JP2019097058A - 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
CMOSイメージセンサは、デジタルカメラ、ビデオカメラ、監視カメラ、医療用内視鏡、パーソナルコンピュータ(PC)、携帯電話等の携帯端末装置(モバイル機器)等の各種電子機器の一部として広く適用されている。
このため、あらかじめ赤外線カットフィルタ(IRフィルタ)により赤外光を除去するのが一般的である。
ところが、IRフィルタは可視光を10%〜20%程度も減衰させてしまうことから、固体撮像装置の感度を低下させ、画質に劣化を招く。
このCMOSイメージセンサは、主として赤色光を透過させる赤(R)フィルタを含むR画素、主として緑色光を透過させる緑(G)フィルタを含むG画素、主として青色光を透過させる青(B)フィルタを含むB画素、および赤外光を受光する専用の近赤外(NIR)画素の4つを正方配列した画素群が単位RGBIR画素グループとして2次元状に配列されている。
この位相差検出方式は、瞳分割方式とも呼ばれ、撮像レンズの通過光束を瞳分割して一対の分割像を形成し、そのパターンズレ(位相シフト量)を検出することで、撮像レンズのデフォーカス量を検出する。
この場合、位相差検出が欠陥画素とはなりにくく、分割した光電変換部(PD)の信号を加算することで、良好な画像信号としても利用することができる。
このような光電変換部上に、マイクロレンズが画素に対して1対1に設けられている。マイクロレンズは、光学中心が画素中央部に位置するように配置されている。
この場合も、マイクロレンズが画素に対して1対1に設けられており、マイクロレンズは、光学中心が画素中央部に位置するように配置されている。
また、光電変換部としてのフォトダイオードは、第1基板面側(裏面側)にカラーフィルタアレイが配置されている。カラーフィルタアレイの各カラーフィルタの光入射側には、マイクロレンズアレイのマイクロレンズが配置されている。
また、フォトダイオードPDは、赤色(R)光電変換領域、緑色(G)光電変換領域、青色(B)光電変換領域、および近赤外(NIR)光電変換領域の第2基板面側(前面側)には、光電変換し蓄積した電荷に応じた信号を出力する出力トランジスタ等を含む出力部が形成されている。
図2は、位相差検出に遮光膜を用いた固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
図3は、位相差検出に2つのフォトダイオードを用いた固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
なお、図1、図2、および図3においては、理解を容易にするために、便宜的に、各赤色(R)画素PXL1、緑色(G)画素PXL2、青色(B)画素PXL3、および近赤外(NIR)画素PXL4の構成要素は一列に配列して示してある。
そして、カラーフィルタアレイ3の各カラーフィルタFLT−R、FLT−G、FLT−B、および近赤外(NIR)画素の光入射側には、光学部(レンズ部)としてのマイクロレンズアレイ5のマイクロレンズMCL1,MCL2,MCL3,MCL4が一様な位置、形状となるように配置されている。
フォトダイオードPD1は2つのフォトダイオードPD1L,PD1Rに分割され、フォトダイオードPD2は2つのフォトダイオードPD2L,PD2Rに分割され、フォトダイオードPD3は2つのフォトダイオードPD3L,PD3Rに分割され、フォトダイオードPD4は2つのフォトダイオードPD4L,PD4Rに分割されている。
また、本発明によれば、入射光の波長に依存することなく良好な位相差検出機能を有することが可能となる。
図4は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。
本実施形態において、固体撮像装置10は、たとえばCMOSイメージセンサにより構成される。
また、これらの構成要素のうち、たとえば垂直走査回路30、読み出し回路40、水平走査回路50、およびタイミング制御回路60により画素信号の読み出し部70が構成される。
そして、本第1の実施形態において、光学調整部は、レンズ部の各マイクロレンズの厚さを変えて、マイクロレンズを透過した光が複数の光電変換部の一面側に一様に焦点深度をもつように調整されている。
本第1の実施形態において、各マイクロレンズの厚さは、波長が長い光に対応するマイクロレンズ程、厚く設定されており、より曲率が大きい設計となっている。
本第1の実施形態においては、単位画素グループは、単位RGBIR画素グループとして形成されている。
画素部20は、フォトダイオード(光電変換素子)と画素内アンプとを含む複数の画素がN行×M列の2次元の行列状(マトリクス状)に配列されている。
たとえば、画素PXL11のフォトダイオードPD11が赤色(R)光電変換部として機能し、画素PXL12のフォトダイオードPD12が緑色(G)光電変換部として機能し、画素PXL21のフォトダイオードPD21が青色(B)光電変換部として機能し、画素PXL22のフォトダイオードPD22が近赤外(NIR)光電変換部として機能する。
たとえば、G画素のフォトダイオードPD12の感度は、R画素のフォトダイオードPD11、B画素のフォトダイオードPD21、NIR画素のフォトダイオードPD22の感度より高い。
フォトダイオードPD11,PD12,PD21,P22を形成する基板表面にはダングリングボンドなどの欠陥による表面準位が存在するため、熱エネルギーによって多くの電荷(暗電流)が発生し、正しい信号が読み出せなくなってしまう。
埋め込みフォトダイオード(PPD)では、フォトダイオードPDの電荷蓄積部を基板内に埋め込むことで、暗電流の信号への混入を低減することが可能となる。
以下、信号電荷は電子であり、各トランジスタがn型トランジスタである場合について説明するが、信号電荷がホールであったり、各トランジスタがp型トランジスタであっても構わない。
転送トランジスタTG11−Trは、読み出し部70の制御の下、制御線TG11が所定レベルのハイレベル(H)の期間に選択されて導通状態となり、フォトダイオードPD11で光電変換され蓄積された電荷(電子)をフローティングディフュージョンFD11に転送する。
転送トランジスタTG12−Trは、読み出し部70の制御の下、制御線TG12が所定レベルのハイレベル(H)の期間に選択されて導通状態となり、フォトダイオードPD12で光電変換され蓄積された電荷(電子)をフローティングディフュージョンFD11に転送する。
転送トランジスタTG21−Trは、読み出し部70の制御の下、制御線TG21が所定レベルのハイレベル(H)の期間に選択されて導通状態となり、フォトダイオードPD21で光電変換され蓄積された電荷(電子)をフローティングディフュージョンFD11に転送する。
転送トランジスタTG22−Trは、読み出し部70の制御の下、制御線TG22が所定レベルのハイレベル(H)の期間に選択されて導通状態となり、フォトダイオードPD22で光電変換され蓄積された電荷(電子)をフローティングディフュージョンFD11に転送する。
なお、リセットトランジスタRST11−Trは、電源線VDDとは別の電源線VRstとフローティングディフュージョンFDの間に接続され、制御線(または制御信号)RST11を通じて制御されるように構成してもよい。
リセットトランジスタRST11−Trは、読み出し部70の制御の下、たとえば読み出しスキャン時に、制御線RST11がHレベルの期間に選択されて導通状態となり、フローティングディフュージョンFD11を電源線VDD(またはVRst)の電位にリセットする。
ソースフォロワトランジスタSF11−TrのゲートにはフローティングディフュージョンFD11が接続され、選択トランジスタSEL11−Trは制御線(または制御信号)SEL11を通じて制御される。
選択トランジスタSEL11−Trは、制御線SEL11がHレベルの期間に選択されて導通状態となる。これにより、ソースフォロワトランジスタSF11−TrはフローティングディフュージョンFD11の電荷を電荷量(電位)に応じた利得をもって電圧信号に変換した列出力の読み出し電圧(信号)VSL(PIXOUT)を垂直信号線LSGNに出力する。
図4においては、各制御線(または制御信号)SEL、RST、TGを1本の行走査制御線として表している。
また、垂直走査回路30は、アドレス信号に従い、信号の読み出しを行うリード行と、フォトダイオードPDに蓄積された電荷をリセットするシャッター行の行アドレスの行選択信号を出力する。
あるいは、読み出し回路40は、たとえば図6(B)に示すように、画素部20の各列出力の読み出し信号VSLを増幅するアンプ(AMP)42が配置されてもよい。
また、読み出し回路40は、たとえば図6(C)に示すように、画素部20の各列出力の読み出し信号VSLをサンプル、ホールドするサンプルホールド(S/H)回路43が配置されてもよい。
次に、本第1の実施形態に係る画素配置の具体的な構成について説明する。
より具体的には、矩形の配置領域AR10に、4つの画素PXL11,PXL12,PXL21,PXL22がそれぞれ配置される配置領域AR11,AR12,AR21,AR22が2×2の正方に割り当てられている。
なお、図8においては、理解を容易にするために、便宜的に、各赤色(R)画素PXL11、緑色(G)画素PXL12、青色(B)画素PXL21、近赤外(NIR)PXL22の構成要素は一列に配列して示してある。
フォトダイオードPD11、PD12、PD21、PD22の第2基板面252側(前面側)には、光電変換し蓄積した電荷に応じた信号を出力する出力トランジスタ等を含む出力部231,232,233,234が形成されている。
そこで、本第1の実施形態においては、複数のマイクロレンズMCL−R,MCL−G,MCL−B,MCL−NIRを透過した光が複数の光電変換部であるフォトダイオードPD11、PD12、PD21、PD22の第1基板面251側(一面側、裏面側)に、一様に焦点深度を持つように調整されている光学調整部を有している。
波長が最も長い近赤外(NIR)光用のマイクロレンズMCL−NIRの厚さLT−NIRが最も厚く最も厚く最も大きい曲率で設定され、波長が2番目に長い赤色(R)光用のマイクロレンズMCL−Rの厚さLT−Rが2番目に厚く2番目に大きい曲率で設定され、波長が3番目に長い緑色(R)光用のマイクロレンズMCL−Gの厚さLT−Gが3番目に厚く3番目に大きい曲率で設定され、波長が4番目に長い青色(B)光用のマイクロレンズMCL−Bの厚さLT−Bが4番目に厚く2番目に大きい曲率で設定されている。
すなわち、LT−NIR>LT−R>LT−G>LT−Bの関係を持つように、各マイクロレンズMCL−R,MCL−G,MCL−B,MCL−NIRの厚さが調整されている。
これにより、各マイクロレンズMCL−R,MCL−G,MCL−B,MCL−NIRを透過した入射光は、対応する赤色(R)画素PXL11、緑色(G)画素PXL12、青色(B)画素PXL21、近赤外(NIR)画素PXL22ごとに、基板250の第1面251側に個別にかつ一様に照射され、担当外のフォトダイオードPDへの不要な入射が大幅に減少する。
したがって、画素間のクロストークが大幅に減少し、しかもアングラレスポンスが劣化することが防止される。
本第1の実施形態において、各マイクロレンズの厚さは、波長が長い光に対応するマイクロレンズ程、厚く設定されており、より曲率が大きい設計となっている。
本第1の実施形態においては、波長が最も長い近赤外(NIR)光用のマイクロレンズMCL−NIRの厚さLT−NIRが最も厚く最も大きい曲率で設定され、波長が2番目に長い赤色(R)光用のマイクロレンズMCL−Rの厚さLT−Rが2番目に厚く2番目に大きい曲率で設定され、波長が3番目に長い緑色(R)光用のマイクロレンズMCL−Gの厚さLT−Gが3番目に厚く3番目に大きい曲率で設定され、波長が4番目に長い青色(B)光用のマイクロレンズMCL−Bの厚さLT−Bが4番目に厚く4番目に大きい曲率で設定されている。
図9は、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第2の実施形態の単位画素グループ200Aは、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22の第1基板面251側の平坦膜240内に、光入射光路をほぼ半分にわたって遮光する遮光膜SLD11−R、SLD12−G、SLD21−B、SLD22−NIRが配置されており、位相検出機能を持つように構成されている。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第3の実施形態の単位画素グループ200Bは、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22がそれぞれ2つに分割するように形成されており、位相検出機能を持つように構成されている。
フォトダイオードPD11は2つのフォトダイオードPD11L,PD11Rに分割され、フォトダイオードPD12は2つのフォトダイオードPD12L,PD12Rに分割され、フォトダイオードPD21は2つのフォトダイオードPD21L,PD21Rに分割され、フォトダイオードPD22は2つのフォトダイオードPD22L,PD22Rに分割されている。
図11は、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第4の実施形態の単位画素グループ200Cでは、マイクロレンズを透過した光が複数の光電変換部の一面側に一様に焦点深度をもつように、各マイクロレンズの厚さを調整する代わりに、合焦点位置に相当する基板250の第1面251側(一面側)からの高さが調整されている。
本第4の実施形態においては、波長が最も長い近赤外(NIR)光用のマイクロレンズMCL−NIRの高さLH−NIRが最も高く設定され、波長が2番目に長い赤色(R)光用のマイクロレンズMCL−Rの高さLH−Rが2番目に厚く設定され、波長が3番目に長い緑色(R)光用のマイクロレンズMCL−Gの高さLH−Gが3番目に高く設定され、波長が4番目に長い青色(B)光用のマイクロレンズMCL−Bの高さLH−Bが4番目に高く設定されている。
すなわち、LH−NIR>LH−R>LH−G>LH−Bの関係を持つように、各マイクロレンズMCL−R,MCL−G,MCL−B,MCL−NIRの高さが調整されている。
したがって、画素間のクロストークが大幅に減少し、しかもアングラレスポンスが劣化することが防止される。
図12は、本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第5の実施形態の単位画素グループ200Dは、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22の第1基板面251側の平坦膜240内に、光入射光路をほぼ半分にわたって遮光する遮光膜SLD11−R、SLD12−G、SLD21−B、SLD22−NIRが配置されており、位相検出機能を持つように構成されている。
図13は、本発明の第6の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第6の実施形態の単位画素グループ200Eは、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22がそれぞれ2つに分割するように形成されており、位相検出機能を持つように構成されている。
フォトダイオードPD11は2つのフォトダイオードPD11L,PD11Rに分割され、フォトダイオードPD12は2つのフォトダイオードPD12L,PD12Rに分割され、フォトダイオードPD21は2つのフォトダイオードPD21L,PD21Rに分割され、フォトダイオードPD22は2つのフォトダイオードPD22L,PD22Rに分割されている。
図14は、本発明の第7の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第7の実施形態の単位画素グループ200Fでは、マイクロレンズを透過した光が複数の光電変換部の一面側に一様に焦点深度をもつように、各マイクロレンズの厚さを調整する代わりに、各マイクロレンズの光出射側と各フォトダイオードPD11、PD12、PD21、PD22の第1の基板面251側(一面側)との間、この例では平坦膜240の配置位置に配置され、マイクロレンズMCL−R,MCL−G,MCL−B,MCL−NIRを透過した光を各フォトダイオードPD11、PD12、PD21、PD22の第1の基板面251側(一面側)に導く光学部材OPT―R,OPT―G,OPT―B,OPT−NIRが設けられている。
本第7の実施形態においては、波長が最も長い近赤外(NIR)光用のマイクロレンズMCL−NIRに対応する光学部材OPT−NIRの屈折率ORF−NIRが最も大きく設定され、波長が2番目に長い赤色(R)光用のマイクロレンズMCL−Rに対応する光学部材OPT−Rの屈折率ORF−Rが2番目に大きく設定され、波長が3番目に長い緑色(R)光用のマイクロレンズMCL−Gに対応する光学部材OPT−Gの屈折率ORF−Gが3番目に高く設定され、波長が4番目に長い青色(B)光用のマイクロレンズMCL−Bに対応する光学部材OPT−Bの屈折率ORF−Bが4番目に大きく設定されている。
すなわち、ORF−NIR>ORF−R>ORF−G>ORF−Bの関係を持つように、各光学部材OPT―R,OPT―G,OPT―B,OPT−NIRの屈折率が調整されている。
したがって、画素間のクロストークが大幅に減少し、しかもアングラレスポンスが劣化することが防止される。
図15は、本発明の第8の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第8の実施形態の単位画素グループ200Gは、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22の第1基板面251側の平坦膜240内に、光入射光路をほぼ半分にわたって遮光する遮光膜SLD11−R、SLD12−G、SLD21−B、SLD22−NIRが配置されており、位相検出機能を持つように構成されている。
図16は、本発明の第9の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第9の実施形態の単位画素グループ200Hは、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22がそれぞれ2つに分割するように形成されており、位相検出機能を持つように構成されている。
フォトダイオードPD11は2つのフォトダイオードPD11L,PD11Rに分割され、フォトダイオードPD12は2つのフォトダイオードPD12L,PD12Rに分割され、フォトダイオードPD21は2つのフォトダイオードPD21L,PD21Rに分割され、フォトダイオードPD22は2つのフォトダイオードPD22L,PD22Rに分割されている。
図17は、本発明の第10の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第10の実施形態の単位画素グループ200Iでは、マイクロレンズを透過した光が複数の光電変換部の一面側に一様に焦点深度をもつように、各マイクロレンズの厚さを調整する代わりに、各マイクロレンズMCL−R,MCL−G,MCL−B,MCL−NIRの屈折率が調整されている。
本第10の実施形態においては、波長が最も長い近赤外(NIR)光用のマイクロレンズMCL−NIRの屈折率MRF−NIRが最も大きく設定され、波長が2番目に長い赤色(R)光用のマイクロレンズMCL−Rの屈折率MRF−Rが2番目に大きく設定され、波長が3番目に長い緑色(R)光用のマイクロレンズMCL−Gの屈折率MRF−Gが3番目に高く設定され、波長が4番目に長い青色(B)光用のマイクロレンズMCL−Bの屈折率MRF−Bが4番目に大きく設定されている。
すなわち、MRF−NIR>MRF−R>MRF−G>MRF−Bの関係を持つように、各マイクロレンズMCL−R,MCL−G,MCL−B,MCL−NIRの屈折率が調整されている。
したがって、画素間のクロストークが大幅に減少し、しかもアングラレスポンスが劣化することが防止される。
図18は、本発明の第11の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第11の実施形態の単位画素グループ200Jは、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22の第1基板面251側の平坦膜240内に、光入射光路をほぼ半分にわたって遮光する遮光膜SLD11−R、SLD12−G、SLD21−B、SLD22−NIRが配置されており、位相検出機能を持つように構成されている。
図19は、本発明の第12の実施形態に係る固体撮像装置における単位画素グループの構成例を模式的に示す簡略断面図である。
本第12の実施形態の単位画素グループ200Kは、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22がそれぞれ2つに分割するように形成されており、位相検出機能を持つように構成されている。
フォトダイオードPD11は2つのフォトダイオードPD11L,PD11Rに分割され、フォトダイオードPD12は2つのフォトダイオードPD12L,PD12Rに分割され、フォトダイオードPD21は2つのフォトダイオードPD21L,PD21Rに分割され、フォトダイオードPD22は2つのフォトダイオードPD22L,PD22Rに分割されている。
さらに、電子機器100は、このCMOSイメージセンサ110の画素領域に入射光を導く(被写体像を結像する)光学系(レンズ等)120を有する。
電子機器100は、CMOSイメージセンサ110の出力信号を処理する信号処理回路(PRC)130を有する。
信号処理回路130で処理された画像信号は、液晶ディスプレイ等からなるモニタに動画として映し出し、あるいはプリンタに出力することも可能であり、またメモリカード等の記録媒体に直接記録する等、種々の態様が可能である。
そして、カメラの設置の要件に実装サイズ、接続可能ケーブル本数、ケーブル長さ、設置高さなどの制約がある用途に使われる、たとえば、監視用カメラ、医療用内視鏡用カメラなどの電子機器を実現することができる。
Claims (14)
- 光電変換を行う複数の色画素を含む単位画素グループが配置された画素部を有し、
前記単位画素グループは、
一面側から入射した光を光電変換する機能を有し、前記複数の色に対応する複数の光電変換部と、
対応する前記複数の光電変換部に光を入射する、焦点深度が波長に依存する複数のレンズが配置されたレンズ部と、
前記レンズ部の複数のレンズを透過した光が前記複数の光電変換部の前記一面側に一様に焦点深度をもつように調整されている光学調整部と、を含む
固体撮像装置。 - 前記光学調整部は、
前記レンズ部の各レンズの厚さを変えて、レンズを透過した光が前記複数の光電変換部の前記一面側に一様に焦点深度をもつように調整されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記各レンズの厚さは、波長が長い光に対応するレンズ程、厚く設定されている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記光学調整部は、
前記レンズ部の各レンズの前記光電変換部の一面側からの高さを変えて、レンズを透過した光が前記複数の光電変換部の前記一面側に一様に焦点深度をもつように調整されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記各レンズの前記光電変換部の一面側からの高さは、波長が長い光に対応するレンズ程、高く設定されている
請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記光学調整部は、
前記レンズ部の各レンズの光出射側と前記光電変換部の一面側との間に配置され、前記レンズを透過した光を前記複数の光電変換部の前記一面側に導く光学部材を含む
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記各光学部材は、波長が長い光に対応する光学部材程、屈折率が大きく設定されている
請求項5記載の固体撮像装置。 - 前記光学調整部は、
前記レンズ部の各レンズの屈折率を変えて、レンズを透過した光が前記複数の光電変換部の前記一面側に一様に焦点深度をもつように調整されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記各レンズは、波長が長い光に対応するレンズ程、屈折率が大きく設定されている
請求項7記載の固体撮像装置。 - 前記レンズ部の各レンズの光出射側と前記光電変換部の一面側との間に配置された複数のカラーフィルタを含むフィルタアレイを有し、
前記フィルタアレイは、
赤色フィルタ領域、緑色フィルタ領域、青色フィルタ領域、および赤外領域に区分けされ、
前記複数の光電変換部は、
前記赤色フィルタ領域に対応する赤色光電変換部、前記緑色フィルタ領域に対応する緑色光電変換部、前記青緑色フィルタ領域に対応する青色光電変換部、および前記赤外領域に対応する赤外光電変換部を含む
請求項1から7のいずれか一に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の光電変換部は、前記一面側の一部に遮光膜が形成されており、
位相差検出機能を有する
請求項1から8のいずれか一に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の光電変換部は、それぞれ前記一面に平行な方向に分割されており、
位相差検出機能を有する
請求項1から8のいずれか一に記載の固体撮像装置。 - 光電変換を行う複数の色画素を含む単位画素グループが配置された画素部を有し、
前記単位画素グループは、
複数の光電変換部と、
複数のレンズが配置されたレンズ部と、を含んで前記画素が形成されている
固体撮像装置の製造方法であって、
前記単位画素グループを形成する工程として、
一面側から入射した光を光電変換する機能を有し、前記複数の色に対応する複数の光電変換部を形成する工程と、
対応する前記複数の光電変換部に光を入射する、焦点深度が波長に依存する複数のレンズが配置されたレンズ部を形成する工程と、
前記レンズ部の複数のレンズを透過した光が前記複数の光電変換部の前記一面側に一様に焦点深度をもつように調整する工程と、を含む
固体撮像装置の製造方法。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置に被写体像を結像する光学系と、を有し、
前記固体撮像装置は、
光電変換を行う複数の色画素を含む単位画素グループが配置された画素部を有し、
前記単位画素グループは、
一面側から入射した光を光電変換する機能を有し、前記複数の色に対応する複数の光電変換部と、
対応する前記複数の光電変換部に光を入射する、焦点深度が波長に依存する複数のレンズが配置されたレンズ部と、
前記レンズ部の複数のレンズを透過した光が前記複数の光電変換部の前記一面側に一様に焦点深度をもつように調整されている光学調整部と、を含む
電子機器。
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