JP2015109349A - パッケージ基板の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】加工時間の増加を抑制しながらもバリの発生を抑制することができるパッケージ基板の加工方法を提供すること。【解決手段】パッケージ基板の加工方法は表面WSに複数形成された分割予定ラインによって区画されたデバイス領域にデバイスが配設されデバイス領域から分割予定ラインに及ぶ複数の電極が形成されたQFNパッケージ基板Wの加工方法である。パッケージ基板の加工方法は分割ステップとバリ除去ステップを備える。分割ステップは表面WSを露出してQFNパッケージ基板Wをチャックテーブル11の保持面11aで保持し分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ電極を分断しつつ個々のチップDTに分割する。バリ除去ステップは分割ステップを実施したQFNパッケージ基板Wの表面WSに粉末状のドライアイスを吹きかけて切削により電極から伸長したバリを除去する。【選択図】図5
Description
本発明は、パッケージ基板の加工方法、特にバリの除去方法に関する。
IC、LSI又は、LED等のデバイスが複数形成されたウエーハは、ダイシング装置等によって個々のデバイスに分割された後、パッケージングされて各種電子機器に広く利用されている。
パッケージング技術の1つとして、QFN(Quad Flat Non-leaded Package)と称される技術が実用化されている。このQFNでは、例えば、縦横に設けられた分割予定ラインによって区画されたデバイス領域を有すると共に電極が形成された金属枠体と、その区画された個々のデバイス領域の裏面に配設されたデバイスと、デバイスを樹脂で封止した樹脂封止部とでパッケージ基板を構成する技術である。QFNでは、切削ブレードを用いて分割予定ラインに沿ってパッケージ基板を縦横に切断して分離させることにより、デバイスが樹脂によって金属上で封止されて構成されるQFNチップとなる(例えば、特許文献1参照)。
また、同様に、金属枠体上でLED素子を樹脂によってモールドしてLEDパッケージ基板を製造し、このLEDパッケージ基板を切削ブレードを用いてLEDチップに分離している(特許文献2参照)。
また、特許文献1などに示されたパッケージ基板の加工方法において問題となる電極のバリ対策のために、切削方法等を工夫してきた(例えば、特許文献3参照)。
前述した特許文献1及び特許文献2に示されたパッケージ基板の分割で問題になるのが、電極から伸長するバリである。バリの伸長によって、隣合う電極同士がつながりショートしたり、チップの電極が接続する相手方の電極との接触が悪くなってしまうという問題があるためである。それを解決するために、特許文献3に示された方法では、切削方法の工夫等でバリ対策を実施していたが、加工時間が増えたり、使用するツールが増えたりといった課題が残されていた。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、加工時間の増加を抑制しながらもバリの発生を抑制することができるパッケージ基板の加工方法を提供することにある。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージ基板の加工方法は、表面に複数形成された分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが配設され、該デバイスの配設された該領域から該分割予定ラインに及ぶ複数の電極が表面に形成されたパッケージ基板の加工方法であって、表面を露出してパッケージ基板をチャックテーブルの保持面で保持し、該分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、該電極を分断しつつパッケージ基板を個々のチップに分割する分割ステップと、該分割ステップを実施したパッケージ基板に表面から粉末状のドライアイスを吹きかけて、切削により該電極から伸長したバリを除去するバリ除去ステップと、を備えることを特徴とする。
また、本発明のパッケージ基板の加工方法は、前記パッケージ基板は、前記分割予定ラインを横断する複数の電極が形成された金属枠体と、該分割予定ラインによって区画された領域の裏面に前記デバイスが配設され、該デバイスが樹脂によって封止された樹脂封止部と、から構成されたことが望ましい。
また、本発明のパッケージ基板の加工方法は、前記バリ除去ステップでは、前記粉末状のドライアイスを吹きかける噴射ノズルがアースに接続されていることが望ましい。
また、本発明のパッケージ基板の加工方法は、前記バリ除去ステップでは、前記パッケージ基板の表面にイオン化エアーが供給されることが望ましい。
そこで、本発明のパッケージ基板の加工方法では、分割ステップの後、伸長したバリに粉末状のドライアイスを吹きつけることで、バリに吹きつけられたドライアイスの気化膨張の作用により、バリを電極から除去させるという効果を奏する。したがって、本発明のパッケージ基板の加工方法では、加工時間の増加を抑制しながらもバリの発生を抑制することができる。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るパッケージ基板の加工方法を図面に基いて説明する。図1(a)は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法が施されるパッケージ基板としてのQFNパッケージの平面図、図1(b)は、図1(a)に示されたQFNパッケージの裏面の平面図、図1(c)は、図1(a)に示されたQFNパッケージの側面図、図2は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の分割ステップの概要を示す側断面図、図3は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の分割ステップ後の切断面の一例を示す図、図4は、図3に示された切断面に発生するバリの一例を示す図、図5は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法のバリ除去ステップの概要を示す側断面図、図6は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法のバリ除去ステップ後の切断面の一例を示す図、図7は、図6に示された切断面に発生するバリの一例を示す図である。
本発明の実施形態に係るパッケージ基板の加工方法を図面に基いて説明する。図1(a)は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法が施されるパッケージ基板としてのQFNパッケージの平面図、図1(b)は、図1(a)に示されたQFNパッケージの裏面の平面図、図1(c)は、図1(a)に示されたQFNパッケージの側面図、図2は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の分割ステップの概要を示す側断面図、図3は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の分割ステップ後の切断面の一例を示す図、図4は、図3に示された切断面に発生するバリの一例を示す図、図5は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法のバリ除去ステップの概要を示す側断面図、図6は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法のバリ除去ステップ後の切断面の一例を示す図、図7は、図6に示された切断面に発生するバリの一例を示す図である。
実施形態に係るパッケージ基板の加工方法(以下、単に加工方法と呼ぶ)は、図1(a)及び図1(b)に示すパッケージ基板としてのQFN(Quad Flat Non-leaded Package)パッケージ基板Wを加工する加工方法であって、QFNパッケージ基板Wを個々のチップDT(図5などに示す)に分割する方法である。
なお、本実施形態に係る加工方法により個々のチップDTに分割される加工対象としてのQFNパッケージ基板Wは、図1(a)に示すように、表面WSに複数形成された分割予定ラインLによって区画されたデバイス領域R(領域に相当)に、図示しないデバイスが配設されている。QFNパッケージ基板Wは、デバイスの配設されたデバイス領域Rから分割予定ラインLに及ぶ複数の電極Eが表面WSに形成されている。また、QFNパッケージ基板Wは、図1(b)及び図1(c)に示すように、分割予定ラインLを横断する複数の電極Eと、分割予定ラインLによって区画されたデバイス領域Rとが形成された金属枠体FBと、樹脂封止部RSとから構成されている。
また、QFNパッケージ基板Wは、金属枠体FBのデバイス領域Rの裏面に図示しないデバイスが配設されている。樹脂封止部RSは、デバイスが樹脂によって封止されて構成されている。QFNパッケージ基板Wは、分割予定ラインLに沿って分割されて複数の電極Eが中央で切断されることで、図示しないデバイスを封止した樹脂封止部RSと、複数の切断された電極Eとを備えたチップDTに分割される。
実施形態に係る加工方法は、分割ステップと、バリ除去ステップとを備える。分割ステップでは、図1(b)に示すように、表面WSの裏側の裏面WRに露出した樹脂封止部RSに外縁部に環状フレームFが貼着された保護テープT(保護部材に相当)を貼着する。なお、保護テープTは、電気的に絶縁性を有する合成樹脂などで構成されている。
QFNパッケージ基板Wの裏面WRを、保護テープTを介して、QFNパッケージ基板Wを分割予定ラインLに沿って切削する切削装置10のチャックテーブル11のポーラス状の保持面11a上に載置する。そして、チャックテーブル11に図示しない真空吸引経路を介して接続された真空吸引源により保持面11aを吸引して、図2に示すように、表面WSを露出して、QFNパッケージ基板Wを保護テープTを介してチャックテーブル11の保持面11aで吸引保持する。また、チャックテーブル11の周囲に設けられかつ保持面11aよりも低い位置のクランプ部12を図示しないエアーアクチュエータにより駆動して、クランプ部12でQFNパッケージ基板Wの周囲の環状フレームFを挟持する。なお、チャックテーブル11は、図示しないアースに電気的に接続されている。
その後、分割ステップでは、切削装置10の図示しない撮像手段が取得した画像に基いて、アライメントを遂行する。そして、チャックテーブル11と切削装置10の軸心回りに回転した切削ブレード13とを図示しない移動手段により分割予定ラインLに沿って相対的に移動させながら、図2に示すように、QFNパッケージ基板Wの分割予定ラインLに沿って切削ブレード13を保護テープTまで切り込ませ、電極Eを分断しつつQFNパッケージ基板Wを個々のチップDTに分割する。QFNパッケージ基板Wの分割予定ラインLに沿って切削ブレード13を保護テープTまで切り込ませて得られる切断面では、図3に示すように、電極Eに樹脂封止部RSの表面から突出したバリBが形成されている。
バリBは、図4に示すように、樹脂封止部RSの表面から突出したバリ本体BMと、バリ本体BMの表面に複数設けられたとげ部BPとを備えている。バリ本体BMは、例えば、図4に示す場合では、山形に形成されている。しかしながら、本発明では、バリ本体BMはこれに限らず種々の形状に形成されている。とげ部BPは、バリ本体BMの表面から凸の鋭い突起に形成されている。しかしながら、本発明では、とげ部BPはこれに限らず種々の形状に形成されている。分割ステップでは、すべての分割予定ラインLに沿って順に切削ブレード13を保護テープTまで切り込ませ、個々のチップDTにQFNパッケージ基板Wを分割する。そして、バリ除去ステップに進む。
バリ除去ステップでは、チャックテーブル11と切削装置10の粉末状のドライアイスを吹きかける噴射ノズル23とを分割予定ラインLに沿って相対的に移動させながら、図5に示すように、分割ステップを実施したQFNパッケージ基板Wの表面WSに噴射ノズル23からの粉末状のドライアイスを吹きかける。
噴射ノズル23は、チャックテーブル11に保持されたQFNパッケージ基板Wの表面WSに粉末状のドライアイスを吹きかけるものである。噴射ノズル23は、図5に示すように、アース25に電気的に接続されている。噴射ノズル23は、保持テーブル11上のQFNパッケージ基板Wに向かって垂直にドライアイスを噴射する先端の噴射口28がQFNパッケージ基板Wのすべての分割予定ラインL上を通るように、図示しない移動手段により移動される。噴射ノズル23は、液化炭酸ガス供給源29からの液化炭酸ガスと、噴射用ガス供給源30からの加圧気体とが供給される。噴射ノズル23は、液化炭酸ガスと加圧気体とが混合され液化炭酸ガスが断熱膨張することによって冷却されて得られる粉末状のドライアイスを噴射口28からQFNパッケージ基板Wの分割予定ラインLに向かって噴射する。
QFNパッケージ基板Wの分割予定ラインLに吹きかけられた粉末状のドライアイスは、QFNパッケージ基板Wの電極EのバリBに付着し、特に、バリ本体BMととげ部BPとの間に侵入する。そして、粉末状のドライアイスは、その後、気化膨張して、図7に示すように、とげ部BPをバリ本体BMから除去するとともに、図6に示すように、バリ本体BMの表面を若干滑らかにする。このとき、QFNパッケージ基板Wの分割予定ラインLに衝突した粉末状のドライアイスは、衝突時の摩擦などにより静電気をQFNパッケージ基板Wの分割予定ラインLに発生させることになる。QFNパッケージ基板Wの分割予定ラインLに発生した静電気は、保護テープTが絶縁性の合成樹脂で構成されているために、チャンクテーブル11を介してアースに導かれることなく、QFNパッケージ基板Wの表面WSに帯電する。また、液化炭酸ガス供給源29からの液化炭酸ガスと噴射用ガス供給源30からの加圧気体とを噴射ノズル23に供給する供給経路32には、粉末状のドライアイスが帯電することを抑制する帯電防止手段31が設けられている。
このように、バリ除去ステップでは、噴射ノズル23から分割予定ラインLに向かって粉末状のドライアイスを吹きかけることで、切削により電極Eから伸長したバリBを若干削ることになる。即ち、本発明では、切削により電極Eから伸長したバリBを若干削ることを、バリBを除去するという。また、バリ除去ステップでは、QFNパッケージ基板Wの表面WSに静電気除去機24からイオン化エアーが供給される。そして、QFNパッケージ基板Wの表面WSに帯電された静電気が中和される。
静電気除去機24は、バリ除去ステップにおいて、プラス、マイナスに帯電したイオン化エアーをQFNパッケージ基板Wの表面WSに吹き付け、粉末状のドライアイスが衝突することでQFNパッケージ基板Wの表面WSに生じる静電気を中和するものである。
バリ除去ステップでは、すべての分割予定ラインLに粉末状のドライアイスを吹きかけると、静電気除去機24からのイオン化エアーの吹き付けを停止させる。そして、チャックテーブル11の吸引・保持とクランプ部12の環状フレームFの挟持を解除した後、搬送手段によりチャックテーブル11上のQFNパッケージ基板Wを次工程へと搬送する。
以上のように、実施形態に係る加工方法によれば、分割ステップの後、伸長したバリBに粉末状のドライアイスを吹きつける。実施形態に係る加工方法によれば、バリBに吹きつけられたドライアイスの気化膨張の作用により、とげ部BPを除去するなどしてバリBを若干削って、バリBを電極Eから除去させる。
実施形態に係る加工方法によれば、伸長したバリBに粉末状のドライアイスを吹きつけることで、バリBを電極Eから除去させるので、ドライアイスの粒の大きさや吹きつける流速を調整することで、QFNパッケージ基板Wを損傷させることなく、加工時間の増加を抑制しながらも、容易にバリBを除去できる。よって、実施形態に係る加工方法によれば、加工時間の増加を抑制しながらもバリBの発生を抑制することができる。
前述した実施形態では、すべての分割予定ラインLを切削してから粉末状のドライアイスを吹きかけている。しかしながら、本発明では、他の分割予定ラインLの切削中に切削済みの分割予定ラインLに粉末状のドライアイスを吹きかけてもよい。
また、本発明では、パッケージ基板として、QFNパッケージ基板Wの他に、例えば、図8に示すLEDパッケージW1などの種々のパッケージ基板を加工してもよい。なお、図8(a)は、実施形態に係るパッケージ基板の加工方法が施されるパッケージ基板としてのLEDパッケージの平面図、図8(b)は、図8(a)に示されたLEDパッケージの裏面の平面図、図8(c)は、図8(a)に示されたLEDパッケージの側面図、図8(d)は、分割ステップ後のLEDパッケージの切断面の一例を示す図である。
LEDパッケージW1は、図8(a)、図8(b)及び図8(c)に示すように、ガラスエポキシ樹脂などで構成された絶縁性の基板Sの表面SSに複数形成された分割予定ラインLによって区画された領域に、図示しないデバイスとしてのLEDが配設され、LEDの配設された領域から分割予定ラインLに及ぶ複数の電極Eが表面WSに形成されたものである。電極Eは、図8(d)に示すように、分割予定ラインLを貫通したスルーホールHの内面に金属が被覆されて構成されている。また、LEDパッケージW1は、LEDが樹脂に封止されて構成されるデバイス部DPを備えている。LEDパッケージW1は、分割予定ラインLに沿って分割されて、図8(d)に示すように、複数の電極Eが中央で切断されることで、個々のチップに分割される。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
11 チャックテーブル
11a 保持面
13 切削ブレード
23 噴射ノズル
25 アース
B バリ
E 電極
L 分割予定ライン
R デバイス領域(領域)
DT チップ
W QFNパッケージ基板(パッケージ基板)
WS 表面
FB 金属枠体
RS 樹脂封止部
W1 LEDパッケージ(パッケージ基板)
SS 表面
11a 保持面
13 切削ブレード
23 噴射ノズル
25 アース
B バリ
E 電極
L 分割予定ライン
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DT チップ
W QFNパッケージ基板(パッケージ基板)
WS 表面
FB 金属枠体
RS 樹脂封止部
W1 LEDパッケージ(パッケージ基板)
SS 表面
Claims (4)
- 表面に複数形成された分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが配設され、該デバイスの配設された該領域から該分割予定ラインに及ぶ複数の電極が表面に形成されたパッケージ基板の加工方法であって、
表面を露出してパッケージ基板をチャックテーブルの保持面で保持し、該分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、該電極を分断しつつパッケージ基板を個々のチップに分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施したパッケージ基板に表面から粉末状のドライアイスを吹きかけて、切削により該電極から伸長したバリを除去するバリ除去ステップと、
を備えるパッケージ基板の加工方法。 - 前記パッケージ基板は、前記分割予定ラインを横断する複数の電極が形成された金属枠体と、該分割予定ラインによって区画された領域の裏面に前記デバイスが配設され、該デバイスが樹脂によって封止された樹脂封止部と、から構成された請求項1記載のパッケージ基板の加工方法。
- 前記バリ除去ステップでは、前記粉末状のドライアイスを吹きかける噴射ノズルがアースに接続されている請求項1又は2記載のパッケージ基板の加工方法。
- 前記バリ除去ステップでは、前記パッケージ基板の表面にイオン化エアーが供給される請求項1〜3のいずれか1つに記載のパッケージ基板の加工方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020161615A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社ディスコ | パッケージチップの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005169302A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | クリーニング方法およびクリーニング装置 |
JP2008166546A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削ブレードの先端形状検査方法 |
JP2008264926A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Rix Corp | バリ取り洗浄装置およびバリ取り洗浄方法 |
JP2009028633A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 洗浄方法 |
-
2013
- 2013-12-04 JP JP2013251460A patent/JP2015109349A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005169302A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | クリーニング方法およびクリーニング装置 |
JP2008166546A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削ブレードの先端形状検査方法 |
JP2008264926A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Rix Corp | バリ取り洗浄装置およびバリ取り洗浄方法 |
JP2009028633A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 洗浄方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020161615A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社ディスコ | パッケージチップの製造方法 |
JP7391465B2 (ja) | 2019-03-26 | 2023-12-05 | 株式会社ディスコ | パッケージチップの製造方法 |
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