JP7391465B2 - パッケージチップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、パッケージ基板を切断してパッケージチップを製造するパッケージチップの製造方法に関する。

ベース基板上に配列された複数のデバイスチップを樹脂等の封止材（モールド樹脂）で被覆することにより、パッケージ基板が形成される。パッケージ基板の一つとして、リードレス構造のＱＦＮパッケージ（Quad For Non-lead package）基板が知られている。

ＱＦＮパッケージ基板の表面には、一般的に銅（Ｃｕ）で形成された複数の電極が、分割予定ライン（ストリート）に沿って露出する様に設けられている。複数の電極の各々は、ＱＦＮパッケージ基板の内部においてワイヤ等を介してそれぞれデバイスチップに接続されている。

分割予定ラインに沿って複数の電極を分割する様に円環状の切削ブレードでＱＦＮパッケージ基板を切断することにより、ＱＦＮパッケージチップが形成される。この様に形成されたＱＦＮパッケージチップの側部には、上述の銅製の電極が露出する。

銅製の電極は、酸化し易く、また、一旦酸化すると半田濡れ特性が低下する。半田濡れ特性が低下すると、ＱＦＮパッケージチップの電極は、半田を介してプリント基板等の配線基板に固定され難くなる。

そこで、半田濡れ特性の低下を防ぐために、銅製の電極のうち少なくともＱＦＮパッケージチップの側部に露出する部分にめっき処理が施された所謂ウェッタブルフランク（wettable flank）が知られている。めっき処理を施すことにより、銅製の電極と配線基板との半田接合部分の機械的強度が強化される。

ところで、パッケージ基板の切断には、例えばダイシングテープを介してパッケージ基板を保持するチャックテーブルと、上述の切削ブレードが装着される切削ユニットとを有する切削装置が用いられる。チャックテーブルによって保持されたパッケージ基板に対して回転する切削ブレードを切り込ませることにより、パッケージ基板が切断される。

ウェッタブルフランクタイプのパッケージチップを製造するべくパッケージ基板を切断する際には、パッケージ基板に対して２段階の切削を行う場合がある。まず、１段階目の切削では、第１切削ブレードをベース基板の表面に切り込ませて所謂ハーフカット溝を形成する。

より具体的には、深さがパッケージ基板の厚さ未満であり分割予定ラインに対して直交する断面が略矩形状のハーフカット溝を、分割予定ラインに沿って形成する。このとき、分割予定ラインに沿って露出する複数の電極も分割される。

その後、ハーフカット溝にめっき処理を施す。次に、２段階目の切削では、ハーフカット溝に沿って第１切削ブレードよりも刃厚が薄い第２切削ブレードを切り込ませることによりパッケージ基板に対して所謂フルカットを行い、パッケージ基板を完全に切断して複数のパッケージチップを形成する。

２段階目の切削の際には、回転する第２切削ブレードに金属製の電極が接触して引き延ばされ、第２切削ブレードの円環状の略平坦な側面とハーフカット溝の側面との間の空間に糸状に伸長した金属のバリが発生しやすいという問題がある。

糸状に伸長した金属のバリは、パッケージチップ間に残留し、その後のパッケージチップの搬送時や実装時に予期せぬ場所に落下して、パッケージチップの電極間の短絡や、パッケージチップと配線基板とのボンディング不良等の原因となり得る。そこで、発生したバリを除去するべく、切削後に高圧で水を噴射する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１６－１８１５６９号公報

フルカット時にパッケージチップ間に残留するバリは短絡やボンディング不良等の原因となる。それゆえ、パッケージチップ間に残留するバリの量は可能な限り低減することが好ましい。

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、パッケージチップ間に残留するバリの量を抑制可能なパッケージチップの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、交差する複数の分割予定ラインで区画される複数の領域のそれぞれに設けられたデバイスと、各分割予定ラインに沿ってそれぞれ配列され、分割予定ラインを横断する幅と所定厚さとをそれぞれ有する複数の電極とを有するパッケージ基板を加工してパッケージチップを製造するパッケージチップの製造方法であって、各分割予定ラインに沿って該パッケージ基板を円環状の第１切削ブレードで該パッケージ基板の一面から所定深さまで切削することにより、該パッケージ基板の厚さ方向で該パッケージ基板の該一面とは反対側に位置する他面には達しない深さを有し、且つ、各分割予定ラインの長手方向に対して直交する断面でＶ字形状又は曲面形状を有するハーフカット溝を、各分割予定ラインに沿って配置された該複数の電極に形成するハーフカットステップと、該ハーフカットステップの後、該複数の電極にめっき処理を施すめっき処理ステップと、該めっき処理ステップの後、該ハーフカット溝の一対の側壁のうち一方と重なる様に該第１切削ブレードを位置付けて該ハーフカット溝を切削して、該複数の電極を該厚さ方向で切断すると共に、該パッケージ基板を切断してパッケージチップを形成するフルカットステップと、を備え、該ハーフカットステップでは、各分割予定ラインに沿って２条のハーフカット溝を形成し、該フルカットステップでは、該一対の側壁のうち該２条のハーフカット溝の間に位置する中間領域の側にある側壁と重なり、且つ、該中間領域の側とは反対側にある側壁に設けられためっき層と該第１切削ブレードとの間に空間が形成される様に該第１切削ブレードを該ハーフカット溝に位置付けて、各分割予定ラインの該２条のハーフカット溝のそれぞれに沿って該ハーフカット溝を切削することで該複数の電極及び該パッケージ基板を切断するパッケージチップの製造方法が提供される。

好ましくは、該ハーフカットステップでは、径を通る断面での外周面が凸状のＶ字形状又は曲面形状を有する該第１切削ブレードで該ハーフカット溝を形成する。

本発明の一態様に係るハーフカットステップでは、分割予定ラインに沿って配列された複数の電極を切削することにより、複数の電極にハーフカット溝を形成する。このハーフカット溝は、各分割予定ラインの長手方向に対して直交する断面でＶ字形状又は曲面形状を有する。

次に、めっき処理ステップを行い、その後、フルカットステップを行う。フルカットステップで、分割予定ラインに沿ってパッケージ基板を切断することにより、パッケージチップが製造される。フルカットステップを行う際、切削ブレードの円環状の側面とハーフカット溝の側面との間の空間は、上述のＶ字形状又は曲面形状を有するハーフカット溝と同じ深さ及び同じ幅を有し同断面が矩形形状であるハーフカット溝の場合に比べて、狭くなる。

それゆえ、断面がＶ字形状又は曲面形状のハーフカット溝では、同断面が矩形形状であるハーフカット溝に比べて、バリが発生する空間が小さいので、フルカットステップで発生するバリがハーフカット溝の空間内で伸長し難くなる。更に、ハーフカット溝の空間が狭くなったことに伴い、バリがハーフカット溝の空間外へ伸長して切削ブレードに接触し易くなり、切削ブレードの回転と共に除去され易くなる。それゆえ、フルカットステップ後にパッケージチップ間に残るバリの量を低減できる。

図１（Ａ）はパッケージ基板の平面図であり、図１（Ｂ）はパッケージ基板の底面図であり、図１（Ｃ）はパッケージ基板の側面図である。 第１実施形態のパッケージ基板の平面図の一部拡大図である。 第１実施形態のフレームユニットの平面図である。 図４（Ａ）はハーフカットステップを示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は外周面の断面がＶ字形状である第１切削ブレードの外周面近傍の部分拡大図であり、図４（Ｃ）は外周面の断面が曲面形状である第１切削ブレードの外周面近傍の部分拡大図である。 ハーフカットステップ後のＡ－Ａ断面図である。 めっき処理ステップ後のＡ－Ａ断面図である。 図７（Ａ）はフルカットステップを示すＡ－Ａ断面図であり、図７（Ｂ）はパッケージチップの斜視図である。 パッケージチップの製造方法のフロー図である。 図９（Ａ）はハーフカット溝の断面が矩形形状である比較例のフルカットステップでの拡大断面図であり、図９（Ｂ）はハーフカット溝の断面がＶ字形状である本実施形態のフルカットステップでの拡大断面図である。 第２実施形態のパッケージ基板の一部を拡大して示す平面図である。 ハーフカットステップを示すＣ－Ｃでの一部断面側面図である。 フルカットステップを示すＣ－Ｃでの一部断面側面図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、パッケージ基板の構成例について説明する。図１（Ａ）はパッケージ基板１１の平面図であり、図１（Ｂ）はパッケージ基板１１の底面図であり、図１（Ｃ）はパッケージ基板１１の側面図である。

本実施形態のパッケージ基板１１は、リードレス構造のＱＦＮパッケージ（Quad For Non-lead package）基板であるが、パッケージ基板１１の種類、材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。パッケージ基板１１として、ＷＬ－ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）基板や他のパッケージ基板が用いられてもよい。

パッケージ基板１１は、表面（即ち、パッケージ基板１１の一面）１３ａ及び裏面１３ｂを有し平面視で矩形状に形成された板状のベース基板１３を有する。ベース基板１３は、例えば４２アロイ（鉄とニッケルとの合金）や銅等の金属や樹脂を用いて形成される。

ベース基板１３の表面１３ａ側には、互いに交差する様に格子状に配列され所定の幅Ｗ_Ａ（図２参照）を有する複数の分割予定ライン（ストリート）１５が設定されている。この分割予定ライン１５に沿って表面１３ａ側で露出する態様で、銅等の金属で形成された複数の電極１７が配列されている。電極１７の各々は、分割予定ライン１５を横断するが分割予定ライン１５の幅Ｗ_Ａ（図２参照）よりも狭い所定の幅Ｗ_Ｂを有する。

複数の分割予定ライン１５によって区画された複数の領域（即ち、デバイス領域１１ａ）の各々には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスを含むデバイスチップ（不図示）が配置されている。１つのデバイスチップは、このデバイスチップの周囲に位置する電極１７と金属ワイヤー（不図示）等を介して接続されている。なお、デバイスチップの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。

ベース基板１３の表面１３ａ側には、複数（本実施形態では、１６個）のデバイス領域１１ａにより１つのデバイス領域群が形成されている。本実施形態では、ベース基板１３の長手方向に沿って３つのデバイス領域群が設けられている。各デバイス領域群の周囲には、外周余剰領域１１ｂが存在する。

各デバイス領域群に対応する領域には、樹脂層（即ち、モールド樹脂層）１９が形成されている。樹脂層１９は所定の厚さを有し、樹脂層１９の一面はベース基板１３の表面１３ａで分割予定ライン１５に沿って露出している。樹脂層１９の他面は、ベース基板１３の裏面１３ｂよりも外側に位置している。

樹脂層１９の他面は、パッケージ基板１１の厚さ方向でベース基板１３の表面１３ａとは反対側に位置するパッケージ基板１１の裏面１１ｃ（即ち、パッケージ基板１１の他面）を構成する。パッケージ基板１１の裏面１１ｃとベース基板１３の裏面１３ｂとの間には、上述のデバイスチップ（不図示）が位置しており、このデバイスチップは、樹脂層１９によって覆われて封止されている。

図２は、第１実施形態のパッケージ基板１１の平面図の一部拡大図である。図２では、互いに平行な２本の分割予定ライン１５（１５ａ、１５ｂ）と、これらの２本の分割予定ライン１５にそれぞれ直交する２本の分割予定ライン１５（１５ｃ、１５ｄ）とを示す。

また、図２では、分割予定ライン１５中の切削ライン１１ｄを破線で示す。切削ライン１１ｄは、パッケージ基板１１を後述の第１切削ブレード１８（図４（Ａ）参照）で分割予定ライン１５に沿って切削する際に、第１切削ブレード１８によって実際に切削される領域であり、分割予定ライン１５よりも狭い幅を有する。

例えば、パッケージ基板１１を分割予定ライン１５中の切削ライン１１ｄに沿って分割することにより、各デバイス領域１１ａが互いに分離される。これにより、樹脂層１９によって封止されたデバイスチップ（不図示）をそれぞれ含む複数のパッケージチップ２９（図７（Ｂ）参照）が得られる。

パッケージ基板１１を複数のパッケージチップ２９（図７（Ｂ）参照）に分割するためには、切削装置１０（図４（Ａ）参照）が用いられる。本実施形態では、分割時にパッケージチップ２９が飛散することを防止するべく、切削装置１０でパッケージ基板１１を切削する前に、パッケージ基板１１がダイシングテープ２３（図３参照）を介して金属製の環状フレーム２５と一体化されたフレームユニット２７を形成する。

図３は、第１実施形態のフレームユニット２７の平面図である。ダイシングテープ２３は、例えば、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等の樹脂で形成された基材層と、ゴム系やアクリル系の粘着層（糊層）とが積層されたフィルムである。環状フレーム２５は、ベース基板１３の長手方向の一辺よりも大きな径の開口２５ａを有する。

フレームユニット２７を形成するためには、例えば、環状フレーム２５の開口２５ａにパッケージ基板１１を配置し、パッケージ基板１１の裏面１１ｃと環状フレーム２５の一面とにダイシングテープ２３の粘着層側を貼り付ける。

その後、不図示のカッター等を用いて、開口２５ａよりも大きく且つ環状フレーム２５の外径よりも小さい径となる様に、基材層側から切り込みを入れ、ダイシングテープ２３を円形に切り取る。これにより、フレームユニット２７が形成される。

なお、パッケージ基板１１は、必ずしもダイシングテープ２３を介して環状フレーム２５と一体化される必要はない。環状フレーム２５を用いない場合は、例えば、パッケージ基板１１の裏面１１ｃ側にパッケージ基板１１と概ね同じサイズに形成された矩形状のダイシングテープ２３が貼り付けられる。また、治具テーブル（不図示）を用いてパッケージ基板１１の裏面１１ｃ側を直接保持する場合には、ダイシングテープ２３及び環状フレーム２５の両方を省略できる。

次に、図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図５、図６、図７（Ａ）、図７（Ｂ）及び図８を参照し、第１実施形態に係るパッケージチップ２９（図７（Ｂ）参照）の製造方法を説明する。なお、図８は、パッケージチップ２９の製造方法のフロー図である。

パッケージチップ２９の製造方法では、まず、パッケージ基板１１にハーフカット溝を形成するべく、フレームユニット２７を切削装置１０に搬送する。図４（Ａ）はハーフカットステップ（Ｓ１０）を示す一部断面側面図である。

切削装置１０は、例えば、パッケージ基板１１を保持するチャックテーブル１４と、パッケージ基板１１を切削する二組の切削ユニット１６（即ち、一の切削ユニット１６及び他の切削ユニット１６）とを有する。チャックテーブル１４の上面側には、多孔質材で形成され複数の孔を有する円盤状のポーラス板（不図示）が設けられている。

ポーラス板の表面は、Ｘ軸方向（加工送り方向）及びＹ軸方向（割り出し送り方向）に対して概ね平行に形成されており、ポーラス板の複数の孔は、チャックテーブル１４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して真空ポンプ等の吸引源（不図示）に接続されている。

切削ユニット１６は、Ｙ軸方向に沿って配置されたスピンドル（不図示）を有する。スピンドルの一端側にはモーター等の回転駆動源（不図示）が連結されている。また、スピンドルの他端部には、円環状の切削ブレードが装着されている。

切削ブレードは、例えば、ダイヤモンドやｃＢＮ（cubic Boron Nitride）等の砥粒と金属粉末とを混合した後、この混合物を成形及び焼成することで形成されるメタルボンドタイプのブレードである。但し、切削ブレードの種類は特に限定されない。切削ブレードは、砥粒がめっき層に固着した電鋳ボンドタイプのブレードであってもよい。

二組の切削ユニット１６のうち一の切削ユニット１６のスピンドルには、第１切削ブレード１８が装着されている。第１切削ブレード１８は、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示す様に、外周面が第１切削ブレード１８の径を通る断面で外側に突出している。つまり、外周面は凸状であり、外周面の中央部は外周面の両端部よりも外側に突出している。

図４（Ｂ）は、外周面の断面がＶ字形状である第１切削ブレード１８の外周面近傍の部分拡大図であり、図４（Ｃ）は、外周面の断面が曲面形状である第１切削ブレード１８ａの外周面近傍の部分拡大図である。なお、第１実施形態では、第１切削ブレード１８を用いる例を説明するが、勿論、曲面形状（Ｒ形状と呼ばれることもある）の第１切削ブレード１８ａを用いてもよい。

ハーフカットステップ（Ｓ１０）では、まず、ダイシングテープ２３が保持面１４ａに接する様にパッケージ基板１１をチャックテーブル１４上に配置した状態で、吸引源を動作させる。ダイシングテープ２３は、吸引路を介して保持面１４ａに発生する負圧により、保持面１４ａで吸引され、パッケージ基板１１は、ダイシングテープ２３を介して保持面１４ａで保持される。

次に、回転駆動源により高速に回転させた第１切削ブレード１８を、一の分割予定ライン１５と略平行に位置付ける。その後、回転する第１切削ブレード１８に図示しない切削水ノズルから切削水を供給しつつ、チャックテーブル１４に保持されたパッケージ基板１１の表面１３ａ側から第１切削ブレード１８を長さｂ（図４（Ｂ）参照）だけ切り込ませながら、一の分割予定ライン１５に沿って第１切削ブレード１８とチャックテーブル１４とを相対的に移動させる。

これにより、パッケージ基板１１は、第１切削ブレード１８とチャックテーブル１４との相対的な移動の経路に沿って表面１３ａから所定深さＢまで切削され、ハーフカット溝２１が形成される。図５は、ハーフカットステップ（Ｓ１０）後のＡ－Ａ（図２参照）断面図である。

ハーフカット溝２１は、分割予定ライン１５に沿って配置された複数の電極１７等に形成される。第１切削ブレード１８の切り込み長さｂは、表面１３ａから所定深さＢまでの距離に対応する。表面１３ａから所定深さＢまでの距離は、例えば、パッケージ基板１１の厚さ方向で表面１３ａから電極１７の底部までの長さ（即ち、電極１７の厚さ）よりも小さい。

ハーフカットステップ（Ｓ１０）では、各電極１７は、表面１３ａ側の一部が切削されるが、切断されない。それゆえ、各電極１７に形成されたハーフカット溝２１は、裏面１１ｃには達しない深さを有し、且つ、分割予定ライン１５の長手方向に対して直交する断面で表面１３ａに開口を有し裏面１１ｃ側に底部を備えるＶ字形状を有する。

一の分割予定ライン１５に沿ってハーフカット溝２１を形成した後、第１切削ブレード１８をＹ軸方向に所定のインデックス量だけ割り出し送りして、第１切削ブレード１８をＹ軸方向に隣接する他の分割予定ライン１５に位置付ける。その後、他の分割予定ライン１５に沿って、同様に、複数の電極１７に凹状のＶ字形状を有するハーフカット溝２１を形成する。

なお、上述の様に、外周面の断面が凸状の曲面形状である第１切削ブレード１８ａを用いてハーフカット溝２１を形成してもよい。この場合、ハーフカット溝２１は、裏面１１ｃには達しない深さを有し、且つ、分割予定ライン１５の長手方向に対して直交する断面で表面１３ａに開口を有し、裏面１１ｃ側に底部を備える曲面形状を有する。

一の方向に沿う全ての分割予定ライン１５に沿ってハーフカット溝２１を形成した後、チャックテーブル１４を９０度回転させて、一の方向と直交する他の方向に沿う全ての分割予定ライン１５に沿って、同様にハーフカット溝２１を形成する。これにより、全ての電極１７にハーフカット溝２１が形成される。

ハーフカットステップ（Ｓ１０）後に、めっき処理ステップ（Ｓ２０）が行われる。めっき処理ステップ（Ｓ２０）では、ハーフカット溝２１が形成された複数の電極１７に対して、電解めっき等のめっき処理を施す。

これにより、ハーフカット溝２１を埋めない程度に、複数の電極１７の表面に錫（Ｓｎ）から成る薄いめっき層１７ａが形成される。めっき層１７ａを形成することにより、例えば、電極１７を構成する銅が酸化され難くなる。図６は、めっき処理ステップ（Ｓ２０）後のＡ－Ａ断面図である。

めっき処理ステップ（Ｓ２０）後に、フルカットステップ（Ｓ３０）が行われる。図７（Ａ）は、フルカットステップ（Ｓ３０）を示すＡ－Ａ（図２参照）断面図である。フルカットステップ（Ｓ３０）では、例えば、二組の切削ユニット１６のうち他の切削ユニット１６を用いる。他の切削ユニット１６のスピンドルには、円環状の第２切削ブレード２８が装着されている。

第２切削ブレード２８は、例えば、第１切削ブレード１８と同じ径を有する。但し、ハーフカット溝２１に形成されためっき層１７ａが全て除去されることを防ぐべく、第２切削ブレード２８は、第１切削ブレード１８よりも薄い刃厚を有する。

図示しない切削水ノズルから第２切削ブレード２８に切削水を供給しつつ、第２切削ブレード２８を分割予定ライン１５に沿って表面１３ａ側からハーフカット溝２１の底に切り込ませることにより、複数の電極１７をその厚さ方向で切断すると共に、ベース基板１３及び樹脂層１９等を切断する。これにより、パッケージ基板１１はフルカット溝３１を境に切断され、複数のパッケージチップ２９が形成される。図７（Ｂ）は、パッケージチップ２９の斜視図である。

次に、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）を用いて、比較例と本実施形態とにおけるフルカットステップ（Ｓ３０）の違いを説明する。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）はともに、分割予定ライン１５の長手方向に対して直交する平面でのパッケージ基板１１の表面１３ａ側の断面を示す。

図９（Ａ）は、ハーフカット溝４１の断面が矩形形状である比較例のフルカットステップ（Ｓ３０）での拡大断面図である。また、図９（Ｂ）は、ハーフカット溝２１の断面がＶ字形状である第１実施形態のハーフカット溝２１のフルカットステップ（Ｓ３０）での拡大断面図である。なお、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）では、めっき層１７ａが省略されているが、勿論、めっき層１７ａが形成されていてもよい。

図９（Ａ）（比較例）のハーフカット溝４１の幅Ｗ及び深さＢは、図９（Ｂ）（第１実施形態）のハーフカット溝２１の幅Ｗ及び深さＢと同じである。しかし、図９（Ａ）（比較例）では、ハーフカット溝４１の断面が矩形形状であることに起因して、第２切削ブレード２８の側面とハーフカット溝４１の側面との間の空間が、図９（Ｂ）（第１実施形態）のハーフカット溝２１と第２切削ブレード２８の側面との空間よりも広い。

言い換えると、第１実施形態では、ハーフカット溝２１の断面がＶ字形状であることに起因して、第２切削ブレード２８の側面とハーフカット溝２１の側面との間の空間が、比較例に比べて狭くなる。

それゆえ、第１実施形態では、フルカットステップ（Ｓ３０）で発生するバリ３３がハーフカット溝２１の空間内で伸長し難くなる。更に、ハーフカット溝２１の空間が狭くなったことに伴い、バリ３３がハーフカット溝２１の空間外へ伸長して第２切削ブレード２８に接触し易くなり、第２切削ブレード２８の回転と共に除去され易くなる。それゆえ、フルカットステップ（Ｓ３０）後にパッケージチップ２９間に残るバリ３３の量を低減できる。

なお、上述した様に、ハーフカット溝２１の断面はＶ字形状に限定されない。図４（Ｃ）に示す第１切削ブレード１８を用いて、図９（Ｂ）（第１実施形態）のハーフカット溝２１の深さと同じ深さであり、断面が曲面形状のハーフカット溝２１を形成してもよい。

断面が曲面形状のハーフカット溝２１の場合も、バリ３３がハーフカット溝２１の空間内で伸長し難くなり、バリ３３がハーフカット溝２１の空間外へ伸長して第２切削ブレード２８により除去され易くなる。それゆえ、フルカットステップ（Ｓ３０）後にパッケージチップ２９間に残るバリ３３の量を低減できる。

また、ハーフカット溝２１の断面がＶ字形状又は曲面形状を有する様に形成できれば、第１切削ブレード１８の形状は、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示す例に限定されない。例えば、第１切削ブレード１８の回転中心を通る断面での側面及び外周面が成す形状は、矩形形状であってもよい。この場合、スピンドルをＹ軸に対して傾けた状態で、第１切削ブレード１８を表面１３ａに切り込むことにより、Ｖ字形状のハーフカット溝２１を形成できる。

ところで、ハーフカットステップ（Ｓ１０）とめっき処理ステップ（Ｓ２０）との間に、ウォータージェット洗浄装置（不図示）又はスピン洗浄装置（不図示）を用いて、バリ３３を除去する洗浄ステップを行ってもよい。これにより、ハーフカットステップ（Ｓ１０）時に生じたバリ３３を除去できる。また、フルカットステップ（Ｓ３０）後に、上述の洗浄ステップを行ってもよい。これにより、パッケージチップ２９上等に残留するバリ３３を除去できる。

次に、第２実施形態について説明する。図１０は、第２実施形態のパッケージ基板１１の一部を拡大して示す平面図である。第２実施形態では、１つの分割予定ライン１５に沿って２条（即ち、平行な２つ）の切削ライン１１ｄ_１及び１１ｄ_２が設定されている。

例えば、フルカットステップ（Ｓ３０）で使用される切削ブレードの刃厚が、隣接するパッケージチップ２９間の幅に比べて十分に小さい場合に、１つの分割予定ライン１５に沿って２条の切削ライン１１ｄ_１及び１１ｄ_２が設定される。

第２実施形態のハーフカットステップ（Ｓ１０）では、第１実施形態の第１切削ブレード１８よりも刃厚が薄く、径を通る断面で外周面が凸状の曲面形状である第１切削ブレード１８ｂを用いる（図１１参照）。図１１は、ハーフカットステップ（Ｓ１０）を示すＣ－Ｃ（図１０参照）での一部断面側面図である。

第２実施形態のハーフカットステップ（Ｓ１０）でも、回転する第１切削ブレード１８ｂに図示しない切削水ノズルから切削水を供給しつつ、表面１３ａから所定深さＢまでの距離に対応する長さｂだけ、第１切削ブレード１８ｂを表面１３ａ側に切り込む。これにより、パッケージ基板１１の厚さ方向で表面１３ａから電極１７の底部までの深さ（即ち、電極１７の厚さ）よりも浅い深さＢのハーフカット溝２１を形成する。

但し、第２実施形態では、２条の切削ライン１１ｄ_１及び１１ｄ_２に沿って第１切削ブレード１８ｂを表面１３ａに切り込むことにより、２条のハーフカット溝２１を形成する。各ハーフカット溝２１は、表面１３ａに対し略垂直な一対の側壁２１ａと、各側壁２１ａの下端からパッケージ基板１１の裏面１１ｃに向かって曲面形状を構成する底部２１ｂとを有する。

なお、第１切削ブレード１８ｂは、この例に限定されない。第１切削ブレード１８ｂの外周面は、第１切削ブレード１８ｂの径を通る断面で凸状のＶ字形状を有してもよい。この第１切削ブレード１８ｂを用いて、表面１３ａに開口を有し裏面１１ｃ側に底部を備えるＶ字形状のハーフカット溝２１を形成してもよい。

ハーフカットステップ（Ｓ１０）後、めっき処理ステップ（Ｓ２０）でめっき層１７ａを形成する。その後、フルカットステップ（Ｓ３０）を行う。図１２は、フルカットステップ（Ｓ３０）を示すＣ－Ｃ（図１０参照）での一部断面側面図である。フルカットステップ（Ｓ３０）では、各分割予定ライン１５に位置する２条のハーフカット溝２１のそれぞれに沿って複数の電極１７及びパッケージ基板１１を切断する。

第２実施形態のフルカットステップ（Ｓ３０）では、ハーフカットステップ（Ｓ１０）で使用した第１切削ブレード１８ｂを使用する。特に、第２実施形態のフルカットステップ（Ｓ３０）では、ハーフカット溝２１の一対の側壁２１ａのうち少なくとも一方に第１切削ブレード１８ｂが接触しない様に第１切削ブレード１８ｂをハーフカット溝２１に位置付けて、ハーフカット溝２１を切削する。

より具体的には、一方の側壁２１ａに接触しない様に他方の側壁２１ａ上に第１切削ブレード１８ｂを位置付けて、回転する第１切削ブレード１８ｂに図示しない切削水ノズルから切削水を供給しつつ、他方の側壁２１ａを切削しながらハーフカット溝２１を切削する。これにより、フルカットステップ（Ｓ３０）で、第１切削ブレード１８ｂの側面が一対の側壁２１ａのうち一方の側壁２１ａに接触することを防止できる。

第２実施形態でも、同じ幅及び同じ深さを有する矩形形状のハーフカット溝２１に比べて、第１切削ブレード１８ｂと一方の側壁２１ａ（即ち、第１切削ブレード１８ｂが接触しない側壁２１ａ）との間に位置するハーフカット溝２１の空間が狭くなる。

それゆえ、フルカットステップ（Ｓ３０）で発生するバリ３３がハーフカット溝２１の空間内で伸長し難くなる。更に、ハーフカット溝２１の空間が狭くなったことに伴い、バリ３３がハーフカット溝２１の空間外へ伸長して第１切削ブレード１８ｂに接触し易くなり、第１切削ブレード１８ｂの回転と共に除去され易くなる。それゆえ、フルカットステップ（Ｓ３０）後にパッケージチップ２９間に残るバリ３３の量を低減できる。

第２実施形態のフルカットステップ（Ｓ３０）でも、複数の電極１７をその厚さ方向で切断すると共に、ベース基板１３及び樹脂層１９等を切断する。パッケージ基板１１はフルカット溝３１で切断され、複数のパッケージチップ２９が形成される。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１０ 切削装置
１１ パッケージ基板
１１ａ デバイス領域
１１ｂ 外周余剰領域
１１ｃ 裏面（パッケージ基板の他面）
１１ｄ，１１ｄ_１，１１ｄ_２ 切削ライン
１３ ベース基板
１３ａ 表面（パッケージ基板の一面）
１３ｂ 裏面
１４ チャックテーブル
１４ａ 保持面
１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ 分割予定ライン（ストリート）
１６ 切削ユニット
１７ 電極
１７ａ めっき層
１８，１８ａ，１８ｂ 第１切削ブレード
１９ 樹脂層（モールド樹脂）
２１ ハーフカット溝
２１ａ 側壁
２１ｂ 底部
２３ ダイシングテープ
２５ 環状フレーム
２５ａ 開口
２７ フレームユニット
２８ 第２切削ブレード
２９ パッケージチップ
３１ フルカット溝
３３ バリ
４１ ハーフカット溝
ｂ 長さ
Ｂ 深さ
Ｗ_Ａ，Ｗ_Ｂ，Ｗ 幅

Claims (2)

1. 交差する複数の分割予定ラインで区画される複数の領域のそれぞれに設けられたデバイスと、各分割予定ラインに沿ってそれぞれ配列され、分割予定ラインを横断する幅と所定厚さとをそれぞれ有する複数の電極とを有するパッケージ基板を加工してパッケージチップを製造するパッケージチップの製造方法であって、
   各分割予定ラインに沿って該パッケージ基板を円環状の第１切削ブレードで該パッケージ基板の一面から所定深さまで切削することにより、該パッケージ基板の厚さ方向で該パッケージ基板の該一面とは反対側に位置する他面には達しない深さを有し、且つ、各分割予定ラインの長手方向に対して直交する断面でＶ字形状又は曲面形状を有するハーフカット溝を、各分割予定ラインに沿って配置された該複数の電極に形成するハーフカットステップと、
   該ハーフカットステップの後、該複数の電極にめっき処理を施すめっき処理ステップと、
   該めっき処理ステップの後、該ハーフカット溝の一対の側壁のうち一方と重なる様に該第１切削ブレードを位置付けて該ハーフカット溝を切削して、該複数の電極を該厚さ方向で切断すると共に、該パッケージ基板を切断してパッケージチップを形成するフルカットステップと、を備え、
   該ハーフカットステップでは、各分割予定ラインに沿って２条のハーフカット溝を形成し、
   該フルカットステップでは、該一対の側壁のうち該２条のハーフカット溝の間に位置する中間領域の側にある側壁と重なり、且つ、該中間領域の側とは反対側にある側壁に設けられためっき層と該第１切削ブレードとの間に空間が形成される様に該第１切削ブレードを該ハーフカット溝に位置付けて、各分割予定ラインの該２条のハーフカット溝のそれぞれに沿って該ハーフカット溝を切削することで該複数の電極及び該パッケージ基板を切断することを特徴とするパッケージチップの製造方法。
2. 該ハーフカットステップでは、径を通る断面での外周面が凸状のＶ字形状又は曲面形状を有する該第１切削ブレードで該ハーフカット溝を形成することを特徴とする、請求項１に記載のパッケージチップの製造方法。

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