CN108878355B - 加工方法 - Google Patents
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Abstract
提供加工方法,将产生在分割预定线的交叉点附近的金属毛刺去除。该加工方法利用切削刀具对在分割预定线上具有金属的被加工物进行切削,该加工方法具有:第1切削步骤,沿着第1分割预定线对被加工物进行切削而形成第1切削槽;第2切削步骤,利用切削刀具沿着第2分割预定线对被加工物进行切削而形成第2切削槽;第1金属毛刺去除步骤,将切削刀具的最下端定位于比金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第1切削槽中通过;和第2金属毛刺去除步骤,将切削刀具的最下端定位于比金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第2切削槽中通过,一边对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体一边实施该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤。
Description
技术领域
本发明涉及加工方法,对设定有交叉的多条分割预定线且具有与该分割预定线重叠的金属的被加工物进行加工。
背景技术
已知有利用圆环状的切削刀具对半导体晶片、封装基板、陶瓷基板、玻璃基板等被加工物进行精密地切削加工的切削装置。在该切削装置中,该切削刀具被主轴支承为能够旋转。并且,使切削刀具旋转并使旋转的切削刀具切入至被加工物而对被加工物进行切削。
在该被加工物上设定有呈格子状排列的多条分割预定线。在该被加工物正面的由该分割预定线划分的各区域形成有IC或LSI等器件。并且,当沿着该分割预定线对被加工物进行切削而将被加工物分割时,形成具有器件的芯片(以下称为器件芯片)。
有时在切削前的被加工物上形成有含有金属的层,该金属例如构成该器件、布线或TEG(Test Element Group,测试元件组)等,在与该分割预定线重叠的位置也形成有该含有金属的层。在按照与分割预定线重叠的方式形成有这样的含有金属的层的情况下,切削刀具在进行被加工物的切削时会对含有金属的层进行切削。
当利用切削刀具对该含有金属的层进行切削时,该金属因旋转的切削刀具而被拉伸,形成从该含有金属的层伸长的被称为毛刺(以下称为金属毛刺)的突起。当形成金属毛刺时,有时该金属毛刺与附近的其他含有金属的层接触而引起短路,并且有时该金属毛刺脱落而给器件芯片带来损伤。另外,当在所形成的器件芯片上残留金属毛刺时,会在将器件芯片安装到规定的对象时引起焊接不良等问题。
因此,需要将所形成的该金属毛刺去除。例如提出了通过使旋转的切削刀具再次在形成于被加工物的切削槽中通过而将该金属毛刺去除的技术。特别是当在该分割预定线彼此交叉的交叉点附近,使切削刀具在某一切削槽中通过时,金属毛刺朝向与该切削槽交叉的切削槽变形以便躲避该切削刀具,因此金属毛刺的去除特别不容易。因此,提出了将形成在该交叉点附近的金属毛刺去除的技术(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2006-41261号公报
但是,有时根据所提出的该技术也无法将产生在该交叉点内的金属毛刺完全地去除。金属毛刺具有延展性,当切削刀具在构成该交叉点的一个切削槽中通过时,金属毛刺朝向另一个切削槽延伸,因此一部分的该金属毛刺会残留在交叉点附近。
发明内容
本发明是鉴于该问题而完成的,其目的在于提供一种加工方法,在对呈格子状设定有分割预定线的被加工物进行切削时能够容易地将产生在分割预定线的交叉点附近的金属毛刺去除。
根据本发明的一个方式,提供加工方法,利用旋转的圆环状的切削刀具对设定有分割预定线且在该分割预定线上具有金属的被加工物进行切削,该分割预定线由沿第1方向延伸的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向延伸的多条第2分割预定线构成,该加工方法的特征在于,具有如下的步骤:带粘贴步骤,将带粘贴在该被加工物上;保持步骤,在实施了该带粘贴步骤之后,隔着该带将该被加工物保持在保持工作台上;第1切削步骤,在实施了该保持步骤之后,使该切削刀具切入该带并利用该切削刀具沿着该第1分割预定线对被加工物进行切削而形成第1切削槽;第2切削步骤,在实施了该第1切削步骤之后,使该切削刀具切入该带并利用该切削刀具沿着该第2分割预定线对被加工物进行切削而形成第2切削槽;第1金属毛刺去除步骤,在实施了该第2切削步骤之后,将该切削刀具的最下端定位于比该金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第1切削槽中通过;以及第2金属毛刺去除步骤,在实施了该第2切削步骤之后,将该切削刀具的最下端定位于比该金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第2切削槽中通过,一边对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体,一边实施该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤。
在本发明的一个方式的加工方法中,也可以是,还具有如下的步骤:第1带毛刺去除步骤,在实施了该第2金属毛刺去除步骤之后,使该切削刀具在该第1切削槽中通过而将从该带产生的带毛刺去除;以及第2带毛刺去除步骤,在实施了该第2金属毛刺去除步骤之后,使该切削刀具在该第2切削槽中通过而将从该带产生的带毛刺去除,在该第1切削步骤、该第2切削步骤、该第1金属毛刺去除步骤以及该第2金属毛刺去除步骤中,通过该切削刀具的旋转而使该切削刀具的最下端所移动的方向与该被加工物的进给方向一致,在该第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤中,通过该切削刀具的旋转而使该切削刀具的最下端所移动的方向与该被加工物的进给方向相反。
另外,在本发明的一个方式的加工方法中,也可以是,在该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤中,该被加工物的进给速度比该第1切削步骤和该第2切削步骤快。另外,也可以是,一边对该被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体,一边实施该第1切削步骤和该第2切削步骤。
当实施形成第1切削槽的第1切削步骤和形成第2切削槽的第2切削步骤时,从与分割预定线重叠的含有金属的层产生金属毛刺。当想要将所产生的金属毛刺去除时,将产生在沿第1方向延伸的第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向延伸的第2分割预定线的交叉点附近的金属毛刺去除并不容易。
因此,在本发明的一个方式中,在对被加工物进行切削之后,一边对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体,一边使切削刀具在切削所形成的切削槽中通过。于是,通过该液体所含的有机酸对构成金属毛刺的金属进行改质而抑制延展性,并且通过该液体所含的氧化剂改变形成于该金属毛刺表面的膜质而使该金属毛刺失去延展性。金属毛刺不容易延伸,因此当使切削刀具在切削槽中通过时,也能够将产生在该交叉点附近的金属毛刺适当去除。
因此,根据本发明,提供加工方法,当对呈格子状设定有分割预定线的被加工物进行切削时,能够容易地将产生在分割预定线的交叉点附近的金属毛刺去除。
附图说明
图1是示意性示出带粘贴步骤的立体图。
图2的(A)是示意性示出保持步骤的局部剖视图,图2的(B)是示意性示出第1切削步骤和第2切削步骤的局部剖视图。
图3的(A)是示意性示出第1金属毛刺去除步骤和第2金属毛刺去除步骤的局部剖视图,图3的(B)是示意性示出第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤的局部剖视图。
标号说明
1:晶片;1a:正面;1b:背面;1c:第1方向;1d:第2方向;3:间隔道;3a:第1间隔道;3b:第2间隔道;5:器件;5a:含有金属的层;7:带;9:框架;2:激光加工装置;4:卡盘工作台;4a:保持面;4b:夹具;6:切削单元;8:切削刀具;10:刀具罩;12:切削液提供喷嘴;14:切削液提供口;16a、16b:切削液提供管;18a、18b、18c:进给方向。
具体实施方式
首先,对本实施方式的加工方法的被加工物进行说明。该被加工物是利用密封树脂覆盖IC或LSI等多个器件的封装基板。另外,该被加工物例如是硅、蓝宝石等半导体晶片,另外也可以是玻璃、石英、树脂等基板。在图1所示的立体图的上部示意性示出作为该被加工物1的封装基板。
在该被加工物1上设定有分割预定线3,该分割预定线3由沿着第1方向1c延伸的多条第1分割预定线3a和沿着与该第1方向1c交叉的第2方向1d延伸的多条第2分割预定线3b构成。在由呈格子状设定的分割预定线3划分的各区域形成有IC或LSI等器件5。并且,当沿着该分割预定线3对被加工物1进行切削分割时,形成各个器件芯片。
在被加工物1的厚度方向中央附近形成有含有金属的层5a。含有金属的层5a例如是布线层。或者,该含有金属的层5a用于该器件或TEG(Test Element Group)等。在按照与该分割预定线3重叠的方式形成有该含有金属的层5a的情况下,当沿着该分割预定线3对被加工物1进行切削时,会产生该含有金属的层5a伸长的金属毛刺。
在本实施方式的加工方法中,将带粘贴在被加工物1上。使用图1对该带进行说明。在图1所示的立体图的下部示意性示出张设于由金属等形成的框架9的带7。
带7具有如下的功能,在实施本实施方式的加工方法期间,对被加工物1进行保护而免受在各步骤等中所施加的冲击,防止在器件5上产生损伤。另外,当使用张设于框架9的带7时,被加工物1的搬送变得容易。另外,带7可以不张设于框架9,在该情况下,可以将与被加工物1同样大小的带7粘贴在被加工物1上。
带7具有:具有挠性的膜状的基材;以及形成于该基材的一个面的糊料层(粘接剂层)。例如基材使用PO(聚烯烃)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、聚氯乙烯、聚苯乙烯等。另外,糊料层(粘接剂层)例如使用硅橡胶、丙烯酸系材料、环氧系材料等。
接着,使用图2的(B)对在本实施方式的加工方法中使用的切削装置进行说明。
图2的(B)中示意性示出该切削装置2。该切削装置2具有:保持工作台4,其对被加工物1进行保持;以及切削单元6,其对该保持工作台4所保持的被加工物1进行切削加工。
保持工作台4在上表面侧具有多孔质部件(未图示)。该多孔质部件的上表面成为对被加工物1进行保持的保持面4a。保持工作台4在内部具有一端与吸引源(未图示)连接的吸引路,该吸引路的另一端与该多孔质部件连接。另外,在保持工作台4的外周设置有对框架9进行夹持的夹具4b。
在该保持面4a上隔着带7载置被加工物1,利用夹具4b对框架9进行固定,当由该吸引源产生的负压通过该多孔质部件的孔而作用于该被加工物1时,被加工物1被吸引保持于保持工作台4。
切削装置2能够通过以脉冲电动机等为动力的加工进给机构(未图示)使保持工作台4在切削装置2的加工进给方向(例如图2的(B)的箭头18a的方向)上移动。在被加工物1的切削加工等时,该加工进给机构将保持工作台4在箭头18a的方向上进给而对被加工物1进行加工进给。
另外,切削装置2能够通过以脉冲电动机等为动力的分度进给机构(未图示)使保持工作台4在切削装置2的分度进给方向(未图示)上移动。另外,保持工作台4能够绕与保持面4a大致垂直的轴旋转,当使保持工作台4旋转时,能够改变被加工物1的加工进给方向。
切削单元6具有以能够旋转的方式进行支承的主轴和通过该主轴进行旋转的切削刀具8。该切削刀具8例如是垫圈型的刀具。该垫圈型的刀具是由圆环状的磨具构成的刀具,例如通过利用金属或树脂结合磨粒而形成。在中央形成有贯通孔。切削刀具8被前凸缘和后凸缘夹持而固定于该主轴的前端。
在包围切削刀具8的刀具罩10上,固定有夹着切削刀具8的正面和背面的一对切削液提供喷嘴12,并且在圆环状的切削刀具8的外周侧形成有朝向切削刀具8的切削液喷出口14。切削液提供喷嘴12和切削液喷出口14分别与切削液送液管(切削液提供路)16a、16b的一端连接,该切削液送液管(切削液提供路)16a、16b的另一端分别与切削液提供源(未图示)连接。
当使用切削刀具8实施被加工物的切削加工时,从切削液提供喷嘴12和切削液喷出口14对旋转的切削刀具8提供切削液。于是,该切削液被提供至切削刀具8所接触的被加工物1的加工点。切削液例如是含有有机酸和氧化剂的液体或纯水等。该切削液在被加工物1的切削加工以外的时刻也可以提供给被加工物1。
该有机酸例如可以使用在分子内具有至少一个羧基和至少一个氨基的化合物。氨基中的至少一个优选为仲氨基或叔氨基。另外,用作有机酸的化合物可以具有取代基。
作为可以用作有机酸的氨基酸,可以举出甘氨酸、二羟基乙基甘氨酸、双甘氨肽、羟基乙基甘氨酸、N-甲基甘氨酸、β-丙氨酸、L-丙氨酸、L-2-氨基丁酸、L-正缬氨酸、L-缬氨酸、L-亮氨酸、L-正亮氨酸、L-别异亮氨酸、L-异亮氨酸、L-苯丙氨酸、L-脯氨酸、肌氨酸、L-鸟氨酸、L-赖氨酸、牛磺酸、L-丝氨酸、L-苏氨酸、L-别苏氨酸、L-高丝氨酸、L-甲状腺素、L-酪氨酸、3,5-二碘-L-酪氨酸、β-(3,4-二羟基苯基)-L-丙氨酸、4-羟基-L-脯氨酸、L-半胱氨酸、L-甲硫氨酸、L-乙硫氨酸、L-羊毛硫氨酸、L-胱硫醚、L-胱氨酸、L-磺基丙氨酸、L-谷氨酸、L-天冬氨酸、S-(羧甲基)-L-半胱氨酸、4-氨基丁酸、L-天冬酰胺、L-谷氨酰胺、氮杂丝氨酸、L-刀豆氨酸、L-瓜氨酸、L-精氨酸、δ-羟基-L-赖氨酸、甲胍基乙酸、L-犬尿氨素、L-组氨酸、1-甲基-L-组氨酸、3-甲基-L-组氨酸、L-色氨酸、放线菌素C1、麦角硫因、蜂毒明肽、血管紧张素I、血管紧张素II和抗痛素等。其中,优选甘氨酸、L-丙氨酸、L-脯氨酸、L-组氨酸、L-赖氨酸、二羟基乙基甘氨酸。
另外,作为可以用作有机酸的氨基多元酸,可以举出亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、羟基乙基亚氨基二乙酸、次氮基三亚甲基膦酸、乙二胺-N,N,N’,N’-四亚甲基磺酸、1,2-二氨基丙烷四乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、反式环己烷二胺四乙酸、乙二胺邻羟基苯基乙酸、乙二胺二琥珀酸(SS体)、β-丙氨酸二乙酸、N-(2-羧酸乙基)-L-天冬氨酸、N,N’-双(2-羟基苄基)乙二胺-N,N’-二乙酸等。
另外,作为可以用作有机酸的羧酸,可以举出甲酸、乙醇酸、丙酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、草酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、苹果酸、琥珀酸、庚二酸、巯基乙酸、乙醛酸、氯乙酸、乙酰甲酸、乙酰乙酸、戊二酸等饱和羧酸;丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、富马酸、马来酸、中康酸、柠康酸、乌头酸等不饱和羧酸;苯甲酸类、甲基苯甲酸、邻苯二甲酸类、萘甲酸类、均苯四甲酸、萘二酸等环状不饱和羧酸等。
作为氧化剂,例如可以使用过氧化氢、过氧化物、硝酸盐、碘酸盐、高碘酸盐、次氯酸盐、亚氯酸盐、氯酸盐、高氯酸盐、过硫酸盐、重铬酸盐、高锰酸盐、铈酸盐、钒酸盐、臭氧水和银(II)盐、铁(III)盐及其有机络盐等。
接着,对本实施方式的加工方法进行说明。在该加工方法中使用切削装置2。在该加工方法中,将带7粘贴在被加工物1上,隔着该带7将被加工物1保持于保持工作台。然后,沿着分割预定线3对被加工物1进行切削,使切削刀具在所形成的切削槽中通过而将金属毛刺去除。以下,对该加工方法的各步骤进行详细说明。
首先,在本实施方式的加工方法中,实施带粘贴步骤。使用图1对该带粘贴步骤进行说明。图1是示意性示出带粘贴步骤的立体图。在带粘贴步骤中,使被加工物1按照背面1b侧朝向下方的方式从以粘贴面(糊料层)朝向上方的状态张设于框架9的带7的上方下降。然后,使该带7粘贴在被加工物1上。
在实施了该带粘贴步骤之后,实施保持步骤。图2的(A)是示意性示出该保持步骤的局部剖视图。在该局部剖视图中示意性示出框架9、带7、被加工物1的剖面。
在该保持步骤中,首先隔着带7将被加工物1载置于保持工作台4的保持面4a上,利用夹具4b对框架9进行固定。接着,使保持工作台4的内部的吸引源进行动作,通过保持工作台4的内部的吸引路而对被加工物1进行吸引,从而将被加工物1吸引保持于保持工作台4。
在实施了保持步骤之后,实施第1切削步骤,沿着第1分割预定线3a对被加工物1进行切削而形成第1切削槽。首先,使保持工作台4移动以便切削刀具8能够沿着第1分割预定线3a对被加工物1进行切削。即,将切削刀具8定位于该第1分割预定线3a的延长线的上方。
在该第1切削步骤中,使切削刀具8下降至切削刀具8切入带7的高度,以便切削刀具8能够沿着该第1分割预定线3a对被加工物1进行分割。与此相伴,使主轴旋转而开始切削刀具8的旋转,从切削液提供喷嘴12和切削液喷出口14对切削刀具8提供切削液。该切削液是含有有机酸和氧化剂的液体或纯水。
然后,通过使保持工作台4移动而将被加工物1进行加工进给,当旋转的切削刀具8与被加工物1接触时,切削加工开始。当切削刀具8沿着该第1分割预定线对被加工物1进行切削时,沿着第1分割预定线3a形成第1切削槽而将被加工物1分割。
在沿着一条第1分割预定线对被加工物1进行了切削之后,将被加工物1进行分度进给,沿着相邻的第1分割预定线对被加工物1进行切削。然后,当沿着在第1方向上延伸的所有第1分割预定线对被加工物1进行切削而形成第1切削槽时,第1切削步骤结束。
在实施了第1切削步骤之后,实施第2切削步骤,沿着第2分割预定线3b对被加工物1进行切削而形成第2切削槽。首先,使保持工作台4绕与保持面4a大致垂直的轴旋转,使被加工物1的加工进给方向变更为沿着第2方向。然后,与第1切削步骤同样地,沿着在第2方向上延伸的所有第2分割预定线对被加工物1进行切削。于是,形成第2切削槽。
这里,当实施第1切削步骤和第2切削步骤时,重叠于分割预定线3的含有金属的层5a被切削刀具8切削。当含有金属的层5a被切削刀具8切削时,有时产生从该含有金属的层5a伸长的金属毛刺,该金属毛刺会引起各种问题。
这里,当在第1切削步骤和第2切削步骤中使用含有有机酸和氧化剂的液体作为切削液时,能够抑制在被加工物1的厚度方向上伸长的金属毛刺的产生。但是,即使在使用含有有机酸和氧化剂的液体作为切削液的情况下,有时也从含有金属的层5a产生金属毛刺。
该金属毛刺存在被加工物1的加工进给速度越快则越容易伸长的倾向,例如在使用水作为切削液的情况下,必须以5mm/s以下的加工进给速度实施切削加工。另一方面,在使用含有有机酸和氧化剂的液体作为切削液的情况下,能够抑制金属毛刺的伸长,因此能够以100mm/s左右的加工进给速度进行切削,因此能够提高加工效率。
在实施了第2切削步骤之后,实施第1金属毛刺去除步骤,使该切削刀具8在该第1切削槽中通过,将产生于该第1切削槽的金属毛刺去除。在该第1金属毛刺去除步骤中,按照该切削刀具8的最下端成为比该含有金属的层5a低的高度的方式将切削刀具8定位于规定的高度。然后,使该切削刀具在该第1切削槽中通过而将金属毛刺去除。
另外,在实施了第2切削步骤之后,实施第2金属毛刺去除步骤,使该切削刀具8在该第2切削槽中通过,将产生于第2切削槽的金属毛刺去除。在该第2金属毛刺去除步骤中,按照该切削刀具8的最下端成为比该含有金属的层5a低的高度的方式将切削刀具8定位于规定的高度。然后,使该切削刀具在该第2切削槽中通过而将金属毛刺去除。
另外,在第1金属毛刺去除步骤和第2金属毛刺去除步骤中,可以不对该切削刀具8按照其最下端成为比该含有金属的层5a低的高度的方式进行定位。当该切削刀具8在切削槽中通过时,不仅将存在于该切削刀具8所通过的区域的金属毛刺去除,还将存在于该区域的下方的金属毛刺的一部分去除。因此,若按照切削刀具8的最下端成为比该含有金属的层5a的上端低的高度的方式进行定位,则有时将所有金属毛刺去除。
图3的(A)是示意性示出第1金属毛刺去除步骤和第2金属毛刺去除步骤的局部剖视图。如图3的(A)所示,在第1金属毛刺去除步骤和第2金属毛刺去除步骤中,通过切削刀具8的旋转使切削刀具8的最下端移动的方向与卡盘工作台的进给方向18b是一致的。
例如当在该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤中不对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体的情况下,即便使切削刀具8在第1切削槽或第2切削槽中通过,也不容易将金属毛刺完全去除。特别是在第1切削槽与第2切削槽的交叉点附近,将具有延展性的金属毛刺完全去除很困难。
即,当切削刀具8在第1切削槽中通过时,存在于该交叉点附近的金属毛刺向第2切削槽侧延伸,当切削刀具8在第2切削槽中通过时,该金属毛刺向第1切削槽侧延伸。金属毛刺具有延展性,因此仅使切削刀具8在切削槽中通过不容易将该金属毛刺完全去除。
因此,在该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤中对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体。通过该液体所含的有机酸对构成金属毛刺的金属进行改质而抑制延展性,并且通过该液体所含的氧化剂改变形成于该金属毛刺表面的膜质而使该金属毛刺失去延展性。于是,即便切削刀具8在切削槽中通过,该金属毛刺也无法按照躲避切削刀具8的方式延伸,因此容易将该金属毛刺去除。
另外,在该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤中,卡盘工作台4的进给速度例如为500mm/s左右。与第1切削步骤和第2切削步骤不同,在该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤中,不利用切削刀具8对被加工物1进行切削加工。因此,能够使卡盘工作台4的进给速度更快。当卡盘工作台4的进给速度较快时,加工的效率提高。
但是,例如在被加工物1的含有金属的层5a形成在接近被加工物1的背面1b的高度的情况下、或者形成在被加工物1的背面1b上的情况下,当将切削刀具8定位于能够将该金属毛刺去除的高度时,有时带7会被切削。特别是当在卡盘工作台4的进给速度较快的状态下带7被切削的情况下,有时从该带7产生带毛刺。
因此,在实施了该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤之后,实施第1带毛刺去除步骤,使该切削刀具8在该第1切削槽内通过,将带毛刺去除。另外,实施第2带毛刺去除步骤,使该切削刀具8在该第2切削槽内通过,将带毛刺去除。
图3的(B)是示意性示出第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤的局部剖视图。如图3的(B)所示,在该第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤中,通过该切削刀具8的旋转使该切削刀具8的最下端移动的方向与该被加工物1的进给方向18c是相反的。在去除带毛刺期间,可以对被加工物1提供纯水或自来水。
在第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤中,也可以将切削刀具8定位于切削刀具8的最下端能够达到带7的高度,以便能够可靠地将所产生的带毛刺去除。
在第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤中,卡盘工作台4的进给速度例如为500mm/s左右。与第1切削步骤和第2切削步骤不同,在第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤中,不利用切削刀具8对被加工物1进行切削加工。因此,能够使卡盘工作台4的进给速度更快。当卡盘工作台4的进给速度较快时,加工的效率提高。
以上,当实施本实施方式的加工方法时,沿着分割预定线3对被加工物1进行分割,形成各个器件芯片。在该加工方法中,在将由于切削加工所产生的金属毛刺等去除时使用含有有机酸和氧化剂的液体,因此能够抑制该金属毛刺的延展性而能够有效地将该金属毛刺去除。
另外,本发明不限于上述实施方式的记载,可以进行各种变更并实施。例如在上述实施方式中,对于在实施了第1金属毛刺去除步骤和第2金属毛刺去除步骤之后实施第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤的情况进行了说明。但是,本发明的一个方式不限于此。
例如也可以在实施了第1金属毛刺去除步骤之后,实施第1带毛刺去除步骤,然后在实施了第2金属毛刺去除步骤之后实施第2带毛刺去除步骤。另外,也可以在通过在规定的方向上将被加工物1进行进给而对一条间隔道3实施了金属毛刺去除步骤之后,在与该方向相反的方向上将被加工物1进行进给而对同一间隔道3实施带毛刺去除步骤。
除此之外,上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围,则可以适当变更并实施。
Claims (3)
1.一种加工方法,利用旋转的圆环状的切削刀具对设定有分割预定线且具有与该分割预定线重叠的金属的被加工物进行切削,该分割预定线由沿第1方向延伸的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向延伸的多条第2分割预定线构成,该加工方法的特征在于,
具有如下的步骤:
带粘贴步骤,将带粘贴在该被加工物上;
保持步骤,在实施了该带粘贴步骤之后,隔着该带将该被加工物保持在保持工作台上;
第1切削步骤,在实施了该保持步骤之后,使该切削刀具切入该带并利用该切削刀具沿着该第1分割预定线对被加工物进行切削而形成第1切削槽;
第2切削步骤,在实施了该第1切削步骤之后,使该切削刀具切入该带并利用该切削刀具沿着该第2分割预定线对被加工物进行切削而形成第2切削槽;
第1金属毛刺去除步骤,在实施了该第2切削步骤之后,将该切削刀具的最下端定位于比该金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第1切削槽中通过;以及
第2金属毛刺去除步骤,在实施了该第2切削步骤之后,将该切削刀具的最下端定位于比该金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第2切削槽中通过,
一边对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体,一边实施该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤,
该加工方法还具有如下的步骤:
第1带毛刺去除步骤,在实施了该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤之后,使该切削刀具在该第1切削槽内通过而将从该带产生的带毛刺去除;以及
第2带毛刺去除步骤,在实施了该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤之后,使该切削刀具在该第2切削槽内通过而将从该带产生的带毛刺去除,
在该第1切削步骤、该第2切削步骤、该第1金属毛刺去除步骤以及该第2金属毛刺去除步骤中,通过该切削刀具的旋转而使该切削刀具的最下端所移动的方向与该被加工物的进给方向一致,
在该第1带毛刺去除步骤和第2带毛刺去除步骤中,通过该切削刀具的旋转而使该切削刀具的最下端所移动的方向与该被加工物的进给方向相反。
2.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,
在该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤中,该被加工物的进给速度比该第1切削步骤和该第2切削步骤快。
3.根据权利要求1或2所述的加工方法,其特征在于,
一边对该被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体,一边实施该第1切削步骤和该第2切削步骤。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7005281B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-01-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
CN114101784A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-03-01 | 新疆八一钢铁股份有限公司 | 一种阶梯式剪刃弹扁定尺剪切方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288962A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング方法 |
CN1653207A (zh) * | 2002-04-08 | 2005-08-10 | 应用材料有限公司 | 用于衬底处理腔室的激光钻孔表面 |
KR20060113372A (ko) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | 엘에스전선 주식회사 | 반도체용 다이싱 다이 접착필름 |
CN101447411A (zh) * | 2007-11-27 | 2009-06-03 | 株式会社迪思科 | 晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法和粘接薄膜 |
JP2010123603A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
CN102629594A (zh) * | 2011-02-04 | 2012-08-08 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2015123514A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2015126022A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN104934308A (zh) * | 2014-03-17 | 2015-09-23 | 株式会社迪思科 | 切削方法 |
EP3075558A2 (en) * | 2015-04-03 | 2016-10-05 | Canon Finetech Inc. | Transfer material, recorded matter, method of manufacturing recorded matter, image-recording apparatus, and apparatus for manufacturing recorded matter |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4394210B2 (ja) * | 1999-09-08 | 2010-01-06 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
TWI228780B (en) * | 2000-05-11 | 2005-03-01 | Disco Corp | Semiconductor wafer dividing method |
JP4405719B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2010-01-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体ウエハ |
JP2005039088A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 切削方法、切削装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4540421B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-09-08 | 株式会社ディスコ | ダイシング方法 |
JP2008130929A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2014007229A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1653207A (zh) * | 2002-04-08 | 2005-08-10 | 应用材料有限公司 | 用于衬底处理腔室的激光钻孔表面 |
JP2004288962A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング方法 |
KR20060113372A (ko) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | 엘에스전선 주식회사 | 반도체용 다이싱 다이 접착필름 |
CN101447411A (zh) * | 2007-11-27 | 2009-06-03 | 株式会社迪思科 | 晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法和粘接薄膜 |
JP2010123603A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
CN102629594A (zh) * | 2011-02-04 | 2012-08-08 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2015123514A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2015126022A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN104934308A (zh) * | 2014-03-17 | 2015-09-23 | 株式会社迪思科 | 切削方法 |
EP3075558A2 (en) * | 2015-04-03 | 2016-10-05 | Canon Finetech Inc. | Transfer material, recorded matter, method of manufacturing recorded matter, image-recording apparatus, and apparatus for manufacturing recorded matter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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