JPH0310549Y2 - - Google Patents
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- JPH0310549Y2 JPH0310549Y2 JP1983086603U JP8660383U JPH0310549Y2 JP H0310549 Y2 JPH0310549 Y2 JP H0310549Y2 JP 1983086603 U JP1983086603 U JP 1983086603U JP 8660383 U JP8660383 U JP 8660383U JP H0310549 Y2 JPH0310549 Y2 JP H0310549Y2
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Landscapes
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、例えばテレビ受像を行うための透過
形液晶デイスプレイ装置に関する。
形液晶デイスプレイ装置に関する。
背景技術とその問題点
例えば透過形液晶を用いてテレビ画像を表示す
ることが提案されている。
ることが提案されている。
第１図において、１はテレビの映像信号が供給
される入力端子で、この入力端子１からの信号が
それぞれ例えばＮチヤンネルFETからなるスイ
ツチング素子M1，M2……Mmを通じて垂直（Ｙ
軸）方向のラインL1，L2……Lmに供給される。
なおｍは水平（Ｘ軸）方向の画素数に相当する数
である。さらにｍ段のシフトレジスタ２が設けら
れ、このシフトレジスタ２に水平周波数のｍ倍の
クロツク信号Φ1H，Φ2Hが供給され、このシフト
レジスタ２の各出力端子からのクロツク信号
Φ1H，Φ2Hによつて順次走査される駆動パルス信
号φH1，φH2……φHnがスイツチング素子M1〜Mm
の各制御端子に供給される。なおシフトレジスタ
２には低電位（VSS）と高電位（VDD）が供給さ
れ、この２つの電位の駆動パルスが形成される。
される入力端子で、この入力端子１からの信号が
それぞれ例えばＮチヤンネルFETからなるスイ
ツチング素子M1，M2……Mmを通じて垂直（Ｙ
軸）方向のラインL1，L2……Lmに供給される。
なおｍは水平（Ｘ軸）方向の画素数に相当する数
である。さらにｍ段のシフトレジスタ２が設けら
れ、このシフトレジスタ２に水平周波数のｍ倍の
クロツク信号Φ1H，Φ2Hが供給され、このシフト
レジスタ２の各出力端子からのクロツク信号
Φ1H，Φ2Hによつて順次走査される駆動パルス信
号φH1，φH2……φHnがスイツチング素子M1〜Mm
の各制御端子に供給される。なおシフトレジスタ
２には低電位（VSS）と高電位（VDD）が供給さ
れ、この２つの電位の駆動パルスが形成される。
また各ラインL1〜Lmにそれぞれ例えばＮチヤ
ンネルFETからなるスイツチング素子M11，M21
……Mo1，M12，M22……Mo2，……M1n，M2n…
…Monの一端が接続される。なおｎは水平走査線
数に相当する数である。このスイツチング素子
M11〜Monの他端がそれぞれ透過形液晶セルC11，
C21……Conを通じてターゲツト端子３に接続され
る。
ンネルFETからなるスイツチング素子M11，M21
……Mo1，M12，M22……Mo2，……M1n，M2n…
…Monの一端が接続される。なおｎは水平走査線
数に相当する数である。このスイツチング素子
M11〜Monの他端がそれぞれ透過形液晶セルC11，
C21……Conを通じてターゲツト端子３に接続され
る。
さらｎ段のシフトレジスタ４が設けられ、この
シフトレジスタ４に水平周波数のクロツク信号
Φ1V，Φ2Vが供給され、このシフトレジスタ４の
各出力端子からのクロツク信号Φ1V，Φ2Vによつ
て順次走査される駆動パルス信号φV1，φV2……
φVoが、スイツチング素子M11〜MonのＸ軸方向
の各列（M11〜M1n），（M21〜M2n）……（Mo1
〜Mon）ごとの制御端子にそれぞれ供給される。
なお、シフトレジスタ４にもシフトレジスタ２と
同様にVSSとVDDが供給される。
シフトレジスタ４に水平周波数のクロツク信号
Φ1V，Φ2Vが供給され、このシフトレジスタ４の
各出力端子からのクロツク信号Φ1V，Φ2Vによつ
て順次走査される駆動パルス信号φV1，φV2……
φVoが、スイツチング素子M11〜MonのＸ軸方向
の各列（M11〜M1n），（M21〜M2n）……（Mo1
〜Mon）ごとの制御端子にそれぞれ供給される。
なお、シフトレジスタ４にもシフトレジスタ２と
同様にVSSとVDDが供給される。
すなわちこの回路において、シフトレジスタ
２，４には第２図Ａ，Ｂに示すようなクロツク信
号Φ1H，Φ2H，Φ1V，Φ2Vが供給される。そしてシ
フトレジスタ２からは第２図Ｃに示すように各画
素期間ごとにφH1〜φHnが出力され、シフトレジス
タ４からは第２図Ｄに示すように１水平期間ごと
にφV1〜φVoが出力される。さらに入力端子１には
第２図Ｅに示すような信号が供給される。
２，４には第２図Ａ，Ｂに示すようなクロツク信
号Φ1H，Φ2H，Φ1V，Φ2Vが供給される。そしてシ
フトレジスタ２からは第２図Ｃに示すように各画
素期間ごとにφH1〜φHnが出力され、シフトレジス
タ４からは第２図Ｄに示すように１水平期間ごと
にφV1〜φVoが出力される。さらに入力端子１には
第２図Ｅに示すような信号が供給される。
そしてφV1、，φH1が出力されているときは、ス
イツチング素子M1とM11〜M1nがオンされ、入
力端子１→M1→L1→M11→C11→ターゲツト端子
３の電流路が形成されて透過形液晶セルC11に入
力端子１に供給された信号とターゲツト端子３と
の電位差が供給される。このためこのセルC11の
容量分に、１番目の画素の信号による電位差に相
当する電荷がサンプルホールドされる。この電荷
量に対応して液晶の光透過率が変化される。これ
と同様のことがセルC12〜Conについて順次行わ
れ、さらに次のフイールドの信号が供給された時
点で各セルC11〜Conの電荷量が書き換えられる。
イツチング素子M1とM11〜M1nがオンされ、入
力端子１→M1→L1→M11→C11→ターゲツト端子
３の電流路が形成されて透過形液晶セルC11に入
力端子１に供給された信号とターゲツト端子３と
の電位差が供給される。このためこのセルC11の
容量分に、１番目の画素の信号による電位差に相
当する電荷がサンプルホールドされる。この電荷
量に対応して液晶の光透過率が変化される。これ
と同様のことがセルC12〜Conについて順次行わ
れ、さらに次のフイールドの信号が供給された時
点で各セルC11〜Conの電荷量が書き換えられる。
このようにして、映像信号の各画素に対応して
透過形液晶セルC11〜Conの光透過率が変化され、
これが順次繰り返されてテレビ画像の表示が行わ
れる。
透過形液晶セルC11〜Conの光透過率が変化され、
これが順次繰り返されてテレビ画像の表示が行わ
れる。
ところで液晶で表示を行う場合には、一般にそ
の信頼性、寿命を良くするため交流駆動が用いら
れる。例えばテレビ画像の表示においては、１フ
イールドたは１フレームごとに映像信号を反転さ
せた信号を入力端子１に供給する。すなわち入力
端子１には第２図Ｅに示すように１フイールドま
たは１フレームごとに反転された信号が供給され
る。
の信頼性、寿命を良くするため交流駆動が用いら
れる。例えばテレビ画像の表示においては、１フ
イールドたは１フレームごとに映像信号を反転さ
せた信号を入力端子１に供給する。すなわち入力
端子１には第２図Ｅに示すように１フイールドま
たは１フレームごとに反転された信号が供給され
る。
ところで上述の装置において、１個の透過形液
晶セルＣは例えば次のように構成されている。第
３図において、Ａは平面図、ＢはそのＡ−Ａ線に
よる断面図を示す。図中２０はガラス基板であつ
て、このガラス基板２０上にアルミニユーム等の
金属によるゲート線２１が設けられ、このゲート
線２１の上及びガラス基板２０の全面にSiO2層
２２が設けられる。またゲート線２１の張出し部
２１′の上にSiO2層２２を挟んでアモルフアスシ
リコン層２３が設けられ、このシリコン層２３の
図面左側に上述のラインL1〜Lnに相当する金属
による垂直信号線２４が設けられる。またシリコ
ン層２３の図面右側に金属層２５を介して透明電
極からなる画素電極２６が設けられる。このシリ
コン層２３〜画素電極２６の上にSiO2層２７が
設けられる。そしてこのSiO2層２７の上に液晶
２８が設けられ、その上に透明電極から成るター
ゲツト電極２９及び保護ガラス３０が設けられ
る。
晶セルＣは例えば次のように構成されている。第
３図において、Ａは平面図、ＢはそのＡ−Ａ線に
よる断面図を示す。図中２０はガラス基板であつ
て、このガラス基板２０上にアルミニユーム等の
金属によるゲート線２１が設けられ、このゲート
線２１の上及びガラス基板２０の全面にSiO2層
２２が設けられる。またゲート線２１の張出し部
２１′の上にSiO2層２２を挟んでアモルフアスシ
リコン層２３が設けられ、このシリコン層２３の
図面左側に上述のラインL1〜Lnに相当する金属
による垂直信号線２４が設けられる。またシリコ
ン層２３の図面右側に金属層２５を介して透明電
極からなる画素電極２６が設けられる。このシリ
コン層２３〜画素電極２６の上にSiO2層２７が
設けられる。そしてこのSiO2層２７の上に液晶
２８が設けられ、その上に透明電極から成るター
ゲツト電極２９及び保護ガラス３０が設けられ
る。
従つてこの装置において、信号線２４に信号が
供給され、ゲート線２１が高電位になると、信号
線２４に供給された信号がシリコン層２３を通じ
て金属層２５に供給され、この金属層２５と信号
線２４との間で形成される容量成分に記憶され
る。そしてこの記憶された信号が画素電極２６に
供給され、ターゲツト電極２９との電位差に応じ
て液晶２８の光透過率が変化される。
供給され、ゲート線２１が高電位になると、信号
線２４に供給された信号がシリコン層２３を通じ
て金属層２５に供給され、この金属層２５と信号
線２４との間で形成される容量成分に記憶され
る。そしてこの記憶された信号が画素電極２６に
供給され、ターゲツト電極２９との電位差に応じ
て液晶２８の光透過率が変化される。
ところがこの場合に、信号線２４と金属層２５
との間に結合容量が形成され、この結合容量を通
じてＹ軸方向の信号のクロストークが発生する。
すなわち第４図において図形Ａがあつた場合に、
対応するＹ軸方向のラインLs〜Ltに信号が供給
されると、結合容量を通じてＹ軸方向の他の液晶
セル（C1s〜Cos）〜（C1t〜Cot）にも信号が供給
され、Ｙ軸方向にクロストークが発生する。さら
にクロストークの量は、セルの記憶容量をCM、
結合容量をCSとすると、 CS／CM＋CS の値に対応し、ここで画素面積を小さくすると、
記憶容量CMは小さくなるのに対して結合容量CS
は略一定なので、クロストークが大となつてしま
う。
との間に結合容量が形成され、この結合容量を通
じてＹ軸方向の信号のクロストークが発生する。
すなわち第４図において図形Ａがあつた場合に、
対応するＹ軸方向のラインLs〜Ltに信号が供給
されると、結合容量を通じてＹ軸方向の他の液晶
セル（C1s〜Cos）〜（C1t〜Cot）にも信号が供給
され、Ｙ軸方向にクロストークが発生する。さら
にクロストークの量は、セルの記憶容量をCM、
結合容量をCSとすると、 CS／CM＋CS の値に対応し、ここで画素面積を小さくすると、
記憶容量CMは小さくなるのに対して結合容量CS
は略一定なので、クロストークが大となつてしま
う。
また上述のように交流駆動が行われている場合
に、１フイールドまたは１フレームごとに逆極性
の信号が供給されるので、この逆極性の信号が上
述の結合容量CSを通じて各液晶セルに飛び込み、
特に信号の書き換までの時間の長い画面の下側に
おいて全体に画像が暗くなるシエーデイングが発
生する。このシエーデイングも上述のクロストー
クと同様に画素面積を小さくすると問題が顕著に
なる。
に、１フイールドまたは１フレームごとに逆極性
の信号が供給されるので、この逆極性の信号が上
述の結合容量CSを通じて各液晶セルに飛び込み、
特に信号の書き換までの時間の長い画面の下側に
おいて全体に画像が暗くなるシエーデイングが発
生する。このシエーデイングも上述のクロストー
クと同様に画素面積を小さくすると問題が顕著に
なる。
さらに信号線２４の上の液晶には信号の平均電
界がかかるために、各画素とは違う状態を表示
し、いわゆる縦すじとなつて画質を劣化させてい
た。
界がかかるために、各画素とは違う状態を表示
し、いわゆる縦すじとなつて画質を劣化させてい
た。
考案の目的
本考案はこのような点にかんがみ、簡単な構成
でクロストーク、シエーデイング及び縦すじを防
止するようにしたものである。
でクロストーク、シエーデイング及び縦すじを防
止するようにしたものである。
考案の概要
本考案は、透明基板上に、信号線と選択素子と
電極と液晶とが設けられてなる透過形液晶デイス
プレイ装置において、隣接画素を構成する上記電
極間に、上記信号線と並列に所定信号の印加され
る補正信号線を配置したことを特徴とする透過形
液晶デイスプレイ装置であつて、これによれば簡
単な構成でクロストーク、シエーデイング及び縦
すじを防止することができる。
電極と液晶とが設けられてなる透過形液晶デイス
プレイ装置において、隣接画素を構成する上記電
極間に、上記信号線と並列に所定信号の印加され
る補正信号線を配置したことを特徴とする透過形
液晶デイスプレイ装置であつて、これによれば簡
単な構成でクロストーク、シエーデイング及び縦
すじを防止することができる。
実施例
第５図の液晶セルの構成において画素電極２６
と次の液晶セルとの間に、信号線２４と平行に金
属による補正信号線４０が設けられる。
と次の液晶セルとの間に、信号線２４と平行に金
属による補正信号線４０が設けられる。
また第６図の回路において、Ｙ軸方向のライン
L1〜Lnと液晶セルＣを挟んで反対側に、平行は
補正信号線４０に相当する補正ラインンL1′〜
Ln′を設け、これらのラインL1′〜Ln′をスイツチ
ング素子M1〜Mnと同等にオンされるスイツチン
グ素子M1′〜Mn′にて選択する。さらにこれらの
スイツチング素子M1′〜Mn′に入力端子１′を通
じて入力端子１からの信号と逆相の信号を供給す
る。
L1〜Lnと液晶セルＣを挟んで反対側に、平行は
補正信号線４０に相当する補正ラインンL1′〜
Ln′を設け、これらのラインL1′〜Ln′をスイツチ
ング素子M1〜Mnと同等にオンされるスイツチン
グ素子M1′〜Mn′にて選択する。さらにこれらの
スイツチング素子M1′〜Mn′に入力端子１′を通
じて入力端子１からの信号と逆相の信号を供給す
る。
この装置において、補正信号線４０と画素電極
２６との間で結合容量が形成され、この容量値を
Cs′とすると、この結合容量を通じて CS′／CM＋CS′VS （但しVSは入力信号の電位、VS＝−VS） のクロストークが発生する。そして CS／CM＋CSVS −CS′／CM＋CS′VS＝０ ……(1) となるようにCS′を定めることにより、ラインL1
〜Ln（信号線２４）と画素電極２６との間の結合
容量によるクロストークを除去することができ
る。なおCS′の値は補正信号線４０の幅の調整等
により容易に決定できる。
２６との間で結合容量が形成され、この容量値を
Cs′とすると、この結合容量を通じて CS′／CM＋CS′VS （但しVSは入力信号の電位、VS＝−VS） のクロストークが発生する。そして CS／CM＋CSVS −CS′／CM＋CS′VS＝０ ……(1) となるようにCS′を定めることにより、ラインL1
〜Ln（信号線２４）と画素電極２６との間の結合
容量によるクロストークを除去することができ
る。なおCS′の値は補正信号線４０の幅の調整等
により容易に決定できる。
従つて、この装置によれば簡単な構成でクロス
トークが除去され、クロストーク及びシエーデイ
ングのない良好な画像を得ることができる。
トークが除去され、クロストーク及びシエーデイ
ングのない良好な画像を得ることができる。
また第７図の回路において、補正ラインL1′〜
Ln′を、ラインL1〜Lnと前の液晶セルＣとの間に
設ける。
Ln′を、ラインL1〜Lnと前の液晶セルＣとの間に
設ける。
この場合に、補正ラインL1′〜Ln′は第５図の
構成において前のセルの補正信号線４０′に相当
する。
構成において前のセルの補正信号線４０′に相当
する。
この装置において、信号線２４に近接する補正
信号線４０′に逆相の信号が供給されるので、こ
の２つの信号線による電界が相殺され、この電界
が液晶に変化をおよぼすことがなくなる。
信号線４０′に逆相の信号が供給されるので、こ
の２つの信号線による電界が相殺され、この電界
が液晶に変化をおよぼすことがなくなる。
従つてこの装置によれば簡単な構成で信号線の
電界の影響が除去され、縦すじのない良好な画像
を得ることができる。
電界の影響が除去され、縦すじのない良好な画像
を得ることができる。
そしてこの場合に、液晶セルＣの構造は同じで
ある。そこで上述の装置において、液晶の特性等
によつて問題の大きい方を除去するように、任意
に切換えることもできる。
ある。そこで上述の装置において、液晶の特性等
によつて問題の大きい方を除去するように、任意
に切換えることもできる。
なお第７図の回路で、補正ラインL1′〜Ln′と
液晶セルＣとの間にも多少の結合容量は生じる。
従つてこの回路においてもクロストーク及びシエ
ーデイングを抑制することができる。
液晶セルＣとの間にも多少の結合容量は生じる。
従つてこの回路においてもクロストーク及びシエ
ーデイングを抑制することができる。
こうしてこの装置によれば、クロストーク、シ
エーデイング及び縦すじを除去して、良好な画像
を得ることができる。
エーデイング及び縦すじを除去して、良好な画像
を得ることができる。
またこの装置において、補正信号線４０は、信
号線２４と同一のマスクで同時に形成することが
でき、追加マスク等の必要はない。
号線２４と同一のマスクで同時に形成することが
でき、追加マスク等の必要はない。
さらに上述の装置は透過形の液晶であるために
画素電極２６の面積を挟めることは好ましくな
い。このため補正信号線４０の幅が限定され、結
合容量値CS′が所望の値にできない場合がある。
そのときには、入力端子１′に供給される信号の
利得を調整する。すなわち上述の(1)式において、 CS／CM＋CSVS −CS′／CM＋CS′・ｋ・VS＝０ とすることにより ｋ＝CS／CS′・CM＋CS′／CM＋CS ……(2) となるように入力端子１′に供給される信号の利
得をｋ倍に調整すれば、上述と同様にクロストー
クを除去することができる。
画素電極２６の面積を挟めることは好ましくな
い。このため補正信号線４０の幅が限定され、結
合容量値CS′が所望の値にできない場合がある。
そのときには、入力端子１′に供給される信号の
利得を調整する。すなわち上述の(1)式において、 CS／CM＋CSVS −CS′／CM＋CS′・ｋ・VS＝０ とすることにより ｋ＝CS／CS′・CM＋CS′／CM＋CS ……(2) となるように入力端子１′に供給される信号の利
得をｋ倍に調整すれば、上述と同様にクロストー
クを除去することができる。
なおこの装置は、アモルフアスシリコン、ポリ
シリコン、シリコンオンサフアイア等のTFTを
用いたアクテイブマトリクスによる透過形液晶表
示装置に適用できる。
シリコン、シリコンオンサフアイア等のTFTを
用いたアクテイブマトリクスによる透過形液晶表
示装置に適用できる。
考案の効果
本考案によれば、簡単な構成でクロストーク、
シエーデイング及び縦すじを防止することができ
た。
シエーデイング及び縦すじを防止することができ
た。
第１図〜第４図は液晶表示装置の説明のための
図、第５図は本考案の一例の構成図、第６図、第
７図はその説明のための図である。 １は入力端子、２はシフトレジスタ、Ｍはスイ
ツチング素子、Ｃは液晶セル、２４は垂直信号
線、２５は金属層、２６は画素電極、４０は補正
信号線である。
図、第５図は本考案の一例の構成図、第６図、第
７図はその説明のための図である。 １は入力端子、２はシフトレジスタ、Ｍはスイ
ツチング素子、Ｃは液晶セル、２４は垂直信号
線、２５は金属層、２６は画素電極、４０は補正
信号線である。
Claims (1)
- 透明基板上に、水平及び垂直方向にマトリクス
状に配された画素電極と、上記画素電極に対向し
て設けられた共通電極と、上記画素電極と上記共
通電極との間に配され、上記画素電極と上記共通
電極との電位差に応じて変調される液晶層と、隣
接する上記画素電極間に垂直走査方向に平行に設
けられた複数の第一の信号線と、水平走査方向に
平行に設けられた複数の第二の信号線と、上記水
平走査に従つて第一のスイツチ信号を順次発生す
る第一の走査手段と、上記第一のスイツチ信号に
よつて順次駆動され上記第一の信号線に入力映像
信号を順次供給するための複数のスイツチ手段
と、上記垂直走査に従つて第二のスイツチ信号を
上記第二の信号線に順次供給するための第二の走
査手段と、上記画素電極に対応してマトリクス状
に配されるとともに上記第二の信号線に供給され
る上記第二のスイツチ信号によつて駆動され上記
第一の信号線を介して上記入力映像信号を上記画
素電極に供給する回路素子と、隣接する上記画素
電極間に各上記第一の信号線に平行に且つ近接さ
せて夫々第三の信号線を設け、上記第一の信号線
に供給される上記入力映像信号と逆相の逆相映像
信号を上記第三の信号線に供給することを特徴と
する透過形液晶デイスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8660383U JPS59192196U (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 透過形液晶デイスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8660383U JPS59192196U (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 透過形液晶デイスプレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59192196U JPS59192196U (ja) | 1984-12-20 |
| JPH0310549Y2 true JPH0310549Y2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=30216532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8660383U Granted JPS59192196U (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 透過形液晶デイスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59192196U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4748143B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204592A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-15 | Sony Corp | Two-dimensional address device |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP8660383U patent/JPS59192196U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204592A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-15 | Sony Corp | Two-dimensional address device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59192196U (ja) | 1984-12-20 |
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