JP2014007229A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ピックアップの際の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイシングテープに貼り付けられたダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切削する(ダイシング)工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイボンディングフィルムを含む前記積層品の同じ部分の切削箇所を、複数回切削する半導体装置の製造方法。
【選択図】 図5
【解決手段】 ダイシングテープに貼り付けられたダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切削する(ダイシング)工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイボンディングフィルムを含む前記積層品の同じ部分の切削箇所を、複数回切削する半導体装置の製造方法。
【選択図】 図5
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体チップと半導体チップ搭載用の支持部材との接合には、主に銀ペーストが用いられてきた。しかしながら、近年の半導体チップの小型化に伴い、半導体チップの高集積化や支持部材の小型化が要求される現状では、銀ペーストを用いる場合には、ペーストのはみ出し、半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時の不具合、膜厚制御の困難性、ボイドの発生などが看過できない問題となっていた。
そこで、近年では、半導体チップと半導体チップ搭載用の支持部材との接合にあたって、フィルム状のダイボンディング材(以下、ダイボンディングフィルムと記す)が用いられるようになってきた。ダイボンディングフィルムを用いる場合、半導体ウェハの表面にダイボンディングフィルムとダイシングテープとを貼り付け、ダイシングによって半導体ウェハとダイボンディングフィルムとを切り出すことで、ダイボンディングフィルム付きの半導体チップが得られる。
そこで、近年では、半導体チップと半導体チップ搭載用の支持部材との接合にあたって、フィルム状のダイボンディング材(以下、ダイボンディングフィルムと記す)が用いられるようになってきた。ダイボンディングフィルムを用いる場合、半導体ウェハの表面にダイボンディングフィルムとダイシングテープとを貼り付け、ダイシングによって半導体ウェハとダイボンディングフィルムとを切り出すことで、ダイボンディングフィルム付きの半導体チップが得られる。
しかしながら、上述したダイボンディングフィルムを用いる場合であっても、薄型の半導体ウェハを扱う場合には、ダイシング時のバリが問題となる。すなわち、バリが原因となり、個片化した半導体チップをダイシングテープからピックアップする際に、半導体チップに割れが生じてしまうおそれがあった。
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、ピックアップの際の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、ピックアップの際の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題の解決のため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイシングテープに貼り付けられたダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切削する(ダイシング)工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイボンディングフィルムを含む前記積層品の同じ部分の切削箇所を、複数回切削することを特徴としている。
この半導体装置の製造方法では、ダイシング工程において1度切削したダイボンディングフィルムを含む切削痕の可能な限り同じ部分に再度回転刃を入れ、切削する。これにより、1度目のダイシングの際に半導体チップとダイボンディングフィルムとの切削面に切削屑などによるバリが発生したとしても、その切削面に再度ダイシングを行うことによりバリを切削面から排出することができる。したがって、切削面からバリを除去することができ、ピックアップ時の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
この半導体装置の製造方法では、ダイシング工程において1度切削したダイボンディングフィルムを含む切削痕の可能な限り同じ部分に再度回転刃を入れ、切削する。これにより、1度目のダイシングの際に半導体チップとダイボンディングフィルムとの切削面に切削屑などによるバリが発生したとしても、その切削面に再度ダイシングを行うことによりバリを切削面から排出することができる。したがって、切削面からバリを除去することができ、ピックアップ時の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイシングテープに貼り付けられたダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切削する(ダイシング)工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイシングテープの一部とダイボンディングフィルムを含む前記積層品の同じ部分の切削箇所を、複数回切削することを特徴としている。
この半導体装置の製造方法では、ダイシング工程において1度切削したダイシングテープの一部とダイボンディングフィルムを含む切削痕の可能な限り同じ部分に再度回転刃を入れ、切削している。これにより、1度目のダイシングの際に半導体チップ、ダイボンディングフィルムまたはダイシングテープとの切削面に切削屑などによるバリが発生したとしても、その切削面に再度ダイシングを行うことによりバリを切削面から排出することができる。したがって、切削面からバリを除去することができ、ピックアップ時の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
この半導体装置の製造方法では、ダイシング工程において1度切削したダイシングテープの一部とダイボンディングフィルムを含む切削痕の可能な限り同じ部分に再度回転刃を入れ、切削している。これにより、1度目のダイシングの際に半導体チップ、ダイボンディングフィルムまたはダイシングテープとの切削面に切削屑などによるバリが発生したとしても、その切削面に再度ダイシングを行うことによりバリを切削面から排出することができる。したがって、切削面からバリを除去することができ、ピックアップ時の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記積層品の同じ部分の切削箇所を、同じ深さで複数回切削することを特徴としている。
この半導体装置の製造方法では、ダイシング工程において1度切削したダイボンディングフィルム、またはダイシングテープの一部とダイボンディングフィルムを含む切削痕の可能な限り同じ部分に可能な限り同じ深さで再度回転刃を入れ、切削する。これにより、半導体チップ、ダイボンディングフィルムまたはダイシングテープとの切削面に発生したバリは、より排出することができる。したがって、切削面からバリを除去することができ、ピックアップ時の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
この半導体装置の製造方法では、ダイシング工程において1度切削したダイボンディングフィルム、またはダイシングテープの一部とダイボンディングフィルムを含む切削痕の可能な限り同じ部分に可能な限り同じ深さで再度回転刃を入れ、切削する。これにより、半導体チップ、ダイボンディングフィルムまたはダイシングテープとの切削面に発生したバリは、より排出することができる。したがって、切削面からバリを除去することができ、ピックアップ時の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ピックアップの際の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態における積層品を示す図である。同図に示すように、この積層品では、まず、ダイシングテープ3上にダイボンディングフィルム2と半導体ウェハ1とを固定する。ダイシングテープ3としては、公知のダイシングテープを用いることができる。ダイボンディングフィルム2の厚さは、製造する半導体装置の形状・寸法に応じて適宜設定できるが、好ましくは1〜150μm、より好ましくは5〜70μm、更に好ましくは10〜40μmである。
図1は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態における積層品を示す図である。同図に示すように、この積層品では、まず、ダイシングテープ3上にダイボンディングフィルム2と半導体ウェハ1とを固定する。ダイシングテープ3としては、公知のダイシングテープを用いることができる。ダイボンディングフィルム2の厚さは、製造する半導体装置の形状・寸法に応じて適宜設定できるが、好ましくは1〜150μm、より好ましくは5〜70μm、更に好ましくは10〜40μmである。
ダイボンディングフィルム2としては、基材層と熱硬化性樹脂及び/又は熱可塑性樹脂を含有した接着剤層とを備えた基材層付きフィルム、基材層と粘着剤層と熱硬化性樹脂及び/又は熱可塑性樹脂を含有した接着剤層とを備えた基材層及び粘着剤層付きフィルム、或いは基材層と熱硬化性樹脂及び/又は熱可塑性樹脂を含有した粘接着剤層とを備えた基材層及び粘接着剤層付きフィルムなどを用いることができる。
なお、半導体ウェハ1の固定には、ダイボンディングフィルム2が予め貼り付けられたダイシング−ダイボンディング一体型フィルムを用いることもできる。半導体ウェハ1の厚さは、特に限定されないが、例えば10〜100μmの薄型半導体ウェハが用いられる。また、ダイシングテープ3上において、半導体ウェハ1の周囲には、ウェハリング(不図示)が配置される。ダイボンディングフィルム2に対する半導体ウェハ1の貼り付け面は、回路面であってもよく、回路面の反対面であってもよい。
なお、半導体ウェハ1の固定には、ダイボンディングフィルム2が予め貼り付けられたダイシング−ダイボンディング一体型フィルムを用いることもできる。半導体ウェハ1の厚さは、特に限定されないが、例えば10〜100μmの薄型半導体ウェハが用いられる。また、ダイシングテープ3上において、半導体ウェハ1の周囲には、ウェハリング(不図示)が配置される。ダイボンディングフィルム2に対する半導体ウェハ1の貼り付け面は、回路面であってもよく、回路面の反対面であってもよい。
ウェハ固定工程の後、図2に示すように、例えば回転刃4を用いることにより、ダイシングテープ3上でダイボンディングフィルム2と半導体ウェハ1とをダイシングし、個片化された半導体チップ10を得る(ダイシング工程)。ダイシングには、回転刃4をダイサーにセットして実施してもよい。回転刃4としては、例えば株式会社ディスコ製ダイシングブレードNBC−ZH05シリーズやNBC−ZHシリーズなどを用いることができる。ダイサーとしては、例えば株式会社ディスコ製フルオートマチックダイシングソー6000シリーズやセミオートマチックダイシングソー3000シリーズなどを用いることができる。
ダイシング工程としては、一般的に図2に示すような1枚の回転刃で切削するシングルカットと、図3に示すような幅広の回転刃で半導体ウェハの一部を切削し、細幅の回転刃でダイボンディングフィルム2、またはダイシングテープ3の一部まで切削するステップカットが挙げられる。本発明におけるダイシング方法は、特に限定されないが、ステップカットの場合は、半導体ウェハの一部分までの切削は複数回行う必要はなく、ダイボンディングフィルム2、またはダイシングテープ3の一部までの切削のみ、複数回行う。
本発明におけるダイシング工程の回転刃の回転数としては、特に制約はないが、ダイシング時のチップ割れを考慮すると30000〜60000rpm(1/min)が好ましい。また、ダイシング速度としては、特に制約はないが、例えば10〜100mm/secが好ましく、30〜60mm/secがより好ましい。切削深さとしては、ダイボンディングフィルム2、またはダイボンディングフィルム2とダイシングテープ3の一部までの切削であれば特に制約はないが、ダイシングテープ3の厚さの1/2以上切削すると、ピックアップの際にダイシングテープが破れてしまい、ピックアップできない可能性があるので、ダイシングテープ3の厚さの1/2未満とすることが好ましい。
本発明におけるダイシング工程の回転刃の回転数としては、特に制約はないが、ダイシング時のチップ割れを考慮すると30000〜60000rpm(1/min)が好ましい。また、ダイシング速度としては、特に制約はないが、例えば10〜100mm/secが好ましく、30〜60mm/secがより好ましい。切削深さとしては、ダイボンディングフィルム2、またはダイボンディングフィルム2とダイシングテープ3の一部までの切削であれば特に制約はないが、ダイシングテープ3の厚さの1/2以上切削すると、ピックアップの際にダイシングテープが破れてしまい、ピックアップできない可能性があるので、ダイシングテープ3の厚さの1/2未満とすることが好ましい。
複数回目のダイシングは、1回目の切削で発生したバリを排出することが目的であることから、その切り込み深さは少なくともダイボンディングフィルム2とダイシングテープ3の界面の深さまで切削することが必要であり、1回目のダイシングの切り込み深さと可能な限り同じ深さであることがより好ましい。また、回転刃4の幅としては1回目の切削で用いた刃と同等以下の幅であることが好ましい。
図5に1度切削した切削痕に再度回転刃を入れ、切削している工程を示した。1回目の切削では、バリ5が生じるが、再度同じ切削箇所を切削することでバリ5が除去される。
可能な限り同じ部分そして同じ切り込み深さとするには、制限するものではないが、1回目の切削と複数回目の切削を同じ装置(ダイサー)、同じダイシングブレードで、同じ条件下(温度、湿度、ダイシングの回転数、送り速度等)で行うことで達成される。
図5に1度切削した切削痕に再度回転刃を入れ、切削している工程を示した。1回目の切削では、バリ5が生じるが、再度同じ切削箇所を切削することでバリ5が除去される。
可能な限り同じ部分そして同じ切り込み深さとするには、制限するものではないが、1回目の切削と複数回目の切削を同じ装置(ダイサー)、同じダイシングブレードで、同じ条件下(温度、湿度、ダイシングの回転数、送り速度等)で行うことで達成される。
ダイシング工程を行った後、図4に示すように半導体チップ10をダイシングテープ3からピックアップする(ピックアップ工程)。UV硬化型のダイシングテープを用いる場合は、ピックアップ工程の前にダイシングテープ3にUV照射を行い、ダイシングテープ3の接着剤層を硬化させる。この後、ピックアップした半導体チップ10を所定の配線基板又は他の半導体チップ等に接続することにより、半導体装置が得られる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[実施例1]
実施例1では、ダイボンディングフィルム及びダイシングテープとして、日立化成工業株式会社製のダイシング−ダイボンディング一体型フィルムHR−9004T−20(ダイボンディングフィルム厚さ20μm、ダイシングテープ厚さ110μm)を用意した。そして、このフィルムに75μm厚の半導体ウェハ(シリコンウェハ)を熱板温度70℃でラミネートし、ダイシングサンプル(積層品)を作製した。
次に、株式会社ディスコ製フルオートダイサーDFD−6361を用いて、ダイシングサンプルを切削した。切削は、ブレード2枚を用いるステップカット方式で行い、株式会社ディスコ製ダイシングブレードNBC−ZH204J−SE27 HDDD、及びNBC−ZH127F−SE 27HCBBを用いた。切削条件は、ブレード回転数40000rpm(1/min)、切削速度50mm/s、チップサイズ10mm×10mmとし、図3に示すように、半導体ウェハ1が25μm程度残るように1段階目の切削を行い、次いで、ダイシングテープ3に15μm程度の切り込みが入るように2段階目の切削を行った。その後、NBC−ZH127F−SE 27HCBBを用いて、再度ダイシングテープに15μm程度の切り込みが入るように切削した。
[実施例1]
実施例1では、ダイボンディングフィルム及びダイシングテープとして、日立化成工業株式会社製のダイシング−ダイボンディング一体型フィルムHR−9004T−20(ダイボンディングフィルム厚さ20μm、ダイシングテープ厚さ110μm)を用意した。そして、このフィルムに75μm厚の半導体ウェハ(シリコンウェハ)を熱板温度70℃でラミネートし、ダイシングサンプル(積層品)を作製した。
次に、株式会社ディスコ製フルオートダイサーDFD−6361を用いて、ダイシングサンプルを切削した。切削は、ブレード2枚を用いるステップカット方式で行い、株式会社ディスコ製ダイシングブレードNBC−ZH204J−SE27 HDDD、及びNBC−ZH127F−SE 27HCBBを用いた。切削条件は、ブレード回転数40000rpm(1/min)、切削速度50mm/s、チップサイズ10mm×10mmとし、図3に示すように、半導体ウェハ1が25μm程度残るように1段階目の切削を行い、次いで、ダイシングテープ3に15μm程度の切り込みが入るように2段階目の切削を行った。その後、NBC−ZH127F−SE 27HCBBを用いて、再度ダイシングテープに15μm程度の切り込みが入るように切削した。
[比較例1]
比較例1では、NBC−ZH127F−SE 27HCBBによる2回目の切削を行わない他は、上記実施例1と同様の条件とした。
比較例1では、NBC−ZH127F−SE 27HCBBによる2回目の切削を行わない他は、上記実施例1と同様の条件とした。
[実施例2]
実施例2では、ダイボンディングフィルム及びダイシングテープとして、日立化成工業株式会社製のダイシング−ダイボンディング一体型フィルムFH−9011T−25(ダイボンディングフィルム厚さ25μm、ダイシングテープ厚さ110μm)を用意した。そして、このフィルムに50μm厚の半導体ウェハ(シリコンウェハ)を熱板温度70℃でラミネートし、ダイシングサンプル(積層品)を作製した。その後、実施例1と同様の条件で、ダイシングを実施した。ダイシングの後、UV照射装置を用いてダイシングテープの接着剤層を硬化させた。UV照射条件は、光度80mW/cm2、積算光量150mJ/cm2とした。
実施例2では、ダイボンディングフィルム及びダイシングテープとして、日立化成工業株式会社製のダイシング−ダイボンディング一体型フィルムFH−9011T−25(ダイボンディングフィルム厚さ25μm、ダイシングテープ厚さ110μm)を用意した。そして、このフィルムに50μm厚の半導体ウェハ(シリコンウェハ)を熱板温度70℃でラミネートし、ダイシングサンプル(積層品)を作製した。その後、実施例1と同様の条件で、ダイシングを実施した。ダイシングの後、UV照射装置を用いてダイシングテープの接着剤層を硬化させた。UV照射条件は、光度80mW/cm2、積算光量150mJ/cm2とした。
[比較例2]
比較例2では、NBC−ZH127F−SE 27HCBBによる2回目の切削を行わない他は、上記実施例2と同様の条件とした。
比較例2では、NBC−ZH127F−SE 27HCBBによる2回目の切削を行わない他は、上記実施例2と同様の条件とした。
[ピックアップ性の評価]
上述した実施例1、2及び比較例1、2で作製した半導体チップについて、キャノンマシナリー株式会社製ダイボンダBESTEM−D02を使用してピックアップ性を評価した。使用したピックアップ用コレット20は、図6に示すように、例えば9mm×9mmの突き上げ面21を有し、9本の突き上げピン22が突き上げ面21の対角線上に沿って所定の間隔で配列されている。ピックアップ条件は、突き上げ速度を10mm/sとし、突き上げ高さを250〜450μmの範囲で50μmずつ変化させた。
そして、各突き上げ高さにおいて、半導体チップのサンプル数を100個とし、半導体チップに割れやピックアップミス等が全く発生しなかった場合をピックアップ性「良好(○)」と評価し、1個でも半導体チップに割れやピックアップミス等が発生した場合をピックアップ性「不良(×)」と評価した。評価結果を表1に示した。
上述した実施例1、2及び比較例1、2で作製した半導体チップについて、キャノンマシナリー株式会社製ダイボンダBESTEM−D02を使用してピックアップ性を評価した。使用したピックアップ用コレット20は、図6に示すように、例えば9mm×9mmの突き上げ面21を有し、9本の突き上げピン22が突き上げ面21の対角線上に沿って所定の間隔で配列されている。ピックアップ条件は、突き上げ速度を10mm/sとし、突き上げ高さを250〜450μmの範囲で50μmずつ変化させた。
そして、各突き上げ高さにおいて、半導体チップのサンプル数を100個とし、半導体チップに割れやピックアップミス等が全く発生しなかった場合をピックアップ性「良好(○)」と評価し、1個でも半導体チップに割れやピックアップミス等が発生した場合をピックアップ性「不良(×)」と評価した。評価結果を表1に示した。
実施例1では、突き上げ高さが250〜450μmの範囲でピックアップ性が「良好(○)」であったのに対し、比較例1では、突き上げ高さが300μm〜450μmの範囲でピックアップが「良好(○)」で、突き上げ高さが250μmでピックアップが「不良(×)」であった。したがって、実施例1では、比較例1よりも低い突き上げ高さであっても良好なピックアップ性が得られることが確認できた。また、実施例2では、突き上げ高さが300μm〜450μmの範囲でピックアップ性が「良好(○)」であったのに対し、比較例2では、突き上げ高さが350μm〜450μmの範囲でピックアップが「良好(○)」で、突き上げ高さが250〜300μmでピックアップが「不良(×)」であった。したがって、実施例2においても、比較例2よりも低い突き上げ高さで良好なピックアップ性が得られることが確認できた。
以上説明したように、この半導体装置の製造方法では、ダイシング工程において1度切削したダイボンディングフィルム2、またはダイシングテープ3の一部とダイボンディングフィルム2を含む切削痕に可能な限り同じ深さで再度回転刃4を入れ、2度切削している。これにより、半導体チップ10、ダイボンディングフィルム2またはダイシングテープ3との切削面に発生したバリを排出することができ、ピックアップ時の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
以上説明したように、この半導体装置の製造方法では、ダイシング工程において1度切削したダイボンディングフィルム2、またはダイシングテープ3の一部とダイボンディングフィルム2を含む切削痕に可能な限り同じ深さで再度回転刃4を入れ、2度切削している。これにより、半導体チップ10、ダイボンディングフィルム2またはダイシングテープ3との切削面に発生したバリを排出することができ、ピックアップ時の半導体チップの割れを好適に防ぎ、容易にピックアップを行うことができる。
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば上述した実施形態では、ダイシング工程において1度切削したダイボンディングフィルム、またはダイシングテープの一部とダイボンディングフィルムを含む切削痕に可能な限り同じ深さで再度回転刃を入れ、2度切削しているが、3度以上切削しても良い。
この場合も、上記実施形態と同様に、半導体チップ10、ダイボンディングフィルム2またはダイシングテープ3との切削面に発生したバリは、より排出することができる。しかし、切削回数が多いほど回転刃4が半導体チップ10の切削面に接触する可能性が高まるため、チップ割れや回転刃の割れが起こる可能性があるので、効果とコスト等の観点から必要最小限にとどめることが好ましい。
この場合も、上記実施形態と同様に、半導体チップ10、ダイボンディングフィルム2またはダイシングテープ3との切削面に発生したバリは、より排出することができる。しかし、切削回数が多いほど回転刃4が半導体チップ10の切削面に接触する可能性が高まるため、チップ割れや回転刃の割れが起こる可能性があるので、効果とコスト等の観点から必要最小限にとどめることが好ましい。
1…半導体ウェハ、
2…ダイボンディングフィルム、
3…ダイシングテープ、
4…回転刃、
5…バリ、
10…半導体チップ、
20…ピックアップ用コレット、
21…突き上げ面、
22…突き上げピン。
2…ダイボンディングフィルム、
3…ダイシングテープ、
4…回転刃、
5…バリ、
10…半導体チップ、
20…ピックアップ用コレット、
21…突き上げ面、
22…突き上げピン。
Claims (3)
- ダイシングテープに貼り付けられたダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切削する(ダイシング)工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイボンディングフィルムを含む前記積層品の同じ部分の切削箇所を、複数回切削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- ダイシングテープに貼り付けられたダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切削する(ダイシング)工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイシングテープの一部とダイボンディングフィルムを含む前記積層品の同じ部分の切削箇所を、複数回切削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記積層品の同じ部分の切削箇所を、同じ深さで複数回切削することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2018190852A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
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