JPS61137374A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
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- JPS61137374A JPS61137374A JP59260158A JP26015884A JPS61137374A JP S61137374 A JPS61137374 A JP S61137374A JP 59260158 A JP59260158 A JP 59260158A JP 26015884 A JP26015884 A JP 26015884A JP S61137374 A JPS61137374 A JP S61137374A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体内に形成された空乏層中への放射線の
入射により生ずるキャリアを利用した半導体放射線検出
器に関する。
入射により生ずるキャリアを利用した半導体放射線検出
器に関する。
第４図１ａｌｔいしｔｅｌは従来の半導体放射線検出器
の断面構造を示し、ｔａ＋、（ｂｌは表面障壁形、＋０
１はｐ−ｎ接合形検出器と呼ばれる。第４図（５）に示
す表面障壁形検出器は、化学的エツチングにより表面の
加工歪層を除去した単結晶シリコンｔｆｆｌ １１の表
面に保護用酸化膜１２を形成し、その酸化膜に明けられ
た窓部に極薄酸化膜１３を介して電極金属薄膜３を蒸着
し、同様に裏面に電［４を形成したものである。しかし
この場合極薄酸化膜１３は不安定なＳｔＯ，の組成を有
し、空気中の酸素が電極金属薄膜３を透過してシリコン
薄膜仮ｌの表面においてさらに化学的に結合してより安
定な酸化膜であるｓｔｏｗに変化するため、特性の経時
変化が生ずる。第４回申）に示す表面障壁形検出器は、
単結晶シリコン基板１１の上に抵抗加熱方式の蒸着法で
シリコン薄膜１４を付着させたのち、その上にＡ１１ｉ
極３を真空蒸着法で形成し、裏面のオーム接触電極４と
してＡａまたはＡ１を同様に真空蒸着したものである。 この場合は極薄酸化膜を用いないので、不安定酸化物の
安定化に基づく経時変化の問題はない、しかし、いずれ
の表面障壁形検出器も大面積の均一な表面障壁を形成す
ることは困難である。 第４図（ｃｌに示すｐ−ｎ接合型検出器は、通常熱拡散
、またはイオン注入により、単結晶シリコン基板ｌに異
なる導電形の不純物添加層１５が形成されるが、そのと
き８００〜１２００℃の熱処理工程が必要である。この
ような高温熱処理を行うと、単結晶半導体基板内に結晶
欠陥の発生１重金属イオンの侵入などが起こるため、体
積漏れ電流が増加する原因となる。そのほかにシリコン
単結晶ではその中に含まれる酸素が前記高温熱処理中に
ドナー化するため、単結晶半導体の比抵抗が低下する場
合がある。しかし、この高温熱処理による母材単結晶の
劣化を少なくするように熱処理温度を低くすると、 （１） 拡散法では、不純物１度のばらつきが１端に
大きくなるか、または不純物層の形成が不可能になるこ
と、 （２） イオン注入法では、打込まれた不純物イオン
による結晶欠陥の回復が不完全であり、また打込まれた
不純物を格子位置に置換するための活性化が不充分にな
ること、 などの欠点があり、８００℃以下の低い温度では不可能
に近い、従って、高温熱処理を経て製造されるｐ−ｎ接
合型検出器においては、発生するノイズが大きく、デバ
イス特性が阻害される。
の断面構造を示し、ｔａ＋、（ｂｌは表面障壁形、＋０
１はｐ−ｎ接合形検出器と呼ばれる。第４図（５）に示
す表面障壁形検出器は、化学的エツチングにより表面の
加工歪層を除去した単結晶シリコンｔｆｆｌ １１の表
面に保護用酸化膜１２を形成し、その酸化膜に明けられ
た窓部に極薄酸化膜１３を介して電極金属薄膜３を蒸着
し、同様に裏面に電［４を形成したものである。しかし
この場合極薄酸化膜１３は不安定なＳｔＯ，の組成を有
し、空気中の酸素が電極金属薄膜３を透過してシリコン
薄膜仮ｌの表面においてさらに化学的に結合してより安
定な酸化膜であるｓｔｏｗに変化するため、特性の経時
変化が生ずる。第４回申）に示す表面障壁形検出器は、
単結晶シリコン基板１１の上に抵抗加熱方式の蒸着法で
シリコン薄膜１４を付着させたのち、その上にＡ１１ｉ
極３を真空蒸着法で形成し、裏面のオーム接触電極４と
してＡａまたはＡ１を同様に真空蒸着したものである。 この場合は極薄酸化膜を用いないので、不安定酸化物の
安定化に基づく経時変化の問題はない、しかし、いずれ
の表面障壁形検出器も大面積の均一な表面障壁を形成す
ることは困難である。 第４図（ｃｌに示すｐ−ｎ接合型検出器は、通常熱拡散
、またはイオン注入により、単結晶シリコン基板ｌに異
なる導電形の不純物添加層１５が形成されるが、そのと
き８００〜１２００℃の熱処理工程が必要である。この
ような高温熱処理を行うと、単結晶半導体基板内に結晶
欠陥の発生１重金属イオンの侵入などが起こるため、体
積漏れ電流が増加する原因となる。そのほかにシリコン
単結晶ではその中に含まれる酸素が前記高温熱処理中に
ドナー化するため、単結晶半導体の比抵抗が低下する場
合がある。しかし、この高温熱処理による母材単結晶の
劣化を少なくするように熱処理温度を低くすると、 （１） 拡散法では、不純物１度のばらつきが１端に
大きくなるか、または不純物層の形成が不可能になるこ
と、 （２） イオン注入法では、打込まれた不純物イオン
による結晶欠陥の回復が不完全であり、また打込まれた
不純物を格子位置に置換するための活性化が不充分にな
ること、 などの欠点があり、８００℃以下の低い温度では不可能
に近い、従って、高温熱処理を経て製造されるｐ−ｎ接
合型検出器においては、発生するノイズが大きく、デバ
イス特性が阻害される。
本発明の目的は、上述の欠点を除去して高温熱処理工程
を必要とせず、経年変化がなく、大面積の育感面積を臂
する素子を容易に製造できる半導体放射線検出器を提供
することを目的とする。
を必要とせず、経年変化がなく、大面積の育感面積を臂
する素子を容易に製造できる半導体放射線検出器を提供
することを目的とする。
本発明による半導体放射線検出器は一導電形の単結晶半
導体基板上に不純物の添加によつて逆導電形にされた非
晶質半導体層が被着されて成るヘテロ接合を有すること
によって上記の目的を達成するものである。
導体基板上に不純物の添加によつて逆導電形にされた非
晶質半導体層が被着されて成るヘテロ接合を有すること
によって上記の目的を達成するものである。
【５１１明の実施例】
本発明により単結晶半導体板上に被着される非晶質半導
体層は公知のプラズマＣＶＤ法により形成されろ、第５
図はプラズマＣＶＤ装置の一例を示し、反応槽３１の中
に対向配置される電極板３２゜３３は直流型ｉ！［３４
に接続されており、一方の電極板３３の上に支持される
シリコン単結晶３５を加熱するため、電ｓ３６に接続さ
れた電極加熱用ヒータ３７が備えられている０反応槽３
１は排気量調整バルブ３８を介して排気系３９に接続さ
れ、槽内の真空度制御のための真空計４０を備えている
１反応槽３１内を真空排気後、モノシランガスボンベ４
１と添加不純物源ガスボンベ４２から減圧弁４３．ガス
流量調整パルプ４４を介して反応ガスを導入し、所定の
ガス圧のもので電極板３２．３３間にグロー放電を発生
させて反応ガスを分解し、単結晶基板３５の上に非晶質
シリコン膜を堆積させる。 実施例１ 第５図に示した装置を用いて、以下の条件でりん添加非
晶質シリコン膜を作成した。 １）シリコン単結晶：比抵抗１０にΩｅｌｌ、ｐ型２）
基板温度：２００℃ ３）使用ガス： ■ モノシラン （１０％に水素で希釈）■ フォス
フイン （１０００ｐｐｍに水素で希釈）４）ガス圧：
ｌＯ，ＯＴｏｒｒ ５）印加電圧；ＤＣ４００〜５ｏｏｖ 上記条件で作成したりん添加の非晶質シリコンは強いｎ
型を示し、１Ｇ−１００Ω備の比抵抗とすることが可能
である。従って第１図に示すでき上がった断面構造にお
いて、基板１のｐ型シリコン単結晶とｎ型非晶質シリコ
ン膜２との間にヘテロのｐ−ｎ接合を形成する。非晶質
シリコン膜２と基板上の表面に電極３，４を形成するこ
とにより簡単に検出器が得られるので、■晶型の放射線
検出器に適用すればまさに好適である。 実施例２ 第２図において、ｐ型シリコン単結晶を基Ｆｉｌとし、
その上面上にマスクを置いて第５図に示す装置を用い、
ボンベ４１からのモノシランガスのみを反応ガスとして
アンドープ非晶質シリコンＩｌ！１５を側面に被着せし
める。その条件は次のとおりである。 ■）シリコン単結晶：比抵抗ＩＱｋＱａｓ、ｐ型２）基
板温度：２００℃ ３）使用ガス；モノシラン（１０％に水素で希釈）４）
ガス圧：１０．Ｏτｏｒｒ ５）印加電圧：ＤＣ４００〜１ｏｏｏｖ次に上記マスク
を取り外し、逆に基板ｌの上面のみが露出するように第
二のマスクを置いて、実施例１で述べたものと同一の条
件でりん添加の非晶質シリコン膜２を被着せしめる。さ
らに基板１の下面とりん添加ＷＡ２の上に金属電＄５４
．３を設ける。この放射線検出器は、両電極の間が高比
抵抗のアンドープ非晶質シリコンからなる保護膜５によ
って覆われているため、表面漏れ電流の経路がしゃ断さ
れ、表面漏れ電流が減少するので、実施例１で述べた検
出器に（らべて放射線検出効率が１０−１５％に向上す
る。従って高分解能の半導体放射線検出器として通して
いる。 実施例３ 実施例２で示した構成における保護膜としてのアンドー
プ非晶質シリコン膜を、第３図に示すように炭素を添加
した非晶質シリコン膜６に変えたものである。ｐ型シリ
コン単結晶ｉｗｉの上面上にマスクを置き、第５図に示
す装置を用いるプラズマＣＶＤ法により炭素添加の非晶
質シリコン膜６を添加せしめる。その条件は以下の通り
である。 １）シリコン単結晶；比抵抗１０にΩａｍ、ｐ型２）基
板温度：２００℃ ３）使用ガス： ■ モノシラン（１０％に水素で希釈）■ メタン
（１０％に水素で希釈）４）ガス圧ｊ １０． ＯＴｏ
ｒｒ ５）印加電圧：ＤＣ４００〜ｔｏｏｏｖ次に上記マスク
を取り外し、逆に基板ｌの上面のみが露出するように第
二のマスクを置いて、実施例！で述べたのと同一の条件
でりん添加の非晶質シリコン膜２を被着せしめる。さら
に基板１とｌ！！５の上に金属電極４，３を設ける。 この放射線検出器は、実施例２で述べた保護膜として電
気比抵抗の高い炭素添加の非晶質シリコン膜を使用した
もので、実施例１で述べたものと比較して放射線検出効
率は１５〜２０％向上する。 実施例１〜３ではｐ型シリコン阜結晶基板を用いた半導
体放射線検出器について述べたが、次にｎ型シリコン単
結晶を用いた半導体放射線検出器について述べる。 実施例４ ｎ型シリコン単結晶を基板とし、直流グロー放電による
プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン膜を単結晶基板
表面に被着せしめるが、その際非晶質シリコン膜中にほ
う素を添加する。使用装置は第５図に示したもので、添
加不純物源ガスボンベ４２をジボランガスボンベに変更
する。 以下の条件のプラズマＣＶＤ法により、非晶質シリコン
膜を作成した。 ｌ）ンリコン単結晶；比抵抗ＩＱｋＱｃ＊、ｐ型２）基
板温度：２００℃ ３）使用ガス： ■ モノシラン （１０％に水素で希釈）■ ジボラン
（１０００ｐｐ＋ｍに水素で希釈）４）ガス圧： １
０． ＯＴｏｒｒ ５）印加ＩＨ圧１ＤＣ４００〜１００ＯＶ上記条件で作
製したほう素添加の非晶質シリコンは、強いｐ型を示し
、１００Ω国以下の比抵抗とすることが可能である。従
って第６図に示す基板７のｎ型のシリコン単結晶とほう
累添加のｐ型非晶實シリコン膜８とはへテロのｐｎ接合
を形成するにれも実施例１と同様に聞易型の放射線検出
器に適用すればまさに好適である。 実施例５ 第７図に示すｎ型シリコン単結晶基板７の上面上にマス
クを置き、直流グロー放電によるプラズマＣＶＤ法によ
り、アンドープ非晶質膜５を被着せしめる。その条件は
以下の通りである。 １）シリコン単結晶：比抵抗１０にΩ（２）、ｎ型２）
基板温度：２００℃ ３）使用ガス：モノシラン（１０％に水素で希釈）４）
ガス圧： ｌ Ｏ，ＯＴｏｒｒ ５）印加電圧＋Ｄｃｔｏｏ Ｎ１００ＯＶ次に上記マス
クを取り外し、逆に基板７の上面のみが露出するように
第二のマスクを置いて、実施例４で述べたものと同一の
条件でほう素添加の非晶質シリコン膜８を被着せしめる
。さらに基板と膜１５上に金属電極４．３を設ける。 この放射線検出器は、実施例４で述べたものに保護膜と
してアンドープ非晶質シリコン膜５を設けたもので、実
施例４で述べたものと比べて放射縞線効率は１０〜１５
％向上する。従って高分解能の半導体放射線検出器とし
て通している。 以上、上記した実施例２，３．５では保護膜の材料とし
て非晶質手厚体を用いたが、電気的に絶縁性の物質なら
ば他の物質も有効で、例えば５ｌＯｔなどが考えられる
。
体層は公知のプラズマＣＶＤ法により形成されろ、第５
図はプラズマＣＶＤ装置の一例を示し、反応槽３１の中
に対向配置される電極板３２゜３３は直流型ｉ！［３４
に接続されており、一方の電極板３３の上に支持される
シリコン単結晶３５を加熱するため、電ｓ３６に接続さ
れた電極加熱用ヒータ３７が備えられている０反応槽３
１は排気量調整バルブ３８を介して排気系３９に接続さ
れ、槽内の真空度制御のための真空計４０を備えている
１反応槽３１内を真空排気後、モノシランガスボンベ４
１と添加不純物源ガスボンベ４２から減圧弁４３．ガス
流量調整パルプ４４を介して反応ガスを導入し、所定の
ガス圧のもので電極板３２．３３間にグロー放電を発生
させて反応ガスを分解し、単結晶基板３５の上に非晶質
シリコン膜を堆積させる。 実施例１ 第５図に示した装置を用いて、以下の条件でりん添加非
晶質シリコン膜を作成した。 １）シリコン単結晶：比抵抗１０にΩｅｌｌ、ｐ型２）
基板温度：２００℃ ３）使用ガス： ■ モノシラン （１０％に水素で希釈）■ フォス
フイン （１０００ｐｐｍに水素で希釈）４）ガス圧：
ｌＯ，ＯＴｏｒｒ ５）印加電圧；ＤＣ４００〜５ｏｏｖ 上記条件で作成したりん添加の非晶質シリコンは強いｎ
型を示し、１Ｇ−１００Ω備の比抵抗とすることが可能
である。従って第１図に示すでき上がった断面構造にお
いて、基板１のｐ型シリコン単結晶とｎ型非晶質シリコ
ン膜２との間にヘテロのｐ−ｎ接合を形成する。非晶質
シリコン膜２と基板上の表面に電極３，４を形成するこ
とにより簡単に検出器が得られるので、■晶型の放射線
検出器に適用すればまさに好適である。 実施例２ 第２図において、ｐ型シリコン単結晶を基Ｆｉｌとし、
その上面上にマスクを置いて第５図に示す装置を用い、
ボンベ４１からのモノシランガスのみを反応ガスとして
アンドープ非晶質シリコンＩｌ！１５を側面に被着せし
める。その条件は次のとおりである。 ■）シリコン単結晶：比抵抗ＩＱｋＱａｓ、ｐ型２）基
板温度：２００℃ ３）使用ガス；モノシラン（１０％に水素で希釈）４）
ガス圧：１０．Ｏτｏｒｒ ５）印加電圧：ＤＣ４００〜１ｏｏｏｖ次に上記マスク
を取り外し、逆に基板ｌの上面のみが露出するように第
二のマスクを置いて、実施例１で述べたものと同一の条
件でりん添加の非晶質シリコン膜２を被着せしめる。さ
らに基板１の下面とりん添加ＷＡ２の上に金属電＄５４
．３を設ける。この放射線検出器は、両電極の間が高比
抵抗のアンドープ非晶質シリコンからなる保護膜５によ
って覆われているため、表面漏れ電流の経路がしゃ断さ
れ、表面漏れ電流が減少するので、実施例１で述べた検
出器に（らべて放射線検出効率が１０−１５％に向上す
る。従って高分解能の半導体放射線検出器として通して
いる。 実施例３ 実施例２で示した構成における保護膜としてのアンドー
プ非晶質シリコン膜を、第３図に示すように炭素を添加
した非晶質シリコン膜６に変えたものである。ｐ型シリ
コン単結晶ｉｗｉの上面上にマスクを置き、第５図に示
す装置を用いるプラズマＣＶＤ法により炭素添加の非晶
質シリコン膜６を添加せしめる。その条件は以下の通り
である。 １）シリコン単結晶；比抵抗１０にΩａｍ、ｐ型２）基
板温度：２００℃ ３）使用ガス： ■ モノシラン（１０％に水素で希釈）■ メタン
（１０％に水素で希釈）４）ガス圧ｊ １０． ＯＴｏ
ｒｒ ５）印加電圧：ＤＣ４００〜ｔｏｏｏｖ次に上記マスク
を取り外し、逆に基板ｌの上面のみが露出するように第
二のマスクを置いて、実施例！で述べたのと同一の条件
でりん添加の非晶質シリコン膜２を被着せしめる。さら
に基板１とｌ！！５の上に金属電極４，３を設ける。 この放射線検出器は、実施例２で述べた保護膜として電
気比抵抗の高い炭素添加の非晶質シリコン膜を使用した
もので、実施例１で述べたものと比較して放射線検出効
率は１５〜２０％向上する。 実施例１〜３ではｐ型シリコン阜結晶基板を用いた半導
体放射線検出器について述べたが、次にｎ型シリコン単
結晶を用いた半導体放射線検出器について述べる。 実施例４ ｎ型シリコン単結晶を基板とし、直流グロー放電による
プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン膜を単結晶基板
表面に被着せしめるが、その際非晶質シリコン膜中にほ
う素を添加する。使用装置は第５図に示したもので、添
加不純物源ガスボンベ４２をジボランガスボンベに変更
する。 以下の条件のプラズマＣＶＤ法により、非晶質シリコン
膜を作成した。 ｌ）ンリコン単結晶；比抵抗ＩＱｋＱｃ＊、ｐ型２）基
板温度：２００℃ ３）使用ガス： ■ モノシラン （１０％に水素で希釈）■ ジボラン
（１０００ｐｐ＋ｍに水素で希釈）４）ガス圧： １
０． ＯＴｏｒｒ ５）印加ＩＨ圧１ＤＣ４００〜１００ＯＶ上記条件で作
製したほう素添加の非晶質シリコンは、強いｐ型を示し
、１００Ω国以下の比抵抗とすることが可能である。従
って第６図に示す基板７のｎ型のシリコン単結晶とほう
累添加のｐ型非晶實シリコン膜８とはへテロのｐｎ接合
を形成するにれも実施例１と同様に聞易型の放射線検出
器に適用すればまさに好適である。 実施例５ 第７図に示すｎ型シリコン単結晶基板７の上面上にマス
クを置き、直流グロー放電によるプラズマＣＶＤ法によ
り、アンドープ非晶質膜５を被着せしめる。その条件は
以下の通りである。 １）シリコン単結晶：比抵抗１０にΩ（２）、ｎ型２）
基板温度：２００℃ ３）使用ガス：モノシラン（１０％に水素で希釈）４）
ガス圧： ｌ Ｏ，ＯＴｏｒｒ ５）印加電圧＋Ｄｃｔｏｏ Ｎ１００ＯＶ次に上記マス
クを取り外し、逆に基板７の上面のみが露出するように
第二のマスクを置いて、実施例４で述べたものと同一の
条件でほう素添加の非晶質シリコン膜８を被着せしめる
。さらに基板と膜１５上に金属電極４．３を設ける。 この放射線検出器は、実施例４で述べたものに保護膜と
してアンドープ非晶質シリコン膜５を設けたもので、実
施例４で述べたものと比べて放射縞線効率は１０〜１５
％向上する。従って高分解能の半導体放射線検出器とし
て通している。 以上、上記した実施例２，３．５では保護膜の材料とし
て非晶質手厚体を用いたが、電気的に絶縁性の物質なら
ば他の物質も有効で、例えば５ｌＯｔなどが考えられる
。
放射線は、半導体放射線検出器の空乏層形成のために一
厚電形の単結晶半導体基板とその上に被着された非晶質
手厚体層の間のへテロ接合を利用したもので、非晶π半
４体層の形成が基板を低温に保ったままできるため、単
結晶基板の悪影響を及ぼすことがなく、またへテロ接合
形成の両材料が安定であるため経年変化がない、さらに
ｐｎ接合部分でのエネルギＲ壁を非晶質シリコン中への
適当な不に＠５添加によって大きくでき、体積逆漏れ電
流を低減させることもできる。あるいは、不純物の添加
により素子の抵抗を下げ、多くの検出信号が流れ込むよ
うにもできろ、この半導体検出器は製造工程がＮ隼であ
り、あらためてパフンベーシッンを行なう必要がないな
どコストダウンが可能である。そのほか、本発明によれ
ば大面積の均一な接合が得られるので大面積の半導体放
射線検出器を製造することも可能になるなど得られる効
果は極めて大きい。
厚電形の単結晶半導体基板とその上に被着された非晶質
手厚体層の間のへテロ接合を利用したもので、非晶π半
４体層の形成が基板を低温に保ったままできるため、単
結晶基板の悪影響を及ぼすことがなく、またへテロ接合
形成の両材料が安定であるため経年変化がない、さらに
ｐｎ接合部分でのエネルギＲ壁を非晶質シリコン中への
適当な不に＠５添加によって大きくでき、体積逆漏れ電
流を低減させることもできる。あるいは、不純物の添加
により素子の抵抗を下げ、多くの検出信号が流れ込むよ
うにもできろ、この半導体検出器は製造工程がＮ隼であ
り、あらためてパフンベーシッンを行なう必要がないな
どコストダウンが可能である。そのほか、本発明によれ
ば大面積の均一な接合が得られるので大面積の半導体放
射線検出器を製造することも可能になるなど得られる効
果は極めて大きい。
第１図は本発明の第一の実施例の断面図、第２図は第二
の実施例の断面図、第３図は第二の実施例の断面図、第
４図は従来の半導体放射線検出器の断面図で、ｆａ＋、
（ｂｌは表面障壁形、ｔｃ＋はｐ−ｎ接合形、第５図は
本発明の実施に用いられる非晶質シリコン生成装置の一
例の配置図、第６図、第７図はそれぞれ本発明の第四、
第五の実施例の断面図である。 １＋ｐ型単結晶シリコン板、２：りん添加非晶室シリコ
ン膜、３．４二金属電極、５：アンドープ非晶質シリコ
ン膜、６：炭素添加非晶質シリコン膜、？＋ｎ型単結晶
シリコン板、８：はう素添加非晶賀シリコン膜。 才１０ 才Ｚ口 才３０ 才４０ 才ｆ閃 才り口 才７聞
の実施例の断面図、第３図は第二の実施例の断面図、第
４図は従来の半導体放射線検出器の断面図で、ｆａ＋、
（ｂｌは表面障壁形、ｔｃ＋はｐ−ｎ接合形、第５図は
本発明の実施に用いられる非晶質シリコン生成装置の一
例の配置図、第６図、第７図はそれぞれ本発明の第四、
第五の実施例の断面図である。 １＋ｐ型単結晶シリコン板、２：りん添加非晶室シリコ
ン膜、３．４二金属電極、５：アンドープ非晶質シリコ
ン膜、６：炭素添加非晶質シリコン膜、？＋ｎ型単結晶
シリコン板、８：はう素添加非晶賀シリコン膜。 才１０ 才Ｚ口 才３０ 才４０ 才ｆ閃 才り口 才７聞
Claims (1)
- １）一導電形の単結晶半導体基板上に不純物の添加によ
って逆導電形にされた非晶質半導体層が被着されて成る
ヘテロ接合を有することを特徴とする半導体放射線検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260158A JPS61137374A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260158A JPS61137374A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137374A true JPS61137374A (ja) | 1986-06-25 |
| JPH0447991B2 JPH0447991B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=17344120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59260158A Granted JPS61137374A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137374A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195515A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合素子の製造方法 |
| JPH0198268A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP59260158A patent/JPS61137374A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195515A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合素子の製造方法 |
| JPH0198268A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447991B2 (ja) | 1992-08-05 |
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