TW201903854A - 加工方法 - Google Patents

加工方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201903854A
TW201903854A TW107107585A TW107107585A TW201903854A TW 201903854 A TW201903854 A TW 201903854A TW 107107585 A TW107107585 A TW 107107585A TW 107107585 A TW107107585 A TW 107107585A TW 201903854 A TW201903854 A TW 201903854A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
cutting
cut
acid
group
Prior art date
Application number
TW107107585A
Other languages
English (en)
Inventor
竹之內研二
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201903854A publication Critical patent/TW201903854A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

[課題]提供一種加工方法，該加工方法對在切斷預定線上重疊而形成有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工之時，可維持加工的品質並且提高加工的速度。 [解決手段]是對在正面側具有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工的加工方法，其中該積層體是於切斷預定線上重疊而形成，該加工方法包含以下步驟：保持步驟，以保持台保持被加工物的背面側，以使積層體露出；切割步驟，在實施保持步驟後，以切割刀沿著切斷預定線切割被加工物，而形成將積層體斷開的切割溝；以及雷射加工步驟，在實施切割步驟後，沿著切割溝照射雷射光束，在切割步驟中，是一邊對被加工物供給包含有機酸及氧化劑的切割液一邊進行切割。

Description

加工方法
發明領域 本發明是有關於一種加工方法，是用於對在切斷預定線上重疊而形成有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工。
發明背景 在以行動電話及個人電腦為代表的電子機器中，具備有電子電路等的器件之器件晶片已成為必要的構成要素。器件晶片是藉由例如以複數條切斷預定線(切割道)將晶圓的正面加以區劃，並在各區域形成器件後，沿著此切斷預定線將晶圓切斷而獲得，其中該晶圓是以矽等半導體材料所形成。
近年來，在如上述的晶圓的切斷預定線上，大多配置有稱為TEG (測試元件群, Test Elements Group)的評價用元件，該評價用元件是用於評價器件的電氣特性(參照例如專利文獻1、2等)。藉由將TEG配置於切斷預定線上，可以將器件晶片的獲取數量確保在最大限度，並且可以和晶圓的切斷同時地去除評價後的不需要之TEG。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平6-349926號公報 專利文獻2：日本專利特開2005-21940號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，若欲以切割刀對TEG之類的包含金屬之積層體進行切割、去除時，在切割包含於積層體的金屬之時會變得容易產生延伸、稱為毛邊的突起，其中該切割刀是將磨粒分散於結合材而構成。又，若由切割刀進行的加工的速度變高而使發熱量增加時，毛邊也會容易變大。因此，在此方法中，必須將加工的速度抑制得較低，以免加工之品質降低。
本發明是有鑒於所述問題點而作成的發明，其目的在於提供一種加工方法，該加工方法對在切斷預定線上重疊而形成有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工之時，可維持加工的品質並且提高加工的速度。 用以解決課題之手段
根據本發明之一態樣，可提供一種加工方法，是對在正面側具有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工，其中該積層體是於切斷預定線上重疊而形成，該加工方法具備以下步驟： 保持步驟，以保持台保持被加工物的背面側，以使該積層體露出； 切割步驟，在實施該保持步驟後，以切割刀沿著該切斷預定線切割被加工物，而形成將該積層體斷開的切割溝；以及 雷射加工步驟，在實施該切割步驟後，沿著該切割溝照射雷射光束， 在該切割步驟中，是一邊對被加工物供給包含有機酸及氧化劑的切割液一邊進行切割。
於上述之本發明的一態樣中，在該雷射加工步驟中，亦可照射對被加工物具有吸收性之波長的雷射光束來沿著該切斷預定線將被加工物於厚度方向上切斷。
又，於上述之本發明的一態樣中，在該雷射加工步驟中，亦可照射對被加工物具有穿透性之波長的雷射光束，以於被加工物形成沿著該切割溝的改質層，且該態樣更具備分割步驟，該分割步驟是在實施該雷射加工步驟後，沿著該改質層分割被加工物。
又，於上述之本發明的一態樣中，在該雷射加工步驟中，亦可將雷射光束照射在被加工物的該背面，且該態樣更具備片材貼附步驟，該片材貼附步驟是在實施該切割步驟後且實施該雷射加工步驟前，將片材貼附於被加工物的該正面。 發明效果
在本發明之一態樣的加工方法中，因為是在形成將包含金屬之積層體斷開的切割溝之時，供給包含有機酸與氧化劑的切割液，所以可以一邊利用有機酸與氧化劑將金屬改質而降低其延展性一邊進行切割。藉此，即使提高加工的速度仍然可以抑制毛邊的產生。亦即，可維持加工的品質並且提高加工的速度。
用以實施發明之形態 參照附圖，說明本發明的一個態樣的實施形態。本實施形態的加工方法是用於對在正面側具有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工，其中該積層體是於切斷預定線上重疊而形成，該加工方法包含：第1片材貼附步驟(參照圖2(A))、第1保持步驟(參照圖2(B))、切割步驟(參照圖3) 、第2片材貼附步驟(參照圖4(A)) 、第2保持步驟(參照圖4(B))、以及雷射加工步驟(參照圖5(A))。
在第1片材貼附步驟中，是將片材(保護構件)黏貼於在正面側具有積層體的被加工物的背面。在第1保持步驟中，是以切割裝置的工作夾台(第1保持台)保持被加工物的背面側，以使於切斷預定線上重疊而形成的積層體露出。於切割步驟中，是一邊供給包含有機酸與氧化劑的切割液一邊沿著切斷預定線切割被加工物，而形成將積層體斷開的切割溝。
在第2片材貼附步驟中，是將片材(保護構件)貼附於被加工物的正面。在第2保持步驟中，是以雷射加工裝置的工作夾台(第2保持台)保持被加工物的正面側。在雷射加工步驟中，是從被加工物的背面側照射雷射光束來沿著切斷預定線將被加工物切斷。以下，詳細說明本實施形態的加工方法。
圖1(A)是示意地顯示以本實施形態之加工方法進行加工的被加工物11的構成例的立體圖，圖1(B)是將被加工物11的正面11a側的局部放大而得的平面圖。如圖1(A)所示，本實施形態的被加工物11是採用矽(Si)等半導體材料來形成為圓盤狀的晶圓，並將其正面11a側區分成中央的器件區域、與包圍器件區域的外周剩餘區域。
器件區域是以排列成格子狀之切斷預定線(切割道，Street)13進一步區劃為複數個區域，且於各區域中形成有IC(積體電路，Integrated Circuit)等器件15。又，如圖1(B)所示，於切斷預定線13上設有包含金屬的積層體17。藉由此積層體17，可形成例如稱為TEG(測試元件群，Test Elements Group)等的評價用的元件。
再者，在本實施形態中，雖然是以矽等半導體材料所形成之圓盤狀的晶圓作為被加工物11，但是對被加工物11之材質、形狀、構造、大小等並未限制。同樣地，對器件15或積層體17的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等也未限制。例如，也可以將沿著切斷預定線13形成有作為電極而發揮功能的積層體17的封裝基板等，作為被加工物11來使用。
在本實施形態的加工方法中，首先是進行第1片材貼附步驟，其是將片材(保護構件)黏貼於上述之被加工物11的背面11b。圖2(A)是用於說明第1片材貼附步驟的立體圖。如圖2(A)所示，於第1片材貼附步驟中，是將直徑比被加工物11更大的樹脂製的片材(保護構件)21黏貼於被加工物11的背面11b側。又，將環狀的框架23固定於片材21的外周部分。
藉此，被加工物11是透過片材21而被環狀的框架23所支撐。又，在本實施形態中，雖然是說明關於對透過片材21而被支撐於環狀的框架23的狀態之被加工物11進行加工的例子，但也可以不使用片材21或框架23而對被加工物11進行加工。在此情況下，可省略第1片材貼附步驟。又，亦可將與被加工物11同等的晶圓或其他的基板等作為保護構件來黏貼於被加工物11，以取代樹脂製的片材21。
於第1片材貼附步驟後是進行第1保持步驟，該第1保持步驟是以切割裝置的工作夾台(第1保持台)保持被加工物11。圖2(B)是用於說明第1保持步驟的局部截面側視圖。第1保持步驟是使用例如圖2(B)所示的切割裝置2來進行。切割裝置2具備有用於吸引、保持被加工物11之工作夾台(第1保持台)4。
工作夾台4是與馬達等的旋轉驅動源(圖未示)連結，並繞著與鉛直方向大致平行的旋轉軸旋轉。又，在工作夾台4的下方設置有加工進給機構(圖未示)，工作夾台4是藉由此加工進給機構而朝加工進給方向(第1水平方向)移動。
工作夾台4的上表面的一部分是形成為用於吸引、保持被加工物11(片材21)的保持面4a。保持面4a是透過形成在工作夾台4的內部的吸引路(圖未示)等而連接到吸引源(圖未示)。藉由吸引源的負壓作用在保持面4a，可將被加工物11吸引、保持於工作夾台4。於該工作夾台4的周圍設有用於固定環狀的框架23的複數個夾具6。
在第1保持步驟中，首先是使黏貼於被加工物11的背面11b側的片材21接觸於工作夾台4的保持面4a，並使吸引源的負壓作用。並一併利用夾具6來固定框架23。藉此，被加工物11是在正面11a側的積層體17朝上方露出的狀態下被保持。
於第1保持步驟後進行切割步驟，該切割步驟是形成將積層體17斷開的切割溝。圖3是用於說明切割步驟的局部截面側視圖。切割步驟是繼續使用切割裝置2來進行。如圖3所示，切割裝置2更具備有配置於工作夾台4的上方的切割單元8。
切割單元8具備有主軸(圖未示)，該主軸是成為相對於加工進給方向大致垂直的旋轉軸。在主軸的一端側，裝設有環狀的切割刀10，該環狀的切割刀10是將磨粒分散於結合材而構成。在主軸的另一端側，連結有馬達等的旋轉驅動源(圖未示)，且裝設在主軸的一端側的切割刀10，是藉由從該旋轉驅動源所傳來的力而旋轉。
又，主軸是被移動機構(圖未示)所支撐。切割刀10是藉由此移動機構而朝垂直於加工進給方向的分度進給方向(第2水平方向)、以及鉛直方向移動。於切割刀10的側邊，是將一對噴嘴12配置成包夾切割刀10。噴嘴12是構成為可以對切割刀10或被加工物11供給切割液14。
在切割步驟中，首先是使工作夾台4旋轉，並將成為對象之切斷預定線13的伸長的方向對準於切割裝置2之加工進給方向。又，使工作夾台4及切割單元8相對地移動，而將切割刀10的位置於成為對象之切斷預定線13的延長線上對準。然後，使切割刀10的下端移動至比積層體17的下表面更低的位置。
之後，一邊旋轉切割刀10一邊使工作夾台4朝加工進給方向移動。並一併從噴嘴12對切割刀10及被加工物11供給包含有機酸與氧化劑的切割液14。藉此，使切割刀10沿著對象的切斷預定線13切入，而可以在被加工物11的正面11a側形成將積層體17斷開的切割溝19a。
如本實施形態，藉由於切割液14中包含有機酸，可以將積層體17中的金屬改質，而抑制其延展性。又，藉由於切割液14中包含氧化劑，積層體17中的金屬的表面即變得容易氧化。其結果，可充份地降低積層體17中的金屬的延展性，而提高加工性。
作為包含於切割液14中的有機酸，可採用例如，分子內具有至少1個羧基和至少1個胺基的化合物。此時，胺基中之至少1個宜為2級或3級的胺基。又，作為有機酸而使用之化合物宜具有取代基。
可以作為有機酸而使用之胺基酸，可列舉出甘胺酸、二羥乙基甘胺酸、甘胺醯甘胺酸、羥乙基甘胺酸、N-甲基甘胺酸、β-丙胺酸、L-丙胺酸、L-2-胺基丁酸、L-正纈胺酸、L-纈胺酸、L-白胺酸、L-正白胺酸、L-別異白胺酸、L-異白胺酸、L-苯丙胺酸、L-脯胺酸、肌胺酸、L-鳥胺酸、L-離胺酸、牛磺酸、L-絲胺酸、L-蘇胺酸、L-別蘇胺酸、L-高絲胺酸、L-甲狀腺素、L-酪胺酸、3,5-二碘-L-酪胺酸、β-(3,4-二羥基苯基)-L-丙胺酸、4-羥基-L-脯胺酸、L-半胱胺酸、L-甲硫胺酸、L-乙硫胺酸、L-羊毛硫胺酸、L-胱硫醚、L-胱胺酸、L-氧化半胱胺酸、L-麩胺酸、L-天冬胺酸、S-(羧甲基)-L-半胱胺酸、4-胺基丁酸、L-天冬醯胺酸、L-麩醯胺酸、氮絲胺酸、L-刀豆胺酸、L-瓜胺酸、L-精胺酸、δ-羥基-L-離胺酸、肌酸、L-犬尿胺酸、L-組胺酸、1-甲基-L-組胺酸、3-甲基-L-組胺酸、L-色胺酸、放線菌黴素C1、麥角硫鹼(ergothioneine)、蜂毒明肽(apamin)、第一型血管收縮素(angiotensin I)、第二型血管收縮素(angiotensin II)及抗痛素(antipain)等。其中，尤以甘胺酸、L-丙胺酸、L-脯胺酸、L-組胺酸、L-離胺酸、以及二羥乙基甘胺酸為較佳。
又，可以作為有機酸而使用的胺基多元酸(amino polyacid)，可列舉出亞胺二乙酸、氮基三乙酸、二乙三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、羥乙基亞胺二乙酸、氮基三亞甲基膦酸(nitrilotris(methylene)phosphonic acid)、乙二胺-N,N,N',N'-四亞甲基磺酸、1,2-二胺丙烷四乙酸、二醇醚二胺四乙酸、反式環己烷二胺四乙酸、乙二胺鄰羥基苯基乙酸、乙二胺二琥珀酸(SS體)、β-丙胺酸二乙酸、N-(2-羧酸根合乙基)-L-天冬胺酸、N,N'-雙(2-羥基芐基)乙二胺N,N'-二乙酸等。
此外，可以作為有機酸而使用之羧酸，可列舉出甲酸、乙醇酸、丙酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、草酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、蘋果酸、琥珀酸、庚二酸、氫硫乙酸、乙醛酸、氯乙酸、丙酮酸、乙醯乙酸、戊二酸等之飽和羧酸，或丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、中康酸、檸康酸、烏頭酸等之不飽和羧酸、安息香酸類、甲苯甲酸、鄰苯二甲酸類、萘甲酸類、焦蜜石酸、以及萘二甲酸等之環狀不飽和羧酸等。
作為包含於切割液14中的氧化劑，可以使用例如，過氧化氫、過氧化物、硝酸鹽、碘酸鹽、過碘酸鹽、次氯酸鹽、亞氯酸鹽、氯酸鹽、過氯酸鹽、過硫酸鹽、重鉻酸鹽、過錳酸鹽、鈰酸鹽、釩酸鹽、臭氧水及銀(II)鹽、鐵(III)鹽、或其有機錯鹽等。
又，亦可在切割液14中混合防蝕劑。藉由混合防蝕劑，可防止被加工物11中所含有之金屬腐蝕(溶出)。作為防蝕劑，較理想的是使用例如，分子內具有3個以上的氮原子，且具有稠環構造之芳香雜環化合物、或分子內具有4個以上的氮原子之芳香雜環化合物。此外，芳環化合物宜包含羧基、磺酸基、羥基、烷氧基。具體而言，宜為四唑衍生物、1,2,3-三唑衍生物、以及1,2,4-三唑衍生物。
可以作為防蝕劑而使用的四唑衍生物，可列舉出在形成四唑環之氮原子上不具有取代基，且在四唑的第5位置上導入以下的基之四唑衍生物：選自於由磺酸基、胺基、胺甲醯基、碳醯胺基、胺磺醯基以及磺醯胺基所構成之群組中的取代基、或是用選自於由羥基、羧基、磺酸基、胺基、胺甲醯基、碳醯胺基、胺磺醯基以及磺醯胺基所構成之群組中的至少1個取代基所取代之烷基。
又，可以作為防蝕劑而使用的1,2,3-三唑衍生物，可列舉出在形成1,2,3-三唑環之氮原子上不具有取代基，且在1,2,3-三唑的第4位置及/或第5位置上導入以下的基之三唑衍生物：選自於由羥基、羧基、磺酸基、胺基、胺甲醯基、碳醯胺基、胺磺醯基以及磺醯胺基所構成之群組中的取代基、或是用選自於由羥基、羧基、磺酸基、胺基、胺甲醯基、碳醯胺基、胺磺醯基以及磺醯胺基所構成之群組中的至少1個取代基所取代的烷基或芳基。
又，可以作為防蝕劑而使用的1,2,4-三唑衍生物，可列舉出在形成1,2,4-三唑環之氮原子上不具有取代基，且在1,2,4-三唑的第2位置及/或第5位置上導入以下的基之三唑衍生物：選自於由磺酸基、胺甲醯基、碳醯胺基、胺磺醯基以及磺醯胺基所構成之群組中的取代基、或是用選自於由羥基、羧基、磺酸基、胺基、胺甲醯基、碳醯胺基、胺磺醯基以及磺醯胺基所構成之群組中的至少1個取代基所取代的烷基或芳基。
當重複上述之工序，而沿著全部的切斷預定線13都形成切割溝19a時，切割步驟即結束。在本實施形態中，因為是一邊對被加工物11供給包含有機酸及氧化劑的切割液14一邊進行切割，所以可一邊將包含於積層體17的金屬改質以降低其延展性，一邊進行切割。藉此，即使提高加工的速度仍然可以抑制毛邊的產生。
在切割步驟後是進行將片材(保護構件)黏貼於被加工物11的正面11a之第2片材貼附步驟。圖4(A)是用於說明第2片材貼附步驟的立體圖。如圖4(A)所示，於第2片材貼附步驟中，是將直徑比被加工物11更大的樹脂製的片材(保護構件)25黏貼於被加工物11的正面11a。又，將環狀的框架27固定於片材25的外周部分。
藉此，被加工物11是透過片材25而被環狀的框架27所支撐。又，在本實施形態中，雖然是說明關於對透過片材25而被支撐於環狀的框架27的狀態之被加工物11進行加工的例子，但也可以不使用片材25或框架27而對被加工物11進行加工。在此情況下，可省略第2片材貼附步驟。又，亦可將與被加工物11同等的晶圓或其他的基板等作為保護構件來黏貼於被加工物11，以取代樹脂製的片材25。
於第2片材貼附步驟後是進行以雷射加工裝置的工作夾台(第2保持台)保持被加工物11的第2保持步驟。圖4(B)是用於說明第2保持步驟的局部截面側視圖。再者，於第2保持步驟之前，會將背面11b側的片材21及框架23去除。第2保持步驟是採用例如圖4(B)所示的雷射加工裝置22來進行。雷射加工裝置22具備有用於吸引、保持被加工物11的工作夾台(第2保持台)24。
工作夾台24是與馬達等的旋轉驅動源(圖未示)相連結，並繞著與鉛直方向大致平行的旋轉軸旋轉。又，於工作夾台24的下方設置有移動機構(圖未示)，工作夾台24是藉由此移動機構而朝加工進給方向(第1水平方向)及分度進給方向(第2水平方向)移動。
工作夾台24的上表面的一部分是形成為用於吸引、保持被加工物11(片材25)的保持面24a。保持面24a是透過形成在工作夾台24的內部的吸引路(圖未示)等而連接到吸引源(圖未示)。藉由使吸引源的負壓作用在保持面24a，可將被加工物11吸引、保持於工作夾台24。於該工作夾台24的周圍設有用於固定環狀的框架27的複數個夾具26。
在第2保持步驟中，首先是使黏貼於被加工物11的正面11a側的片材25接觸於工作夾台24的保持面24a，並使吸引源的負壓作用。並一併利用夾具26來固定框架27。藉此，被加工物11是在背面11b側朝上方露出的狀態下被保持。
於第2保持步驟後是進行雷射加工步驟，該雷射加工步驟是從被加工物11的背面11b側照射雷射光束來沿著切斷預定線13將被加工物11切斷。雷射加工步驟是繼續使用雷射加工裝置22來進行。圖5(A)是用於說明雷射加工步驟的局部截面側視圖。如圖5(A)所示，雷射加工裝置22更具備有配置於工作夾台24的上方的雷射照射單元28。
雷射照射單元28會將以雷射振盪器(圖未示)所脈衝振盪產生的雷射光束28a於規定的位置照射、聚光。雷射振盪器是構成為可以脈衝振盪產生被加工物11可吸收之波長(對被加工物11具有吸收性之波長、容易被吸收之波長)的雷射光束28a。
在雷射加工步驟中，首先是使工作夾台24旋轉，並將成為對象的切割溝19a(即切斷預定線13)的伸長方向對準於雷射加工裝置22的加工進給方向。又，使工作夾台24移動，而將雷射照射單元28的位置於成為對象的切割溝19a的延長線上對準。再者，可以藉由使用例如對紅外線具有靈敏度的相機等，而從背面11b側確認切割溝19a的位置。
然後，如圖5(A)所示，一邊從雷射照射單元28朝向被加工物11所露出的背面11b照射雷射光束28a，一邊使工作夾台24朝加工進給方向移動。在此，是使雷射光束28a聚光於例如被加工物11的背面11b或正面11a、內部等。
藉此，可以沿著成為對象的切割溝19a照射雷射光束28a，而形成如將被加工物11於厚度方向上切斷的截口(切口)19b。當重複上述的動作，而例如沿著全部的切割溝19a來形成截口19b，且將被加工物11分割成複數個晶片時，雷射加工步驟即結束。
如以上，在本實施形態的加工方法中，因為是在形成將包含金屬之積層體17斷開的切割溝19a之時，供給包含有機酸與氧化劑的切割液14，所以可以一邊利用有機酸與氧化劑將金屬改質而降低其延展性一邊進行切割。藉此，即使提高加工的速度仍然可以抑制毛邊的產生。亦即，可維持加工的品質並且提高加工的速度。
再者，本發明並不因上述實施形態之記載而受到限制，並可作各種變更而實施。例如，在上述實施形態的雷射加工步驟中，雖然是藉由使用被加工物11可吸收之波長的雷射光束28a的燒蝕加工來將被加工物11切斷，但亦可利用其他方法來對被加工物11進行加工。
圖5(B)是用於說明變形例之雷射加工步驟的局部截面側視圖。如圖5(B)所示，變形例的雷射加工步驟是採用與上述實施形態同樣的雷射加工裝置22來進行。然而，變形例的雷射加工步驟的雷射照射單元28是構成為可以將於被加工物11中可穿透之波長(對被加工物11具有穿透性之波長、難以被吸收之波長)的雷射光束28b於規定的位置照射、聚光。
在變形例的雷射加工步驟中，首先是使工作夾台24旋轉，並將成為對象的切割溝19a(即切斷預定線13)的伸長方向對準於雷射加工裝置22的加工進給方向。又，使工作夾台24移動，而將雷射照射單元28的位置於成為對象的切割溝19a的延長線上對準。
然後，如圖5(B)所示，一邊從雷射照射單元28朝向被加工物11所露出的背面11b照射雷射光束28b，一邊使工作夾台24朝加工進給方向移動。在此，是使雷射光束28b聚光於例如被加工物11的內部。
藉此，沿著成為對象的切割溝19a照射於被加工物11中可穿透之波長的雷射光束28b，而可以藉由多光子吸收將被加工物11的內部改質。其結果，在被加工物11的內部，會沿著切割溝19a而形成成為分割之起點的改質層19c。
當重複上述之動作，而沿著全部的切斷預定線13都形成改質層19c時，變形例的雷射加工步驟即結束。此改質層19c亦可例如以裂隙19d到達切割溝19a之底的條件來形成。又，也可以相對於一條切斷預定線13，在不同深度的位置上重疊而形成複數個改質層19c。
又，於變形例的雷射加工步驟後，宜進一步進行沿著改質層19c分割被加工物11的分割步驟。圖6是用於說明分割步驟的局部截面側視圖。分割步驟是使用例如圖6所示之磨削裝置32來進行。再者，在將框架27固定於片材25的情況等，宜在進行此分割步驟前，先將片材25切除，並將框架27去除。
磨削裝置32具備有用於吸引、保持被加工物11的工作夾台34。工作夾台34是與馬達等的旋轉驅動源(圖未示)相連結，並繞著與鉛直方向大致平行的旋轉軸旋轉。又，在工作夾台34的下方設置有移動機構(圖未示)，工作夾台34是藉由此移動機構而在水平方向上移動。
工作夾台34的上表面的一部分是形成為用於吸引、保持被加工物11(從片材25切除而成的片材(保護構件)25a)的保持面34a。保持面34a是透過形成在工作夾台34的內部的吸引路(圖未示)等而連接到吸引源(圖未示)。藉由使吸引源的負壓作用在保持面34a，可將被加工物11吸引、保持於工作夾台34。
於工作夾台34的上方配置有磨削單元36。磨削單元36具備有由升降機構(圖未示)所支撐之主軸殼體(圖未示)。在主軸殼體中收容有主軸38，且在主軸38的下端部固定有圓盤狀的安裝座40。
於安裝座40的下表面裝設有與安裝座40大致相同直徑的磨削輪42。磨削輪42具備有以不銹鋼、鋁等金屬材料所形成的輪基台44。於輪基台44的下表面，環狀地配置排列有將鑽石等磨粒以樹脂等結合材固定而成之複數個磨削磨石46。
於主軸38的上端側(基端側)連結有馬達等之旋轉驅動源(圖未示)，且磨削輪42是藉由從此旋轉驅動源所產生之力，而繞著與鉛直方向大致平行的旋轉軸旋轉。磨削單元36之內部或是附近，配置有噴嘴(圖未示)，該噴嘴是用於對被加工物11等供給純水等磨削液。
於分割步驟中，首先是使黏貼於被加工物11的片材25a接觸於工作夾台4的保持面4a，並使吸引源的負壓作用。藉此，被加工物11是在背面11b側朝上方露出的狀態下被保持。接著，使工作夾台34移動至磨削單元36之下方。並且，如圖6所示，一邊使工作夾台34與磨削輪42各自旋轉並對被加工物11的背面11b等供給磨削液，一邊使主軸殼體(主軸38、磨削輪42)下降。
主軸殼體的下降速度是在可適當地將磨削磨石46的下表面壓抵於被加工物11的背面11b側的範圍內來調整。藉此，能夠磨削背面11b側而使被加工物11薄化。又，被加工物11是藉由從磨削磨石46等所施加的力，而以改質層19c為起點被分割。例如，若被加工物11變薄到所期望的厚度，而沿著全部的改質層19c分割成複數個晶片時，分割步驟即結束。
圖7(A)及圖7(B)是用於說明變形例的分割步驟的局部截面側視圖。變形例的分割步驟是使用例如圖7(A)及圖7(B)所示的擴張裝置52來進行。如圖7(A)及圖7(B)所示，擴張裝置52具備有用於支撐被加工物11的支撐構造54、及圓筒狀的擴張滾筒56。
支撐構造54包含支撐台58，該支撐台58具有在平面視角下圓形的開口部。在此支撐台58的上表面可載置環狀的框架27。在支撐台58的外周部分，設置有用於固定框架27的複數個夾具60。支撐台58是藉由用於升降支撐構造54的升降機構62而被支撐。
升降機構62具備有被固定在下方的基台(圖未示)的汽缸罩殼64、及插入於汽缸罩殼64的活塞桿66。在活塞桿66的上端部固定有支撐台58。升降機構62是藉由將活塞桿66上下地移動而使支撐構造54升降。
於支撐台58的開口部配置有擴張滾筒56。擴張滾筒56的內徑(直徑)是比被加工物11的直徑更大。另一方面，擴張滾筒56的外徑(直徑)是形成得比環狀的框架27的內徑(直徑)、或支撐台58的開口部的直徑更小。
在變形例的分割步驟中，首先是如圖7(A)所示，將支撐台58的上表面的高度對準於擴張滾筒56的上端的高度，並於將框架27載置於支撐台58的上表面後，以夾具60將框架27固定。藉此，擴張滾筒56的上端是在被加工物11與框架27之間接觸於片材25。
接著，以升降機構62使支撐構造54下降，以如圖7(B)所示，使支撐台58的上表面移動到比擴張滾筒56的上端更下方。其結果，擴張滾筒56是相對於支撐台58上升，且片材25會被擴張滾筒56上推而以放射狀的形式被擴張。當擴張片材25時，會讓片材25擴張的方向的力(放射狀的力)作用在被加工物11上。藉此，被加工物11會以改質層19c為起點而分割成複數個晶片。
又，於上述實施形態及變形例的雷射加工步驟中，雖然是從被加工物11的背面11b側照射雷射光束，但亦可從被加工物11的正面11a側照射雷射光束。再者，在此情況下，會成為在第2保持步驟中保持被加工物11的背面11b側(片材21側)之情形。又，於第2保持步驟前不進行第2片材貼附步驟。
又，在上述之切割步驟中，雖然是從包夾切割刀10的一對噴嘴12來供給切割液14，但對於用於供給切割液14之噴嘴的態樣並無特別的限制。圖8是顯示用於供給切割液14的另外的態樣的噴嘴的側視圖。如圖8所示，變形例的切割單元8，是除了切割刀10及一對噴嘴12以外，還具有配置在切割刀10的前方(或者後方)的噴嘴(噴淋噴嘴)16。
藉由從此噴嘴16供給切割液14，變得容易對切割溝19a供給切割液14，而成為可以更有效地將積層體17中的金屬改質。特別是如圖8所示，當將噴嘴16的噴射口朝向斜下方(例如切割刀10的加工點附近)時，會對切割溝19a供給、充填大量的切割液14，而可以更有效地將積層體17中的金屬改質，因而較理想。又，在圖8中，雖然是將噴嘴16與一對噴嘴12一起使用，但亦可僅單獨使用噴嘴16。
另外，上述實施形態之構造、方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，均可適當變更而實施。
11‧‧‧被加工物
11a‧‧‧正面
11b‧‧‧背面
13‧‧‧切斷預定線(切割道)
15‧‧‧器件
17‧‧‧積層體
19a‧‧‧切割溝
19b‧‧‧截口(切口)
19c‧‧‧改質層
19d‧‧‧裂隙
21、25、25a‧‧‧片材(保護構件)
23、27‧‧‧框架
2‧‧‧切割裝置
4‧‧‧工作夾台(第1保持台)
4a、24a、34a‧‧‧保持面
6、26、60‧‧‧夾具
8‧‧‧切割單元
10‧‧‧切割刀
12‧‧‧噴嘴
14‧‧‧切割液
16‧‧‧噴嘴(噴淋噴嘴)
22‧‧‧雷射加工裝置
24‧‧‧工作夾台(第2保持台)
28‧‧‧雷射照射單元
28a、28b‧‧‧雷射光束
32‧‧‧磨削裝置
34‧‧‧工作夾台
36‧‧‧磨削單元
38‧‧‧主軸
40‧‧‧安裝座
42‧‧‧磨削輪
44‧‧‧輪基台
46‧‧‧磨削磨石
52‧‧‧擴張裝置
54‧‧‧支撐構造
56‧‧‧擴張滾筒
58‧‧‧支撐台
62‧‧‧升降機構
64‧‧‧汽缸罩殼
66‧‧‧活塞桿
圖1(A)是示意地顯示被加工物的構成例的立體圖，圖1(B)是將被加工物的正面側的局部放大之平面圖。 圖2(A)是用於說明第1片材貼附步驟的立體圖，圖2(B)是用於說明第1保持步驟的局部截面側視圖。 圖3是用於說明切割步驟的局部截面側視圖。 圖4(A)是用於說明第2片材貼附步驟的立體圖，圖4(B)是用於說明第2保持步驟的局部截面側視圖。 圖5(A)是用於說明雷射加工步驟的局部截面側視圖，圖5(B)是用於說明變形例之雷射加工步驟的局部截面側視圖。 圖6是用於說明分割步驟的局部截面側視圖。 圖7(A)及圖7(B)是用於說明變形例之分割步驟的局部截面側視圖。 圖8是顯示用於供給切割液的另外的態樣之噴嘴的側視圖。

Claims (4)

  1. 一種加工方法，是對在正面側具有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工，其中該積層體是在切斷預定線上重疊而形成，該加工方法的特徵在於： 具備以下步驟： 保持步驟，以保持台保持被加工物的背面側，以使該積層體露出； 切割步驟，在實施該保持步驟後，以切割刀沿著該切斷預定線切割被加工物，而形成將該積層體斷開的切割溝；以及 雷射加工步驟，在實施該切割步驟後，沿著該切割溝照射雷射光束， 在該切割步驟中，是一邊對被加工物供給包含有機酸及氧化劑的切割液一邊進行切割。
  2. 如請求項1之加工方法，其中在該雷射加工步驟中，是照射對被加工物具有吸收性之波長的雷射光束，來沿著該切斷預定線將被加工物於厚度方向上切斷。
  3. 如請求項1之加工方法，其中在該雷射加工步驟中，是照射對被加工物具有穿透性之波長的雷射光束，而在被加工物形成沿著該切割溝的改質層， 且該加工方法更具備分割步驟，該分割步驟是在實施該雷射加工步驟後，沿著該改質層分割被加工物。
  4. 如請求項1至3中任一項之加工方法，其中在該雷射加工步驟中，是將雷射光束照射在被加工物的該背面， 且該加工方法更具備片材貼附步驟，該片材貼附步驟是在實施該切割步驟後且實施該雷射加工步驟前，將片材貼附於被加工物的該正面。
TW107107585A 2017-04-04 2018-03-07 加工方法 TW201903854A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-074248 2017-04-04
JP2017074248A JP2018181901A (ja) 2017-04-04 2017-04-04 加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201903854A true TW201903854A (zh) 2019-01-16

Family

ID=63525711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107107585A TW201903854A (zh) 2017-04-04 2018-03-07 加工方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10468302B2 (zh)
JP (1) JP2018181901A (zh)
KR (1) KR20180112695A (zh)
CN (1) CN108711551A (zh)
DE (1) DE102018205030A1 (zh)
SG (1) SG10201802539SA (zh)
TW (1) TW201903854A (zh)

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6349926A (ja) 1986-08-20 1988-03-02 Nec Corp 複数ソ−ト処理の並行実行方式
JPH06349926A (ja) 1993-06-12 1994-12-22 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0955573A (ja) 1995-08-10 1997-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂基板の切削方法
US6310017B1 (en) 1999-02-01 2001-10-30 Ct Associates, Inc. Cleaner composition, method for making and using same
JP3440888B2 (ja) 1999-06-21 2003-08-25 株式会社村田製作所 ダイシングブレード及び電子部品の製造方法
US6280298B1 (en) 1999-11-24 2001-08-28 Intel Corporation Test probe cleaning
US6596562B1 (en) 2002-01-03 2003-07-22 Intel Corporation Semiconductor wafer singulation method
US6791197B1 (en) * 2002-08-26 2004-09-14 Integrated Device Technology, Inc. Reducing layer separation and cracking in semiconductor devices
US7855130B2 (en) 2003-04-21 2010-12-21 International Business Machines Corporation Corrosion inhibitor additives to prevent semiconductor device bond-pad corrosion during wafer dicing operations
US7087452B2 (en) 2003-04-22 2006-08-08 Intel Corporation Edge arrangements for integrated circuit chips
JP4231349B2 (ja) 2003-07-02 2009-02-25 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2006140341A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4751634B2 (ja) 2005-03-31 2011-08-17 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US20080191318A1 (en) 2007-02-09 2008-08-14 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor device and method of sawing semiconductor device
US8629532B2 (en) 2007-05-08 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer with assisting dicing structure and dicing method thereof
JP5419596B2 (ja) 2009-09-02 2014-02-19 兼房株式会社 回転工具のための流体供給機構
JP5480923B2 (ja) 2011-05-13 2014-04-23 シャープ株式会社 半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール
JP2013161998A (ja) 2012-02-07 2013-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
US8952413B2 (en) 2012-03-08 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods
JP5996260B2 (ja) * 2012-05-09 2016-09-21 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
US8859397B2 (en) 2012-07-13 2014-10-14 Applied Materials, Inc. Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch
US9085049B2 (en) 2012-11-30 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for manufacturing semiconductor device
JP6274926B2 (ja) * 2014-03-17 2018-02-07 株式会社ディスコ 切削方法
US9275902B2 (en) 2014-03-26 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Dicing processes for thin wafers with bumps on wafer backside
US9460963B2 (en) 2014-03-26 2016-10-04 Globalfoundries Inc. Self-aligned contacts and methods of fabrication
JP2015207604A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9130057B1 (en) 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser
US9936364B2 (en) * 2014-07-03 2018-04-03 Cisco Technology, Inc. Mobile device wireless identifier assignment for emergency calls
JP6426407B2 (ja) * 2014-09-03 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR102457313B1 (ko) 2014-09-29 2022-10-20 린텍 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 가공용 시트용 기재, 반도체 웨이퍼 가공용 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2016103902A1 (ja) * 2014-12-25 2016-06-30 デンカ株式会社 レーザーダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2017017098A (ja) * 2015-06-29 2017-01-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10535554B2 (en) 2016-12-14 2020-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor die having edge with multiple gradients and method for forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018181901A (ja) 2018-11-15
CN108711551A (zh) 2018-10-26
US20180286756A1 (en) 2018-10-04
SG10201802539SA (en) 2018-11-29
US10468302B2 (en) 2019-11-05
DE102018205030A1 (de) 2018-10-04
KR20180112695A (ko) 2018-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI743326B (zh) 加工方法
TWI736747B (zh) 加工方法
KR102058767B1 (ko) 가공 방법
TW202009998A (zh) 封裝基板的加工方法
TWI741160B (zh) 加工方法
KR20180112691A (ko) 가공 방법
TWI733994B (zh) 加工方法
JP6949421B2 (ja) 加工方法
TW201903854A (zh) 加工方法
JP6991663B2 (ja) 加工方法
KR20180112683A (ko) 가공 방법
JP2022174520A (ja) 基板の加工方法
TW201839832A (zh) 加工方法
TW201838014A (zh) 加工方法