KR890000647B1 - 2차원 어드레스 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

2차원 어드레스 장치
제1도 내지 제4도는 종래의 장치의 설명을 위한 도면.
제5도는 본 발명의 한 예의 구성도.
제6도 및 제7도는 본 발명의 설명을 위한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 5 : 입력단자 M1내지 Mm, M'1내지 M'm: 스위칭소자
L1내지 Lm, L'1내지 L'm: Y축방향의 라인
본 발명은 예를들면, 액정을 사용한 화상표 시장치와 같은 2차원 어드레스 장치에 관한 것이다.
예를들면 액정을 사용하여 텔레비젼 화상을 표시하는 것이 제안되어 있다.
제1도에 있어서 (11)은 텔레비젼의 영상신호가 공급되는 입력단자로서, 이 입력단자(1)에서 신호가 각기 예를 들면 N채널 FET로 부터 이뤄지는 스윗칭소자 M1, M2…Mm를 통해서 수식(Y축)방향의 라인 L1, L2…Lm에 공급된다. 역시 m은 수평(X축)방향의 화소수에 상당하는 수이다. 다시 m은 단의 시프트 레지스터(2)가 설치되어 이 시프트레지스터(2)에 수평 주파수의 m배의 클럭신호가 공급되어 이 시프트 레지스터(2)의 각 출력 단자로부터의 신호 øH1, øH2…øHm이 스윗칭소자 M1내지 Mm의 각 제어단자에 공급된다.
또한 각 라인 L1내지 Lm에 각기 스윗칭소자 M11, M21…Mn1, M12, M22…Mn2…Mm, M2m…Mnm의 일단이 접속된다.
또한 n은 수평주사선수에 상당하는 수이다. 이 스윗칭소자 M11 내지 Mnm의 타단이 각기 액정셀 C11, C21…Cnm을 통해 타켓단자(3)에 접속된다.
다시 n단의 스프트레지스터(4)가 설치되어, 이 시프트 레지스터(4)에 수평주파수의 클럭 신호가 공급되어 이 시프트 레지스터(4)의 각 출력단자로 부터의 신호 øV1, øV2…øVn이, 스윗칭소자 M11 내지 Mnm의 축 방향의 각열 (M11내지 M1m), (M21내지 M2m)…(Mn1내지 Mmn)마다의 제어단자에 각각 공급된다.
즉 이 회로에 있어서, 시프트 레지스터(2), (4)로 부터는, 제2도 a,b에 도시된 바와같이, 시프트 레지스터(4)에서 1수평 기간마다 øV1내지 øVn이출력되어 이 사이의 유효화면 기간 THE에 시프트 레지스터(2)로 부터 각화소 기간마다 øH1내지 øHm이 출력된다. 다시 입력단자(1)에는 제2도 c 에 나타내는 것과같은 신호가 공급된다.
그래서 øV1, øH1이 출력되고 있을 때는 스윗칭소자 M1, 과 M11내지 Mnm이 온되어 입력단다(1)→M1→L1→M11→C11→타켓단자(3)의 전류로가 형성되어 액정셀 C11에 입력단자(1)에 공급된 신호와 타켓단자(3)와의 전위차가 공급된다.
이를 위한 이 셀 C11의 용량분에 첫번째의 화소의 신호에 의한 전위차에 상당하는 전하가 샘플홀드된다. 이 전화량에 대응해서 액정의 광투과율이 변화된다. 이와같은 일이 셀 C12내지 Cnm에 있어서 차례로 행하여져 다시 다음 필드의 신호가 공급된 시점에서 각 셀 C11내지 Cnm의 전하량이 고쳐 쓰여진다.
이렇게하여 영상신호의 각 화소에 대응해서 액정셀 C11내지 Cnm의 공투과율이 변화되어 이것이 차례로 될풀이되어 텔레비젼 화상이 표시가 행하여진다.
그러나, 이 장치에 있어서, 한개의 액정셀 C는 예를들면 다음과 같이 구성되어 있다. 제3도에 있어서, P형의 기판(11)상에 N영역(12)(13)과 P+영역(14)이 설치된다. 이들 각 영역(12) 내지 (14)상에 SiO2층(15)이 설치된다. 더우기, N영역(12)상의 SiO2층(15)에 관통홀이 설치되어 폴리실리콘층(16)이 설치된다. 또, N영역(12)(13)간의 SiO2층(15)이 얇게되어, 이위에 스윗칭소자 M11내지 Mnm의 제어전극(게이트)을 구성하는 폴리실리콘층(17)이 설치된다. 또 N영역(13)상의 SiO2층에 관통홀이 설치됨과 동시에, P+영역(14)상의 SiO2층(15)이 얇게되어 N영역(13)으로부터 P+영역(14)상에 폴리실리콘층(18)이 설치된다. 이들 폴리실리콘층(16)내지 (18)상에 SiO2층 (19)이 설치된다. 더우기, 폴리실리콘층(19)에 관통홀이 설치되어, Y축방향의 라인 L1내지 Lm을 구성하는 금속층(20)이 설치된다. 이들 금속층(20)(21)위에 SiO2층(22)이 설치된다. 더우기, 금속층(21)위의 SiO2층(22)에 관통홀이 설치되어, 화소전극(23)이 설치된다. 그리고, 이 절연송(24)위에 액정(25)이 설치되고 그 위에 투명전극으로 이루어지 타켓전극(26)이 설치된다.
따라서, 이 장치에 있어서, 금속층(20)에 신호가 공급되어, 폴리실리콘층(17)이 고전위로 되면, 금속층(200)에 공급된 신호가 N영역(12), (13)을 통해 폴리실리콘층 (18)에 공급되고, 이 폴리실리콘층(18)과 P+영역(14)사이에 형성되는 용량성분에 기억된다. 그리고, 이 기억된 신호가 금속층(21)을 통해 화소전극(23)에 공급되어 타켓전극(26)과의 전위차에 따라 액정(25)의 광투과율이 변화된다.
그리고, 이경우에, 공속층(20)과 화소전극(23)사이에 기생용량이 형성되고, 이 기생용량을 통해 Y축방향의 신호의 크로스토크가 발생한다. 즉, 제4도에 있어서, 도형 A가 있는 경우에, 대응하는 Y축 방향의 라인 LS내지 Lt에 신호가 공급되면, 기생용량을 통해 Y축 방향의 다른 액정셀(C1s내지 Cns)내지(C1n내지 Cnt)에도 신호가 공급되어, Y축방향에 크로스토크가 발생한다. 더우기, 크로스토크량은 셀의 기억용량을 CM, 기생용량을 CS로 하면
Figure kpo00001
의 값에 대응하고, 여기에서 화소면적을 작게하면 기억용량 CM은 작아지는 반면 기생용량 CS는 대략 일정해지므로 크로스토크가 커져버리고 만다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여, 간단한 구성으로 상술의 크로스토크를 제거할수 있도록 한 것이다. 이하 도면을 참조하며 본 발명의 한 실시예에 대해 설명하기로 한다.
제5도에 있어서, Y축방향의 라인 L1내지 Lm과 평행으로 라인 L1' 내지 Lm'를 설치하고, 이들 라인 L1' 내지 Lm'를 스윗칭소자 M1내지 Mn과 동등하게 온되는 스윗칭소자 M1' 내지 M'm로 하여 선택한다. 더우기, 이들 스윗칭소자 M1' 내지 Mm1에 입력단자 (5)를 통해 입력단자(1)로 부터의 신호와 역위상의 신호를 공급한다. SiO讚 더우기, 제6도는 상술한 제3도와 대응하는 한개의 액정셀 C의 구 P+영역(14)위의 SiO2층(19)위에 라인 L1' 내지 Lm' 를 구성하는 금속층(27)이 설치된다.
따라서, 이 장치에 있어서, 금속층(27)과 화소전극(23)사이에 기생용량이 형성되어, 이용량치를 CS'로 하면 이 기생용량을 통해
Figure kpo00002
(단, VS는 입력신호의 전위이고
Figure kpo00003
=-VS)의 크로스토크가 발생한다. 그리고
Figure kpo00004
이 되도록 CS'(=CS)를 정하는 것에 의해 라인 L1내지 Lm(금속층(20)과 화소전극(23)사이의 기생용량에 의한 크로스토크를 제거할 수 있다. 또 CS'의 값은 금속층 (27)의 폭조정등에 의해 용이하게 결정될 수 있다.
이렇게하여, 예를들면, 텔레비젼화상의 표시가 행해지지만 본 발명에 의하면 간단한 구성으로 크로스토크가 제거되어 양호한 화상을 얻을수가 있다. 더우기 상술한 장치에 있어서, 액정셀 C의 패턴등의 형편에 의해, CS와 CS'를 동일하게 할수 없을 때는 입력단자(5)에 공급되는 신호의 이득을 조정한다. 즉, 상술한 (1)식에 있어서,
Figure kpo00005
로 되도록 입력단자(5)에 공급되는 신호의 이득을 조정하면, 상술한것과 같이 크로스토크를 제거할 수가 있다.
또, 역으로 입력단자(5)에 공급되는 신호의 이득이 K'에 정해지게 할 때는
Figure kpo00006
로 되도록 금속층(27)의 폭을 조정하면 좋다.
더우기 표시재로서 액정을 사용한 경우에는 일반적으로 교류신호로하여 구동한다. 즉, 영상신호가 제7a와 같을 때는 입력단자(1)에 공급되는 신호는 제7b도된 같이된다. 그리고 이경우에, 입력단자(5)에는 제7c도와 같은 역위상의 신호를 공급한다. 또 이때 직류성분 불필요하므로 제7d도와 같이 직류성분을 제거한 신호를 입력단자(5)에 공급하여도 좋다.
또 본 발명은 상술과 같은 화상표시장치에 국한되지 않고 2차원 어드레스의 기억장치등에도 응용될 수 있다.

Claims (1)

  1. X축 방향 및 Y축 방향으로 매트릭스형 회로 소자를 배치함과 동시에 Y축 방향의 라인을 클럭신호에 관련하여 순차 선택하고, X축 방향의 라인을 상기 Y축 방향의 라인선택에 관련하여 순차 선택하고, 소정의 상기 소자에 신호를 공급하도록한 2차원 어드레스 장치에 있어서, Y축 방향 라인과 회로소자간에 형성되는 기생 용량과 실질적으로 용량치가 거의 같은 용량이 상기 회로 소자의 신호라인간에 형성되도록 상기 Y축 방향의 라인에 평행하게 신호라인을 설치함과 동시에 상기 Y축 방향의 라인과 상기 회로소자 사이에서의 기생용량에 의한 크로스토크가 제거되도록 상기 신호라인에 상기 Y축 방향의 라인에 공급되는 신호와 역위상의 신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 2차원 어드레스 장치.
KR8202594A 1981-06-11 1982-06-10 2차원 어드레스 장치 KR890000647B1 (ko)

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