JPH0198268A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
- Publication number
- JPH0198268A JPH0198268A JP62256554A JP25655487A JPH0198268A JP H0198268 A JPH0198268 A JP H0198268A JP 62256554 A JP62256554 A JP 62256554A JP 25655487 A JP25655487 A JP 25655487A JP H0198268 A JPH0198268 A JP H0198268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- amorphous
- semiconductor layer
- conductivity type
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 abstract description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 pressure number Torr Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は非晶質と単結晶のへテロ接合で形成された半導
体放射線検出器に関するものである。
体放射線検出器に関するものである。
従来の技術
半導体放射線検出器を作製する上で重要な点は比抵抗の
高い高純度、低欠陥密度の単結晶半導体基板を用い、リ
ーク電流の少ない構造で、結晶欠陥の発生や重金属イオ
ン等にょる汚洗がなく低温で特性の良い接合を形成する
ことである。
高い高純度、低欠陥密度の単結晶半導体基板を用い、リ
ーク電流の少ない構造で、結晶欠陥の発生や重金属イオ
ン等にょる汚洗がなく低温で特性の良い接合を形成する
ことである。
従来の非晶質と単結晶半導体基板のへテロ接合による半
導体放射線検出器は、例えば特開昭６１−１３７３７４
号公報に示されているように、第３図のような構造にな
っている。すなわち、Ｐ形単結晶ｓｉ基板２１上に不純
物添加のない非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２２を保護膜又はリーク
電流対策のためにプラズマＣＶＤ法で堆積し、その非晶
質Ｓｉ ：Ｈ（水素化非晶質Ｓｉ）膜２２にヘテロ接合
形成のだめの窓を開け、そのヘテロ接合部の窓の所に、
プラズマＣＶＤ法でリン添加非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２３をＮ
形の逆軍導領域として堆積成形し、その上に金属電極２
４と裏面の金属電極２５を形成した構造になっている。
導体放射線検出器は、例えば特開昭６１−１３７３７４
号公報に示されているように、第３図のような構造にな
っている。すなわち、Ｐ形単結晶ｓｉ基板２１上に不純
物添加のない非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２２を保護膜又はリーク
電流対策のためにプラズマＣＶＤ法で堆積し、その非晶
質Ｓｉ ：Ｈ（水素化非晶質Ｓｉ）膜２２にヘテロ接合
形成のだめの窓を開け、そのヘテロ接合部の窓の所に、
プラズマＣＶＤ法でリン添加非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２３をＮ
形の逆軍導領域として堆積成形し、その上に金属電極２
４と裏面の金属電極２５を形成した構造になっている。
発明が解決しようとする問題点
従来の構造では保護膜の非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２２とへテロ
接合形成のためのリン添加非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２３が別々
に堆積して形成されるため、金属電極２４と単結晶Ｓｔ
基板２１の間に機械的な段差や非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２２と
リン添加非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２３との接合部ができ、その
部分で電界の集土や不純物のトラップ等が生じる。その
ため半導体放射線検出器のように接合面積が数Ｍ２ で
逆バイアス電圧数＋Ｖで使用する場合は、通常のＬＳＩ
のコンタクト等よシもリーク電流やブレークダウン電圧
に対する要求が厳しくなり、前記した現象がリーク′電
流の増加やブレークダウン電圧の低下と言う問題点とな
った。本発明はこれらの問題点を解決し、リーク電流の
少ない半導体放射線検出器を提供するものである。
接合形成のためのリン添加非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２３が別々
に堆積して形成されるため、金属電極２４と単結晶Ｓｔ
基板２１の間に機械的な段差や非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２２と
リン添加非晶質Ｓｉ：Ｈ膜２３との接合部ができ、その
部分で電界の集土や不純物のトラップ等が生じる。その
ため半導体放射線検出器のように接合面積が数Ｍ２ で
逆バイアス電圧数＋Ｖで使用する場合は、通常のＬＳＩ
のコンタクト等よシもリーク電流やブレークダウン電圧
に対する要求が厳しくなり、前記した現象がリーク′電
流の増加やブレークダウン電圧の低下と言う問題点とな
った。本発明はこれらの問題点を解決し、リーク電流の
少ない半導体放射線検出器を提供するものである。
問題点を解決するた゛めの手段
本発明は前記問題点を解決するだめに、ヘテロ接合の構
造を一導電形の単結晶半導体基板上に非晶質半導体層を
形成し、前記非晶質半導体層の一部が逆導電影領域にな
っていて、その領域ばそめ領域以外の非晶質半導体層に
よって少なくとも同一平面内で全体が囲まれているよう
にする。
造を一導電形の単結晶半導体基板上に非晶質半導体層を
形成し、前記非晶質半導体層の一部が逆導電影領域にな
っていて、その領域ばそめ領域以外の非晶質半導体層に
よって少なくとも同一平面内で全体が囲まれているよう
にする。
作 用
単結晶半導体基板上だ堆積した非晶質半導体層の中の一
部領域をヘテロ接合のための逆導電影領域にし、残シの
部分が保護膜として＠記逆導電形領域を同一平面内で囲
っている構造なので、逆導電影領域上に形成される金属
置版と単結晶半導体基板間には機械的な段差や逆導電影
領域と保護膜としての残シの非晶質半導体層との機械的
な接合もなくなシミ界集中が生じないし、不純物汚染に
も強くなる。そのため、リーク電流が小さくブレークダ
ウン電圧の高い非晶質半導体膜と単結晶半導体とのへテ
ロ接合が得られる。
部領域をヘテロ接合のための逆導電影領域にし、残シの
部分が保護膜として＠記逆導電形領域を同一平面内で囲
っている構造なので、逆導電影領域上に形成される金属
置版と単結晶半導体基板間には機械的な段差や逆導電影
領域と保護膜としての残シの非晶質半導体層との機械的
な接合もなくなシミ界集中が生じないし、不純物汚染に
も強くなる。そのため、リーク電流が小さくブレークダ
ウン電圧の高い非晶質半導体膜と単結晶半導体とのへテ
ロ接合が得られる。
実施例
以下、本発明の第１の実施例について製造工程を半導体
放射線検出器の断面構成図も用いて表わした第１図を用
いて説明する。その製造工程は次の通りである。（ａ）
単結晶８１基板１ｋＮ形で比抵抗１ ｋＱ−（７）以上
、厚さＳＯＯμｍ１片面を鏡面研磨した５叩角のものを
用いた。比抵抗が１ｋＱｃｎ１以上であるのは空乏層を
広げるだめの逆バイアス電圧をｓｏＶ以下にするためで
ある。単結晶ＳＬ基板１を純水、硫酸ボイル、フッ酸、
硝酸等で表面層の洗浄及び除去を行う。次に、５ＩＨ４
ガスを用いて、圧力数Ｔｏｒｒ、基板温度２００〜４ｏ
ｏ℃で高周波励起のプラズマＣＶＤで単結晶ｓｉ基板１
の鏡面研磨した側の面上に不純物添加のない非晶質Ｓｉ
：Ｈ膜２を１０００人堆積する伽）。逆導電影領域の形
成のために、フォトレジストを用いてフォトプロセスで
下−ピングマスク３を形成する。
放射線検出器の断面構成図も用いて表わした第１図を用
いて説明する。その製造工程は次の通りである。（ａ）
単結晶８１基板１ｋＮ形で比抵抗１ ｋＱ−（７）以上
、厚さＳＯＯμｍ１片面を鏡面研磨した５叩角のものを
用いた。比抵抗が１ｋＱｃｎ１以上であるのは空乏層を
広げるだめの逆バイアス電圧をｓｏＶ以下にするためで
ある。単結晶ＳＬ基板１を純水、硫酸ボイル、フッ酸、
硝酸等で表面層の洗浄及び除去を行う。次に、５ＩＨ４
ガスを用いて、圧力数Ｔｏｒｒ、基板温度２００〜４ｏ
ｏ℃で高周波励起のプラズマＣＶＤで単結晶ｓｉ基板１
の鏡面研磨した側の面上に不純物添加のない非晶質Ｓｉ
：Ｈ膜２を１０００人堆積する伽）。逆導電影領域の形
成のために、フォトレジストを用いてフォトプロセスで
下−ピングマスク３を形成する。
次に水素希釈の０．５ ％ Ｂ２Ｈ６ガスを１３１５８
ＭＨｚの高周波数Ｗａ ｔ ｔと磁場数十Ｇａｕｓｓに
よシプラズマにして制御し、そこから質量分離しないで
イオンを取シ出し、ｅｋＶに加速してボロンを１ｏ１５
内導入する。次にフォトレジストを除去後、１ｏｏ′ｃ
〜４００″Ｃで約１時間程度Ｎ２中で熱処理することに
より導入したボロンを活性化して３ｍｍ角の逆導電影領
域４を前記非晶質ＳＬ：Ｈ２の一部領域に形成する（Ｃ
）。 “ 次に裏面にオーミックコンタクトのだめのＮ形の高濃度
層６の形成を前記と同様にＨ２希釈の０．５％Ｐ Ｈ３
／’Ｆ ステロ ｋＶ 、 ５ Ｘ １０ ” ／ｄ
、基板温度１０ｏ〜３ｏｏ０ｃで導入して行い、Ａｌ電
極６゜７を４０００人蒸着で堆積し、１００〜３００°
Ｃ９３０分間Ｎ２中で熱処理をして形成する（ｄ）。こ
のようにして、領域２に周囲を囲まれた領域４を有する
検出器を形成した。
ＭＨｚの高周波数Ｗａ ｔ ｔと磁場数十Ｇａｕｓｓに
よシプラズマにして制御し、そこから質量分離しないで
イオンを取シ出し、ｅｋＶに加速してボロンを１ｏ１５
内導入する。次にフォトレジストを除去後、１ｏｏ′ｃ
〜４００″Ｃで約１時間程度Ｎ２中で熱処理することに
より導入したボロンを活性化して３ｍｍ角の逆導電影領
域４を前記非晶質ＳＬ：Ｈ２の一部領域に形成する（Ｃ
）。 “ 次に裏面にオーミックコンタクトのだめのＮ形の高濃度
層６の形成を前記と同様にＨ２希釈の０．５％Ｐ Ｈ３
／’Ｆ ステロ ｋＶ 、 ５ Ｘ １０ ” ／ｄ
、基板温度１０ｏ〜３ｏｏ０ｃで導入して行い、Ａｌ電
極６゜７を４０００人蒸着で堆積し、１００〜３００°
Ｃ９３０分間Ｎ２中で熱処理をして形成する（ｄ）。こ
のようにして、領域２に周囲を囲まれた領域４を有する
検出器を形成した。
前記工程によシ作製した半導体放射線検出器のリーク電
流は従来の構造のものに対してリーク電流が％になり、
ブレークダウン電圧も５ｏＶから１００ｖに増加した。
流は従来の構造のものに対してリーク電流が％になり、
ブレークダウン電圧も５ｏＶから１００ｖに増加した。
又、非晶質Ｓｉ：Ｈ層２の膜厚を１０００Å以下とした
のは、その膜厚が放射線に対する不感層の厚さと同等に
なるために不感層を厚くしないためと、１０ｋｖ以下の
損傷を与えない低加速電圧で不純物導入を行い非晶質Ｓ
ｉ：Ｈを逆導電形にできる膜厚が１ｏ０〇八以下である
ことからである。そして、本実施例のような価電子制御
のだめの不純物イオンと同時に水素もドーピングを行っ
て逆導電影領域を形成する方法では水素が欠陥やドーピ
ングによるダメージ等を補償するので非晶質半導体層中
に特性の良い逆導電形の非晶質半導体領域の形成が容易
である。
のは、その膜厚が放射線に対する不感層の厚さと同等に
なるために不感層を厚くしないためと、１０ｋｖ以下の
損傷を与えない低加速電圧で不純物導入を行い非晶質Ｓ
ｉ：Ｈを逆導電形にできる膜厚が１ｏ０〇八以下である
ことからである。そして、本実施例のような価電子制御
のだめの不純物イオンと同時に水素もドーピングを行っ
て逆導電影領域を形成する方法では水素が欠陥やドーピ
ングによるダメージ等を補償するので非晶質半導体層中
に特性の良い逆導電形の非晶質半導体領域の形成が容易
である。
次に第２の実施例について、第１の実施例と同じ所は同
じ番号を用いて第２図に示して説明する。
じ番号を用いて第２図に示して説明する。
第１の実施例と違う点はドーピングマスク３にフォトレ
ジストではなくＰＣＶＤ法でＳ＊Ｈ４ガスとＮ２ｏガス
を用いて堆積した膜厚１μｍの８１０２膜８を用い、そ
れをそのまま残して、Ａｌ電極６を形成したことである
。本来、保護膜として考えていた非晶質Ｓｉ：Ｎ２の上
にそれよりも安定な絶縁体のＳ ｘ ０２膜が堆積され
ているため第１の実施例よシも長時間の高温高湿試験に
よっても安定な特性のものが得られた。なお、５ｉ０２
のかわシに窒化膜でもよい。さらに、第１．第２実施例
ともに非晶質半導体層に非晶質Ｓ ｉ Ｃ： Ｈを用い
るとさらにリーク電流は約％以下に減少した。
ジストではなくＰＣＶＤ法でＳ＊Ｈ４ガスとＮ２ｏガス
を用いて堆積した膜厚１μｍの８１０２膜８を用い、そ
れをそのまま残して、Ａｌ電極６を形成したことである
。本来、保護膜として考えていた非晶質Ｓｉ：Ｎ２の上
にそれよりも安定な絶縁体のＳ ｘ ０２膜が堆積され
ているため第１の実施例よシも長時間の高温高湿試験に
よっても安定な特性のものが得られた。なお、５ｉ０２
のかわシに窒化膜でもよい。さらに、第１．第２実施例
ともに非晶質半導体層に非晶質Ｓ ｉ Ｃ： Ｈを用い
るとさらにリーク電流は約％以下に減少した。
以上のように、本発明によシ、保護膜のための非晶質半
導体層とへテロ接合形成のための逆導電影領域との機械
的な接合をなくし、保護膜のための非晶質半導体層が逆
導電影領域を囲む構造になっているのでリーク電流が少
なく耐ブレークダウン電圧の高い半導体放射線検出器を
得た。又、非晶質半導体層の上に絶縁体の保護膜を形成
することによシ長期的な信頼性が得られるようになった
。
導体層とへテロ接合形成のための逆導電影領域との機械
的な接合をなくし、保護膜のための非晶質半導体層が逆
導電影領域を囲む構造になっているのでリーク電流が少
なく耐ブレークダウン電圧の高い半導体放射線検出器を
得た。又、非晶質半導体層の上に絶縁体の保護膜を形成
することによシ長期的な信頼性が得られるようになった
。
又、単結晶半導体基板にＳｔ、 非晶質半導体層に非晶
質ＳｉＣ：Ｈを用いると非晶質Ｓｉ：Ｈを非晶質半導体
層に用いた場合よシもリーク電流が約イ以下であった。
質ＳｉＣ：Ｈを用いると非晶質Ｓｉ：Ｈを非晶質半導体
層に用いた場合よシもリーク電流が約イ以下であった。
又、その単結晶Ｓｉ基板の比抵抗を１ｋΩ−σ 以上に
したので、単結晶ＳＬ基板の全体に空乏層を広げるだめ
の逆バイアス電圧が５０Ｖ以下にすることができた。
したので、単結晶ＳＬ基板の全体に空乏層を広げるだめ
の逆バイアス電圧が５０Ｖ以下にすることができた。
発明の効果
本発明によシ、リーク電流が少なく耐ブレークダウン電
圧が高く、信頼性の高い半導体放射線検出器を得ること
が可能となる。
圧が高く、信頼性の高い半導体放射線検出器を得ること
が可能となる。
第１図は本発明の第１の実施例の検出器の製造７ 工
程断面図、第２図は本発明の第２の実施例の検出器の断
面構成図、第３図は従来の検出器の断面構成図である。 １・・・・・・Ｎ形単結晶Ｓｉ基板、２・・・・・・ａ
−８ｉ：Ｈ。 ３・・・・・・ドーピングマスク、４・・・・・・逆導
電影領域、６．７・・・・・・Ａｌｘ極、８・・・・・
・Ｓ １０２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｆｆｆｆｆｆｆ、。
程断面図、第２図は本発明の第２の実施例の検出器の断
面構成図、第３図は従来の検出器の断面構成図である。 １・・・・・・Ｎ形単結晶Ｓｉ基板、２・・・・・・ａ
−８ｉ：Ｈ。 ３・・・・・・ドーピングマスク、４・・・・・・逆導
電影領域、６．７・・・・・・Ａｌｘ極、８・・・・・
・Ｓ １０２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｆｆｆｆｆｆｆ、。
Claims (5)
- （１）一導電形の単結晶半導体基板上に非晶質半導体層
を形成し、前記非晶質半導体層の一部が逆導電形領域を
なし、前記逆導電形領域はこの領域以外の前記非晶質半
導体層によって少なくとも同一平面内で全体が囲まれて
いることを特徴とする半導体放射線検出器。 - （２）単結晶半導体基板をＳｉとし、前記非晶質半導体
層が水素化非晶質Ｓｉまたは非晶質ＳｉＣであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体放射線検
出器。 - （３）非晶質半導体層上に絶縁体酸化膜又は窒化膜を形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体放射線検出器。 - （４）単結晶半導体基板が比抵抗１ｋΩ−＿ｃ＿ｍ以上
のＳｉであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体放射線検出器。 - （５）非晶質半導体層の膜厚が１０００Å以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体放射
線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256554A JP2707555B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256554A JP2707555B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198268A true JPH0198268A (ja) | 1989-04-17 |
| JP2707555B2 JP2707555B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=17294252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256554A Expired - Lifetime JP2707555B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2707555B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070027A (en) * | 1989-02-23 | 1991-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a heterostructure diode |
| JP2007059551A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 放射線検出デバイス |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51113481A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-06 | Sony Corp | Semiconductor device |
| JPS5963778A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-11 | Hamamatsu Tv Kk | シリコンホトダイオ−ド装置およびその製造方法 |
| JPS60235458A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS61137374A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体放射線検出器 |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256554A patent/JP2707555B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51113481A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-06 | Sony Corp | Semiconductor device |
| JPS5963778A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-11 | Hamamatsu Tv Kk | シリコンホトダイオ−ド装置およびその製造方法 |
| JPS60235458A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS61137374A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体放射線検出器 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070027A (en) * | 1989-02-23 | 1991-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a heterostructure diode |
| JP2007059551A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 放射線検出デバイス |
| JP4678259B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2011-04-27 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 放射線検出デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2707555B2 (ja) | 1998-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60201666A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63194326A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3230650B2 (ja) | 炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子 | |
| JPS61234041A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| EP0273047A1 (en) | BIDIRECTIONAL PERIODIC POWER MOS ARRANGEMENT AND THEIR PRODUCTION METHOD. | |
| JPH0198268A (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| JPH0558257B2 (ja) | ||
| JPH0564862B2 (ja) | ||
| JPS59165455A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2864658B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US5640024A (en) | Compression-type power semiconductor device | |
| JP2635086B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04367276A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH01108781A (ja) | 半導体放射検出器の製造方法 | |
| JPH098062A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59150478A (ja) | 薄膜回路装置 | |
| JPH0395930A (ja) | ショットキバリヤダイオード | |
| JPS631071A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPS63119577A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH0261139B2 (ja) | ||
| JPS6136934A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02222178A (ja) | ヘテロ接合ダイオードの製造方法 | |
| JPS5929425A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0447991B2 (ja) | ||
| JPS6136935A (ja) | 半導体装置の製造方法 |