JP2010123603A - 切削方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェーハW及び接着フィルム1を切削し半導体ウェーハW及び接着フィルム1を厚さ方向に貫通する分割溝Gbを形成すると共にダイシングテープ2を厚さ方向に貫通させずに切削した後に、回転切削ブレード51を半導体ウェーハWに接触させることなく分割溝Gbに近接させて回転切削ブレード51と半導体ウェーハWとを分割予定ラインに沿って相対移動させ、切削工程において生じダイシングテープ2から上方に延出するヒゲ状延出片6を除去する。半導体ウェーハW及び接着フィルム1と切削ブレード51との相対移動によって、別途の工程を設けずに切削を行った直後の戻り動作においてヒゲ状延出片6を効率良く除去することができる。
【選択図】図11
Description
(1)半導体ウェーハ
シリコンウェーハ、直径:12[インチ]、厚さ:110[μm]
(2)接着フィルム
ダイアタッチフィルム、厚さ:25[μm]
(3)第一の回転切削ブレード
電鋳ブレード、ダイヤモンド砥粒径:2〜6[μm]、刃厚:35[μm]
回転数:60000[RPM]
(4)第二の回転切削ブレード
電鋳ブレード、ダイヤモンド砥粒径:2〜4[μm]、刃厚:20[μm]
回転数:30000[RPM]
(5)切り込み量
第一の回転切削ブレード:半導体ウェーハの表面から80[μm]
第二の回転切削ブレード:ダイシングテープの表面から30[μm]
(6)切削時の半導体ウェーハの送り速度:50.8[mm/s]
S(S1,S2,・・・Sn):分割予定ライン(ストリート) D:デバイス
Ga:非貫通溝 Gb:分割溝
1:接着フィルム 2:ダイシングテープ 3:支持フレーム
4:第一の切削手段 40:第一のスピンドル 41:第一の回転切削ブレード
5:第二の切削手段 50:第二のスピンドル 51:第二の回転切削ブレード
6:ヒゲ状延出片
Claims (3)
- 表面には格子状に配列された分割予定ラインによって区画された複数個のデバイスが配設され裏面には接着フィルム及びダイシングテープが順次に貼着されている半導体ウェーハを、該分割予定ラインに沿って切削して該半導体ウェーハ及び該接着フィルムを個々に分離する切削方法において、
回転切削ブレードと該半導体ウェーハとを該分割予定ラインに沿って相対移動させて該半導体ウェーハ及び該接着フィルムを切削し該半導体ウェーハ及び該接着フィルムを厚さ方向に貫通する分割溝を形成すると共に、該ダイシングテープを厚さ方向に貫通させずに切削する切削工程と、
該切削工程の後に、該回転切削ブレードを該半導体ウェーハに接触させることなく該分割溝に近接させて該回転切削ブレードと該半導体ウェーハとを該分割予定ラインに沿って相対移動させ、該切削工程において生じ該ダイシングテープから上方に延出するヒゲ状延出片を除去するヒゲ状延出片除去工程と
を含む切削方法。 - 前記切削工程は、
所定刃厚を有する第一の回転切削ブレードと前記半導体ウェーハとを前記分割予定ラインに沿って相対移動させて該半導体ウェーハの表面から所定深さまで切削し、該半導体ウェーハの表裏を貫通しない非貫通溝を形成する第一の切削工程と、
該第一の切削工程の後に該第一の回転切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の回転切削ブレードと該半導体ウェーハとを前記分割予定ラインに沿って相対移動させて該半導体ウェーハを該非貫通溝の下方の残留厚さ全体にわたって切削し、該半導体ウェーハ及び前記接着フィルムを厚さ方向に貫通する分割溝を形成すると共に、該ダイシングテープを貫通させずに切削する第二の切削工程とを含み、
前記ヒゲ状延出片除去工程においては、該第二の回転切削ブレードを、該非貫通溝の上方であって該非貫通溝の底面に近接する位置と、該非貫通溝の上方であって該半導体ウェーハの表面よりも上方でかつ該表面に近接する位置との間に位置付ける
請求項1に記載の切削方法。 - 前記ヒゲ状延出片除去工程において使用する回転切削ブレードは、前記第二の切削工程において使用する前記第二の回転切削ブレードである
請求項2に記載の切削方法。
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