TW201901782A - 加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 205
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 144
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 144
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 39
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 4
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 3
- 229930182821 L-proline Natural products 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 229960005261 aspartic acid Drugs 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960002429 proline Drugs 0.000 description 3
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010064733 Angiotensins Proteins 0.000 description 2
- 102000015427 Angiotensins Human genes 0.000 description 2
- 108010087765 Antipain Proteins 0.000 description 2
- 101710126338 Apamin Proteins 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-UHFFFAOYSA-N D-OH-Asp Natural products OC(=O)C(N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-UHFFFAOYSA-N D-alpha-Ala Natural products CC([NH3+])C([O-])=O QNAYBMKLOCPYGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTYJJOPFIAHURM-UHFFFAOYSA-N Histamine Chemical compound NCCC1=CN=CN1 NTYJJOPFIAHURM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-UWTATZPHSA-N L-Alanine Natural products C[C@@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-UWTATZPHSA-N 0.000 description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-UWTATZPHSA-N L-Aspartic acid Natural products OC(=O)[C@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-UWTATZPHSA-N 0.000 description 2
- AHLPHDHHMVZTML-BYPYZUCNSA-N L-Ornithine Chemical compound NCCC[C@H](N)C(O)=O AHLPHDHHMVZTML-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- RHGKLRLOHDJJDR-BYPYZUCNSA-N L-citrulline Chemical compound NC(=O)NCCC[C@H]([NH3+])C([O-])=O RHGKLRLOHDJJDR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- SSISHJJTAXXQAX-ZETCQYMHSA-N L-ergothioneine Chemical compound C[N+](C)(C)[C@H](C([O-])=O)CC1=CNC(=S)N1 SSISHJJTAXXQAX-ZETCQYMHSA-N 0.000 description 2
- UKAUYVFTDYCKQA-VKHMYHEASA-N L-homoserine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCO UKAUYVFTDYCKQA-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 2
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 2
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960003767 alanine Drugs 0.000 description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SDNYTAYICBFYFH-TUFLPTIASA-N antipain Chemical compound NC(N)=NCCC[C@@H](C=O)NC(=O)[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@H](CCCN=C(N)N)NC(=O)N[C@H](C(O)=O)CC1=CC=CC=C1 SDNYTAYICBFYFH-TUFLPTIASA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- CVSVTCORWBXHQV-UHFFFAOYSA-N creatine Chemical compound NC(=[NH2+])N(C)CC([O-])=O CVSVTCORWBXHQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDRJAANPRJIHGJ-UHFFFAOYSA-N creatinine Chemical compound CN1CC(=O)NC1=N DDRJAANPRJIHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940093497 ergothioneine Drugs 0.000 description 2
- BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N gamma-aminobutyric acid Chemical compound NCCCC(O)=O BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229960002989 glutamic acid Drugs 0.000 description 2
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVIIHEKJCKCXOB-STYWVVQQSA-N molport-023-276-178 Chemical compound C([C@H](NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@@H]1CSSC[C@H]2C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N3CCC[C@H]3C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@H](C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@H](C(N[C@@H](CSSC[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N2)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N1)=O)CC(C)C)[C@@H](C)O)C(N)=O)C1=CNC=N1 YVIIHEKJCKCXOB-STYWVVQQSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N sarcosine Chemical compound C[NH2+]CC([O-])=O FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- WPLOVIFNBMNBPD-ATHMIXSHSA-N subtilin Chemical compound CC1SCC(NC2=O)C(=O)NC(CC(N)=O)C(=O)NC(C(=O)NC(CCCCN)C(=O)NC(C(C)CC)C(=O)NC(=C)C(=O)NC(CCCCN)C(O)=O)CSC(C)C2NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C1NC(=O)C(CCC(N)=O)NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(NC(=O)C1NC(=O)C(=C/C)/NC(=O)C(CCC(N)=O)NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(C)NC(=O)CNC(=O)C(NC(=O)C(NC(=O)C2NC(=O)CNC(=O)C3CCCN3C(=O)C(NC(=O)C3NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(=C)NC(=O)C(CCC(O)=O)NC(=O)C(NC(=O)C(CCCCN)NC(=O)C(N)CC=4C5=CC=CC=C5NC=4)CSC3)C(C)SC2)C(C)C)C(C)SC1)CC1=CC=CC=C1 WPLOVIFNBMNBPD-ATHMIXSHSA-N 0.000 description 2
- XOAAWQZATWQOTB-UHFFFAOYSA-N taurine Chemical compound NCCS(O)(=O)=O XOAAWQZATWQOTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 description 1
- 239000001124 (E)-prop-1-ene-1,2,3-tricarboxylic acid Substances 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- UKAUYVFTDYCKQA-UHFFFAOYSA-N -2-Amino-4-hydroxybutanoic acid Natural products OC(=O)C(N)CCO UKAUYVFTDYCKQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOZNCAMOIPYYIK-UHFFFAOYSA-N 1-aminoethylideneazanium;acetate Chemical compound CC(N)=N.CC(O)=O ZOZNCAMOIPYYIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 1-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRUVVLWKPGIYEG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[(2-hydroxyphenyl)methyl]amino]ethyl-[(2-hydroxyphenyl)methyl]amino]acetic acid Chemical compound C=1C=CC=C(O)C=1CN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC1=CC=CC=C1O GRUVVLWKPGIYEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNMCCPMYXUKHAZ-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-diamino-1,2,2-tris(carboxymethyl)cyclohexyl]acetic acid Chemical compound NC1(N)CCCC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C1(CC(O)=O)CC(O)=O RNMCCPMYXUKHAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 2-acetamido-3-sulfanylpropanoic acid Chemical compound CC(=O)NC(CS)C(O)=O PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDGAVODICPCDMU-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-[3-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(N)CC1=CC=CC(N(CCCl)CCCl)=C1 QDGAVODICPCDMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYPYHUZRZVSYKL-ZETCQYMHSA-N 3,5-diiodo-L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 NYPYHUZRZVSYKL-ZETCQYMHSA-N 0.000 description 1
- UWRBFYBQPCJRRL-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(carboxymethyl)amino]propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O UWRBFYBQPCJRRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000606750 Actinobacillus Species 0.000 description 1
- 102000005862 Angiotensin II Human genes 0.000 description 1
- 101800000734 Angiotensin-1 Proteins 0.000 description 1
- 102400000344 Angiotensin-1 Human genes 0.000 description 1
- 101800000733 Angiotensin-2 Proteins 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- XNSPQPOQXWCGKC-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.[N] Chemical compound C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.[N] XNSPQPOQXWCGKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ILRYLPWNYFXEMH-UHFFFAOYSA-N D-cystathionine Natural products OC(=O)C(N)CCSCC(N)C(O)=O ILRYLPWNYFXEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSISQURPIRTMAY-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl glycine Chemical compound NCC(=O)OCCO XSISQURPIRTMAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-DMTCNVIQSA-N Hydroxyproline Chemical compound O[C@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-DMTCNVIQSA-N 0.000 description 1
- CZGUSIXMZVURDU-JZXHSEFVSA-N Ile(5)-angiotensin II Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C([O-])=O)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CCCNC(N)=[NH2+])NC(=O)[C@@H]([NH3+])CC([O-])=O)C(C)C)C1=CC=C(O)C=C1 CZGUSIXMZVURDU-JZXHSEFVSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WTDRDQBEARUVNC-LURJTMIESA-N L-DOPA Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C(O)=C1 WTDRDQBEARUVNC-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-UHFFFAOYSA-N L-Methionine Natural products CSCCC(N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWCKQJZIFLGMSD-VKHMYHEASA-N L-alpha-aminobutyric acid Chemical compound CC[C@H](N)C(O)=O QWCKQJZIFLGMSD-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-N L-arginine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCCN=C(N)N ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- 229930064664 L-arginine Natural products 0.000 description 1
- 235000014852 L-arginine Nutrition 0.000 description 1
- ILRYLPWNYFXEMH-WHFBIAKZSA-N L-cystathionine Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CCSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O ILRYLPWNYFXEMH-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N L-cystine Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CSSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- 239000004158 L-cystine Substances 0.000 description 1
- 235000019393 L-cystine Nutrition 0.000 description 1
- GGLZPLKKBSSKCX-YFKPBYRVSA-N L-ethionine Chemical compound CCSCC[C@H](N)C(O)=O GGLZPLKKBSSKCX-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- 229930182844 L-isoleucine Natural products 0.000 description 1
- 239000004395 L-leucine Substances 0.000 description 1
- 235000019454 L-leucine Nutrition 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- 229930195722 L-methionine Natural products 0.000 description 1
- XUIIKFGFIJCVMT-LBPRGKRZSA-N L-thyroxine Chemical compound IC1=CC(C[C@H]([NH3+])C([O-])=O)=CC(I)=C1OC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 XUIIKFGFIJCVMT-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDHILDINMRGULE-LURJTMIESA-N N(pros)-methyl-L-histidine Chemical compound CN1C=NC=C1C[C@H](N)C(O)=O JDHILDINMRGULE-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- BRMWTNUJHUMWMS-LURJTMIESA-N N(tele)-methyl-L-histidine Chemical compound CN1C=NC(C[C@H](N)C(O)=O)=C1 BRMWTNUJHUMWMS-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOUZISDNESEYLX-UHFFFAOYSA-N N-hydroxyethyl glycine Natural products OCCNCC(O)=O FOUZISDNESEYLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGNPYRRPIBOKR-DKWTVANSSA-N N[C@@H](CO)C(=O)O.[N] Chemical compound N[C@@H](CO)C(=O)O.[N] QVGNPYRRPIBOKR-DKWTVANSSA-N 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHLPHDHHMVZTML-UHFFFAOYSA-N Orn-delta-NH2 Natural products NCCCC(N)C(O)=O AHLPHDHHMVZTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- GBFLZEXEOZUWRN-VKHMYHEASA-N S-carboxymethyl-L-cysteine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CSCC(O)=O GBFLZEXEOZUWRN-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 108010077895 Sarcosine Proteins 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYDQMRVDDPZFMM-UHFFFAOYSA-N [Ag+2] Chemical class [Ag+2] XYDQMRVDDPZFMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- VYTBPJNGNGMRFH-UHFFFAOYSA-N acetic acid;azane Chemical compound N.N.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O VYTBPJNGNGMRFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091181 aconitic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- ORWYRWWVDCYOMK-HBZPZAIKSA-N angiotensin I Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(O)=O)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CCCN=C(N)N)NC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O)C(C)C)C1=CC=C(O)C=C1 ORWYRWWVDCYOMK-HBZPZAIKSA-N 0.000 description 1
- 229950006323 angiotensin ii Drugs 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960004365 benzoic acid Drugs 0.000 description 1
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106681 chloroacetic acid Drugs 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N cis-aconitic acid Chemical compound OC(=O)C\C(C(O)=O)=C\C(O)=O GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 229960002173 citrulline Drugs 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003624 creatine Drugs 0.000 description 1
- 239000006046 creatine Substances 0.000 description 1
- 229940109239 creatinine Drugs 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002433 cysteine Drugs 0.000 description 1
- 229960003067 cystine Drugs 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- YSMODUONRAFBET-UHNVWZDZSA-N erythro-5-hydroxy-L-lysine Chemical compound NC[C@H](O)CC[C@H](N)C(O)=O YSMODUONRAFBET-UHNVWZDZSA-N 0.000 description 1
- LTHCIVZEQZAFPI-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diamine;2-(2-hydroxyphenyl)acetic acid Chemical compound NCCN.OC(=O)CC1=CC=CC=C1O LTHCIVZEQZAFPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229960003692 gamma aminobutyric acid Drugs 0.000 description 1
- 229960002449 glycine Drugs 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229960002591 hydroxyproline Drugs 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 229960003136 leucine Drugs 0.000 description 1
- 229950008325 levothyroxine Drugs 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 229960004452 methionine Drugs 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N methylfumaric acid Natural products OC(=O)C(C)=CC(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWLPBLYKEWSWPD-UHFFFAOYSA-N o-toluic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(O)=O ZWLPBLYKEWSWPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003104 ornithine Drugs 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- KOUKXHPPRFNWPP-UHFFFAOYSA-N pyrazine-2,5-dicarboxylic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)C1=CN=C(C(O)=O)C=N1 KOUKXHPPRFNWPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229960001153 serine Drugs 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- IFGCUJZIWBUILZ-UHFFFAOYSA-N sodium 2-[[2-[[hydroxy-(3,4,5-trihydroxy-6-methyloxan-2-yl)oxyphosphoryl]amino]-4-methylpentanoyl]amino]-3-(1H-indol-3-yl)propanoic acid Chemical compound [Na+].C=1NC2=CC=CC=C2C=1CC(C(O)=O)NC(=O)C(CC(C)C)NP(O)(=O)OC1OC(C)C(O)C(O)C1O IFGCUJZIWBUILZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 229960003080 taurine Drugs 0.000 description 1
- 229960002898 threonine Drugs 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N trans-aconitic acid Natural products OC(=O)CC(C(O)=O)=CC(O)=O GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004441 tyrosine Drugs 0.000 description 1
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
[課題] 去除在分割預定線的交叉點附近產生之金屬毛邊。 [解決手段]一種加工方法,是以切割刀片切割在分割預定線上具有金屬的被加工物,該加工方法具備:第1切割步驟,沿著第1分割預定線切割被加工物,以形成第1切割溝;第2切割步驟,以該切割刀片沿著第2分割預定線切割被加工物,以形成第2切割溝;第1金屬毛邊去除步驟,在實施該第2切割步驟之後,將該切割刀片的最下端定位在比該金屬的上端更低的高度,來使該切割刀片通過該第1切割溝;及第2金屬毛邊去除步驟,將該切割刀片的最下端定位在比該金屬的上端更低的高度,來使該切割刀片通過該第2切割溝,該第1金屬毛邊去除步驟及該第2金屬毛邊去除步驟是對被加工物一邊供給包含有機酸與氧化劑之液體一邊實施。
Description
發明領域 本發明是有關於一種對被加工物進行加工的加工方法,該被加工物設定有交叉之複數條分割預定線,且具有重疊於該分割預定線之金屬。
發明背景 已知有以圓環狀之切割刀片對半導體晶圓或封裝基板、陶瓷基板、玻璃基板等被加工物精密地進行切割加工的切割裝置。在該切割裝置中,是將該切割刀片可旋轉地支撐於主軸。並且,使切割刀片旋轉,且將旋轉的切割刀片切入被加工物以切割被加工物。
在該被加工物上設定有格子狀地配置排列的複數條分割預定線。該被加工物正面之以該分割預定線所區劃的各區域中,形成有IC或LSI等元件。並且,當沿著該分割預定線切割被加工物來分割被加工物時,會形成具有元件之晶片(以下稱為元件晶片)。
於被切割前的被加工物上,會形成構成例如該元件或配線、或是TEG(測試元件群組,Test Element Group)等的包含金屬之層,在重疊於該分割預定線的位置上也會有形成該包含金屬之層的情況。在以重疊於分割預定線的方式形成有像這樣的包含金屬之層的情況下,會成為切割刀片在切割被加工物時會切割包含金屬之層。
當以切割刀片切割該包含金屬之層時,會藉由旋轉的切割刀片而將該金屬伸展,並形成從該包含金屬之層伸長之被稱為毛邊(以下稱為金屬毛邊)的突起。若形成金屬毛邊,會有該金屬毛邊接觸到相接近的其他的包含金屬之層而引起短路的情況,又,也會有該金屬毛邊脫落而造成元件晶片損傷的情況。此外,當金屬毛邊殘存在形成的元件晶片上時,也會有在將元件晶片組裝於規定的對象時,引起接合不良等問題的情況。
因此,必須去除所形成的該金屬毛邊。例如,藉由再次使旋轉的切割刀片通過形成於被加工物的切割溝,去除該金屬毛邊的技術方案已被提出。特別是在該分割預定線彼此交叉的交叉點附近,當使切割刀片通過某條切割溝時,因為金屬毛邊朝向與該切割溝交叉之切割溝變形成避開該切割刀片,所以金屬毛邊的去除會特別不容易。於是,已提出有將形成於該交叉點附近的金屬毛邊移除之技術方案(參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2006-41261號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而,即使依據所提案的該技術,也會有無法完全去除在該交叉點內產生的金屬毛邊的情況。因為金屬毛邊具有延展性,且若使切割刀片通過構成該交叉點的其中一條切割溝時,金屬毛邊會朝向另一條切割溝伸展,所以會導致一部分的該金屬毛邊殘留在交叉點附近。
本發明是有鑒於所述問題而作成的發明,其目的在於提供一種加工方法,該加工方法在對格子狀地設定有分割預定線之被加工物進行切割時,能夠容易地去除在分割預定線的交叉點附近產生之金屬毛邊。 用以解決課題之手段
根據本發明的一態樣,可提供一種加工方法,該加工方法是以旋轉的圓環狀的切割刀片對設定有分割預定線,且在該分割預定線上具有金屬之被加工物進行切割,其中該分割預定線是由朝第1方向伸長之複數條第1分割預定線、及朝與該第1方向交叉之第2方向伸長之複數條第2分割預定線所構成,該加工方法的特徵在於: 其具備: 膠帶貼附步驟,將膠帶貼附於該被加工物; 保持步驟,在實施該膠帶貼附步驟之後,使該被加工物隔著該膠帶保持於保持台; 第1切割步驟,在實施該保持步驟之後,將該切割刀片切入該膠帶,並且以該切割刀片沿著該第1分割預定線切割被加工物,以形成第1切割溝; 第2切割步驟,在實施該第1切割步驟之後,將該切割刀片切入該膠帶,並且以該切割刀片沿著該第2分割預定線切割被加工物,以形成第2切割溝; 第1金屬毛邊去除步驟,在實施該第2切割步驟之後,將該切割刀片的最下端定位在比該金屬更低的高度,來使該切割刀片通過該第1切割溝;及 第2金屬毛邊去除步驟,在實施該第2切割步驟之後,將該切割刀片的最下端定位在比該金屬更低的高度,來使該切割刀片通過該第2切割溝, 該第1金屬毛邊去除步驟與該第2金屬毛邊去除步驟是一邊對被加工物供給包含有機酸與氧化劑之液體一邊實施。
在本發明的一態樣之加工方法中,亦可更具備:第1膠帶毛邊去除步驟,在實施該第2金屬毛邊去除步驟之後,使該切割刀片通過該第1切割溝,以去除從該膠帶產生之膠帶毛邊;及第2膠帶毛邊去除步驟,在實施該第2金屬毛邊去除步驟之後,使該切割刀片通過該第2切割溝,以去除從該膠帶產生之膠帶毛邊,且在該第1切割步驟、該第2切割步驟、該第1金屬毛邊去除步驟、及該第2金屬毛邊去除步驟中,該切割刀片之最下端藉由該切割刀片的旋轉而移動的方向與該被加工物的進給方向一致,在該第1膠帶毛邊去除步驟及該第2膠帶毛邊去除步驟中,該切割刀片之最下端藉由該切割刀片的旋轉而移動的方向與該被加工物的進給方向成為相反。
此外,在本發明的一態樣之加工方法中,亦可為:該被加工物的進給速度在該第1金屬毛邊去除步驟、及該第2金屬毛邊去除步驟中,會比該第1切割步驟、及該第2切割步驟快。又,該第1切割步驟、及該第2切割步驟亦可一邊對該被加工物供給包含有機酸與氧化劑之液體一邊實施。 發明效果
當實施形成第1切割溝之第1切割步驟、及形成第2切割溝之第2切割步驟時,會從重疊於分割預定線之包金屬之層產生金屬毛邊。在欲去除所產生之金屬毛邊時,要去除在朝第1方向伸長之第1分割預定線、及朝與該第1方向交叉之第2方向伸長之第2分割預定線的交叉點附近產生之金屬毛邊並不容易。
於是,在本發明的一態樣中,是在切割被加工物後,一邊對被加工物供給包含有機酸與氧化劑之液體一邊使切割刀片通過因切割而形成之切割溝。如此一來,可藉由該液體中所包含的有機酸使構成金屬毛邊之金屬改質來抑制延展性,並且藉由該液體中所包含的氧化劑使形成於該金屬毛邊表面的膜質產生變化以使該金屬毛邊失去延展性。因為金屬毛邊變得難以伸展,所以當使切割刀片通過切割溝時,也可以適當地去除在該交叉點附近產生之金屬毛邊。
從而,根據本發明,可提供一種加工方法,該加工方法在對格子狀地設定有分割預定線之被加工物進行切割時,能夠容易地去除在分割預定線的交叉點附近產生之金屬毛邊。
用以實施發明之形態 首先,說明本實施形態之加工方法的被加工物。該被加工物是將IC或LSI等複數個元件以密封樹脂覆蓋而成的封裝基板。又,該被加工物是例如矽、藍寶石等的半導體晶圓,又,亦可為玻璃、石英、樹脂等的基板。於圖1所示之立體圖的上部,示意地顯示有封裝基板來作為該被加工物1。
於該被加工物1上設定有分割預定線3,該分割預定線3是由沿著第1方向1c伸長之複數條第1分割預定線3a、及沿著與該第1方向1c交叉之第2方向1d伸長之複數條第2分割預定線3b所構成。在藉由格子狀地設定的分割預定線3所區劃之各區域中形成有IC或LSI等的元件5。並且,當沿著該分割預定線3將被加工物1切割而分割時,會形成一個個的元件晶片。
於被加工物1的厚度方向中央附近形成有包含金屬之層5a。包含金屬之層5a是例如配線層。又,該包含金屬之層5a是使用在該元件或TEG(測試元件群組,Test Element Group)等。在將該包含金屬之層5a形成為重疊於該分割預定線3的情況下,當沿著該分割預定線3切割被加工物1時,會產生從該包含金屬之層5a伸長的金屬毛邊。
在本實施形態之加工方法中,是將膠帶貼附在被加工物1上。利用圖1來針對該膠帶進行說明。於圖1所示之立體圖的下部,示意地顯示有張貼在以金屬等所形成的框架9上的膠帶7。
膠帶7具有在實施本實施形態之加工方法的期間,從在各步驟等所施加之衝擊中保護被加工物1、並防止對元件5產生損傷的功能。又,若利用張貼在框架9上的膠帶7,被加工物1的搬送即變得容易。再者,膠帶7亦可不張貼在框架9上,在該情況下,亦可將與被加工物1同樣大小的膠帶7貼附於被加工物1。
膠帶7具有基材與糊劑層(接著劑層),該基材是具有可撓性的薄膜狀,該糊劑層是形成於該基材的其中一面。例如,關於基材,可採用PO(聚烯烴)、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、聚氯乙烯、及聚苯乙烯等。又,關於糊劑層(接著劑層),可採用例如矽氧橡膠、丙烯酸系材料、及環氧系材料等。
接著,利用圖2(B)來說明在本實施形態之加工方法中所使用之切割裝置。於圖2(B)示意地顯示有該切割裝置2。該切割裝置2具備保持被加工物1之保持台4、及對被該保持台4所保持之被加工物1進行切割加工的切割單元6。
保持台4在上表面側具有多孔質構件(圖未示)。該多孔質構件的上表面是成為保持被加工物1的保持面4a。保持台4在內部具有一端連接於吸引源(圖未示)之吸引路,且該吸引路的另一端連接於該多孔質構件。又,於保持台4的外周設有夾持框架9之夾具4b。
當將被加工物1隔著膠帶7載置於該保持面4a上,並藉由夾具4b固定框架9,且由該吸引源所產生之負壓通過該多孔質構件之孔作用於該被加工物1時,被加工物1即被吸引保持於保持台4上。
切割裝置2是藉由以脈衝馬達等作為動力的加工進給機構(圖未示),而可以在切割裝置2之加工進給方向(例如圖2(B)之箭頭18a的方向)上移動保持台4。在被加工物1的切割加工等時,該加工進給機構是將保持台4朝箭頭18a的方向進給,而將被加工物1加工進給。
此外,切割裝置2是藉由以脈衝馬達等作為動力的分度進給機構(圖未示),而可以在切割裝置2之分度進給方向(圖未示)上移動保持台4。又,保持台4是可繞著大致垂直於保持面4a之軸旋轉,當使保持台4旋轉時即可改變被加工物1的加工進給方向。
切割單元6具備可旋轉地被支撐的主軸、及被該主軸所旋轉的切割刀片8。該切割刀片8是例如墊圈型的刀片。該墊圈型的刀片是由圓環狀的磨石構成的刀片,且是例如以金屬或樹脂結合磨粒而形成。於中央形成有貫通孔。切割刀片8是被前凸緣及後凸緣所夾持而固定於該主軸的前端。
於包圍切割刀片8的刀片蓋10上固定有包夾切割刀片8之正背面的一對切割液供給噴嘴12,又,於圓環狀的切割刀片8的外周側形成有朝向切割刀片8的切割液噴出口14。切割液供給噴嘴12及切割液噴出口14是各自連接於切割液送液管(切割液供給通路)16a、16b的一端,該切割液送液管(切割液供給通路)16a、16b的每一個的另一端是連接於切割液供給源(圖未示)。
在利用切割刀片8實施被加工物的切割加工時,是從切割液供給噴嘴12及切割液噴出口14對旋轉的切割刀片8供給切割液。如此一來,可將該切割液供給至切割刀片8所接觸之被加工物1的加工點。切割液是例如包含有機酸與氧化劑的液體、或純水等。該切割液即使在被加工物1的切割加工時以外也可供給至被加工物1。
關於該有機酸,可採用例如,分子內具有至少1個羧基、及至少1個胺基的化合物。胺基中之至少1個宜為2級或3級的胺基。又,作為有機酸而使用之化合物宜具有取代基。
可以作為有機酸而使用之胺基酸,可列舉出甘胺酸、二羥乙基甘胺酸、甘胺醯甘胺酸、羥乙基甘胺酸、N-甲基甘胺酸、β-丙胺酸、L-丙胺酸、L-2-胺基丁酸、L-正纈胺酸、L-纈胺酸、L-白胺酸、L-正白胺酸、L-別異白胺酸、L-異白胺酸、L-苯丙胺酸、L-脯胺酸、肌胺酸、L-鳥胺酸、L-離胺酸、牛磺酸、L-絲胺酸、L-蘇胺酸、L-別蘇胺酸、L-高絲胺酸、L-甲狀腺素、L-酪胺酸、3,5-二碘-L-酪胺酸、β-(3,4-二羥基苯基)-L-丙胺酸、4-羥基-L-脯胺酸、L-半胱胺酸、L-甲硫胺酸、L-乙硫胺酸、L-羊毛硫胺酸、L-胱硫醚、L-胱胺酸、L-氧化半胱胺酸、L-麩胺酸、L-天冬胺酸、S-(羧甲基)-L-半胱胺酸、4-胺基丁酸、L-天冬醯胺酸、L-麩醯胺酸、氮絲胺酸、L-刀豆胺酸、L-瓜胺酸、L-精胺酸、δ-羥基-L-離胺酸、肌酸、L-犬尿胺酸、L-組胺酸、1-甲基-L-組胺酸、3-甲基-L-組胺酸、L-色胺酸、放線菌黴素C1、麥角硫鹼(ergothioneine)、蜂毒明肽(apamin)、第一型血管收縮素(angiotensin I)、第二型血管收縮素(angiotensin II)及抗痛素(antipain)等。其中,尤以甘胺酸、L-丙胺酸、L-脯胺酸、L-組胺酸、L-離胺酸、以及二羥乙基甘胺酸為較佳。
此外,可以作為有機酸而使用的胺基多元酸(amino polyacid),可列舉出亞胺二乙酸、氮基三乙酸、二乙三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、羥乙基亞胺二乙酸、氮基三亞甲基膦酸(nitrilotris(methylene)phosphonic acid)、乙二胺-N,N,N’,N’-四亞甲基磺酸、1,2-二胺丙烷四乙酸、二醇醚二胺四乙酸、反式環己烷二胺四乙酸、乙二胺鄰羥基苯基乙酸、乙二胺二琥珀酸(SS體)、β-丙氨酸二乙酸、N-(2-羧酸根合乙基)-L-天冬胺酸、 N,N’-雙(2-羥基芐基)乙二胺-N,N’-二乙酸等。
此外,可以作為有機酸而使用之羧酸,可以列舉出甲酸、乙醇酸、丙酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、草酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、蘋果酸、琥珀酸、庚二酸、氫硫乙酸、乙醛酸、氯乙酸、丙酮酸、乙醯乙酸、戊二酸等之飽和羧酸,或丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、中康酸、檸康酸、烏頭酸等之不飽和羧酸、安息香酸類、甲苯甲酸、鄰苯二甲酸類、萘甲酸類、焦蜜石酸,以及萘二甲酸等之環狀不飽和羧酸等。
作為氧化劑,可以使用例如,過氧化氫、過氧化物、硝酸鹽、碘酸鹽、過碘酸鹽、次氯酸鹽、亞氯酸鹽、氯酸鹽、過氯酸鹽、過硫酸鹽、重鉻酸鹽、過錳酸鹽、鈰酸鹽、釩酸鹽、臭氧水及銀(II)鹽、鐵(III)鹽、或其有機錯鹽等。
接著說明本實施形態之加工方法。關於該加工方法,是利用切割裝置2。在該加工方法中,是將膠帶7貼附於被加工物1上,並將被加工物1隔著該膠帶7來保持於保持台上。之後,沿著分割預定線3切割被加工物1,並使切割刀片通過已形成的切割溝來去除金屬毛邊。以下,詳述該加工方法的各步驟。
首先,在本實施形態之加工方法中,是實施膠帶貼附步驟。利用圖1來說明該膠帶貼附步驟。圖1是示意地顯示膠帶貼附步驟的立體圖。在膠帶貼附步驟中,是從以黏貼面(糊劑層)朝向上方的狀態張貼於框架9的膠帶7的上方,使被加工物1的背面1b側朝向下方而降下。然後,使該膠帶7貼附於被加工物1上。
在實施該膠帶貼附步驟後,實施保持步驟。圖2(A)是示意地顯示該保持步驟的局部截面圖。在該局部截面圖中,是示意地顯示框架9、膠帶7、及被加工物1的截面。
在該保持步驟中,首先,是將被加工物1隔著膠帶7載置於保持台4的保持面4a上,並以夾具4b固定框架9。接著,使保持台4的內部的吸引源作動,以通過保持台4的內部的吸引通路來吸引被加工物1,而使被加工物1吸引保持於保持台4上。
在實施保持步驟之後,實施沿著第1分割預定線3a切割被加工物1以形成第1切割溝的第1切割步驟。首先,為了能夠使切割刀片8沿著第1分割預定線3a切割被加工物1,而移動保持台4。也就是說,是將切割刀片8定位在該第1分割預定線3a的延長線的上方。
在該第1切割步驟中,為了能夠使切割刀片8沿著該第1分割預定線3a分割被加工物1,而將切割刀片8下降至切割刀片8切入膠帶7的高度。與此同時,使主軸旋轉而開始切割刀片8的旋轉,且從切割液供給噴嘴12及切割液噴出口14將切割液供給到切割刀片8。該切割液是包含有機酸與氧化劑的液體、或純水。
然後,藉由移動保持台4來對被加工物1進行加工進給,當旋轉的切割刀片8接觸被加工物1時,切割加工即開始。當切割刀片8沿著該第1分割預定線切割被加工物1時,會沿著第1分割預定線3a形成第1切割溝而分割被加工物1。
在沿著一條第1分割預定線切割被加工物1後,對被加工物1進行分度進給,以沿著相鄰的第1分割預定線切割被加工物1。並且,當沿著朝第1方向伸長之全部的第1分割預定線切割被加工物1而形成第1切割溝後,第1切割步驟即完成。
在實施第1切割步驟之後,實施沿著第2分割預定線3b切割被加工物1以形成第2切割溝的第2切割步驟。首先,使保持台4繞著大致垂直於保持面4a之軸旋轉,而將被加工物1的加工進給方向變更為沿著第2方向。然後,與第1切割步驟同樣地,沿著朝第2方向伸長之全部的第2分割預定線切割被加工物1。如此一來,即形成第2切割溝。
在此,當實施第1切割步驟及第2切割步驟時,會藉由切割刀片8切割重疊於分割預定線3之包含金屬之層5a。當藉由切割刀片8切割包含金屬之層5a時,會有下述情況:從該包含金屬之層5a產生伸長的金屬毛邊,且該金屬毛邊引起各種問題。
在此,當在第1切割步驟及第2切割步驟中,於切割液採用包含有機酸與氧化劑的液體時,可以抑制朝被加工物1的厚度方向伸長的金屬毛邊的產生。然而,即使於切割液採用包含有機酸與氧化劑的液體的情況下,也會有從包含金屬之層5a產生金屬毛邊的情況。
該金屬毛邊有當被加工物1的加工進給速度變得愈快愈容易伸長的傾向,例如,於切割液使用水的情況下,必須以5mm/s以下的加工進給速度來實施切割加工。另一方面,於切割液採用包含有機酸與氧化劑的液體的情況下,因為金屬毛邊的伸長被抑制,所以可以用100mm/s左右的加工進給速度來切割,因此可以提高加工效率。
在實施第2切割步驟之後,實施第1金屬毛邊去除步驟,該第1金屬毛邊去除步驟是使該切割刀片8通過該第1切割溝以去除於該第1切割溝產生之金屬毛邊。在該第1金屬毛邊去除步驟中,是以使該切割刀片8的最下端成為比該包含金屬之層5a更低的高度的方式,將切割刀片8定位於規定的高度。然後,使該切割刀片通過該第1切割溝以去除金屬毛邊。
又,在實施第2切割步驟之後,實施第2金屬毛邊去除步驟,該第2金屬毛邊去除步驟是使該切割刀片8通過該第2切割溝以去除於該第2切割溝產生之金屬毛邊。在該第2金屬毛邊去除步驟中,是以使該切割刀片8的最下端成為比該包含金屬之層5a更低的高度的方式,將切割刀片8定位於規定的高度。然後,使該切割刀片通過該第2切割溝以去除金屬毛邊。
再者,在第1金屬毛邊去除步驟及第2金屬毛邊去除步驟中,亦可不將該切割刀片8定位成其最下端成為比該包含金屬之層5a更低的高度。當該切割刀片8通過切割溝時,不僅是存在於該切割刀片8通過之區域的金屬毛邊,連存在於該區域的下方的金屬毛邊的一部分也會被去除。因此,只要可定位成切割刀片8的最下端成為比該包含金屬之層5a的上端更低的高度,就有可將金屬毛邊全部去除的情況。
圖3(A)是示意地顯示第1金屬毛邊去除步驟及第2金屬毛邊去除步驟的局部截面圖。如圖3(A)所示,在第1金屬毛邊去除步驟及第2金屬毛邊去除步驟中,是讓切割刀片8之最下端藉由切割刀片8的旋轉而移動的方向與工作夾台的進給方向18b一致。
例如,在該第1金屬毛邊去除步驟、及該第2金屬毛邊去除步驟中,在不對被加工物供給包含有機酸與氧化劑的液體的情況下,即使使切割刀片8通過第1切割溝或第2切割溝,要將金屬毛邊完全地去除仍是不容易的。特別是在第1切割溝及第2切割溝的交叉點附近,要完全地去除具有延展性的金屬毛邊是困難的。
也就是說,當使切割刀片8通過第1切割溝時,會導致存在於該交叉點附近的金屬毛邊朝第2切割溝側伸展,當使切割刀片8通過第2切割溝時,會導致該金屬毛邊朝第1切割溝側伸展。因為金屬毛邊具有延展性,所以光只有使切割刀片8通過切割溝的話,該金屬毛邊是難以完全地被去除的。
因此,在該第1金屬毛邊去除步驟、及該第2金屬毛邊去除步驟中,是對被加工物供給包含有機酸與氧化劑的液體。藉由該液體中所包含的有機酸將構成金屬毛邊之金屬改質來抑制延展性,並且藉由該液體中所包含的氧化劑使形成於該金屬毛邊表面的膜質產生變化以使該金屬毛邊失去延展性。如此一來,即使讓切割刀片8通過切割溝,也會因為該金屬毛邊無法伸展以避開該切割刀片8,因而變得容易去除該金屬毛邊。
再者,在該第1金屬毛邊去除步驟、及該第2金屬毛邊去除步驟中,工作夾台4進給速度是成為例如500mm/s左右。與第1切割步驟及第2切割步驟不同,在該第1金屬毛邊去除步驟及該第2金屬毛邊去除步驟中,並未藉由切割刀片8對被加工物1進行切割加工。因此,可以將工作夾台4的進給速度設得更快。當工作夾台4的進給速度較快時,會提升加工效率。
但是,當在例如被加工物1的包含金屬之層5a形成於接近被加工物1之背面1b的高度的情況下、或形成於被加工物1之背面1b的情況下,將切割刀片8定位於可以去除該金屬毛邊的高度時,會有膠帶7被切割的情形。特別是膠帶7在工作夾台4的進給速度較快的狀態下被切割時,會有從該膠帶7產生膠帶毛邊的情形。
於是,在實施該第1金屬毛邊去除步驟及該第2金屬毛邊去除步驟後,實施使該切割刀片8通過該第1切割溝內並去除膠帶毛邊的第1膠帶毛邊去除步驟。又,實施使該切割刀片8通過該第2切割溝內,以去除膠帶毛邊的第2膠帶毛邊去除步驟。
圖3(B)是示意地顯示第1膠帶毛邊去除步驟及第2膠帶毛邊去除步驟的局部截面圖。如圖3(B)所示,在該第1膠帶毛邊去除步驟及第2膠帶毛邊去除步驟中,是使該切割刀片8之最下端藉由該切割刀片8的旋轉而移動的方向成為與該被加工物1之進給方向18c相反。在去除膠帶毛邊的期間,亦可對被加工物1供給純水或自來水。
在第1膠帶毛邊去除步驟及第2膠帶毛邊去除步驟中,為了能夠確實地去除所產生的膠帶毛邊,亦可將切割刀片8定位在可以讓切割刀片8的最下端點到達膠帶7的高度。
在第1膠帶毛邊去除步驟及第2膠帶毛邊去除步驟中,是設為例如,例如500mm/s左右。與第1切割步驟及第2切割步驟不同,在第1膠帶毛邊去除步驟及第2膠帶毛邊去除步驟中,並未藉由切割刀片8對被加工物1進行切割加工。因此,可以將工作夾台4的進給速度設得更快。當工作夾台4的進給速度較快時,會提升加工效率。
以上,當實施本實施形態之加工方法時,可將被加工物1沿著分割預定線3分割,以形成一個個的元件晶片。在該加工方法中,因為在去除藉由切割加工所產生的金屬毛邊等之時是利用包含有機酸與氧化劑的液體,所以可以抑制該金屬毛邊的延展性並有效地去除該金屬毛邊。
再者,本發明並不限定於上述實施形態之記載,可作各種變更而實施。例如,在上述實施形態中,已說明在實施第1金屬毛邊去除步驟及第2金屬毛邊去除步驟之後,實施第1膠帶毛邊去除步驟及第2膠帶毛邊去除步驟的情況。但是,本發明之一態樣並不限定於此。
例如,亦可在實施第1金屬毛邊去除步驟之後實施第1膠帶毛邊去除步驟,之後,在實施第2金屬毛邊去除步驟之後實施第2膠帶毛邊去除步驟。又,亦可在以將被加工物1朝規定的方向進給的方式對一條切割道3實施金屬毛邊去除步驟之後,將被加工物1朝與該方向為相反方向進給並對同一條切割道3實施膠帶毛邊去除步驟。
另外,上述實施形態之構造、方法等,只要在不脫離本發明之目的之範圍內,均可適當變更而實施。
1‧‧‧被加工物
1a‧‧‧正面
1b‧‧‧背面
1c‧‧‧第1方向
1d‧‧‧第2方向
3‧‧‧分割預定線(切割道)
3a‧‧‧第1分割預定線
3b‧‧‧第2分割預定線
5‧‧‧元件
5a‧‧‧包含金屬之層
7‧‧‧膠帶
9‧‧‧框架
2‧‧‧切割裝置
4‧‧‧工作夾台(保持台)
4a‧‧‧保持面
4b‧‧‧夾具
6‧‧‧切割單元
8‧‧‧切割刀片
10‧‧‧刀片蓋
12‧‧‧切割液供給噴嘴
14‧‧‧切割液噴出口
16a、16b‧‧‧切割液送液管(切割液供給通路)
18a、18b、18c‧‧‧進給方向
圖1是示意地顯示膠帶貼附步驟的立體圖。 圖2(A)是示意地顯示保持步驟的局部截面圖,圖2(B)是示意地顯示第1切割步驟及第2切割步驟的局部截面圖。 圖3(A)是示意地顯示第1金屬毛邊去除步驟及第2金屬毛邊去除步驟的局部截面圖,圖3(B)是示意地顯示示第1膠帶毛邊去除步驟及第2膠帶毛邊去除步驟的局部截面圖。
Claims (4)
- 一種加工方法,是以旋轉的圓環狀的切割刀片對設定有分割預定線,且具有與該分割預定線重疊之金屬的被加工物進行切割,其中該分割預定線是由朝第1方向伸長之複數條第1分割預定線、及朝與該第1方向交叉之第2方向伸長之複數條第2分割預定線所構成,該加工方法的特徵在於: 其具備: 膠帶貼附步驟,將膠帶貼附於該被加工物; 保持步驟,在實施該膠帶貼附步驟之後,使該被加工物隔著該膠帶保持於保持台; 第1切割步驟,在實施該保持步驟之後,將該切割刀片切入該膠帶,並且以該切割刀片沿著該第1分割預定線切割被加工物,以形成第1切割溝; 第2切割步驟,在實施該第1切割步驟之後,將該切割刀片切入該膠帶,並且以該切割刀片沿著該第2分割預定線切割被加工物,以形成第2切割溝; 第1金屬毛邊去除步驟,在實施該第2切割步驟之後,將該切割刀片的最下端定位在比該金屬的上端更低的高度,來使該切割刀片通過該第1切割溝;及 第2金屬毛邊去除步驟,在實施該第2切割步驟之後,將該切割刀片的最下端定位在比該金屬的上端更低的高度,來使該切割刀片通過該第2切割溝, 該第1金屬毛邊去除步驟與該第2金屬毛邊去除步驟是一邊對被加工物供給包含有機酸與氧化劑之液體一邊實施。
- 如請求項1之加工方法,其更具備: 第1膠帶毛邊去除步驟,在實施該第1金屬毛邊去除步驟及該第2金屬毛邊去除步驟之後,使該切割刀片通過該第1切割溝,以去除從該膠帶產生之膠帶毛邊;及 第2膠帶毛邊去除步驟,在實施該第1金屬毛邊去除步驟及該第2金屬毛邊去除步驟之後,使該切割刀片通過該第2切割溝,以去除從該膠帶產生之膠帶毛邊, 在該第1切割步驟、該第2切割步驟、該第1金屬毛邊去除步驟、及該第2金屬毛邊去除步驟中,該切割刀片之最下端藉由該切割刀片的旋轉而移動的方向與該被加工物的進給方向一致, 在該第1膠帶毛邊去除步驟及該第2膠帶毛邊去除步驟中,該切割刀片之最下端藉由該切割刀片的旋轉而移動的方向與該被加工物的進給方向成為相反。
- 如請求項1或2之加工方法,其中該被加工物的進給速度在該第1金屬毛邊去除步驟、及該第2金屬毛邊去除步驟中,會比該第1切割步驟、及該第2切割步驟快。
- 如請求項1至3中任一項之加工方法,其中該第1切割步驟、及該第2切割步驟是一邊對該被加工物供給包含有機酸與氧化劑之液體一邊實施。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017092985A JP6949421B2 (ja) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 加工方法 |
JP2017-092985 | 2017-05-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201901782A true TW201901782A (zh) | 2019-01-01 |
TWI751324B TWI751324B (zh) | 2022-01-01 |
Family
ID=63962734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107112254A TWI751324B (zh) | 2017-05-09 | 2018-04-10 | 加工方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10283410B2 (zh) |
JP (1) | JP6949421B2 (zh) |
KR (1) | KR102448221B1 (zh) |
CN (1) | CN108878355B (zh) |
DE (1) | DE102018207131A1 (zh) |
SG (1) | SG10201803307SA (zh) |
TW (1) | TWI751324B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7005281B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-01-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
CN114101784A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-03-01 | 新疆八一钢铁股份有限公司 | 一种阶梯式剪刃弹扁定尺剪切方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4394210B2 (ja) * | 1999-09-08 | 2010-01-06 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
TWI228780B (en) * | 2000-05-11 | 2005-03-01 | Disco Corp | Semiconductor wafer dividing method |
US20030188685A1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-09 | Applied Materials, Inc. | Laser drilled surfaces for substrate processing chambers |
JP4405719B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2010-01-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体ウエハ |
JP2004288962A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング方法 |
JP2005039088A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 切削方法、切削装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4540421B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-09-08 | 株式会社ディスコ | ダイシング方法 |
KR100737610B1 (ko) * | 2005-04-28 | 2007-07-10 | 엘에스전선 주식회사 | 반도체용 다이싱 다이 접착필름 |
JP2008130929A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP5133660B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2013-01-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法 |
JP5226472B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-07-03 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
JP5659033B2 (ja) * | 2011-02-04 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2014007229A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2015126022A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2015123514A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6274926B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-02-07 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
US10071566B2 (en) * | 2015-04-03 | 2018-09-11 | Canon Finetech Nisca Inc. | Transfer material, recorded matter, method of manufacturing recorded matter, image-recording apparatus, and apparatus for manufacturing recorded matter |
-
2017
- 2017-05-09 JP JP2017092985A patent/JP6949421B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-10 TW TW107112254A patent/TWI751324B/zh active
- 2018-04-19 SG SG10201803307SA patent/SG10201803307SA/en unknown
- 2018-04-28 CN CN201810399315.6A patent/CN108878355B/zh active Active
- 2018-05-04 US US15/971,592 patent/US10283410B2/en active Active
- 2018-05-08 KR KR1020180052594A patent/KR102448221B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-08 DE DE102018207131.4A patent/DE102018207131A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108878355A (zh) | 2018-11-23 |
US20180330990A1 (en) | 2018-11-15 |
KR20180123637A (ko) | 2018-11-19 |
TWI751324B (zh) | 2022-01-01 |
KR102448221B1 (ko) | 2022-09-27 |
SG10201803307SA (en) | 2018-12-28 |
JP6949421B2 (ja) | 2021-10-13 |
CN108878355B (zh) | 2023-12-15 |
US10283410B2 (en) | 2019-05-07 |
JP2018190852A (ja) | 2018-11-29 |
DE102018207131A1 (de) | 2018-11-15 |
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