JP3155788B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JP3155788B2 JP3155788B2 JP26685891A JP26685891A JP3155788B2 JP 3155788 B2 JP3155788 B2 JP 3155788B2 JP 26685891 A JP26685891 A JP 26685891A JP 26685891 A JP26685891 A JP 26685891A JP 3155788 B2 JP3155788 B2 JP 3155788B2
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Description
し、より詳しくは、長時間にわたって優れた機械的強度
及び電子写真特性を維持し、種々の電子写真分野に好適
に利用できる単層型電子写真感光体に関する。
型の電子写真感光体、即ち、感光層が、露光により電荷
を発生させる電荷発生層(CGL)と電荷を輸送する電
荷輸送層(CTL)との少なくとも2層を有する積層型
の電子写真感光体(OPC)や、感光層が電荷発生材料
及び電荷輸送材料をバインダー樹脂に分散させた1層か
らなる単層型の電子写真感光体が提案され利用されてい
る。積層型の電子写真感光体の電荷輸送層及び単層型電
子写真感光体の感光層のバインダー樹脂としては、両者
ともビスフェノールAを原料とするポリカーボネート樹
脂が広く利用されている。
ネート樹脂は、電荷輸送物質との相溶性が良いため、感
光体として作製した場合に電気特性が良好であり、また
比較的機械的強度が大きいという特徴を有している。
ビスフェノールAあるいはビスフェノールZを原料とす
るポリカーボネート樹脂を用いて感光層を形成した場合
には、下記の、等の問題点があることが明らかにな
った。 感光体作製時において、感光層を塗布する際、用い
る溶媒によっては塗工液が白化(ゲル化)したり、感光
層が容易に結晶化を起こすことがある。この結晶化を起
こした部分では、光減衰がなく、電荷は残留電位となっ
て残り、画質上ディフェクトとなって出現する。 上記ビスフェノールAあるいはビスフェノールZを
原料とするポリカーボネート樹脂を用いた感光層は、下
地との密着性が悪く剥離しやすかったり、表面硬度不足
のため傷ついたり、表面が摩耗して耐刷寿命が短くなる
という欠点がある。ここで言う下地とは、通常の場合、
単層型感光体では導電性基板を指す。
基づいてなされたものである。本発明の目的は、感光層
のバインダー樹脂としてビスフェノールAやビスフェノ
ールZを原料とするポリカーボネート樹脂を用いた従来
の電子写真感光体に認められる上記の問題点を解決し、
電子写真感光体の作製時に塗工液が白化(ゲル化)した
りすることがなく、長期間にわたって優れた表面硬度、
接着性等の機械的強度及び電子写真特性を維持する実用
上著しく優れた電子写真感光体を提供することにある。
点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、感光層のバイン
ダー樹脂として特定の構造のポリカーボネート樹脂を用
いた電子写真感光体が、ビスフェノールAやビスフェノ
ールZを原料とするポリカーボネート樹脂をバインダー
樹脂として用いた従来の電子写真感光体に認められるよ
うな上記の如き問題点がなく、感光体の作製時に塗工液
が白化(ゲル化)したりすることがなく、しかも長期使
用期間にわたって優れた表面硬度、接着性等の機械的強
度及び電子写真特性を維持することを見出し、この知見
に基づいて本発明を完成するに至った。
からなる感光層を設けた単層型電子写真感光体におい
て、該感光層のバインダー樹脂として下記一般式(I)
及び(II)
に、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基であり、X
は、−CR5R6−(ただし、R5及びR6は各々独立に、
水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数1〜6のアル
キル基又は炭素数6〜12のアリール基である。)、炭
素数5〜11の1,1−シクロアルキレン基、炭素数2
〜10のα,ω−アルキレン基、−O−、−S−、−S
O−又は−SO2−であり、o、p、q、rは各々独立
に0から4の整数である。]で表される繰り返し単位か
らなり、一般式(I)で表される繰り返し単位の含有割
合が、一般式(I)で表される繰り返し単位と一般式
(II)で表される繰り返し単位との合計に対するモル
比で下記式 0.01≦[(I)/{(I)+(II)}]≦0.9 で表される範囲にあるポリカーボネート樹脂を用いたこ
とを特徴とする電子写真感光体を提供するものである。
るポリカーボネート樹脂は、上記一般式(I)で表され
る繰り返し単位と上記一般式(II)で表される繰り返
し単位とからなり、上記一般式(I)で表される繰り返
し単位を、一般式(I)で表される繰り返し単位と一般
式(II)で表される繰り返し単位との合計に対するモ
ル比で下記式 0.01≦[(I)/{(I)+(II)}]≦0.9 で表される範囲で含有する。
ル比が0.01未満であると、本発明の効果が得られ
ず、塗工液の白化(ゲル化)、電荷輸送層の結晶化等の
防止及び耐刷寿命の向上の達成が不可能となる。一方、
このモル比が0.9を超えた場合には、ポリカーボネー
ト樹脂の一部に結晶化が起こり、電子写真感光体用バイ
ンダー樹脂に適さないものとなる。
い含有割合は、 0.05≦[(I)/{(I)+(II)}]≦0.5 である。
ト樹脂は、本発明の目的に支障のない範囲で、前記以外
の他の繰り返し単位を有していてもよく、また、他のポ
リカーボネート成分や添加物を適宜添加配合して使用す
ることもできる。
は、塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g/dlの溶
液の20℃における還元粘度[ηsp/c]が好ましく
は、0.2〜5.0dl/g、更に好ましくは0.3〜
3.0dl/gの範囲にある。還元粘度[ηsp/c]が
0.2dl/g未満ではポリカーボネート樹脂の機械的
強度が低く、特に、このポリカーボネート樹脂をバイン
ダー樹脂とする層の表面硬度が不足し、感光体が摩耗し
て耐刷寿命が短くなることがある。一方、還元粘度[η
sp/c]が5.0dl/gを超えると、ポリカーボネー
ト樹脂の溶液粘度が上昇し、溶液塗工法による感光体製
造が困難になることがある。
は、下記一般式(III)
味を有する。)で表される4,4′−ジヒドロキシビフ
ェニル化合物(III)及び下記一般式(IV)
様の意味を有する。)で表されるビスフェノール化合物
とホスゲン等の炭酸エステル形成性化合物とを、適当な
酸結合剤の存在下に重縮合するか、あるいは、4,4′
−ジヒドロキシビフェニル化合物(III)及びビスフ
ェノール化合物(IV)とビスアリールカーボネートと
のエステル交換反応などの方法によって得ることができ
る。
−ジヒドロキシビフェニル化合物の代表例としては、具
体的には、4,4′−ジヒドロキシビフェニル、4,
4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジメチルビフェニル、
4,4′−ジヒドロキシ−2,2′−ジメチルビフェニ
ル等が挙げられる。特に好ましくは、4,4′−ジヒド
ロキシビフェニルが用いられる。
ール化合物としては、具体的には、ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)エタン、1,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシ
フェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)オクタン、4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ヘプタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルメタ
ン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)スルホン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス
(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2
−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−(4
−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、ビス
(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、
ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホ
ン、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン、2,2−ビス(2−メチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(2−ブ
チル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ブタン、
1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)エタン、1,1−ビス(2−t
ert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニ
ル)プロパン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−
4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ブタン、1,1
−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−
メチルフェニル)イソブタン、1,1−ビス(2−te
rt−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)
ヘプタン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−
ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−1−フェニルメタ
ン、1,1−ビス(2−tert−アミル−4−ヒドロ
キシ−5−メチルフェニル)ブタン等が挙げられる。こ
れらビスフェノール化合物は、1種単独で用いることも
できるし、また両方を併用することもできる。特に好ま
しくは、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,
1−ジフェニルメタン、2,2−ビス(3−メチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンが用いられる。
例としては、例えば、ホスゲンをはじめとする各種のジ
ハロゲン化カルボニル、あるいはクロロフォルメート化
合物等のハロホルメート類、炭酸エステル化合物などを
挙げることができる。
反応の化学量論比(当量)を考慮して適宜調整すればよ
い。また、ホスゲン等のガス状の炭酸エステル形成性化
合物を使用する場合、これを反応系に吹き込む方法が好
適に採用できる。
トリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸
塩、ピリジン等の有機塩基あるいはこれらの混合物など
が用いられる。酸結合剤の使用割合も、上記同様に、反
応の化学量論比(当量)を考慮して適宜定めればよい。
具体的には、使用する4,4′−ジヒドロキシビフェニ
ル化合物(III)とビスフェノール化合物(IV)の
合計モル数(通常1モルは当量に相当)に対して2当量
若しくはこれより若干過剰量の酸結合剤を用いることが
好ましい。
トの製造に使用されるものなど各種の溶媒を1種単独で
あるいは混合溶媒として使用すればよい。代表的な例と
しては、例えば、キシレン等の炭化水素溶媒、塩化メチ
レン、クロロベンゼンをはじめとするハロゲン化炭化水
素溶媒などが挙げられる。互いに混ざり合わない2種の
溶媒を用いて界面重縮合反応を行なってもよい。
エチルアミンのような第三級アミン又は第四級アンモニ
ウム塩などの触媒を、また、重合度を調整するために、
p−tert−ブチルフェノールやフェニルフェノール
などの分子量調節剤を添加して反応を行なうことが望ま
しい。また、所望に応じ、亜硫酸ナトリウム、ハイドロ
サルファイドなどの酸化防止剤を少量添加してもよい。
反応は、通常0〜150℃、好ましくは5〜40℃の範
囲の温度で行なわれる。反応圧力は、減圧、常圧、加圧
のいずれでも可能であるが、通常は、常圧若しくは反応
系の自圧程度で好適に行ない得る。反応時間は、反応温
度等によって左右されるが、通常0.5分間〜10時
間、好ましくは1分間〜2時間程度である。
ェニル化合物(III)及びビスフェノール化合物(I
V)からなる反応原料の一部と炭酸エステル形成性物質
とを反応させてオリゴマーを生成せしめ、次いで残りの
反応原料を添加して重縮合を完結させる2段階法を用い
ることもできる。このような2段階法によれば、反応の
制御が容易であり、精度の高い分子量コントロールを行
なうことができる。
化合物(III)及ビスフェノール化合物(IV)とビ
スアリールカーボネートとのエステル交換法を用いる場
合の反応形式としては、溶融重縮合法、固相重縮合法な
どが好適である。溶融重縮合法を行なう場合は、上記3
種の単量体を混合し、減圧下で高温において溶融状態で
反応させる。反応は、通常150〜350℃、好ましく
は200〜300℃の範囲の温度において行なわれる。
固相重縮合法を行なう場合は、上記3種の単量体を混合
し、固相状態のまま、生成ポリカーボネート樹脂の融点
以下の温度に加熱して重縮合を行なう。いずれの場合に
おいても、反応の最終段階で減圧度を好ましくは1mm
Hg以下にして、エステル交換反応により生成した上記
ビスアリールカーボネートから由来するフェノール類を
系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧度などに
よって左右されるが、通常1〜4時間程度である。反応
は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行なうこ
とが好ましく、また、所望に応じて前記の分子量調節剤
や酸化防止剤などを添加して反応を行なってもよい。
[ηsp/c]を前記の範囲にするには、例えば、前記反
応条件の選択、分子量調節剤の使用量の調節など各種の
方法によってなすことができる。また、場合により、得
られたポリカーボネート樹脂に適宜物理的処理(混合、
分画など)及び/又は化学的処理(ポリマー反応、架橋
処理、部分分解処理など)を施して所定の還元粘度[η
sp/c]のポリカーボネート樹脂として取得することも
できる。
分離精製法等の各種の後処理を施して、所望の純度(精
製度)のポリカーボネート樹脂として回収することがで
きる。
ーボネート樹脂を単層型感光体中の感光層のバインダー
樹脂として利用する限り、公知の種々の形式の電子写真
感光体はもとより、どのようなものとしてもよい。
発明のポリカーボネート樹脂は、1種単独で使用しても
よいし、2種以上を組合せて用いてもよい。また、所望
に応じて本発明の目的を阻害しない範囲で、他のポリカ
ーボネート等のバインダー樹脂成分を含有させてもよ
い。さらに、酸化防止剤等の添加物を含有させてもよ
い。
性基板材料としては、公知のものなど各種のものを使用
することができ、具体的には、例えば、アルミニウム、
真ちゅう、銅、ニッケル、鋼等の金属板、ドラム若しく
は金属シート、プラスチックシート上にアルミニウム、
ニッケル、クロム、パラジウム、グラファイト等の導電
性物質を蒸着、スパッタリング、塗布等によりコーティ
ングするなどして導電化処理を施したもの、金属ドラム
表面を電極酸化などにより金属酸化物処理したもの、あ
るいは、ガラス、プラスチック板、布、紙等の基板に導
電化処理を施したもの等を使用することができる。
ポリカーボネート中に少なくとも電荷発生材料と電荷輸
送材料を含有するものであり、この感光層の形成方法と
しては公知の方法等各種の方法を使用することができる
が、通常、例えば、電荷発生材料及び電荷輸送材料をバ
インダー樹脂と共に適当な溶媒により分散若しくは溶解
した塗工液を、所定の下地となる基板上に塗布し、乾燥
せしめる方法等を好適に使用することができる。
ど各種のものを使用することができ、具体的には、例え
ば、非晶質セレン、三方晶セレン等のセレン単体、セレ
ン−テルル等のセレンの合金、As2Se3等のセレン
化合物若しくはセレン含有組成物、酸化亜鉛、CdS−
Se等の第II族及び第IV族元素からなる無機材料、
酸化チタン等の酸化物系半導体、アモルファスシリコン
などのシリコン系材料等の各種の無機材料、金属若しく
は無金属フタロシアニン、シアニン、ビスアゾ化合物、
アントラセン、ピレン、ペリレン、ピリリウム塩、チア
ピリリウム塩、ポリビニルカルバゾール、スクェアリウ
ム顔料等の各種の有機材料等を挙げることができる。な
お、これらは、1種単独で用いてもよく、あるいは、2
種以上を混合するなどして、併用することもできる。
他のバインダー樹脂を本発明のポリカーボネート樹脂と
併用することも可能である。
輸送物質としては、例えば、従来用いられている電子輸
送性物質及び正孔輸送性物質がある。電子輸送性物質の
具体例としては、例えばクロロアニル、ブロモアニル、
テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、
2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,
5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,7
−トリニトロ−9−ジシアノメチレンフルオレノン、
2,4,5,7−テトラニトロキサントン、2,4,9
−トリニトロチオキサントンあるいは3,5−ジメチル
−3′,5′−ジ−t−ブチル−4,4′−ジフェノキ
ノン等のジフェノキノン誘導体等の電子吸引物質やこれ
らの電子吸引物質を高分子化したもの等がある。なお、
これらは1種単独で用いてもよく、あるいは、2種以上
を混合するなどして併用することもできる。
チルカルバゾール、N−イソプロピルカルバゾール、N
−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−
9−エチルカルバゾール、N,N−ジフェニルヒドラジ
ノ−3−メチリデン−9−エチルカルバゾール、N,N
−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エチ
ルフェノチアジン、N,N−ジフェニルヒドラジノ−3
−メチリデン−10−エチルフェノキサジン、p−ジエ
チルアミノベンズアルデヒド−N,N−ジフェニルヒド
ラゾン、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N−α
−ナフチル−N−フェニルヒドラゾン、p−ピロリジノ
ベンズアルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、
1,3,3−トリメチルインドレニン−ω−アルデヒド
−N,N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジエチルベンズ
アルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒド
ラゾン、1−フェニル−1,2,3,4−テトラヒドロ
キノリン−6−カルボキシアルデヒド−1′,1′−ジ
フェニルヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビス
(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノ
スチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラ
ゾリン、1−[キノリル(2)]−3−(p−ジエチル
アミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、1−[レピジル(2)]−3−(p−
ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−[6−メトキシ−ピリジル
(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピ
リジル(5)]−3−(p−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリン、1−[ピリジル(2)]−3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン、1−[ピリジル(2)]−3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジル
(2)]−3−(α−メチル−p−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリ
ル)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(α−ベンジル−
p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルア
ミノフェニル)ピラゾリン、スピロピラゾリン等のピラ
ゾリン類、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−δ−
ジエチルアミノベンズオキサゾール、2−(p−ジエチ
ルアミノフェニル)−4−(p−ジメチルアミノフェニ
ル)−5−(2−クロロフェニル)オキサゾール等のオ
キサゾール系化合物、2−(p−ジエチルアミノスチリ
ル)−6−ジエチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾ
ール系化合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチル
フェニル)−フェニルメタン等のトリアリールメタン系
化合物、1,1−ビス(4−N,N−ジエチルアミノ−
2−メチルフェニル)ヘプタン、1,1,2,2−テト
ラキス(4−N,N−ジメチルアミノ−2−メチルフェ
ニル)エタン等のポリアリールアミン類、N,N′−ジ
フェニル−N,N′−ビス(メチルフェニル)ベンジジ
ン、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(エチルフ
ェニル)ベンジジン、N,N′−ジフェニル−N,N′
−ビス(プロピルフェニル)ベンジジン、N,N′−ジ
フェニル−N,N′−ビス(ブチルフェニル)ベンジジ
ン、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(イソプロ
ピルフェニル)ベンジジン、N,N′−ジフェニル−
N,N′−ビス(第二級ブチルフェニル)ベンジジン、
N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(第三級ブチル
フェニル)ベンジジン、N,N′−ジフェニル−N,
N′−ビス(クロロフェニル)ベンジジン等のベンジジ
ン系化合物、あるいはブタジエン系化合物、トリフェニ
ルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニル
ピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリ−9−ビニルフェニルアントラセン、有機ポリ
シラン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバ
ゾール−ホルムアルデヒド樹脂等を挙げることができ
る。なお、これらは、1種単独で用いてもよく、あるい
は、2種以上を混合するなどして併用してもよい。
具体例としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロロベンゼン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、メタノ
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール、
酢酸エチル、エチルセロソルブ等のエステル、四塩化炭
素、四臭化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、テト
ラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド等を
挙げることができる。これらの溶媒は、1種単独で使用
してもよく、あるいは、2種以上を混合溶媒として併用
してもよい。
装置を用いて行なうことができ、具体的には、例えば、
アプリケーター、スプレーコーター、バーコーター、ロ
ールコーター、ディップコーター、ドクタブレード等を
用いて行なうことができる。
塗工液が白化(ゲル化)したりすることがなく、しか
も、繰り返し長時間にわたって使用しても優れた機械的
強度及び電子写真特性を維持する実用上著しく優れた電
子写真感光体であり、各種の電子写真分野に好適に利用
することができる。
に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で種
々の変形及び応用が可能である。 実施例1 2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン74
gを6%濃度の水酸化ナトリウム水溶液550mlに溶
解した溶液と、塩化メチレン250mlとを混合して攪
拌しながら、冷却下、液中にホスゲンガスを950ml
/分の割合で15分間吹き込んだ。次いで、この反応液
を静置分離し、有機相に重合度が2〜4であり、分子末
端にクロロホルメート基を有するオリゴマーの塩化メチ
レン溶液を得た。
加えて全量を450mlとした後、4,4′−ジヒドロ
キシビフェニル24gを8%濃度の水酸化ナトリウム水
溶液150mlに溶解した溶液と混合し、これに分子量
調節剤であるp−tert−ブチルフェノール3.0g
を加えた。次いでこの混合液を激しく攪拌しながら触媒
として7%濃度のトリエチルアミン水溶液を2ml加
え、28℃において攪拌下に1.5時間反応を行なっ
た。
リットルで希釈し、次いで水1.5リットルで2回、
0.01規定塩酸1リットルで1回、水1リットルで2
回の順に洗浄し、有機相をメタノール中に投入して再沈
精製した。このようにして得られた重合体は塩化メチレ
ンを溶媒とする濃度0.5g/dlの溶液の20℃にお
ける還元粘度[ηsp/c] が0.82dl/gであっ
た。なお、得られた上記の重合体の構造及び組成を 1H-
NMRスペクトルにより分析したところ、上記重合体は
下記の繰り返し単位及び組成からなるポリカーボネート
重合体であることが確認された。
としてオキソチタニウムフタロシアニンを0.1g及び
電荷輸送物質として下記のヒドラゾン化合物1gをテト
ラヒドロフラン8mlに溶かした塗工液を調整した。こ
の塗工液は1ケ月間放置しても、白濁、ゲルの発生等は
見られなかった。
3,4−テトラヒドロキノリン−6−カルボキシアルデ
ヒド−1′,1′−ジフェニルヒドラゾン)
工液を浸漬塗工法により塗布し、乾燥後、感光層の厚さ
が20μmの単層型電子写真感光体を作製した。塗布時
に感光層が結晶化することはなかった。この感光層の耐
摩耗性をスガ摩耗試験機NUS−ISO−3型(スガ試
験機(株)製)を用いて評価した。試験条件は200g
の荷重をかけた摩耗紙上でサンプルを一定回数往復運動
させ、その後の摩耗量の変化を測定した。1200回往
復運動させたときの結果を表1に示した。また、感光層
と導電性基板との接着性をスコッチテープによるピーリ
ング試験により評価し、結果を表1に示した。なお、表
1中の接着性の評価基準は、ピーリング試験における結
着保持率が80%以上であるものを「良い」とし、80
%未満であるものを「悪い」とした。
4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジメチルビフェニ
ル27gに変更した以外は実施例1同様の操作を行な
い、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネート重合
体([ηsp/c]=0.75dl/g)を得た。
施例1と同様にして単層型電子写真感光体を作製した。
塗工液の安定性、塗布時の結晶化の評価結果は、いずれ
も実施例1と同様であった。また、耐摩耗性、接着性の
評価結果を表1に示した。
ン(ビスフェノールA)を用いた下記の繰り返し単位か
らなるポリカーボネート([ηsp/c]=0.78dl
/g)を用いて、実施例1と同様にして、単層型電子写
真感光体を作製した。その結果塗工液は2日目に白濁
し、ゲルが発生した。また、塗工時に電荷輸送層の一部
が結晶化(白化)した。また、耐摩耗性、接着性の評価
結果を表1に示した。
ル)プロパン74gを1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)シクロヘキサン87gに、4,4′−ジヒドロ
キシビフェニル24gを1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキサン35gに代えた以外は実施例
1と同様の操作で、下記の繰り返し単位からなるポリカ
ーボネート重合体([ηsp/c]=0.84dl/g)
を得た。
樹脂として用いて、実施例1と同様にして単層型電子写
真感光体を作製した。塗工液の安定性、塗布時の結晶化
の評価結果は、いずれも実施例1と同様であった。ま
た、この電子写真感光体の耐摩耗性、接着性の評価結果
を表1に示した。
カーボネート樹脂を単層型の電子写真感光体の感光層の
バインダー樹脂として用いているので、電子写真感光体
の作製時において塗工液が白化(ゲル化)したりするこ
とがなく、導電性基板と感光層の接着性が向上し、電子
写真感光体の長寿命化が図れるとともに、感光体表面の
表面硬度、すなわち耐摩耗性が向上し、繰り返し長時間
使用しても優れた電子写真特性を維持する耐刷性に優れ
た電子写真感光体を提供することができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 導電性基板上に単一層からなる感光層を
設けた単層型電子写真感光体において、該感光層のバイ
ンダー樹脂として下記一般式(I)及び(II) 【化1】 [式中、R1、R2、R3及びR4は各々独立に、水素原子
又は炭素数1〜6のアルキル基であり、Xは、−CR5
R6−(ただし、R5及びR6は各々独立に、水素原子、
トリフルオロメチル基、炭素数1〜6のアルキル基又は
炭素数6〜12のアリール基である。)、炭素数5〜1
1の1,1−シクロアルキレン基、炭素数2〜10の
α,ω−アルキレン基、−O−、−S−、−SO−又は
−SO2−であり、o、p、q、rは各々独立に0から
4の整数である。]で表される繰り返し単位からなり、
一般式(I)で表される繰り返し単位の含有割合が、一
般式(I)で表される繰り返し単位と一般式(II)で
表される繰り返し単位との合計に対するモル比で下記式 0.01≦[(I)/{(I)+(II)}]≦0.9 で表される範囲にあるポリカーボネート樹脂を用いたこ
とを特徴とする電子写真感光体。
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---|---|---|---|
JP26685891A JP3155788B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 電子写真感光体 |
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JP26685891A JP3155788B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 電子写真感光体 |
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Family
ID=17436641
Family Applications (1)
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JP26685891A Expired - Lifetime JP3155788B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 電子写真感光体 |
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-
1991
- 1991-09-19 JP JP26685891A patent/JP3155788B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH0580548A (ja) | 1993-04-02 |
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