JPH0219457B2 - - Google Patents
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- JPH0219457B2 JPH0219457B2 JP56090053A JP9005381A JPH0219457B2 JP H0219457 B2 JPH0219457 B2 JP H0219457B2 JP 56090053 A JP56090053 A JP 56090053A JP 9005381 A JP9005381 A JP 9005381A JP H0219457 B2 JPH0219457 B2 JP H0219457B2
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
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- G—PHYSICS
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/043—Compensation electrodes or other additional electrodes in matrix displays related to distortions or compensation signals, e.g. for modifying TFT threshold voltage in column driver
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2011—Display of intermediate tones by amplitude modulation
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば液晶を用いた画像表示装置の
ような二次元アドレス装置に関する。
ような二次元アドレス装置に関する。
例えば液晶を用いてテレビ画像を表示すること
が提案されている。第１図において、１はテレビ
の映像信号が供給される入力端子で、この入力端
子１からの信号がそれぞれ例えばＮチヤンネル
FETからなるスイツチング素子M1，M2……Mn
を通じて垂直（Ｙ軸）方向のラインL1，L2……
Lnに供給される。なおｍは水平（Ｘ軸）方向の
画素数に相当する数である。さらにｍ段のシフト
レジスタ２が設けられ、このシフトレジスタ２に
水平周波数のｍ倍のクロツク信号が供給され、こ
のシフトレジスタ２の各出力端子からの信号φH1，
φH2……φHnがスイツチング素子M1〜Mnの各制御
端子に供給される。
が提案されている。第１図において、１はテレビ
の映像信号が供給される入力端子で、この入力端
子１からの信号がそれぞれ例えばＮチヤンネル
FETからなるスイツチング素子M1，M2……Mn
を通じて垂直（Ｙ軸）方向のラインL1，L2……
Lnに供給される。なおｍは水平（Ｘ軸）方向の
画素数に相当する数である。さらにｍ段のシフト
レジスタ２が設けられ、このシフトレジスタ２に
水平周波数のｍ倍のクロツク信号が供給され、こ
のシフトレジスタ２の各出力端子からの信号φH1，
φH2……φHnがスイツチング素子M1〜Mnの各制御
端子に供給される。
また各ラインL1〜Lnにそれぞれスイツチング
素子M11，M21……Mo1，M12，M22……Mo2，…
…M1n，M2n……Monの一端が接続される。なお
ｎは水平走査線数に相当する数である。このスイ
ツチング素子M11〜Monの他端がそれぞれ液晶セ
ルC11，C21……Conを通じてターゲツト端子３に
接続される。
素子M11，M21……Mo1，M12，M22……Mo2，…
…M1n，M2n……Monの一端が接続される。なお
ｎは水平走査線数に相当する数である。このスイ
ツチング素子M11〜Monの他端がそれぞれ液晶セ
ルC11，C21……Conを通じてターゲツト端子３に
接続される。
さらにｎ段のシフトレジスタ４が設けられ、こ
のシフトレジスタ４に水平周波数のクロツク信号
が供給され、このシフトレジスタ４の各出力端子
からの信号φV1，φV2……φVoが、スイツチング素
子M11〜MonのＸ軸方向の各列（M11〜M1n），
（M21〜M2n）……（Mo1〜Mon）ごとの制御端子
にそれぞれ供給される。
のシフトレジスタ４に水平周波数のクロツク信号
が供給され、このシフトレジスタ４の各出力端子
からの信号φV1，φV2……φVoが、スイツチング素
子M11〜MonのＸ軸方向の各列（M11〜M1n），
（M21〜M2n）……（Mo1〜Mon）ごとの制御端子
にそれぞれ供給される。
すなわちこの回路において、シフトレジスタ
２，４からは、第２図Ａ，Ｂに示すように、シフ
トレジスタ４から１水平期間ごとにφV1〜φVoが出
力され、この間の有効画面期間THEに、シフトレ
ジスタ２から各画素期間ごとにφH1〜φHnが出力さ
れる。さらに入力端子１には第２図Ｃに示すよう
な信号が供給される。
２，４からは、第２図Ａ，Ｂに示すように、シフ
トレジスタ４から１水平期間ごとにφV1〜φVoが出
力され、この間の有効画面期間THEに、シフトレ
ジスタ２から各画素期間ごとにφH1〜φHnが出力さ
れる。さらに入力端子１には第２図Ｃに示すよう
な信号が供給される。
そしてφV1，φH1が出力されているときは、スイ
ツチング素子M1とM11〜M1nがオンされ、入力
端子１→M1→L1→M11→C11→ターゲツト端子３
の電流路が形成されて液晶セルC11に入力端子１
に供給された信号とターゲツト端子３との電位差
が供給される。このためこのセルC11の容量分に、
１番目の画素の信号による電位差に相当する電荷
がサンプルホールドされる。この電荷量に対応し
て液晶の光透過率が変化される。これと同様のこ
とがセルC12〜Conについて順次行われ、さらに次
のフイールドの信号が供給された時点で各セル
C11〜Conの電荷量が書き換えられる。
ツチング素子M1とM11〜M1nがオンされ、入力
端子１→M1→L1→M11→C11→ターゲツト端子３
の電流路が形成されて液晶セルC11に入力端子１
に供給された信号とターゲツト端子３との電位差
が供給される。このためこのセルC11の容量分に、
１番目の画素の信号による電位差に相当する電荷
がサンプルホールドされる。この電荷量に対応し
て液晶の光透過率が変化される。これと同様のこ
とがセルC12〜Conについて順次行われ、さらに次
のフイールドの信号が供給された時点で各セル
C11〜Conの電荷量が書き換えられる。
このようにして、映像信号の各画素に対応して
液晶セルC11〜Conの光透過率が変化され、これが
順次繰り返されてテレビ画像の表示が行われる。
液晶セルC11〜Conの光透過率が変化され、これが
順次繰り返されてテレビ画像の表示が行われる。
ところがこの装置において、１個の液晶セルＣ
は例えば次のように構成されている。第３図にお
いて、Ｐ形のサブストレート１１の上にＮ領域１
２，１３とP+領域１４が設けられる。これらの
各領域１２〜１４の上にSiO2層１５が設けられ
る。さらにＮ領域１２の上のSiO2層１５にスル
ーホールが設けられ、ポリシリコン層１６が設け
られる。またＮ領域１２，１３の間のSiO2層１
５が薄くされ、この上にスイツチング素子M11〜
Monの制御電極（ゲート）を構成するポリシリコ
ン層１７が設けられる。またＮ領域１３の上の
SiO2層１５にスルーホールが設けられると共に、
P+領域１４の上のSiO2層１５が薄くされ、Ｎ領
域１３からP+領域１４の上にポリシリコン層１
８が設けられる。これらのポリシリコン層１６〜
１８の上にSiO2層１９が設けられる。さらにポ
リシリコン層１６の上のSiO2層１９にスルーホ
ールが設けられ、Ｙ軸方向のラインL1〜Lnを構
成する金属層２０が設けられる。またポリシリコ
ン層１８の上のSiO2層１９にスルーホールが設
けられ、金属層２１が設けられる。これらの金属
層２０，２１の上にSiO2層２２が設けられる。
さらに金属層２１の上のSiO2層２２にスルーホ
ールが設けられ、画素電極２３が設けられる。こ
の画素電極２３の上に絶縁層２４が設けられる。
そしてこの絶縁層２４の上に液晶２５が設けら
れ、その上に透明電極から成るターゲツト電極２
６が設けられる。
は例えば次のように構成されている。第３図にお
いて、Ｐ形のサブストレート１１の上にＮ領域１
２，１３とP+領域１４が設けられる。これらの
各領域１２〜１４の上にSiO2層１５が設けられ
る。さらにＮ領域１２の上のSiO2層１５にスル
ーホールが設けられ、ポリシリコン層１６が設け
られる。またＮ領域１２，１３の間のSiO2層１
５が薄くされ、この上にスイツチング素子M11〜
Monの制御電極（ゲート）を構成するポリシリコ
ン層１７が設けられる。またＮ領域１３の上の
SiO2層１５にスルーホールが設けられると共に、
P+領域１４の上のSiO2層１５が薄くされ、Ｎ領
域１３からP+領域１４の上にポリシリコン層１
８が設けられる。これらのポリシリコン層１６〜
１８の上にSiO2層１９が設けられる。さらにポ
リシリコン層１６の上のSiO2層１９にスルーホ
ールが設けられ、Ｙ軸方向のラインL1〜Lnを構
成する金属層２０が設けられる。またポリシリコ
ン層１８の上のSiO2層１９にスルーホールが設
けられ、金属層２１が設けられる。これらの金属
層２０，２１の上にSiO2層２２が設けられる。
さらに金属層２１の上のSiO2層２２にスルーホ
ールが設けられ、画素電極２３が設けられる。こ
の画素電極２３の上に絶縁層２４が設けられる。
そしてこの絶縁層２４の上に液晶２５が設けら
れ、その上に透明電極から成るターゲツト電極２
６が設けられる。
従つてこの装置において、金属層２０に信号が
供給され、ポリシリコン層１７が高電位になる
と、金属層２０に供給された信号がＮ領域１２，
１３を通じてポリシリコン層１８に供給され、こ
のポリシリコン層１８とP+領域１４との間で形
成される容量成分に記憶される。そしてこの記憶
された信号が金属層２１を通じて画素電極２３に
供給され、ターゲツト電極２６との電位差に応じ
て液晶２５の光透過率が変化される。
供給され、ポリシリコン層１７が高電位になる
と、金属層２０に供給された信号がＮ領域１２，
１３を通じてポリシリコン層１８に供給され、こ
のポリシリコン層１８とP+領域１４との間で形
成される容量成分に記憶される。そしてこの記憶
された信号が金属層２１を通じて画素電極２３に
供給され、ターゲツト電極２６との電位差に応じ
て液晶２５の光透過率が変化される。
そしてこの場合に、金属層２０と画素電極２３
との間に寄生容量が形成され、この寄生容量を通
じてＹ軸方向の信号のクロストークが発生する。
すなわち第４図において図形Ａがあつた場合に、
対応するＹ軸方向のラインLs〜Ltに信号が供給さ
れると、寄生容量を通じてＹ軸方向の他の液晶セ
ル（C1s〜Cos）〜（C1t〜Cot）にも信号が供給さ
れ、Ｙ軸方向にクロストークが発生する。さらに
クロストークの量は、セルの記憶容量をCM、寄
生容量をCSとすると、 CS／CM＋CS の値に対応し、ここで画素面積を小さくすると、
記憶容量CMは小さくなるのに対して寄生容量CS
は略一定なので、クロストークが大となつてしま
う。
との間に寄生容量が形成され、この寄生容量を通
じてＹ軸方向の信号のクロストークが発生する。
すなわち第４図において図形Ａがあつた場合に、
対応するＹ軸方向のラインLs〜Ltに信号が供給さ
れると、寄生容量を通じてＹ軸方向の他の液晶セ
ル（C1s〜Cos）〜（C1t〜Cot）にも信号が供給さ
れ、Ｙ軸方向にクロストークが発生する。さらに
クロストークの量は、セルの記憶容量をCM、寄
生容量をCSとすると、 CS／CM＋CS の値に対応し、ここで画素面積を小さくすると、
記憶容量CMは小さくなるのに対して寄生容量CS
は略一定なので、クロストークが大となつてしま
う。
本発明はこのような点にかんがみ、簡単な構成
で上述のクロストークを除去できるようにするも
のである。以下図面を参照しながら本発明の一実
施例について説明しよう。
で上述のクロストークを除去できるようにするも
のである。以下図面を参照しながら本発明の一実
施例について説明しよう。
第５図において、Ｙ軸方向のラインL1〜Lnと
平行にラインL1′〜Ln′を設け、これらのライン
L1′〜Ln′をスイツチング素子M1〜Mnと同等にオ
ンされるスイツチング素子M1′〜Mn′にて選択す
る。さらにこれらのスイツチング素子M1′〜
Mn′に入力端子５を通じて入力端子１からの信号
と逆相の信号を供給する。
平行にラインL1′〜Ln′を設け、これらのライン
L1′〜Ln′をスイツチング素子M1〜Mnと同等にオ
ンされるスイツチング素子M1′〜Mn′にて選択す
る。さらにこれらのスイツチング素子M1′〜
Mn′に入力端子５を通じて入力端子１からの信号
と逆相の信号を供給する。
さらに第６図は上述の第３図と対応する１個の
液晶セルＣの構成図であつて、P+領域１４の上
のSiO2層１９の上にラインL1′〜Ln′を構成する
金属層２７が設けられる。
液晶セルＣの構成図であつて、P+領域１４の上
のSiO2層１９の上にラインL1′〜Ln′を構成する
金属層２７が設けられる。
従つてこの装置において、金属層２７と画素電
極２３との間で寄生容量が形成され、この容量値
をCS′とすると、この寄生容量を通じて CS′／CM＋CS′S （但しVS＝入力信号の電位、S＝−VS） のクロストークが発生する。そして CS／CM＋CSVS−CS′／CM＋CS′VS＝０ ……(1) となるようにCS′（＝CS）を定めることにより、
ラインL1〜Ln（金属層２０）と画素電極２３との
間の寄生容量によるクロストークを除去すること
ができる。なおCS′の値は金属層２７の幅の調整
等により容易に決定できる。
極２３との間で寄生容量が形成され、この容量値
をCS′とすると、この寄生容量を通じて CS′／CM＋CS′S （但しVS＝入力信号の電位、S＝−VS） のクロストークが発生する。そして CS／CM＋CSVS−CS′／CM＋CS′VS＝０ ……(1) となるようにCS′（＝CS）を定めることにより、
ラインL1〜Ln（金属層２０）と画素電極２３との
間の寄生容量によるクロストークを除去すること
ができる。なおCS′の値は金属層２７の幅の調整
等により容易に決定できる。
こうして例えばテレビ画像の表示が行われるわ
けであるが、本発明によれば簡単な構成でクロス
トークが除去され、良好な画像を得ることができ
る。
けであるが、本発明によれば簡単な構成でクロス
トークが除去され、良好な画像を得ることができ
る。
さらに上述の装置において、液晶セルＣのパタ
ーン等の都合により、CSとCS′とを等しくできな
いときには、入力端子５に供給される信号の利得
を調整する。すなわち上述の(1)式において、 CS／CM＋CSVS−CS′／CM＋CS′・k.VS＝０ とすることにより ｋ＝CS／CS′・CM＋CS′／CM＋CS ……(2) となるように入力端子５に供給される信号の利得
を調整すれば、上述と同様にクロストークを除去
することができる。
ーン等の都合により、CSとCS′とを等しくできな
いときには、入力端子５に供給される信号の利得
を調整する。すなわち上述の(1)式において、 CS／CM＋CSVS−CS′／CM＋CS′・k.VS＝０ とすることにより ｋ＝CS／CS′・CM＋CS′／CM＋CS ……(2) となるように入力端子５に供給される信号の利得
を調整すれば、上述と同様にクロストークを除去
することができる。
また逆に入力端子５に供給される信号の利得が
k′に定められているときは、 CS′＝CM・CS／ｋ（CM＋CS）−CS ……(3) となるように金属層２７の幅を調整すればよい。
k′に定められているときは、 CS′＝CM・CS／ｋ（CM＋CS）−CS ……(3) となるように金属層２７の幅を調整すればよい。
さらに表示材として液晶を用いる場合には一般
に交流信号にて駆動する。すなわち映像信号が第
７図Ａのようなときは、入力端子１に供給される
信号は第７図Ｂのようになる。そしてこの場合
に、入力端子５には第７図Ｃのような逆相の信号
を供給する。またこのとき直流成分は不要なの
で、第７図Ｄのように直流成分を除去した信号を
入力端子５に供給してもよい。
に交流信号にて駆動する。すなわち映像信号が第
７図Ａのようなときは、入力端子１に供給される
信号は第７図Ｂのようになる。そしてこの場合
に、入力端子５には第７図Ｃのような逆相の信号
を供給する。またこのとき直流成分は不要なの
で、第７図Ｄのように直流成分を除去した信号を
入力端子５に供給してもよい。
なお本発明は上述のような画像表示装置に限ら
ず、二次元アドレスの記憶装置等にも応用でき
る。
ず、二次元アドレスの記憶装置等にも応用でき
る。
第１図〜第４図は従来の装置の説明のための
図、第５図は本発明の一例の構成図、第６図、第
７図はその説明のための図である。 １，５は入力端子、M1〜Mn，M1′〜Mn′はス
イツチング素子、L1〜Ln，L1′〜Ln′はＹ軸方向
のラインである。
図、第５図は本発明の一例の構成図、第６図、第
７図はその説明のための図である。 １，５は入力端子、M1〜Mn，M1′〜Mn′はス
イツチング素子、L1〜Ln，L1′〜Ln′はＹ軸方向
のラインである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 垂直走査方向に平行に設けられた複数の第一
の信号線と、水平走査方向に平行に設けられた複
数の第二の信号線と、上記水平走査に従つた第一
のスイツチ信号を順次発生する第一の走査手段
と、上記第一のスイツチ信号によつて順次駆動さ
れ上記第一の信号線に入力映像信号を順次供給す
るための複数のスイツチ手段と、上記垂直走査に
従つた第二のスイツチ信号を上記第二の信号線に
順次供給するための第二の走査手段と、上記第
一、第二の信号線の各交点にマトリクス状に配さ
れるとともに上記第二の信号線に供給される上記
第二のスイツチ信号によつて駆動され上記第一の
信号線を介して上記入力映像信号が供給される回
路素子とを有する二次元アドレス装置において、 各上記第一の信号線に平行に夫々第三の信号線
を設け、上記第一の信号線に供給される上記入力
映像信号と逆相の逆相映像信号を上記第三の信号
線に供給することにより、上記第一の信号線と上
記回路素子との間の寄生容量による信号のクロス
トークを上記第三の信号線と上記回路素子との間
の寄生容量による信号のクロストークでキヤンセ
ルするようにしたことを特徴とする二次元アドレ
ス装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56090053A JPS57204592A (en) | 1981-06-11 | 1981-06-11 | Two-dimensional address device |
| AU84617/82A AU552787B2 (en) | 1981-06-11 | 1982-06-07 | Liquid crystal matrix display |
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