DE102008019427A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008019427A1 DE102008019427A1 DE102008019427A DE102008019427A DE102008019427A1 DE 102008019427 A1 DE102008019427 A1 DE 102008019427A1 DE 102008019427 A DE102008019427 A DE 102008019427A DE 102008019427 A DE102008019427 A DE 102008019427A DE 102008019427 A1 DE102008019427 A1 DE 102008019427A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- reaction chamber
- reaction
- chamber
- workpieces
- chambers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 136
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- -1 For example Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Bei einem Verfahren zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, bei dem dieselben Werkstücke mindestens zwei aufeinanderfolgenden, unter Prozessatmosphäre in je einer Reaktionskammer stattfindenden Diffusionsprozessen unterzogen werden, wird vorgeschlagen, dass die Werkstücke zwischen aufeinanderfolgenden Diffusionsprozessen durch einen zwischen den Reaktionskammern angeordneten evakuierten Bereich bewegt werden. Zur Durchführung des vorgeschlagenen Verfahrens wird bei einer Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, die eine erste Reaktionskammer mit Mitteln zur Evakuierung, Mitteln zur Gaszufuhr und Mitteln zur Beheizung der ersten Reaktionskammer umfasst, vorgeschlagen, dass mindestens eine zweite Rekationskammer mit Mitteln zur Evakuierung, Mitteln zur Gaszufuhr und Mitteln zur Beheizung der zweiten Reaktionskammer vorgesehen ist und dass zwischen zwei aufeinanderfolgenden Reaktionskammern eine Transferkammer mit Mitteln zur Evakuierung und Mitteln zur Gaszufuhr angeordnet ist.
Description
- Nachfolgend werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, beispielsweise bei der Herstellung einer Absorberschicht für photovoltaische Energiewandler, beschrieben.
- Die Implantation von Fremdatomen eines so genannten Dotanden in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines elektronischen Bauteiles oder eines integrierten Schaltkreises wird vorgenommen, um die Eigenschaften dieser Schicht, meistens die Leitfähigkeit oder die Kristallstruktur, gezielt zu verändern. Es gibt hierfür verschiedene Verfahren, z. B. Diffusion, Resublimation aus der Gasphase, Co-Verdampfung, Co-Abscheidung oder Beschuss mittels hochenergetischen Teilchenkanonen (Ionenimplantation). Beispielsweise werden Atome des Dotanden in so genannten Diffusionsöfen bei hohen Temperaturen in das Halbleitermaterial eingebracht, um dort gezielt die elektrische Leitfähigkeit oder mechanische Eigenschaften des Werkstoffs zu beeinflussen. Einige derartige Prozesse finden bei einem Druck statt, der geringer ist als der Atmosphärendruck bei Normalbedingungen.
- Photovoltaische Energiewandler, die auch als Solarzellen bezeichnet werden, sind elektronische Bauelemente, die die Energie des Sonnenlichts direkt in elektrische Energie umwandeln. Nach ihrem Aufbau unterscheidet man Dickschicht- und Dünnschicht-Solarzellen. Dünnschicht-Solarzellen weisen häufig einen mehrschichtigen Aufbau auf, wobei die Energieumwandlung in der so genannten Absorberschicht stattfindet, die meist aus einem so genannten Verbindungshalbleiter gefertigt ist. Verbindungshalbleiter mit hohem Absorptionsvermögen wie die Chalkopyrite, eine Gruppe von I-III-VI Verbindungen, werden als Absorber in Dünnschicht-Photovoltaikmodulen mit Wirkungsgraden über 10% bereits industriell hergestellt. Als Halbleiter für die Photovoltaik werden neben CuInS2 vor allem CuInSe2 sowie deren Derivate Cu(In,Ga)S2 bzw. Cu(In,Ga)Se2 verwendet. Als einwertiges Element wird neben Kupfer auch Silber, als dreiwertige Elemente neben Indium und Gallium auch Aluminium und Eisen, und als sechswertige Elemente neben Schwefel auch Selen und Tellur verwendet. Durch Veränderung der Zusammensetzung können die Gitterkonstante und der Bandabstand des Halbleiters in gewissen Grenzen eingestellt werden.
- Zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle werden auf einem Trägersubstrat, beispielsweise Flachglas, die benötigten Schichten nacheinander abgeschieden. Der Rückseitenkontakt kann beispielsweise durch eine erste Elektrode in Form einer Molybdänschicht von 500 bis 1000 nm Dicke gebildet sein, die in einem Sputterprozess direkt auf das Trägersubstrat aufgebracht wurde. Die Absorberschicht kann gemäß einer Ausgestaltung des Verfahrens durch gleichzeitiges Sputtern von Kupfer mit Gallium oder/und Indium und anschließendes Dotieren mit Selen oder/und Schwefel hergestellt werden, wobei Selen oder/und Schwefel unter hoher Temperatur aus der Gasphase von H2Se bzw. H2S abgeschieden wird. Anschließend wird als zweite Elektrode eine transparente Frontkontaktschicht hergestellt. Zwischen den einzelnen hier genannten Schichten können weitere Schichten angeordnet sein, auf die an dieser Stelle nicht weiter eingegangen wird.
- Bei der Verwendung bekannter Diffusionsöfen ist der maximalen Größe der verwendbaren Trägersubstrate eine Grenze gesetzt, die durch die maximal verfügbare Größe der Diffusionskammer definiert ist. Um Verunreinigungen des Prozesses durch das Wandmaterial der Diffusionskammer zu verhindern und gleichzeitig deren Temperaturbeständigkeit und eine ausreichende Festigkeit hinsichtlich der Druckdifferenz zwischen dem Innenraum der Diffusionskammer und der Atmosphäre sowie eine ausreichende chemische Beständigkeit zu gewährleisten, wird diese aus einem Quarzrohr gefertigt. Das größte derzeitig kommerziell verfügbare Quarzrohr hat jedoch nur einen Durchmesser von 640 mm und weist eine Wandstärke von ca. 10 mm auf. Durch diese Maße ist der Rahmen für die Größe der behandelbaren Trägersubstrate begrenzt, zumal bei der gleichzeitigen Diffusionsbehandlung einer gestapelten Anordnung flächiger Substrate nicht der gesamte, kreisrunde Querschnitt des Quarzrohrs nutzbar ist. Hinzu kommt, dass auch die Trägereinrichtung, auf der die Trägersubstrate in gestapelter Anordnung gelagert sind, einen Teil des Querschnitts des Quarzrohrs in Anspruch nimmt. Weiterhin kann in einem derartigen Diffusionsofen nur jeweils ein Diffusionsprozess durchgeführt werden. Muss ein zweiter Diffusionsprozess an demselben Trägersubstraten durchgeführt werden, so müssen entweder die Trägersubstrate aus dem ersten Diffusionsofen entfernt und in einen zweiten Diffusionsofen eingebracht werden oder in dem ersten Diffusionsofen muss ein Gaswechsel des Prozessgases durchgeführt werden. Dazu erfolgt meist ein Zwischenschritt, in dem mit einem Spülgas gespült wird, um danach das Reaktivgas für den zweiten Diffusionsprozess einzulassen und dabei wieder aufzuheizen.
- Bei einem Verfahren zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, bei dem dieselben Werkstücke mindestens zwei aufeinanderfolgenden, unter Prozessatmosphäre in je einem Reaktionsbereich, beispielsweise einer Reaktionskammer, stattfindenden Diffusionsprozessen unterzogen werden, wird daher vorgeschlagen, dass die Werkstücke zwischen aufeinanderfolgenden Diffusionsprozessen durch einen zwischen den Reaktionsbereichen, beispielsweise zwei aufeinanderfolgenden Reaktionskammern, angeordneten Transferbereich bewegt werden. Auf diese Weise wird die Durchführung von zwei oder mehr aufeinander folgenden Diffusionsprozessen an denselben Werkstücken einfacher, schneller und kostengünstiger. Die Durchführung des Verfahrens ermöglicht eine mehrstufige Diffusionsbehandlung von Werkstücken im Durchlaufverfahren.
- Der Begriff „unter Prozessatmosphäre” bedeutet im Zusammenhang mit den hier beschriebenen Verfahren und Vorrichtungen eine Atmosphäre, die ein Gas oder Gasgemisch aus einem Inertgas oder/und einem Reaktivgas enthält.
- In einer Ausgestaltung des Verfahrens, bei dem die Werkstücke durch eine erste Eintrittsöffnung in eine erste Reaktionskammer eingebracht werden, wobei die erste Reaktionskammer evakuiert und mit einem ersten Reaktivgas befüllt ist und in der ersten Reaktionskammer eine erste Prozesstemperatur herrscht, die Werkstücke für eine erste Prozesszeit in der ersten Reaktionskammer gehalten und anschließend aus der ersten Reaktionskammer entnommen werden, ist vorgesehen, dass die Werkstücke durch eine der ersten Eintrittsöffnung gegenüberliegende erste Austrittsöffnung aus der ersten Reaktionskammer entnommen und durch eine evakuierbare, mit einem Spülgas spülbare Transferkammer zu einer zweiten Reaktionskammer bewegt werden, durch eine zweite Eintrittsöffnung in die zweite Reaktionskammer eingebracht werden, wobei die zweite Reaktionskammer mit einem zweiten Reaktivgas befällt ist und in der zweiten Reaktionskammer eine zweite Prozesstemperatur herrscht, die Werkstücke für eine zweite Prozesszeit in der zweiten Reaktionskammer gehalten und anschließend durch eine der zweiten Eintrittsöffnung gegenüberliegende zweite Austrittsöffnung aus der zweiten Reaktionskammer entnommen werden.
- Bei dem vorgeschlagenen Verfahren kann weiter vorgesehen sein, dass die Werkstücke vor dem ersten oder/und zwischen zwei aufeinanderfolgenden oder/und nach dem letzten Diffusionsprozess mit einem Spülgas gespült werden. Auf diese Weise werden möglicherweise in der Nähe der Werkstücke verbliebene Moleküle des in dem vorhergehenden Diffusionsprozess verwendeten Reaktivgases entfernt, so dass der nachfolgende Diffusionsprozess nicht negativ beeinflusst wird und dass Reste der teils giftigen Reaktivgase vor der Entnahme der Werkstü cke aus der Vorrichtung, in der das Verfahren durchgeführt wird, nicht in die Atmosphäre gelangen.
- Weiter kann vorgesehen sein, dass die Werkstücke vor dem Einbringen in den ersten Reaktionsbereich oder/und nach dem Entnehmen aus dem letzten Reaktionsbereich in einem Transferbereich, der beispielsweise evakuierbar oder/und mit einem Inertgas befüllbar sein kann, bereitgestellt werden. Hierdurch bleiben die in den Reaktionsbereichen ablaufenden Diffusionsprozesse ungestört von der außerhalb der Vorrichtung, in der das Verfahren durchgeführt wird, herrschenden Atmosphäre und die ansonsten unvermeidlichen Wärmeverluste werden größtenteils verhindert, so dass die Temperaturverhältnisse in den Reaktionsbereichen außergewöhnlich stabil gehalten werden können.
- Zur Durchführung des vorgeschlagenen Verfahrens wird bei einer Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, die einen ersten Reaktionsbereich, beispielsweise eine Reaktionskammer, mit Mitteln zur Evakuierung, Mitteln zur Gaszufuhr und Mitteln zur Beheizung des ersten Reaktionsbereichs umfasst, vorgeschlagen, dass mindestens ein zweiter Reaktionsbereich, beispielsweise eine Reaktionskammer, mit Mitteln zur Evakuierung, Mitteln zur Gaszufuhr und Mitteln zur Beheizung des zweiten Reaktionsbereichs vorgesehen ist und dass zwischen zwei aufeinanderfolgenden Reaktionsbereichen ein Transferbereich, beispielsweise eine Transferkammer, mit Mitteln zur Evakuierung und Mitteln zur Gaszufuhr angeordnet ist.
- Wenn die Reaktionsbereiche durch Reaktionskammern realisiert sind, so können an den Ein- und Austrittsöffnungen der Reaktionskammern Mittel zum Verschließen derselben vorgesehen sein, jedoch kann es bei geeigneter Ausgestaltung der Vorrichtung zur Atmosphärentrennung auch ausreichend sein, im Bereich der Ein- und Austrittsöffnungen der Reaktionskammern Mittel zur Evakuierung oder/und Gasduschen oder/und andere geeignete Mittel vorzusehen. Wenn an den Ein- und Austrittsöffnungen der Reaktionskammern Mittel zum Verschließen der Reaktionskammern vorgesehen sind, so können diese beispielsweise als Klappenventile ausgeführt sein.
- Durch die Anordnung eines Transferbereichs zwischen zwei aufeinander folgenden Reaktionsbereichen ist es möglich, die Werkstücke von einem Reaktionsbereich in einen anschließenden Reaktionsbereich zu bewegen, ohne die Werkstücke zwischendurch der Atmosphäre auszusetzen. Auf diese Weise werden Verunreinigungen der Werkstücke vermieden, die in den Werkstücken aus dem vorangehenden Diffusionsprozess gespeicherte Wärmeenergie wird für den anschließenden Diffusionsprozess größtenteils erhalten und die Durchführung mehrerer Diffusionsprozesse kann im Durchlaufverfahren und damit einfacher, schneller und kostengünstiger als bei bekannten Vorrichtungen zur Diffusionsbehandlung erfolgen.
- In Ausgestaltungen der vorgeschlagenen Vorrichtung ist vorgesehen, dass vor dem ersten Reaktionsbereich oder/und nach dem letzten Reaktionsbereich ein Transferbereich angeordnet ist. Der vor dem ersten Reaktionsbereich angeordnete Transferbereich ermöglicht es, Werkstücke so rechtzeitig bereitzustellen, dass diese ohne Störung der in dem jeweiligen Reaktionsbereich herrschenden Prozessatmosphäre in den Reaktionsbereich eingebracht werden können, sobald die zuvor darin behandelten Werkstücke aus dem Reaktionsbereich entfernt wurden. Der nach dem letzten Reaktionsbereich angeordnete Transferbereich stellt einen Pufferbereich für die Werkstücke dar, die alle Reaktionsbereiche durchlaufen haben, bevor diese aus der Vorrichtung entnommen werden.
- In Weiterbildung der beschriebenen Vorrichtung wird vorgeschlagen, dass eine alle Reaktionskammern einschließende Außenkammer mit einer Eintrittsschleuse und einer Austrittsschleuse und mit Mitteln zur Evakuierung vorgesehen ist, deren vor, hinter und zwischen den Reaktionskammern liegende Bereiche die Transferkammern bilden. Mit anderen Worten soll eine Außenkammer vorgesehen werden, in deren Innenraum alle Reaktionskammern beispielsweise nebeneinander oder hintereinander angeordnet sind, dass die zwischen ihnen verblei benden Freiräume als evakuierbare Transferkammern wirken. Dies kann bei entsprechender Gestaltung der Außenkammer im Verhältnis zur Anordnung der Reaktionskammern in ihrem Innern dazu führen, dass alle vor, zwischen und hinter den Reaktionskammern liegenden, als Transferkammern wirkenden Freiräume miteinander verbunden sind. In diesem Fall können beispielsweise die Mittel zur Evakuierung der Außenkammer zwischen zwei Transferkammern angeordnet werden, so dass diese Mittel zur Evakuierung die gleichzeitige Evakuierung der angrenzenden Transferkammern bewirken.
- Weiter kann vorgesehen sein, dass die Außenkammer Mittel zur Gaszufuhr aufweist. Dabei ist in einer Ausgestaltung der Vorrichtung vorgesehen, dass die Mittel zur Gaszufuhr in die Außenkammer so ausgebildet sind, dass im Bereich der Eintrittsöffnung oder/und Austrittsöffnung mindestens einer Reaktionskammer Gasauslässe vorgesehen sind. Hierdurch ist es möglich, die Werkstücke vor dem ersten oder/und zwischen zwei aufeinanderfolgenden oder/und nach dem letzten Diffusionsprozess mit einem Spülgas zu spülen. In weiterer Ausgestaltung der Vorrichtung sind die Gasauslässe der Mittel zur Gaszufuhr in die Außenkammer getrennt steuerbar, so dass Spülgas jeweils nur an den Orten und zu den Zeitpunkten ausgegeben wird, an denen dort Werkstücke vorbeitransportiert werden.
- Zum Transport der Werkstücke durch die Vorrichtung kann eine Transporteinrichtung vorgesehen sein, die beispielsweise zwei oder mehr unabhängig voneinander steuerbare Abschnitte aufweisen kann. Dadurch können mehrere Werkstücke oder mehrere Chargen von Werkstücken, die sich gleichzeitig innerhalb der Vorrichtung befinden, unabhängig voneinander zwischen zwei Abschnitten der Vorrichtung, beispielsweise einer Reaktionskammer und einer Transferkammer, hin und her bewegt oder bedarfsweise in einem solchen Abschnitt gehalten werden, um sie einer Diffusionsbehandlung auszusetzen oder vor dem ersten oder nach dem letzten Diffusionsprozess oder zwischen zwei Diffusionsprozessen zwischen zu lagern.
- Es kann weiter vorgesehen sein, dass alle Reaktionskammern einen in der Transportrichtung der Werkstücke durch die Reaktionskammer gesehen rechteckigen Querschnitt aufweisen. Einerseits sind dadurch größere Querschnitte darstellbar als bei den üblichen, aus einem Quarzrohr gebildeten Reaktionskammern, so dass auch die zu behandelnden Werkstücke wesentlich größer sein können als bei Verwendung bekannter Diffusionsöfen. Dadurch werden das zu evakuierende Volumen der Reaktionskammer sowie das benötigte Volumen an Reaktivgas, bezogen auf die behandelbare Werkstoffoberfläche pro Charge, deutlich verringert.
- Dabei kann weiter vorgesehen sein, dass die Reaktionskammern von ebenen Quarz- oder Keramikplatten begrenzt sind. Für den Fall, dass die Transferkammern zwischen den Reaktionskammern angeordnet sind, müssen die Quarzplatten an ihren zur Atmosphäre weisenden Außenflächen durch Stützstrukturen, beispielsweise die Quarzplatten einhüllende Stahlplatten, umhüllt sein, damit die Quarzplatten dem Druckunterschied zwischen der Atmosphäre und dem in der Reaktionskammer herrschenden Druck widerstehen können, falls dieser wesentlich geringer ist als der Atmosphärendruck. Wenn jedoch eine Außenkammer vorgesehen ist, die die Reaktionskammern vollständig einschließt und die ihrerseits evakuierbar ist, so ist es nicht nötig, derartige Stützstrukturen vorzusehen, da in diesem Fall sowohl innerhalb wie auch außerhalb der Reaktionskammer der gleiche Druck herrscht und dadurch auch ebene Quarzplatten der Einwirkung einer möglicherweise verbleibenden Druckdifferenz standhalten können.
- In einer weiteren Ausgestaltung der vorgeschlagenen Vorrichtung ist vorgesehen, dass alle Reaktionskammern durch die Mittel zur Evakuierung der Außenkammer evakuierbar sind. Der bauliche Aufwand für die Vorrichtung verringert sich dadurch deutlich, weil keine dedizierten Vakuumpumpen für jede einzelne Reaktionskammer benötigt werden. Falls jedoch Reaktionskammern über eigene Vakuumpumpen verfügen, so kann vorgesehen sein, dass die Mittel zur Evakuierung jeder Reaktionskammer getrennt steuerbar sind, wodurch es möglich ist, die Vakuumbedingungen innerhalb der einzelnen Reaktionskammer unterschiedlich zu gestalten, beispielsweise um sie an den in der jeweiligen Reaktionskammer stattfindenden Diffusionsprozess anzupassen.
- Zur besseren Anpassung der Prozessbedingungen an den in der jeweiligen Reaktionskammer stattfindenden Diffusionsprozess kann weiterhin vorgesehen sein, dass die Mittel zur Gaszufuhr jeder Reaktionskammer oder/und die Mittel zur Beheizung jeder Reaktionskammer getrennt steuerbar sind. Außerdem kann die beschriebene Vorrichtung so gestaltet sein, dass die Mittel zur Beheizung mindestens einer Reaktionskammer an der Außenseite der Reaktionskammer angeordnet sind.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels und einer zugehörigen Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigen
-
1 eine beispielhafte Ausführungsform der beschriebenen Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens im Längsschnitt, -
2 die Ausführungsform aus1 in einer Draufsicht, -
3 eine zweite Ausführungsform in einer Draufsicht, -
4 eine dritte Ausführungsform in einer Draufsicht, -
5 eine dritte Ausführungsform in einer Draufsicht. - Die Darstellung der verschiedenen Anlagenkomponenten ist in den Figuren stark schematisiert und sollte in keiner Weise einschränkend verstanden werden. Beispielsweise ist es dem Fachmann ohne weiteres geläufig, wie die Mittel zur Beheizung der Reaktionskammern gestaltet und angeordnet werden können, um eine möglichst gleichmäßige Temperaturverteilung zu erzielen. Hierzu können beispielsweise die Mittel zur Beheizung flächig ausgebildet und an der Außenseite der Reaktionskammer angeordnet sein. In analoger Weise ist es eine Routinearbeit für den Fachmann, die Form und Anordnung der anderen Komponenten, wie der Mittel zur Evakuierung, Mittel zur Gaszufuhr, Transporteinrichtung usw. so zu gestalten, dass das gewünschte Ergebnis erzielt wird.
- In dem Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, wie es in
1 und2 dargestellt ist, sind in einer Außenkammer1 mit einer Eintrittsschleuse13 und einer Austrittsschleuse14 zwei Reaktionskammern2 zur Durchführung verschiedener Diffusionsprozesse linear hintereinander angeordnet. - Vor, hinter und zwischen den Reaktionskammern
2 sind Transferkammern16 gebildet. Sie werden durch die jeweiligen vor, hinter und zwischen den Reaktionskammern2 liegenden Abschnitte der Außenkammer1 repräsentiert, da die Außenkammer1 selbst evakuiert ist und auf diese Weise sichergestellt ist, dass die Werkstücke zwischen den aufeinanderfolgenden Diffusionsprozessen durch einen zwischen den Reaktionskammern2 angeordneten evakuierten Bereich bewegt werden. - Zu diesem Zweck sind in den Bereichen der Außenkammer
1 , die die Transferkammern16 bilden, Mittel zur Evakuierung11 angeordnet. Weiterhin sind in der Außenkammer1 unmittelbar vor und hinter jeder Reaktionskammer2 Mittel zur Gaszufuhr12 vorgesehen, die so ausgebildet sind, dass im Bereich der Eintrittsöffnung und Austrittsöffnung jeder Reaktionskammer2 Gasauslässe vorgesehen sind. Dadurch werden die Werkstücke vor, zwischen und nach dem letzten Diffusionsprozess mit einem Spülgas gespült. Die Mittel zur Evakuierung11 und die Mittel zur Gaszufuhr12 der Außenkammer1 sind getrennt und unabhängig voneinander steuerbar. - Die beiden Reaktionskammern
2 sind quaderförmig und von ebenen Quarzplatten begrenzt, so dass sie einen rechteckigen Querschnitt aufweisen. Beide Reaktionskammern2 weisen jeweils getrennt und unabhängig voneinander steuerbare Mittel zur Evakuierung21 , Mittel zur Gaszufuhr22 und Mittel zur Beheizung23 der Reaktionskammern2 auf. - Weiterhin ist eine Transporteinrichtung
15 zum Transport der Werkstücke durch die Vorrichtung vorgesehen, die mehrere hintereinander angeordnete Abschnitte aufweist. Die Transporteinrichtung15 erstreckt sich durch die gesamte Außenkammer1 und durch beide Reaktionskammern2 , wobei die in den Transferkammern16 liegenden Abschnitte und die in den Reaktionskammern2 liegenden Abschnitte der Transporteinrichtung15 getrennt und unabhängig voneinander steuerbar sind. Die einzelnen Abschnitte der Transporteinrichtung15 wirken dabei so zusammen, dass Substrate von einem Abschnitt auf den nächsten angrenzenden Abschnitt übergeben werden können, so dass ein Transport der Substrate durch die gesamte Vorrichtung sichergestellt ist. - Bei der Draufsicht auf die Vorrichtung in
2 wurde aus Übersichtlichkeitsgründen auf die Darstellung einiger Komponenten der Vorrichtung verzichtet, um den prinzipiellen Aufbau der Reaktionskammern2 innerhalb der Außenkammer1 zu verdeutlichen. Das gleiche gilt für die in den3 ,4 und5 dargestellten Ausführungsbeispiele. - In
4 ist eine Ausführungsform der Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken gezeigt, bei der, ähnlich wie bei der Vorrichtung aus den1 und2 , zwei Reaktionskammern2 linear hintereinander angeordnet sind. Allerdings ist diese Vorrichtung modular aufgebaut. Jede Reaktionskammer2 ist in einer eigenen Außenkammer1 angeordnet. Jede Außenkammer1 verfügt vor der jeweiligen Reaktionskammer2 über einen Bereich, der im Betrieb der Vorrichtung als Transferkammer16 wirkt. Die Außenkammern1 sind so miteinander verbunden, dass sie gemeinsam einen Vakuumbehälter bilden, zu dem weiterhin eine an die zweite Außenkammer1 anschließende, separate Transferkammer3 gehört. Die Eingangsschleuse13 der Vorrichtung ist am vorderen Ende der ersten Außenkammer1 angebracht, während die Ausgangsschleuse14 am Ende der separaten Transferkammer3 angebracht ist. - Der modulare Aufbau ermöglicht eine flexible Konfiguration der Vorrichtung, wobei selbstverständlich auch Vorrichtungen mit nur einer oder mehr als zwei Reaktionskammern
2 möglich sind. In gleicher Weise kann die Anordnung der Transferkammern3 ,16 variiert werden oder einzelne Transferkammern3 ,16 vergrößert oder weggelassen werden. Die Transferkammern16 können auch ausschließlich als separate Transferkammern3 ausgeführt sein, so dass jede Außenkammer1 nur unwesentlich größer ist als die darin angeordnete Reaktionskammer2 . - Bei dem Ausführungsbeispiel in
3 handelt es sich wiederum um die Anordnung zweier Reaktionskammern2 innerhalb einer gemeinsamen Außenkammer1 , wobei jedoch die Reaktionskammern2 nebeneinander angeordnet ist, so dass zwischen den Reaktionskammern2 ein Wechsel der Transportrichtung der Substrate erfolgt. Dadurch sind die Eingangsschleuse13 und die Ausgangsschleuse14 der Vorrichtung nebeneinander auf derselben Seite der Außenkammer1 angeordnet. - In ähnlicher Weise sind bei dem Ausführungsbeispiel in
5 drei Reaktionskammern2 innerhalb einer gemeinsamen Außenkammer1 nebeneinander angeordnet, so dass zwischen der ersten und zweiten Reaktionskammer2 und zwischen der zweiten und dritten Reaktionskammer2 ein Wechsel der Transportrichtung der Substrate erfolgt. Dadurch sind bei diesem Ausführungsbeispiel die Eingangsschleuse13 und die Ausgangsschleuse14 der Vorrichtung an gegenüberliegenden Seiten der Außenkammer1 angeordnet. -
- 1
- Außenkammer
- 11
- Mittel zur Evakuierung
- 12
- Mittel zur Gaszufuhr
- 13
- Eingangsschleuse
- 14
- Ausgangsschleuse
- 15
- Transporteinrichtung
- 16
- Transferbereich/Transferkammer
- 2
- Reaktionsbereich/Reaktionskammer
- 21
- Mittel zur Evakuierung
- 22
- Mittel zur Gaszufuhr
- 23
- Mittel zur Beheizung
- 3
- separate Transferkammer
Claims (21)
- Verfahren zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, bei dem dieselben Werkstücke mindestens zwei aufeinanderfolgenden, unter Prozessatmosphäre in je einer Reaktionskammer (
2 ) stattfindenden Diffusionsprozessen unterzogen werden, dadurch gekennzeichnet, dass die Werkstücke zwischen aufeinanderfolgenden Diffusionsprozessen durch einen zwischen den Reaktionskammern (2 ) angeordneten Transferbereich (16 ) bewegt werden. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Werkstücke durch eine erste Eintrittsöffnung in eine erste Reaktionskammer (
2 ) eingebracht werden, wobei die erste Reaktionskammer (2 ) evakuiert und mit einem ersten Reaktivgas befüllt ist und in der ersten Reaktionskammer (2 ) eine erste Prozesstemperatur herrscht, die Werkstücke für eine erste Prozesszeit in der ersten Reaktionskammer (2 ) gehalten und anschließend aus der ersten Reaktionskammer (2 ) entnommen werden, die Werkstücke durch eine der ersten Eintrittsöffnung gegenüberliegende erste Austrittsöffnung aus der ersten Reaktionskammer (2 ) entnommen und durch eine evakuierte, mit einem Spülgas spülbare Transferkammer (3 ,16 ) zu einer zweiten Reaktionskammer (2 ) bewegt werden, durch eine zweite Eintrittsöffnung in die zweite Reaktionskammer (2 ) eingebracht werden, wobei die zweite Reaktionskammer (2 ) mit einem zweiten Reaktivgas befüllt ist und in der zweiten Reaktionskammer (2 ) eine zweite Prozesstemperatur herrscht, die Werkstücke für eine zweite Prozesszeit in der zweiten Reaktionskammer (2 ) gehalten und anschließend durch eine der zweiten Eintrittsöffnung gegenüberliegende zweite Austrittsöffnung aus der zweiten Reaktionskammer (2 ) entnommen werden. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Werkstücke vor dem ersten oder/und zwischen zwei aufeinanderfolgenden oder/und nach dem letzten Diffusionsprozess mit einem Spülgas gespült werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Werkstücke vor dem Einbringen in die erste Reaktionskammer (
2 ) in einer evakuierten Umgebung (3 ,16 ) bereitgestellt werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Werkstücke nach dem Entnehmen aus der letzten Reaktionskammer (
2 ) in einer evakuierten Umgebung (3 ,16 ) bereitgestellt werden. - Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken, umfassend eine erste Reaktionskammer (
2 ) mit Mitteln zur Evakuierung (21 ), Mitteln zur Gaszufuhr (22 ) und Mitteln zur Beheizung (23 ) der ersten Reaktionskammer (2 ), dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine zweite Reaktionskammer (2 ) mit Mitteln zur Evakuierung (21 ), Mitteln zur Gaszufuhr (22 ) und Mitteln zur Beheizung (23 ) der zweiten Reaktionskammer (2 ) vorgesehen ist und dass zwischen zwei aufeinanderfolgenden Reaktionskammern (2 ) eine Transferkammer (3 ,16 ) mit Mitteln zur Evakuierung (11 ) und Mitteln zur Gaszufuhr (12 ) angeordnet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass vor der ersten Reaktionskammer (
2 ) eine Transferkammer (3 ,16 ) angeordnet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass nach der letzten Reaktionskammer (
2 eine Transferkammer (3 ,16 ) angeordnet ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine alle Reaktionskammern (
2 ) einschließende Außenkammer (1 ) mit einer Eintrittsschleuse (13 ) und einer Austrittsschleuse (14 ) und mit Mitteln zur Evakuierung (11 ) vorgesehen ist, deren vor, hinter und zwischen den Reaktionskammern (2 ) liegende Bereiche die Transferkammern (16 ) bilden. - Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Außenkammer (
1 ) weiterhin Mittel zur Gaszufuhr (12 ) aufweist. - Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zur Gaszufuhr (
12 ) in die Außenkammer (1 ) so ausgebildet sind, dass im Bereich der Eintrittsöffnung oder/und Austrittsöffnung mindestens einer Reaktionskammer (2 ) Gasauslässe vorgesehen sind. - Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasauslässe der Mittel zur Gaszufuhr (
12 ) in die Außenkammer (1 ) getrennt steuerbar sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Transporteinrichtung (
15 ) zum Transport der Werkstücke durch die Vorrichtung vorgesehen ist. - Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Transporteinrichtung (
15 ) mindestens zwei unabhängig voneinander steuerbare Abschnitte aufweist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass alle Reaktionskammern (
2 ) einen rechteckigen Querschnitt aufweisen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass alle Reaktionskammern (
2 ) von ebenen Quarz- oder Keramikplatten begrenzt sind. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass alle Reaktionskammern (
2 ) durch die Mittel zur Evakuierung (11 ) der Außenkammer (1 ) evakuierbar sind. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zur Evakuierung (
21 ) jeder Reaktionskammer (2 ) getrennt steuerbar sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zur Gaszufuhr (
22 ) jeder Reaktionskammer (2 ) getrennt steuerbar sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zur Beheizung (
23 ) jeder Reaktionskammer (2 ) getrennt steuerbar sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zur Beheizung (
23 ) mindestens einer Reaktionskammer (2 ) an der Außenseite der Reaktionskammer (2 ) angeordnet sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008019427A DE102008019427A1 (de) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | Verfahren und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008019427A DE102008019427A1 (de) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | Verfahren und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008019427A1 true DE102008019427A1 (de) | 2009-10-29 |
Family
ID=41111556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008019427A Withdrawn DE102008019427A1 (de) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | Verfahren und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102008019427A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012052428A1 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Agc Glass Europe | Modular coater separation |
US8851274B2 (en) | 2010-07-12 | 2014-10-07 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Substrate treatment system |
TWI499071B (zh) * | 2011-10-31 | 2015-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池的製造裝置、太陽電池及太陽電池的製造方法 |
WO2016156728A1 (fr) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Coating Plasma Industrie | Installation pour le traitement d'objets par plasma, utilisation de cette installation et procédé de mise en oeuvre de cette installation |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0385590A1 (de) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Hitachi, Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Proben |
US5420044A (en) * | 1991-05-21 | 1995-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing non-monocrystalline semiconductor device |
US6117266A (en) * | 1997-12-19 | 2000-09-12 | Interuniversifair Micro-Elektronica Cenirum (Imec Vzw) | Furnace for continuous, high throughput diffusion processes from various diffusion sources |
-
2008
- 2008-04-17 DE DE102008019427A patent/DE102008019427A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0385590A1 (de) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Hitachi, Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Proben |
US5420044A (en) * | 1991-05-21 | 1995-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing non-monocrystalline semiconductor device |
US6117266A (en) * | 1997-12-19 | 2000-09-12 | Interuniversifair Micro-Elektronica Cenirum (Imec Vzw) | Furnace for continuous, high throughput diffusion processes from various diffusion sources |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8851274B2 (en) | 2010-07-12 | 2014-10-07 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Substrate treatment system |
WO2012052428A1 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Agc Glass Europe | Modular coater separation |
CN103237919A (zh) * | 2010-10-22 | 2013-08-07 | 旭硝子欧洲玻璃公司 | 模块化涂料器分离 |
JP2013545891A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-12-26 | エージーシー グラス ユーロップ | モジュール式コータ分離 |
CN103237919B (zh) * | 2010-10-22 | 2016-11-09 | 旭硝子欧洲玻璃公司 | 模块化涂料器分离 |
EA025781B1 (ru) * | 2010-10-22 | 2017-01-30 | Агк Гласс Юроп | Разделение модульного устройства для нанесения покрытия |
US9938617B2 (en) | 2010-10-22 | 2018-04-10 | Agc Glass Europe | Modular coater separation |
KR101926884B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2018-12-07 | 에이쥐씨 글래스 유럽 | 모듈식 코우터 분리 |
TWI499071B (zh) * | 2011-10-31 | 2015-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池的製造裝置、太陽電池及太陽電池的製造方法 |
WO2016156728A1 (fr) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Coating Plasma Industrie | Installation pour le traitement d'objets par plasma, utilisation de cette installation et procédé de mise en oeuvre de cette installation |
US10903058B2 (en) | 2015-03-31 | 2021-01-26 | Coating Plasma Industrie | Apparatus for treating objects with plasma, use of this apparatus and method of using this apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2539942B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiterschicht | |
EP2291868B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum tempern von gegenständen in einer behandlungskammer | |
DE112013005591B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Photovoltaikelements mit stabilisiertem Wirkungsgrad | |
EP2684212A1 (de) | Verfahren zur herstellung des pentanären verbindungshalbleiters cztsse, sowie dünnschichtsolarzelle | |
DE112008003144T5 (de) | Schichtstruktur von CIS Solarzelle, integrierte Struktur von CIS Dünnschichtsolarzelle sowie deren Herstellungsverfahren | |
DE102012102000A1 (de) | Systeme und Verfahren zum raschen Abscheiden von Dünnfilmschichten auf Substraten von photovoltaischen Modulen | |
EP2539927B1 (de) | Anordnung, anlage und verfahren zur prozessierung von mehrschichtkörpern | |
EP2374159A2 (de) | Verfahren zum ausbilden eines dotierstoffprofils | |
DE102006047472A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur oberflächennahen Behandlung von flächigen Substraten | |
DE2904171C2 (de) | ||
EP2870625B1 (de) | Anlage und verfahren zum prozessieren von substraten | |
DE3507337A1 (de) | Vorrichtung zur durchfuehrung von prozessen im vakuum | |
DE102008019427A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken | |
EP2815426B1 (de) | Prozessbox, anordnungen und verfahren zum prozessieren beschichteter substrate | |
DE102009053532B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Verbindungshalbleiterschicht | |
DE10006778C2 (de) | Verfahren und Ofen zur Wärmebehandlung von flexiblen, bandförmigen CIS-Solarzellen | |
DE102009011496A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Umsetzung metallischer Precursorschichten in halbleitende Schichten mit Chalkogenrückgewinnung | |
WO2014013042A1 (de) | Vermeidung von glasverbiegung bei thermischen verfahren | |
DE102008030679B4 (de) | Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken | |
AT504680B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen laminierter solarmodule | |
WO2000062347A2 (de) | Solarzelle sowie verfahren zur herstellung einer solarzelle | |
DE102004024207B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Niedertemperaturepitaxie auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten | |
DE69727658T2 (de) | Kontinuierlicher Ofen mit hohem Durchsatz für Diffusionsbehandlung mit verschiedenen Diffusionsquellen | |
DE202009018759U1 (de) | Beschichtungsanlage | |
DE3822073A1 (de) | Verfahren zur herstellung von verbindungshalbleiter-duennschichten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: VON ARDENNE GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE Effective date: 20140918 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE Effective date: 20140918 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20141101 |