンダロッドに連接されている。昇降軸１６の下端部は、
この場合バイアス電源である０例えば、高周波電源１８
に接続されている。高周波電源１８は、バッファ室１０
０外に設置され、そして、接地されている。 この場合、試料台１５と昇降軸１６は、電気的導通状態
にあり、・バッファ室１００と昇降軸１６は、電気的に
絶縁されている。試料台１５には、試料受渡具（図示省
略）が設けられている。つまり、試料受渡具は、試料台
１５の試料設置面より下方の位置と、試料台１５ｂの試
料設置面がアーム８１の試料すくい具８２及びアーム５
１の試料すくい具５２より降下した状態で、これら試料
すくい具８２．５２より上方及び下方に昇降動可能に設
けられている。また、試料台１５は、温度調節可能な構
造となっている１例えば、試料台１５の内部には、熱媒
体流路が形成され、該流路には、熱媒体である冷却媒体
、例えば、冷却水や液体アンモニウムや液体窒素等の冷
却媒体や温水、加温ガス等の加温媒体が供給される。ま
た、例えば、試料台１５には、ヒータ等の発熱手段が設
けられる。試料台１５及び昇降軸１６の外側には、バッ
ファ室１００内でフランジ１２０．１２１が設けられて
いる。フランジ１２０．１２１の内径及びその形状は、
開口部１０１ｂのそれらと略−致している。フランジ１
２０は、放電管１１、試料台１５、昇降軸１６の軸心を
略中心としてバッファ室１００の底壁内面に気密に設け
られている。フランジ１２１は、フランジ１２０と対向
して配置されている。伸縮遮へい手段である金属ベロー
ズ１２２がフランジ１２０．１２１に跨設されている。 昇降軸（図示省略）が、その上端部をバッファ室１００
内に突出させ、また、その下端部をバッファ室１００外
に突出させてバッファ室ｌＯＯの底壁に該バッファ室１
００内の気密を保持して昇降動自在に設けられている。 フランジ１２１は、該昇降軸の上端に連結されている。 昇降軸の下端は、バッファ室１００外で該バッファ室１
００の底壁に対応して配置された昇降駆動手段、例えば
、シリンダ（図示省略）のシリンダロッドに連接されて
いる。フランジ１２１の上面または、該面と対向するバ
ッファ室１００の頂壁内面つまり開口部１０１ｂの周り
のバッファ室１００の頂壁内面には、気密シールリング
（図示省略）が設けられている。フランジ１２０より内
側のバッファ室１００の底壁には、排気ノズル１０２ｂ
が設けられている。排気ノズル１０２ｂには、排気管（
図示省略）の一端が連結され、排気管の他端は、真空ポ
ンプ等の減圧排気装置（図示省略）の吸気口に連結され
ている。排気管には、開閉弁（図示省略）や圧力調節弁
、例えば、可変抵抗弁（図示省略）が設けられている。 処理ガス源（図示省略）には、ガス導入管（図示省略）
の一端が連結され、その他端は、放電管１１内等に開口
させられている。ガス導入管には、開閉弁やガス流量調
節器（図示省略）が設けられている。 第３図で、プラズマ後処理室２１がバッファ室１００の
頂壁に気密に構設されている。プラズマ後処理室２１の
開放部形状、寸法は、開口部１０１ｃのそれと路間−で
あり、プラズマ後処理室２１の開放部は、開口部１０１
ｃに略一致させられている。バッファ室１００内とプラ
ズマ後処理室２１内とでなる空間には、試料台２２が設
けられている。支持軸２３は、この場合、プラズマ後処
理室２１の軸心を略軸心とし、その上端部をバッファ室
１００内に突出させ、また、下端部をバッファ室１００
外に突出させてバッファ室１００の底壁に該バッファ室
１００内の気密を保持して設けられている。試料台２２
は、その表面に試料設置面を有する。試料台２２の平面
形状、寸法は、開口部１０１ｃより、この場合、小さい
形状、寸法である。試料台２２は、その試料設置面を上
面として支持軸２３の上端に略水平に設けられている。 試料台２２の試料設置面は、アーム５１の試料す（い具
５２より下方に位置させられている。 試料台２２には、試料受渡具（図示省略）が設けられて
いる。つまり、試料受渡具は、試料台２２の試料設置面
より下方の位置とアーム５１の試料すくい具５２より上
方の位置との間で昇降動可能に設けられている。試料台
２２及び支持軸２３の外側には、バッファ室ｌＯＯ内で
フランジ１２５．１２６が設けられている。フランジ１
２５゜１２６の内径及びその形状は、開口部１０１ｃの
それらと略一致している。フランジ１２５は、プラズマ
後処理室２１、試料台２２、支持軸２３の軸心を略中心
としてバッファ室１００の底壁内面に気密に設けられて
いる。フランジ１２６は、フランジ１２５と対向して配
置されている。伸縮遮へい手段である金属ベローズ１２
７がフランジ１２５．１２６に跨設されている。昇降軸
（図示省略）が、その上端部をバッファ室１００内に突
出させ、また、その下端部をバッファ室１００外に突出
させてバッファ室１００の底壁に該バッファ室１００内
の気密を保持して昇降動自在に設けられている。フラン
ジ１２６は、該昇降軸の上端に連結されている。昇降軸
の下端は、バッファ室１００外で該バッファ室１００の
底壁に対応して配置された昇降駆動手段１例えば、シリ
ンダ（図示省略）のシリンダロッドに連接されている。 フランジ１２６の上面または該面と対向するバッファ室
１００の頂壁内面つまり開口部１０１Ｃの周りのバッフ
ァ室１００の頂壁内面には、気密シールリング（図示省
略）が設けられている。フランジ１２５より内側のバッ
ファ室１００の底壁には、排気ノズル１０２Ｃが設けら
れている。排気ノズル１０２ｃには、排気管（図示省略
）の一端が連結され、排気管の他端は、真空ポンプ等の
減圧排気装置（図示省略）の吸気口に連結されている。 第３図で、試料台１３０．蓋部材１３１が開口部１０１
ｄをはさみ設けられている。試料台１３０は、その表面
に試料設置面を有する。試料台１３０の平面形状、寸法
は、開口部１０１ｄを塞ぐに十分な形状、寸法である。 試料台１３０は、開口部１０１ｄを開閉可能にバッファ
室１００内に、この場合、昇降動可能に設けられている
。昇降軸１３２は、この場合、開口部ｔｏｌｄの中心を
略軸心とし、その上端部をバッファ室１００内に突出さ
せ、また、下端部をバッファ室１００外に突出させてバ
ッファ室１００の底壁に該バッファ室１００内の気密を
保持して昇降動自在に設けられている。試料台１３０は
、その試料設置面を上面として昇降軸１３２の上端に略
水平に設けられている。昇降軸１３２の下端は、バッフ
ァ室１００外で該バッファ室１００の底壁に対応して配
置された昇降駆動手段、例えば、シリンダ１３３のシリ
ンダロッドに連接されている。試料台１３０の上面外周
縁または該外周縁に対向するバッファ室１００の頂壁内
側つまり開口部１０１ｄの周りのバッファ室１００の頂
壁内面には、気密シールリング（図示省略）が設けられ
ている。試料台１３０には、試料受渡具（図示省略）が
設けられている。つまり、試料受渡具は、試料台１３０
の試料設置面より下方の位置と開口部１０１ｄが試料台
１３０で閉止された状態で開口部１０１ｄより外側に突
出した位置との間で昇降動可能に設けられている。蓋部
材１３１の平面形状、寸法は、開口部１０１ｄを開閉可
能にバッファ室１００外に、この場合、昇降動可能に設
けられている。昇降軸１３４は、この場合、昇降軸１３
２の軸心と軸心を略一致させバッファ室１００外に昇降
動自在に設けられている。蓋部材１３１は、昇降軸１３
４の下端に略水平に設けられている６昇降軸１３４の上
端は、バッファ室１００外で蓋部材１３１の上方位置に
配置された昇降駆動手段、例えば、シリンダ１３５のシ
リンダロッドに連接されている。蓋部材１３１の下面外
周縁または該外周縁に対向するバッファ室１００の頂壁
外面つまり開口部ｔｏｌｄの周りのバッファ室１００の
頂壁外面には、気密シールリング（図示省略）が設けら
れている。 第２図、第３図で、バッファ室１００外でバッファ室１
００のＬ字長辺の長平方向の側面に対応してカセット台
１４０が昇降動可能に設けられている。バッファ室１０
０外でバッファ室１００のＬ字長辺の幅方向の側面に沿
って直線状にガイド１４１が設けられている。ガイド１
４１のカセット台１４０側端は、この場合、カセット台
１４０の中心部に対応するように延ばされている。アー
ム１４２は、この場合、直線状部材であり、その一端は
、ガイド１４１に該ガイド１４１でガイドされて往復動
可能に設けられている。アーム１４２の他端部には５試
料すくい具１４３が設けられている。カセット台１４０
は、カセット設置面を上面として昇降軸１４４の上端に
略水平に設けられている。昇降軸１４４の下端は、昇降
駆動手段１４５に設けられている。 第２図、第３図で、バッファ室１００外には。 この場合、湿式処理室３１．乾燥処理室４１及び試料回
収室１５０が配設されている。湿式処理室３１、乾燥処
理室４１、試料回収室１５０は、この場合、バッファ室
１００の開口部１０１ｃＡｌ０１ｄ側の側壁に沿って順
次直列に配設されている。この内、湿式処理室３１は、
開口部１０１ｄに最も近い位置に設けられている。 第２図、第３図で、湿式処理室３１内には、試料台３２
が設けられている。支持軸３３は、この場合、その上端
部を湿式処理室３１内に突出させ、また、下端部を湿式
処理室３１外に突出させて湿式処理室３１の底壁に、こ
の場合、該湿式処理室３１内の気密、水密を保持して回
動可能に設けられている。支持軸３３の下端は回動駆動
手段、例えば、モータ（図示省略）の回動軸に連接され
ている。試料台３２は、その表面に試料設置面を有する
。試料台３２は、その試料設置面を上面として支持軸３
３の上端に略水平に設けられている。試料台３２の試料
設置面は、アーム６１の試料すくい具６２より下方に位
置させられている。試料台３２には、試料受渡具（図示
省略）が設けられている。つまり、試料受渡具は、試料
台３２の試料設置面の下方の位置とアーム６１の試料す
くい具５２より上方の位置との間で昇降動可能に設けら
れている。湿式処理室３１内には、処理液供給管（図示
省略）が試料台３２の試料設置面に向って処理液を供給
可能に設けられている。 処理液供給装置（図示省略）が、湿式処理室３１外に設
置されている。処理液供給管は、処理液供給装置に連結
されている。湿式処理室３１には、廃液排出管（図示省
略）が連結されている。また、この場合、窒素ガス等の
不活性ガスを湿式処理室３１内に導入する不活性ガス導
入手段（図示省略）が設けられている。 第２図、第３図で、アーム６１が、試料台１３０と試料
台３２とに対応可能で回動可能に設けられている。アー
ム６１は、バッファ室１００外において同一平面内で回
動可能である。アーム６１の回動端には、試料すくい具
６２が設けられている。試料すくい具６２の平面形状は
、試料すくい具５２．８２のそれらと路間−である。ア
ーム６１は、試料すくい具６２の略中心の回動軌跡が試
料台１３０．３２それぞれの中心部と略対応するように
設けられている。つまり、試料すくい具６２の略中心が
上記の°回動軌跡を描くような位置でアーム６１の回動
支点は位置付けられている。アーム６１の回動支点は、
この場合、バッファ室１００外及び湿式処理室３１外で
回動自在に設けられた回動軸６３の上端に設けられてい
る０回動軸６３の下端は、回動駆動手段、例えば、モー
タ６４の凧動軸に連接されている。アーム６１、試料す
くい具６２の回動域と対応する湿式処理室３工の側壁に
は、開口部３４が形成されている。開口部３４の大きさ
、位置は、湿式処理室３１内へのアーム６１．試料すく
い具６２の進入及び退避を阻害しないようになっている
。また、開口部３４は、この場合、開閉手段（図示省略
）により開閉可能である。 第２図、第３図で、乾燥処理室４１内には、試料台４２
が設けられている。試料台４２は、その表面に試料設置
面を有する。試料台４２は、その試料設置面を上面とし
て乾燥処理室４１の底壁に略水平に設けられている。加
温手段としては、この場合、ヒータ４３が用いられる。 ヒータ４３は、試料台４２の裏面に該試料台４２を加温
可能に設けられている。ヒータ４３は、電源（図示省略
）に接続されている。試料台４２の試料設置面は、アー
ム７１の試料すくぃ具７２より下方に位置させられてい
る。試料台４２には、試料受渡具（図示省略）が設けら
れている。つまり、試料受渡具は、試料台４２の試料設
置面の下方の位置とアーム７１の試料すくい具７２の上
方の位置との間で昇降動可能に設けられている。この場
合、試料台３２の試料受渡具も、試料台３２の試料設置
面の下方の位置とアーム７１の試料すくぃ具７２の上方
の位置との間で昇降動可能である。また、この場合、窒
素ガス等の不活性ガスを乾燥処理室４１内に導入する不
活性ガス導入手段（図示省略）が設けられている。 第２図、第３図で、試料回収室１５０内には、カセット
台１５１が設けられている。昇降軸１５２は、その上端
部を試料回収室１５０内に突出させ、またその下端部を
試料回収室１５０外に突出させて試料回収室１５０の底
壁に昇降動可能に設けられている。カセット台１５１は
、カセット設置面を上面として昇降軸１５２の上端に略
水平に設けられている。昇降軸１５２の下端は、昇降駆
動手段１５３に設けられている。また、この場合、窒素
ガス等の不活性ガスを試料回収室１５０内に導入する不
活性ガス導入手段（図示省略）が設けられている。 第２図で、ガイド７３が、湿式処理室３１．乾燥処理室
４１、試料回収室１５０の内側壁面に沿って設けられて
いる。ガイド７３は、直線状の形状である。つまり、こ
の場合、試料台３２．４２及びカセット台１５１のそれ
ぞれ中心を通る線は直線であり、該直線に沿って略平行
にガイド７３は設けられている。アーム７１は、この場
合、直線状部材であり、その一端は、ガイド７３に該ガ
イド７３でガイドされて往復動可能に設けられている。 アーム７１の他端部には、試料すくい具７２が設けられ
ている。尚、第２図、第３図で、アーム７１、試料すく
い具７２の湿式処理室３１内、乾燥処理室４１内及び試
料回収室１５０内への進入及び退避を阻害しないように
、アーム７１、試料すくい具７２の往復動域と対応する
各室の側壁にはそれぞれ開口部（図示省略）が形成され
ている。また、これら開口部は、開閉手段（図示省略）
によりそれぞれ開閉可能である。また、試料回収室１５
０には、カセット搬入出用の開口部や扉（いずれも図示
省略）が設けられている。 第２図、第３図で、カセット台１４０には、カセット１
６０が設置される。カセット１６０は。 この場合、複数個の試料１７０を１個毎高さ方向に積層
し収納可能なものであり、カセット１６０から試料１７
０を取り出すために側面の１つが開放されている。カセ
ット１６０は、試料取り出し開放側面を開口部１０１ａ
に向けてカセット台１４０に設置される。カセット１６
０が設置されたカセット台１４０は、この状態で１例え
ば、下降させられる。カセット１６０の最上段に収納さ
れている試料１７０を試料すくい具１４３ですくい可能
な位置でカセット台１４０の下降は停止される。一方、
開口部１０１ａＡｌｏｌｄは、試料台１１０．１３０に
よりそれぞれ閉止され、この状態で、減圧排気装置を作
動させることでバッファ室１００内は、所定圧力に減圧
排気される。その後、蓋部材１１１は、上昇させられ、
該上昇は、試料１７０をすくい有する試料すくぃ具１４
３が開口部１０１ａに至るのを阻害しない位置で停止さ
れる。この状態で、アーム１４２は、カセット１６０に
向って移動させられ、該移動は、試料すくい具１４３が
カセット１６０の、例えば、最下段に収納されている試
料１７０の裏面と対応する位置となった時点で停止され
る。その後、カセット１６０は、試料すくい具１４３で
試料１７０をすくい可能なだけカセット台１４０を上昇
させることで上昇させられる。これにより試料１７０は
、試料すくい具１４３でその裏面をすくわれて試料すく
い具１４３に渡される。試料すくい具１４３が試料１７
０を受は取った状態で、アーム１４２は、開口部Ｉｏｔ
ａに向って移動させられる。アーム１４２のこのような
移動は、試料１７０を有する試料すくい具１４３が開口
部Ｉｏｔａと対応する位置に至った時点で停止される。 この状態で、試料台１１０の試料受渡具が上昇させられ
、これにより試料１７０は、試料すくい具１４３から試
料受渡具に渡される。その後、試料すくい具１４３は、
試料１７０を受は取った試料受渡具の下降を阻害しない
位置にアーム１４２の移動により退避させられる。その
後、試料を有する試料受渡具は下降させられる。これに
より、試料１７０は、試料受渡具から試料台１１０に渡
されてその試料設置面に設置される。その後、蓋部材１
１１は、下降させられる。これにより開口部１Ｏ１ａは
、蓋部材１１１によっても閉止され、外部との連通が遮
断される。その後、試料１７０を有する試料台１１０は
、下降させられ、該下降は、試料台１１０の試料受渡具
とアーム８１の試料す、くい具８２との間で試料１７０
を受は渡し可能な位置に試料台１１０が至った時点で停
止される。 一方、フランジ１２０，１２１、金属ベローズ１２２は
、アーム８１及び試料すくい具８２の回動を阻害しない
ように下降させられ、また、試料台１５は、その試料受
渡具とアーム８１の試料す（い具８２との間で試料１７
０を受は渡し可能な位置に下降させられる。この状態で
、試料台１１０の試料受渡具はアーム８１の試料すくい
具８２との間で試料１７０を受は渡し可能に上昇させら
れる。その後、アーム８１を試料台１１０方向に回動さ
せることで、試料すくい具８２は、試料台１１°０の試
料受渡具が有している試料１７０の裏面に対応し該試料
１７０をすくい可能に位置付けられる。この状態で、試
料台１１０の試料受渡具は下降させられ、これにより試
料１７０は、試料台１１０の試料受渡具からアーム８１
の試料すくい具８２に渡される。試料１７０をすくい受
は取った試料すくい具８２は、アーム８１を試料台１５
方向に回動させることでフランジ１２１とバッファ室１
００の頂壁内面との間を通過し試料台１５方向に回動さ
せられる。尚、試料台１１０は、再び上昇させられ、こ
れにより、開口部１０１ａは、試料台１１０により閉止
される。上記のような試料すくい具８２の回動は、該試
料す（い具８２と試料台１５の試料受渡具との間で試料
１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具８２が至っ
た時点で停止される。この状態で、試料台１５の試料受
渡具を上昇させることで、試料１７０は、試料す（い具
８２から試料台１５の試料受渡具に渡される。その後、
試料すくい具８２は、アーム８１を開口部１０１ａＡｌ
０１ｂ間の位置まで回動させることで、試料台１１０．
１５との間での次の試料の受は渡しに備えて待機させら
れる。その後、フランジ１２１、金属ベローズ１２２は
、上昇させられ、これにより金属へローズ１２２内部の
バッファ室１００内及び放電管１１内は、金属ベローズ
１２２外部のバッファ室１００内との連通を遮断される
。また、試料１７０を受は取った試料台１５の試料受渡
具を下降させることで。 試料１７０は、試料台１５の試料受渡具から試料台１５
に渡されて該試料台１５の試料設置面に設置される。試
料１７０が試料設置面に設置された試料台１５は、金属
ベローズ１２２外部のバッファ室１００内と連通を遮断
された空間を所定位置まで上昇させられる。金属ベロー
ズ１２２外部のバッファ室１００内と連通を遮断された
空間には、処理ガス源から所定の処理ガスが所定流量で
導入される。該空間に導入された処理ガスの一部は、減
圧排気装置、可変抵抗弁の作動により該空間外へ排出さ
れる。これにより、該空間の圧力は、所定のエツチング
処理圧力に調節される。−方、マグネトロン１３から、
この場合、２．４５ＧＨｚのマイクロ波が発振される。 該発振されたマイクロ波は、アイソレータ１２ｃ、パワ
ーモニタ１２ｄを介し導波管１２ｂＡｌ２ａを伝播して
放電管１１に吸収され、これにより、マイクロ波を含む
高周波電界が発生させられる。これと共に、ソレノイド
コイル１４を作動させることで、磁界が発生させられる
５金属ベロ一ズ１２２外部のバッファ室１００内と連通
を遮断された空間にある処理ガスは、これらマイクロ波
を含む高周波電界と磁界との相乗作用によりプラズマ化
される。試料台１５に設置されている試料１７０は、こ
のプラズマを利用してエツチング処理される。 このような試料すくい具５２の回動は、該試料すくい具
５２と試料台１５の試料受渡具との間でエツチング処理
済みの試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具
５２が至った時点で停止される。この状態で、試料台１
５の試料受取具は下降させられ、これによりエツチング
処理済みの試料１７０は、試料台１５の試料受取具から
アーム５１の試料すくい具５２に渡される。エツチング
処理済みの試料１７０をすくい受は取った試料すくい具
５２は、アーム５１を試料台２２方向に回動させること
で、フランジ１２１とバッファ室ｌＯＤ頂壁内面との間
を通過し試料台２２方向に回動させられる。尚、エツチ
ング処理済みの試料１７０が除去された試料台１５には
、カセット１６０にある新規な試料が上記操作の実施に
より設置される。試料台１’５に設置された新規な試料
は、上記操作の実施により引続きエツチング処理される
。一方、エツチング処理済みの試料１７０を有する試料
すくい具５２の上記のような回動前またはその間にフラ
ンジ１２６、金属ベローズ１２７は、アーム５１及び試
料すくい具５２の回動を阻害しないように下降させらさ
れる。試料１７０のエツチング処理時に高周波電源１８
が作動させられ、所定の高周波パワーが昇降軸１６を介
して試料台１５に印加され、試料１７０には、所定の高
周波バイアスが印加される。また、試料１７０は、試料
台１５を介して所定温度に調節される。 試料１７０のエツチング処理が終了した時点で、マグネ
トロン１３、ソレノイドコイル１４、高周波電源１８等
の作動が停止され、また、金属ベローズ１２２外部のバ
ッファ室１００内と連通を遮断された空間への処理ガス
の導入が停止される。 また、その後、該空間の排気が十分に行われた後に、該
空間の減圧排気手段を構成する開閉弁が閉止される。そ
の後、フランジ１２１、金属ベローズ１２２は、アーム
５１及び試料すくい具５２の回動を阻害しないように下
降させられ、また、試料台１５は、その試料受渡具とア
ーム５１の試料すくい具５２との間でエツチング処理済
み試料１７０を受は渡し可能な位置に下降させられる。 その後、試料台１５の試料受渡具は、アーム５１の試料
すくい具５２との間でエツチング処理済みの試料１７０
を受は渡し可能に上昇させられる。この状態で、試料す
くい具５２は、アーム５１を試料台１５方向に回動させ
ることで、フランジ１２１とバッファ室１００の頂壁内
面との間を通過し試料台１５方向に回動させられ、更に
、エツチング処理済みの試料１７０を有する試料す（い
具５２は、アーム５１を試料台２２方向に更に回動させ
ることで、フランジ１２６とバッファ室１００頂壁内面
との間を通過し試料台２２方向に更に回動させられる。 このような試料すくい具５２の回動は、該試料すくい具
５２と試料台２２の試料受渡具との間でエツチング処理
済みの試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具
５２が至った時点で停止される。この状態で、試料台２
２の試料受取具は上昇させられ、これによりエツチング
処理済みの試料１７０は、試料す（い具５２から試料台
２２の試料受取具に渡される。その後、試料すくい具５
２は、アーム５１を開口部１０１Ｃ，１０１ｄ間の位置
まで回動させることで、該位置に待機させられる。その
後、フランジ１２６、金属ベローズ１２７は、上昇させ
られ、これにより金属ベローズ１２７内部のバッファ室
１００内及びプラズマ後処理室２１内は、金属ベローズ
１２７外部のバッファ室１００内との連通な遮断される
６また。エツチング処理済みの試料１７０を受は取った
試料台２２の試料受渡具を下降させることで、エツチン
グ処理済みの試料１７０は、試料台２２の試料受渡具か
ら試料台２２に渡されて該試料台２２の試料設置面に設
置される。 金属ベローズ１２７外部のバッファ室１００内と連通な
遮断された空間には、後処理ガスが所定流量で導入され
ると共に、該後処理ガスの一部は該空間より排気される
。これにより該空間の圧力は、所定の後処理圧力に調節
される。その後、該空間にある後処理ガスは、この場合
、マイクロ波を含む高周波電界の作用によりプラズマ化
される。試料台２２に設置されたエツチング処理済みの
試料１７０は、このプラズマを利用して後処理される。 このようなエツチング処理済みの試料の後処理が終了し
た時点で、金属ベローズ１２７外部のバッファ室１００
内と連通を遮断された空間への後処理ガスの導入、該後
処理ガスのプラズマ化が停止される。その後、フランジ
１２８、金属ベローズ１２７は、アーム５１及び試料す
くい具５２の回動を阻害しないように下降させられる。 開口部１０１ｃＡｌｏｌｄ間に待機させられている試料
すくい具５２は、試料台２２の試料受渡具による後処理
済みの試料１７０の上昇を阻害しない位置で′、かつ、
試料台２２を通過した位置まで回動させられる。この状
態で、試料台２２の試料受渡具が上昇させられ、これに
より試料台２２に設置されている後処理済みの試料１７
０は、試料台２２の試料受渡具に渡される。その後、ア
ーム５１を試料台２２方向に回動させることで、試料す
くい具５２は、試料台２２の試料受渡具が有している後
処理済みの試料１７０の裏面に対応し、該試料１７０を
すくい可能に位置付けられる。この状態で、試料台２２
の試料受渡具は下降させられ、これにより後処理済みの
試料１７０は、試料台２２の試料受渡具からアーム５１
の試料すくい具５２に渡される。後処理済みの試料１７
０をすくい受は取った試料すくい具５２は、アーム５１
を試料台１３０方向に回動させることで、フランジ１２
６とバッファ室１００の頂壁内面との間を通過し試料台
１３０方向に回動させられる。尚、後処理済みの試料１
７０が除去された試料台２２には、次のエツチング処理
された試料が設置され、該試料はプラズマを利用して引
続き後処理される。一方、後処理済みの試料１７０を有
する試料すくい具５２の上記のような回動前またはその
間に試料台１３０は、この試料受渡具とアーム５１の試
料すくい具５２との間で後処理済みの試料１７０を受は
渡し可能な位置に下降させられる。 上記のような試料すくい具５２の回動は、該試料すくい
具５２と試料台１３０の試料受渡具との間で後処理済み
の試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具５２
が至った時点で停止される。 この状態で、試料台１３０の試料受取具は上昇させられ
、これにより後処理済みの試料１７０は、試料すくい具
５２から試料台１３０の試料受渡具に渡される。その後
、試料すくい具５２は、アーム５１を開口部１０１ｂＡ
ｌｏｌｃ間の位置まで回動させることで、次のエツチン
グ処理済み試料を試料台２２へ搬送するために該位置で
待機させられる。その後、後処理済みの試料１７０が除
去された試料台２２には、次のエツチング処理済み試料
が設置され、該試料はプラズマを利用して引続き後処理
される。一方、後処理済みの試料１７０を受は取った試
料台１３０の試料受渡具は、下降させられる。これによ
り、後処理済みの試料１７０は、試料台１３０の試料受
渡具から試料台１３０に渡されてその試料設置面に設置
される。その後、後処理済みの試料１７０を有する試料
台１３０は、上昇させられ、これにより、開口部１Ｏ１
ｄは、試料台１３０により気密に閉止される。 この状態で、蓋部材１３１は上昇させられる。この蓋部
材１３１の上昇は、試料台１３０の試料受、渡具の上昇
を阻害せず、かつ、アーム６１の試料すくい具６２が試
料台１３０の試料受渡具との間で後処理済みの試料１７
０の受は取り可能な位置に至るのを阻害しない位置に蓋
部材１３１が上昇した時点で停止される。この状態で、
まず、試料台１３０の試料受渡具が上昇させられる。こ
れにより、後処理済みの試料１７０は、試料台１３０か
ら該試料台１３０の試料受渡具に渡される。その後５試
料すくい具６２は、アーム６１を試料台１３０方向に回
動させることで試料台１３０に向って回動させられる。 このような試料すくい具６２の回動は、該試料すくい具
６２と試料台１３０の試料受渡具との間で後処理済みの
試料１７０を受は渡し可能な位置つまり試料台１３０の
試料受渡具が有する後処理済みの試料１７０の裏面と対
応する位置に試料すくい具６２が至った時点で停止され
る。その後、試料台（３０の試料受渡具は下降させられ
る。これにより、後処理済みの試料１７０は、試料台１
３０の試料受渡具から試料すくい具６２に渡される。後
処理済みの試料１７０をすくい受は取った試料すくい具
６２は、アーム６１を湿式処理室３１方向に回動させる
ことで。 湿式処理室３１内の試料台３２に向って回動させられる
。一方、試料すくい具６２に後処理済みの試料１７０を
渡した試料台１３０の試料受渡具は、試料台１３０の試
料設置面以下となる位置まで更に下降させられる。その
後、蓋部材１３１は、下降させられる。これにより、開
口部１０１ｄは、蓋部材１３１により気密に閉止される
。 尚、この状態で、試料台１３０は、再び下降させられ、
該下降させられた試料台１３０には、次の後処理済みの
試料が渡されて設置される。一方、後処理済みの試料１
７０を有する試料すくい具６２の回動は、該試料すくい
具６２と試料台３２の試料受渡具との間で後処理済みの
試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい具６２が
至った時点で停止される。この状態で、試料台３２の試
料受渡具は上昇させられる。これにより後処理済みの試
料１７０は、試料すくい具６２から試料台３２の試料受
渡具に渡される。後処理済みの試料１７０を渡した試料
すくい具６２は、次の後処理済み試料の受は取りに備え
て湿式処理室３１外に退避させられる。その後、開口部
３４は閉止される。一方、後処理済みの試料１７０を受
は取った試料台３２の試料受渡具は下降させられる。こ
れにより、後処理済みの試料１７０は、試料台３２の試
料受渡具から試料台３２に渡されてその試料設置面に設
置される。その後、処理液供給装置から処理液供給管を
介して所定流量で処理液が、試科白３２に設置された後
処理済みの試料１７０の被処理面に向って供給される。 これと共に、モータの作動により後処理済みの試料１７
０は回転させられる。このような操作により後処理済み
の試料１７０の湿式処理が実施される。尚、湿式処理室
３１内には、不活性ガス導入手段により、例えば、窒素
ガスが導入され、これにより、湿式処理は窒素ガス雰囲
気下で実施される。また、該湿式処理により生じた廃液
は、廃液排出管を介して湿式処理室３１外へ排出される
。このような湿式処理が終了した時点で、処理液の供給
、試料１７０の回転等は停止される。その後、試料台３
２の試料受渡具は上昇させられる。湿式処理済みの試料
１７０は、この上昇途中で試料台３２からその試料受渡
具に渡される。湿式処理済みの試料１７０を受は取った
試料台３２の試料受渡具の上昇は、試料すくい具７２と
の間で湿式処理済みの試料１７０を受は渡し可能な位置
に至った時点で停止される。この状態で、試料すくい具
７２は、アーム７１を介して試料台３２に向って移動さ
せられる。該移動は、試料すくい具７２と試料台３２の
試料受渡具との間で湿式処理済みの試料１７０を受は渡
し可能な位置に試料すくい具７２が至った時点で停止さ
れる。その後、試料台３２の試料受渡具は下降させられ
る。これにより、湿式処理済みの試料１７０は、試料す
くい具７２に渡される。尚、湿式処理済みの試料１７０
を除去された試料台３２の試料受渡具は、次の後処理済
み試料の受は取りに備えられる。湿式処理済みの試料１
７０を有する試料すくい具７２は、アーム７１を介して
試料台４２に向って開口部を通り渣式処理室３１から乾
燥処理室４Ｉへと更に移動させられる。該移動は、試料
すくい具７２と試料台４２の試料受渡具との間で湿式処
理済みの試料１７０を受は渡し可能な位置に試料すくい
具７２が至った時点で停止される。その後、試料台４２
の試料受渡具は上昇させられる。これにより、湿式処理
済みの試料１７０は、試料台４２の試料受渡具に渡され
る。尚、湿式処理済みの試料１７０が除去された試料す
くい具７２は、−旦、後退させられる。試料台４２の試
料受渡具は下降させられる。 これにより、湿式処理済みの試料１７０は、試料台４２
の試料受渡具から試料台４２に渡されてその試料設置面
に設置される。試料台４２は、ヒータ４３への通電によ
る発熱により加温され、湿式処理済みの試料１７０は、
試料台４２を介して加温される。湿式処理済みの試料１
７０の温度は、ヒータ４３への通電量調節により所定温
度に調節される。これにより、湿式処理済みの試料１７
０は、乾燥処理される。尚、乾燥処理室４１内には、不
活性ガス導入手段により１例えば、窒素ガスが導入され
、これにより、乾燥処理は窒素ガス雰囲気下で実施され
る。このような乾燥処理が終了した時点で、試料台４２
の試料受渡具は上昇させられる。乾燥処理済みの試料１
７０は、この上昇途中で試料台４２からその試料受渡具
に渡される。乾燥処理済みの試料Ａｌ７０を受は取った
試料台４２の試料受渡具の上昇は、試料すくい具７２と
の間で乾燥処理済みの試料１７０を受は渡し可能な位置
に至った時点で停止される。この状態で、試料すくい具
７２は、アーム７２を介して試料台４２に再び向って移
動させられる。該移動は、試料すくい具７２と試料台４
２の試料受渡具との間で乾燥処理済みの試料１７０を受
は渡し可能な位置に試料す（い具７２が至った時点で停
止される。その後、試料台４２の試料受渡具は下降させ
られる。これにより、乾燥処理済みの試料１７０は、試
料すくい具７２に渡される。尚、乾燥処理済みの試料１
７０を除去された試料台４２の試料受渡具は、次の湿式
処理済み試料の受は取りに備えられる。乾燥処理済みの
試料１７０を有する試料す（い具７２は、アーム７１を
介してカセット台１５１に向って開口部を通り乾燥処理
室４１から試料回収室１５０へと更に移動させられる。 該移動は、試料す（い具７２とカセット台１５１に設置
されたカセット１６１との間で乾燥処理済みの試料１７
０を受は渡し可能な位置に試料すくい具７２が至った時
点で停止される。カセット１６１は、例えば、収納用の
溝が複数条高さ方向に形成されたものであり、該カセッ
ト１６１は、最上部の溝で試料を受は取り可能に位置さ
せられている。この状態で、カセット１６１が所定量間
欠的に下降させられる。これにより、乾燥処理済みの試
料１７０は、カセット１６１の最上部の溝に支持されて
カセット１６１に回収、収納される。また、試料回収室
１５０内には、不活性ガス導入手段により、例えば、窒
素ガスが導入され、これにより、乾燥処理済みの試料１
７０は、窒素ガス雰囲気下でカセット１６１に収納され
て試料回収室１５０で一担、保管される。カセット１６
１への乾燥処理済み試料の回収が順次、実施され、これ
により、該回収が完了した時点でカセット１６１は試料
回収室１５０外へ搬出される。 カセット１６１に収納された状態で試料回収室１５０外
へ搬出された試料は、次工程へと運ばれる。 試料として、第４図に示すようなＳｉ基板１７１上に厚
さ３０００人のシリコン酸化膜１７２を作り、この上に
ＴｉＷＭ！１７３とＡＪ２−Ｃｕ−３ｉ膜１７４との積
層配線を形成し、フォトレジスト１７５をマスクとした
試料を用い、該試料を第２図、第３図に示した装置を用
いて処理した。 エツチング処理条件として、処理ガス種ＢＣｌ２ ｓ
＋ ＣＡ ｍ、処理ガス流量１５０ ｓｅｃ＋ａ、処理
圧力１６ｍＴｏｒｒ、マイクロ波出力６００Ｗ、ＲＦバ
イアス８０Ｗの条件を選択した。 エツチング処理を行った後、その後の工程を全て無処理
で通過させたもの（Ａ）、エツチング処理後、プラズマ
後処理を行い、その後の湿式処理を乾燥処理とを省略し
たもの（Ｂ）及び全工程で所定の処理を行ったもの（Ｄ
）、更に、エツチング処理後のプラズマ後処理を省略し
湿式処理と乾燥処理とを行ったもの（Ｃ）とで、防食に
対する効果を比較してみた。 尚、プラズマ後処理室での処理条件は、処理ガス種０．
＋ＣＦ４ 、処理ガス流量４００ ｓｅｃｍ （０−）
、３５ｓｅｃｍ （ＣＦ、 ） 、処理圧力１．５Ｔ
ｏｒｒとし、プラズマは、２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を用いて発生させた。この場合、プラズマ後処理は、主
としてフォトレジストの灰化とパターン側壁保護膜やパ
ターン底部に残存する塩化物の除去が目的であり、灰化
処理に約３０秒、そのままのプラズマ条件で約１分の追
加処理を行った。 また、湿式処理ではＡｌ分間の純水によるスビーニング
水洗処理と３０秒間のスビーニング乾燥を行った。更に
、窒素ガス雰囲゛気下でヒータにて試料台を１５０℃に
加温し、この上に湿式処理済み試料を１分間放置して乾
燥処理を行った。 その結果、エツチング処理を行った後にプラズマ後処理
して湿式処理、つまり、水洗処理と乾燥処理とを省略し
たものを光学顕微鏡を用い観察したところ、処理後、約
１時間で腐食らしきはん点状のものが認められた。そこ
で、これを更にＳＥＭを用いて詳細を観察したところ、
第５図に示すように、ＴｉＷ層とＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ層の
境界を起点として扇形状の腐食による生成物１８０が認
められた。このため、プラズマ後処理条件として、０２
に対するＣＦ、の混合比を５〜２０％。 処理圧力を０．６〜２ Ｔｏｒｒとし、また、試料温度
を処理中に２５０℃まで上昇させてみたが、いずれにお
いても処理後、数時間以内に上記と同様の腐食が認めら
れた。 上記のような腐食は、Ａｅ−Ｓｉ単層配線膜では認めら
れない、つまり、このことから、イオン化傾向の異なる
異種金属の積層配線では、いわゆる電池作用による電蝕
によって腐食が発生、加速されているものと考えられる
。 このような腐食の発生を十分に防止するためには、エツ
チング処理後のプラズマ後処理では除去しきれないわず
かな塩素成分をも徹底して除去する必要のあることが解
った。 そこで、前述の如（、各種条件にて処理を行い、処理後
腐食が発生するまでの時間を調べたところ、第６図に示
す結果が得られた。 第６図から明らかなように、積層配線等の腐食が激しい
配線材については、エツチング処理後、レジスト灰化等
のプラズマ後処理や、あるいは、エツチング処理後、レ
ジスト灰化等のプラズマ後処理を行わずに、水洗処理と
乾燥処理とを行ったものでは防食効果が十分ではなく、
エツチング処理、レジスト灰化等のプラズマ後処理、水
洗処理、乾燥処理を一貫して実施することで、初めて３
０時間以上の高い防食効果が得られる。 尚、以上の他に、エツチング後の残渣の除去を兼ねて水
洗処理の前にフッ硝酸で処理しても同様の効果が得られ
る。更に、エツチング処理後、プラズマアッシング処理
を行った後に、当該処理でも除去しきれないパターン側
壁保護膜を除去する目的で、弱アルカリ液や弱酸性液（
例えば、酢酸）で処理後、水洗処理、乾燥処理を行うこ
とにより、塩素成分をより完全に除去でき更に防食効果
を向上させることができる。 上記実施例においては、エツチング処理→プラズマ後処
理→湿式処理−乾燥処理であるが、エツチング処理→湿
式処理−乾燥処理−プラズマ後処理でも良い、この場合
、湿式処理においては、例えば、エツチング後の残漬等
の予備除去及びレジストの除去が実施される。また、例
えば、エツチング後の残渣等の予備除去が実施される。 このような場合、プラズマ後処理においては、例えば、
残留残渣等の除去が実施され、また、例えば、残留残渣
等の除去及びレジストの除去が実施される。 また、上記一実施例において、プラズマ後処理済み試料
を湿式処理完了するまでの時間は、例えば、第４図のよ
うな試料の場合、第６図に示すように約１時間で腐食が
発生するようになるため、長くとも該時間内に限定され
る。但し、できる限り短時間内で湿式処理を完了するの
が望ましい。 つまり、プラズマ後処理が完了した試料をプラズマ後処
理装置から湿式処理装置へ直ちに搬送して湿式処理する
ようにするのが望ましい、また、プラズマ後処理済み試
料を、上記一実施例では、大気中で搬送しているが、こ
の他に、真空下若しくは不活性ガス雰囲気下で搬送する
ようにしても良い、このような雰囲気下での搬送は、プ
ラズマ後処理から湿式処理着手までの時間が、例えば、
大気中における腐食発生時間よりも長くなる場合に極め
て有効である。また、このような場合、プラズマ後処理
装置と湿式処理装置との間にプラズマ後処理済み試料を
真空下若しくは不活性ガス雰囲気下で一旦保管する手段
を設けるようにしても良い。 第７図は、本発明の第２の実施例を説明するもので、本
発明の一実施例を説明する第１図と異なる点は、不動態
化処理装置１９０が、乾燥処理装置４０の後段側に付設
された点である。この場合、試料搬送手段９０は、乾燥
処理装置４０の乾燥処理室°（図示省略）から乾燥処理
済み試料を不動態化処理装置１９０の不動態化処理室（
図示省略）へ搬送する機能を有する。また、不動態化処
理済み試料を、例えば、回収用のカセット（図示省略）
に搬送する試料搬送手段２００が設けられている。尚、
第７図で、その他第１図と同−装置等は同一符号で示し
説明を省略する。 第７図で、エツチング処理されプラズマ後処理された試
料（図示省略）は、試料搬送手段６０により湿式処理装
置３０の湿式処理室（図示省略）に搬入され、該湿式処
理室内の湿式処理ステーションである試料台（図示省略
）の試料設置面に設置される。湿式処理室内の試料台に
設置されたプラズマ後処理済み試料は、例えば、現象液
処理（ＴＭＡＨ）される。このような湿式処理によりエ
ツチング後の残渣等は充分に除去される。これと共に、
試料が、例えば、第４図に示すようにＡｌ１を成分とし
て有するものにおいては、該Ａ℃も一部溶解される。こ
のような試料を、その後、乾燥処理して、例え°ば、大
気中に取り出した場合、腐食の一形態である酸化が生じ
不都合である。そこで、ＴＭＡＨされ乾燥処理装置４０
の乾燥処理室で乾燥処理された試料は、試料搬送手段９
０により不動態化処理装置１９０の不動態化処理室に搬
入され、該不動態化処理室内の処理ステーションである
試料台（図示省略）の試料設置面に設置される。一方、
不動態化処理室内では、不動態化処理用のガスプラズマ
、この場合、酸素ガスプラズマが生成若しくは移送され
る。不動態化処理室内の試料台に設置された乾燥処理済
み試料は、該酸素ガスプラズマにより不動態化処理され
る。不動態化処理済み試料は、不動態化処理室から試料
搬送手段２００により回収用のカセットに搬送されて回
収、収納される。 尚、不動態化処理は、上記の他に、例えば、硝酸を用い
て行っても良い。 〔発明の効果〕 本発明によれば、試料のエツチング処理によって生じた
腐食性物を充分に除去できるので、試料の種類によらず
エツチング処理後の試料の腐食を十分に防止できる効果
がある。
第１図は、本発明の一実施例の試料処理装置のブロック
構成図、第２図は、第１図の装置の具体的な詳細平面視
断面図、第３図は、第２図の装置の縦断面図、第４図は
、試料の一例を示す縦断面図、第５図は、腐食発生例を
示す斜視外観図、第６図は、エツチング処理後の処理態
様と腐食発生までの時間との関係図、第７図は、本発明
の第２の実施例の試料処理装置のブロック構成図である
。 １０〜−一一一一エッチング処理装置、２０−−−−−
−プラズマ後処理装置、３０−−−−−一湿式処理装置
、４０−−−−−一乾燥処理装置Ａｌ９０−−−−一不
動態化処理装置、５０ないし９０．２００−−−−−一
試料搬送手段オ 川 Ｉｆ４４ｊＥ−１３で−の１１間（Ｈｒ）１４図 第 図
構成図、第２図は、第１図の装置の具体的な詳細平面視
断面図、第３図は、第２図の装置の縦断面図、第４図は
、試料の一例を示す縦断面図、第５図は、腐食発生例を
示す斜視外観図、第６図は、エツチング処理後の処理態
様と腐食発生までの時間との関係図、第７図は、本発明
の第２の実施例の試料処理装置のブロック構成図である
。 １０〜−一一一一エッチング処理装置、２０−−−−−
−プラズマ後処理装置、３０−−−−−一湿式処理装置
、４０−−−−−一乾燥処理装置Ａｌ９０−−−−一不
動態化処理装置、５０ないし９０．２００−−−−−一
試料搬送手段オ 川 Ｉｆ４４ｊＥ−１３で−の１１間（Ｈｒ）１４図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料を処理する工程と、該処理済み試料を減圧下で
プラズマを利用して後処理する工程と、該後処理済み試
料を湿式処理する工程と、該湿式処理済み試料を乾燥処
理する工程とを有することを特徴とする試料処理方法。 ２、被エッチング面にレジストを有する試料を減圧下で
プラズマを利用してエッチング処理し、該エッチング処
理済みの試料を減圧下でプラズマを利用してアッシング
処理し、該アッシング処理済み試料を湿式処理し、該湿
式処理済み試料を乾燥処理する第１請求項に記載の試料
処理方法。 ３、イオン化傾向が異なる金属を有し、かつ、被エッチ
ング面にマスクを有する試料を減圧下でプラズマを利用
してエッチング処理し、該エッチング処理済みの試料を
減圧下でプラズマを利用してマスク除去処理し、該マス
ク除去処理済み試料を湿式処理し、該湿式処理済み試料
を乾燥処理する第１請求項に記載の試料処理方法。 ４、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜を有し、かつ、被エッチン
グ面にレジストを有する試料またはＡｌ−Ｃｕ合金膜と
高融点金属及びこれらのシリサイド膜との積層構造で、
かつ、被エッチング面にレジストを有する試料を減圧下
で塩素を含むガスプラズマを利用してエッチング処理し
、該エッチング処理済みの試料を減圧下で酸素を含むガ
スプラズマを利用してアッシング処理し、該アッシング
処理済み試料表面に残留する腐食成分を除去可能に処理
液体により洗浄処理し、該洗浄処理済み試料を乾燥処理
する第３請求項に記載の試料処理方法。 ５、前記アッシング処理済み試料を水により洗浄処理す
る第４請求項に記載の試料処理方法。 ６、前記アッシング処理済み試料を弱アルカリ液により
洗浄処理した後に、水により洗浄処理する第４請求項に
記載の試料処理方法。 ７、前記アッシング処理済み試料を弱酸性液により洗浄
処理した後に、水により洗浄処理する第４請求項に記載
の試料処理方法。 ８、前記アッシング処理済み試料をフッ硝酸により洗浄
処理した後に、水により洗浄処理する第４請求項に記載
の試料処理方法。 ９、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜を有し、かつ、被エッチン
グ面にレジストを有する試料またはＡｌ−Ｃｕ合金膜と
高融点金属及びこれらのシリサイド膜との積層構造で、
かつ、被エッチング面にレジストを有する試料を減圧下
で塩素を含むガスプラズマを利用してエッチング処理し
、該エッチング処理済みの試料を減圧下で酸素を含むガ
スプラズマを利用してアッシング処理し、該アッシング
処理済み試料を該試料表面が不動態化可能に湿式処理し
、該湿式処理済み試料を乾燥処理する第３請求項に記載
の試料処理方法。 １０、前記アッシング処理済み試料を、硝酸処理する第
９請求項に記載の試料処理方法。 １１、前記エッチング処理済みの試料を減圧雰囲気下で
前記アッシング処理工程に搬送し、前記アッシング処理
済み試料を減圧雰囲気下及び該減圧雰囲気並びに前記湿
式処理雰囲気とそれぞれ連通可能な雰囲気下で前記湿式
処理工程に搬送し、前記湿式処理済み試料を前記湿式処
理雰囲気と前記乾燥処理雰囲気と連通可能な雰囲気下で
搬送する第４請求項または第９請求項に記載の試料処理
方法。 １２、前記湿式処理雰囲気が不活性ガス雰囲気である第
１１請求項に記載の試料処理方法。 １３、試料を処理する工程と、該処理済み試料を減圧下
でプラズマを利用して後処理する工程と、該後処理済み
試料を湿式処理する工程と、該湿式処理済み試料を乾燥
処理する工程と、該乾燥処理済みの試料を減圧下でプラ
ズマを利用して不動態化処理する工程とを有することを
特徴とする試料処理方法。 １４、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜を有し、かつ、被エッチ
ング面にレジストを有する試料またはＡｌ−Ｃｕ合金膜
と高融点金属及びこれらのシリサイド膜との積層構造で
、かつ、被エッチング面にレジストを有する試料を減圧
下で塩素を含むガスプラズマを利用してエッチング処理
し、該エッチング処理済み試料を減圧下で酸素を含むガ
スプラズマを利用してアッシング処理し、該アッシング
処理済みの試料を現像液処理し、該現像液処理済み試料
を乾燥処理し、該乾燥処理済み試料を減圧下で酸素ガス
プラズマを利用して不動態化処理する第１３請求項に記
載の試料処理方法。 １５、試料を処理する工程と、該処理済み試料を減圧下
でプラズマを利用して後処理する工程と、該後処理済み
試料を湿式処理する工程と、該湿式処理済み試料を乾燥
処理する工程と、該乾燥処理済みの試料を不活性ガス雰
囲気で保管する工程とを有することを特徴とする試料処
理方法。 １６、半導体素子の製造工程において、半導体素子基板
のエッチング工程後のプラズマアッシング工程と該アッ
シング工程後の湿式処理工程とを有することを特徴とす
る半導体素子の製造方法。 １７、試料を処理する手段と、該処理手段での処理済み
試料をプラズマ後処理する手段と、該プラズマ後処理手
段での処理済み試料を湿式処理する手段と、該湿式処理
手段での処理済み試料を乾燥処理する手段とを具備した
ことを特徴とする試料処理装置。 １８、前記処理手段、プラズマ後処理手段、湿式処理手
段及び乾燥処理手段を、各手段間で前記各試料を搬送可
能に逐次連続して配置した第１７請求項に記載の試料処
理装置。 １９、エッチング室と該エッチング室内を減圧排気する
手段と前記エッチング室内にエッチングガスを導入する
手段と前記エッチング室内で前記エッチングガスをプラ
ズマ化する手段と被エッチング面にマスクを有し前記プ
ラズマを利用してエッチング処理される試料を前記エッ
チング室内で保持する試料台とを備えたプラズマエッチ
ング装置と、後処理室と該後処理室内を減圧排気する手
段と前記後処理室内にマスク除去用ガスを導入する手段
と前記後処理室内で前記マスク除去用ガスをプラズマ化
する手段と前記マスク除去用ガスプラズマを利用してマ
スク除去処理される前記エッチング処理済み試料を前記
後処理室内で保持する試料台とを備えたプラズマ後処理
装置と、湿式処理室と該湿式処理室内で湿式処理される
前記プラズマ後処理処理済み試料を前記湿式処理室内で
保持する試料台と該試料台に保持された前記プラズマ後
処理処理済み試料に処理液を供給する手段とを備えた湿
式処理装置と、乾燥処理室と該乾燥処理室内で乾燥処理
される前記湿式処理済み試料を前記乾燥処理室内で保持
する試料台と該試料台に保持された前記湿式処理済み試
料を加温する手段とを備えた乾燥処理装置と、前記前段
側の装置と後段側の装置との前記試料台間で前記各試料
を搬送する試料搬送装置とを具備したことを特徴とする
試料処理装置。 ２０、前記プラズマエッチング装置の前記試料台を、Ａ
ｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜を有し、かつ、被エッチング面に
レジストを有する試料またはＡｌ−Ｃｕ合金膜と高融点
金属およびこれらのシリサイド膜との積層構造で、かつ
、被エッチング面にレジストを有する試料を保持する試
料台とし、前記エッチングガス導入手段を、塩素を含む
エッチングガスを前記エッチング室内に導入する手段と
し、前記マスク除去用ガス導入手段を、酸素を含むアッ
シングガスをアッシング室内に導入する手段とし、前記
処理液供給手段を、前記アッシング処理済み試料の表面
に残留する腐食成分を除去する処理液を前記湿式処理室
内の前記試料台に保持された前記アッシング処理済み試
料に供給する手段とした第１９請求項に記載の試料処理
装置。 ２１、前記プラズマエッチング装置の前記試料台を、Ａ
ｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金膜を有し、かつ、被エッチング面に
レジストを有する試料またはＡｌ−Ｃｕ合金膜と高融点
金属およびこれらのシリサイド膜との積層構造で、かつ
、被エッチング面にレジストを有する試料を保持する試
料台とし、前記エッチングガス導入手段を、塩素を含む
エッチングガスを前記エッチング室内に導入する手段と
し、前記マスク除去用ガス導入手段を、酸素を含むアッ
シングガスをアッシング室内に導入する手段とし、前記
処理液供給手段を、前記アッシング処理済み試料の表面
を不動態化する処理液を前記湿式処理室内の前記試料台
に保持された前記アッシング処理済み試料に供給する手
段とした第１９請求項に記載の試料処理装置。 ２２、前記エッチング処理済み試料を搬送する装置を、
前記エッチング室内、後処理室内及び前記エッチング室
内、後処理室内とそれぞれ連通可能な減圧搬送空間を介
して前記エッチング処理済み試料を搬送可能に設け、前
記後処理済み試料を搬送する装置を、前記後処理室内、
湿式処理室内及び前記後処理室内と連通可能な減圧搬送
空間及び該減圧搬送空間、湿式処理室内とそれぞれ連通
可能な搬送空間を介して前記後処理済み試料を搬送可能
に設け、前記湿式処理済み試料を搬送する装置を、前記
湿式処理室内、乾燥処理室内及び前記湿式処理室内、乾
燥処理室内とそれぞれ連通可能な搬送空間を介して前記
湿式処理済み試料を搬送可能に設けた第１９請求項に記
載の試料処理装置。 ２３、試料を処理する手段と、該処理手段での処理済み
試料をプラズマ後処理する手段と、該プラズマ後処理手
段での処理済み試料を湿式処理する手段と、該湿式処理
手段での処理済み試料を乾燥処理する手段と、前記乾燥
処理済み試料をプラズマ不動態化処理する手段とを具備
したことを特徴とする試料処理装置。 ２４、エッチング室と該エッチング室内を減圧排気する
手段と前記エッチング室内に塩素を含むエッチングガス
を導入する手段と前記エッチング室内で前記エッチング
ガスをプラズマ化する手段とＡｌ−Ｃｕ−Ｓ合金膜を有
し、かつ、被エッチング面にレジストを有し前記プラズ
マを利用してエッチング処理される試料またはＡｌ−Ｃ
ｕ合金膜と高融点金属及びこれらのシリサイド膜との積
層構造で、かつ、被エッチング面にレジストを有し前記
プラズマを利用してエッチング処理される試料を前エッ
チング室内で保持する試料台とを備えたプラズマエッチ
ング装置と、アッシング室と該アッシング室内を減圧排
気する手段と前記アッシング室内に酸素を含むアッシン
グガスを導入する手段と前記アッシング室内で前記アッ
シングガスをプラズマ化する手段と前記アッシングガス
プラズマを利用してアッシング処理される前記エッチン
グ処理済み試料を前記アッシング室内で保持する試料台
とを備えたプラズマ後処理装置と、湿式処理室と該湿式
処理室内で湿式処理される前記アッシング処理済み試料
を前記湿式処理室内で保持する試料台と該試料台に保持
された前記アッシング処理済み試料に該試料の表面に残
留する腐食成分を除去する現像液を供給する手段とを備
えた湿式処理装置と、乾燥処理室と該乾燥処理室内で乾
燥処理される前記湿式処理済み試料を前記乾燥処理室内
で保持する試料台と該試料台に保持された前記湿式処理
済み試料を加温する手段とを備えた乾燥処理装置と、不
動態化処理室と該不動態化処理室内を減圧排気する手段
と前記不動態化処理室内に酸素ガスを導入する手段と前
記不動態化処理室内で前記酸素ガスをプラズマ化する手
段と前記酸素ガスプラズマを利用して不動態化処理され
る前記乾燥処理済み試料を保持する試料台とを備えた不
動態化処理装置と、前記前段側の装置と後段側の装置と
の前記試料台間で前記各試料を搬送する試料搬送装置と
を具備した第２３請求項に記載の試料処理装置。
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