JP2847666B2 - 電気光学表示方法 - Google Patents
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- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2011—Display of intermediate tones by amplitude modulation
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配列に配置された複数
アドレス位置を有する電気光学装置の表示方法、特に、
アドレス位置間での付随的なデータ伝搬又はクロス・ト
ークの影響を低減する方法に関する。
アドレス位置を有する電気光学装置の表示方法、特に、
アドレス位置間での付随的なデータ伝搬又はクロス・ト
ークの影響を低減する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気光学アドレス指定構造体（表示装
置）を、ビデオ・カメラ、データ蓄積装置及びフラット
・パネル表示器等の種々のアプリケーションに用いてい
る。かかるアドレス指定構造体には、典型的には、配列
に配置された非常に多くの数のアドレス位置がある。例
えば、高解像度テレビジョン・フォーマットに応じて構
成されたフラット・パネル液晶表示器は、典型的には、
少なくとも２００万個のアドレス位置を具えている。こ
れらアドレス位置は、表示要素、即ち、ピクセルに対応
し、これらピクセルは、各ラインが約２０００ピクセル
の約１０００ラインで構成される。
置）を、ビデオ・カメラ、データ蓄積装置及びフラット
・パネル表示器等の種々のアプリケーションに用いてい
る。かかるアドレス指定構造体には、典型的には、配列
に配置された非常に多くの数のアドレス位置がある。例
えば、高解像度テレビジョン・フォーマットに応じて構
成されたフラット・パネル液晶表示器は、典型的には、
少なくとも２００万個のアドレス位置を具えている。こ
れらアドレス位置は、表示要素、即ち、ピクセルに対応
し、これらピクセルは、各ラインが約２０００ピクセル
の約１０００ラインで構成される。
【０００３】液晶表示器の設計の目的の１つは、クロス
・トークを最小にすることである。かかる表示器の隣接
したピクセルは、密接した間隔であり、この狭い間隔に
より、付随的に容量結合が生じる。隣接したピクセル間
のかかる結合を「横同士（サイド・ツー・サイド）」結
合と呼ぶ。さらに、電気光学アドレス指定構造体の動作
期間中、列（縦行）内の総てのピクセルに対するデータ
駆動信号は、典型的には、ピクセルに隣接した共通導体
上を伝搬する。電気光学アドレス指定構造体の電気的特
性により、列又は行内の総てのピクセルの間に容量性結
合が生じる。行又は列内の総てのピクセル間のかかる結
合を「前後同士の（フロント・ツー・バック）」結合と
いう。「水平クロス・トーク」として知られているクロ
ス・トークの第３形式は、プラズマ・アドレス指定表示
器内に生じるが、これは、フローティング電位に維持さ
れたプラズマ形成電極の１つにより生じる。本願発明者
による米国特許出願「プラズマ・チャンネルの電極分
路」に開示されている如く、フローティング電極を基準
電極に接続することにより、水平クロス・トークを除去
できる。これら３つの形式のクロス・トークにより、特
定のピクセルに向いたデータ駆動信号が、付随的なデー
タ信号又はクロス・トークとして、他のピクセルに伝送
されてしまう。表示システムにとって、クロス・トーク
は、イメージ（画像）に依存している。すなわち、クロ
ス・トークは、導体上に存在するデータ駆動信号により
決まると共に、特定のピクセルにかかる電圧を変化させ
る。クロス・トーク効果には、予想できないグレイスケ
ールがあり、このグレイスケールは、可能なグレイスケ
ールの数を、許容できるビデオ性能に必要な数未満に制
限する。グレイスケールは、表示要素間の平均電圧の平
方根の２乗（ＲＭＳ）での微少変動を検知し、クロス・
トークがその電圧を変化させる。なお、本明細書での
「グレイスケール」とは、モノクロム又はカラー表示シ
ステムでの利用可能な範囲での光出力レベルをいう。
・トークを最小にすることである。かかる表示器の隣接
したピクセルは、密接した間隔であり、この狭い間隔に
より、付随的に容量結合が生じる。隣接したピクセル間
のかかる結合を「横同士（サイド・ツー・サイド）」結
合と呼ぶ。さらに、電気光学アドレス指定構造体の動作
期間中、列（縦行）内の総てのピクセルに対するデータ
駆動信号は、典型的には、ピクセルに隣接した共通導体
上を伝搬する。電気光学アドレス指定構造体の電気的特
性により、列又は行内の総てのピクセルの間に容量性結
合が生じる。行又は列内の総てのピクセル間のかかる結
合を「前後同士の（フロント・ツー・バック）」結合と
いう。「水平クロス・トーク」として知られているクロ
ス・トークの第３形式は、プラズマ・アドレス指定表示
器内に生じるが、これは、フローティング電位に維持さ
れたプラズマ形成電極の１つにより生じる。本願発明者
による米国特許出願「プラズマ・チャンネルの電極分
路」に開示されている如く、フローティング電極を基準
電極に接続することにより、水平クロス・トークを除去
できる。これら３つの形式のクロス・トークにより、特
定のピクセルに向いたデータ駆動信号が、付随的なデー
タ信号又はクロス・トークとして、他のピクセルに伝送
されてしまう。表示システムにとって、クロス・トーク
は、イメージ（画像）に依存している。すなわち、クロ
ス・トークは、導体上に存在するデータ駆動信号により
決まると共に、特定のピクセルにかかる電圧を変化させ
る。クロス・トーク効果には、予想できないグレイスケ
ールがあり、このグレイスケールは、可能なグレイスケ
ールの数を、許容できるビデオ性能に必要な数未満に制
限する。グレイスケールは、表示要素間の平均電圧の平
方根の２乗（ＲＭＳ）での微少変動を検知し、クロス・
トークがその電圧を変化させる。なお、本明細書での
「グレイスケール」とは、モノクロム又はカラー表示シ
ステムでの利用可能な範囲での光出力レベルをいう。
【０００４】アドレス指定構造体の１形式は、ブザック
らによる米国特許第４８９６１４９号「イオン化可能な
ガス状媒体を用いたアドレス指定構造体」に開示された
プラズマ・アドレス指定液晶（Plasma Addressed Liqui
d Crystal:ＰＡＬＣ）表示器である。ＰＡＬＣ表示器
は、所望のグレイ・レベルに関連した電圧を、ピクセル
の一方の側のデータ電極に加える一方、プラズマ・チャ
ンネル内のイオン化したガスが、ピクセルの反対側の基
準電極に電子経路を設ける。プラズマが消滅したとき
に、この電圧はピクセルに蓄積されて維持され、接地へ
の経路が除去される。また、ＰＡＬＣ表示器は、いくつ
かの他の形式の表示器よりも高い駆動電圧を利用する必
要がある。これは、表示器の物理的な部品が、データ電
極上の電圧を分圧するためである。その結果、供給電圧
の一部のみが液晶に蓄積されて、所望のグレイスケール
を調べる。より高い駆動電圧は、より広いダイナミック
・レンジのデータ・ドライバを必要とし、異なる光学状
態での隣接したピクセル間での電圧勾配を増加させて、
クロス・トークを悪化させる。
らによる米国特許第４８９６１４９号「イオン化可能な
ガス状媒体を用いたアドレス指定構造体」に開示された
プラズマ・アドレス指定液晶（Plasma Addressed Liqui
d Crystal:ＰＡＬＣ）表示器である。ＰＡＬＣ表示器
は、所望のグレイ・レベルに関連した電圧を、ピクセル
の一方の側のデータ電極に加える一方、プラズマ・チャ
ンネル内のイオン化したガスが、ピクセルの反対側の基
準電極に電子経路を設ける。プラズマが消滅したとき
に、この電圧はピクセルに蓄積されて維持され、接地へ
の経路が除去される。また、ＰＡＬＣ表示器は、いくつ
かの他の形式の表示器よりも高い駆動電圧を利用する必
要がある。これは、表示器の物理的な部品が、データ電
極上の電圧を分圧するためである。その結果、供給電圧
の一部のみが液晶に蓄積されて、所望のグレイスケール
を調べる。より高い駆動電圧は、より広いダイナミック
・レンジのデータ・ドライバを必要とし、異なる光学状
態での隣接したピクセル間での電圧勾配を増加させて、
クロス・トークを悪化させる。
【０００５】液晶表示器でのクロス・トークを減らす方
法のほとんどは、付随信号を減らす方向でデータ信号を
変調することを伴っている。かかる方法の１つは、アイ
ルシシンらによる米国特許出願第０７／９５８６３１号
「電気光学アドレス指定構造体でのクロス・トーク効果
を低減する適応ドライブ波形」に開示されている。（な
お、適応ドライブ波形は、以下、「適応ドライブ波形」
という。）アドレス指定信号を可変してクロス・トーク
を低下させる他の方法は、ハワードらの米国特許第４８
４５４８２号「薄膜トランジスタ／液晶表示器のクロス
・トーク除去方法」に開示されている。かかる総てのア
ドレス指定方法は、液晶のいかなる直流バイアスも除去
しようとしている。直流バイアスは、電気化学的に液晶
の品質を落とすので、イメージの品質が低下する。
法のほとんどは、付随信号を減らす方向でデータ信号を
変調することを伴っている。かかる方法の１つは、アイ
ルシシンらによる米国特許出願第０７／９５８６３１号
「電気光学アドレス指定構造体でのクロス・トーク効果
を低減する適応ドライブ波形」に開示されている。（な
お、適応ドライブ波形は、以下、「適応ドライブ波形」
という。）アドレス指定信号を可変してクロス・トーク
を低下させる他の方法は、ハワードらの米国特許第４８
４５４８２号「薄膜トランジスタ／液晶表示器のクロス
・トーク除去方法」に開示されている。かかる総てのア
ドレス指定方法は、液晶のいかなる直流バイアスも除去
しようとしている。直流バイアスは、電気化学的に液晶
の品質を落とすので、イメージの品質が低下する。
【０００６】ブザックによる米国特許出願第０７／８５
４１４５号「電気光学アドレス指定構造体でのクロス・
トーク効果の減少」に開示されている如く、クロス・ト
ークを低減できる。このブザックによる米国特許出願で
は、２相信号の高周波数にて電圧に敏感でない液晶物質
と共に２相アドレス指定方法を用いている。しかし、周
波数に敏感な液晶は、総てのアプリケーションにとって
好適ではない。
４１４５号「電気光学アドレス指定構造体でのクロス・
トーク効果の減少」に開示されている如く、クロス・ト
ークを低減できる。このブザックによる米国特許出願で
は、２相信号の高周波数にて電圧に敏感でない液晶物質
と共に２相アドレス指定方法を用いている。しかし、周
波数に敏感な液晶は、総てのアプリケーションにとって
好適ではない。
【０００７】液晶表示器を設計する際の他の目的は、電
圧条件を最低限にすることである。電圧条件を緩和する
既知の方法は、しきい値電圧が低い液晶物質を用いるこ
とである。しきい値電圧が低い液晶物質とは、低電圧で
光学状態が変化し始めるものである。また、低しきい値
の液晶の飽和電圧は、典型的には低い。すなわち、低電
圧で、結晶体が「オン」状態とみなせる。このしきい値
電圧は、液晶分子の誘電体特性に関連する。ほとんどの
液晶分子は、誘電体異方性を現す。すなわち、誘電率、
即ち、誘電定数（ε）は、異なる分子軸に沿って異な
る。長分子軸の時間平均方向は、「ディレクタ」であ
る。誘電体異方性（Δε）は、ディレクタに平行な誘電
体定数（ε||）と、このディレクタと垂直な誘電体定数
（ε| ）との間の差として定義する。最近の液晶表示パ
ネルは、典型的には、正の誘電体異方性の液晶を用いて
いる。すなわち、液晶分子の強い双極子を分子の長い軸
と共に配向する。
圧条件を最低限にすることである。電圧条件を緩和する
既知の方法は、しきい値電圧が低い液晶物質を用いるこ
とである。しきい値電圧が低い液晶物質とは、低電圧で
光学状態が変化し始めるものである。また、低しきい値
の液晶の飽和電圧は、典型的には低い。すなわち、低電
圧で、結晶体が「オン」状態とみなせる。このしきい値
電圧は、液晶分子の誘電体特性に関連する。ほとんどの
液晶分子は、誘電体異方性を現す。すなわち、誘電率、
即ち、誘電定数（ε）は、異なる分子軸に沿って異な
る。長分子軸の時間平均方向は、「ディレクタ」であ
る。誘電体異方性（Δε）は、ディレクタに平行な誘電
体定数（ε||）と、このディレクタと垂直な誘電体定数
（ε| ）との間の差として定義する。最近の液晶表示パ
ネルは、典型的には、正の誘電体異方性の液晶を用いて
いる。すなわち、液晶分子の強い双極子を分子の長い軸
と共に配向する。
【０００８】電界がない場合、液晶分子は、典型的に
は、液晶自体で決まる方向、セルのジオメトリ及び配向
層を維持する。液晶セルに供給される電圧がしきい値電
圧を超える電界を発生するとき、液晶分子の方向、そし
て液晶の光学伝達特性が変化し始める。液晶セルのしき
い値電圧は、液晶物質の誘電体異方性Δεの２乗の平方
根と逆に変化する。表示の電圧条件を軽減するために、
表示器の設計者は、典型的には、大きなΔεの液晶物質
を選択して、しきい値電圧を減らしていた。
は、液晶自体で決まる方向、セルのジオメトリ及び配向
層を維持する。液晶セルに供給される電圧がしきい値電
圧を超える電界を発生するとき、液晶分子の方向、そし
て液晶の光学伝達特性が変化し始める。液晶セルのしき
い値電圧は、液晶物質の誘電体異方性Δεの２乗の平方
根と逆に変化する。表示の電圧条件を軽減するために、
表示器の設計者は、典型的には、大きなΔεの液晶物質
を選択して、しきい値電圧を減らしていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、電気光学アドレス指定構造体でのクロス・トー
クの影響を低減する電気光学表示方法の提供にある。
目的は、電気光学アドレス指定構造体でのクロス・トー
クの影響を低減する電気光学表示方法の提供にある。
【００１０】本発明の他の目的は、いかなるアクティブ
・マトリックス電気光学アドレス指定構造体にも有効な
方法及び装置の提供にある。
・マトリックス電気光学アドレス指定構造体にも有効な
方法及び装置の提供にある。
【００１１】本発明の更に他の目的は、クロス・トーク
低減アドレス指定技術と共に使用できる方法及び装置の
提供にある。
低減アドレス指定技術と共に使用できる方法及び装置の
提供にある。
【００１２】本発明のその他の目的は、動作電圧が低く
てよい方法及び装置の提供にある。
てよい方法及び装置の提供にある。
【００１３】本発明の他の目的は、しきい値電圧を増加
させると同時に、ピクセル間の電圧傾斜を低下させる方
法の提供にある。
させると同時に、ピクセル間の電圧傾斜を低下させる方
法の提供にある。
【００１４】本発明の更に他の目的は、直流バイアスの
イメージの品質低下の影響に強い方法及び装置の提供に
ある。
イメージの品質低下の影響に強い方法及び装置の提供に
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、例え
ば、フラット・パネル表示システムに用いる任意のアク
ティブ・マトリックス形式の電気光学アドレス指定構造
体におけるクロス・トークの影響を低減する。本発明の
材料は、しきい値電圧を上昇させ、このしきい値電圧及
び飽和電圧間の差を小さくすることにより、クロス・ト
ーク効果を低減させる。しきい値電圧及び飽和電圧間の
差を小さくすることは、データ・ドライバが必要とする
ダイナミック・レンジを小さくできる。
ば、フラット・パネル表示システムに用いる任意のアク
ティブ・マトリックス形式の電気光学アドレス指定構造
体におけるクロス・トークの影響を低減する。本発明の
材料は、しきい値電圧を上昇させ、このしきい値電圧及
び飽和電圧間の差を小さくすることにより、クロス・ト
ーク効果を低減させる。しきい値電圧及び飽和電圧間の
差を小さくすることは、データ・ドライバが必要とする
ダイナミック・レンジを小さくできる。
【００１６】アクティブ・マトリックス形式の電気光学
アドレス指定構造体は、典型的には、配列に配置された
多くのアドレス位置の各々をアドレス指定し、データ駆
動信号を供給するアドレス指定構造体を含んでいる。な
お、各アドレス位置は、表示要素、即ち、ピクセルに対
応する。表示要素のグループには、主要でないデータ信
号、即ち、クロス・トークの形式でノイズを伝送する付
随的な容量結合がある。
アドレス指定構造体は、典型的には、配列に配置された
多くのアドレス位置の各々をアドレス指定し、データ駆
動信号を供給するアドレス指定構造体を含んでいる。な
お、各アドレス位置は、表示要素、即ち、ピクセルに対
応する。表示要素のグループには、主要でないデータ信
号、即ち、クロス・トークの形式でノイズを伝送する付
随的な容量結合がある。
【００１７】配列の列内の総ての表示要素は、典型的に
は、１個のデータ駆動（ドライブ）電極に接続してお
り、行内の総ての表示要素は、１個のデータ・ストロー
ブ電極に接続している。データ・ドライバは、アナログ
・データ駆動信号形式の情報を、行アドレス周期の期間
中に、各データ駆動電極に供給する。データ駆動信号の
電圧振幅は変化しているので、アドレス指定された行内
の各表示要素に対して所望のグレイ・レベルとなる。そ
の行用のデータ・ストローブ電極に供給されたデータ・
ストローブ信号は、データの蓄積を行わせる。１個のみ
の行がデータ・ストローブ信号を受けるので、他の行内
の表示要素は、同じデータ駆動電極に接続されている
が、そのデータ駆動信号を蓄積しない。
は、１個のデータ駆動（ドライブ）電極に接続してお
り、行内の総ての表示要素は、１個のデータ・ストロー
ブ電極に接続している。データ・ドライバは、アナログ
・データ駆動信号形式の情報を、行アドレス周期の期間
中に、各データ駆動電極に供給する。データ駆動信号の
電圧振幅は変化しているので、アドレス指定された行内
の各表示要素に対して所望のグレイ・レベルとなる。そ
の行用のデータ・ストローブ電極に供給されたデータ・
ストローブ信号は、データの蓄積を行わせる。１個のみ
の行がデータ・ストローブ信号を受けるので、他の行内
の表示要素は、同じデータ駆動電極に接続されている
が、そのデータ駆動信号を蓄積しない。
【００１８】本発明は、多くの付随したデータ信号の電
圧値よりも高いしきい値電圧の液晶物質を用いる。しき
い値電圧は、異方性の２乗の平方根に逆比例するので、
Δεが低い材料を用いて、従来の液晶表示器に一般に用
いられた高Δε材料に対して、しきい値電圧を増加させ
る。したがって、本発明に用いる材料は、付随クロス・
トーク電圧により発生する光学状態の変化に対する感度
が低くなる。
圧値よりも高いしきい値電圧の液晶物質を用いる。しき
い値電圧は、異方性の２乗の平方根に逆比例するので、
Δεが低い材料を用いて、従来の液晶表示器に一般に用
いられた高Δε材料に対して、しきい値電圧を増加させ
る。したがって、本発明に用いる材料は、付随クロス・
トーク電圧により発生する光学状態の変化に対する感度
が低くなる。
【００１９】本発明は、付随するクロス・トークの電圧
レベルを減らす適応駆動波形の如きアドレス指定技術と
共に用いることができる。クロス・トークの電圧レベル
を低減するアドレス指定技術と共に、ピクセル間の電圧
傾斜及び残留クロス・トーク信号の光学的影響の両方を
低減する本発明とを用いることにより、イメージ品質を
大幅に改善できる。
レベルを減らす適応駆動波形の如きアドレス指定技術と
共に用いることができる。クロス・トークの電圧レベル
を低減するアドレス指定技術と共に、ピクセル間の電圧
傾斜及び残留クロス・トーク信号の光学的影響の両方を
低減する本発明とを用いることにより、イメージ品質を
大幅に改善できる。
【００２０】本発明は、また、ＰＡＬＣ表示器の電圧条
件を軽減する。ＰＡＬＣ表示器において、データ駆動信
号「ＶDATA」の電圧を、液晶物質、薄い絶縁体及び放電
したプラズマ・チャンネル間で分圧する。しかし、液晶
の光学的特性は、ＶDATAに関連した液晶間の電圧「ＶL
C」のみで決まる。なお、ＶLCは、次のようになる。 ＶLC ≒ ＣTD ／ （ＣTD ＋ ＣLC） × ＶDATA なお、ＣTD及びＣLCは、薄い絶縁体及び液晶装置の夫々
の容量である。よって、液晶に蓄積された供給データ駆
動電圧ＶDATAの断片部分は、その容量に、逆で非線形に
関連する。その容量は、液晶のΔε及びε| に比例し、
液晶装置の厚さ「ｄ」に反比例する。この厚さｄは、液
晶の光学的異方性「Δｎ」に反比例する。よって、Δε
及びε| のより小さな値と、Δｎのより大きな値とによ
り、データ駆動電圧のより多くの部分が液晶に蓄積され
る。
件を軽減する。ＰＡＬＣ表示器において、データ駆動信
号「ＶDATA」の電圧を、液晶物質、薄い絶縁体及び放電
したプラズマ・チャンネル間で分圧する。しかし、液晶
の光学的特性は、ＶDATAに関連した液晶間の電圧「ＶL
C」のみで決まる。なお、ＶLCは、次のようになる。 ＶLC ≒ ＣTD ／ （ＣTD ＋ ＣLC） × ＶDATA なお、ＣTD及びＣLCは、薄い絶縁体及び液晶装置の夫々
の容量である。よって、液晶に蓄積された供給データ駆
動電圧ＶDATAの断片部分は、その容量に、逆で非線形に
関連する。その容量は、液晶のΔε及びε| に比例し、
液晶装置の厚さ「ｄ」に反比例する。この厚さｄは、液
晶の光学的異方性「Δｎ」に反比例する。よって、Δε
及びε| のより小さな値と、Δｎのより大きな値とによ
り、データ駆動電圧のより多くの部分が液晶に蓄積され
る。
【００２１】誘電体の異方性により、液晶装置の容量
は、その層内の分子の方向により決まる。液晶層の電圧
が上述のしきい値電圧以上に増加すると、液晶の分子が
供給電界に応じた程度だけ配向し、容量が非線形に増加
する。この容量の増加により、供給駆動電圧の小さな断
片部分が、データ駆動電圧の増加に伴って、液晶に蓄積
する。液晶に蓄積したデータ駆動電圧の小数部分が減少
することにより、表示器を飽和させるのに高電圧が必要
になる。高い飽和電圧により、表示要素間の飽和した電
圧傾斜が大きくなり、表示要素がオフ状態になるので、
横同士のクロス・トークを悪化させる。高い飽和電圧
は、データ・ドライバの必要なダイナミック・レンジ、
即ち、しきい値及び飽和間のＶDATAのレンジも増加させ
る。
は、その層内の分子の方向により決まる。液晶層の電圧
が上述のしきい値電圧以上に増加すると、液晶の分子が
供給電界に応じた程度だけ配向し、容量が非線形に増加
する。この容量の増加により、供給駆動電圧の小さな断
片部分が、データ駆動電圧の増加に伴って、液晶に蓄積
する。液晶に蓄積したデータ駆動電圧の小数部分が減少
することにより、表示器を飽和させるのに高電圧が必要
になる。高い飽和電圧により、表示要素間の飽和した電
圧傾斜が大きくなり、表示要素がオフ状態になるので、
横同士のクロス・トークを悪化させる。高い飽和電圧
は、データ・ドライバの必要なダイナミック・レンジ、
即ち、しきい値及び飽和間のＶDATAのレンジも増加させ
る。
【００２２】飽和電圧を最小にするために、本発明は、
Δε及びε| が低い材料を用いて液晶の容量を減らす。
用いた低Δε及びε| の材料は、Δｎが低く、スイッチ
ング速度に大幅に影響することなく、第１オーダの最小
条件にて、表示動作用の光学的な液晶層の厚さを最大に
する。よって、本発明は、液晶表示器を駆動するのに必
要な最大電圧及び電圧レンジを減らす。この電圧の減少
は、特にＰＡＬＣ表示器に有利である。このＰＡＬＣ表
示器は、表示構造体の分圧効果のために、動作電圧が比
較的高い。
Δε及びε| が低い材料を用いて液晶の容量を減らす。
用いた低Δε及びε| の材料は、Δｎが低く、スイッチ
ング速度に大幅に影響することなく、第１オーダの最小
条件にて、表示動作用の光学的な液晶層の厚さを最大に
する。よって、本発明は、液晶表示器を駆動するのに必
要な最大電圧及び電圧レンジを減らす。この電圧の減少
は、特にＰＡＬＣ表示器に有利である。このＰＡＬＣ表
示器は、表示構造体の分圧効果のために、動作電圧が比
較的高い。
【００２３】さらに、Δε及びε| が低い材料は、有機
配向皮膜からイオンを除くのが、Δεの高い材料よりも
容易でない。したがって、Δε及びε| が低い材料は、
抵抗が高く、直流バイアスで起きるイメージの品質低下
に対する感応性が減る。
配向皮膜からイオンを除くのが、Δεの高い材料よりも
容易でない。したがって、Δε及びε| が低い材料は、
抵抗が高く、直流バイアスで起きるイメージの品質低下
に対する感応性が減る。
【００２４】本発明のその他の目的及び利点は、添付図
を参照した以下の説明より明らかになろう。
を参照した以下の説明より明らかになろう。
【００２５】
【実施例】図１は、本発明を用いた表示装置における表
示パネルの表示面の正面図及びこの表示装置の駆動回路
の図を示す。フラット・パネル表示装置１０は、表示面
１４を有する表示パネル１２を具えている。公称的には
同一であるデータ蓄積要素、即ち、表示要素１６の矩形
平面配列は、垂直方向１８ａ及び水平方向１８ｂにおい
て、所定距離だけ互いに離れている。各参照番号の上付
きの文字は、各表示要素１６の配置されている列を示
す。表示要素１６をアドレス指定するために、表示パネ
ル１２は、種々のアクティブ・マトリックス・アドレス
指定構造体要素の任意のものを用いる。これら構造体要
素は、薄膜トランジスタ、金属−絶縁体−金属、又は、
イオン化可能なガス状媒体を含んでいる。このガス状媒
体を含んだ構造体要素が好適であり、以下に説明する。
示パネルの表示面の正面図及びこの表示装置の駆動回路
の図を示す。フラット・パネル表示装置１０は、表示面
１４を有する表示パネル１２を具えている。公称的には
同一であるデータ蓄積要素、即ち、表示要素１６の矩形
平面配列は、垂直方向１８ａ及び水平方向１８ｂにおい
て、所定距離だけ互いに離れている。各参照番号の上付
きの文字は、各表示要素１６の配置されている列を示
す。表示要素１６をアドレス指定するために、表示パネ
ル１２は、種々のアクティブ・マトリックス・アドレス
指定構造体要素の任意のものを用いる。これら構造体要
素は、薄膜トランジスタ、金属−絶縁体−金属、又は、
イオン化可能なガス状媒体を含んでいる。このガス状媒
体を含んだ構造体要素が好適であり、以下に説明する。
【００２６】配列内の各表示要素１６は、垂直列に配置
された薄く狭いデータ駆動電極２０と、水平行に配置さ
れた長く狭いチャンネル２２とが重なり合った部分であ
る。（以下、電極２０を「列電極２０」と呼び、特定の
列を示す必要があるときには、添字を付ける。）チャン
ネル２２の行の各々内の表示要素１６の集合は、情報又
はデータの１ラインを表す。
された薄く狭いデータ駆動電極２０と、水平行に配置さ
れた長く狭いチャンネル２２とが重なり合った部分であ
る。（以下、電極２０を「列電極２０」と呼び、特定の
列を示す必要があるときには、添字を付ける。）チャン
ネル２２の行の各々内の表示要素１６の集合は、情報又
はデータの１ラインを表す。
【００２７】図２は、表示パネル１２を形成する構造体
要素の層を示す。図１及び２を参照する。列電極２０及
びチャンネル２２の幅は、矩形形状である表示要素１６
の大きさで決まる。列電極２０を、電気的に非導体で光
学的に透明な第１基板２４の主面上に配置し、チャンネ
ル２２は、電気的に非導体で光学的に透明な第２基板２
６の主面上に刻んでいる。直視型又はプロジェクション
型の如き反射表示器の如き装置では、光学的に透明であ
る基板の１つのみを必要とすることが当業者には理解で
きよう。
要素の層を示す。図１及び２を参照する。列電極２０及
びチャンネル２２の幅は、矩形形状である表示要素１６
の大きさで決まる。列電極２０を、電気的に非導体で光
学的に透明な第１基板２４の主面上に配置し、チャンネ
ル２２は、電気的に非導体で光学的に透明な第２基板２
６の主面上に刻んでいる。直視型又はプロジェクション
型の如き反射表示器の如き装置では、光学的に透明であ
る基板の１つのみを必要とすることが当業者には理解で
きよう。
【００２８】比較的低い誘電体異方性Δε、ディレクタ
に垂直な比較的低い誘電体定数ε|及び比較的低いΔｎ
の液晶物質の層２８を、基板２４及び２６間に設ける。
好適な液晶物質のΔε及びε| は約５．０未満であり、
Δｎは０．０８５未満である。最も好適な物質では、Δ
εは約１．０未満であり、ε| は３未満であり、Δｎは
０．０８未満である。好適な物質は、ドイツ国フランク
フルト・ダーマスタッドのイー・メラックが製造してい
るネマチック液晶ナンバー９１−５５４ＳＦＭや、米国
ニュージャージ州ナットレイのホフマン・ラ・ロッチェ
・インクのネマチック液晶ナンバー７８１６がある。か
かる物質のΔεは、約０．２であり、ε| は約２．０で
ある。比較として説明すると、従来の表示器は、イー・
メラックが販売しているネマチック液晶２２４４や４７
１８の如き液晶化合物を用いている。これら液晶化合物
は、Δεが１０．０よりも大きく、ε| が約６．０〜
８．０である。
に垂直な比較的低い誘電体定数ε|及び比較的低いΔｎ
の液晶物質の層２８を、基板２４及び２６間に設ける。
好適な液晶物質のΔε及びε| は約５．０未満であり、
Δｎは０．０８５未満である。最も好適な物質では、Δ
εは約１．０未満であり、ε| は３未満であり、Δｎは
０．０８未満である。好適な物質は、ドイツ国フランク
フルト・ダーマスタッドのイー・メラックが製造してい
るネマチック液晶ナンバー９１−５５４ＳＦＭや、米国
ニュージャージ州ナットレイのホフマン・ラ・ロッチェ
・インクのネマチック液晶ナンバー７８１６がある。か
かる物質のΔεは、約０．２であり、ε| は約２．０で
ある。比較として説明すると、従来の表示器は、イー・
メラックが販売しているネマチック液晶２２４４や４７
１８の如き液晶化合物を用いている。これら液晶化合物
は、Δεが１０．０よりも大きく、ε| が約６．０〜
８．０である。
【００２９】主にΔεが小さいために、かかる物質のし
きい値電圧は比較的高いので、低電圧のクロス・トーク
信号には光学的に応答しない。さらに、かかる物質はΔ
ε及びε| が高い液晶物質よりも溶解力が弱い。よっ
て、Δε及びε| が低い物質は、Δε及びε| が高い物
質のように簡単には有機配向皮膜からのイオンに溶解し
ない。その結果、Δε及びε| が低い物質は、抵抗が高
く、イメージ品質を大幅に低下させることなく、付随的
な直流バイアス電圧の有害な電気化学効果を受けにく
い。
きい値電圧は比較的高いので、低電圧のクロス・トーク
信号には光学的に応答しない。さらに、かかる物質はΔ
ε及びε| が高い液晶物質よりも溶解力が弱い。よっ
て、Δε及びε| が低い物質は、Δε及びε| が高い物
質のように簡単には有機配向皮膜からのイオンに溶解し
ない。その結果、Δε及びε| が低い物質は、抵抗が高
く、イメージ品質を大幅に低下させることなく、付随的
な直流バイアス電圧の有害な電気化学効果を受けにく
い。
【００３０】列電極２０は、データ駆動信号の形式の情
報を、そして、好適な実施例では補償信号も受ける。こ
れら両方の信号は、アナログ形式であり、データ・ドラ
イバ３２の出力増幅器３０の異なる夫々により、並列出
力導体３０’に発生する。チャンネル２２は、データ・
ストローブ回路３６の出力増幅器３４の異なる夫々が平
行出力導体３４’に発生した電圧パルス形式のデータ・
ストローブ信号を受ける。データ・ストローブ信号によ
り、チャンネル２２の行に沿った表示要素１６が、列電
極２０上のデータ駆動信号に関連した情報を蓄積する。
表示面１４のほぼ全領域にイメージを合成するために、
表示装置１０は、走査制御回路４０を具えている。この
走査制御回路４０は、データ・ドライバ３２及びデータ
・ストローブ回路３６の機能を調和させて、表示パネル
１２の表示要素１６の総ての列を、行走査形態で、行毎
にアドレス指定する。
報を、そして、好適な実施例では補償信号も受ける。こ
れら両方の信号は、アナログ形式であり、データ・ドラ
イバ３２の出力増幅器３０の異なる夫々により、並列出
力導体３０’に発生する。チャンネル２２は、データ・
ストローブ回路３６の出力増幅器３４の異なる夫々が平
行出力導体３４’に発生した電圧パルス形式のデータ・
ストローブ信号を受ける。データ・ストローブ信号によ
り、チャンネル２２の行に沿った表示要素１６が、列電
極２０上のデータ駆動信号に関連した情報を蓄積する。
表示面１４のほぼ全領域にイメージを合成するために、
表示装置１０は、走査制御回路４０を具えている。この
走査制御回路４０は、データ・ドライバ３２及びデータ
・ストローブ回路３６の機能を調和させて、表示パネル
１２の表示要素１６の総ての列を、行走査形態で、行毎
にアドレス指定する。
【００３１】好適な実施例において、米国特許出願第０
７／９５８６３１号に開示されている適応駆動波形のク
ロス・トーク低減技術を用いて、ＰＡＬＣ表示器をアド
レス指定する。データ・ドライバ３２は、行アドレス指
定周期の第１及び第２位相の夫々の期間に、データ駆動
信号及び補償信号を発生する。第１位相期間中、列電極
２０は、アナログ電圧形式のデータ駆動信号形式の情報
を受け、単一のチャンネル２２は、電圧パルス形式のデ
ータ・ストローブ信号を受ける。そして、このデータ・
ストローブ信号を受けた行内の表示要素１６が、データ
駆動信号に関連した電圧を蓄積する。第２位相期間中、
総ての列電極２０は、同一の補償信号を受ける。この補
償信号の電圧は、第１位相期間中に発生した総てのデー
タ駆動信号の重み付け平均の逆、即ち、同振幅で逆極性
となる。
７／９５８６３１号に開示されている適応駆動波形のク
ロス・トーク低減技術を用いて、ＰＡＬＣ表示器をアド
レス指定する。データ・ドライバ３２は、行アドレス指
定周期の第１及び第２位相の夫々の期間に、データ駆動
信号及び補償信号を発生する。第１位相期間中、列電極
２０は、アナログ電圧形式のデータ駆動信号形式の情報
を受け、単一のチャンネル２２は、電圧パルス形式のデ
ータ・ストローブ信号を受ける。そして、このデータ・
ストローブ信号を受けた行内の表示要素１６が、データ
駆動信号に関連した電圧を蓄積する。第２位相期間中、
総ての列電極２０は、同一の補償信号を受ける。この補
償信号の電圧は、第１位相期間中に発生した総てのデー
タ駆動信号の重み付け平均の逆、即ち、同振幅で逆極性
となる。
【００３２】データ駆動信号の重み付け平均を計算する
には、データ駆動信号を加算し、信号の数で割り、δ／
（１−δ）と乗算する。なお、δは、第１位相の期間と
行アドレス周期の期間との比である。データ駆動信号及
び補償信号の期間が等しければ、δ＝１／２であり、補
償信号の値は、データ駆動信号の平均の逆に等しい。δ
の小さな値によりクロス・トークの補償がより効果的に
なるので、δはできるだけ小さいことが好ましい。根本
的には、データ駆動信号をセットアップし、とらえるの
に必要な時間が、δの大きさを制限する。
には、データ駆動信号を加算し、信号の数で割り、δ／
（１−δ）と乗算する。なお、δは、第１位相の期間と
行アドレス周期の期間との比である。データ駆動信号及
び補償信号の期間が等しければ、δ＝１／２であり、補
償信号の値は、データ駆動信号の平均の逆に等しい。δ
の小さな値によりクロス・トークの補償がより効果的に
なるので、δはできるだけ小さいことが好ましい。根本
的には、データ駆動信号をセットアップし、とらえるの
に必要な時間が、δの大きさを制限する。
【００３３】データ信号及び補償信号の非均一な位相長
を計算するように選択された抵抗器を有するアナログ加
算回路を用いて、補償信号の値を決定できる。データ駆
動信号を電極２０に供給したときに、行アドレス周期の
第１位相期間中に、データ駆動信号の重み平均が、加算
回路により求まり、バッファに蓄積される。第２位相期
間中、データ駆動信号の重み平均の逆を、総ての列電極
２０に供給する。重み平均は、デジタル的にも求まる。
この際、第１位相期間中に、計算を行い、第２位相期間
中に、重み平均の逆を供給する。
を計算するように選択された抵抗器を有するアナログ加
算回路を用いて、補償信号の値を決定できる。データ駆
動信号を電極２０に供給したときに、行アドレス周期の
第１位相期間中に、データ駆動信号の重み平均が、加算
回路により求まり、バッファに蓄積される。第２位相期
間中、データ駆動信号の重み平均の逆を、総ての列電極
２０に供給する。重み平均は、デジタル的にも求まる。
この際、第１位相期間中に、計算を行い、第２位相期間
中に、重み平均の逆を供給する。
【００３４】典型的には、アナログ加算に必要な時間
は、デジタル計算よりも短いが、非常に多くの近接した
導体による干渉の影響を受ける。よって、好適な計算法
は、表示器の大きさや、アドレス指定構造体の形式の如
きアプリケーションのパラメータにより決まる。
は、デジタル計算よりも短いが、非常に多くの近接した
導体による干渉の影響を受ける。よって、好適な計算法
は、表示器の大きさや、アドレス指定構造体の形式の如
きアプリケーションのパラメータにより決まる。
【００３５】図２において、表示パネル１２は、ネマチ
ック液晶物質の層２８によって分離された１対のほぼ平
行な電極構造体１４０及び１４２を含んでいる。ガラ
ス、マイカ又はプラスチックなどの誘電体物質の薄い層
１４６を層２８及び電極構造体１４２の間に配置する。
電極構造体１４０は、その内側表面１５０に酸化錫イン
ジウムの列電極２０を配置して縞模様の形成するガラス
誘電体構造体２４を含んでいる。なお、これら列電極２
０は、光学的に透明である。各列電極２０の幅１５１
は、表示要素１６の幅となる。列電極２０の隣接した対
の間の距離１５２は、行内の次に隣接した表示要素１６
間の水平間隔となる。例えば、幅１５１は、約０．００
６インチ（１５０μｍ）であり、距離１５２は、０．０
０２インチ（５０μｍ）である。
ック液晶物質の層２８によって分離された１対のほぼ平
行な電極構造体１４０及び１４２を含んでいる。ガラ
ス、マイカ又はプラスチックなどの誘電体物質の薄い層
１４６を層２８及び電極構造体１４２の間に配置する。
電極構造体１４０は、その内側表面１５０に酸化錫イン
ジウムの列電極２０を配置して縞模様の形成するガラス
誘電体構造体２４を含んでいる。なお、これら列電極２
０は、光学的に透明である。各列電極２０の幅１５１
は、表示要素１６の幅となる。列電極２０の隣接した対
の間の距離１５２は、行内の次に隣接した表示要素１６
間の水平間隔となる。例えば、幅１５１は、約０．００
６インチ（１５０μｍ）であり、距離１５２は、０．０
０２インチ（５０μｍ）である。
【００３６】電極構造体１４２は、ガラス誘電体基板２
６を有する。この基板の内側面１５６に、多くのチャン
ネル２２が刻まれる。チャンネル２２の深さ１５８は、
内側面１５６から基部部分１６０までである。チャンネ
ル２２の各々は、１対の薄くて狭い金属電極１６２ａ及
び１６２ｂを具えており、これら金属電極は基部部分１
６０及び１対の内側壁１６４に沿って延びる。なお、１
対の内側壁１６４は、基部部分１６０から内側面１５６
に向かう方向に傾いている。
６を有する。この基板の内側面１５６に、多くのチャン
ネル２２が刻まれる。チャンネル２２の深さ１５８は、
内側面１５６から基部部分１６０までである。チャンネ
ル２２の各々は、１対の薄くて狭い金属電極１６２ａ及
び１６２ｂを具えており、これら金属電極は基部部分１
６０及び１対の内側壁１６４に沿って延びる。なお、１
対の内側壁１６４は、基部部分１６０から内側面１５６
に向かう方向に傾いている。
【００３７】「基準電極」である電極１６２ａの各々
は、共通基準電位源に接続されている。この電位源は、
図示のように、接地電位に固定してもよい。チャンネル
２２で、「データ・ストローブ電極」又は単に「行電
極」である電極１６２ｂは、データ・ストローブ回路３
６の出力増幅器（図２では、３個だけ示す）の夫々に接
続されている。
は、共通基準電位源に接続されている。この電位源は、
図示のように、接地電位に固定してもよい。チャンネル
２２で、「データ・ストローブ電極」又は単に「行電
極」である電極１６２ｂは、データ・ストローブ回路３
６の出力増幅器（図２では、３個だけ示す）の夫々に接
続されている。
【００３８】隣接したチャンネル２２間の側壁１６４
は、複数の支持構造体１６６となり、これら支持構造体
の頂面１５６が誘電体物質の層１４６を支持する。各支
持構造体１６６の頂部部分の幅１６８により、隣接した
チャンネル２２を分離する。この幅１６８は、列内の次
に隣接した表示要素１６間の距離となる。列電極２０及
びチャンネル２２の重なり領域１７０は、表示要素１６
の寸法を決める。これら表示要素の各々は、電極２０内
で、点線で示す。表示要素１６間の領域をマスクして、
これら領域内の非制御液晶層１８の光学状態が、表示要
素１６の形成するイメージを劣化させるのを防止する。
は、複数の支持構造体１６６となり、これら支持構造体
の頂面１５６が誘電体物質の層１４６を支持する。各支
持構造体１６６の頂部部分の幅１６８により、隣接した
チャンネル２２を分離する。この幅１６８は、列内の次
に隣接した表示要素１６間の距離となる。列電極２０及
びチャンネル２２の重なり領域１７０は、表示要素１６
の寸法を決める。これら表示要素の各々は、電極２０内
で、点線で示す。表示要素１６間の領域をマスクして、
これら領域内の非制御液晶層１８の光学状態が、表示要
素１６の形成するイメージを劣化させるのを防止する。
【００３９】距離１５２は、典型的には、列電極２０の
幅よりも非常に小さい。隣接チャンネル２２間の側壁１
６４の傾斜により距離１６８が決まる。この距離は、典
型的には、チャンネル２２の幅よりも非常に狭い。列電
極２０及びチャンネル２２の幅は、所望のイメージ分解
能の関数であり、表示規格により決まる。距離１５２及
び１６８をできるだけ小さくするのが望ましい。表示パ
ネル１２の現在のモデルでは、チャンネルの深さ１５８
は、チャンネル幅の３分の１である。
幅よりも非常に小さい。隣接チャンネル２２間の側壁１
６４の傾斜により距離１６８が決まる。この距離は、典
型的には、チャンネル２２の幅よりも非常に狭い。列電
極２０及びチャンネル２２の幅は、所望のイメージ分解
能の関数であり、表示規格により決まる。距離１５２及
び１６８をできるだけ小さくするのが望ましい。表示パ
ネル１２の現在のモデルでは、チャンネルの深さ１５８
は、チャンネル幅の３分の１である。
【００４０】チャンネル２２の各々は、イオン化が可能
なガス、好適には、ヘリウムを含むガスで満たされてい
る。誘電体物質の層１４６は、チャンネル２２内に含ま
れるイオン化可能なガスと液晶物質の層２８との間の絶
縁障壁として機能する。誘電体層１４６がないと、液晶
物質がチャンネル２２に流れ込むか、又はイオン化可能
なガスが液晶物質を汚染する。誘電体層１４６を表示器
から除去してもよいが、この場合、表示器は、固体又は
カプセルに入った電気光学物質を使用する。
なガス、好適には、ヘリウムを含むガスで満たされてい
る。誘電体物質の層１４６は、チャンネル２２内に含ま
れるイオン化可能なガスと液晶物質の層２８との間の絶
縁障壁として機能する。誘電体層１４６がないと、液晶
物質がチャンネル２２に流れ込むか、又はイオン化可能
なガスが液晶物質を汚染する。誘電体層１４６を表示器
から除去してもよいが、この場合、表示器は、固体又は
カプセルに入った電気光学物質を使用する。
【００４１】図３は、表示要素１６の典型的な構造体要
素に関連した電気的特性を示す等価回路である。チャン
ネル２２内のイオン化可能なガスは、電子スイッチ１７
２として動作する。この電子スイッチの接点部分は、デ
ータ・ストローブ回路３６、出力増幅器３４及び出力導
体３４’による行電極１６２ｂに供給された電圧の関数
で、２つのスイッチング状態の間で切り替わる。スイッ
チ１７２は、誘電体層１４６及び基準電極１６２ａの間
に接続される。ストローブ・パルスがないと、チャンネ
ル２２内のガスがイオン化されずに非導通状態になる。
チャンネル２２が非導通のオフ状態であると、容量Ｃpc
が入るが、これをコンデンサ１７４で表す。行電極１６
２ｂに供給されたストローブ・パルスの振幅により、チ
ャンネル２２内のガスがイオン化されて導通状態になる
と、このイオン化されたガスが、スイッチ１７２の点線
で示す導体として作用する。
素に関連した電気的特性を示す等価回路である。チャン
ネル２２内のイオン化可能なガスは、電子スイッチ１７
２として動作する。この電子スイッチの接点部分は、デ
ータ・ストローブ回路３６、出力増幅器３４及び出力導
体３４’による行電極１６２ｂに供給された電圧の関数
で、２つのスイッチング状態の間で切り替わる。スイッ
チ１７２は、誘電体層１４６及び基準電極１６２ａの間
に接続される。ストローブ・パルスがないと、チャンネ
ル２２内のガスがイオン化されずに非導通状態になる。
チャンネル２２が非導通のオフ状態であると、容量Ｃpc
が入るが、これをコンデンサ１７４で表す。行電極１６
２ｂに供給されたストローブ・パルスの振幅により、チ
ャンネル２２内のガスがイオン化されて導通状態になる
と、このイオン化されたガスが、スイッチ１７２の点線
で示す導体として作用する。
【００４２】層２８の液晶物質に電圧を蓄積するには、
データ駆動信号を電極２０に供給する。行電極１６２ｂ
がストローブされている（電極１６２ｂにストローブ・
パルスが供給されている）と、電極構造体１４０の下の
チャンネル２２内のガスがイオン化されて、誘電体層１
４６から、典型的には接地された基準電極１６２ａへの
電気的な導電路が形成される。よって、データ駆動信号
は、誘電体層１４６及び液晶層２８によりサンプルされ
る。これを、直列コンデンサ１７６及び１７８で示す。
薄い誘電体及び液晶の容量は、夫々ＣTD及びＣLCで表
す。プラズマを消滅させると、スイッチ１７２の状態が
変わって、接地への導電路がなくなり、回路には、コン
デンサ１７４で示すオフ状態容量ＣPCがチャンネル２２
にできるので、サンプルした電圧が表示要素１６に蓄積
される。
データ駆動信号を電極２０に供給する。行電極１６２ｂ
がストローブされている（電極１６２ｂにストローブ・
パルスが供給されている）と、電極構造体１４０の下の
チャンネル２２内のガスがイオン化されて、誘電体層１
４６から、典型的には接地された基準電極１６２ａへの
電気的な導電路が形成される。よって、データ駆動信号
は、誘電体層１４６及び液晶層２８によりサンプルされ
る。これを、直列コンデンサ１７６及び１７８で示す。
薄い誘電体及び液晶の容量は、夫々ＣTD及びＣLCで表
す。プラズマを消滅させると、スイッチ１７２の状態が
変わって、接地への導電路がなくなり、回路には、コン
デンサ１７４で示すオフ状態容量ＣPCがチャンネル２２
にできるので、サンプルした電圧が表示要素１６に蓄積
される。
【００４３】チャンネル２２内のガスがイオン化され、
データ駆動信号が供給されると、データ駆動信号の電圧
ＶDDが液晶層２８の電圧ＶLC及び薄い誘電体層の電圧Ｖ
TDに分圧される。ＶLCは次のように近似できる。 ＶLC ≒ ＣTD ／ （ＣTD ＋ ＣLC） × ＶDD （式１） 液晶物質の容量ＣLCは、次のように近似できる。 ＣLC ≒ （ε| × Ａ）／ｄ ＋ Δε × ｆ（ＶLC）／ｄ （式２） なお、Ａは表示要素１６の表面領域であり、ｄは層２８
の厚さである。値Δε×ｆ（ＶLC）は、液晶物質の「有
効誘電定数」である。この値は、電圧の関数であり、液
晶の電圧が上昇すると、増加する。式１は、層２８の液
晶物質の電圧ＶLCが、小さな容量ＣLCの液晶物質に対し
て大きいことを示している。式２は、Δε、ε| 及びΔ
ｎが小さい液晶に対して液晶の容量が小さくなることを
示す。よって、所定のデータ駆動電圧ＶDDにおいて、Δ
ε及びε| が小さい液晶物質に対して、液晶の電圧ＶLC
が大きくなる。式２は、また、液晶の容量が層２８の厚
さに反比例することも示している。層２８の適切な厚さ
は、この層２８の液晶物質の光学的異方性Δｎで決ま
る。よって、Δｎが低い液晶を用いることは、より薄い
液晶層２８を用いることであり、その結果、容量ＣLCが
小さくなり、ＶLCが大きくなる。この厚さは、液晶のス
イッチング速度に影響を与えるほど充分に大きくない。
データ駆動信号が供給されると、データ駆動信号の電圧
ＶDDが液晶層２８の電圧ＶLC及び薄い誘電体層の電圧Ｖ
TDに分圧される。ＶLCは次のように近似できる。 ＶLC ≒ ＣTD ／ （ＣTD ＋ ＣLC） × ＶDD （式１） 液晶物質の容量ＣLCは、次のように近似できる。 ＣLC ≒ （ε| × Ａ）／ｄ ＋ Δε × ｆ（ＶLC）／ｄ （式２） なお、Ａは表示要素１６の表面領域であり、ｄは層２８
の厚さである。値Δε×ｆ（ＶLC）は、液晶物質の「有
効誘電定数」である。この値は、電圧の関数であり、液
晶の電圧が上昇すると、増加する。式１は、層２８の液
晶物質の電圧ＶLCが、小さな容量ＣLCの液晶物質に対し
て大きいことを示している。式２は、Δε、ε| 及びΔ
ｎが小さい液晶に対して液晶の容量が小さくなることを
示す。よって、所定のデータ駆動電圧ＶDDにおいて、Δ
ε及びε| が小さい液晶物質に対して、液晶の電圧ＶLC
が大きくなる。式２は、また、液晶の容量が層２８の厚
さに反比例することも示している。層２８の適切な厚さ
は、この層２８の液晶物質の光学的異方性Δｎで決ま
る。よって、Δｎが低い液晶を用いることは、より薄い
液晶層２８を用いることであり、その結果、容量ＣLCが
小さくなり、ＶLCが大きくなる。この厚さは、液晶のス
イッチング速度に影響を与えるほど充分に大きくない。
【００４４】図４は、従来の液晶物質及び低Δε及びε
| の液晶物質の伝達率を液晶の電圧に対して示した特性
図を示す。液晶は表示器内にあり、電圧が供給されない
オフ状態において、表示要素１６の伝達率は１００％で
あり、オン電圧である充分な電圧が供給されたオン状態
において、２％未満の伝達率となる。図４の電圧は、液
晶の実際の電圧であり、表示器の構造体要素間に分圧さ
れたデータ駆動信号ではない。
| の液晶物質の伝達率を液晶の電圧に対して示した特性
図を示す。液晶は表示器内にあり、電圧が供給されない
オフ状態において、表示要素１６の伝達率は１００％で
あり、オン電圧である充分な電圧が供給されたオン状態
において、２％未満の伝達率となる。図４の電圧は、液
晶の実際の電圧であり、表示器の構造体要素間に分圧さ
れたデータ駆動信号ではない。
【００４５】曲線１８２は、典型的には、薄膜トランジ
スタ型表示器に用いるイー・メラックのネマチック液晶
ナンバー２２４４及び４７１８の如き従来の液晶物質の
伝達率対電圧の特性を表す。曲線１８２では、約１．３
ボルトのしきい値電圧１８４にて、伝達率が１００％か
ら低下し始めている。伝達率が最大値の２％に低下した
ときのオン状態、即ち、飽和電圧は、約３．５ボルトの
電圧１８６にて生じる。曲線１９０は、本発明に用いる
Δε、ε| 及びΔｎが特徴的に低い物質の伝達率対電圧
特性を示す。好適な物質は、しきい値電圧が３Ｖよりも
高く、最適な物質では、しきい値電圧が４．５Ｖよりも
高い。曲線１９０で示す特性の物質は、しきい値電圧１
９２が約４．５Ｖであり、オン、即ち、飽和電圧１９４
が１０Ｖである。よって、本発明の物質は、従来の物質
よりも高い液晶の電圧を必要とするので、高い動作電圧
が必要となる。
スタ型表示器に用いるイー・メラックのネマチック液晶
ナンバー２２４４及び４７１８の如き従来の液晶物質の
伝達率対電圧の特性を表す。曲線１８２では、約１．３
ボルトのしきい値電圧１８４にて、伝達率が１００％か
ら低下し始めている。伝達率が最大値の２％に低下した
ときのオン状態、即ち、飽和電圧は、約３．５ボルトの
電圧１８６にて生じる。曲線１９０は、本発明に用いる
Δε、ε| 及びΔｎが特徴的に低い物質の伝達率対電圧
特性を示す。好適な物質は、しきい値電圧が３Ｖよりも
高く、最適な物質では、しきい値電圧が４．５Ｖよりも
高い。曲線１９０で示す特性の物質は、しきい値電圧１
９２が約４．５Ｖであり、オン、即ち、飽和電圧１９４
が１０Ｖである。よって、本発明の物質は、従来の物質
よりも高い液晶の電圧を必要とするので、高い動作電圧
が必要となる。
【００４６】図５は、ＰＡＬＣ表示器にて実際に必要な
動作電圧が低い本発明による物質の特性を示す。この図
５のグラフ２００は、図４のグラフ１８０と類似してい
るが、ＰＡＬＣ表示器１０の列電極２０に供給するデー
タ駆動電圧に対する伝達率の特性である。曲線２０２及
び２０４は、従来の液晶及び低Δε、ε| 及びΔＮの液
晶の伝達率対電圧特性を夫々示す。ＰＡＬＣ構造体の分
圧器の影響により、従来の液晶のしきい値電圧２０６は
約８Ｖであり、本発明に用いる典型的な低Δε、ε| 及
びΔＮの液晶のしきい値電圧２０８は約１８Ｖである。
しかし、従来の液晶のオン電圧２１０は５０Ｖに増加す
るが、低Δε、ε| 及びΔＮのオン電圧２１２はわずが
約３２Ｖである。低Δε、ε| 及びΔＮの低いオン電圧
２１２は、Δε、ε| 及びΔＮのＰＡＬＣ分圧効果によ
ると共に、液晶の電圧での液晶有効誘電定数による。
動作電圧が低い本発明による物質の特性を示す。この図
５のグラフ２００は、図４のグラフ１８０と類似してい
るが、ＰＡＬＣ表示器１０の列電極２０に供給するデー
タ駆動電圧に対する伝達率の特性である。曲線２０２及
び２０４は、従来の液晶及び低Δε、ε| 及びΔＮの液
晶の伝達率対電圧特性を夫々示す。ＰＡＬＣ構造体の分
圧器の影響により、従来の液晶のしきい値電圧２０６は
約８Ｖであり、本発明に用いる典型的な低Δε、ε| 及
びΔＮの液晶のしきい値電圧２０８は約１８Ｖである。
しかし、従来の液晶のオン電圧２１０は５０Ｖに増加す
るが、低Δε、ε| 及びΔＮのオン電圧２１２はわずが
約３２Ｖである。低Δε、ε| 及びΔＮの低いオン電圧
２１２は、Δε、ε| 及びΔＮのＰＡＬＣ分圧効果によ
ると共に、液晶の電圧での液晶有効誘電定数による。
【００４７】低Δε及びε| の液晶の高いしきい値電圧
２０８により、表示器はクロス・トークに敏感でない。
しきい値電圧２０８未満である付随的な電圧は、イメー
ジに悪影響を及ぼさない。これは、かかる電圧が、低Δ
ε及びε| の液晶分子の方向を変えるほど充分に強くな
いからである。低いオン電圧、即ち、飽和電圧２１２に
より、オン・ピクセル及びオフ・ピクセル間の電圧傾斜
が小さくなるので、クロス・トークが減少する。また、
低いオン電圧２１２により、データ電圧ドライバ用の必
要なダイナミック・レンジが低下する。
２０８により、表示器はクロス・トークに敏感でない。
しきい値電圧２０８未満である付随的な電圧は、イメー
ジに悪影響を及ぼさない。これは、かかる電圧が、低Δ
ε及びε| の液晶分子の方向を変えるほど充分に強くな
いからである。低いオン電圧、即ち、飽和電圧２１２に
より、オン・ピクセル及びオフ・ピクセル間の電圧傾斜
が小さくなるので、クロス・トークが減少する。また、
低いオン電圧２１２により、データ電圧ドライバ用の必
要なダイナミック・レンジが低下する。
【００４８】図６は、従来の駆動技術を用いると共に、
クロス・トーク電圧の光学的な効果を示すシミュレーシ
ョンのグラフ２２０である。曲線２２２及び２２４は、
従来の液晶物質及び低Δε、ε| 及びΔＮの液晶物質を
夫々表し、電極２０(i) 及び２０(i+2) で決まる２個の
表示要素１６(i) 及び１６(i+2) のエッジにおける相対
光輝度を示す。表示要素１６(i) 及び１６(i+2) は明る
い状態になろうとしているので、電極２０(i) 及び２０
(i+2) に電圧が供給されない。よって、理想的な曲線
は、表示要素１６(i) 及び１６(i+2) の相対輝度が、夫
々の電極２０(i)及び２０(i+2) により決まるエッジで
１００％に向かうことを示す。シミュレーションした第
３電極２０(i+1) （図示せず）からのクロス・トークに
より、曲線２２２及び２２４が示す輝度が１００％レベ
ルから望ましくなく低下する。なお、この第３電極は、
オン状態に維持されており、電極２０(i) 及び２０(i+
2) に配置されている。曲線２２２及び２２４を比較す
ると、電極２０(i) 及び２０(i+2) の下の相対輝度の望
ましくない低下が、本発明に用いる低Δε、ε| 及びΔ
ｎ物質よりも、従来の物質の方が激しい。
クロス・トーク電圧の光学的な効果を示すシミュレーシ
ョンのグラフ２２０である。曲線２２２及び２２４は、
従来の液晶物質及び低Δε、ε| 及びΔＮの液晶物質を
夫々表し、電極２０(i) 及び２０(i+2) で決まる２個の
表示要素１６(i) 及び１６(i+2) のエッジにおける相対
光輝度を示す。表示要素１６(i) 及び１６(i+2) は明る
い状態になろうとしているので、電極２０(i) 及び２０
(i+2) に電圧が供給されない。よって、理想的な曲線
は、表示要素１６(i) 及び１６(i+2) の相対輝度が、夫
々の電極２０(i)及び２０(i+2) により決まるエッジで
１００％に向かうことを示す。シミュレーションした第
３電極２０(i+1) （図示せず）からのクロス・トークに
より、曲線２２２及び２２４が示す輝度が１００％レベ
ルから望ましくなく低下する。なお、この第３電極は、
オン状態に維持されており、電極２０(i) 及び２０(i+
2) に配置されている。曲線２２２及び２２４を比較す
ると、電極２０(i) 及び２０(i+2) の下の相対輝度の望
ましくない低下が、本発明に用いる低Δε、ε| 及びΔ
ｎ物質よりも、従来の物質の方が激しい。
【００４９】例えば、電極２０(i) のエッジから２０μ
ｍの所で、低Δε、ε| 及びΔｎの物質の輝度２２８は
約５０％であるが、従来物質の輝度２３０及び２３２は
約１５％及び３０％である。電極２０(i) 及び２０(i+
2) の下でΔε、ε| 及びΔｎが低い物質の輝度がより
高いのは、これら電極がクロス・トークにより故意でな
くオンとなって、従来物質よりも広がりが小さくなる。
電極２２４間の、即ち、位置が０μｍから５０μｍでの
曲線の形は、重要ではない。これは、ピクセル間の領域
が、表示器において典型的にマスクされているからであ
る。
ｍの所で、低Δε、ε| 及びΔｎの物質の輝度２２８は
約５０％であるが、従来物質の輝度２３０及び２３２は
約１５％及び３０％である。電極２０(i) 及び２０(i+
2) の下でΔε、ε| 及びΔｎが低い物質の輝度がより
高いのは、これら電極がクロス・トークにより故意でな
くオンとなって、従来物質よりも広がりが小さくなる。
電極２２４間の、即ち、位置が０μｍから５０μｍでの
曲線の形は、重要ではない。これは、ピクセル間の領域
が、表示器において典型的にマスクされているからであ
る。
【００５０】従来の物質を用いると、隣接ピクセルが１
００％から約１０％にオンになるときに、オフ状態のピ
クセルの相対伝達率が変化する。本発明の物質を用いる
と、相対伝達率が約８０％に落ちる。すなわち、大幅に
低下する。本発明の物質と共に適応駆動を用いると、相
対伝達率は、９０％より大きくなる。
００％から約１０％にオンになるときに、オフ状態のピ
クセルの相対伝達率が変化する。本発明の物質を用いる
と、相対伝達率が約８０％に落ちる。すなわち、大幅に
低下する。本発明の物質と共に適応駆動を用いると、相
対伝達率は、９０％より大きくなる。
【００５１】本発明の低Δε、ε| 及びΔｎの物質は、
クロス・トーク電圧に対する表示器の光学的応答を大幅
に低下させる。クロス・トーク電圧の大きさを低下させ
るアドレス指定技術も用いる表示器に本発明の物質を用
いると、その結果のイメージは、その品質が全体的に大
幅に改善する。
クロス・トーク電圧に対する表示器の光学的応答を大幅
に低下させる。クロス・トーク電圧の大きさを低下させ
るアドレス指定技術も用いる表示器に本発明の物質を用
いると、その結果のイメージは、その品質が全体的に大
幅に改善する。
【００５２】プラズマ・チャンネル２２の特性が導電特
性から容量要素特性に切り替わると、液晶層２８の電圧
がいくらか変化する。よって、液晶自体に蓄積された実
際の電圧は、オフ状態におけるデータ駆動信号、液晶層
２８、誘電体層１４６及びプラズマ・チャンネル２２の
容量の関数である。その後のイメージ・フィールドにて
データの新たなラインを表す電圧が層２８に発生するま
で、蓄積された電圧は、液晶物質の層２８に留まり、漏
れ電流は無視できる程度しか減少しない。上述のアドレ
ス指定構造体及び技術は、本質的に１００％のデュティ
・サイクルの信号を表示要素１６の総てに供給する。
性から容量要素特性に切り替わると、液晶層２８の電圧
がいくらか変化する。よって、液晶自体に蓄積された実
際の電圧は、オフ状態におけるデータ駆動信号、液晶層
２８、誘電体層１４６及びプラズマ・チャンネル２２の
容量の関数である。その後のイメージ・フィールドにて
データの新たなラインを表す電圧が層２８に発生するま
で、蓄積された電圧は、液晶物質の層２８に留まり、漏
れ電流は無視できる程度しか減少しない。上述のアドレ
ス指定構造体及び技術は、本質的に１００％のデュティ
・サイクルの信号を表示要素１６の総てに供給する。
【００５３】図７及び８は、表示装置１０内の例として
の行ｉの完全なアドレス指定周期期間、前の行ｉ−１及
び続く行ｉ＋１のアドレス指定周期の一部における種々
の時点を示す。各行のアドレス指定周期の表示を、水平
方向に下部セグメント、上部セグメント及び中央部セグ
メントに分割する。下部セグメントはチャンネル２２内
のプラズマの状態を示し、上部セグメントは列電極２０
に供給される電圧を示し、中央部セグメントは種々の期
間を説明する。
の行ｉの完全なアドレス指定周期期間、前の行ｉ−１及
び続く行ｉ＋１のアドレス指定周期の一部における種々
の時点を示す。各行のアドレス指定周期の表示を、水平
方向に下部セグメント、上部セグメント及び中央部セグ
メントに分割する。下部セグメントはチャンネル２２内
のプラズマの状態を示し、上部セグメントは列電極２０
に供給される電圧を示し、中央部セグメントは種々の期
間を説明する。
【００５４】例としての行では、ストローブされたチャ
ンネル２２の行電極１６２ｂがストローブ・パルスを受
けた後に形成されるプラズマ用のプラズマ形成期間２４
０を必要とする。好適な実施例において、ヘリウム・ガ
スのプラズマ形成期間２４０は、公称的には数マイクロ
秒である。前の行におけるクロス・トーク補償周期２４
１の期間中に補償信号を供給する間にストローブ・パル
スを開始することにより、プラズマ形成期間２４０が開
始する。プラズマ消滅期間２４２は、ストローブ・パル
スを行電極１６２ｂから除去した際に、チャンネル２２
内のプラズマが非イオン化状態に戻る期間を表す。
ンネル２２の行電極１６２ｂがストローブ・パルスを受
けた後に形成されるプラズマ用のプラズマ形成期間２４
０を必要とする。好適な実施例において、ヘリウム・ガ
スのプラズマ形成期間２４０は、公称的には数マイクロ
秒である。前の行におけるクロス・トーク補償周期２４
１の期間中に補償信号を供給する間にストローブ・パル
スを開始することにより、プラズマ形成期間２４０が開
始する。プラズマ消滅期間２４２は、ストローブ・パル
スを行電極１６２ｂから除去した際に、チャンネル２２
内のプラズマが非イオン化状態に戻る期間を表す。
【００５５】データ・セットアップ期間２４４は、デー
タ・ドライバ３２が前のラインの補償信号値及び現在ス
トローブされているラインのデータ駆動信号値の間で変
化（スルー）し、出力増幅器３０に列電極２０に供給す
るアナログ・データ駆動電圧信号を発生する期間であ
る。補償セットアップ期間２４５は、データ・セットア
ップ期間２４４と類似しているが、そのデータは現在の
ラインのデータ駆動値及び補償値の間でスルーする。セ
ットアップ期間２４４及び２４５は、データ・ドライバ
３２を実施するのに用いる電子回路の関数である。１．
０マイクロ秒未満のデータ・セットアップ期間２４４が
達成可能である。
タ・ドライバ３２が前のラインの補償信号値及び現在ス
トローブされているラインのデータ駆動信号値の間で変
化（スルー）し、出力増幅器３０に列電極２０に供給す
るアナログ・データ駆動電圧信号を発生する期間であ
る。補償セットアップ期間２４５は、データ・セットア
ップ期間２４４と類似しているが、そのデータは現在の
ラインのデータ駆動値及び補償値の間でスルーする。セ
ットアップ期間２４４及び２４５は、データ・ドライバ
３２を実施するのに用いる電子回路の関数である。１．
０マイクロ秒未満のデータ・セットアップ期間２４４が
達成可能である。
【００５６】データ取込み期間２４６は、チャンネル２
２内のイオン化可能なガスの導電性で決まる。ガス圧及
び電流の如き動作パラメータの好適な値は、アノード
（基準電極１６２ａ）からカソード（行電極１６２ｂ）
への正イオン電流に対するデータ取込み時間２４６を高
速にする。かかる値は、チャンネル２２の大きさ及び形
で決まる。
２内のイオン化可能なガスの導電性で決まる。ガス圧及
び電流の如き動作パラメータの好適な値は、アノード
（基準電極１６２ａ）からカソード（行電極１６２ｂ）
への正イオン電流に対するデータ取込み時間２４６を高
速にする。かかる値は、チャンネル２２の大きさ及び形
で決まる。
【００５７】プラズマが消滅し、クロス・トークが続く
ときの液晶層２８に蓄積された電圧が、そう２８のＲＭ
Ｓ（実効値）電圧を決める。層２８のＲＭＳ電圧は、液
晶分子の方向を決める。そして、これが、層２８の光学
的伝達特性及び表示要素１６のグレイ・レベルを決め
る。適切なデータ駆動信号を供給することにより、行ア
ドレス指定期間中に、所望グレイ・レベルに必要な電圧
を液晶層２８に蓄積できる。これは、オン状態におい
て、液晶層２８、誘電体層１４６及びプラズマ・チャン
ネル２２の容量が固定で、既知のためである。
ときの液晶層２８に蓄積された電圧が、そう２８のＲＭ
Ｓ（実効値）電圧を決める。層２８のＲＭＳ電圧は、液
晶分子の方向を決める。そして、これが、層２８の光学
的伝達特性及び表示要素１６のグレイ・レベルを決め
る。適切なデータ駆動信号を供給することにより、行ア
ドレス指定期間中に、所望グレイ・レベルに必要な電圧
を液晶層２８に蓄積できる。これは、オン状態におい
て、液晶層２８、誘電体層１４６及びプラズマ・チャン
ネル２２の容量が固定で、既知のためである。
【００５８】しかし、クロス・トークは、表示要素１６
及びデータ駆動電極２０に沿った固定容量結合のみでは
なく、後の行アドレス指定周期期間中に電極２０に供給
されるデータ駆動信号によっても決まる。特定の行のア
ドレス周期期間中に続くデータ駆動信号の値が未知であ
るために、液晶層２８のＲＭＳ電圧に対するクロス・ト
ークの影響は、完全に決定することができず、その時点
で補償できない。
及びデータ駆動電極２０に沿った固定容量結合のみでは
なく、後の行アドレス指定周期期間中に電極２０に供給
されるデータ駆動信号によっても決まる。特定の行のア
ドレス周期期間中に続くデータ駆動信号の値が未知であ
るために、液晶層２８のＲＭＳ電圧に対するクロス・ト
ークの影響は、完全に決定することができず、その時点
で補償できない。
【００５９】
【発明の効果】本発明は、残留し、補償されていないク
ロス・トークに比較的敏感でない液晶物質を用いて、表
示されたイメージを改善する。
ロス・トークに比較的敏感でない液晶物質を用いて、表
示されたイメージを改善する。
【図１】本発明を用いた表示装置の表示パネルの表示面
及び関連した駆動回路を示す図である。
及び関連した駆動回路を示す図である。
【図２】図１の左側から見た図であり、本発明を用いた
表示パネルを構成する構造体要素の層の拡大図である。
表示パネルを構成する構造体要素の層の拡大図である。
【図３】図２の表示要素で、スイッチとしてのプラズマ
の動作及び各構成要素の容量を示す等価回路である。
の動作及び各構成要素の容量を示す等価回路である。
【図４】従来の液晶物質及び本発明を用いた液晶物質に
おける電圧に対する伝達率のグラフを示す図である。
おける電圧に対する伝達率のグラフを示す図である。
【図５】従来の液晶物質及び本発明を用いた液晶物質を
用いた図２の表示要素におけるデータ駆動電圧に対する
伝達率のグラフを示す図である。
用いた図２の表示要素におけるデータ駆動電圧に対する
伝達率のグラフを示す図である。
【図６】従来の液晶物質及び本発明の液晶を用いた図２
の要素のエッジからの距離に対する相対光輝度のシミュ
レーションを示す図である。
の要素のエッジからの距離に対する相対光輝度のシミュ
レーションを示す図である。
【図７】本発明を実施したプラズマ・アドレス指定表示
器によりアドレス指定されるデータのラインの最大数を
決める種々の時間の関係を示す図である。
器によりアドレス指定されるデータのラインの最大数を
決める種々の時間の関係を示す図である。
【図８】本発明を実施したプラズマ・アドレス指定表示
器によりアドレス指定されるデータのラインの最大数を
決める種々の時間の関係を示す図である。
器によりアドレス指定されるデータのラインの最大数を
決める種々の時間の関係を示す図である。
１０ フラット・パネル表示装置 １２ 表示パネル １４ 表示面 １６ 表示要素 １８ 非制御液晶層 ２０ 列電極 ２２ チャンネル ３２ データ・ドライバ ３６ データ・ストローブ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス・エス・ブザック アメリカ合衆国オレゴン州97007 ビー バートン サウス・ウェスト ストーン クリーク・ドライブ 9755 (72)発明者 ポール・シー・マーティン アメリカ合衆国ワシントン州98685 バ ンクーバー ノース・ウェスト トゥエ ンティー・フォース・アベニュー 11803 (56)参考文献 特開 平６−222341（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1333 G02F 1/133 G09G 3/36
Claims (2)
- 【請求項１】 アドレス指定周波数を決定する行アドレ
ス周期期間中に、行列の配列内のアドレス位置に配置さ
れた複数の表示要素の各々をアドレス指定してデータ駆
動信号を供給するアドレス指定構造体を有し、 上記表示要素に電圧値の付随データ成分を伝達させる付
随的な電気的結合が存在するプラズマ・アドレス液晶電
気光学表示装置において、 長い分子軸のネマチック液晶物質を有する表示要素にデ
ータ駆動信号を供給して、電気光学表示装置を駆動する
方法であって、 光学異方性が約０．０８５未満であり、正の誘電体異方
性が約５未満であり、 上記長い分子軸に垂直な誘電体定数が約５未満であり、
しきい値電圧が３ボルトよりも高いネマチック液晶材料
を上記ネマチック液晶物質に用いて、 クロス・トーク及び直流バイアス電圧に対する感度を下
げて、必要な動作電圧を低下させる ことを特徴とする電
気光学表示方法。 - 【請求項２】 上記液晶材料の上記しきい値電圧が４．
５ボルトよりも高いことを特徴とする請求項１の方法。
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