JPH0447991B2 - - Google Patents
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- JPH0447991B2 JPH0447991B2 JP59260158A JP26015884A JPH0447991B2 JP H0447991 B2 JPH0447991 B2 JP H0447991B2 JP 59260158 A JP59260158 A JP 59260158A JP 26015884 A JP26015884 A JP 26015884A JP H0447991 B2 JPH0447991 B2 JP H0447991B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
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Description
本発明は、半導体に形成された空乏層中への放
射線の入射により生ずるキヤリアを利用した半導
体放射線検出器に関する。
射線の入射により生ずるキヤリアを利用した半導
体放射線検出器に関する。
第４図ａないしｃは従来の半導体放射線検出器
の断面構造を示し、ａ，ｂは表面障壁形、ｃはｐ
−ｎ接合形検出器と呼ばれる。第４図ａに示す表
面障壁形検出器は、化学的エツチングにより表面
の加工歪層を除去した単結晶シリコン板１１の表
面に保護用酸化膜１２を形成し、その酸化膜に明
けられた窓部に極薄酸化膜１３を介して電極金属
薄膜３を蒸着し、同様に裏面に電極４を形成した
ものである。しかしこの場合極薄酸化膜１３は不
安定なSiOxの組成を有し、空気中の酸素が電極
金属薄膜３を透過してシリコン基板１の表面にお
いてさらに化学的に結合してより安定な酸化膜で
あるSiO2に変化するため、特性の経時変化が生
ずる。第４図ｂに示す表面障壁形検出器は、単結
晶シリコン基板１１の上に抵抗加熱方式の蒸着法
でシリコン薄膜１４を付着させたのち、その上に
Al電極３を真空蒸着法で形成し、裏面のオーム
接触電極４としてAuまたはAlを同様に真空蒸着
したものである。この場合は極薄酸化膜を用いな
いので、不安定酸化物の安定化に基づく経時変化
の問題はない。しかし、いずれの表面障壁形検出
器も大面積の均一な表面障壁を形成することは困
難である。 第４図ｃに示すｐ−ｎ接合型検出器は、通常熱
拡散、またはイオン注入により、単結晶シリコン
基板１に異なる導電形の不純物添加量１５が形成
されるが、そのとき800〜1200℃の熱処理工程が
必要である。このような高温熱処理を行うと、単
結晶半導体基板内に結晶欠陥の発生、重金属イオ
ンの侵入などが起こるため、体積漏れ電流が増加
する原因となる。そのほかにシリコン単結晶では
その中に含まれる酸素が前記高温熱処理中にドナ
ー化するため、単結晶半導体の比抵抗が低下する
場合がある。しかし、この高温熱処理による母材
単結晶の劣化を少なくするように熱処理温度を低
くすると、 (1) 拡散法では、不純物温度のばらつきが極端に
大きくなるか、または不純物層の形成が不可能
になること、 (2) イオン注入法では、打込まれた不純物イオン
による結晶欠陥の回復が不完全であり、また打
込まれた不純物を格子位置に置換するための活
性化が不充分になること、 などの欠点があり、800℃以下の低い温度では不
可能に近い。従つて、高温熱処理を経て製造され
るｐ−ｎ接合型検出器においては、発生するノイ
ズが大きく、デバイス特性が阻害される。
の断面構造を示し、ａ，ｂは表面障壁形、ｃはｐ
−ｎ接合形検出器と呼ばれる。第４図ａに示す表
面障壁形検出器は、化学的エツチングにより表面
の加工歪層を除去した単結晶シリコン板１１の表
面に保護用酸化膜１２を形成し、その酸化膜に明
けられた窓部に極薄酸化膜１３を介して電極金属
薄膜３を蒸着し、同様に裏面に電極４を形成した
ものである。しかしこの場合極薄酸化膜１３は不
安定なSiOxの組成を有し、空気中の酸素が電極
金属薄膜３を透過してシリコン基板１の表面にお
いてさらに化学的に結合してより安定な酸化膜で
あるSiO2に変化するため、特性の経時変化が生
ずる。第４図ｂに示す表面障壁形検出器は、単結
晶シリコン基板１１の上に抵抗加熱方式の蒸着法
でシリコン薄膜１４を付着させたのち、その上に
Al電極３を真空蒸着法で形成し、裏面のオーム
接触電極４としてAuまたはAlを同様に真空蒸着
したものである。この場合は極薄酸化膜を用いな
いので、不安定酸化物の安定化に基づく経時変化
の問題はない。しかし、いずれの表面障壁形検出
器も大面積の均一な表面障壁を形成することは困
難である。 第４図ｃに示すｐ−ｎ接合型検出器は、通常熱
拡散、またはイオン注入により、単結晶シリコン
基板１に異なる導電形の不純物添加量１５が形成
されるが、そのとき800〜1200℃の熱処理工程が
必要である。このような高温熱処理を行うと、単
結晶半導体基板内に結晶欠陥の発生、重金属イオ
ンの侵入などが起こるため、体積漏れ電流が増加
する原因となる。そのほかにシリコン単結晶では
その中に含まれる酸素が前記高温熱処理中にドナ
ー化するため、単結晶半導体の比抵抗が低下する
場合がある。しかし、この高温熱処理による母材
単結晶の劣化を少なくするように熱処理温度を低
くすると、 (1) 拡散法では、不純物温度のばらつきが極端に
大きくなるか、または不純物層の形成が不可能
になること、 (2) イオン注入法では、打込まれた不純物イオン
による結晶欠陥の回復が不完全であり、また打
込まれた不純物を格子位置に置換するための活
性化が不充分になること、 などの欠点があり、800℃以下の低い温度では不
可能に近い。従つて、高温熱処理を経て製造され
るｐ−ｎ接合型検出器においては、発生するノイ
ズが大きく、デバイス特性が阻害される。
本発明の目的は、上述の欠点を除去して高温熱
処理工程を必要とせず、経年変化がなく、大面積
の有感面積を有する素子を容易に製造できる半導
体放射線検出器を提供することを目的とする。
処理工程を必要とせず、経年変化がなく、大面積
の有感面積を有する素子を容易に製造できる半導
体放射線検出器を提供することを目的とする。
本発明による半導体放射線検出器は一導電形の
単結晶半導体基板上に不純物の添加によつて逆導
電形にされた非晶質半導体が被着されて成るヘテ
ロ接合を有することによつて上記の目的を達成す
るものである。
単結晶半導体基板上に不純物の添加によつて逆導
電形にされた非晶質半導体が被着されて成るヘテ
ロ接合を有することによつて上記の目的を達成す
るものである。
本発明により単結晶半導体板上に被着される非
晶質半導体層は公知のプラズマCVD法により形
成される。第５図はプラズマCVD装置の一例を
示し、反応槽３１の中に対向配置される電極板３
２，３３は直流電源３４に接続されており、一方
の電極板３３の上に支持されるシリコン単結晶３
５を加熱するため、電源３６に接続された電極加
熱用ヒータ３７が備えられている。反応槽３１は
排気量調整バルブ３８を介して排気系３９に接続
され、槽内の真空度制御のための真空計４０を備
えている。反応槽３１内を真空排気後、モノシラ
ンガスボンベ４１と添加不純物源ガスボンベ４２
から減圧弁４３、ガス流量調整バルブ４４を介し
て反応ガスを導入し、所定のガス圧のもので電極
板３２，３３間にグロー放電を発生させて反応ガ
スを分解し、単結晶基板３５の上に非晶質シリコ
ン膜を堆積させる。 実施例 １ 第５図に示した装置を用いて、以下の条件でり
ん添加非晶質シリコン膜を作成した。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｐ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス： モノシラン（10％に水素で希釈） フオスフイン（1000ppmに水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜800V 上記条件で作成したりん添加の非晶質シリコン
は強いｎ型を示し、10〜100Ωcmの比抵抗とする
ことが可能である。従つて第１図に示すでき上が
つた断面構造において、基板１のｐ型シリコン単
結晶とｎ型非晶質シリコン膜２との間にヘテロの
ｐ−ｎ接合を形成する。非晶質シリコン膜２と基
板１の表面に電極３，４を形成することにより簡
単に検出器が得られるので、簡易型の放射線検出
器に適用すればまさに好適である。 実施例 ２ 第２図において、ｐ型シリコン単結晶を基板１
とし、その上面上にマスクを置いて第５図に示す
装置を用い、ボンベ４１からのモノシランガスの
みを反応ガスとしてアンドープ非晶質シリコン膜
５を側面に被着せしめる。その条件は次のとおり
である。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｐ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス：モノシラン（10％に水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜1000V 次に上記マスクを取り外し、逆に基板１の上面
のみが露出するように第二のマスクを置いて、実
施例１で述べたものと同一の条件でりん添加の非
晶質シリコン膜２を被着せしめる。さらに基板１
の下面とりん添加膜２の上に金属電極４，３を設
ける。この放射線検出器は、両電極の間が高比抵
抗のアンドープ非晶質シリコンからなる保護膜５
によつて覆われているため、表面漏れ電流の経路
がしや断され、表面漏れ電流が減少するので、実
施例１で述べた検出器にくらべて放射線検出効率
が10〜15％に向上する。従つて高分解能の半導体
放射線検出器として適している。 実施例 ３ 実施例２で示した構成における保護膜としての
アンドープ非晶質シリコン膜を、第３図に示すよ
うに炭素を添加した非晶質シリコン膜６に変えた
ものである。ｐ型シリコン単結晶基板１の上面上
にマスクを置き、第５図に示す装置を用いるプラ
ズマCVD法により炭素添加の非晶質シリコン膜
６を添加せしめる。その条件は以下の通りであ
る。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｐ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス： モノシラン（10％に水素で希釈） メタン（10％に水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜1000V 次に上記マスクを取り外し、逆に基板１の上面
のみが露出するように第二のマスクを置いて、実
施例１で述べたのと同一の条件でりん添加の非晶
質シリコン膜２を被着せしめる。さらに基板１と
膜５の上に金属電極４，３を設ける。 この放射線検出器は、実施例２で述べた保護膜
として電気比抵抗の高い炭素添加の非晶質シリコ
ン膜を使用したもので、実施例１で述べたものと
比較して放射線検出効率は15〜20％向上する。 実施例１〜３ではｐ型シリコン単結晶基板を用
いた半導体放射線検出器について述べたが、次に
ｎ型シリコン単結晶を用いた半導体放射線検出器
について述べる。 実施例 ４ ｎ型シリコン単結晶を基板とし、直流グロー放
電によるプラズマCVD法により非晶質シリコン
膜を単結晶基板表面を被着せしめるが、その際非
晶質シリコン膜中にほう素を添加する。使用装置
は第５図に示したもので、添加不純物源ガスボン
ベ４２をジボランガスボンベに変更する。 以下の条件のプラズマCVD法により、非晶質
シリコン膜を作成した。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｐ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス： モノシラン（10％に水素で希釈） シボラン（1000ppmに水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜1000V 上記条件で作製したほう素添加の非晶質シリコ
ンは、強いｐ型を示し、100Ωcm以下の比抵抗と
することが可能である。従つて第６図に示す基板
７のｎ型のシリコン単結晶とほう素添加のｐ型非
晶質シリコン膜８とはヘテロのpn接合を形成す
る。これも実施例１と同様に簡易型の放射線検出
器に適用すればまさに好適である。 実施例 ５ 第７図に示すｎ型シリコン単結晶基板７の上面
上にマスクを置き、直流グロー放電によるプラズ
マCVD法により、アンドープ非晶質膜５を被着
せしめる。その条件は以下の通りである。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｎ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス：モノシラン（10％に水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜1000V 次に上記マスクを取り外し、逆に基板７の上面
のみが露出するように第二のマスクを置いて、実
施例４で述べたものと同一の条件でほう素添加の
比晶質シリコン膜８を被着せしめる。さらに基板
と膜１５上に金属電極４，３を設ける。 この放射線検出器は、実施例４で述べたものに
保護膜としてアンドープ非晶質シリコン膜５を設
けたもので、実施例４で述べたものと比べて放射
線線効率は10〜15％向上する。従つて高分解能の
半導体放射線検出器として適している。 以上、上記した実施例２、３、５では保護膜の
材料として非晶質半導体を用いたが、電気的に絶
縁性の物質ならば他の物質も有効で、例えば
SiO2などが考えられる。
晶質半導体層は公知のプラズマCVD法により形
成される。第５図はプラズマCVD装置の一例を
示し、反応槽３１の中に対向配置される電極板３
２，３３は直流電源３４に接続されており、一方
の電極板３３の上に支持されるシリコン単結晶３
５を加熱するため、電源３６に接続された電極加
熱用ヒータ３７が備えられている。反応槽３１は
排気量調整バルブ３８を介して排気系３９に接続
され、槽内の真空度制御のための真空計４０を備
えている。反応槽３１内を真空排気後、モノシラ
ンガスボンベ４１と添加不純物源ガスボンベ４２
から減圧弁４３、ガス流量調整バルブ４４を介し
て反応ガスを導入し、所定のガス圧のもので電極
板３２，３３間にグロー放電を発生させて反応ガ
スを分解し、単結晶基板３５の上に非晶質シリコ
ン膜を堆積させる。 実施例 １ 第５図に示した装置を用いて、以下の条件でり
ん添加非晶質シリコン膜を作成した。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｐ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス： モノシラン（10％に水素で希釈） フオスフイン（1000ppmに水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜800V 上記条件で作成したりん添加の非晶質シリコン
は強いｎ型を示し、10〜100Ωcmの比抵抗とする
ことが可能である。従つて第１図に示すでき上が
つた断面構造において、基板１のｐ型シリコン単
結晶とｎ型非晶質シリコン膜２との間にヘテロの
ｐ−ｎ接合を形成する。非晶質シリコン膜２と基
板１の表面に電極３，４を形成することにより簡
単に検出器が得られるので、簡易型の放射線検出
器に適用すればまさに好適である。 実施例 ２ 第２図において、ｐ型シリコン単結晶を基板１
とし、その上面上にマスクを置いて第５図に示す
装置を用い、ボンベ４１からのモノシランガスの
みを反応ガスとしてアンドープ非晶質シリコン膜
５を側面に被着せしめる。その条件は次のとおり
である。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｐ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス：モノシラン（10％に水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜1000V 次に上記マスクを取り外し、逆に基板１の上面
のみが露出するように第二のマスクを置いて、実
施例１で述べたものと同一の条件でりん添加の非
晶質シリコン膜２を被着せしめる。さらに基板１
の下面とりん添加膜２の上に金属電極４，３を設
ける。この放射線検出器は、両電極の間が高比抵
抗のアンドープ非晶質シリコンからなる保護膜５
によつて覆われているため、表面漏れ電流の経路
がしや断され、表面漏れ電流が減少するので、実
施例１で述べた検出器にくらべて放射線検出効率
が10〜15％に向上する。従つて高分解能の半導体
放射線検出器として適している。 実施例 ３ 実施例２で示した構成における保護膜としての
アンドープ非晶質シリコン膜を、第３図に示すよ
うに炭素を添加した非晶質シリコン膜６に変えた
ものである。ｐ型シリコン単結晶基板１の上面上
にマスクを置き、第５図に示す装置を用いるプラ
ズマCVD法により炭素添加の非晶質シリコン膜
６を添加せしめる。その条件は以下の通りであ
る。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｐ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス： モノシラン（10％に水素で希釈） メタン（10％に水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜1000V 次に上記マスクを取り外し、逆に基板１の上面
のみが露出するように第二のマスクを置いて、実
施例１で述べたのと同一の条件でりん添加の非晶
質シリコン膜２を被着せしめる。さらに基板１と
膜５の上に金属電極４，３を設ける。 この放射線検出器は、実施例２で述べた保護膜
として電気比抵抗の高い炭素添加の非晶質シリコ
ン膜を使用したもので、実施例１で述べたものと
比較して放射線検出効率は15〜20％向上する。 実施例１〜３ではｐ型シリコン単結晶基板を用
いた半導体放射線検出器について述べたが、次に
ｎ型シリコン単結晶を用いた半導体放射線検出器
について述べる。 実施例 ４ ｎ型シリコン単結晶を基板とし、直流グロー放
電によるプラズマCVD法により非晶質シリコン
膜を単結晶基板表面を被着せしめるが、その際非
晶質シリコン膜中にほう素を添加する。使用装置
は第５図に示したもので、添加不純物源ガスボン
ベ４２をジボランガスボンベに変更する。 以下の条件のプラズマCVD法により、非晶質
シリコン膜を作成した。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｐ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス： モノシラン（10％に水素で希釈） シボラン（1000ppmに水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜1000V 上記条件で作製したほう素添加の非晶質シリコ
ンは、強いｐ型を示し、100Ωcm以下の比抵抗と
することが可能である。従つて第６図に示す基板
７のｎ型のシリコン単結晶とほう素添加のｐ型非
晶質シリコン膜８とはヘテロのpn接合を形成す
る。これも実施例１と同様に簡易型の放射線検出
器に適用すればまさに好適である。 実施例 ５ 第７図に示すｎ型シリコン単結晶基板７の上面
上にマスクを置き、直流グロー放電によるプラズ
マCVD法により、アンドープ非晶質膜５を被着
せしめる。その条件は以下の通りである。 (1) シリコン単結晶：比抵抗10kΩcm、ｎ型 (2) 基板温度：200℃ (3) 使用ガス：モノシラン（10％に水素で希釈） (4) ガス圧：10.0Torr (5) 印加電圧：DC400〜1000V 次に上記マスクを取り外し、逆に基板７の上面
のみが露出するように第二のマスクを置いて、実
施例４で述べたものと同一の条件でほう素添加の
比晶質シリコン膜８を被着せしめる。さらに基板
と膜１５上に金属電極４，３を設ける。 この放射線検出器は、実施例４で述べたものに
保護膜としてアンドープ非晶質シリコン膜５を設
けたもので、実施例４で述べたものと比べて放射
線線効率は10〜15％向上する。従つて高分解能の
半導体放射線検出器として適している。 以上、上記した実施例２、３、５では保護膜の
材料として非晶質半導体を用いたが、電気的に絶
縁性の物質ならば他の物質も有効で、例えば
SiO2などが考えられる。
放射線は、半導体放射線検出器の空乏層形成の
ために一導電形の単結晶半導体基板とその上に被
着された非晶質半導体層の間のヘテロ接合を利用
したもので、非晶質半導体層の形成が基板を低温
に保つたままできるため、単結晶基板の悪影響を
及ぼすことがなく、またヘテロ接合形成の両材料
が安定であるため経年変化がない。さらにpn接
合部分のエネルギ障壁を非晶質シリコン中への適
当な不純物添加によつて大きくでき、体積逆漏れ
電流を低減させることもできる。あるいは、不純
物の添加により素子の抵抗を下げ、多くの検出信
号が流れ込むようにもできる。この半導体検出器
は製造工程が簡単であり、あらためてパツシベー
シヨンを行なう必要がないなどコストダウンが可
能である。そのほか、本発明によれば大面積の均
一な接合が得られるので大面積の半導体放射線検
出器を製造することも可能になるなど得られる効
果は極めて大きい。
ために一導電形の単結晶半導体基板とその上に被
着された非晶質半導体層の間のヘテロ接合を利用
したもので、非晶質半導体層の形成が基板を低温
に保つたままできるため、単結晶基板の悪影響を
及ぼすことがなく、またヘテロ接合形成の両材料
が安定であるため経年変化がない。さらにpn接
合部分のエネルギ障壁を非晶質シリコン中への適
当な不純物添加によつて大きくでき、体積逆漏れ
電流を低減させることもできる。あるいは、不純
物の添加により素子の抵抗を下げ、多くの検出信
号が流れ込むようにもできる。この半導体検出器
は製造工程が簡単であり、あらためてパツシベー
シヨンを行なう必要がないなどコストダウンが可
能である。そのほか、本発明によれば大面積の均
一な接合が得られるので大面積の半導体放射線検
出器を製造することも可能になるなど得られる効
果は極めて大きい。
第１図は本発明の第一の実施例の断面図、第２
図は第二の実施例の断面図、第３図は第三の実施
例の断面図、第４図は従来の半導体放射線検出器
の断面図で、ａ，ｂは表面障壁形、ｃはｐ−ｎ接
合形、第５図は本発明の実施に用いられる非晶質
シリコン生成装置の一例の配置図、第６図、第７
図はそれぞれ本発明の第四、第五の実施例の断面
図である。 １：ｐ型単結晶シリコン板、２：りん添加非晶
質シリコン膜、３，４：金属電極、５：アンドー
プ非晶質シリコン膜、６：炭素添加非晶質シリコ
ン膜、７：ｎ型単結晶シリコン板、８：ほう素添
加非晶質シリコン膜。
図は第二の実施例の断面図、第３図は第三の実施
例の断面図、第４図は従来の半導体放射線検出器
の断面図で、ａ，ｂは表面障壁形、ｃはｐ−ｎ接
合形、第５図は本発明の実施に用いられる非晶質
シリコン生成装置の一例の配置図、第６図、第７
図はそれぞれ本発明の第四、第五の実施例の断面
図である。 １：ｐ型単結晶シリコン板、２：りん添加非晶
質シリコン膜、３，４：金属電極、５：アンドー
プ非晶質シリコン膜、６：炭素添加非晶質シリコ
ン膜、７：ｎ型単結晶シリコン板、８：ほう素添
加非晶質シリコン膜。
Claims (1)
- １ 一導電形の単結晶半導体基板上に不純物の添
加によつて逆導電形にされた非晶質半導体層が被
着されて成るヘテロ接合を有することを特徴とす
る半導体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260158A JPS61137374A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260158A JPS61137374A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137374A JPS61137374A (ja) | 1986-06-25 |
| JPH0447991B2 true JPH0447991B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=17344120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59260158A Granted JPS61137374A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137374A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0732135B2 (ja) * | 1987-10-07 | 1995-04-10 | 松下電器産業株式会社 | ヘテロ接合素子の製造方法 |
| JP2707555B2 (ja) * | 1987-10-12 | 1998-01-28 | 松下電器産業株式会社 | 半導体放射線検出器 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP59260158A patent/JPS61137374A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61137374A (ja) | 1986-06-25 |
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