JP2006237375A

JP2006237375A - ダイシング方法

Info

Publication number: JP2006237375A
Application number: JP2005051363A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiko Taura; 展彦田浦
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba LSI Package Solutions Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Kioxia Advanced Package Corp
Priority date: 2005-02-25
Filing date: 2005-02-25
Publication date: 2006-09-07

Abstract

【課題】本発明は、ダイシングライン上にダイボンドフィルムが残存しにくいダイシング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ブレードを用いたアッパーカットにより、ダイボンドフィルムが貼付けられた半導体ウエハのダイシングラインを切削する工程と、ブレードを用いたダウンカットにより、前記アッパーカットにより切断された前記ダイシングラインを切削する工程と、
を有することを特徴とするダイシング方法。
【選択図】図３

Description

本発明は、ダイシング方法に関するものである。

近年、積層型ＭＣＰ(multi chip package)などの、半導体チップ上に他の半導体チップを重ね、一つのパッケージ内に封止した製品（以下、積層型パッケージと呼ぶ。）が市場に出回るようになってきている。積層型パッケージ製品では、半導体チップ間及び半導体チップと配線基板とを接着するのにダイボンドフィルムが用いられている。

積層型パッケージでは、半導体ウエハの裏面にダイボンドフィルムを貼付けたのちに、貼付けた状態でダイシングし、半導体ウエハとダイボンドフィルムとの両方を切断し、半導体ウエハから個片化された半導体チップを切り出して製造している。

しかしながら、ダイボンドフィルムは、粘性が強く、ブレード装置でダイシングすると、ダイボンドフィルムの切断ヒゲが発生する。この切断ヒゲとは、ダイボンドフィルムが除去されずにダイボンドフィルムの一部とつながっている残存物のことをいう。このヒゲが長く、半導体ウエハ上に這い上がるとボンディングパッド上に載る可能性があり、ボンディングの不良の原因となる。
特開平９−３２６３７２号公報

本発明は、ダイシングライン上にダイボンドフィルムが残存しにくいダイシング方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様のダイシング方法は、ブレードを用いたアッパーカットにより、ダイボンドフィルムが貼付けられた半導体ウエハのダイシングラインを切削する工程と、ブレードを用いたダウンカットにより、前記アッパーカットにより切断された前記ダイシングラインを切削する工程と、を有することを特徴としている。

また、本発明の他の一態様のダイシング方法は、ブレードを用いたアッパーカットにより、ダイボンドフィルムが貼付けられた半導体ウエハのダイシングラインを切削する工程と、ブレードを用いたダウンカットにより、前記アッパーカットにより切断された前記ダイシングラインを切削し、前記アッパーカット後にダイシングライン付近に残存する前記粘着テープを除去する工程と、を有することを特徴としている。

本発明によれば、ダイシングライン上にダイボンドフィルムが残存しにくいダイシング方法を提供することができる。

以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。

本発明の実施例に係るダイシング方法を図１乃至図５を用いて説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導体チップを積層させたパッケージの断面図である。

図１に示すように、積層型半導体集積回路装置は、配線基板１上に、ダイボンディングフィルム２を介して第１の半導体チップ３が積層搭載され、その上にダイボンディングフィルム２を介して第２の半導体チップ４が積層搭載されている。そして、第１の半導体チップ３と配線基板１との間及び第２の半導体チップと配線基板１との間は、ボンディングワイヤ５を介して電気的に接続されている。

本実施例では、図１に示したような、半導体チップと配線基板間をダイボンディングフィルムにより接着する半導体集積回路装置の製造方法におけるダイシング方法について図２乃至図５を参照して説明する。

図２（a）は、半導体ウエハ１０の上面図であり、図２（b）は、図２（a）のＡ−Ａ’線での断面図である。

図２（a）に示すように、半導体ウエハ１０には、縦横にマトリックス上に走るダイシングライン１２が設けられている。そして、この四方をダイシングライン１２に囲まれた領域が半導体チップ１４となる。

図２（b）に示すように、半導体ウエハ１０の裏面には、ダイボンドフィルム１６が接着されている。このダイボンドフィルム１６は、半導体ウエハ１０上に、トランジスタ、抵抗、キャパシタ、配線などの半導体素子を終えた後に、半導体ウエハ１０の裏面に接着されたものである。ダイボンドフィルム１６の材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フィラーなどがある。

このような、裏面にダイボンドフィルム１６が貼付けられた半導体チップ１４が、図１に示したように配線基板上や、半導体チップ上に搭載される。

次に、図２（a）（b）に示したような、ダイボンドフィルム１６がその裏面に貼付けられた半導体ウエハ１０をダイシングする方法を、図３を用いて説明する。図３は、本発明の実施例に係るダイシング方法を示す工程断面図である。

はじめに、図３（a）に示すように、半導体ウエハ１０の裏面にダイボンドフィルム１６を貼付ける。そして、図を明瞭にするために図示しないが、ダイボンドフィルム１６の裏面に、ダイシングテープ（図示しない）を接着し、ダイシングテーブル（図示しない）にチャックする。そして、半導体ウエハ１０とダイボンドフィルム１６とには、半導体チップ１４を個片化するために、ブレードを用いて切断するためのダイシングライン１２が設けられている。

次に、図３（b）に示すように、ダイシングライン１２に対して、ブレード２０を用いて、アッパーカットにより切削する。アッパーカットとは、半導体ウエハ１０とブレード２０との接触点において、上方向がブレードの回転方向となるようにブレード２０を回転させることである。具体的には、図４（a）の矢印方向にブレードを回転させることをいう。

このように、ブレード２０を用い、アッパーカットにて、ダイボンドフィルム１６及び半導体ウエハ１０を切断すると、図３（ｃ）に示すように、ダイシングライン１２上のダイボンドフィルム１６にダイボンドフィルムの残存物、いわゆるヒゲ１８が発生する。

後のアセンブリ工程を鑑みると、半導体チップ１４と、その裏面に貼付けられたダイボンドフィルム１６とは、同じ大きさであることが望ましい。それに対して、このヒゲ１８は、半導体チップ１４のアセンブリ時に不要なものであるばかりか、半導体チップ１４上に乗り上げることにより、半導体チップ１４のパッドに付着し電気的導通を不能にするなどの特性上の悪化の原因となる。

これは、ダイボンドフィルム１６が、軟らかく、粘性があり、切断しにくい材質であるため、ダイシングライン１２で半導体ウエハ１０は切断することができるものの、ダイボンドフィルム１６はブレードにより除去することができずに、半導体チップ１４のダイボンドフィルム１６とつながった状態となり、ダイシングライン１２にダイボンドフィルム１６が残存する。

次に、図３(ｄ)に示すように、アッパーカットによりブレード２０で切削したダイシングライン１２に対して、ブレード２０を用いて、ダウンカットにより切削する。ダウンカットとは、半導体ウエハ１０とブレード２０との接触点において、下方向がブレード２０の回転方向となるようにブレード２０を回転させて、半導体ウエハ１０及びダイボンドフィルム１６を切断することである。具体的には、図４（b）の矢印方向にブレード２０を回転させることをいい、アッパーカットとは逆の回転方向にブレードを回転させる。

このように、アッパーカットでダイシング後のダイシングライン付近には、ヒゲ１８が残存していた。このヒゲ１８をダウンカットで切削することにより、半導体チップ１４のダイボンドフィルム１６に付着若しくは接続していたダイシングライン１２のダイボンドフィルム１６を除去することが可能となる。これにより、半導体チップ１４のダイボンドフィルム１６は、半導体ウエハ１０とほぼ同様の形状に切断し、裏面にダイボンドフィルムが貼付けられた半導体チップ１４を個片化することが可能となる。

以上のように、本実施例に係るダイシング方法では、裏面にダイボンドフィルムが貼付けられた半導体ウエハに対して、はじめに、ダイシングラインをアッパーカットにより切削した後に、ダイシングラインにダウンカットにより再度切削することにより、半導体チップの裏面以外にダイボンドフィルムを残存させずに、半導体チップと同じ大きさであるダイボンドフィルムを同時に個片化することが可能となる。

そして、図５に示すようなブレード３０を用いることにより、さらにヒゲ３４を発生させなくすることが可能となる。

図５に示すブレード３０は、その外周に切り欠け３２が設けられている。このような、切り欠け３２をブレード３０の外周に設けることにより、ダウンカットで切削する際に、ヒゲ３４を切り欠け３２に引っ掛けて除去することが可能となる。これにより、通常の円形状の切り欠けが設けられていないブレードを用いてダウンカットをする場合に比べて、ヒゲ３４を除去しやすくなる。図５に示した切り欠け３２は、半円状であるが、形状は、三角形状、正方形状、長方形状、台形状など形状を問わない。

なお、切り欠け３２が設けられているブレード３０は、少なくともダウンカットを行なうときに用いればヒゲ３４を除去することになるのであって、アッパーカットを行なうときには、切り欠け３２があるブレードを用いて切削しても、切り欠けがないブレードを用いて切削しても良い。

また、ブレードを回転させるスピンドルが２軸あるブレード装置を用いてダイシングを行なえば、一つのダイシング装置により、本実施例のようなダイシング方法を実施することが可能である。

以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、追加等がもちろん可能である。

本発明の実施例に係る半導体チップを積層させたパッケージ断面図。本発明の実施例に係る半導体ウエハの上面図と断面図。本発明の実施例に係るダイシング方法を示す工程断面図。本発明の実施例に係るブレードの回転方向を説明するための図。本発明の実施例に係るブレード装置概略図。

符号の説明

１配線基板
２ダイボンディングフィルム
３第１の半導体チップ
４第２の半導体チップ
５ボンディングワイヤ
６封止樹脂
１０半導体ウエハ
１２ダイシングライン
１４半導体チップ
１６ダイボンドフィルム
１８ヒゲ
２０ブレード
３０ブレード
３２切り欠け
３４ヒゲ
３６ダイシングテープ

Claims

ブレードを用いたアッパーカットにより、ダイボンドフィルムが貼付けられた半導体ウエハのダイシングラインを切削する工程と、
ブレードを用いたダウンカットにより、前記アッパーカットにより切断された前記ダイシングラインを切削する工程と、
を有することを特徴とするダイシング方法。
ブレードを用いたアッパーカットにより、ダイボンドフィルムが貼付けられた半導体ウエハのダイシングラインを切削する工程と、
ブレードを用いたダウンカットにより、前記アッパーカットにより切断された前記ダイシングラインを切削し、前記アッパーカット後にダイシングラインに残存する前記ダイボンドフィルムを除去する工程と、
を有することを特徴とするダイシング方法。
半導体ウエハの裏面にダイボンドフィルムを貼着する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のダイシング方法。
前記ブレードの外周には、切り欠けが設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のダイシング方法。