JP3440888B2 - ダイシングブレード及び電子部品の製造方法 - Google Patents
ダイシングブレード及び電子部品の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、未焼成のセラミッ
クスなどの被切削物を切断するのに用いられるダイシン
グブレード及び該ダイシングブレードを用いた電子部品
の製造方法に関する。
クスなどの被切削物を切断するのに用いられるダイシン
グブレード及び該ダイシングブレードを用いた電子部品
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品の製造に際しては、
マザーのセラミック積層体を用意した後、該セラミック
積層体を厚み方向に切断し、個々のセラミック電子部品
単位の積層体を得る。しかる後、該積層体を焼成するこ
とにより焼結体を得、焼結体の外表面に外部電極を形成
する。
マザーのセラミック積層体を用意した後、該セラミック
積層体を厚み方向に切断し、個々のセラミック電子部品
単位の積層体を得る。しかる後、該積層体を焼成するこ
とにより焼結体を得、焼結体の外表面に外部電極を形成
する。
【０００３】ところで、上記マザーのセラミック積層体
のようなセラミック生材料を切断するに際しては、押し
切り刃が用いられることが多い。一方半導体チップを製
造する場合には、ウエハーの切断にダイシングブレード
が広く用いられている。
のようなセラミック生材料を切断するに際しては、押し
切り刃が用いられることが多い。一方半導体チップを製
造する場合には、ウエハーの切断にダイシングブレード
が広く用いられている。
【０００４】上記ダイシングブレードの一例が、特開平
６−１８８３０８号公報に開示されている。図６に示す
ように、このダイシングブレード５１は、ホルダー５２
に、リング状の切断刃５３を取り付けた構造を有する。
切断刃５３は、外周縁が刃先とされている。また、切断
刃５３の両面には、半径方向に延びる複数の刃溝５４が
形成されている。すなわち、切断刃５３の厚みが部分的
に薄くなるように、切断刃５３の両面に複数の刃溝５４
が設けられている。
６−１８８３０８号公報に開示されている。図６に示す
ように、このダイシングブレード５１は、ホルダー５２
に、リング状の切断刃５３を取り付けた構造を有する。
切断刃５３は、外周縁が刃先とされている。また、切断
刃５３の両面には、半径方向に延びる複数の刃溝５４が
形成されている。すなわち、切断刃５３の厚みが部分的
に薄くなるように、切断刃５３の両面に複数の刃溝５４
が設けられている。
【０００５】切断に際し、刃溝５４を介して冷却水及び
洗浄用純水が切断部に十分に入り込む。従って、切断刃
５３の冷却と、切断部からの切り粉などの排除を円滑に
行い得るとされている。
洗浄用純水が切断部に十分に入り込む。従って、切断刃
５３の冷却と、切断部からの切り粉などの排除を円滑に
行い得るとされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記先行技術に記載の
ダイシングブレードでは、刃溝５４により、切断刃５３
の冷却と、切断部からの切り粉などの排除が円滑に行わ
れるとされている。しかしながら、厚みの厚い被切削物
を切断する場合には、切り粉が比較的多量に発生する。
従って、厚みの厚い被切削物を高速で切断した場合に
は、刃溝５４が設けられているものの、切り粉が円滑に
排出され難いという問題があった。
ダイシングブレードでは、刃溝５４により、切断刃５３
の冷却と、切断部からの切り粉などの排除が円滑に行わ
れるとされている。しかしながら、厚みの厚い被切削物
を切断する場合には、切り粉が比較的多量に発生する。
従って、厚みの厚い被切削物を高速で切断した場合に
は、刃溝５４が設けられているものの、切り粉が円滑に
排出され難いという問題があった。
【０００７】切り粉の排出が円滑に行われなくなると、
切断中にダイシングブレードに加わる負荷が大きくな
る。そのため、被切削物表面が粗くなったり、ダイシン
グブレードのぶれが大きくなり、正確に切断を行い得な
いことがあった。
切断中にダイシングブレードに加わる負荷が大きくな
る。そのため、被切削物表面が粗くなったり、ダイシン
グブレードのぶれが大きくなり、正確に切断を行い得な
いことがあった。
【０００８】ところで、積層セラミック電子部品を得る
ためのマザーの積層体の切断にダイシングブレードを用
いると、積層体が未焼結であるため、セラミック中のバ
インダや、内部電極を構成するための導電ペーストが内
部に存在する。従って、切り粉に導電ペースト粉やバイ
ンダが含有されているので、被切削物切断面に切り粉等
がこびりつき、容易に除去できないという問題もあっ
た。特に、積層体が肉厚の場合は、この問題が顕著であ
った。
ためのマザーの積層体の切断にダイシングブレードを用
いると、積層体が未焼結であるため、セラミック中のバ
インダや、内部電極を構成するための導電ペーストが内
部に存在する。従って、切り粉に導電ペースト粉やバイ
ンダが含有されているので、被切削物切断面に切り粉等
がこびりつき、容易に除去できないという問題もあっ
た。特に、積層体が肉厚の場合は、この問題が顕著であ
った。
【０００９】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、厚い被切削物を高速で切断する場合であって
も、切り粉を円滑に排出することができ、従って被切削
物表面の汚染が生じ難く、かつ高精度に切断を行い得る
ダイシングブレード及び該ダイシングブレードを用いた
電子部品の製造方法を提供することにある。
を解消し、厚い被切削物を高速で切断する場合であって
も、切り粉を円滑に排出することができ、従って被切削
物表面の汚染が生じ難く、かつ高精度に切断を行い得る
ダイシングブレード及び該ダイシングブレードを用いた
電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、リング状切断
刃を有し、該リング状切断刃の外周縁が刃先とされてい
るダイシングブレードにおいて、前記外周縁の刃先に、
この刃先の厚み方向に貫通する少なくとも１つのスリッ
トが形成されており、該スリットの深さが被切削物の厚
みより大きくされており、前記スリットの幅が、刃先側
からダイシングブレード中心側に向かうにつれて狭くさ
れており、前記リング状切断刃の刃先を含む平面と直交
する方向から見たときに、前記スリットが円弧状の形状
を有することを特徴とする。
刃を有し、該リング状切断刃の外周縁が刃先とされてい
るダイシングブレードにおいて、前記外周縁の刃先に、
この刃先の厚み方向に貫通する少なくとも１つのスリッ
トが形成されており、該スリットの深さが被切削物の厚
みより大きくされており、前記スリットの幅が、刃先側
からダイシングブレード中心側に向かうにつれて狭くさ
れており、前記リング状切断刃の刃先を含む平面と直交
する方向から見たときに、前記スリットが円弧状の形状
を有することを特徴とする。
【００１１】
【００１２】本発明に係る電子部品の製造方法は、導電
ペーストからなる複数の内部電極がセラミック層を介し
て積層されている未焼成のマザーの積層体を用意する工
程と、本発明に係るダイシングブレードを回転させつ
つ、上記マザーの積層体を該ダイシングブレードにより
厚み方向に切断し、個々の電子部品単位の積層体を得る
工程と、上記積層体を焼成する工程と、焼成により得ら
れた焼結体の外表面に内部電極に電気的に接続される外
部電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
ペーストからなる複数の内部電極がセラミック層を介し
て積層されている未焼成のマザーの積層体を用意する工
程と、本発明に係るダイシングブレードを回転させつ
つ、上記マザーの積層体を該ダイシングブレードにより
厚み方向に切断し、個々の電子部品単位の積層体を得る
工程と、上記積層体を焼成する工程と、焼成により得ら
れた焼結体の外表面に内部電極に電気的に接続される外
部電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００１４】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の
参考例に係るダイシングブレードの斜視図及び（ａ）中
のＢ−Ｂ線に沿う部分の部分切欠断面図である。本参考
例のダイシングブレード１は、例えば、ダイヤモンド
（粒子）などの材料からなるリング状切断刃２を有す
る。リング状切断刃２では、外周縁２ａが刃先とされて
いる。ダイシングブレード１では、リング状切断刃２の
中央に開口２ｂが形成されている。開口２ｂは、図示し
ないホルダーに連結される。
参考例に係るダイシングブレードの斜視図及び（ａ）中
のＢ−Ｂ線に沿う部分の部分切欠断面図である。本参考
例のダイシングブレード１は、例えば、ダイヤモンド
（粒子）などの材料からなるリング状切断刃２を有す
る。リング状切断刃２では、外周縁２ａが刃先とされて
いる。ダイシングブレード１では、リング状切断刃２の
中央に開口２ｂが形成されている。開口２ｂは、図示し
ないホルダーに連結される。
【００１５】他方、ダイシングブレード１においては、
刃先２ａに、刃先２ａの厚み方向に貫通する複数のスリ
ット３ａ〜３ｄが形成されている。スリット３ａ〜３ｄ
は、それぞれ、刃先２ａ側に開いており、かつ図１
（ｂ）にスリット３ｃを代表して示すように、スリット
３ｃの深さＴ1 は、被切削物の厚みよりも大きくされて
いる。図２に、被切削物の一例としてのマザーのセラミ
ック積層体４を略図的に示す。このマザーのセラミック
積層体４の厚みをＴ2 としたとき、Ｔ1 ＞Ｔ2 とされて
いる。
刃先２ａに、刃先２ａの厚み方向に貫通する複数のスリ
ット３ａ〜３ｄが形成されている。スリット３ａ〜３ｄ
は、それぞれ、刃先２ａ側に開いており、かつ図１
（ｂ）にスリット３ｃを代表して示すように、スリット
３ｃの深さＴ1 は、被切削物の厚みよりも大きくされて
いる。図２に、被切削物の一例としてのマザーのセラミ
ック積層体４を略図的に示す。このマザーのセラミック
積層体４の厚みをＴ2 としたとき、Ｔ1 ＞Ｔ2 とされて
いる。
【００１６】本参考例では、スリット３ａ〜３ｄの幅
は、刃先側から最奥部に至るまで等しくされている。例
えば、スリット３ａを例にとると、スリット３ａは、平
行に延びる一対の側壁３ａ1，３ａ2を有し、該一対の側
壁３ａ1，３ａ2の最奥部が、底壁３ａ3により連結され
ている。
は、刃先側から最奥部に至るまで等しくされている。例
えば、スリット３ａを例にとると、スリット３ａは、平
行に延びる一対の側壁３ａ1，３ａ2を有し、該一対の側
壁３ａ1，３ａ2の最奥部が、底壁３ａ3により連結され
ている。
【００１７】ダイシングブレード１を用いて被切削物を
切断加工するに際しては、ダイシングブレード１のリン
グ状切断刃２をその中心のまわりに回転させる。リング
状切断刃２を回転させつつ、例えば図２に示すマザーの
積層体４を厚み方向に切断する。この場合、切断刃２に
スリット３ａ〜３ｄが形成されているので、切断に伴っ
て発生した切り粉がスリット３ａ〜３ｄを経由してマザ
ーの積層体４の表面側に円滑に排出される。
切断加工するに際しては、ダイシングブレード１のリン
グ状切断刃２をその中心のまわりに回転させる。リング
状切断刃２を回転させつつ、例えば図２に示すマザーの
積層体４を厚み方向に切断する。この場合、切断刃２に
スリット３ａ〜３ｄが形成されているので、切断に伴っ
て発生した切り粉がスリット３ａ〜３ｄを経由してマザ
ーの積層体４の表面側に円滑に排出される。
【００１８】なお、スリット３ａ〜３ｄの深さＴ1 が、
被切削物であるマザーの積層体４の厚みＴ2 よりも小さ
い場合には、スリット３ａ〜３ｄが被切削物であるマザ
ーの積層体４中に埋設され、切り粉の排出が円滑に行わ
れ難い。
被切削物であるマザーの積層体４の厚みＴ2 よりも小さ
い場合には、スリット３ａ〜３ｄが被切削物であるマザ
ーの積層体４中に埋設され、切り粉の排出が円滑に行わ
れ難い。
【００１９】本参考例のダイシングブレード１を用いて
セラミック電子部品を製造する方法を説明する。まず、
導電ペーストからなる複数の内部電極がセラミック層を
介して積層されている未焼成のマザーの積層体４を用意
する。この未焼成のマザーの積層体４を用意する方法に
ついては、従来より周知の積層コンデンサ製造方法など
を用いて行うことができる。
セラミック電子部品を製造する方法を説明する。まず、
導電ペーストからなる複数の内部電極がセラミック層を
介して積層されている未焼成のマザーの積層体４を用意
する。この未焼成のマザーの積層体４を用意する方法に
ついては、従来より周知の積層コンデンサ製造方法など
を用いて行うことができる。
【００２０】次に、ダイシングブレード１を回転させつ
つ、マザーの積層体４をダイシングブレード１により厚
み方向に切断し、個々の電子部品単位の積層体を得る。
この場合、スリット３ａ〜３ｄが形成されているので、
切り粉が円滑に排出されると共に、ダイシングブレード
のぶれが生じ難いので、マザーの積層体４を高精度に切
断することができる。
つ、マザーの積層体４をダイシングブレード１により厚
み方向に切断し、個々の電子部品単位の積層体を得る。
この場合、スリット３ａ〜３ｄが形成されているので、
切り粉が円滑に排出されると共に、ダイシングブレード
のぶれが生じ難いので、マザーの積層体４を高精度に切
断することができる。
【００２１】上記のようにして得られた個々の電子部品
単位の積層体を焼成し、焼結体を得る。次に、得られた
焼結体の外表面に、内部電極に電気的に接続される外部
電極を形成する。上記焼成工程及び外部電極形成工程に
ついても、従来より周知の積層セラミック電子部品の製
造方法に従って行うことができる。
単位の積層体を焼成し、焼結体を得る。次に、得られた
焼結体の外表面に、内部電極に電気的に接続される外部
電極を形成する。上記焼成工程及び外部電極形成工程に
ついても、従来より周知の積層セラミック電子部品の製
造方法に従って行うことができる。
【００２２】上記積層セラミック電子部品の製造に際し
ては、ダイシングブレードによる切断が高精度に行われ
るので、寸法精度に優れた個々の電子部品単位の積層体
を得ることができる。また、切断に際し、切り粉が円滑
に排出されるので、切断により得られた積層体表面への
切り粉、特にバインダや導電ペースト粉等の付着が生じ
難い。従って、信頼性に優れた積層セラミック電子部品
を得ることができる。
ては、ダイシングブレードによる切断が高精度に行われ
るので、寸法精度に優れた個々の電子部品単位の積層体
を得ることができる。また、切断に際し、切り粉が円滑
に排出されるので、切断により得られた積層体表面への
切り粉、特にバインダや導電ペースト粉等の付着が生じ
難い。従って、信頼性に優れた積層セラミック電子部品
を得ることができる。
【００２３】図３及び図４を参照して、スリットの形状
が異なる第２の参考例及び実施例を説明する。
が異なる第２の参考例及び実施例を説明する。
【００２４】図３に示す第２の参考例のダイシングブレ
ード１１では、スリット１３ａ〜１３ｄは、刃先２ａ側
から最奥部に至るにつれて、その幅が狭くなるように形
成されている。
ード１１では、スリット１３ａ〜１３ｄは、刃先２ａ側
から最奥部に至るにつれて、その幅が狭くなるように形
成されている。
【００２５】図４に示す実施例のダイシングブレード２
１では、スリット２３ａ〜２３ｄは、円弧状の形状を有
する。すなわち、リング状切断刃２の刃先２ａを含む平
面と直交する方向から見たときに、すなわち図４におい
て図示されている側から見たときに、スリット２３ａ〜
２３ｄは円弧状の形状を有する。従って、ダイシングブ
レード２１を図４の矢印Ｘ方向に回転させて切断を行っ
た場合、切り粉がスリット２３ａ〜２３ｄからより一層
円滑に排出される。
１では、スリット２３ａ〜２３ｄは、円弧状の形状を有
する。すなわち、リング状切断刃２の刃先２ａを含む平
面と直交する方向から見たときに、すなわち図４におい
て図示されている側から見たときに、スリット２３ａ〜
２３ｄは円弧状の形状を有する。従って、ダイシングブ
レード２１を図４の矢印Ｘ方向に回転させて切断を行っ
た場合、切り粉がスリット２３ａ〜２３ｄからより一層
円滑に排出される。
【００２６】次に、具体的な実験例に基づき、本発明の
効果を明らかにする。ダイヤモンド粒子からなり、切断
刃２の外径が７２ｍｍ、内径が６５ｍｍ、スリット３ａ
〜３ｄの幅Ｗ＝１．０ｍｍ、深さＴ1 ＝３．０ｍｍ、ス
リット最奥部における切断刃厚み＝０．２０ｍｍである
第１の参考例に係るダイシングブレードを用意した。
効果を明らかにする。ダイヤモンド粒子からなり、切断
刃２の外径が７２ｍｍ、内径が６５ｍｍ、スリット３ａ
〜３ｄの幅Ｗ＝１．０ｍｍ、深さＴ1 ＝３．０ｍｍ、ス
リット最奥部における切断刃厚み＝０．２０ｍｍである
第１の参考例に係るダイシングブレードを用意した。
【００２７】また、第２の参考例のダイシングブレード
１１として、スリット１３ａ〜１３ｄの開口部の幅が第
１の参考例のダイシングブレードと同様とされており、
スリットの開口部から最奥部に至るにつれて幅が狭くな
るように形成されていることを除いては、第１の参考例
と同様にして構成されたものを用意した。
１１として、スリット１３ａ〜１３ｄの開口部の幅が第
１の参考例のダイシングブレードと同様とされており、
スリットの開口部から最奥部に至るにつれて幅が狭くな
るように形成されていることを除いては、第１の参考例
と同様にして構成されたものを用意した。
【００２８】さらに、実施例に係るダイシングブレード
２１を、スリットの形状を異ならせたことを除いては、
上記第１の参考例のダイシングブレードと同じ寸法とさ
れたものを用意した。なお、円弧状のスリット２３ａ〜
２３ｄにおけるスリットの深さとは、スリット２３ａ〜
２３ｄの開口部中心と、スリット２３ａ〜２３ｄの最奥
部とを結ぶ距離をいうものとする。
２１を、スリットの形状を異ならせたことを除いては、
上記第１の参考例のダイシングブレードと同じ寸法とさ
れたものを用意した。なお、円弧状のスリット２３ａ〜
２３ｄにおけるスリットの深さとは、スリット２３ａ〜
２３ｄの開口部中心と、スリット２３ａ〜２３ｄの最奥
部とを結ぶ距離をいうものとする。
【００２９】また、比較のために、図６に示した従来の
ダイシングブレード５１を用意した。ダイシングブレー
ド５１の材料及び外径寸法は、第１の参考例のダイシン
グブレードと同様とした。もっとも、スリット３ａ〜３
ｄは形成せず、代わりに、幅１．０ｍｍ、深さ３．０ｍ
ｍの刃溝５４を、ダイシングブレードの両面に形成し
た。また、刃溝５４の数については、片面あたり１６個
とした。
ダイシングブレード５１を用意した。ダイシングブレー
ド５１の材料及び外径寸法は、第１の参考例のダイシン
グブレードと同様とした。もっとも、スリット３ａ〜３
ｄは形成せず、代わりに、幅１．０ｍｍ、深さ３．０ｍ
ｍの刃溝５４を、ダイシングブレードの両面に形成し
た。また、刃溝５４の数については、片面あたり１６個
とした。
【００３０】上記第１，第２の参考例、実施例及び比較
のために用意した従来例の各ダイシングブレードを用
い、切断試験を行った。被切削物としては、２００ｍｍ
×２００ｍｍ×厚み２．５ｍｍのマザーの未焼成の積層
体を用意した。この積層体４では、内部にニッケルから
なる導電ペーストが３００層積層されている。
のために用意した従来例の各ダイシングブレードを用
い、切断試験を行った。被切削物としては、２００ｍｍ
×２００ｍｍ×厚み２．５ｍｍのマザーの未焼成の積層
体を用意した。この積層体４では、内部にニッケルから
なる導電ペーストが３００層積層されている。
【００３１】切断に際しては、各ダイシングブレードを
用い、１００ｍｍ／秒、２００ｍｍ／秒、３００ｍｍ／
秒及び４００ｍｍ／秒の各切断速度で切断を行い、３ｍ
ｍ×３ｍｍ×厚み２．５ｍｍの積層体を得た。
用い、１００ｍｍ／秒、２００ｍｍ／秒、３００ｍｍ／
秒及び４００ｍｍ／秒の各切断速度で切断を行い、３ｍ
ｍ×３ｍｍ×厚み２．５ｍｍの積層体を得た。
【００３２】上記のようにして個々の積層セラミック電
子部品単位の積層体を得た後、得られた積層体表面を観
察し、切り粉の付着の有無を評価した。結果を下記の表
１に示す。
子部品単位の積層体を得た後、得られた積層体表面を観
察し、切り粉の付着の有無を評価した。結果を下記の表
１に示す。
【００３３】また、上記各切断速度で切断した場合のダ
イシングブレードのぶれ量を測定した。ぶれ量とは、ダ
イシングブレードを回転させつつ切断した場合の刃先の
ダイシングブレードの刃先を含む平面に直交する方向の
振幅をいうものとする。結果を図５に示す。
イシングブレードのぶれ量を測定した。ぶれ量とは、ダ
イシングブレードを回転させつつ切断した場合の刃先の
ダイシングブレードの刃先を含む平面に直交する方向の
振幅をいうものとする。結果を図５に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１及び図５から明らかなように、第１の
参考例のダイシングブレードでは、スリット３ａ〜３ｄ
から切り粉が円滑に排出されるので、切断速度を３００
ｍｍ／秒まで高めた場合であっても、得られた積層体に
おいて切り粉の付着は認められなかった。また、図５か
ら明らかなように、ダイシングブレードのぶれ量も小さ
かった。
参考例のダイシングブレードでは、スリット３ａ〜３ｄ
から切り粉が円滑に排出されるので、切断速度を３００
ｍｍ／秒まで高めた場合であっても、得られた積層体に
おいて切り粉の付着は認められなかった。また、図５か
ら明らかなように、ダイシングブレードのぶれ量も小さ
かった。
【００３６】また、第２の参考例に係るダイシングブレ
ードを用いた場合においても、３００ｍｍ／秒の切断速
度で切断を行っても、積層体に切り粉の付着が認められ
ず、さらに、ダイシングブレードのぶれ量は、第１の参
考例のダイシングブレードよりも少なかった。
ードを用いた場合においても、３００ｍｍ／秒の切断速
度で切断を行っても、積層体に切り粉の付着が認められ
ず、さらに、ダイシングブレードのぶれ量は、第１の参
考例のダイシングブレードよりも少なかった。
【００３７】また、実施例に係るダイシングブレード２
１では、切り粉がより円滑に排出され、そのため４００
ｍｍ／秒の速度で切断した場合であっても、得られた積
層体表面に切り粉が付着しなかった。また、４００ｍｍ
／秒の速度で切断した場合においても、ダイシングブレ
ードのぶれ量が小さかった。
１では、切り粉がより円滑に排出され、そのため４００
ｍｍ／秒の速度で切断した場合であっても、得られた積
層体表面に切り粉が付着しなかった。また、４００ｍｍ
／秒の速度で切断した場合においても、ダイシングブレ
ードのぶれ量が小さかった。
【００３８】これに対して、従来例のダイシングブレー
ド５１では、切り粉の排出が円滑でないため、３００ｍ
ｍ／秒で切断した場合、得られた積層体表面に切り粉が
付着していた。さらに、図５から明らかなように、第１
の参考例、第２の参考例及び実施例の各ダイシングブレ
ードを用いた場合に比べて、いずれの切断速度において
も、ダイシングブレードのぶれ量が大きかった。
ド５１では、切り粉の排出が円滑でないため、３００ｍ
ｍ／秒で切断した場合、得られた積層体表面に切り粉が
付着していた。さらに、図５から明らかなように、第１
の参考例、第２の参考例及び実施例の各ダイシングブレ
ードを用いた場合に比べて、いずれの切断速度において
も、ダイシングブレードのぶれ量が大きかった。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係るダイシングブレードでは、
外周縁の刃先に少なくとも１つのスリットが形成されて
おり、該スリットの深さが被切削物の厚みより大きいた
め、ダイシングブレードを回転させて被切削物を切断し
た場合、切り粉が切断部分から外部に速やかに排出され
ると共に、ダイシングブレードの刃先のぶれが非常に小
さくなる。従って、被切削物の厚みが厚く、高速で切断
した場合であっても、被切削物を高精度に切断すること
ができると共に、切断後の切断面に切り粉が付着し難
い。
外周縁の刃先に少なくとも１つのスリットが形成されて
おり、該スリットの深さが被切削物の厚みより大きいた
め、ダイシングブレードを回転させて被切削物を切断し
た場合、切り粉が切断部分から外部に速やかに排出され
ると共に、ダイシングブレードの刃先のぶれが非常に小
さくなる。従って、被切削物の厚みが厚く、高速で切断
した場合であっても、被切削物を高精度に切断すること
ができると共に、切断後の切断面に切り粉が付着し難
い。
【００４０】また、スリットの幅が、刃先からダイシン
グブレード中心側に向かうにつれて狭くなるように、ス
リットが形成されているので、上述した実験例から明ら
かなように、切り粉の排出がより円滑に行われ、それに
よってダイシングブレードのぶれが小さくなる。従っ
て、被切削物をより一層高精度に切断することができ
る。
グブレード中心側に向かうにつれて狭くなるように、ス
リットが形成されているので、上述した実験例から明ら
かなように、切り粉の排出がより円滑に行われ、それに
よってダイシングブレードのぶれが小さくなる。従っ
て、被切削物をより一層高精度に切断することができ
る。
【００４１】また、リング状切断刃の刃先を含む平面と
直交する方向から見たときに、スリットが円弧状の形状
を有するため、切り粉がより一層円滑に排出されると共
に、切断に際してのダイシングブレードのぶれを低減す
ることができる。従って、より一層高速で切断した場合
であっても、被切削物の切断面における切り粉の付着を
抑制することができると共に、より一層高精度に被切削
物を切断することができる。
直交する方向から見たときに、スリットが円弧状の形状
を有するため、切り粉がより一層円滑に排出されると共
に、切断に際してのダイシングブレードのぶれを低減す
ることができる。従って、より一層高速で切断した場合
であっても、被切削物の切断面における切り粉の付着を
抑制することができると共に、より一層高精度に被切削
物を切断することができる。
【００４２】本発明に係る電子部品の製造方法では、本
発明に係るダイシングブレードを回転させつつ、マザー
の積層体を厚み方向に切断することにより、個々の電子
部品単位の積層体が得られる。上記のように、本発明に
係るダイシングブレードを用いることにより、マザーの
積層体をより高精度に切断することができ、かつ得られ
た個々の電子部品単位の積層体における切断面への切り
粉の付着を効果的に抑制することができる。すなわち、
導電ペーストを含む切り粉が発生したとしても、該切り
粉の個々の電子部品単位の積層体の切断面への付着を効
果的に抑制することができる。
発明に係るダイシングブレードを回転させつつ、マザー
の積層体を厚み方向に切断することにより、個々の電子
部品単位の積層体が得られる。上記のように、本発明に
係るダイシングブレードを用いることにより、マザーの
積層体をより高精度に切断することができ、かつ得られ
た個々の電子部品単位の積層体における切断面への切り
粉の付着を効果的に抑制することができる。すなわち、
導電ペーストを含む切り粉が発生したとしても、該切り
粉の個々の電子部品単位の積層体の切断面への付着を効
果的に抑制することができる。
【００４３】従って、得られた個々の電子部品単位の積
層体を焼成し、焼結体の外表面に外部電極を形成するこ
とにより、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を提
供することが可能となる。
層体を焼成し、焼結体の外表面に外部電極を形成するこ
とにより、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を提
供することが可能となる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の参考例に
係るダイシングブレード及び（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う部
分の部分切欠断面図。
係るダイシングブレード及び（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う部
分の部分切欠断面図。
【図２】被切削物の一例としてのマザーの積層体を示す
斜視図。
斜視図。
【図３】本発明の第２の参考例に係るダイシングブレー
ドを示す正面図。
ドを示す正面図。
【図４】本発明の実施例に係るダイシングブレードを示
す正面図。
す正面図。
【図５】第１，第２の参考例、実施例及び従来例の各ダ
イシングブレードを用い被切削物を切断した場合の切断
速度と、ダイシングブレードのぶれ量との関係を示す
図。
イシングブレードを用い被切削物を切断した場合の切断
速度と、ダイシングブレードのぶれ量との関係を示す
図。
【図６】従来のダイシングブレードの一例を示す斜視
図。
図。
１…ダイシングブレード
２…リング状切断刃
２ａ…刃先
３ａ〜３ｄ…スリット
Ｔ1…スリットの深さ
Ｔ2…被切削物の厚み
４…被切削物としてのマザーの積層体
１１…ダイシングブレード
１３ａ〜１３ｄ…スリット
２１…ダイシングブレード
２３ａ〜２３ｄ…スリット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/301
B28D 5/00
Claims (2)
- 【請求項１】 リング状切断刃を有し、該リング状切断
刃の外周縁が刃先とされているダイシングブレードにお
いて、 前記外周縁の刃先に、この刃先の厚み方向に貫通する少
なくとも１つのスリットが形成されており、該スリット
の深さが被切削物の厚みより大きくされており、前記ス
リットの幅が、刃先側からダイシングブレード中心側に
向かうにつれて狭くされており、前記リング状切断刃の
刃先を含む平面と直交する方向から見たときに、前記ス
リットが円弧状の形状を有することを特徴とする、ダイ
シングブレード。 - 【請求項２】 導電ペーストからなる複数の内部電極が
セラミック層を介して積層されている未焼成のマザーの
積層体を用意する工程と、 請求項１に記載のダイシングブレードを回転させつつ、
前記マザーの積層体を該ダイシングブレードにより厚み
方向に切断し、個々の電子部品単位の積層体を得る工程
と、 前記積層体を焼成する工程と、 前記焼成により得られた焼結体の外表面に内部電極に電
気的に接続される外部電極を形成する工程とを備えるこ
とを特徴とする、電子部品の製造方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP17377399A JP3440888B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | ダイシングブレード及び電子部品の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17377399A JP3440888B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | ダイシングブレード及び電子部品の製造方法 |
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| CN202356732U (zh) * | 2011-12-11 | 2012-08-01 | 富泰华精密电子（郑州）有限公司 | 切槽刀 |
| DE102013108918A1 (de) * | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Saint-Gobain Diamantwerkzeuge Gmbh & Co. Kg | Formabrichtrolle |
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| KR101990013B1 (ko) * | 2019-01-16 | 2019-06-17 | 김멋진 | 절단용 블레이드 및 이를 이용한 절단장치 |
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| DE3701716C3 (de) * | 1987-01-22 | 1996-06-20 | Basf Magnetics Gmbh | Verfahren zum Schneiden von Magnetbändern |
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-
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- 1999-06-21 JP JP17377399A patent/JP3440888B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-07 TW TW89111014A patent/TW457641B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2000-06-14 US US09/593,470 patent/US6461940B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-19 KR KR10-2000-0033586A patent/KR100368024B1/ko active IP Right Grant
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