JPH06188308A - ダイシングブレード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、ウェハーから半導体素子チップ
を切り出す場合、切削能力が低下せず、かつ切り粉等の
排除が充分できて半導体素子チップの品質を低下させな
いダイシングブレードを提供することを目的とする。 【構成】 ダイシングブレード２０の外周部にリング状
に設けられた切削刃２３の両面には、その半径方向に向
かって、その周方向に所定ピッチで刃溝２４を設けられ
ている。この刃溝２４を介して冷却および洗浄用の純水
が切削部に充分に入り込み、切削刃２３の充分の冷却と
切削部からの切り粉等の充分な排除がなされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ウェハーから半導体
素子チップを切り出していくダイシング装置のダイシン
グブレードに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来のダイシング装置の一例を示
す側面図、図７は従来のダイシング装置の一例を示す平
面図、図８は従来のダイシングブレードの一例を示す斜
視図、図９はダイシングブレードでウェハーをカッティ
ングしている状態を示す断面図である。

【０００３】図において、１は台金１ａの外周にリング
状の切削刃１ｂが設けられたダイシングブレード、２は
ダイシングブレード１を高速で回転させるとともに、こ
れを上下方向および左右方向に移動させるスピンドル、
３は数十μm から数百μm 幅のスクライブラインをおい
て半導体素子が多数形成された例えばシリコン等から形
成される円板状のウェハー、４はダイシングブレード１
の切削刃１ｂによりウェハー３に形成された切り溝、５
はダイシングブレード１によりウェハー３から切り出さ
れた半導体素子チップである。

【０００４】６はダイシングブレード１の下方でウェハ
ー３を水平に固定する円形の粘着テープ、７は粘着テー
プ６の外周に取り付けられ粘着テープ６を介してウエハ
ー３を保持する金属製のリング、８は粘着テープ６等を
下方から吸着支持するとともに、この粘着テープ６等を
所定角度回転させて、ウェハー３の向きを変える吸着テ
ーブル、９は吸着テーブル８をベース１０に対して紙面
の上下方向である前後方向に移動させる移動台、１１は
ダイシングブレード１でカッティングされるウェハー３
に純水Ｗを注ぎ、ウェハー３の冷却と洗浄を行なうため
の純水配管である。

【０００５】つぎにこのダイシング装置の動作を説明す
る。ウェハー３が保持されている粘着テープ６をリング
７を把持して吸着テーブル８上に載置し、この吸着テー
ブル８で粘着テープ６等を吸着支持する。つぎに、スピ
ンドル２を介してダイシングブレード１を回転するとと
もに、このダイシングブレード１を下降し、その切削刃
１ｂをウェハー３の位置まで下げた後、移動台９を後方
に向かって移動しつつ、ウェハー３をそのスクライブラ
インに沿ってカッティングしていく。そして、ウェハー
３の１つのスクライブラインに沿ったカットが終了する
と、ダイシングブレード１を上昇させた後、ウェハー３
の左方側のつぎのスクライブラインの位置までダイシン
グブレード１を移動させる。この間移動台９を前方に移
動した後、ダイシングブレード１を再び下降させ、同様
のウェハー３のカッティングを行なう。

【０００６】そして、ウェハー３の前後方向に向かうス
クライブラインに沿うカッティングが終了すると、吸着
テーブル８を９０度回転させ、同様にウェハー３の左右
方向に向かうスクライブラインに沿うカッティングを行
なう。そして、ウェハー３のすべてのカッティングが終
了すれば、このウェハー３から所定数の半導体素子チッ
プ５が切り出される。

【０００７】さて、ウェハー３がダイシングブレード１
の切削刃１ｂでカッティングされている間は、ウェハー
３の切削部に純水配管１１を介して純水Ｗが注がれ、こ
の純水Ｗによってダイシングブレード１の切削刃１ｂの
冷却がなされるとともに、ウェハー３の切り溝４内の洗
浄等がなされる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のダイシングブレード１では、その切削刃１ｂでウェ
ハー３をカッティングしている際に、図９で示されるよ
うに、ウェハー３の切り溝４とダイシングブレード１の
切削刃１ｂ間にはわずかの隙間しか生じず、純水Ｗがこ
の隙間を介して切り溝４内に充分に入り込むことができ
ないという問題があった。

【０００９】このため、ダイシングブレード１の切削刃
１ｂの冷却が充分にできなくなり、ダイシングブレード
１の切削性能が低下し（切れ味が悪くなって）、ウェハ
ー３に欠け等が生じてしまうという課題があった。ま
た、純水Ｗがウェハー３の切り溝４内に充分に入り込め
ないため、ウェハー３の切り粉が半導体素子チップ５の
切削側面に付着したままとなったり、ダイシングブレー
ド１により粘着テープ６に切り込みが生じた場合、テー
プの切り屑が半導体素子チップ５の切削側面に付着した
ままとなり、できあがった半導体素子チップ５の品質が
低下してしまうという不都合があった。

【００１０】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、ウェハーから半導体素子チップを
切り出す場合、その切削性能が低下せず、かつ切り粉等
の排除が充分できて半導体素子チップの品質を低下させ
ないダイシングブレードを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明は、その外周部
にリング状の切削刃を有し、回転してウェハーを切削す
ることにより、このウェハーから半導体素子チップを切
り出していくダイシングブレードにおいて、切削刃の両
面に、その半径方向に向かって、その周方向に所定ピッ
チで刃溝を形成したことである。

【００１２】

【作用】ダイシングブレードを回転させてその切削刃で
ウェハーから半導体素子チップを切り出していく場合、
切削刃が切り込んでいるウェハーの切り溝内には冷却用
および洗浄用の純水が注がれる。この場合、切削刃には
その両面に、その半径方向に向かって、その周方向に所
定ピッチで刃溝が形成されているため、注がれた純水は
切削刃とウェハーの切り溝との隙間のみでなく、この切
削刃の刃溝からも切り溝内に入り込む。したがって、こ
のダイシングブレードでは純水により、切削刃の冷却が
充分になされるとともに、切り溝内からウェハーの切り
粉等の除去（流し出し）が充分になされる。

【００１３】

【実施例】以下にこの発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の実施例１を示すダイシング
ブレードの斜視図、図２はこのダイシングブレードの部
分拡大断面斜視図、図３はこのダイシングブレードでウ
ェハーをカッティングしている状態を示す図である。な
お、このダイシングブレードが取り付けられているダイ
シング装置やウェハーの構成は図６および図７で示され
るものと同一である。

【００１４】図において、２０はウェハー３から半導体
素子チップ５を切り出していくダイシングブレードであ
る。以下、このダイシングブレード２０の構成について
説明すれば、２１はスピンドル２が差し込まれ、このダ
イシングブレード２０をスピンドル２に固定するための
ハブ、２２はハブ２１の外周に円板状に形成される台
金、２３は台金２２の外周にリング状に形成され、ニッ
ケル等の母材に粒径が数μm のダイアモンド粒が混入さ
れているその厚さが数十から数百μm の切削刃、２４は
切削刃２３の両面にその半径方向に向かって、その周方
向に所定ピッチで設けられた刃溝である。この刃溝２４
は例えば切削刃２３の厚さの１／５〜１／４程度（数μ
m 〜数十μm ）の深さを有する円弧状溝で構成され、切
削刃２３の一面側の刃溝２４に対して他面側のそれはち
どり状にその中間部に配置されている。

【００１５】なお、このダイシングブレード２０のスピ
ンドル２側の面は、ハブ２１や台金２２が外方に突出し
ておらず、ハブ２１と台金２２の外面が切削刃２３の外
面と同一平面を形成している。

【００１６】つぎにこの実施例１によるダイシングブレ
ード２０の動作を説明する。スピンドル２の回転にとも
ないダイシングブレード２０が回転し、粘着テープ６上
のウェハー３がそのスクライブラインの方向に向かって
移動台９により移動されると、ウェハー３はダイシング
ブレード２０の切削刃２３によって、スクライブライン
に沿ってカッティングされていく。そして、切削刃２３
によってウェハー３に形成されつつある切り溝４内に
は、純水配管１１により冷却用および洗浄用の純水Ｗが
注がれる。

【００１７】この場合、純水Ｗは切削刃２３と切り溝４
間の隙間および切削刃２３に設けられた刃溝２４を介し
て切り溝４内に入り込み、切削刃２３を充分に冷却する
とともに、切り溝４内に生じているウェハー３の切り粉
等をこの切り溝４から外部に充分に流し出す。すなわ
ち、切削刃２３は純水Ｗにより充分に冷却され、その切
削性能（切れ味）が低下せず、カッティングに当たり、
ウェハー３に欠け等を生じさせることはない。また、純
水Ｗにより切り溝４から切り粉等を充分に流し出すこと
ができるため、切り粉等が半導体素子チップ５の切削側
面に付着し、切り出された半導体素子チップの品質が低
下することもない。

【００１８】さらに、切削刃２３の刃溝２４はこの刃溝
２４内にあるウェハー３の切り粉のすくい出し効果も有
すため、この点からも切り溝４の半導体素子チップ５の
切削側面に切り粉が付着するのを防止できる。

【００１９】なお、図４で示されるように、刃溝２４を
切削刃２３の両面の同じ位置に設けるようにしてもよ
い。また、刃溝２４の断面形状は円弧状以外にも三角形
状や４角形状であってもよい。

【００２０】実施例２．図５はこの発明の実施例２を示
すダイシングブレードの斜視図である。図において、２
５はダイシングブレード２０の台金２２に設けられた案
内溝である。なお、他の構成は上記実施例１の場合と同
一である。

【００２１】上記案内溝２５は台金２２の半径方向に湾
曲した状態で、この台金２２の周方向に所定ピッチで設
けられていて、その外端部は切削刃２３の刃溝２４につ
ながっている。したがって、純水配管１１からダイシン
グブレード２０の台金２２に当たるように注がれた純水
Ｗは、この案内溝２５を介して刃溝２４側に充分に注が
れることとなる。このため、このダイシングブレード２
０では上記実施例１のダイシングブレード２０よりも、
純水Ｗによる冷却効果および洗浄効果を上げることがで
き、切削刃２３の切削能力の低下をより防止できるとと
もに、半導体素子チップ５の品質の低下をより防止する
ことができる。なお、この案内溝２５は台金２２の片面
側または両面側のいずれに設けてもよい。

【００２２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなようにこの発明
によれば、その外周部にリング状の切削刃を有し、回転
してウェハーを切削することにより、このウェハーから
半導体素子チップを切り出していくダイシングブレード
において、切削刃の両面に、その半径方向に向かって、
その周方向に所定ピッチで刃溝を形成したので、この刃
溝を介して切削刃によるウェハーの切削部に冷却用およ
び洗浄用の純水を多く集めることができる。したがっ
て、このダイシングブレードでは純水による冷却が充分
になされ、その切削性能が低下しないとともに、純水に
より切り粉等の排除も充分になされ、半導体素子チップ
の品質を低下させることもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１に係るダイシングブレード
の斜視図である。

【図２】このダイシングブレードの部分拡大断面斜視図
である。

【図３】このダイシングブレードでウェハーをカッティ
ングしている状態を示す断面図である。

【図４】この発明の実施例１の変更実施例に係るダイシ
ングブレードの部分拡大断面斜視図である。

【図５】この発明の実施例２に係るダイシングブレード
の斜視図である。

【図６】従来のダイシング装置の一例を示す側面図であ
る。

【図７】従来のダイシング装置の一例を示す平面図であ
る。

【図８】従来のダイシングブレードの斜視図である。

【図９】従来のダイシングブレードでウェハーをカッテ
ィングしている状態を示す断面図である。

【符号の説明】

３ ウェハー ５ 半導体素子チップ ２０ ダイシングブレード ２３ 切削刃 ２４ 刃溝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その外周部にリング状の切削刃を有し、
   回転してウェハーを切削することにより、このウェハー
   から半導体素子チップを切り出していくダイシングブレ
   ードにおいて、前記切削刃の両面に、その半径方向に向
   かって、その周方向に所定ピッチで刃溝を形成したこと
   を特徴とするダイシングブレード。