JPH01269943A

JPH01269943A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH01269943A
Application number: JP9668788A
Authority: JP
Inventors: Hideji Sakamoto; 坂元　秀治
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1988-04-21
Filing date: 1988-04-21
Publication date: 1989-10-27
Anticipated expiration: 2012-11-19
Also published as: JP2680599B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、電子写真感光体に関し、より詳しくは、長期
間にわたって優れた機械的強度および電子写真特性を維
持し、種々の電子写真分野に好適に利用できる電子写真
感光体に関する。

〔従来の技術〕

最近の電子写真感光体は、感光層が少なくとも、露光に
より電荷を発生する電荷発生層と電荷を輸送する電荷輸
送層の二層を有する積層型の有機電子写真感光体が主流
となってきている。この積層型の有機感光体において、
電荷輸送層のバインダー樹脂として、ビスフェノールＡ
を原料とするポリカーボネート樹脂が広く利用されてい
る。

ビスフェノールＡを原料とするポリカーボネート樹脂は
、電荷輸送材料との相溶性が良いため感光体として作製
した場合に電気特性が良好であり、また比較的機械的強
度が大きいという特徴を有している。

しかしながら、バインダー樹脂としてビスフェノール八
を原料とするポリカーボネート樹脂を用いて電荷輸送層
を形成した場合には、下記の■〜■等の問題点があるこ
とが明らかになった。

■　感光体作製時において、電荷輸送層を塗布する際、
用いる溶媒によっては塗工液が白化（ゲル化）したり、
電荷輸送層が容易に結晶化を起こすことがある。この結
晶化を起こした部分では光減衰がなく、電荷は残留電位
となって残り、Ｎ買上ディフヱクトとなって出現する。

■　電荷輸送層の塗布時に用いる溶媒によって、ビスフ
ェノールＡを原料とするポリカーボネート樹脂のソルベ
ントクラックという現象が生じる。

すなわち、−度塗布形成された電荷輸送層を再び他の溶
媒にさらすことによって、電荷輸送層の機械的強度が著
しく低下するという現象が生じる。

このような感光体を用いて、複写機中で長時間回転させ
ると電荷輸送層に亀裂が生じ、それがコピー上にひび割
れ模様となって現れる。

■　ビスフェノールＡを原料とするポリカーボネート樹
脂を用いた電荷輸送層は、下地との密着性が悪く、剥離
しやすいため、結局は耐刷寿命が短くなるという欠点が
ある。ここで言う下地とは、通常の場合電荷発生層を指
すが、正帯電型電子写真感光体のように導電体の上に電
荷輸送層および電荷発生層を順次積層する場合には、導
電体が下地となり、また、電子写真特性の向上を目的に
導電体と電荷輸送層または電荷発生層と電荷輸送層との
間にブロッキング層や中間層を設けた場合には、それら
の層が下地となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、前記事情に基づいてなされたものである。

本発明の目的は、電荷輸送層のバインダー樹脂としてビ
スフェノールＡを原料とするポリカーボネート樹脂を用
いた従来の電子写真感光体に認められる上記の問題点を
解決し、電子写真感光体の作製時に塗工液が白化（ゲル
化）したりソルベントクラックを発生することがなく、
長期間にわたって優れた機械的強度および電子写真特性
を維持する実用上著しく優れた電子写真感光体を提供す
ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者は、前記問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた
結果、感光層、特に感光層を構成する電荷輸送層中にバ
インダー樹脂として特定の構造のポリカーボネート樹脂
を用いた電子写真感光体が、ビスフェノールＡを原料と
するポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂として用い
た従来の電子写真感光体に認められるような上記の如き
問題点がなく、感光体の作製時に塗工液が白化（ゲル化
）したりソルベントクラックを発生するとがなく、しか
も長期使用期間にわたって優れた機械的強度および電子
写真特性を維持することを見出し、この知見に基づいて
本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、導電性基板上に感光層を設けた電子
写真感光体において、該怒光層中に下記Ｒ：およびＲｔは、各々独立に水素原子、炭素数１〜６のア
ルキル基または炭素数６〜１２のアリール整数を表す、
　）　、−１ｃｍＣＨｔ−ｈｒ−（但し、ｐは２〜１０
の整数を表す、）、単結合、−Ｏ−、−５−１−ＳＯ−
または−８Ｏ！−を表す、また、式（Ｉ）中のＹｉおよ
びｙｚは、各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６の
アルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基を表し
、Ｓおよびｔは各々独立に０〜３の整数を表す。〕で表
される繰り返し単位からなるポリカーボネート、あるい
は前記−形成（Ｉ）で表される繰り返し単位と下記−形
成〔ここで、式（Ｉｔ）中のＲ３およびＲ４は、各々独
立にハロゲン原子または炭素数１〜６のアルキル基を表
し、ｋおよびｍは、各々独立に０〜４の整数を表し、Ｘ
８は前記式ＣＩ）中のＸＩ　と同様の意味を表す、但し
、ＸｌとＸ２は、互いに同一であってもよく、相違して
いてもよい、〕で表される繰り返し単位からなるポリカ
ーボネート共重合体をバインダー樹脂として用いること
を特徴とする電子写真感光体である。

前記−Ｃ−中の、Ｒ１およびＲｚのそれぞれの具体側と
しては、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、１−メチルプロピ
ル基、２−メチルプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソ
ヘキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、トリ
メチルフェニル基、エチルフェニル基、ナフチル基、メ
チルナフチル基、ビフェニル基など挙げることができる
。これらの中でも特にメチル基、フェニル基等が好まし
い。なお、Ｒ’　とＲｔとは、互いに同一の基であって
もよく、あるいは異なった基であっでもよい。

Ｉ前記−Ｃ−基の中でも、特に好適なものとして、Ｈする。

一シクロペンチリデン基、１，１−シクロヘキシリデン
基、１，１−シクロオクチリデン基等を挙げろことがで
きる。これらの中でも、特に１．１−シクロヘキシリデ
ン基等が好ましい。

前記−（−Ｃ）１．−）、基の具体例としては、例えば
メチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメ
チレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカ
メチレン基などを挙げることができる。

これらの中でも、特に好適なものとしてジメチレン基な
どを挙げることができる。

前記Ｒ３およびＲ４のそれぞれの具体例としては、例え
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｌ−メチルプロピル基、２−メチ
ルプロピルＬｔｅｒｔ−７’チル基、ｎ−ペンチル基、
イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イ
ソヘキシル基等を挙げることができる。

なお、Ｒ３とＲ４とは、互いに同一の基であってもよく
、異なった基であってもよい。

また、式（Ｉ［〕で表される繰り返し単位が複数のＲ３
基を有する場合、これらのＲ２基は、同一の基であって
もよく、あるいは相違していてもよく、複数のＲ４基を
有する場合、これらのＲ４基は、同一の基であってもよ
く、相違していてもよい。

前記におよびｍは、各々独立に０〜４の整数を表すが、
中でも特にに＝ｍ＝Ｑの場合等が好ましい。

前記ＹｌおよびＹ２のそれぞれの具体例としては、前記
Ｒ３およびＲ４として例示した各種の基、あるいはフェ
ニル基、トリル基、キシリル基、エチルフェニル基、ナ
フチル基などを挙げることができる。

なお、Ｙｌ　とＹ２とは、互いに同一の基であってもよ
（、あるいは相違していてもよい。

また、式（１）で表される繰り返し単位が、複数のＹｌ
基を有する場合、これらのＹｌ基は、同一の基であって
もよく、あるいは相違していてもよく、複数のＹｌ基を
有する場合、これらのＹ２基は、同一の基であってもよ
く、相違していてもよい。

前記Ｓおよびｔは、各々独立にＯ〜３の整数を表すが、
中でも特に５ｗｔ−００場合が好ましい。

前記−形成（１）で表される繰り返し単位からなるポリ
カーボネート〔以下これをポリカーボネートＣＩ）と略
記することがある。〕は、例えば、（但し、式中Ｘ’、
Ｙ’、Ｙ”、Ｓおよびｔば、それぞれ前記同様の意味を
表す、）で表される二価フェノール類〔以下、これを二
価フェノール１（（１′）と略記することがある。〕と
、ホスゲン等のカーボネート前駆体とを適当な酸結合剤
の存在下に、適当な溶媒中で重縮合するか、あるいは二
価フェノール類（Ｉ’　）とビスアリールカーボネート
とのエステル交換反応によって得ることができる。

また、前記−形成（１３で表される繰り返し単位と前記
−形成（ＩＩ）で表される繰り返し単位からなるポリカ
ーボネート共重合体Ｃ以下これをポリカーボネート共重
合体（ＩＩ）と略記することがある。〕は、１種または
２種以上の前記二価フェノール類（Ｉ′）と１種または
２種以上の次の一般式（但し、式中のＸ”　、Ｒ”　、Ｒ’　、ｋおよびｍは
、それぞれ、前記同様の意味を有する。）で表される二
価フェノール類〔以下、これを二価フェノール類（■′
）と略記することがある。〕と、ホスゲン等のカーボネ
ート前駆体とを適当な酸結合剤の存在下に、適当な溶媒
中で重縮合するか、あるいは二価フェノール類（Ｉ′）
および（■′）とビスアリールカーボネートとのエステ
ル交換反応によって得ることができる。

前記二価フェノール類（Ｉ′）の具体例としては、例え
ば、２．２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、１−フェニル−１，ｌ−ビス（
３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）エタン
、１．１−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、３．３−ビス（３−シクロ
ヘキシル−４−ヒドロヤシフェニル）ペンタン、ビス（
３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、３．３’−ジシクロへキシル−４゜４′−ジヒドロ
キシビフェニル、ビス（３−シクロへキシル−４−ヒド
ロキシフェニル）メタン、１−フェニル−１，１−ビス
（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、１，１−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、１，２−ビス（３−シクロへキシ
ル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１．３−ビス（
３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２．２〜ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、１．４−ビス（３−シクロヘキシ
ル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１．１−ビス（
３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−１−
フェニルブタン、２．２−ビス（３−シクロへキシル−
４−ヒドロキシフェニル）オクタン、１，８−ビス（３
−シクロへキシル−４−ヒドロキシフエニル）オクタン
、ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル
）エーテル、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）スルフィド、ビス（３−シクロへキシル−
４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、１，１−ビス
（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）シク
ロベンクン、２．２−ビス（２−シクロヘキシル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシ−５−シクロヘキシルフェニル）
プロパン、２．２−ビス（２゜３−ジメチル−４−ヒド
ロキシ−５−シクロヘキシルフェニル）プロパン、２．
２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシ−５−シクロヘ
キシルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フェニ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−シ
クロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメ
タン、１．１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘプタン、２．２−ビス（３−シ
クロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）ペンタン等を
挙げることができる。

これらの中でも、特に２．２−ビス（３−シクロヘキシ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ｌ−フェニル
−１，１−ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１．１−ビス（３−シクロヘキシル
−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、３．３−
ビス（３−シクロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）
ペンタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホン等が好適に用いられる。

前記二価フェノール！！（Ｉｌ’）の具体例としては、
例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１．
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１．２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２．２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（
３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２．２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４．４−ヒス
（４−ヒドロキシフェニル）へブタン、１゜１−ビス（
４−ヒドロキシフェニル−１，１−ジフェニル）メタン
、１．１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニル
エタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エ
ーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１．１−ヒ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンクン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２
．２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２−　Ｃ３−）チル−４−ヒドロキシフェニル
）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエ
タン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル
）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、１．１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサン、４゜４′−ジヒドロキシ
ビフェニル、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４
−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１．１−
ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）エタン、１．１−ビス（２−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパ
ン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）ブタン、ｉ、ｉ−ビス（２
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ：／−５−メチルフ
ェニル）イソブタン、１．１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）へブタン
、１．１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１．
１−ビス（２−ｔｅｒｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５
−メチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２．２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキジフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（３，
５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２
，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２．２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロ
キシ−５−クロロフェニル）プロパン、２．２−ビス（
３゜５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２．２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェ
ニル）ブタン、１．１−ビス（３−フルオロ−４−ヒド
ロキシフェニル−１−フェニルエタン、ビス（３−フル
オロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、３．３′−
ジフルオロ−４，４′−ジヒドロキシビフェニル等を挙
げることができる。これらの中でも特に２，２−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）プロパン等が好ましい。

前記酸結合剤としては、公知のものなど各種のものが使
用でき、具体的には、例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物、ピリジン等の有機
塩基あるいはこれらの混合物などが用いられる。

また、溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベン
ゼン、キシレンなどが用いられる。さらに、重縮合反応
を促進するために、トリエチルアミンのような第三級ア
ミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒を、また、
重合度を調整するために、ｐ−ｔ−ブチルフェノールや
フェニルフェノールなどの分子量調節剤を添加して反応
を行うことが望ましい、また、所望に応じ、亜硫酸ナト
リウム、ハイドロサルファイドなどの酸化防止剤を少量
添加してもよい０反応は通常０〜１５０°Ｃ１好ましく
は５〜４０″Ｃの範囲の温度で行われる。

反応時間は反応温度によって左右されるが通常０゜５分
〜１０時間、好ましくは１分〜２時間である。

また、反応中は、反応系のｐＨを１０以上に保持するこ
とが望ましい。

一方、後者のエステル交換法においては、前記二価フェ
ノール化合物とビスアリールカーボネートとを混合し、
減圧下で高温において反応させる。

反応は通常１５０〜３５０°Ｃ１好ましくは２００〜３
００″Ｃの範囲の温度において行われ、また減圧度は最
終で好ましくはｌｍＨｇ以下にして、エステル交換反応
により生成した該ビスアリールカーボネートから由来す
るフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温
度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４時間
程度である０反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰
囲気下で行うことが好ましく、また、所望に応じて前記
の分子量調節剤や酸化防止剤などを添加して、反応を行
ってもよい。

本発明の電子写真感光体の感光層中に使用する前記ポリ
カーボネート（Ｉ）および、前記ポリカーボネート共重
合体（ＩＩ）は、それぞれ塩化メチレンを溶媒とする濃
度０．５ｇ／ｄ１の溶液における２０℃で測定した還元
粘度〔ηｓｐ／ｃ）が通常０．２５ａ／ｇ以上、好まし
くは０．３〜４．０ｄｌ１ｇの範囲内にあるものが、好
適に使用することができる。

前記ボリカーボネー）　（Ｉ）は１種類の前記式（１）
で表される繰り返し単位（Ｕ−Ｉ　）からなる単独重合
体であってもよく、あるいは、任意の割合の２種以−１
・の（Ｕ−Ｉ）からなる共重合体であってもよい。これ
らは、１種単独で用いてもよくあるいは、２種以上を任
意の割合で混合物等として併用することもできる。

前記ポリカーボネート共重合体（ＩＩ）としては、１種
または２種以上の（Ｕ−１）と１種または２種以上の前
記式（ｎ）で表される繰り返し単位（Ｕ−ｎ）からなる
共重合体を使用することができる。ポリカーボネート共
重合体（ＩＩ）における前記繰り返し単位（Ｕ−１）と
（Ｕ−１１）の割合としては特に制限はないが、（Ｕ−
１）を通常１モル％以上、好ましくは５モル％以上とす
るのが適当である。これらのポリカーボネート共重合体
（ｎ）は１種単独で用いてもよく、あるいは、２種以上
を任意の割合で混合物等として併用することもできる。

また、上記ポリカーボネート（１）およびポリカーボネ
ート共重合体（ＩＩ）は互いに２種以上を任意の割合で
混合物等として併用することもできる。

さらに、前記ポリカーボネート（Ｉ）および／またはポ
リカーボネート共重合体（ＩＩ）は本発明の目的に支障
がない限り、他の公知のポリカーボネート等の公知のバ
インダー用樹脂と混合物として、あるいは、別々にして
併用することもできる。

本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に電荷発生層
と電荷輸送層とを有するところの感光層を有するもので
あり、電荷発生層上に電荷輸送層が積層されていてもよ
く、電荷輸送層上に電荷発生層が積層されていてもよい
。また、必要に応じて表面層に導電性または、絶縁性の
保護膜が形成されていてもよい。さらに、各層間の接着
性を向上させるための接着層あるいは電荷のブロッキン
グの役目を果たすブロッキング層等の中間層などが形成
されているものであってもよい。

本発明の電子写真感光体は、その感光層中に、好ましく
は該感光層中の電荷輸送層中に、バインダー樹脂として
、少なくとも前記ポリカーボネート（■）またはポリカ
ーボネート共重合体（ＩＩ）を用いてなるものである。

本発明の電子写真感光体に用いられる導電性基体材料と
しては、公知のものなど各種のものを使用することがで
き、具体的には、例えば、アルミニウム、真ちゅう、銅
、ニッケル、鋼等の金属板もしくは金属シート、ブラッ
クシート上にアルミニウム、ニッケル、クロム、パラジ
ウム、グラファイト等の導電性物質を蒸着、スパッタリ
ング、塗布等によりコーティングするなどして導電化処
理を施したもの、あるいは、ガラス、プラスチック板、
布、紙等の基板に導電処理を施したもの等を使用するこ
とができる。

前記電荷発生層は少なくとも電荷発生材料を有するもの
であり、この電荷発生層はその下地となる基板上に電荷
発生材料をバインダー樹脂を用いて結着してなる層を形
成せしめることによって得ることができる。電荷発生層
の形成方法としては公知の方法等各種の方法を使用する
ことができるが、通常、例えば、電荷発生材料をバイン
ダー樹脂とともに適当な溶媒により分散もしくは溶解し
た塗工液を、所定の下地となる基板上に塗布し、乾燥せ
しめる方法等を好適に使用することができる。

前記電荷発生層における電荷発生材料としては公知のも
のなど各種のものを使用することができ、具体的には、
例えば、非晶質セレン、三方晶セレン等のセレン単位、
セレン−テルル等のセレンの合金、Ａｓ２５ｅｓ等のセ
レン化物もしくはセレン含有組成物、酸化亜鉛、Ｃｄ５
−３ｅ等の第■族および第■族元素からなる無機材料、
酸化チタン等の酸化物系半導体、アモルファスシリコン
などのシリコン系材料等の各種の無機材料、金属もしく
は無金属フタロシアニン、シアニン、アントラセン、ピ
レン、ペリレン、ビリリウム塩、チアビリリム塩、ポリ
ビニルカルバゾール、スクェアリウム顔料等の各種の有
機材料等を挙げることができる。

なお、これらは、１種単独で用いてもよく、あるいは、
２種以上を混合するなどして、併用することもできる。

前記電荷発生層におけるバインダー樹脂とじては、特に
制限はなく公知のものなど各種のものを使用でき、具体
的にはたとえば、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、塩ビー酢ビ共重合体、ポリビニルアセクー
ル、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリロニト
リル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリケトン、ポ
リアクリルアミド、ブチラール樹脂、ポリエステルなど
の熱可塑性樹脂、ボ櫃ウレタン、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂などの熱硬化性樹脂等を使用することができる
。

なお、上記電荷発生層におけるバインダー樹脂として、
前記ポリカーボネート（１）または、ポリカーボネート
共重合体（ＩＩ）を使用することもできる。

なお、これらのバインダー樹脂は、１種単独で用いても
よく、あるいは、２種以上を混合物等として併用しても
よい。

前記電荷輸送層は、その下地となる、基板上に電荷輸送
材料をバインダー樹脂を結着してなる層を形成すること
によって得ることができる。

この電荷輸送層の形成方法としては、公知の方式等の各
種の方式を使用することができるが、通常、たとえば、
電荷輸送材料をバインダー樹脂とともに適当な溶媒に分
散もしくは溶解した塗工液を、所定の下地となる基板上
に塗布し、乾燥する方式などを好適に使用することがで
きる。

本発明の電子写真感光体はその感光層中に、バインダー
樹脂としてし少なくとも前記ポリカーボネート（Ｉ）ま
たはポリカーボネート共重合体を用いてなるものであり
、電荷輸送層におけるバインダー樹脂として、必ずしも
前記ポリカーボネート（１）またはポリカーボネート共
重合体（ＩＩ）を用いるものに限定されるものではない
が、本発明の効果を十分に発揮するためには、電荷輸送
層におけるバインダー樹脂として、前記ポリカーボネー
ト（Ｉ）またはポリカーボネート共重合体（ＩＩ）を使
用することが望ましい。

前記電荷輸送層における電荷輸送材料としては、従来用
いられている電子輸送性物質、正孔輸送性物質のいｆれ
も使用することができる。

電子輸送性物質の具体例としては、例えば、クロロアニ
ル、ブロモアニル、チトラシアノエチレン、テ１−ラシ
アノキノジメタン、２，４．７−１−ジニトロ−９−フ
ルオレノン、２，４，５．７−テトラニトロー９−ヲ川
−ラフルオレノン、２，４゜７−ドリニトロー９−ジシ
アノメチレンフルオレノン、２，４，５．７−テトラニ
トロキサントン、２．４．９−４り会トロチオキサント
ン等の電子吸引物質やこれらの電子吸引物質を高分子化
したもの等がある。なお、これらの、１種単独で用いて
もよ（、あるいは、２種以上を混合するなどして併用す
ることもできる。

正孔輸送物質としては、とレン、Ｎ−エチルカルバゾー
ル、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ−
フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカル
バゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリ
デン−９−エチルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒ
ドラジノ−３−メチリデン−１０−エチルフェノチアジ
ン、Ｎ。

Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エ
チルフェノキサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニ
ルヒドラゾン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ、
Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、１，３．３−）ジメチルイ
ンドレニン−ω−アルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒド
ラゾン、ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベ
ンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、
２，５−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３
，４−オキサジアゾール、１−フェニル−３−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、１−〔キノリル（２））−３−（
ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルア
ミノ、フェニル）ピラゾリン、１−［レピジル（２）］
−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５＝（ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔６−メドキ
シービリジル（２））−３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−〔ピリジル（５））−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２））−３
−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリン、１−　〔ピリジル（２
））−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチ
ル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−〔ピリジル（２））−３゜（α−メチル−ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルア
ミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３（α−ベ
ンジル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）ピラゾリン、スピロピラゾリン
等のピラゾリン類、２−（ｐ　−ジエチルアミノスチリ
ル）−δ−ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−（
ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４−（ｐ−ジメチルア
ミノフェニル）−５−（２−クロロフェニル）オキサゾ
ール等のオキサゾール系化合物、２−（ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−６−ジニチルアミノベンゾチアゾール
等のチアゾール系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−
２−メチルフェニル）−フェニルメタン等のトリアリー
ルメタン系化合物、１．１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルアミノ−２−メチルフェニル）へブタン、１，１，２
．２−テトラキス（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ−２−
メチルフェニル）エタン等のポリアリールアミン類、Ｎ
、　　Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（メチルフェ
ニル）ベンジジン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、　Ｎ′
−ビス（エチルフェニル）ベンジジン、Ｎ、Ｎ′−ジフ
ェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（プロピルフェニル）ベンジジ
ン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ。

Ｎ′−ビス（ブチルフェニル）ベンジジン　Ｎ。

Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、　Ｎ’−ビス（イソプルピルフ
ェニル）ベンジジン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、　Ｎ
’−ビス（第２級ブチルフェニル）ベンジジン、Ｎ、Ｎ
’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（第３級ブチルフェニ
ル）ベンジジン、Ｎ、　Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−
ビスクロロフェニル）ベンジジン等のベンジジン系化合
物、トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリ
ビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェニルアントラ
セン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾ
ール−ホルムアルデヒド樹脂等を挙げることができる。

。なお、これらは、１種単独で用いてもよく、あるいは、
２種以上を混合するなどして併用してもよい。

前記電荷発生層、電荷輸送層の形成の際に使用する前記
溶媒の具体例としては、例えば、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン等の芳香族系溶媒、アセトン
、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、
メタノール、エタノール、イソプロパツール等のアルコ
ール、酢酸エチル、メチルセロソルブ等のエステル、四
塩化炭素、四臭化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン
、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミ
ド等を挙げることができる。

これらの溶媒は、１種単独で使用してもよく、あるいは
、２種以上を混合溶媒として併用してもよい。

各層の塗布は公知のものなど各種の塗布装置を用いて行
うことができ、具体的には、例えば、アプリケーター、
スプレーコーター、バーコーター、デイツプコーター、
ロールコータ−、ドクタブレード等を用いて行うことが
できる。

本発明の電子写真感光体は、その作製時に塗工液が白化
（ゲル化）したり、ソルベントクラックを発生すること
がなく、しかも、繰り返し長時間にわたって使用しても
、優れた、機械的強度および電子写真特性を維持する実
用上著しく優れた電子写真感光体であり、各種の電子写
真分野に好適に利用することができる。

〔実施例〕

実施例１内容量１ｆのフラスコに２．２−ビス（３−シクロヘキ
シル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン１００　ｇ　
（０，２５ｍｏｌ）を３規定濃度の水酸化カリウム水溶
液６００Ｉ１１に溶解させた溶液と塩化メチレン２５０
ＩＩｉを加え、外部冷却により液温を１０℃付近に保ち
ながらホスゲンを３４０ａｄ／分の割合で３０分間吹き
込んだ、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．７ｇと０
．５　Ｍ　トリエチルアミン水溶液２ｄとを加え１時間
攪拌し、重合させた。重合終了後、有機相に塩化メチレ
ン５００Ｉ１１を加えて希釈し１、水、希塩酸、水の順
に洗浄した後、メタノール中に投入してポリカーボネー
トを得た。

この重合体は塩化メチレンを溶媒とする濃度０゜５ｇ／
ａの溶液の２０°Ｃにおける還元粘度〔ηｓｐ／ｃ）が
０．６０ｄ１／ｇで、’ｒｇは１２８　’Ｃであった。

’Ｈ−ＮＭＲスペクトル分析より下記の繰り返し単位か
らなることが確認された。

電荷輸送物質として、下記のヒドラゾン化合物を５０ｗ
ｔ％含んだ上記ポリカーボネートの１０−ｔ％のテトラ
ヒドロフラン溶液を調製した。この塗工液は十カ月間放
置しても、白濁、ゲルの発生等は見られなかった。導電
性基板をアルミニウムとして、下記のジスアゾ顔料を用
いた約０．５μｍの電荷発生層上にこの塗工液を浸漬塗
工法により塗布し、乾燥後２０μｍの電荷輸送層を設け
て積層型電子写真感光体を作製した。塗布時に電荷輸送
層が結晶化することはなかった。また、この電子写真感
光体のコロナ帯電直後の受容電位、暗所５秒後の表面電
位、光照射後の残留電位、半減露光量等の電子写真特性
はビスフェノールＡポリカーボネートをバインダー樹脂
に用いた電子写真感光体（比較例１）とほとんど変わら
なかった。また、この電荷輸送層の表面硬度（鉛筆硬度
：ＪＩＳ−に−５４００）は、Ｈであった。

ヒドラゾン化合物：２Ｈ５ジスアゾ顔料：実施例２モノマーとして２，２−ビス（３−シクロへキシル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン１００ｇ　（０，２５
ｍｏｌ）に代えて２，２−ビス（３−シクロヘキシル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン８０ｇ（０，２ｍｏ
ｌ）と２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン１１．４　ｇ　（０，０５ｍｏｌ）を用いた他は実施
例１と同様にして、下記の構造単位よりなるポリカーボ
ネート共重合体（［ηｓｐ／ｃ］−０，５８ｄｌ／ｇ、
７μｍ１３２°Ｃ）を得た。

この共重合体を用いて、実施例１と同様にして積層型電
子写真感光体を作製した。

塗工液の安定性、塗布時の結晶化、電子写真特性、表面
硬度の評価結果は、実施例１と同様であった。

実施例３七ツマ−として１−フェニル−１，１−ビス（３−シク
ロへキシル−４−ヒドロキシフェニル）エタン８１．２
　ｇ　（０，１７５ｍｏｌ）とビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン１６．５ｇ（０，０７５ｍｏｌ）を用
いた他は実施例１と同様にして、下記の構造単位からな
るポリカーボネート共重合体（（７７３１）／Ｃ）　＝
０．６１ｄｌ／ｇ、　７μｍ　１５６°Ｃ）を得た。

実施例４モノマーとして２．２−ビス（３−シクロへキシル−４
−ヒドロキシフェニル）ペンタン８５．６ｇ　（０，２
，ｍｏｌ）と２，２−ビス（３−メチル−４＝ヒドロキ
シフエニル）プロパン２１．４ｇ（０，０５ｍｏｌ）を
用いた他は実施例１と同様にして、下記の構造単位から
なるポリカーボネート共重合体°（（ηｓｐ／ｃ）　＝
０．５９ｄ／ｇ、　Ｔｇ＝１２６°Ｃ）で得た。

実施例５モノマーとして１．１−ビス（３−シクロヘキシル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１１０　ｇ　（
０，２５ｎ＋ｏｌ）を用いた他は実施例１と同様にして
、下記の構造単位からなるポリカーボネート（（７７３
１）／Ｃ）　＝０．６０ｄｌ／ｇ、　Ｔｇ＝１４４’Ｃ
）を得た。

この重合体を用いて、実施例１と同様にして積層型電子
写真感光体を作製した。

実施例６モノマーとして、１．１−ビス（３−シクロへキシル−
４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン８８　ｇ　（
０，２ｍｏｌ）と４．４′−ジヒドロキシテトラフェニ
ルメタン１８　ｇ　（０，０５ｍｏｌ）を用いた他は実
施例１と同様にして、下記の構造単位からなるポリガー
ボネート共重合体（〔ηｓｐ／ｃ）　＝　０．６２ｄｌ
／ｇＳＴｇ−１５８°Ｃ）を得た。

比較例１モノマーとして２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）プロパン５７　ｇ　（０，２５ｍｏｌ）を用いた他は
実施例１と同様にして、下記の構造単位からなるビスフ
ェノール系ポリカーボネート（〔ηｓｐ／ｃ）　＝０．
６２ｄｌ／ｇ、Ｔｇ＝１４８°Ｃ）を得た。

Ｃ８゜この重合体を用いて、実施例１と同様にして積層型電子
写真感光体を作製を試みた。

その結果、塗工液は２日目に白濁し、ゲルが発生した。

また、塗布時に電荷輸送層の一部が結晶化（白化）した
、また、電荷輸送層の表面硬度はＢであった。

〔発明の効果〕

本発明によると、感光層中、特に感光層中の電子輸送層
中に、特定構造を有するポリカーボネートをバインダー
樹脂として用いているので、電子写真感光体の作製時に
おいて塗工液が白化（ゲル化）したり、ソルベントクラ
ックを発生することがなく、しかも繰り返し長時間使用
しても優れた機械的強度および電子写真特性を維持する
実用上著しく有利な電子写真感光体を提供することがで
き、その工業的価値は極めて大である。

Claims

【特許請求の範囲】１、導電性基板上に感光層を設けた電子写真感光体にお
いて、該感光層中に下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕〔ここで、式〔 I 〕中のＸ＾１は、▲数式、化学式、
表等があります▼（但しＲ＾１およびＲ＾２は、各々独
立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数
６〜１２のアリール基を表す、）▲数式、化学式、表等
があります▼（但し、ｎは４〜１０の整数を表す、）、▲数式、化学式、表等
があります▼ （但し、ｐは２〜１０の整数を表す。）、単結合、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−または−ＳＯ＿２−を表す。また、式〔 I 〕中のＹ＾１およびＹ＾２は、各々独立
に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、または
炭素数６〜１２のアリール基を表し、ｓおよびｔは各々
独立に０〜３の整数を表す。〕で表される繰り返し単位
からなるポリカーボネート、あるいは前記一般式〔 I 〕で表される繰り返し単位と下記一般式▲数式、
化学式、表等があります▼〔II〕〔ここで、式〔II〕中のＲ＾３およびＲ＾４は、各々独
立にハロゲン原子または炭素数１〜６のアルキル基を表
し、ｋおよびｍは、各々独立に０〜４の整数を表し、Ｘ
＾２は前記式〔 I 〕中のＸ＾１と同様の意味を表す、
但し、Ｘ＾１とＸ＾２は、互いに同一であってもよく、
相違していてもよい。〕で表される繰り返し単位からな
るポリカーボネート共重合体をバインダー樹脂として用
いることを特徴とする電子写真感光体。