JP7544205B2 - 光電変換素子、読取装置、画像処理装置および光電変換素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施の形態にかかる画像形成装置100の一例の構成を示す図である。図1において、画像処理装置である画像形成装置100は、コピー機能、プリンタ機能、スキャナ機能およびファクシミリ機能のうち少なくとも2つの機能を有する一般に複合機と称されるものである。
次に、第2の実施の形態について説明する。
次に、第3の実施の形態について説明する。
次に、第4の実施の形態について説明する。
次に、第5の実施の形態について説明する。
9 光電変換素子
26 不可視成分除去部
70 ADコンバータ
80 シールド線
90R 第3の画素列
90G 第1の画素列
90B 第4の画素列
90IR 第2の画素列
90dummy ダミー画素列
91R,91G,91B,91IR カラーフィルタ
92 第1の画素、第2の画素、第3の画素、第4の画素
93 第1の画素回路、第2の画素回路、第3の画素回路、第4の画素回路
94R 第3の受光部
94G 第1の受光部
94B 第4の受光部
94IR 第2の受光部
100 画像処理装置
101 読取装置
103 画像形成部
Claims (20)
- 一方向に沿って並ぶ複数の第1の受光部を有し、少なくとも可視領域内の第1の波長を受光する第1の画素を有する第1の画素列と、
前記一方向に沿って並ぶ複数の第2の受光部を有し、少なくとも可視領域外の第2の波長を受光する第2の画素を有する第2の画素列と、
前記第1の画素からの信号を後段に伝達する第1の画素回路と、
前記第2の画素からの信号を後段に伝達する第2の画素回路と、
を備え、
前記第2の画素回路は、前記第2の画素との距離が数画素相当の距離に設けられている、
ことを特徴とする光電変換素子。 - 前記第1の画素回路は、前記第1の画素との距離が数画素相当の距離に設けられている、
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。 - 前記一方向に沿って並ぶ複数の第3の受光部を有し、少なくとも前記第1の波長とは異なる可視領域内の第3の波長を受光する第3の画素を有する第3の画素列と、
前記一方向に沿って並ぶ複数の第4の受光部を有し、少なくとも前記第1の波長および前記第3の波長とは異なる可視領域内の第4の波長を受光する第4の画素を有する第4の画素列と、
前記第3の画素との距離が数画素相当の距離に設けられ、前記第3の画素からの信号を後段に伝達する第3の画素回路と、
前記第4の画素との距離が数画素相当の距離に設けられ、前記第4の画素からの信号を後段に伝達する第4の画素回路と、
を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子。 - 前記第2の画素回路の出力線と、前記第1の画素回路の出力線又は前記第3の画素回路の出力線又は前記第4の画素回路の出力線との間隔を、前記第1の画素回路の出力線又は前記第3の画素回路の出力線又は前記第4の画素回路の出力線同士の距離に対して長くする、
ことを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。 - 前記第2の画素回路の出力線を挟んだ両側にシールド線を配置する、
ことを特徴とする請求項1ないし4の何れか一項に記載の光電変換素子。 - 前記第2の画素列は、赤外光を受光する、
ことを特徴とする請求項1ないし5の何れか一項に記載の光電変換素子。 - 前記第1の画素列は緑色光を受光するものであり、前記第3の画素列は赤色光を受光するものであり、前記第4の画素は青色光を受光するものである、
ことを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。 - 少なくとも第2の画素列を含むセンシング領域の端部には、画素列および画素回路を模したダミー画素列を配置する、
ことを特徴とする請求項1ないし7の何れか一項に記載の光電変換素子。 - 前記第2の画素列と前記第2の画素列以外の可視領域内の波長を受光する画素列との間隔は、画素の副走査幅を単位とした物理的距離の整数倍である、
ことを特徴とする請求項1ないし8の何れか一項に記載の光電変換素子。 - 前記第1の画素列又は前記第3の画素列又は前記第4の画素列は、前記第2の波長も受光する、
ことを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。 - 前記第1の画素列と前記第2の画素列と前記第3の画素列と前記第4の画素列とが備えるカラーフィルタは、全て同じ層数で構成されている、
ことを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。 - 前記第2の画素列と前記第2の画素列以外の可視領域内の波長を受光する画素列とでは、物理的構造を同じ構成にしている、
ことを特徴とする請求項1ないし11の何れか一項に記載の光電変換素子。 - 前記第2の画素列と前記第2の画素列以外の可視領域内の波長を受光する画素列とでは、物理的構造を異なる構成にしている、
ことを特徴とする請求項1ないし11の何れか一項に記載の光電変換素子。 - 前記第2の画素列と前記第2の画素列以外の可視領域内の波長を受光する画素列との間の間隔は、前記第2の画素列以外の可視領域内の波長を受光する画素列間の距離よりも長くする、
ことを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。 - 前記第2の画素列は、前記第2の波長と最大の波長差の光を受光する画素列の隣に配置される、
ことを特徴とする請求項1ないし14の何れか一項に記載の光電変換素子。 - 前記第1の画素回路と前記第2の画素回路と前記第3の画素回路と前記第4の画素回路との後段かつ同一チップ内に、ADコンバータを備える、
ことを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。 - 可視光および不可視光を照射する光源と、
前記光源から照射された光の反射光を受光する請求項1ないし16の何れか一項に記載の光電変換素子と、
を備えることを特徴とする読取装置。 - 第1の画素列又は第3の画素列又は第4の画素列に含まれる第2の波長の成分を除去する不可視成分除去部を備える、
ことを特徴とする請求項17に記載の読取装置。 - 請求項17または18に記載の読取装置と、
画像形成部と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。 - 一方向に沿って並ぶ複数の第1の受光部を有し、少なくとも可視領域内の第1の波長を受光する第1の画素を有する第1の画素列と、前記一方向に沿って並ぶ複数の第2の受光部を有し、少なくとも可視領域外の第2の波長を受光する第2の画素を有する第2の画素列と、前記第1の画素からの信号を後段に伝達する第1の画素回路と、前記第2の画素からの信号を後段に伝達する第2の画素回路と、を備える光電変換素子の製造方法であって、
前記第2の画素回路を、前記第2の画素列との距離が数画素相当の距離に設ける工程を含む、
ことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
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