JPH0395930A - ショットキバリヤダイオード - Google Patents
ショットキバリヤダイオードInfo
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- JPH0395930A JPH0395930A JP23313689A JP23313689A JPH0395930A JP H0395930 A JPH0395930 A JP H0395930A JP 23313689 A JP23313689 A JP 23313689A JP 23313689 A JP23313689 A JP 23313689A JP H0395930 A JPH0395930 A JP H0395930A
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- amorphous silicon
- insulator
- schottky barrier
- barrier diode
- insulating film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はショットキバリヤダイオードの構造に関するも
のである． （従来技術と解決すべき問題点） ショットキダイオードは第１図に示す如く、高濃度Ｎ″
型半導体基板（ｌ）．上に、これと同一導電型の低濃度
半樽体（２）をのせたのち、この表面に金属、シリサイ
ド等ショットキバリアダイオードを作るためのバリアメ
タル（３）をつけ、また前記高濃度半導体基板（１）の
表面にはオーミックメタル（４）をつけて形成される。
のである． （従来技術と解決すべき問題点） ショットキダイオードは第１図に示す如く、高濃度Ｎ″
型半導体基板（ｌ）．上に、これと同一導電型の低濃度
半樽体（２）をのせたのち、この表面に金属、シリサイ
ド等ショットキバリアダイオードを作るためのバリアメ
タル（３）をつけ、また前記高濃度半導体基板（１）の
表面にはオーミックメタル（４）をつけて形成される。
また耐圧の安定化を図るため、第２図に示すように低濃
度半導体層（２）と反対導電型の半導体（Ｐ”″）（５
）や、絶縁物例えばＳｉｎ２膜（６）をっけ、これらに
またがってバリアメタル（３）をつけるオーバレイ構造
をとるのが通常である。
度半導体層（２）と反対導電型の半導体（Ｐ”″）（５
）や、絶縁物例えばＳｉｎ２膜（６）をっけ、これらに
またがってバリアメタル（３）をつけるオーバレイ構造
をとるのが通常である。
ところでこのような構造をもつショットキダイオードに
おいては、Ｓ１０２膜（６゛）の形戒は、一般に１００
０度以上の高温雰囲気で熱酸化等の方法により形成され
る．またそのため高濃度Ｎ゛層（１）から低濃度Ｎ層（
２）への不純物拡散、熱処理による結晶格子欠陥の発生
が生じる。このため（Ｐ＋）層（５）の選択拡散、Ｓ１
０２膜（６）の遺択形戒等の工程と、それに伴う諸現象
の管理に十分な注意が必要である。
おいては、Ｓ１０２膜（６゛）の形戒は、一般に１００
０度以上の高温雰囲気で熱酸化等の方法により形成され
る．またそのため高濃度Ｎ゛層（１）から低濃度Ｎ層（
２）への不純物拡散、熱処理による結晶格子欠陥の発生
が生じる。このため（Ｐ＋）層（５）の選択拡散、Ｓ１
０２膜（６）の遺択形戒等の工程と、それに伴う諸現象
の管理に十分な注意が必要である。
（発明の目的）
本発明はショットキバリヤダイオードにおける上記の問
題を解消し、耐圧の安定化を図ると共に製作容易にして
、格子欠陥の少ないショットキダイオードの提供を目的
とする．（問題点を解決するための本発明の手段）第３
図、第４図は前記したオーバーレイ構造をとるショット
キダイオードにおける本発明の一実施例構造である。本
発明の特徴とするところは従来例と対比して明瞭なよう
に絶縁物としてＳｉＯ２（８）に代えてアモル′ノアス
シリコン系絶縁物（６ａ）を設けた点にある。この構或
によればアモルファスシリコン（以下ａ−ＳｉＸ）（Ｘ
はＨ．Ｆ．Ｄ，Ｎ、Ｃ等を指す）は例えばＲＦ高周波グ
ロー放電法（以下ＲＰＣＶＤ）により１００℃〜３００
℃位の温度で形或でき、しかも絶縁物として優れた膜（
抵抗が高く、誘電率の小さいもの）が容易に形成できる
ので高温の加工工程が不要となり基板の結晶欠陥の発生
を防止したダイオードを提供できる．第５図は第３図に
示す実施例構造の製造工程を示す工程別断面図で、（ａ
）は不純物濃度の高いＮ＋基板（１）にＮ層（２）をエ
ビタキシャル或長させたエビタキシャルウェファ−の１
部分を示す．次ぎに（ｂ）に示す様に公知の方法で絶縁
度の高いアモルファスシリコン系絶縁層６ａを形或する
。次に写真処理とエッチング技術によりシットキーパリ
ャを作る面のアモルファスシリコンを除去する。次いで
蒸着等により（３）に示す様にシットキーバリャメタル
を形戒する．更に（５）に示す様に蒸着、あるいは２パ
ッタ等によりオーミックメタル（４）を形或する。この
様にして低温の処理のみにてショットキーバリャダイオ
ードを作ることが出来る． なお、実験によれば次のように構成することによりＳ
ｉ Ｏ ｘに代り、これとほぼ等のａ −Ｓｉｘを形成
できた．第６図は本発明に適用するａ−Ｓｉｘ形成のた
めのＣＶＤ装置の概略構成図であり、図中（７）は真空
反応室（チャンバー）、８は高周波（１３．５６ＭＨ．
）電源、９はＲＦ電極、１０は加熱手段を含む半導体
基板支持具、１１はシリコンウェハ１２は圧力調整バル
ブ、１３はブースタボンブ、１４は真空ボンブ、１５は
反応ガス導入バイブである。上記の装置により第一表の
堆積条件の下にａ−Ｓ ｉ ｘ膜の堆積が行われた。
題を解消し、耐圧の安定化を図ると共に製作容易にして
、格子欠陥の少ないショットキダイオードの提供を目的
とする．（問題点を解決するための本発明の手段）第３
図、第４図は前記したオーバーレイ構造をとるショット
キダイオードにおける本発明の一実施例構造である。本
発明の特徴とするところは従来例と対比して明瞭なよう
に絶縁物としてＳｉＯ２（８）に代えてアモル′ノアス
シリコン系絶縁物（６ａ）を設けた点にある。この構或
によればアモルファスシリコン（以下ａ−ＳｉＸ）（Ｘ
はＨ．Ｆ．Ｄ，Ｎ、Ｃ等を指す）は例えばＲＦ高周波グ
ロー放電法（以下ＲＰＣＶＤ）により１００℃〜３００
℃位の温度で形或でき、しかも絶縁物として優れた膜（
抵抗が高く、誘電率の小さいもの）が容易に形成できる
ので高温の加工工程が不要となり基板の結晶欠陥の発生
を防止したダイオードを提供できる．第５図は第３図に
示す実施例構造の製造工程を示す工程別断面図で、（ａ
）は不純物濃度の高いＮ＋基板（１）にＮ層（２）をエ
ビタキシャル或長させたエビタキシャルウェファ−の１
部分を示す．次ぎに（ｂ）に示す様に公知の方法で絶縁
度の高いアモルファスシリコン系絶縁層６ａを形或する
。次に写真処理とエッチング技術によりシットキーパリ
ャを作る面のアモルファスシリコンを除去する。次いで
蒸着等により（３）に示す様にシットキーバリャメタル
を形戒する．更に（５）に示す様に蒸着、あるいは２パ
ッタ等によりオーミックメタル（４）を形或する。この
様にして低温の処理のみにてショットキーバリャダイオ
ードを作ることが出来る． なお、実験によれば次のように構成することによりＳ
ｉ Ｏ ｘに代り、これとほぼ等のａ −Ｓｉｘを形成
できた．第６図は本発明に適用するａ−Ｓｉｘ形成のた
めのＣＶＤ装置の概略構成図であり、図中（７）は真空
反応室（チャンバー）、８は高周波（１３．５６ＭＨ．
）電源、９はＲＦ電極、１０は加熱手段を含む半導体
基板支持具、１１はシリコンウェハ１２は圧力調整バル
ブ、１３はブースタボンブ、１４は真空ボンブ、１５は
反応ガス導入バイブである。上記の装置により第一表の
堆積条件の下にａ−Ｓ ｉ ｘ膜の堆積が行われた。
く第一表〉
又、上記の条件の他、導入ガス中に窒素（１１）炭素（
Ｃ）、酸素（０）等の１つ又は複数を同時に入すること
により、光感度を持たない絶縁物として更に優れたａ−
ＳｉＸ膜（例ａ−３ ｉ Ｈ， ａ−Ｓ ｉ
ＨＦ． ａ−Ｓ ｉＮＨ，ａ−Ｓ ｉ ＣＨ
， ａ−Ｓ ｉ ＯＨ． ａ−ＳｉＯＮＨ）を
得ることができる．なお、ａ Ｓ ｉ Ｘ膜形成法と
しては上記の他マイクロ波（２．４５ＧＨ７）放電法や
有磁場マイクロ波放電法による堆積法が知られているが
、この方法でも従来のＳ ｉ Ｏ ｔに代るものとして
、充分有効な結果が得られている． （発明の効果） 以上のように本発明によれば、耐圧安定化のためのオー
バーレイ構造において絶縁膜を低温で形成できるので製
造工程が簡易であると同時にショットキバリャを高温破
壊から防止でき、しかも結晶欠陥をなくした高信頼度の
ショットキダイオードが提供できるので、実用土の効果
は大きい． 及び第５図は本発明の一実施例構造図及びその製造工程
断面図、第６図は本発明に適用するＣＶＤ堆積装置の概
略構成図である。図中（１）は高濃度Ｎ″′型半導体基
板、（２）は低濃度Ｎ型半導体層（エビ層）、（３）シ
ョットキバリャメタル、（４）はオーミックメタル、（
５）はＰ＋型半導体層、（６）はＳ１０２膜、（６ａ）
はアモルファスシリコン系絶縁膜である．
Ｃ）、酸素（０）等の１つ又は複数を同時に入すること
により、光感度を持たない絶縁物として更に優れたａ−
ＳｉＸ膜（例ａ−３ ｉ Ｈ， ａ−Ｓ ｉ
ＨＦ． ａ−Ｓ ｉＮＨ，ａ−Ｓ ｉ ＣＨ
， ａ−Ｓ ｉ ＯＨ． ａ−ＳｉＯＮＨ）を
得ることができる．なお、ａ Ｓ ｉ Ｘ膜形成法と
しては上記の他マイクロ波（２．４５ＧＨ７）放電法や
有磁場マイクロ波放電法による堆積法が知られているが
、この方法でも従来のＳ ｉ Ｏ ｔに代るものとして
、充分有効な結果が得られている． （発明の効果） 以上のように本発明によれば、耐圧安定化のためのオー
バーレイ構造において絶縁膜を低温で形成できるので製
造工程が簡易であると同時にショットキバリャを高温破
壊から防止でき、しかも結晶欠陥をなくした高信頼度の
ショットキダイオードが提供できるので、実用土の効果
は大きい． 及び第５図は本発明の一実施例構造図及びその製造工程
断面図、第６図は本発明に適用するＣＶＤ堆積装置の概
略構成図である。図中（１）は高濃度Ｎ″′型半導体基
板、（２）は低濃度Ｎ型半導体層（エビ層）、（３）シ
ョットキバリャメタル、（４）はオーミックメタル、（
５）はＰ＋型半導体層、（６）はＳ１０２膜、（６ａ）
はアモルファスシリコン系絶縁膜である．
Claims (1)
- 高濃度半導体基板上に低濃度半導体層を設け、この低濃
度半導体層表面に絶縁物に跨ってシヨットキバリヤ形成
物を付着させたシヨットキバリヤダイオードにおいて、
前記絶縁物として高周波グロー放電法により形成された
アモルファスシリコンを主体とし、Ｏ、Ｎ、Ｃ、Ｈ、Ｆ
原子の少なくとも１つ以上をもつ絶縁膜を用いたことを
特徴とするシヨットキバリヤダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23313689A JPH0395930A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | ショットキバリヤダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23313689A JPH0395930A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | ショットキバリヤダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395930A true JPH0395930A (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=16950297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23313689A Pending JPH0395930A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | ショットキバリヤダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0395930A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0982768A1 (de) * | 1998-08-21 | 2000-03-01 | Asea Brown Boveri AG | Verfahren zur Einstellung der Trägerlebensdauer in einem Halbleiterbauelement |
| US6583485B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-06-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Schottky diode |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP23313689A patent/JPH0395930A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0982768A1 (de) * | 1998-08-21 | 2000-03-01 | Asea Brown Boveri AG | Verfahren zur Einstellung der Trägerlebensdauer in einem Halbleiterbauelement |
| US6475876B2 (en) | 1998-08-21 | 2002-11-05 | Abb Schweiz Holding Ag | Process for fabricating a semiconductor component |
| US6583485B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-06-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Schottky diode |
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